JPH0794635A - 樹脂封止パッケージ - Google Patents
樹脂封止パッケージInfo
- Publication number
- JPH0794635A JPH0794635A JP5259102A JP25910293A JPH0794635A JP H0794635 A JPH0794635 A JP H0794635A JP 5259102 A JP5259102 A JP 5259102A JP 25910293 A JP25910293 A JP 25910293A JP H0794635 A JPH0794635 A JP H0794635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- heat spreader
- sealed package
- mold
- exposed surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヒートスプレッダの表出面が樹脂で被われる
ことなく，放熱性が良好な樹脂封止パッケージを提供す
ること。 【構成】 電子素子１１をヒートスプレッダ１５にダイ
ボンディングし，モールドレジン１２で封止した樹脂封
止パッケージ１０である。樹脂封止パッケージ１０は，
ヒートスプレッダ１５の表出面１５１周縁の全周に渡っ
て，樹脂の流入を防止するための均一な高さの降起部を
形成し，該降起部を成形型のキャビティの壁面に押圧し
つつキャビティに樹脂を注入してモールドレジン１２を
成形したものである。ヒートスプレッダ１５の降起部の
高さは，５０〜５００μｍであることが好ましい。
ことなく，放熱性が良好な樹脂封止パッケージを提供す
ること。 【構成】 電子素子１１をヒートスプレッダ１５にダイ
ボンディングし，モールドレジン１２で封止した樹脂封
止パッケージ１０である。樹脂封止パッケージ１０は，
ヒートスプレッダ１５の表出面１５１周縁の全周に渡っ
て，樹脂の流入を防止するための均一な高さの降起部を
形成し，該降起部を成形型のキャビティの壁面に押圧し
つつキャビティに樹脂を注入してモールドレジン１２を
成形したものである。ヒートスプレッダ１５の降起部の
高さは，５０〜５００μｍであることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ヒートスプレッダの片
面を表出した樹脂封止パッケージに関するものであり，
特に樹脂がヒートスプレッダの表出面に流入し放熱性を
低下させることのない樹脂封止パッケージに関する。
面を表出した樹脂封止パッケージに関するものであり，
特に樹脂がヒートスプレッダの表出面に流入し放熱性を
低下させることのない樹脂封止パッケージに関する。
【０００２】
【従来技術】図５に示すように，電子素子９１をモール
ドレジン９２によって封止すると共に，ヒートスプレッ
ダ９３の片面９３１を表出して放熱を図った樹脂封止パ
ッケージ９０がある。ヒートスプレッダ９３は，熱伝導
性の良好なダイボンド剤９７により電子素子９１に取付
けられている。また，電子素子９１とリードフレーム９
４とは，ボンディングワイヤ９５によって接続されてい
る。
ドレジン９２によって封止すると共に，ヒートスプレッ
ダ９３の片面９３１を表出して放熱を図った樹脂封止パ
ッケージ９０がある。ヒートスプレッダ９３は，熱伝導
性の良好なダイボンド剤９７により電子素子９１に取付
けられている。また，電子素子９１とリードフレーム９
４とは，ボンディングワイヤ９５によって接続されてい
る。
【０００３】同図において，符号９６は，ヒートスプレ
ッダ９３とリードフレーム９４とを接着する絶縁性の接
着剤である。ヒートスプレッダ９３は，切削加工やエッ
チングによる切断等によって製造することもできるが，
安価で量産性に優れたプレス打抜きにより製造されるこ
とが多い。
ッダ９３とリードフレーム９４とを接着する絶縁性の接
着剤である。ヒートスプレッダ９３は，切削加工やエッ
チングによる切断等によって製造することもできるが，
安価で量産性に優れたプレス打抜きにより製造されるこ
とが多い。
【０００４】一方，モールドレジン９２の成形は，電子
素子９１とヒートスプレッダ９３とリードフレーム９４
とを一体化した後，これを成形型のキャビティに収容
し，加熱流動化した樹脂を注入することにより製作され
ている。なお，上記ヒートスプレッダ９３の表出面９３
１に更にヒートシンクを取付けて一段と放熱性を向上さ
せることもある。
素子９１とヒートスプレッダ９３とリードフレーム９４
とを一体化した後，これを成形型のキャビティに収容
し，加熱流動化した樹脂を注入することにより製作され
ている。なお，上記ヒートスプレッダ９３の表出面９３
１に更にヒートシンクを取付けて一段と放熱性を向上さ
せることもある。
【０００５】
【解決しようとする課題】しかしながら，従来の樹脂封
止パッケージには，次のような問題がある。それは，図
６，図７に示すように，モールドレジン９２の成形時に
おいて，流動状態の樹脂がヒートスプレッダ９３の表出
面９３１に流入し，表出面９３１を被うことである。そ
の結果，ヒートスプレッダ９３の熱放出面である表出面
９３１の面積が狭められ放熱性が低下する。
止パッケージには，次のような問題がある。それは，図
６，図７に示すように，モールドレジン９２の成形時に
おいて，流動状態の樹脂がヒートスプレッダ９３の表出
面９３１に流入し，表出面９３１を被うことである。そ
の結果，ヒートスプレッダ９３の熱放出面である表出面
９３１の面積が狭められ放熱性が低下する。
【０００６】特に，ヒートスプレッダ９３をプレス打抜
きにより製造した場合には，図５，図８に示すように，
プレス型の押下方向Ａ（図８）に沿って四隅に丸み（だ
れ）９３２を生じ易い。そして，この丸み９３２を樹脂
が被い表出面９３１の面積を狭めることとなる。本発明
は，かかる従来の問題点に鑑みて，ヒートスプレッダの
表出面が樹脂で被われることがなく，放熱性の良好な樹
脂封止パッケージを提供しようとするものである。
きにより製造した場合には，図５，図８に示すように，
プレス型の押下方向Ａ（図８）に沿って四隅に丸み（だ
れ）９３２を生じ易い。そして，この丸み９３２を樹脂
が被い表出面９３１の面積を狭めることとなる。本発明
は，かかる従来の問題点に鑑みて，ヒートスプレッダの
表出面が樹脂で被われることがなく，放熱性の良好な樹
脂封止パッケージを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題の解決手段】本発明は，電子素子と，該電子素子
にダイボンディングされたヒートスプレッダと，上記電
子素子に接続されたリードフレームと，上記ヒートスプ
レッダの片面を表出させて全体を封止するモールドレジ
ンとを有する樹脂封止パッケージであって，上記樹脂封
止パッケージは，上記ヒートスプレッダの表出面周縁の
全周に渡って，樹脂の流入を防止するためのほぼ均一な
高さの降起部を形成し，その後上記降起部を成形型のキ
ャビティの壁面に押圧しつつ軟化した樹脂をキャビティ
内に注入してモールドレジンを成形したことを特徴とす
る樹脂封止パッケージにある。
にダイボンディングされたヒートスプレッダと，上記電
子素子に接続されたリードフレームと，上記ヒートスプ
レッダの片面を表出させて全体を封止するモールドレジ
ンとを有する樹脂封止パッケージであって，上記樹脂封
止パッケージは，上記ヒートスプレッダの表出面周縁の
全周に渡って，樹脂の流入を防止するためのほぼ均一な
高さの降起部を形成し，その後上記降起部を成形型のキ
ャビティの壁面に押圧しつつ軟化した樹脂をキャビティ
内に注入してモールドレジンを成形したことを特徴とす
る樹脂封止パッケージにある。
【０００８】本発明において最も注目すべきことは，樹
脂封止パッケージから表出させるヒートスプレッダの表
出面の周縁の全周に渡って，樹脂の流入を防止するため
の略均一な高さを有する降起部を形成したことであり，
この降起部を成形型のキャビティ壁面に押圧しつつ軟化
した樹脂をキャビティに注入して成形したことである。
脂封止パッケージから表出させるヒートスプレッダの表
出面の周縁の全周に渡って，樹脂の流入を防止するため
の略均一な高さを有する降起部を形成したことであり，
この降起部を成形型のキャビティ壁面に押圧しつつ軟化
した樹脂をキャビティに注入して成形したことである。
【０００９】なお，上記降起部の高さは，５０〜５００
μｍであることが好ましい。５０μｍより小さいと樹脂
成形時にヒートスプレッダの表出面に樹脂が流入する恐
れがある。一方，５００μｍを越えるとヒートスプレッ
ダの上面（表出面）に，更にヒートシンクを装着する場
合に，ヒートシンクとヒートスプレッダとの密着度が低
下し，ヒートシンクへの熱伝達が悪化して放熱性が低下
するからである。
μｍであることが好ましい。５０μｍより小さいと樹脂
成形時にヒートスプレッダの表出面に樹脂が流入する恐
れがある。一方，５００μｍを越えるとヒートスプレッ
ダの上面（表出面）に，更にヒートシンクを装着する場
合に，ヒートシンクとヒートスプレッダとの密着度が低
下し，ヒートシンクへの熱伝達が悪化して放熱性が低下
するからである。
【００１０】そして，ヒートスプレッダの表出面に降起
部を形成する方法には，例えば，板状部材のプレス打抜
きによってヒートスプレッダを製造し，上記プレス打抜
きと同時に板状部材の下面に打抜き用プレス型の押下に
よって降起部を形成する方法がある。
部を形成する方法には，例えば，板状部材のプレス打抜
きによってヒートスプレッダを製造し，上記プレス打抜
きと同時に板状部材の下面に打抜き用プレス型の押下に
よって降起部を形成する方法がある。
【００１１】板状部材をプレス型により打抜くと，板状
部材の上面には，図８に示すようにプレス型の押下によ
る丸み（だれ）９３２が生じ，下面には逆に突部（ば
り）が生じ易い。上記下面の突部は，通常は抑制される
べきものであるが，これを積極的に活用し降起部を形成
することは極めて容易である。それ故，上記プレス打抜
き方法によれば，降起部を有するヒートスプレッダを安
価に大量生産することができる。
部材の上面には，図８に示すようにプレス型の押下によ
る丸み（だれ）９３２が生じ，下面には逆に突部（ば
り）が生じ易い。上記下面の突部は，通常は抑制される
べきものであるが，これを積極的に活用し降起部を形成
することは極めて容易である。それ故，上記プレス打抜
き方法によれば，降起部を有するヒートスプレッダを安
価に大量生産することができる。
【００１２】
【作用及び効果】本発明の樹脂封止パッケージにおいて
は，ヒートスプレッダの表出面に樹脂の流入を防止する
降起部を形成し，この降起部をキャビティに押圧しつつ
樹脂をキャビティに注入する。従って，成形時における
軟化した樹脂は，上記降起部に遮られてヒートスプレッ
ダの表面に浸入することがない。
は，ヒートスプレッダの表出面に樹脂の流入を防止する
降起部を形成し，この降起部をキャビティに押圧しつつ
樹脂をキャビティに注入する。従って，成形時における
軟化した樹脂は，上記降起部に遮られてヒートスプレッ
ダの表面に浸入することがない。
【００１３】それ故，ヒートスプレッダの表出面は，完
全に露出し，その放熱性が低下することがない。上記の
ように，本発明によれば，ヒートスプレッダの表出面が
樹脂で被われることがなく，放熱性の良好な樹脂封止パ
ッケージを提供することができる。
全に露出し，その放熱性が低下することがない。上記の
ように，本発明によれば，ヒートスプレッダの表出面が
樹脂で被われることがなく，放熱性の良好な樹脂封止パ
ッケージを提供することができる。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例にかかる樹脂封止パッケージ
につき，図１〜図４を用いて説明する。本例は，図１に
示すように，電子素子１１と，電子素子１１にダイボン
ディングされたヒートスプレッダ１５と，ボンディング
ワイヤ１４により電子素子１１に接続されたリードフレ
ーム１３と，上記ヒートスプレッダ１５の片面を表出さ
せて全体を封止するモールドレジン１２とを有する樹脂
封止パッケージ１０である。
につき，図１〜図４を用いて説明する。本例は，図１に
示すように，電子素子１１と，電子素子１１にダイボン
ディングされたヒートスプレッダ１５と，ボンディング
ワイヤ１４により電子素子１１に接続されたリードフレ
ーム１３と，上記ヒートスプレッダ１５の片面を表出さ
せて全体を封止するモールドレジン１２とを有する樹脂
封止パッケージ１０である。
【００１５】上記樹脂封止パッケージ１０は，図２に示
すように上記ヒートスプレッダ１５の表出面１５１の周
縁の全周に渡って，樹脂の流入を防止するためのほぼ均
一な高さの降起部１５２を形成する。その後図３に示す
ように，降起部１５２を成形型２１のキャビティ２２の
壁面２２１に押圧しつつ，図４に示すようにキャビティ
２２内に軟化した樹脂２３を注入し，トランスファモー
ルド法によりモールドレジン１２を成形する。
すように上記ヒートスプレッダ１５の表出面１５１の周
縁の全周に渡って，樹脂の流入を防止するためのほぼ均
一な高さの降起部１５２を形成する。その後図３に示す
ように，降起部１５２を成形型２１のキャビティ２２の
壁面２２１に押圧しつつ，図４に示すようにキャビティ
２２内に軟化した樹脂２３を注入し，トランスファモー
ルド法によりモールドレジン１２を成形する。
【００１６】上記降起部１５２の高さは，約１００μｍ
である。また，ヒートスプレッダ１５は，板状部材のプ
レス打抜きによって製造されたものである。そして，ヒ
ートスプレッダ１５の降起部１５２は，上記打抜き用プ
レス型の押下により，板状部材の下面側に打抜きと同時
に形成されたものである。
である。また，ヒートスプレッダ１５は，板状部材のプ
レス打抜きによって製造されたものである。そして，ヒ
ートスプレッダ１５の降起部１５２は，上記打抜き用プ
レス型の押下により，板状部材の下面側に打抜きと同時
に形成されたものである。
【００１７】なお，本例の電子素子１１はＩＣチップで
ある。ヒートスプレッダ１５は，ダイボンド剤１６によ
り電子素子１１に取付けられている。上記ダイボンド剤
１６は，熱伝導の良好な接着剤であり，電子素子１１の
発熱は，ダイボンド剤１６とヒートスプレッダ１５とを
通り，ヒートスプレッダ１５の表出面１５１から外部に
放出される。
ある。ヒートスプレッダ１５は，ダイボンド剤１６によ
り電子素子１１に取付けられている。上記ダイボンド剤
１６は，熱伝導の良好な接着剤であり，電子素子１１の
発熱は，ダイボンド剤１６とヒートスプレッダ１５とを
通り，ヒートスプレッダ１５の表出面１５１から外部に
放出される。
【００１８】次に本例の樹脂封止パッケージ１０の作用
効果について述べる。本例のヒートスプレッダ１５に
は，図２に示すように，表出面１５１の周縁に降起部１
５２を設け，図３に示すように，押圧力Ｆにより上記降
起部１５２を成形型２１の壁面２２１に押圧して樹脂２
３を注入する。
効果について述べる。本例のヒートスプレッダ１５に
は，図２に示すように，表出面１５１の周縁に降起部１
５２を設け，図３に示すように，押圧力Ｆにより上記降
起部１５２を成形型２１の壁面２２１に押圧して樹脂２
３を注入する。
【００１９】その結果，図４に示すように，降起部１５
２は，押圧力Ｆによって押し潰されて隆起が低下して，
表出面１５１はほぼ平坦化される。そして，表出面１５
１には樹脂２３が流入せず，表出面１５１が樹脂２３で
被われることもない。従って，ヒートスプレッダ１５は
良好な放熱特性を保持する。上記のように，本例によれ
ば，ヒートスプレッダの表出面が樹脂で被われることが
なく，放熱性の良好な樹脂封止パッケージを提供するこ
とができる。
２は，押圧力Ｆによって押し潰されて隆起が低下して，
表出面１５１はほぼ平坦化される。そして，表出面１５
１には樹脂２３が流入せず，表出面１５１が樹脂２３で
被われることもない。従って，ヒートスプレッダ１５は
良好な放熱特性を保持する。上記のように，本例によれ
ば，ヒートスプレッダの表出面が樹脂で被われることが
なく，放熱性の良好な樹脂封止パッケージを提供するこ
とができる。
【図１】実施例の樹脂封止パッケージの正面断面図。
【図２】実施例のヒートスプレッダの樹脂封止前の正面
図。
図。
【図３】実施例の樹脂封止パッケージの樹脂成形工程の
説明図（樹脂注入前）。
説明図（樹脂注入前）。
【図４】実施例の樹脂封止パッケージの樹脂成形工程の
他の説明図（樹脂注入後）。
他の説明図（樹脂注入後）。
【図５】従来の樹脂封止パッケージの正面断面図。
【図６】樹脂がヒートスプレッダの表出面に流入した従
来の樹脂封止パッケージの正面断面図（図７のＡ−Ａ矢
視線断面図）。
来の樹脂封止パッケージの正面断面図（図７のＡ−Ａ矢
視線断面図）。
【図７】図６に示す樹脂封止パッケージの平面図。
【図８】図５のＰ矢示部の拡大図。
１０．．．樹脂封止パッケージ， １１．．．電子素子， １２．．．モールドレジン， １５．．．ヒートスプレッダ， １５１．．．表出面，
Claims (3)
- 【請求項１】 電子素子と，該電子素子にダイボンディ
ングされたヒートスプレッダと，上記電子素子に接続さ
れたリードフレームと，上記ヒートスプレッダの片面を
表出させて全体を封止するモールドレジンとを有する樹
脂封止パッケージであって， 上記樹脂封止パッケージは，上記ヒートスプレッダの表
出面周縁の全周に渡って，樹脂の流入を防止するための
ほぼ均一な高さの降起部を形成し，その後上記降起部を
成形型のキャビティの壁面に押圧しつつ軟化した樹脂を
キャビティ内に注入してモールドレジンを成形したこと
を特徴とする樹脂封止パッケージ。 - 【請求項２】 請求項１において，上記ヒートスプレッ
ダの降起部の高さは，５０〜５００μｍであることを特
徴とする樹脂封止パッケージ。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２において，上記ヒ
ートスプレッダは，板状部材のプレス打抜きによって製
造され， 上記ヒートスプレッダの降起部は，上記打抜きプレス型
の押下により板状部材の下面側に，打抜きと同時に成さ
れたものであることを特徴とする樹脂封止パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5259102A JPH0794635A (ja) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | 樹脂封止パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5259102A JPH0794635A (ja) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | 樹脂封止パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794635A true JPH0794635A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17329357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5259102A Pending JPH0794635A (ja) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | 樹脂封止パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794635A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162558A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| KR100260994B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-07-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 원 사이드 몰딩 초박형 반도체 패키지 |
| CN100413060C (zh) * | 2003-09-04 | 2008-08-20 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
| WO2013018485A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム及びリードフレームの製造方法並びにこれを用いた半導体装置 |
| JP2014007294A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-23 JP JP5259102A patent/JPH0794635A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162558A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| KR100260994B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-07-01 | 마이클 디. 오브라이언 | 원 사이드 몰딩 초박형 반도체 패키지 |
| CN100413060C (zh) * | 2003-09-04 | 2008-08-20 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
| WO2013018485A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム及びリードフレームの製造方法並びにこれを用いた半導体装置 |
| JP2013033822A (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-14 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びリードフレームの製造方法並びにこれを用いた半導体装置 |
| CN103718291A (zh) * | 2011-08-01 | 2014-04-09 | 株式会社三井高科技 | 引线框、引线框的制造方法和使用该引线框的半导体装置 |
| US9147646B2 (en) | 2011-08-01 | 2015-09-29 | Mitsui High-Tec, Inc. | Lead frame, method for manufacturing lead frame and semiconductor device using same |
| JP2014007294A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5821628A (en) | Semiconductor device and two-layer lead frame for it | |
| KR20050037958A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| JPH03136355A (ja) | ヒートシンク付半導体装置 | |
| JPH0794635A (ja) | 樹脂封止パッケージ | |
| KR20040087924A (ko) | 반도체 장치를 수지 밀봉하는 방법, 수지-밀봉형 반도체장치 및 반도체 장치를 수지 밀봉하기 위한 성형 다이 | |
| JPH1158449A (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JPH07130915A (ja) | 半導体装置用放熱板及びその製造方法 | |
| JPH10270606A (ja) | パッケージ型半導体装置の構造 | |
| JP2546129B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JP2965036B1 (ja) | 樹脂封止形半導体装置用リードフレーム組立体及びその製造方法並びに樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPH04299848A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH08250531A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001035868A (ja) | 非絶縁型半導体装置の製造方法 | |
| KR200164515Y1 (ko) | 내열성 플라스틱 반도체 패키지 | |
| JPH0494153A (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージ | |
| JP2838948B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH09199639A (ja) | 半導体装置およびその成形方法 | |
| JP2000068439A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08148515A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1117082A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02189959A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07114213B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH05275570A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06295963A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH098209A (ja) | 半導体装置およびモールド金型 |