JPH0494153A - 樹脂封止型半導体パッケージ - Google Patents

樹脂封止型半導体パッケージ

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JPH0494153A
JPH0494153A JP21190890A JP21190890A JPH0494153A JP H0494153 A JPH0494153 A JP H0494153A JP 21190890 A JP21190890 A JP 21190890A JP 21190890 A JP21190890 A JP 21190890A JP H0494153 A JPH0494153 A JP H0494153A
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JP
Japan
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island
resin
die pad
radiation
radiation fin
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JP21190890A
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Kenji Yamada
憲治 山田
Tadatoshi Asada
忠利 浅田
Setsuo Sawamoto
節夫 沢本
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Denso Corp
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NipponDenso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体素子を樹脂により気密に封止する樹脂
封止型半導体パッケージに関する。
[従来の技術] この樹脂封止型半導体パッケージでは、熱ストレスに伴
って発生する応力の影響を受けて、アイランドと放熱フ
ィンとの間に充填された樹脂と、アイランドあるいは放
熱フィンとの境界面で界面剥離が生じる。その結果、ア
イランドのコーナ部などを起点として樹脂にクラックが
発生するため、耐温性低下や放熱性低下をもたらす。
そこで、従来では、第6図に示すように、放熱フィン1
00と対向するアイランド200の下面に適宜凹部20
1を形成するとともに、そのアイランド200と対向す
る放熱フィン100の上面には、波状の凹凸部101が
形成されている。これにより、樹脂300との接着力が
強化されて、上記のような界面剥離が防止されるため、
クラックの発生を防ぐことができる。
また、この場合、アイランド200と放熱フィン100
とのそれぞれの対向面が凹凸状に形成されることで放熱
面積が増えるため、放熱性の向上を図ることができる。
[発明が解決しようとする譚M] しかるに、アイランド200の下面に形成した適宜凹部
201、あるいは放熱フィン100の上面に形成した波
状の凹凸部101を不規則に設けると、アイランド20
0と放熱フィン100との隙間が不均一となる。
従って、アイランド200と放熱フィン100との間に
介在される樹脂300は、厚さが一定でなく、厚い部分
や薄い部分が生じるため、放熱性が変動して不均一とな
る。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、その目的
は、放熱性の不均一を防止した樹脂封止型半導体パッケ
ージを提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は上記目的を達成するために、アイランドに搭載
された半導体素子を樹脂により気密に封止するとともに
、前記アイランドに対向して設けられた放熱体と前記ア
イランドとの闇に前記樹脂が介在する樹脂封止型半導体
パッケージにおいて、前記アイランドの前記放熱体との
対向面に凹凸部を形成するとともに、前記放熱体の前記
アイランドとの対向面に、前記アイランドの凹部に対応
する凸部および前記アイランドの凸部に対応する凹部を
形成し、且つ、それぞれ対応する前記アイランドの凹部
と前記放熱体の凸部および前記アイランドの凸部と前記
放熱体の凹部との間隔がほぼ一定に設けられたことを技
術的手段とする。
[作用および発明の効果] 上記構成よりなる本発明は、それぞれ対応するアイラン
ドの凹部と放熱体の凸部およびアイランドの凸部と放熱
体の凹部との間隔がほぼ一定に設けられることから、ア
イランドと放熱体との間に介在する樹脂の厚さもほぼ一
定となる。
従って、樹脂に厚い部分や薄い部分の生じる従来の場合
と比較して、放熱性の変動がなく、均一にすることがで
きるため、さらに放熱性の向上を図ることができる。
[実施例コ 次に、本発明の樹脂対重型半導体パッケージを図面に示
す一実施例に基づき説明する。
第1図は樹脂封止型半導体パッケージの断面図を示す。
本実施例の樹脂封止型半導体パッケージ1は、トランス
ファー成形により製造されるもので、アイランド2に搭
載された半導体素子3を、Aj製の放熱フィン(放熱体
)4とともに所定の金型(第4図参照)5に入れ、その
金型5内に液状の樹脂6を注入し、樹脂6が硬化した後
、金型5より取り出して製品とされる。
アイランド2は、例えば、Cu合金製で、その上面に、
半田や銀ペースト7によって半導体素子3が接合される
アイランド2に搭載された半導体素子3は、第3図にも
示すように、AuやA、J製のワイヤ8によって、外部
端子であるリード9にボンディングされている。
放熱フィン4は、半導体素子3で発熱した熱を放熱する
もので、アイランド2の下面側に対向して配置されてい
る。
放熱フィン4と対向するアイランド2の下面、およびア
イランド2と対向する放熱フィン4の上面は、それぞわ
、波状の凹凸面とされている。アイランド2の凹凸面と
放熱フィン4の凹凸面とは、それぞれ凸部2a、4aか
ら凹部2b、4bまでの深さ、各凸部2a、4aおよび
各凹部2b、4bのピッチが同じになるように設けられ
ている6また、アイランド2の各凹部2bと放熱フィン
4の各凸部4aおよびアイランド2の各凸部2aと放熱
フィン4の各凹部4bとがそれぞれ対応するように配置
されている。
樹脂6は、金属との接着が良好で、硬化の際の収縮率が
小さく、機械的強度にも優れたエポキシ樹脂や、高信頼
度で耐熱性に優れたシリコン樹脂などが使用される。
なお、アイランド2の凹凸面と放熱フィン4の凹凸面と
を上記のように対応させるために、アイランド2と放熱
フィン4との位置決めを以下のように行う。
上型5aと向かい合わされて金型5を成す下型5bには
、第4図に示すように、その外周部および底面に、それ
ぞれ2か所づつの突起5C55dが形成されている。
一方、アイランド2を含むリードフレーム10には、下
型5bの外周部に設けられた突起5Cと嵌まり合う位置
決め用の嵌合穴10aが形成され、放熱フィン4の底部
には、下型5bの底面に設けられた突起5dと嵌まり合
う位置決め用の嵌合穴4Cが形成されている。
そして、第4図に示すように、リードフレーム10の嵌
合穴10aと下型5bの突起5Cとを嵌め合わせてアイ
ランド2の位置決めを行うとともに、放熱フィン4の嵌
合穴4Cと下型5bの突起5dとを嵌め合わせて放熱フ
ィン4の位置決めを行う。
その後、金型5に注入した樹脂6を硬化して得られた半
導体パッケージ1は、第2図(第1図の要部拡大図)に
も示すように、アイランド2の各凹部2bと放熱フィン
4の各凸部4aおよびアイランド2の各凸部2aと放熱
フィン4の各凹部4bとがそれぞれ対応し、且つ、その
間隔がほぼ一定に設定される。
従って、アイランド2と放熱フィン4との間に入り込ん
だ樹脂6は、アイランド2の凹凸面と放熱フィン4の凹
凸面との間でほぼ一定の厚さtとなる。
本実施例では、アイランド2と放熱フィン40対向面を
、それぞれ波状の凹凸面としたことで、アンカ効果によ
る樹脂6との接着力が向上し、樹脂6とアイランド2お
よび放熱フィン4との境界面での界面剥離を防止してク
ラックの発生を防ぐことができる。
そして、アイランド2と放熱フィン4の対向面をそれぞ
れ凹凸面としたことで、放熱面積が増え、且つ、アイラ
ンド2の凹凸面と放熱フィン4の凹凸面との間に介在す
る樹脂6の厚さtがほぼ一定となるため、従来のような
放熱性の不均一を防止して、放熱性の向上を図ることが
できる。
第5図に本発明の第2実施例を示す。
上記の第1実施例では、アイランド2および放熱フィン
4の対向面を波状の凹凸面としたが、本実施例では、第
5図に示すように、放熱フィン4の上面に円柱状の凸部
4aを形成するとともに、その凸部4aに対応して、ア
イランド2の下面に円筒状の凹部2bを形成したもので
ある。
なお、円形以外(多角形状)の凸部と凹部の組み合わせ
でも良い。
あるいは、第1実施例で示した波状の凹凸面を3次元的
に形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は本発明の第1実施例を示すもので
、第1図は樹脂封止型半導体パッケージの断面図、第2
図は第1図の要部拡大図、第3図および第4図はアイラ
ンドと放熱フィンとの位置決めを行うための説明図、第
5図は本発明の第2実施例を示すもので、アイランドと
放熱フィンの凹凸形状を示す斜視図、第6図は従来技術
による樹脂封止型半導体パッケージの断面図である。 図中 1・・樹脂封止型半導体パッケージ 2・・・アイランド 2a・・・アイランドの凸部 2b・・・アイランドの凹部 3・・・半導体素子 4・・・放熱フィン(放熱体) 4a・・・放熱フィンの凸部 4b・・・放熱フィンの凹部 6・・・樹脂

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)アイランドに搭載された半導体素子を樹脂により気
    密に封止するとともに、前記アイランドに対向して設け
    られた放熱体と前記アイランドとの間に前記樹脂が介在
    する樹脂封止型半導体パッケージにおいて、 前記アイランドの前記放熱体との対向面に凹凸部を形成
    するとともに、前記放熱体の前記アイランドとの対向面
    に、前記アイランドの凹部に対応する凸部および前記ア
    イランドの凸部に対応する凹部を形成し、且つ、それぞ
    れ対応する前記アイランドの凹部と前記放熱体の凸部お
    よび前記アイランドの凸部と前記放熱体の凹部との間隔
    がほぼ一定に設けられたことを特徴とする樹脂封止型半
    導体パッケージ。
JP21190890A 1990-08-10 1990-08-10 樹脂封止型半導体パッケージ Expired - Lifetime JP2836219B2 (ja)

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JP21190890A JP2836219B2 (ja) 1990-08-10 1990-08-10 樹脂封止型半導体パッケージ

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JPH0494153A true JPH0494153A (ja) 1992-03-26
JP2836219B2 JP2836219B2 (ja) 1998-12-14

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5973407A (en) * 1998-07-23 1999-10-26 Sampo Semiconductor Corporation Integral heat spreader for semiconductor package
KR20030082178A (ko) * 2002-04-17 2003-10-22 주식회사 칩팩코리아 티이비지에이 패키지
JP2009152280A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Denso Corp モールドパッケージおよびその製造方法
JP2011222551A (ja) * 2010-04-02 2011-11-04 Kyocera Corp 絶縁放熱基板

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JP2009152280A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Denso Corp モールドパッケージおよびその製造方法
JP2011222551A (ja) * 2010-04-02 2011-11-04 Kyocera Corp 絶縁放熱基板

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JP2836219B2 (ja) 1998-12-14

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