JPH0685110A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0685110A JPH0685110A JP23066492A JP23066492A JPH0685110A JP H0685110 A JPH0685110 A JP H0685110A JP 23066492 A JP23066492 A JP 23066492A JP 23066492 A JP23066492 A JP 23066492A JP H0685110 A JPH0685110 A JP H0685110A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- sealing resin
- embedded
- semiconductor device
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 封止樹脂内に放熱板を埋め込んだ樹脂封止半
導体装置に関し，放熱板の接着時のストレスの緩和と熱
放散性の向上を目的とする。 【構成】 １）封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A, 1Bを
有し，該放熱板はその両面に凹凸が形成され，該放熱板
の片面は半導体チップ２をその表面に搭載したダイステ
ージ３の裏面に接着され，該放熱板の他面は外部に露出
している，２）封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A, 1Bを
有し，該放熱板はその片面に凹凸が形成されており半導
体チップ２をその表面に搭載したダイステージ３の裏面
に接着されているように構成する。
導体装置に関し，放熱板の接着時のストレスの緩和と熱
放散性の向上を目的とする。 【構成】 １）封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A, 1Bを
有し，該放熱板はその両面に凹凸が形成され，該放熱板
の片面は半導体チップ２をその表面に搭載したダイステ
ージ３の裏面に接着され，該放熱板の他面は外部に露出
している，２）封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A, 1Bを
有し，該放熱板はその片面に凹凸が形成されており半導
体チップ２をその表面に搭載したダイステージ３の裏面
に接着されているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り，特に
ダイステージの裏面に当たるように封止樹脂内に放熱板
を埋め込んだ樹脂封止半導体装置に関する。
ダイステージの裏面に当たるように封止樹脂内に放熱板
を埋め込んだ樹脂封止半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】放熱板としてアルマイト処理されたアル
ミニウム(Al)板等の金属板をダイステージの裏面に接着
することにより，半導体チップからの放熱をリードピン
からの放熱に加え，金属板からの放熱もできるようにな
り，半導体装置の熱抵抗を下げることができる。
ミニウム(Al)板等の金属板をダイステージの裏面に接着
することにより，半導体チップからの放熱をリードピン
からの放熱に加え，金属板からの放熱もできるようにな
り，半導体装置の熱抵抗を下げることができる。
【０００３】金属板の形状は封止樹脂面上に接着させる
フィン型と，封止樹脂面に設けた凹部に埋め込んで一体
化する板型とがある。後者の一体化の板型形状の放熱板
は平坦な板状の金属板を直接ダイステージの裏面に接着
するため，直接チップからの熱放散ができ，且つ半導体
装置の形状も薄型化ができるという利点がある。
フィン型と，封止樹脂面に設けた凹部に埋め込んで一体
化する板型とがある。後者の一体化の板型形状の放熱板
は平坦な板状の金属板を直接ダイステージの裏面に接着
するため，直接チップからの熱放散ができ，且つ半導体
装置の形状も薄型化ができるという利点がある。
【０００４】図３(A),(B) は封止樹脂内に放熱板を埋め
込んで一体化された半導体装置の従来例の説明図であ
る。図３(A) において，１は放熱板, ２は半導体チッ
プ, ３はダイステージ，４は外リードピン，５はワイ
ヤ，６は封止樹脂である。
込んで一体化された半導体装置の従来例の説明図であ
る。図３(A) において，１は放熱板, ２は半導体チッ
プ, ３はダイステージ，４は外リードピン，５はワイ
ヤ，６は封止樹脂である。
【０００５】図３(B) の斜視図に示される放熱板１は円
形のAl板で, 表面はアルマイト処理が施されている。
形のAl板で, 表面はアルマイト処理が施されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし，封止樹脂内に
放熱板を埋め込んだ構造の半導体装置では，放熱板を封
止樹脂と一体化するための接着時に，接着剤の硬化時の
ストレスにより封止樹脂はもとより，半導体チップを接
着しているダイステージまでも変形させ，この結果，封
止樹脂にクラックを発生させ，半導体チップ上の配線ワ
イヤを断線させてしまうという問題があった。
放熱板を埋め込んだ構造の半導体装置では，放熱板を封
止樹脂と一体化するための接着時に，接着剤の硬化時の
ストレスにより封止樹脂はもとより，半導体チップを接
着しているダイステージまでも変形させ，この結果，封
止樹脂にクラックを発生させ，半導体チップ上の配線ワ
イヤを断線させてしまうという問題があった。
【０００７】本発明は封止樹脂内に放熱板を埋め込んだ
樹脂封止半導体装置において，放熱板の接着時のストレ
スの緩和と熱放散性の向上を目的とする。
樹脂封止半導体装置において，放熱板の接着時のストレ
スの緩和と熱放散性の向上を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A, 1Bを有し，該放熱板
はその両面に凹凸が形成され，該放熱板の片面は半導体
チップ２をその表面に搭載したダイステージ３の裏面に
接着され，該放熱板の他面は外部に露出している半導体
装置，あるいは２）封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A,
1Bを有し，該放熱板はその片面に凹凸が形成されており
半導体チップ２をその表面に搭載したダイステージ３の
裏面に接着されている半導体装置により達成される。
封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A, 1Bを有し，該放熱板
はその両面に凹凸が形成され，該放熱板の片面は半導体
チップ２をその表面に搭載したダイステージ３の裏面に
接着され，該放熱板の他面は外部に露出している半導体
装置，あるいは２）封止樹脂内に埋め込んだ放熱板1A,
1Bを有し，該放熱板はその片面に凹凸が形成されており
半導体チップ２をその表面に搭載したダイステージ３の
裏面に接着されている半導体装置により達成される。
【０００９】
【作用】本発明では放熱板の両面に凹凸を設け，内面の
凹凸により接着面積を増加させて接着強度を増し，且つ
凹部に存在する接着剤により，接着剤の硬化時のストレ
スを緩和してダイステージの変形を抑止し，且つ外面の
凹凸により放熱板の熱放散面積を増やすようにしたもの
である。
凹凸により接着面積を増加させて接着強度を増し，且つ
凹部に存在する接着剤により，接着剤の硬化時のストレ
スを緩和してダイステージの変形を抑止し，且つ外面の
凹凸により放熱板の熱放散面積を増やすようにしたもの
である。
【００１０】
【実施例】図１(A),(B) は本発明の実施例１の説明図で
ある。図１(A) において，1Aは放熱板, ２は半導体チッ
プ, ３はダイステージ，４は外リードピン，５はワイ
ヤ，６は封止樹脂である。
ある。図１(A) において，1Aは放熱板, ２は半導体チッ
プ, ３はダイステージ，４は外リードピン，５はワイ
ヤ，６は封止樹脂である。
【００１１】図１(B) の平面図に示される放熱板1Aは両
面に 2.5mmピッチで格子状の溝が形成された20mmφ×2m
m のAl円板で, 表面はアルマイト処理が施されている。
放熱板は樹脂パッケージの凹部にシリコーン系の接着剤
（例えば，グレースジャパン社製のタイプ KBN-6) を用
いて接着される。
面に 2.5mmピッチで格子状の溝が形成された20mmφ×2m
m のAl円板で, 表面はアルマイト処理が施されている。
放熱板は樹脂パッケージの凹部にシリコーン系の接着剤
（例えば，グレースジャパン社製のタイプ KBN-6) を用
いて接着される。
【００１２】なお，通常セラミックパッケージへの放熱
フィンの接着剤はエポキシ系接着剤を使用しているが,
実施例では硬化時のストレスを減らすためにシリコーン
系の接着剤を用いた。
フィンの接着剤はエポキシ系接着剤を使用しているが,
実施例では硬化時のストレスを減らすためにシリコーン
系の接着剤を用いた。
【００１３】図２(A),(B) は本発明の実施例２の説明図
である。図２(A) において，1Bは放熱板，２は半導体チ
ップ, ３はダイステージ，４は外リードピン，５はワイ
ヤ，６は封止樹脂である。
である。図２(A) において，1Bは放熱板，２は半導体チ
ップ, ３はダイステージ，４は外リードピン，５はワイ
ヤ，６は封止樹脂である。
【００１４】図２(B) の平面図に示される放熱板1Bは両
面に円形の凹部が適当な間隔をおいて配列して形成され
たAl円板で, 表面はアルマイト処理が施されている。以
上いずれの実施例も放熱板の両面に凹凸を設けて, 裏面
の凹部は接着剤硬化時の歪みを吸収して半導体チップの
反りを防止し，表面の凹凸は放熱面積を増加させてい
る。
面に円形の凹部が適当な間隔をおいて配列して形成され
たAl円板で, 表面はアルマイト処理が施されている。以
上いずれの実施例も放熱板の両面に凹凸を設けて, 裏面
の凹部は接着剤硬化時の歪みを吸収して半導体チップの
反りを防止し，表面の凹凸は放熱面積を増加させてい
る。
【００１５】これに対して，放熱板の裏面（ダイステー
ジとの接着面）のみに凹凸を設けてもよい。この場合
は，接着剤硬化時のダイステージの変形による半導体チ
ップの反りを防止することを主目的としており，デバイ
スの熱抵抗に余裕があるときに利用できる。
ジとの接着面）のみに凹凸を設けてもよい。この場合
は，接着剤硬化時のダイステージの変形による半導体チ
ップの反りを防止することを主目的としており，デバイ
スの熱抵抗に余裕があるときに利用できる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれぱ，封止樹脂内に放熱板を
埋め込んだ樹脂封止半導体装置において，放熱板の接着
時のストレスが緩和され，熱放散性が向上した。この結
果，封止樹脂のクラック発生とワイヤの断線障害を抑制
することができた。
埋め込んだ樹脂封止半導体装置において，放熱板の接着
時のストレスが緩和され，熱放散性が向上した。この結
果，封止樹脂のクラック発生とワイヤの断線障害を抑制
することができた。
【図１】 本発明の実施例１の説明図
【図２】 本発明の実施例２の説明図
【図３】 従来例の説明図
1A，1B 放熱板 ２ 半導体チップ ３ ダイステージ ４ 外リードピン ５ ワイヤ ６ 封止樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 封止樹脂内に埋め込んだ放熱板(1A), (1
B)を有し，該放熱板はその両面に凹凸が形成され，該放
熱板の片面は半導体チップ(2) をその表面に搭載したダ
イステージ(3）の裏面に接着され，該放熱板の他面は外
部に露出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 封止樹脂内に埋め込んだ放熱板(1A), (1
B)を有し，該放熱板はその片面に凹凸が形成されており
半導体チップ(2) をその表面に搭載したダイステージ
(3）の裏面に接着されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066492A JPH0685110A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066492A JPH0685110A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685110A true JPH0685110A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16911365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23066492A Withdrawn JPH0685110A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685110A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5973407A (en) * | 1998-07-23 | 1999-10-26 | Sampo Semiconductor Corporation | Integral heat spreader for semiconductor package |
| CZ304895B6 (cs) * | 2013-09-17 | 2015-01-07 | Mendelova Univerzita V Brně | Zařízení pro regulaci a stabilizaci hladiny vody v malých vodních nádržích a rybnících |
| JP2016014756A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学モジュールおよび電子機器 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23066492A patent/JPH0685110A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5973407A (en) * | 1998-07-23 | 1999-10-26 | Sampo Semiconductor Corporation | Integral heat spreader for semiconductor package |
| CZ304895B6 (cs) * | 2013-09-17 | 2015-01-07 | Mendelova Univerzita V Brně | Zařízení pro regulaci a stabilizaci hladiny vody v malých vodních nádržích a rybnících |
| JP2016014756A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学モジュールおよび電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |