JP2853288B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2853288B2 JP2853288B2 JP19173790A JP19173790A JP2853288B2 JP 2853288 B2 JP2853288 B2 JP 2853288B2 JP 19173790 A JP19173790 A JP 19173790A JP 19173790 A JP19173790 A JP 19173790A JP 2853288 B2 JP2853288 B2 JP 2853288B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- chip mounting
- package base
- cross
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に熱抵抗を低減させる
為にICチップ搭載部に熱伝導率の高い放熱板を用いた半
導体装置の形状に関するものである。
為にICチップ搭載部に熱伝導率の高い放熱板を用いた半
導体装置の形状に関するものである。
第３図は、従来の半導体装置の断面図である。
従来、この種の半導体装置はセラミックパッケージ基
盤１のICチップ搭載部が矩形又は正方形状にくりぬかれ
その部分に凸形の熱伝導率の高い放熱板６（窒化アルミ
ニウム製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差
し込んで接着材７を介して取り付けてあり、凸形の放熱
板６の形状は、放熱板の平坦部８と垂直部９とが直角と
なっている。
盤１のICチップ搭載部が矩形又は正方形状にくりぬかれ
その部分に凸形の熱伝導率の高い放熱板６（窒化アルミ
ニウム製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差
し込んで接着材７を介して取り付けてあり、凸形の放熱
板６の形状は、放熱板の平坦部８と垂直部９とが直角と
なっている。
上述した従来の半導体装置は、ICチップ搭載部の熱伝
導率の高い放熱板の形状が凸形で、平坦部と垂直部が直
角となっている。この為、パッケージ基盤に垂直荷重が
加わると小さな荷重においても放熱板の平坦部と垂直部
の境界に応力集中が起き、境界部よりクラックが発生し
てしまう。このことは、パッケージ基盤の機械的強度と
しては不十分で、半導体装置の気密性を損うものであ
る。
導率の高い放熱板の形状が凸形で、平坦部と垂直部が直
角となっている。この為、パッケージ基盤に垂直荷重が
加わると小さな荷重においても放熱板の平坦部と垂直部
の境界に応力集中が起き、境界部よりクラックが発生し
てしまう。このことは、パッケージ基盤の機械的強度と
しては不十分で、半導体装置の気密性を損うものであ
る。
本願第１の発明によると、パッケージ基盤のICチップ
搭載部が所定形状にくりぬかれ、そのくりぬかれた部分
に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏面よ
り差し込んで取り付けた半導体装置において、前記放熱
板は断面凸字状を有しその平坦部と垂直部の境界が断面
弧状となっている半導体装置が得られる。
搭載部が所定形状にくりぬかれ、そのくりぬかれた部分
に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏面よ
り差し込んで取り付けた半導体装置において、前記放熱
板は断面凸字状を有しその平坦部と垂直部の境界が断面
弧状となっている半導体装置が得られる。
又、本願第２の発明によると、パッケージ基盤のICチ
ップ搭載部が所定形状にくりぬかれ、そのくりぬかれた
部分に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏
面より差し込んで取り付けた半導体装置において、前記
放熱板は、幅がICチップ搭載部からパッケージ基盤裏面
にかけて広くなっている断面台形状である半導体装置が
得られる。
ップ搭載部が所定形状にくりぬかれ、そのくりぬかれた
部分に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏
面より差し込んで取り付けた半導体装置において、前記
放熱板は、幅がICチップ搭載部からパッケージ基盤裏面
にかけて広くなっている断面台形状である半導体装置が
得られる。
第１図は、本願第１の発明の一実施例の断面図であ
る。
る。
図に示す様に、セラミックパッケージ基盤１のICチッ
プ搭載部が矩形又は、正方形状にくりぬかれ、その部分
に熱伝導率の高い凸形の放熱板6a（窒化アルミニウム
製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差し込ん
で接着材７を介して取り付けられている。そして、放熱
板6aの平坦部8aと垂直部9aの境界が断面弧状（10）とな
っている。
プ搭載部が矩形又は、正方形状にくりぬかれ、その部分
に熱伝導率の高い凸形の放熱板6a（窒化アルミニウム
製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差し込ん
で接着材７を介して取り付けられている。そして、放熱
板6aの平坦部8aと垂直部9aの境界が断面弧状（10）とな
っている。
放熱板6aをこのような形状にすることにより、パッケ
ージの機械的強度試験における、放熱板6aの平坦部と垂
直部の境界に発生する応力集中を防止できる。このこと
により、従来のパッケージにおける機械的強度試験での
クラック発生率30％をほぼ０％にすることができ、半導
体装置の気密性を改善することができる。
ージの機械的強度試験における、放熱板6aの平坦部と垂
直部の境界に発生する応力集中を防止できる。このこと
により、従来のパッケージにおける機械的強度試験での
クラック発生率30％をほぼ０％にすることができ、半導
体装置の気密性を改善することができる。
第２図は本願第２の発明の一実施例の断面図である。
図に示す様に、セラミックパッケージ基盤１のICチッ
プ搭載部がICチップ搭載面より、セラミックパッケージ
基盤１にかけて末広がりとなる様形成されている。その
部分に横方向の幅がICチップ搭載部から、パッケージ基
盤裏面にかけて広くなっている断面台形をした角すい台
状の放熱板6bを、セラミックパッケージ基盤１の裏面よ
り差し込んで接着材７を介して取り付けられている。
プ搭載部がICチップ搭載面より、セラミックパッケージ
基盤１にかけて末広がりとなる様形成されている。その
部分に横方向の幅がICチップ搭載部から、パッケージ基
盤裏面にかけて広くなっている断面台形をした角すい台
状の放熱板6bを、セラミックパッケージ基盤１の裏面よ
り差し込んで接着材７を介して取り付けられている。
これにより、パッケージの機械的強度試験として、パ
ッケージに垂直応力を加えても放熱板6bの特定箇所に応
力集中が発生することを防止できる。
ッケージに垂直応力を加えても放熱板6bの特定箇所に応
力集中が発生することを防止できる。
よってより一層放熱板にクラックを発生することを防
ぎ、半導体装置の気密性を改善できる。
ぎ、半導体装置の気密性を改善できる。
以上説明したように本発明は、ICチップ搭載部の熱伝
導率の高い放熱板の形状が、平坦部と垂直部の境界が断
面弧状の凸形となっているか又は、放熱板の断面形状を
台形にすることによりパッケージの機械的強度試験とし
てパッケージに垂直応力を加えても放熱板の特定箇所に
応力集中が発生することを防止でき、強度は改善され
る。
導率の高い放熱板の形状が、平坦部と垂直部の境界が断
面弧状の凸形となっているか又は、放熱板の断面形状を
台形にすることによりパッケージの機械的強度試験とし
てパッケージに垂直応力を加えても放熱板の特定箇所に
応力集中が発生することを防止でき、強度は改善され
る。
これにより、放熱板クラックの発生を防ぎ半導体装置
の気密性を改善できる効果がある。
の気密性を改善できる効果がある。
第１図は本願第１の発明の一実施例の断面図、第２図
は、本願第２の発明の一実施例の断面図、第３図は従来
の半導体装置の断面図である。 １……セラミックパッケージ基盤、２……外部リード、
３……キャップ、４……金属細線、５……ICチップ、6,
6a,6b……放熱板、7,7a,7b……接着材、8,8a……平坦
部、9,9a……垂直部、10……断面弧状部。
は、本願第２の発明の一実施例の断面図、第３図は従来
の半導体装置の断面図である。 １……セラミックパッケージ基盤、２……外部リード、
３……キャップ、４……金属細線、５……ICチップ、6,
6a,6b……放熱板、7,7a,7b……接着材、8,8a……平坦
部、9,9a……垂直部、10……断面弧状部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/34 - 23/473
Claims (2)
- 【請求項１】パッケージ基盤のICチップ搭載部が所定形
状にくりぬかれ、そのくりぬかれた部分に熱伝導率の高
い放熱板を前記パッケージ基盤の裏面より差し込んで取
り付けた半導体装置において、前記放熱板は断面凸字状
を有しその平坦部と垂直部の境界が断面弧状となってい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】放熱板は、幅がICチップ搭載部からパッケ
ージ基盤裏面にかけて広くなっている断面台形状である
請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19173790A JP2853288B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19173790A JP2853288B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478159A JPH0478159A (ja) | 1992-03-12 |
| JP2853288B2 true JP2853288B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=16279663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19173790A Expired - Lifetime JP2853288B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853288B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW268145B (ja) * | 1993-07-08 | 1996-01-11 | Seiko Epson Corp | |
| JPH07221218A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US5825625A (en) * | 1996-05-20 | 1998-10-20 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board for transferring heat from IC to heat sink |
| KR100298691B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2001-09-06 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 장치 |
| KR100298690B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2001-10-27 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체장치 |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP19173790A patent/JP2853288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478159A (ja) | 1992-03-12 |
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