JPH0478159A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0478159A JPH0478159A JP19173790A JP19173790A JPH0478159A JP H0478159 A JPH0478159 A JP H0478159A JP 19173790 A JP19173790 A JP 19173790A JP 19173790 A JP19173790 A JP 19173790A JP H0478159 A JPH0478159 A JP H0478159A
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- JP
- Japan
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- heat sink
- semiconductor device
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に熱抵抗を低減させる為
にＩＣチップ搭載部に熱伝導率力高い放熱板を用いた半
導体装置の形状に関するものである。
にＩＣチップ搭載部に熱伝導率力高い放熱板を用いた半
導体装置の形状に関するものである。
第３図は、従来の半導体装置の断面図である。
従来、この種の半導体装置はセラミックパッケージ基盤
１のＩＣチップ搭載部が矩形又は正方形状にくりぬかれ
その部分に凸形の熱伝導率の高い放熱板６（窒化アルミ
ニウム製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差
し込んで接着材７を介して取り付けてあり、凸形の放熱
板６の形状は、放熱板の平坦部８と垂直部９とが直角と
なっている。
１のＩＣチップ搭載部が矩形又は正方形状にくりぬかれ
その部分に凸形の熱伝導率の高い放熱板６（窒化アルミ
ニウム製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差
し込んで接着材７を介して取り付けてあり、凸形の放熱
板６の形状は、放熱板の平坦部８と垂直部９とが直角と
なっている。
上述した従来の半導体装置は、ＩＣチップ搭載部の熱伝
導率の高い放熱板の形状が凸形で、平坦部と垂直部が直
角となっている。この為、パッケージ基盤に垂直荷重が
加わると小さな荷重においても放熱板の平坦部と垂直部
の境界に応力集中が起き、境界部よりクラックが発生し
てし丈う。このことは、・パッケージ基盤の機械的強度
としては不十分で、半導体装置の気密性を損うものであ
る。
導率の高い放熱板の形状が凸形で、平坦部と垂直部が直
角となっている。この為、パッケージ基盤に垂直荷重が
加わると小さな荷重においても放熱板の平坦部と垂直部
の境界に応力集中が起き、境界部よりクラックが発生し
てし丈う。このことは、・パッケージ基盤の機械的強度
としては不十分で、半導体装置の気密性を損うものであ
る。
本願筒１の発明によると、パッケージ基盤のＩＣチップ
搭載部が所定形状にくりぬがれ、そのくりぬがれた部分
に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏面よ
り差し込んで取り付けた半導体装置において、前記放熱
板は断面凸字状を有しその平坦部と垂直部の境界が断面
弧状となっている半導体装置が得られる。
搭載部が所定形状にくりぬがれ、そのくりぬがれた部分
に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏面よ
り差し込んで取り付けた半導体装置において、前記放熱
板は断面凸字状を有しその平坦部と垂直部の境界が断面
弧状となっている半導体装置が得られる。
又、本願筒２の発明によると、パッケージ基盤のＩＣチ
ップ搭載部が所定形状にくりぬかれ、そのくりぬかれた
部分に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏
面より差し込んで取り付けた半導体装置において、前記
放熱板は、幅がＩＣチップ搭載部がらパッケージ基盤裏
面にかけて広くなっている断面台形状である半導体装置
が得られる。
ップ搭載部が所定形状にくりぬかれ、そのくりぬかれた
部分に熱伝導率の高い放熱板を前記パッケージ基盤の裏
面より差し込んで取り付けた半導体装置において、前記
放熱板は、幅がＩＣチップ搭載部がらパッケージ基盤裏
面にかけて広くなっている断面台形状である半導体装置
が得られる。
第１ ＋３は、本願筒１め発明め一実施例の断面図であ
る 図に示す様に、セラミックパッケージ基盤料：１のＩＣ
チ・ツブ搭載部か矩形又は、正方形状にくりぬかれ、そ
の部分に熱伝導率の高い凸形の放熱板６ａ（窒化アルミ
ニウム製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差
し込んで接着材７を介して取り付けられている。そして
、放熱板６ａの平坦部８ａと垂直部９ａの境界か断面弧
状（１０）となっている。
る 図に示す様に、セラミックパッケージ基盤料：１のＩＣ
チ・ツブ搭載部か矩形又は、正方形状にくりぬかれ、そ
の部分に熱伝導率の高い凸形の放熱板６ａ（窒化アルミ
ニウム製）をセラミックパッケージ基盤１の裏面より差
し込んで接着材７を介して取り付けられている。そして
、放熱板６ａの平坦部８ａと垂直部９ａの境界か断面弧
状（１０）となっている。
放熱板６ａをこのような形状にすることにより、パッケ
ージの機械的強度試験における、放熱板６ａの平坦部と
垂直部の境界に発生する応力集中を防止てきる。このこ
とより、従来のパッケージにおける機械的強度試験での
クラック発生率３０％をほぼ０％にすることができ、半
導体装置の気密性を改善することかできる。
ージの機械的強度試験における、放熱板６ａの平坦部と
垂直部の境界に発生する応力集中を防止てきる。このこ
とより、従来のパッケージにおける機械的強度試験での
クラック発生率３０％をほぼ０％にすることができ、半
導体装置の気密性を改善することかできる。
第２図は本願筒２の発明の一実施例の断面図である。
図に示す様に、セラミ・ツクパッケージ基盤１のＩＣチ
・ｔ ７搭載部がＴＣチップ搭載面より、セラミックパ
ッケージ基盤１にかけて末広がりとなる様形成されてい
る。その部分に横方向の幅がＩＣチップ搭載部から、パ
ッケージ基盤裏面にかけて広くなっている断面台形をし
た角すい台状の放熱板６ｂを、セラミックパッケージ基
盤１の裏面より差し込んで接着材７を介して取り付けら
れている。
・ｔ ７搭載部がＴＣチップ搭載面より、セラミックパ
ッケージ基盤１にかけて末広がりとなる様形成されてい
る。その部分に横方向の幅がＩＣチップ搭載部から、パ
ッケージ基盤裏面にかけて広くなっている断面台形をし
た角すい台状の放熱板６ｂを、セラミックパッケージ基
盤１の裏面より差し込んで接着材７を介して取り付けら
れている。
これにより、パッケージの機械的強度試験として、パッ
ケージに垂直応力を加えても放熱板６ｂの特定箇所に応
力集中が発生することを防止できる。
ケージに垂直応力を加えても放熱板６ｂの特定箇所に応
力集中が発生することを防止できる。
よってより一層放熱板にクラックを発生することを防ぎ
、半導体装置の気密性を改善できる。
、半導体装置の気密性を改善できる。
以上説明したように本発明は、ＩＣチップ搭載部の熱伝
導率の高い放熱板の形状が、平坦部と垂直部の境界が断
面弧状の凸形となっているか又は、放熱板の断面形状を
台形にすることによりパッケージの機械的強度試験とし
てパッケージに垂直応力を加えても放熱板の特定箇所に
応力集中が発生することを防止でき、強度は改善される
。
導率の高い放熱板の形状が、平坦部と垂直部の境界が断
面弧状の凸形となっているか又は、放熱板の断面形状を
台形にすることによりパッケージの機械的強度試験とし
てパッケージに垂直応力を加えても放熱板の特定箇所に
応力集中が発生することを防止でき、強度は改善される
。
これにより、放熱板クランクの発生を防き半導体装置の
気密性を改善できる効果がある。
気密性を改善できる効果がある。
第１図は本願筒１の発明の一実施例の断面図、第２図は
、本願筒２の発明の一実施例の断面図、第３図は従来の
半導体装置の断面図である。 ■・・・セラミックパッケージ基盤、２・・・外部リー
ド、３・・・キャップ、４・・・金属細線、５・・・Ｉ
Ｃチップ、６．６ａ、６ｂ−・放熱板、７．７ａ、７ｂ
・・・接着材、８．８ａ・・・平坦部、９，９ａ・・・
垂直部、１０・・・断面弧状部、
、本願筒２の発明の一実施例の断面図、第３図は従来の
半導体装置の断面図である。 ■・・・セラミックパッケージ基盤、２・・・外部リー
ド、３・・・キャップ、４・・・金属細線、５・・・Ｉ
Ｃチップ、６．６ａ、６ｂ−・放熱板、７．７ａ、７ｂ
・・・接着材、８．８ａ・・・平坦部、９，９ａ・・・
垂直部、１０・・・断面弧状部、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、パッケージ基盤のＩＣチップ搭載部が所定形状にく
りぬかれ、そのくりぬかれた部分に熱伝導率の高い放熱
板を前記パッケージ基盤の裏面より差し込んで取り付け
た半導体装置において、前記放熱板は断面凸字状を有し
その平坦部と垂直部の境界が断面弧状となっていること
を特徴とする半導体装置。 ２、放熱板は、幅がＩＣチップ搭載部からパッケージ基
盤裏面にかけて広くなっている断面台形状である請求項
１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19173790A JP2853288B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19173790A JP2853288B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478159A true JPH0478159A (ja) | 1992-03-12 |
| JP2853288B2 JP2853288B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=16279663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19173790A Expired - Lifetime JP2853288B2 (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853288B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644163A (en) * | 1994-02-03 | 1997-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| EP0836227A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-10 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| KR100298691B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2001-09-06 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 장치 |
| KR100298690B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2001-10-27 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체장치 |
| KR100414709B1 (ko) * | 1993-07-08 | 2004-04-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 히이트싱크부착반도체장치및그히이트싱크의제조방법 |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP19173790A patent/JP2853288B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100414709B1 (ko) * | 1993-07-08 | 2004-04-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 히이트싱크부착반도체장치및그히이트싱크의제조방법 |
| US5644163A (en) * | 1994-02-03 | 1997-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| EP0836227A3 (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-10 | Hewlett-Packard Company | Heat conductive substrate mounted in PC board hole for transferring heat from IC to heat sink |
| KR100298691B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2001-09-06 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체 장치 |
| KR100298690B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2001-10-27 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853288B2 (ja) | 1999-02-03 |
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