JP2888183B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、電力消費が大き
いLSI等の樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体
チップ上に設けた放熱用のボンディングパッドをボンデ
ィングワイヤを介してタイバーに接続したことにより放
熱効果の向上を図ったものである。
【0002】
【従来の技術】従来、放熱性良好な樹脂封止IC(集積
回路)装置としては、図7に示すクラブコネクション型
のもの、図8,9に示すヒートスプレッダ型のもの、図
10,11に示すヒートシンク型のものなどが知られて
いる。
【0003】図7に示すIC装置にあっては、支持部材
1に半導体チップ2を取付けると共に半導体チップ2上
のボンディングパッドをボンディングワイヤ3によりリ
ード4のインナーリード部に接続し、支持部材1、半導
体チップ2、ボンディングワイヤ3、リード4のインナ
ーリード部及び支持部材1に連続した放熱板1Aを樹脂
体5で封止し、樹脂体5からリード4のアウターリード
部と放熱板1Aに連続した放熱リード1aとを導出した
構成になっている。
【0004】図8,9に示すIC装置にあっては、例え
ば銅板からなるヒートスプレッダ6上に半導体チップ2
を取付けると共に半導体チップ2上のボンディングパッ
ドをボンディングワイヤ3によりリード4のインナーリ
ード部に接続し、ヒートスプレッダ6、半導体チップ
2、ボンディングワイヤ3、リード4のインナーリード
部等を樹脂体5で封止した構成になっている。この場
合、各リード4は、ヒートスプレッダ6から絶縁膜7に
より電気的に絶縁されている。
【0005】図10,11に示すIC装置にあっては、
例えば銅板からなるヒートシンク8の一方の面に半導体
チップ2を取付けると共に半導体チップ2上のボンディ
ングパッドをボンディングワイヤ3によりリード4のイ
ンナーリード部に接続し、ヒートシンク8の他方の面を
露出するようにヒートシンク8、半導体チップ2、ボン
ディングワイヤ3、リード4のインナーリード部等を樹
脂体5で封止した構成になっている。この場合、各リー
ド4は、ヒートシンク8から絶縁膜9により電気的に絶
縁されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図7に示したIC装置
によると、放熱板1A及び放熱リード1aを設けるた
め、(イ)入出力用のリード4の本数が減少すること、
(ロ)新規にリードフレームを作製する必要があること
などの問題点がある。
【0007】また、図8〜11に示したIC装置による
と、銅板等の部品を組込んで放熱させるため、(ハ)組
立工数が増えること、(ニ)コスト上昇を招くこと、
(ホ)半導体チップを銅板に固着する半田の耐熱性が悪
化することなどの問題点がある。
【0008】この発明の目的は、リードパターンを変更
することなく低コストで放熱効果を向上させることがで
きる新規な樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明に係る樹脂封止
型半導体装置は、集積回路を内蔵した半導体チップであ
って、端縁に沿って前記集積回路の入出力用の複数のボ
ンディングパッド及び前記集積回路の放熱用の複数のボ
ンディングパッドが設けられたものと、前記半導体チッ
プを支持する支持部材と、この支持部材を吊るための複
数のタイバーであって、前記放熱用の複数のボンディン
グパッドに対応するものと、前記半導体チップの周囲に
配置された複数のリードであって、前記入出力用の複数
のボンディングパッドに対応するものと、前記入出力用
の複数のボンディングパッドをそれぞれ前記複数のリー
ドのインナーリード部に接続する複数のボンディングワ
イヤを含む第1のワイヤ群と、前記放熱用の複数のボン
ディングパッドをそれぞれ前記複数のタイバーに接続す
る複数のボンディングワイヤを含む第2のワイヤ群と、
前記支持部材、前記半導体チップ、前記複数のタイバ
ー、前記複数のリードのインナーリード部、前記第1の
ワイヤ群及び前記第2のワイヤ群を封止する樹脂体とを
備え、前記樹脂体から前記複数のリードのアウターリー
ド部と前記複数のタイバーにそれぞれ連続した複数の
熱フィンとを導出したものである。
【0010】この発明の構成によれば、集積回路で発生
した熱は、放熱用の複数のボンディングパッドから複数
ボンディングワイヤを介して複数のタイバーに伝達さ
れ、樹脂体の外側で複数の放熱フィンにより放散され
る。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る樹脂封止
IC装置のワイヤボンディング状況を示すものである。
【0012】リードフレーム10は、Fe−Ni系合金
又はCu系合金からなるフレーム素材を打抜き加工する
などして形成されたもので、方形状の支持部材12と、
この支持部材12の4つの角部を吊るためのタイバー1
4a〜14dと、支持部材12の周囲に配置された多数
のリード16とを備えている。タイバー14a〜14d
には、複数本のワイヤのボンディングを容易にするため
に幅を広くした拡幅部A〜Dがそれぞれ設けられてい
る。
【0013】例えばシリコンからなる半導体チップ18
は、所望の集積回路を内蔵したもので、チップ上面には
チップ端縁に沿って集積回路の入出力用の多数のボンデ
ィングパッド20及び集積回路の放熱用の4個のボンデ
ィングパッド20a〜20dが設けられている。放熱用
のボンディングパッド20a〜20dは、半導体チップ
18の4つの角部の近傍にそれぞれ配置されている。
【0014】図2は、パッド20aの構成例を示すもの
である。半導体チップ18の表面には、絶縁膜19が形
成され、この絶縁膜19には、チップ表面に達する接続
孔が設けられている。絶縁膜19の上にAl等の配線材
を被着してその被着層をパターニングすることによりパ
ッド20aが形成される。パッド20aは、絶縁膜19
に設けた接続孔を介してチップ表面と接続される。パッ
ド20aの一部を露呈するように絶縁膜19及びパッド
20aを覆って保護用の絶縁膜21が形成される。他の
パッド20b〜20dも、パッド20aと同様に構成さ
れる。これらのパッド20a〜20dには、一例として
接地電位を与えるが、浮動電位としてもよい。
【0015】半導体チップ18は、4つの角部が支持部
材12のタイバー14a〜14bにそれぞれ対向するよ
うにして支持部材12の表面に半田又は導電性接着剤に
より固着される。この後、多数のボンディングパッド2
0は、多数のボンディングワイヤ22により対応するリ
ード16のインナーリード部にそれぞれ接続されると共
に、4つのボンディングパッド20a〜20dは、ボン
ディングワイヤ22a〜22dにより対向するタイバー
14a〜14dの拡幅部A〜Dにそれぞれ接続される。
図2には、ボンディングワイヤ22aがボンディングパ
ッド20aに接続された状態を例示してある。
【0016】ボンディングワイヤ22a〜22dの本数
は、2本又は3本としたが、更に多くしてもよい。ま
た、機能上支障がなければ、20d等の放熱用のボンデ
ィングパッドを22d’等のボンディングワイヤにより
タイバー以外の特定のリード(例えば接地電位のリー
ド)に接続してもよい。
【0017】ワイヤボンディングの後、支持部材12、
タイバー14a〜14d、リード16のインナーリード
部、半導体チップ18、ボンディングワイヤ22,22
a〜22d,22d’は、図3,4に示す樹脂体24に
よりモールド封止される。封止の後、樹脂体24の外側
でリードフレーム10を切断することにより多数のリー
ド16のアウターリード部を互いに分離すると共にタイ
バー14aに連続した放熱フィン26aを形成する。放
熱フィン26aは、タイバー14aと同じ幅で樹脂体2
4の外側に延長するようにしてもよいが、図3に示すよ
うに幅を広げた方が放熱効果が高くなる。他のタイバー
14b〜14dについても、26aと同様の放熱フィン
が形成され、多数のリード16は樹脂体24の四辺から
導出されると共に26a等の4つの放熱フィンは樹脂体
24の四辺がなす4つのコーナーからそれぞれ導出され
るが、図示を省略した。なお、26a等の放熱フィンの
形状は、方形に限らず、表面積を大きくするように適宜
の形状を選定することができる。
【0018】図5,6は、この発明の他の実施形態を示
すもので、図1〜4と同様の部分には同様の符号を付し
て詳細な説明を省略する。
【0019】図5,6に示す樹脂封止IC装置の特徴と
するところは、第1に、放熱フィン26aを樹脂体24
の上面側に折り曲げたことであり、第2に、折り曲げた
放熱フィン26aの厚さを吸収するための凹部24aを
樹脂体24の上面に設けたことである。
【0020】放熱フィン26aを樹脂体24の上面側に
折り曲げると、運搬や実装の際に放熱フィン26aが障
害となるのを防ぐことができる。放熱フィン26aは、
樹脂体24の下面側に折り曲げてもよいが、実装を容易
にし且つ熱放散を促進するためには、樹脂体24の上面
側に折り曲げた方が有利である。
【0021】樹脂体24に凹部24aを設けると、放熱
フィン26aの折り曲げが容易になると共に、放熱フィ
ン26aの厚さに相当する隆起がなくなって取扱い易く
なる。
【0022】図5,6で放熱フィン26aに関して述べ
たことは、14a以外のタイバーに設けた放熱フィンに
ついても同様である。
【0023】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体チップ内で発生した熱を複数のボンディングパッド、
複数のボンディングワイヤ、複数のタイバー及び複数の
放熱フィンの経路で放散させるようにしたので、リード
パターンを変更することなく既存のリードフレームを用
いて低コストで放熱効果を向上できる効果が得られる。
【0024】また、放熱フィンを封止樹脂体の一方の主
表面側に折り曲げると、運搬や実装の際に取扱いが容易
になる利点がある。
【0025】さらに、折り曲げた放熱フィンの厚さを吸
収するための凹部を封止樹脂体の一方の主面側に設ける
と、放熱フィンの折り曲げが容易になると共に取扱いが
容易になる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明に係る半導体装置のワイヤボンディ
ング状況を示す平面図である。
【図2】 図1の装置の放熱用ボンディングパッド部を
示す断面図である。
【図3】 図1の装置の樹脂封止後の状態を示す要部上
面図である。
【図4】 図3のX−X’線に沿う断面図である。
【図5】 この発明の他の実施形態を示す要部上面図で
ある。
【図6】 図5のY−Y’線に沿う断面図である。
【図7】 従来の半導体装置の第1の例を示す一部破断
斜視図である。
【図8】 従来の半導体装置の第2の例を示す一部破断
斜視図である。
【図9】 図8の装置の断面図である。
【図10】 従来の半導体装置の第3の例を示す一部破
断斜視図である。
【図11】 図10の装置の断面図である。
【符号の説明】
10:リードフレーム、12:支持部材、14a〜14
d:タイバー、16:リード、18:半導体チップ、2
0,20a〜20d:ボンディングパッド、22a〜2
2d,22d’:ボンディングワイヤ、24:樹脂体、
24a:凹部、26a:放熱フィン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 23/28 H01L 21/56 H01L 23/29 H01L 23/50

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】集積回路を内蔵した半導体チップであっ
    て、端縁に沿って前記集積回路の入出力用の複数のボン
    ディングパッド及び前記集積回路の放熱用の複数のボン
    ディングパッドが設けられたものと、 前記半導体チップを支持する支持部材と、 この支持部材を吊るための複数のタイバーであって、前
    記放熱用の複数のボンディングパッドに対応するもの
    と、 前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードであ
    って、前記入出力用の複数のボンディングパッドに対応
    するものと、 前記入出力用の複数のボンディングパッドをそれぞれ前
    記複数のリードのインナーリード部に接続する複数のボ
    ンディングワイヤを含む第1のワイヤ群と、 前記放熱用の複数のボンディングパッドをそれぞれ前記
    複数のタイバーに接続する複数のボンディングワイヤを
    含む第2のワイヤ群と、 前記支持部材、前記半導体チップ、前記複数のタイバ
    ー、前記複数のリードのインナーリード部、前記第1の
    ワイヤ群及び前記第2のワイヤ群を封止する樹脂体と を備え、前記樹脂体から前記複数のリードのアウターリ
    ード部と前記複数のタイバーにそれぞれ連続した複数の
    放熱フィンとを導出した樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の放熱フィンのうちの各放熱フ
    ィンを前記樹脂体の一主表面側へ折り曲げた請求項1記
    載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記樹脂体の一主表面側に折り曲げられ
    放熱フィン毎に該放熱フィンの厚さを吸収するため
    の凹部を前記樹脂体の一主表面側に設けた請求項2記載
    の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記複数のリードのアウターリード部を
    前記樹脂体の四辺から導出すると共に前記複数の放熱フ
    ィンを前記樹脂体の四辺がなす4つのコーナーのうちの
    複数のコーナーからそれぞれ導出した請求項1〜3のい
    ずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100763966B1 (ko) * 2001-12-18 2007-10-05 삼성테크윈 주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조에 사용되는 리드프레임
JP4417150B2 (ja) * 2004-03-23 2010-02-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2007150044A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Denso Corp 半導体装置
JP4987041B2 (ja) * 2009-07-27 2012-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04277668A (ja) * 1991-03-06 1992-10-02 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH04364767A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH07130932A (ja) * 1993-11-09 1995-05-19 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法

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