JP3450465B2 - 高周波パワーモジュール - Google Patents
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波パワーモジュール
に関し、特にセルラー電話機の送信部に用いる高周波電
力増幅器に適用して有効な技術に関する。
に関し、特にセルラー電話機の送信部に用いる高周波電
力増幅器に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波パワーモジュールは、自動車電
話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用されてい
る。高周波パワーモジュールについては、日立評論社発
行「日立評論」1993年第４号、同年４月25日発行、Ｐ12
〜Ｐ26に記載されている。この高周波パワーモジュール
（高周波電力増幅器ＭＯＳ・パワーモジュール）は、パ
ワーＭＯＳＦＥＴを三段に組み込み、出力の向上を図っ
ている。
話，携帯電話等の移動通信機器無線部に使用されてい
る。高周波パワーモジュールについては、日立評論社発
行「日立評論」1993年第４号、同年４月25日発行、Ｐ12
〜Ｐ26に記載されている。この高周波パワーモジュール
（高周波電力増幅器ＭＯＳ・パワーモジュール）は、パ
ワーＭＯＳＦＥＴを三段に組み込み、出力の向上を図っ
ている。
【０００３】前記文献には、各種のパッケージ（封止）
形態の高周波パワーモジュールが紹介されている。携帯
用電話に組み込まれる高周波パワーモジュールは、小型
化のために金属カバーと表面実装外形が採用されてい
る。
形態の高周波パワーモジュールが紹介されている。携帯
用電話に組み込まれる高周波パワーモジュールは、小型
化のために金属カバーと表面実装外形が採用されてい
る。
【０００４】前記のように、金属カバー（以下、本明細
書ではケースと称する）と表面実装外形が採用される従
来の高周波パワーモジュールは、図８および図９に示す
ような構造となっている。すなわち、矩形板状の放熱フ
ランジ１の主面（上面）には、図示しない半田によって
回路基板２が固定されている。この回路基板２の主面
（上面）には、パワーＭＯＳＦＥＴ３等の能動部品やチ
ップ抵抗４やチップコンデンサ５等の受動部品が搭載さ
れている。また、前記回路基板２には三段に亘ってパワ
ーＭＯＳＦＥＴ３が搭載され、出力の向上が図られてい
る。
書ではケースと称する）と表面実装外形が採用される従
来の高周波パワーモジュールは、図８および図９に示す
ような構造となっている。すなわち、矩形板状の放熱フ
ランジ１の主面（上面）には、図示しない半田によって
回路基板２が固定されている。この回路基板２の主面
（上面）には、パワーＭＯＳＦＥＴ３等の能動部品やチ
ップ抵抗４やチップコンデンサ５等の受動部品が搭載さ
れている。また、前記回路基板２には三段に亘ってパワ
ーＭＯＳＦＥＴ３が搭載され、出力の向上が図られてい
る。
【０００５】また、前記回路基板２の主面側を覆うよう
に、放熱フランジ１にはケース６が取り付けられてい
る。また、前記ケース６の一側面には開口部分が設けら
れ、この開口部分からは、内端が前記回路基板２に固定
されたリード７が取り付けられている。
に、放熱フランジ１にはケース６が取り付けられてい
る。また、前記ケース６の一側面には開口部分が設けら
れ、この開口部分からは、内端が前記回路基板２に固定
されたリード７が取り付けられている。
【０００６】また、前記放熱フランジ１の側縁からは、
面付用フィン８が階段状に一段外方に突出するように配
設されている。この面付用フィン８は、高周波パワーモ
ジュール１０が実装される図示しないシャーシに熱を伝
達する役割を果たすとともに、グランドピンともなって
いる。放熱フランジ１は、前記回路基板２に設けられた
スルーホールに充填された導体を介して回路基板２の主
面のグランド配線に電気的に接続されている。
面付用フィン８が階段状に一段外方に突出するように配
設されている。この面付用フィン８は、高周波パワーモ
ジュール１０が実装される図示しないシャーシに熱を伝
達する役割を果たすとともに、グランドピンともなって
いる。放熱フランジ１は、前記回路基板２に設けられた
スルーホールに充填された導体を介して回路基板２の主
面のグランド配線に電気的に接続されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波パワーモ
ジュール１０は、放熱フランジ１とケース６とによって
形成される封止体（パッケージ）１１の寸法が、たとえ
ば、縦２１ｍｍ，横１０ｍｍ，高さ３．７ｍｍと小型化
されているが、封止体１１の周囲に、たとえば、２ｍｍ
程度の長さの面付用フィン８を有している。前記面付用
フィン８は、高周波パワーモジュール１０の３辺側にそ
れぞれ設けられていることから、実装面積の縮小化の妨
げとなる。
ジュール１０は、放熱フランジ１とケース６とによって
形成される封止体（パッケージ）１１の寸法が、たとえ
ば、縦２１ｍｍ，横１０ｍｍ，高さ３．７ｍｍと小型化
されているが、封止体１１の周囲に、たとえば、２ｍｍ
程度の長さの面付用フィン８を有している。前記面付用
フィン８は、高周波パワーモジュール１０の３辺側にそ
れぞれ設けられていることから、実装面積の縮小化の妨
げとなる。
【０００８】本発明の目的は、実装面積の縮小化が達成
できる高周波パワーモジュールを提供することにある。
できる高周波パワーモジュールを提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置は、
矩形板状となる放熱フランジと、前記放熱フランジの主
面に固定されかつ主面に能動部品や受動部品を搭載して
なる回路基板と、前記放熱フランジの主面側を覆うよう
に放熱フランジに取り付けられるケースと、前記放熱フ
ランジに設けられる複数の面付用フィンとを有する高周
波パワーモジュールであって、前記面付用フィンは前記
放熱フランジの外形である矩形領域内に位置していると
ともに、前記面付用フィンは前記放熱フランジの周縁か
ら内方に向かって平行に設けられた２本の溝間の放熱フ
ランジ部分で構成され、かつ前記２本の溝の溝奥部分の
面付用フィンの幅は局部的に狭くなっている構造となっ
ている。また、前記面付用フィンは放熱フランジの取付
部分で階段状に一段折れ曲がっている。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置は、
矩形板状となる放熱フランジと、前記放熱フランジの主
面に固定されかつ主面に能動部品や受動部品を搭載して
なる回路基板と、前記放熱フランジの主面側を覆うよう
に放熱フランジに取り付けられるケースと、前記放熱フ
ランジに設けられる複数の面付用フィンとを有する高周
波パワーモジュールであって、前記面付用フィンは前記
放熱フランジの外形である矩形領域内に位置していると
ともに、前記面付用フィンは前記放熱フランジの周縁か
ら内方に向かって平行に設けられた２本の溝間の放熱フ
ランジ部分で構成され、かつ前記２本の溝の溝奥部分の
面付用フィンの幅は局部的に狭くなっている構造となっ
ている。また、前記面付用フィンは放熱フランジの取付
部分で階段状に一段折れ曲がっている。
【００１１】
【作用】上記のように本発明の高周波パワーモジュール
は、矩形板状の放熱フランジの矩形枠領域外に面付用フ
ィンが突出せず、前記矩形枠領域内下方に位置している
ため、高周波パワーモジュールの実装面積の縮小化が図
れる。
は、矩形板状の放熱フランジの矩形枠領域外に面付用フ
ィンが突出せず、前記矩形枠領域内下方に位置している
ため、高周波パワーモジュールの実装面積の縮小化が図
れる。
【００１２】また、本発明の高周波パワーモジュールに
おいては、前記面付用フィンは前記放熱フランジの周縁
から内方に向かって平行に設けられた２本の溝間の放熱
フランジ部分で構成されていることから、高周波パワー
モジュールをシャーシに半田を使用して実装を行った
際、溶けた半田が前記溝のため広がらず、半田固定領域
の特定化が達成できる。
おいては、前記面付用フィンは前記放熱フランジの周縁
から内方に向かって平行に設けられた２本の溝間の放熱
フランジ部分で構成されていることから、高周波パワー
モジュールをシャーシに半田を使用して実装を行った
際、溶けた半田が前記溝のため広がらず、半田固定領域
の特定化が達成できる。
【００１３】また、本発明の高周波パワーモジュールに
おいては、前記面付用フィンは前記２本の溝奥部分の面
付用フィンの幅は局部的に狭くなっていることから、高
周波パワーモジュールをシャーシに半田を使用して実装
を行った際、溶けた半田が半田の表面張力の作用もあっ
て、面付用フィンの奥側に広がらず、半田固定領域の特
定化が達成できる。
おいては、前記面付用フィンは前記２本の溝奥部分の面
付用フィンの幅は局部的に狭くなっていることから、高
周波パワーモジュールをシャーシに半田を使用して実装
を行った際、溶けた半田が半田の表面張力の作用もあっ
て、面付用フィンの奥側に広がらず、半田固定領域の特
定化が達成できる。
【００１４】また、本発明の高周波パワーモジュールに
おいては、前記面付用フィンは放熱フランジの取付部分
で階段状に一段折れ曲がっていることから、高周波パワ
ーモジュールをシャーシに半田を使用して実装を行った
際、溶けた半田が上方に延在する面付用フィンの奥側に
広がらず、半田固定領域の特定化が達成できる。
おいては、前記面付用フィンは放熱フランジの取付部分
で階段状に一段折れ曲がっていることから、高周波パワ
ーモジュールをシャーシに半田を使用して実装を行った
際、溶けた半田が上方に延在する面付用フィンの奥側に
広がらず、半田固定領域の特定化が達成できる。
【００１５】
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例による高周波パワ
ーモジュールの要部を示す模式的断面図、図２は本実施
例による高周波パワーモジュールの底面図、図３は同じ
く高周波パワーモジュールを構成する放熱用フランジの
正面図、図４は同じく放熱用フランジの平面図、図５は
同じく放熱用フランジとケースとの係止状態を示す一部
の模式的断面図、図６は本実施例による高周波パワーモ
ジュールの実装状態を示す模式的断面図である。
て説明する。図１は本発明の一実施例による高周波パワ
ーモジュールの要部を示す模式的断面図、図２は本実施
例による高周波パワーモジュールの底面図、図３は同じ
く高周波パワーモジュールを構成する放熱用フランジの
正面図、図４は同じく放熱用フランジの平面図、図５は
同じく放熱用フランジとケースとの係止状態を示す一部
の模式的断面図、図６は本実施例による高周波パワーモ
ジュールの実装状態を示す模式的断面図である。
【００１６】本発明の高周波パワーモジュール１０は、
図１および図２に示すような構造となっている。高周波
パワーモジュール１０は、矩形板状の放熱フランジ１を
有している。前記放熱フランジ１の主面（上面）には、
半田１５を介して回路基板２が固定されている。この回
路基板２の主面（上面）には、パワーＭＯＳＦＥＴ３等
の能動部品やチップ抵抗４やチップコンデンサ５等の受
動部品が搭載されている。
図１および図２に示すような構造となっている。高周波
パワーモジュール１０は、矩形板状の放熱フランジ１を
有している。前記放熱フランジ１の主面（上面）には、
半田１５を介して回路基板２が固定されている。この回
路基板２の主面（上面）には、パワーＭＯＳＦＥＴ３等
の能動部品やチップ抵抗４やチップコンデンサ５等の受
動部品が搭載されている。
【００１７】前記回路基板２の裏面（下面）には、銅等
の導電層１６が全面に亘って設けられている。また、回
路基板２の主面には、同様に銅の厚膜をパターニングし
て得られる配線１７が設けられている。前記チップ抵抗
４やチップコンデンサ５等の受動部品は、前記配線１７
に半田１８を介して電気的かつ機械的に接続されてい
る。また、前記回路基板２の主面の一部の配線１７、す
なわちグランド配線は、回路基板２に設けられたスルー
ホールに充填された導体１９を介して導電層１６に電気
的に接続されている。したがって、前記放熱フランジ１
は電子機器に実装された場合、グランド電位となる。
の導電層１６が全面に亘って設けられている。また、回
路基板２の主面には、同様に銅の厚膜をパターニングし
て得られる配線１７が設けられている。前記チップ抵抗
４やチップコンデンサ５等の受動部品は、前記配線１７
に半田１８を介して電気的かつ機械的に接続されてい
る。また、前記回路基板２の主面の一部の配線１７、す
なわちグランド配線は、回路基板２に設けられたスルー
ホールに充填された導体１９を介して導電層１６に電気
的に接続されている。したがって、前記放熱フランジ１
は電子機器に実装された場合、グランド電位となる。
【００１８】一方、前記回路基板２には、三段に亘って
パワーＭＯＳＦＥＴ３が搭載され、出力の高い高周波電
力増幅器ＭＯＳ・パワーモジュールが構成されている。
パワーＭＯＳＦＥＴ３は、放熱性を考慮し、回路基板２
に設けられた穴２０内に取り付けられている。すなわ
ち、前記穴２０内の底に露出した放熱フランジ１の主面
には、半田１５を介して熱導電性の高いモリブデン板や
銅板からなる金属性のヒートシンク２５上に半田や銀ペ
ースト等の接着剤を介して固定されている。
パワーＭＯＳＦＥＴ３が搭載され、出力の高い高周波電
力増幅器ＭＯＳ・パワーモジュールが構成されている。
パワーＭＯＳＦＥＴ３は、放熱性を考慮し、回路基板２
に設けられた穴２０内に取り付けられている。すなわ
ち、前記穴２０内の底に露出した放熱フランジ１の主面
には、半田１５を介して熱導電性の高いモリブデン板や
銅板からなる金属性のヒートシンク２５上に半田や銀ペ
ースト等の接着剤を介して固定されている。
【００１９】また、前記パワーＭＯＳＦＥＴ３の周囲に
延在する配線１７の先端上には、アルミニウムからなる
ポストタブ２６が設けられている。そして、このポスト
タブ２６と、前記パワーＭＯＳＦＥＴ（半導体チップ）
３の上面の図示しない電極とは、金線等からなるワイヤ
２７によって電気的に接続されている。
延在する配線１７の先端上には、アルミニウムからなる
ポストタブ２６が設けられている。そして、このポスト
タブ２６と、前記パワーＭＯＳＦＥＴ（半導体チップ）
３の上面の図示しない電極とは、金線等からなるワイヤ
２７によって電気的に接続されている。
【００２０】また、前記回路基板２の主面側を覆うよう
に、放熱フランジ１にはケース６が取り付けられてい
る。このケース６は下側が開口した箱型構造となり、側
板３０が、図３および図４にも示すように、前記放熱フ
ランジ１の両端に部分的に設けられた立ち上がり部分３
１に嵌まる構造となっている。また、前記立ち上がり部
分３１には、図３および図５に示すように、孔３２が設
けられている。一方この孔３２に嵌まり込むような突部
３３が、前記ケース６の側板３０に設けられている。し
たがって、前記放熱フランジ１およびケース６は、弾力
性のある金属板、たとえば、銅やりん青銅等によって形
成されている。また、放熱フランジ１は、放熱のために
熱導電性に優れた金属板、たとえば、銅やりん青銅等に
よって形成されている。なお、前記放熱フランジ１やケ
ース６は、たとえば、１〜１．５ｍｍ程度の厚さの金属
板で形成されている。
に、放熱フランジ１にはケース６が取り付けられてい
る。このケース６は下側が開口した箱型構造となり、側
板３０が、図３および図４にも示すように、前記放熱フ
ランジ１の両端に部分的に設けられた立ち上がり部分３
１に嵌まる構造となっている。また、前記立ち上がり部
分３１には、図３および図５に示すように、孔３２が設
けられている。一方この孔３２に嵌まり込むような突部
３３が、前記ケース６の側板３０に設けられている。し
たがって、前記放熱フランジ１およびケース６は、弾力
性のある金属板、たとえば、銅やりん青銅等によって形
成されている。また、放熱フランジ１は、放熱のために
熱導電性に優れた金属板、たとえば、銅やりん青銅等に
よって形成されている。なお、前記放熱フランジ１やケ
ース６は、たとえば、１〜１．５ｍｍ程度の厚さの金属
板で形成されている。
【００２１】また、これが本発明の特徴の一つである
が、図２および図４に示すように、前記放熱フランジ１
の３辺には、内方に向かって平行に２本の溝３５が設け
られている。本実施例の場合は、前記２本の溝３５間の
放熱フランジ部分が面付用フィン８を構成する。面付用
フィン８は、放熱フランジ１の長手側の側面部分に１
つ、放熱フランジ１の両端にそれぞれ２つ設けられてい
る。これは、面付用フィン８が、グランドピンともなる
ことから、回路基板２の各所に複数設ける必要によるも
のである。また、この面付用フィン８は、前記パワーＭ
ＯＳＦＥＴ３から発生した熱をシャーシ等に伝達する役
割をすることからも、回路基板２の各所に設ける必要が
ある。
が、図２および図４に示すように、前記放熱フランジ１
の３辺には、内方に向かって平行に２本の溝３５が設け
られている。本実施例の場合は、前記２本の溝３５間の
放熱フランジ部分が面付用フィン８を構成する。面付用
フィン８は、放熱フランジ１の長手側の側面部分に１
つ、放熱フランジ１の両端にそれぞれ２つ設けられてい
る。これは、面付用フィン８が、グランドピンともなる
ことから、回路基板２の各所に複数設ける必要によるも
のである。また、この面付用フィン８は、前記パワーＭ
ＯＳＦＥＴ３から発生した熱をシャーシ等に伝達する役
割をすることからも、回路基板２の各所に設ける必要が
ある。
【００２２】前記溝３５の内端部分は円形部３６を形成
する構造となっていることから、前記面付用フィン８の
奥側の幅は狭くなっている。また、前記面付用フィン８
は、図１および図３に示すように、放熱フランジ１の付
け根部分で階段状に一段低く折れ曲がった構造となって
いる（図３参照）。前記面付用フィン８の突出量は、た
とえば、０．３ｍｍ程度と小さく抑えられ、高周波パワ
ーモジュール１０の全高さの低減化が図られている。さ
らに、前記面付用フィン８の先端面中央部分にはＵ字形
切欠部３７が設けられている。
する構造となっていることから、前記面付用フィン８の
奥側の幅は狭くなっている。また、前記面付用フィン８
は、図１および図３に示すように、放熱フランジ１の付
け根部分で階段状に一段低く折れ曲がった構造となって
いる（図３参照）。前記面付用フィン８の突出量は、た
とえば、０．３ｍｍ程度と小さく抑えられ、高周波パワ
ーモジュール１０の全高さの低減化が図られている。さ
らに、前記面付用フィン８の先端面中央部分にはＵ字形
切欠部３７が設けられている。
【００２３】さらに、前記ケース６の一側面には開口部
分が設けられ、この開口部分からは、図２に示すよう
に、内端が前記回路基板２に固定されたリード７が取り
付けられている。前記リード７は、たとえば、左から右
に向かって入力端子（ＰIN），ゲインコントロール端子
（ＶAPC），電源端子（ＶDD），出力端子（ＰOUT）とな
っている。
分が設けられ、この開口部分からは、図２に示すよう
に、内端が前記回路基板２に固定されたリード７が取り
付けられている。前記リード７は、たとえば、左から右
に向かって入力端子（ＰIN），ゲインコントロール端子
（ＶAPC），電源端子（ＶDD），出力端子（ＰOUT）とな
っている。
【００２４】つぎに、このような高周波パワーモジュー
ル１０の実装状態について説明する。図６は、たとえ
ば、携帯用電話のシャーシ４０の接続部４１に面付用フ
ィン８を半田４２を介して固定した状態を示す断面図で
ある。また、図示はしないが、前記リード７の先端部分
も前記シャーシ４０の所定の接続部に半田を介して接続
される。前記面付用フィン８は、グランドピンとなると
ともに、シャーシ４０に熱を伝達する放熱体ともなる。
ル１０の実装状態について説明する。図６は、たとえ
ば、携帯用電話のシャーシ４０の接続部４１に面付用フ
ィン８を半田４２を介して固定した状態を示す断面図で
ある。また、図示はしないが、前記リード７の先端部分
も前記シャーシ４０の所定の接続部に半田を介して接続
される。前記面付用フィン８は、グランドピンとなると
ともに、シャーシ４０に熱を伝達する放熱体ともなる。
【００２５】このような実装形態においてはつぎのよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
【００２６】（１）本実施例の高周波パワーモジュール
においては、実装用の面付用フィンは矩形板状の放熱フ
ランジの矩形枠領域外に突出しない構造となっているこ
とから、高周波パワーモジュールの実装面積の縮小化が
図れる。すなわち、従来のこの種高周波パワーモジュー
ルに比較して、面付用フィンが突出しない長さ分だけ、
たとえば、従来の高周波パワーモジュールの面付用フィ
ンの突出長さが２ｍｍ程度の場合では、本実施例の高周
波パワーモジュールの場合では、実装面積の縦の長さを
４ｍｍ前後縮小できるとともに、横の長さを２ｍｍ前後
縮小できる。
においては、実装用の面付用フィンは矩形板状の放熱フ
ランジの矩形枠領域外に突出しない構造となっているこ
とから、高周波パワーモジュールの実装面積の縮小化が
図れる。すなわち、従来のこの種高周波パワーモジュー
ルに比較して、面付用フィンが突出しない長さ分だけ、
たとえば、従来の高周波パワーモジュールの面付用フィ
ンの突出長さが２ｍｍ程度の場合では、本実施例の高周
波パワーモジュールの場合では、実装面積の縦の長さを
４ｍｍ前後縮小できるとともに、横の長さを２ｍｍ前後
縮小できる。
【００２７】（２）前記面付用フィンは両側が溝の縁に
よって形成されていることから、濡れた（溶けた）半田
が前記溝側に流れ出さず広がらない。
よって形成されていることから、濡れた（溶けた）半田
が前記溝側に流れ出さず広がらない。
【００２８】（３）また、面付用フィンの先端面の中央
部分にはＵ字形切欠部が設けられていることから、面付
用フィンの先端延長側に半田が流出しないようになって
いる。これは、供給する半田の量によっても変わるが、
高周波パワーモジュールの実装面積を広くしないために
有効である。
部分にはＵ字形切欠部が設けられていることから、面付
用フィンの先端延長側に半田が流出しないようになって
いる。これは、供給する半田の量によっても変わるが、
高周波パワーモジュールの実装面積を広くしないために
有効である。
【００２９】（４）また、前記面付用フィンの奥側につ
いては、面付用フィンの奥側の幅が、溝奥の円形部の存
在によって狭くなっているため、実装時、溶けた半田が
半田の表面張力の作用によって面付用フィンの奥側に流
出し難くなる。
いては、面付用フィンの奥側の幅が、溝奥の円形部の存
在によって狭くなっているため、実装時、溶けた半田が
半田の表面張力の作用によって面付用フィンの奥側に流
出し難くなる。
【００３０】（５）前記面付用フィンは、放熱フランジ
の取付部分で階段状に一段折れ曲がっていることから、
面付用フィンの奥側では、溶けた半田が上方に濡れ広が
り難くなり、半田が面付用フィンの奥側に広がり難くな
っている。
の取付部分で階段状に一段折れ曲がっていることから、
面付用フィンの奥側では、溶けた半田が上方に濡れ広が
り難くなり、半田が面付用フィンの奥側に広がり難くな
っている。
【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図７に示すように、放熱フランジ１に設けられる面付用
フィン８は、階段状に折り曲げず、平坦なままでもよ
い。この場合、面付用フィン８は、平行に延在する２本
の溝３５によって形成されるとともに、面付用フィン８
の奥側への半田の濡れ流出を防ぐために、溝３５の内端
部分は円形部３６が形成され、面付用フィン８の奥側の
幅が狭くなっている。図７においては、シャーシ４０上
の接続部４１に対面する面付用フィン８の状態が示され
ている。なお、４２は半田である。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図７に示すように、放熱フランジ１に設けられる面付用
フィン８は、階段状に折り曲げず、平坦なままでもよ
い。この場合、面付用フィン８は、平行に延在する２本
の溝３５によって形成されるとともに、面付用フィン８
の奥側への半田の濡れ流出を防ぐために、溝３５の内端
部分は円形部３６が形成され、面付用フィン８の奥側の
幅が狭くなっている。図７においては、シャーシ４０上
の接続部４１に対面する面付用フィン８の状態が示され
ている。なお、４２は半田である。
【００３２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である高周波
パワーモジュールに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、混成集積回
路装置の製造技術などに適用できる。本発明は少なくと
も表面実装型の面付用フィンを有する電子装置には適用
できる。
なされた発明をその背景となった利用分野である高周波
パワーモジュールに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、混成集積回
路装置の製造技術などに適用できる。本発明は少なくと
も表面実装型の面付用フィンを有する電子装置には適用
できる。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の高周波パワーモ
ジュールは、矩形板状の放熱フランジの矩形枠領域外に
面付用フィンが突出せず、前記矩形枠領域内下方に位置
しているため、高周波パワーモジュールの実装面積の縮
小化が図れる。また、前記面付用フィンは前記放熱フラ
ンジの周縁から内方に向かって平行に設けられた２本の
溝間の放熱フランジ部分で構成されていることと、面付
用フィンの奥側の幅は局部的に狭くなっていること、さ
らには前記面付用フィンは放熱フランジの取付部分で階
段状に一段折れ曲がっていることによって、実装時、溶
けた半田が面付用フィンから大きく食み出すこともな
く、半田固定領域の特定化が達成できる。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の高周波パワーモ
ジュールは、矩形板状の放熱フランジの矩形枠領域外に
面付用フィンが突出せず、前記矩形枠領域内下方に位置
しているため、高周波パワーモジュールの実装面積の縮
小化が図れる。また、前記面付用フィンは前記放熱フラ
ンジの周縁から内方に向かって平行に設けられた２本の
溝間の放熱フランジ部分で構成されていることと、面付
用フィンの奥側の幅は局部的に狭くなっていること、さ
らには前記面付用フィンは放熱フランジの取付部分で階
段状に一段折れ曲がっていることによって、実装時、溶
けた半田が面付用フィンから大きく食み出すこともな
く、半田固定領域の特定化が達成できる。
【図１】本発明の一実施例による高周波パワーモジュー
ルの要部を示す模式的断面図である。
ルの要部を示す模式的断面図である。
【図２】本実施例による高周波パワーモジュールの底面
図である。
図である。
【図３】本実施例による高周波パワーモジュールを構成
する放熱用フランジの正面図である。
する放熱用フランジの正面図である。
【図４】本実施例による高周波パワーモジュールを構成
する放熱用フランジの平面図である。
する放熱用フランジの平面図である。
【図５】本実施例による高周波パワーモジュールにおけ
る放熱用フランジとケースとの係止状態を示す一部の模
式的断面図である。
る放熱用フランジとケースとの係止状態を示す一部の模
式的断面図である。
【図６】本実施例による高周波パワーモジュールの実装
状態を示す模式的断面図である。
状態を示す模式的断面図である。
【図７】本発明の他の実施例による高周波パワーモジュ
ールにおける放熱用フランジとシャーシの一部を示す斜
視図である。
ールにおける放熱用フランジとシャーシの一部を示す斜
視図である。
【図８】従来の高周波パワーモジュールを示す正面図で
ある。
ある。
【図９】従来の高周波パワーモジュールの平面図であ
る。
る。
１…放熱フランジ、２…回路基板、３…パワーＭＯＳＦ
ＥＴ、４…チップ抵抗、５…チップコンデンサ、６…ケ
ース、７…リード、８…面付用フィン、１０…高周波パ
ワーモジュール、１１…封止体（パッケージ）、１５…
半田、１６…導電層、１７…配線、１８…半田、１９…
導体、２０…穴、２５…ヒートシンク、２６…ポストタ
ブ、２７…ワイヤ、３０…側板、３１…立ち上がり部
分、３２…孔、３３…突部、３５…溝、３６…円形部、
３７…Ｕ字形切欠部、４０…シャーシ、４１…接続部、
４２…半田。
ＥＴ、４…チップ抵抗、５…チップコンデンサ、６…ケ
ース、７…リード、８…面付用フィン、１０…高周波パ
ワーモジュール、１１…封止体（パッケージ）、１５…
半田、１６…導電層、１７…配線、１８…半田、１９…
導体、２０…穴、２５…ヒートシンク、２６…ポストタ
ブ、２７…ワイヤ、３０…側板、３１…立ち上がり部
分、３２…孔、３３…突部、３５…溝、３６…円形部、
３７…Ｕ字形切欠部、４０…シャーシ、４１…接続部、
４２…半田。
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 25/00 - 25/18
Claims (4)
- 【請求項１】 矩形板状となる放熱フランジと、前記放
熱フランジの主面に固定されかつ主面に能動部品や受動
部品を搭載してなる回路基板と、前記放熱フランジの主
面側を覆うように放熱フランジに取り付けられるケース
と、前記放熱フランジに設けられる複数の面付用フィン
とを有する高周波パワーモジュールであって、前記面付
用フィンは前記放熱フランジの外形である矩形領域内に
位置していることを特徴とする高周波パワーモジュー
ル。 - 【請求項２】 矩形板状となる放熱フランジと、前記放
熱フランジの主面に固定されかつ主面に能動部品や受動
部品を搭載してなる回路基板と、前記放熱フランジの主
面側を覆うように放熱フランジに取り付けられるケース
と、前記放熱フランジに設けられる複数の面付用フィン
とを有する高周波パワーモジュールであって、前記面付
用フィンは前記放熱フランジの外形である矩形領域内に
位置しているとともに、前記面付用フィンは前記放熱フ
ランジの周縁から内方に向かって平行に設けられた２本
の溝間の放熱フランジ部分で構成されていることを特徴
とする高周波パワーモジュール。 - 【請求項３】 矩形板状となる放熱フランジと、前記放
熱フランジの主面に固定されかつ主面に能動部品や受動
部品を搭載してなる回路基板と、前記放熱フランジの主
面側を覆うように放熱フランジに取り付けられるケース
と、前記放熱フランジに設けられる複数の面付用フィン
とを有する高周波パワーモジュールであって、前記面付
用フィンは前記放熱フランジの外形である矩形領域内に
位置しているとともに、前記面付用フィンは前記放熱フ
ランジの周縁から内方に向かって平行に設けられた２本
の溝間の放熱フランジ部分で構成され、かつ前記２本の
溝奥部分の面付用フィンの幅は前記放熱フランジの周縁
の部分の幅より狭いことを特徴とする高周波パワーモジ
ュール。 - 【請求項４】 矩形板状となる放熱フランジと、前記放
熱フランジの主面に固定されかつ主面に能動部品や受動
部品を搭載してなる回路基板と、前記放熱フランジの主
面側を覆うように放熱フランジに取り付けられるケース
と、前記放熱フランジに設けられる複数の面付用フィン
とを有する高周波パワーモジュールであって、前記面付
用フィンは前記放熱フランジの外形である矩形領域内に
位置しているとともに、前記面付用フィンは前記放熱フ
ランジの周縁から内方に向かって平行に設けられた２本
の溝間の放熱フランジ部分で構成され、かつ前記面付用
フィンは放熱フランジの取付部分で階段状に一段折れ曲
がっていることを特徴とする高周波パワーモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26050594A JP3450465B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 高周波パワーモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26050594A JP3450465B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 高周波パワーモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125113A JPH08125113A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3450465B2 true JP3450465B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17348899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26050594A Expired - Fee Related JP3450465B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 高周波パワーモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3450465B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100380107B1 (ko) | 2001-04-30 | 2003-04-11 | 삼성전자주식회사 | 발열체를 갖는 회로 기판과 기밀 밀봉부를 갖는 멀티 칩패키지 |
| DE102004032371A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Schaltungseinheit |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP26050594A patent/JP3450465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08125113A (ja) | 1996-05-17 |
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