JPH0766323A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の低熱抵抗化を改善
し、かつその薄型化を可能とする。 【構成】 高熱伝導板２の一方の面に半導体素子１の電
極パッド１ａを除く表面の少なくとも一部を接着し、か
つ同じ面に外部導出リード４を接着する。そして、高熱
伝導板の中心部２ａの外側に露呈された電極パッド１ａ
と、高熱伝導板の周辺部２ｂの内側に露呈される外部導
出リード４の内側端部４ａとをワイヤ５で接続する。半
導体素子１で発生した熱は高熱伝導板２を介して放熱さ
れ、低熱抵抗化を改善する。また、ワイヤ５のループ高
さを高熱伝導板２の厚さ分だけ相殺し、半導体装置の薄
型化を可能とする。
し、かつその薄型化を可能とする。 【構成】 高熱伝導板２の一方の面に半導体素子１の電
極パッド１ａを除く表面の少なくとも一部を接着し、か
つ同じ面に外部導出リード４を接着する。そして、高熱
伝導板の中心部２ａの外側に露呈された電極パッド１ａ
と、高熱伝導板の周辺部２ｂの内側に露呈される外部導
出リード４の内側端部４ａとをワイヤ５で接続する。半
導体素子１で発生した熱は高熱伝導板２を介して放熱さ
れ、低熱抵抗化を改善する。また、ワイヤ５のループ高
さを高熱伝導板２の厚さ分だけ相殺し、半導体装置の薄
型化を可能とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にパッケージの薄型化と低熱抵抗化を図った半
導体装置に関する。
関し、特にパッケージの薄型化と低熱抵抗化を図った半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置では、半導
体素子で発生した熱を効率良く外部に放熱してその低熱
抵抗化を図るために、例えば、図４に示す構成が提案さ
れている。この半導体装置は、ヒートスプレッダとして
の高熱伝導板１２の表面中心部に半導体素子１１を搭載
するとともに、その高熱伝導板１２の表面周辺部に外部
リード１４を絶縁材１３を介して取着し、半導体素子１
１の電極パッドと外部リード１４の内側端部とをボンデ
ィングワイヤ１５で電気接続した上で、樹脂１６等によ
り封止したものである。この半導体装置では、半導体素
子１１で発生した熱を高熱伝導板１２に伝達させ、ここ
から樹脂１６を介して放熱することで低熱抵抗化を図っ
ている。例えば、特開昭６１−７７３５０号公報。
体素子で発生した熱を効率良く外部に放熱してその低熱
抵抗化を図るために、例えば、図４に示す構成が提案さ
れている。この半導体装置は、ヒートスプレッダとして
の高熱伝導板１２の表面中心部に半導体素子１１を搭載
するとともに、その高熱伝導板１２の表面周辺部に外部
リード１４を絶縁材１３を介して取着し、半導体素子１
１の電極パッドと外部リード１４の内側端部とをボンデ
ィングワイヤ１５で電気接続した上で、樹脂１６等によ
り封止したものである。この半導体装置では、半導体素
子１１で発生した熱を高熱伝導板１２に伝達させ、ここ
から樹脂１６を介して放熱することで低熱抵抗化を図っ
ている。例えば、特開昭６１−７７３５０号公報。
【０００３】また、他の構成として、図５に示すよう
に、リードフレーム２４と一体の素子搭載部２２に搭載
した半導体素子２１をワイヤ２５でリードフレーム２４
に接続するとともに、半導体素子２１の表面に放熱ブロ
ック２３を接着し、半導体素子２１で発生した熱をこの
放熱ブロック２３に伝達させ、ここから樹脂２６を通し
て放熱して低熱抵抗化を図ったものもある。例えば、特
開昭６０−１３７０４１号公報。更に、図６に示すよう
に、フィルムキャリア３２を用いて半導体素子３１を搭
載し、このフィルムキャリア３２の表面の金属箔３３を
介して外部導出リード３４に電気接続し、樹脂３６で封
止する。また、フィルムキャリア３２の裏面に金属箔３
５を形成し、この金属箔３５を放熱手段とした構成もあ
る。例えば、特開平２−９２７４４号公報。
に、リードフレーム２４と一体の素子搭載部２２に搭載
した半導体素子２１をワイヤ２５でリードフレーム２４
に接続するとともに、半導体素子２１の表面に放熱ブロ
ック２３を接着し、半導体素子２１で発生した熱をこの
放熱ブロック２３に伝達させ、ここから樹脂２６を通し
て放熱して低熱抵抗化を図ったものもある。例えば、特
開昭６０−１３７０４１号公報。更に、図６に示すよう
に、フィルムキャリア３２を用いて半導体素子３１を搭
載し、このフィルムキャリア３２の表面の金属箔３３を
介して外部導出リード３４に電気接続し、樹脂３６で封
止する。また、フィルムキャリア３２の裏面に金属箔３
５を形成し、この金属箔３５を放熱手段とした構成もあ
る。例えば、特開平２−９２７４４号公報。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の樹脂封止
型半導体装置では、半導体素子に直接的に放熱手段を接
触させることで、半導体素子の熱を放熱手段に伝導さ
せ、ここから放熱を行うために放熱効果を高めることが
できる。しかしながら、図４及び図５の半導体装置で
は、半導体素子の両面側或いは裏面側に重ねて放熱手段
を設けるとともに、半導体素子とリードフレームとをワ
イヤ接続しているため、このワイヤのループ高さと放熱
手段の高さが半導体素子の厚さ寸法に加えられることに
なるため、半導体装置の高さ寸法が大きくなり、半導体
装置の薄型化を図ることが難しいという問題がある。
型半導体装置では、半導体素子に直接的に放熱手段を接
触させることで、半導体素子の熱を放熱手段に伝導さ
せ、ここから放熱を行うために放熱効果を高めることが
できる。しかしながら、図４及び図５の半導体装置で
は、半導体素子の両面側或いは裏面側に重ねて放熱手段
を設けるとともに、半導体素子とリードフレームとをワ
イヤ接続しているため、このワイヤのループ高さと放熱
手段の高さが半導体素子の厚さ寸法に加えられることに
なるため、半導体装置の高さ寸法が大きくなり、半導体
装置の薄型化を図ることが難しいという問題がある。
【０００５】この点、図６の構成では、フィルムキャリ
ア方式を用いているため、ワイヤが不要となり、かつ放
熱手段も薄くできるため、半導体装置の薄型化には有効
であるが、放熱手段が金属箔であるために図４及び図５
に示したものよりも低熱抵抗効果が劣ることは避けられ
ず、またフィルムキャリア方式によるボンディングは、
現状ではワイヤボンディング方式に比べて歩留が低く、
しかもテープ等の資材費が高いことによる製造コスト高
になり易いという問題がある。本発明の目的は、低熱抵
抗化を高めると共に、薄型化を図った半導体装置を提供
することにある。
ア方式を用いているため、ワイヤが不要となり、かつ放
熱手段も薄くできるため、半導体装置の薄型化には有効
であるが、放熱手段が金属箔であるために図４及び図５
に示したものよりも低熱抵抗効果が劣ることは避けられ
ず、またフィルムキャリア方式によるボンディングは、
現状ではワイヤボンディング方式に比べて歩留が低く、
しかもテープ等の資材費が高いことによる製造コスト高
になり易いという問題がある。本発明の目的は、低熱抵
抗化を高めると共に、薄型化を図った半導体装置を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
高熱伝導板の一方の面に半導体素子の電極パッドを除く
表面の少なくとも一部と、外部導出リードとをそれぞれ
接着し、かつ電極パッドと外部導出リードの接着面側の
一部とをワイヤで電気接続した構成とする。高熱伝導板
と半導体素子及び外部導出リードとは、両面にエポキシ
系接着剤を有するポリイミドにより接着してもよい。ま
た、高熱伝導板は、半導体素子の電極パッドの配列領域
よりも小さい外形寸法の中心部と、外部導出リードの内
側端部を結ぶ線よりも大きい内形寸法の枠状の周辺部
と、これらを連結する吊り部とで構成されており、中心
部の外側に露呈された電極パッドと、周辺部の内側に露
呈される外部導出リードの内側端部とをワイヤで接続す
る構成とする。更に、半導体素子の裏面を封止樹脂から
露呈させてもよい。
高熱伝導板の一方の面に半導体素子の電極パッドを除く
表面の少なくとも一部と、外部導出リードとをそれぞれ
接着し、かつ電極パッドと外部導出リードの接着面側の
一部とをワイヤで電気接続した構成とする。高熱伝導板
と半導体素子及び外部導出リードとは、両面にエポキシ
系接着剤を有するポリイミドにより接着してもよい。ま
た、高熱伝導板は、半導体素子の電極パッドの配列領域
よりも小さい外形寸法の中心部と、外部導出リードの内
側端部を結ぶ線よりも大きい内形寸法の枠状の周辺部
と、これらを連結する吊り部とで構成されており、中心
部の外側に露呈された電極パッドと、周辺部の内側に露
呈される外部導出リードの内側端部とをワイヤで接続す
る構成とする。更に、半導体素子の裏面を封止樹脂から
露呈させてもよい。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の実施例１の
一部破断平面図及びそのＡ−Ａ線断面図である。半導体
素子１は電極パッド１ａを有する表面を上方に向けてお
り、この電極パッド１を除く表面にポリイミド３ａを介
して０．１〜０．２ｍｍ厚程度のＣｕアロイ板等からな
る高熱伝導板（ヒートスプレッダ）２の中心部２ａを接
着してある。また、この高熱伝導板２の周辺部２ａには
ポリイミド３ｂを介して０．１〜０．２ｍｍ厚程度の金
属板からなる外部導出リード４を接着してある。前記高
熱伝導板２は、前記中心部２ａの形状寸法は半導体素子
１の周辺部に配置した電極パッド１ａの配列領域よりも
小さい寸法とされ、その四隅において吊り部２ｃにより
方形枠状の周辺部２ｂと一体的に連結されており、ま
た、その周辺部２ｂは外部導出リード４の内側端部４ａ
を結ぶ領域よりも大きな内形寸法としている。なお、前
記ポリイミド３ａ，３ｂの厚さは５０〜１００μｍ厚程
度とされる。そして、前記半導体素子１の電極パッド１
ａと、外部導出リード４の内側端部４ａの接着面側とを
ボンディングワイヤ５にて電気接続を行い、かつこれら
をエポキシ樹脂６により樹脂封止した構成とされてい
る。
る。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の実施例１の
一部破断平面図及びそのＡ−Ａ線断面図である。半導体
素子１は電極パッド１ａを有する表面を上方に向けてお
り、この電極パッド１を除く表面にポリイミド３ａを介
して０．１〜０．２ｍｍ厚程度のＣｕアロイ板等からな
る高熱伝導板（ヒートスプレッダ）２の中心部２ａを接
着してある。また、この高熱伝導板２の周辺部２ａには
ポリイミド３ｂを介して０．１〜０．２ｍｍ厚程度の金
属板からなる外部導出リード４を接着してある。前記高
熱伝導板２は、前記中心部２ａの形状寸法は半導体素子
１の周辺部に配置した電極パッド１ａの配列領域よりも
小さい寸法とされ、その四隅において吊り部２ｃにより
方形枠状の周辺部２ｂと一体的に連結されており、ま
た、その周辺部２ｂは外部導出リード４の内側端部４ａ
を結ぶ領域よりも大きな内形寸法としている。なお、前
記ポリイミド３ａ，３ｂの厚さは５０〜１００μｍ厚程
度とされる。そして、前記半導体素子１の電極パッド１
ａと、外部導出リード４の内側端部４ａの接着面側とを
ボンディングワイヤ５にて電気接続を行い、かつこれら
をエポキシ樹脂６により樹脂封止した構成とされてい
る。
【０００８】図２は図１の半導体装置の製造方法を工程
順に示す図である。先ず、図２（ａ）のように、リード
フレームの外部導出リード４の一部に両面にエポキシ系
の接着剤を塗布したポリイミド３ｂを介して高熱伝導板
２の周辺部２ｂを接続する。このとき、外部導出リード
４の内側先端部４ａはポリイミド３ｂ及び高熱伝導板２
の周辺部２ｂの内側に露呈される。次いで、図（ｂ）の
ように、表面にポリイミドコーティングが施された半導
体装素子１の表面に、両面にエポキシ系接着剤を塗布し
たポリイミド３ａを介して前記高熱伝導板２の中心部２
ａを接着する。このとき、半導体素子１の表面の周辺部
に配置されている電極パッド１ａはポリイミド３ａ及び
高熱伝導板２の中心部２ａの周囲に露呈される。
順に示す図である。先ず、図２（ａ）のように、リード
フレームの外部導出リード４の一部に両面にエポキシ系
の接着剤を塗布したポリイミド３ｂを介して高熱伝導板
２の周辺部２ｂを接続する。このとき、外部導出リード
４の内側先端部４ａはポリイミド３ｂ及び高熱伝導板２
の周辺部２ｂの内側に露呈される。次いで、図（ｂ）の
ように、表面にポリイミドコーティングが施された半導
体装素子１の表面に、両面にエポキシ系接着剤を塗布し
たポリイミド３ａを介して前記高熱伝導板２の中心部２
ａを接着する。このとき、半導体素子１の表面の周辺部
に配置されている電極パッド１ａはポリイミド３ａ及び
高熱伝導板２の中心部２ａの周囲に露呈される。
【０００９】しかる後、図２（ｃ）のように、露呈され
ている電極パッド１ａと前記外部導出リード４の内側先
端部４ａとをボンディングワイヤ５にて相互に電気接続
する。このとき、ボンディングワイヤ５には上向きのル
ープが生じる。その後、図２（ｄ）のように、トランス
ファーモールド法等によりエポキシ樹脂６により樹脂封
止をする。その上で、図示は省略するが外部導出リード
４の外側端部の切断及び成形を行って所要のリード形状
の半導体装置を得る。
ている電極パッド１ａと前記外部導出リード４の内側先
端部４ａとをボンディングワイヤ５にて相互に電気接続
する。このとき、ボンディングワイヤ５には上向きのル
ープが生じる。その後、図２（ｄ）のように、トランス
ファーモールド法等によりエポキシ樹脂６により樹脂封
止をする。その上で、図示は省略するが外部導出リード
４の外側端部の切断及び成形を行って所要のリード形状
の半導体装置を得る。
【００１０】このように構成した半導体装置では、半導
体素子１の動作時に発生する熱は、ポリイミド３ａを介
して高熱伝導板２へ伝達され、ここから樹脂６を介して
放散される。また、他の一部は半導体素子１の裏面から
樹脂６へと効率的に放散される。これにより、低熱抵抗
化を改善することが可能となる。また、ボンディングワ
イヤ５に生じるループの高さ寸法相当分の大部分を、高
熱伝導板２とポリイミド３ａの厚さと相殺することがで
きる。また半導体素子１の厚さも外部導出リード４の厚
さとその一部が相殺できる。これにより、半導体素子１
とボンディングワイヤ５にそれぞれ必要とされる高さ寸
法を従来よりも低減でき、半導体装置の薄型化が可能と
なる。
体素子１の動作時に発生する熱は、ポリイミド３ａを介
して高熱伝導板２へ伝達され、ここから樹脂６を介して
放散される。また、他の一部は半導体素子１の裏面から
樹脂６へと効率的に放散される。これにより、低熱抵抗
化を改善することが可能となる。また、ボンディングワ
イヤ５に生じるループの高さ寸法相当分の大部分を、高
熱伝導板２とポリイミド３ａの厚さと相殺することがで
きる。また半導体素子１の厚さも外部導出リード４の厚
さとその一部が相殺できる。これにより、半導体素子１
とボンディングワイヤ５にそれぞれ必要とされる高さ寸
法を従来よりも低減でき、半導体装置の薄型化が可能と
なる。
【００１１】図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の実
施例２の一部破断平面図及びそのＢ−Ｂ線断面図であ
る。この実施例では半導体素子１をポリイミド３ａによ
り高熱伝導板２に接着し、かつポリイミド３ｂにより外
部導出リード４を接着し、ワイヤボンディングを行って
樹脂６で封止している点は実施例１と同じである。そし
て、この実施例２では、半導体素子１の裏面を樹脂６の
裏面から外部に直接露出させた構成がとられている。こ
れにより、少なくとも半導体素子１の裏面側の封止樹脂
６の厚さだけ半導体装置全体を更に薄くすることが可能
となる。例えば、半導体素子１の厚さを２００μｍ程度
にすれば、半導体装置全体の厚さを０．５ｍｍ以下にす
ることが可能となる。また、半導体素子１の裏面が露出
していることにより、この面からの熱放散もより効率的
になり、低熱抵抗化が可能となる。因に、空冷等による
強制冷却時には３〜５Ｗの消費電力を有する半導体素子
にも対応可能となる。
施例２の一部破断平面図及びそのＢ−Ｂ線断面図であ
る。この実施例では半導体素子１をポリイミド３ａによ
り高熱伝導板２に接着し、かつポリイミド３ｂにより外
部導出リード４を接着し、ワイヤボンディングを行って
樹脂６で封止している点は実施例１と同じである。そし
て、この実施例２では、半導体素子１の裏面を樹脂６の
裏面から外部に直接露出させた構成がとられている。こ
れにより、少なくとも半導体素子１の裏面側の封止樹脂
６の厚さだけ半導体装置全体を更に薄くすることが可能
となる。例えば、半導体素子１の厚さを２００μｍ程度
にすれば、半導体装置全体の厚さを０．５ｍｍ以下にす
ることが可能となる。また、半導体素子１の裏面が露出
していることにより、この面からの熱放散もより効率的
になり、低熱抵抗化が可能となる。因に、空冷等による
強制冷却時には３〜５Ｗの消費電力を有する半導体素子
にも対応可能となる。
【００１２】ここで、高熱伝導板の材料や、高熱伝導板
に半導体素子や外部導出リードを接着するための絶縁材
料、更に封止樹脂材料等は前記実施例のものに限られ
ず、種々の材料が適用できることは言うまでもない。ま
た、ワイヤのループ高さが高熱伝導板の上面から突出さ
れない場合には、高熱伝導板の上面を樹脂から露出させ
ることもでき、放熱効率を更に高めることが可能とな
る。
に半導体素子や外部導出リードを接着するための絶縁材
料、更に封止樹脂材料等は前記実施例のものに限られ
ず、種々の材料が適用できることは言うまでもない。ま
た、ワイヤのループ高さが高熱伝導板の上面から突出さ
れない場合には、高熱伝導板の上面を樹脂から露出させ
ることもでき、放熱効率を更に高めることが可能とな
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高熱伝導
板の一方の面に半導体素子と外部導出リードとをそれぞ
れ接着し、かつ電極パッドと外部導出リードの接着面側
の一部とをワイヤで電気接続しているので、高熱伝導板
によって半導体素子で発生された熱を高い効率で放熱で
き、低熱抵抗化を図ることができるとともに、ワイヤの
ループ高さを高熱伝導板の厚さ分だけ相殺でき、半導体
装置の薄型化を図ることができる。。また、半導体素子
の裏面を封止樹脂から露呈させることで、裏面側の樹脂
の厚さ分薄型化を促進でき、かつ半導体素子の裏面から
の直接放熱を可能にして低熱抵抗化も促進できる。
板の一方の面に半導体素子と外部導出リードとをそれぞ
れ接着し、かつ電極パッドと外部導出リードの接着面側
の一部とをワイヤで電気接続しているので、高熱伝導板
によって半導体素子で発生された熱を高い効率で放熱で
き、低熱抵抗化を図ることができるとともに、ワイヤの
ループ高さを高熱伝導板の厚さ分だけ相殺でき、半導体
装置の薄型化を図ることができる。。また、半導体素子
の裏面を封止樹脂から露呈させることで、裏面側の樹脂
の厚さ分薄型化を促進でき、かつ半導体素子の裏面から
の直接放熱を可能にして低熱抵抗化も促進できる。
【図１】本発明の実施例１を示し、（ａ）は一部破断平
面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【図２】実施例１の製造方法を工程順に示す要部の断面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例２を示し、（ａ）は一部破断平
面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置の他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体装置の更に他の例を示す断面図で
ある。
ある。
１ 半導体素子 ２ 高熱伝導板 ３ ポリイミド ４ 外部導出リード ５ ボンディングワイヤ ６ 樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 23/29
Claims (4)
- 【請求項１】 高熱伝導板の一方の面に半導体素子の電
極パッドを除く表面の少なくとも一部と、外部導出リー
ドとをそれぞれ接着し、かつ前記電極パッドと外部導出
リードの接着面側の一部とをワイヤで電気接続したこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 高熱伝導板と半導体素子及び外部導出リ
ードとは、両面にエポキシ系接着剤を有するポリイミド
により接着されてなる請求項１の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項３】 高熱伝導板は、半導体素子の電極パッド
の配列領域よりも小さい外形寸法の中心部と、外部導出
リードの内側端部を結ぶ線よりも大きい内形寸法の枠状
の周辺部と、これらを連結する吊り部とで構成され、前
記中心部の外側に露呈された電極パッドと、前記周辺部
の内側に露呈される外部導出リードの内側端部とをワイ
ヤで接続してなる請求項１又は２の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項４】 半導体素子の裏面を封止樹脂から露呈さ
せてなる請求項１乃至３のいずれかの樹脂封止型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230783A JP2551349B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230783A JP2551349B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766323A true JPH0766323A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2551349B2 JP2551349B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=16913203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230783A Expired - Fee Related JP2551349B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551349B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129606A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2014515187A (ja) * | 2011-04-05 | 2014-06-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ダイレクト表面実装のための露出されたダイパッケージ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130649U (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-02 | 関西日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04249353A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP5230783A patent/JP2551349B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130649U (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-02 | 関西日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04249353A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129606A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2014515187A (ja) * | 2011-04-05 | 2014-06-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ダイレクト表面実装のための露出されたダイパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551349B2 (ja) | 1996-11-06 |
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