JPH09153589A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09153589A JPH09153589A JP33773995A JP33773995A JPH09153589A JP H09153589 A JPH09153589 A JP H09153589A JP 33773995 A JP33773995 A JP 33773995A JP 33773995 A JP33773995 A JP 33773995A JP H09153589 A JPH09153589 A JP H09153589A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- semiconductor device
- double
- double side
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型化でき、且つ剥離、クラック、錆びの発
生等が生ぜず信頼性が長期にわたって維持される両面に
半導体チップを設けた半導体装置を得る。 【課題手段】 半導体チップ設置領域の周りに設けたイ
ンナーリードと半導体チップとを金属線で接続し樹脂封
止した半導体装置において、前記半導体チップ設置領域
にパッドを介することなく半導体チップの裏面同志を接
着してなる両面半導体チップを設け、両面半導体チップ
と前記インナーリードとを接続した半導体装置である。
生等が生ぜず信頼性が長期にわたって維持される両面に
半導体チップを設けた半導体装置を得る。 【課題手段】 半導体チップ設置領域の周りに設けたイ
ンナーリードと半導体チップとを金属線で接続し樹脂封
止した半導体装置において、前記半導体チップ設置領域
にパッドを介することなく半導体チップの裏面同志を接
着してなる両面半導体チップを設け、両面半導体チップ
と前記インナーリードとを接続した半導体装置である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は両面に半導体チップを設
けた半導体装置に関する。
けた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は、リードフレームのパッド
に半導体チップを搭載し、該半導体チップと前記パッド
の周り形成しているインナーリードとをボンディングワ
イヤ−で接続し、前記インナーリード以内の部分を樹脂
封止しアウターリードは樹脂パッケージから出る形て製
造される。
に半導体チップを搭載し、該半導体チップと前記パッド
の周り形成しているインナーリードとをボンディングワ
イヤ−で接続し、前記インナーリード以内の部分を樹脂
封止しアウターリードは樹脂パッケージから出る形て製
造される。
【0003】近年、半導体装置は多機能、多ピン、及び
実装が高密度で可能なことを望まれている。かかること
から半導体装置は高密度化や実装率向上のために、例え
ば特開平2−156662号公報のようにリードフレー
ムのパッドの両面に半導体チップを搭載したものが提案
されている。該両面に半導体チップを設けることで、高
密度化が図られ実装率の向上がなされ、さらに機能の違
う半導体チップを両面に搭載することで多機能を図れる
等の効果がある。
実装が高密度で可能なことを望まれている。かかること
から半導体装置は高密度化や実装率向上のために、例え
ば特開平2−156662号公報のようにリードフレー
ムのパッドの両面に半導体チップを搭載したものが提案
されている。該両面に半導体チップを設けることで、高
密度化が図られ実装率の向上がなされ、さらに機能の違
う半導体チップを両面に搭載することで多機能を図れる
等の効果がある。
【0004】
【この発明が解決しようとする課題】また、一方では半
導体装置は薄型あるいは小型にすることを要請されてい
る。しかし、従来の両面に半導体チップを設けた半導体
装置は薄型化、小型化に限度がある。また、半導体チッ
プはパッドの表面と裏面にそれぞれ接着剤を介して貼り
付けているので、樹脂封止した半導体装置パッケージに
不可避的に入り込む湿気が接着剤層に悪影響を及ぼし、
剥離、クラックおよび錆の発生を引き起こし信頼性が低
下する問題がある。
導体装置は薄型あるいは小型にすることを要請されてい
る。しかし、従来の両面に半導体チップを設けた半導体
装置は薄型化、小型化に限度がある。また、半導体チッ
プはパッドの表面と裏面にそれぞれ接着剤を介して貼り
付けているので、樹脂封止した半導体装置パッケージに
不可避的に入り込む湿気が接着剤層に悪影響を及ぼし、
剥離、クラックおよび錆の発生を引き起こし信頼性が低
下する問題がある。
【0005】本発明は、薄型化、小型化ができ、且つ信
頼性が永く維持される両面に半導体チップを設けた半導
体装置を目的とする。
頼性が永く維持される両面に半導体チップを設けた半導
体装置を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】その要旨は、半導体チッ
プ設置領域の周りに設けたインナーリードと半導体チッ
プとを電気的に接続し樹脂封止した半導体装置におい
て、前記半導体チップ設置領域にパッドを介することな
く半導体チップの裏面同志を接着してなる両面半導体チ
ップを設け、該両面半導体チップがサポ−トバ−で支持
され、該両面半導体チップと前記インナーリードとを電
気的に接続した半導体装置にある。
プ設置領域の周りに設けたインナーリードと半導体チッ
プとを電気的に接続し樹脂封止した半導体装置におい
て、前記半導体チップ設置領域にパッドを介することな
く半導体チップの裏面同志を接着してなる両面半導体チ
ップを設け、該両面半導体チップがサポ−トバ−で支持
され、該両面半導体チップと前記インナーリードとを電
気的に接続した半導体装置にある。
【0007】
【発明の実施の形態】パッドを省いた半導体チップ設置
領域の外周にインナーリードを設け、該インナーリード
にはアウターリードが接続している。前記半導体チップ
設置領域には半導体チップの裏面同志を接着剤で接着し
てなる両面半導体チップが設けられ、該両面半導体チッ
プはサポ−トバ−で支持され、両面半導体チップはイン
ナーリードとボンディングワイヤ−等の金属線で接続さ
れ、インナーリード以内の領域が樹脂封止される。本発
明では両面半導体チップはパッドを介することなく構成
されるので厚みを薄くすることができ、且つ接着に要す
る接着剤は半減され、湿気の侵入による悪影響が大幅に
なくなり、半導体チップや封止樹脂の剥離あるいはクラ
ックが生じない。さらに錆び発生等がなく信頼性が永く
確保される。
領域の外周にインナーリードを設け、該インナーリード
にはアウターリードが接続している。前記半導体チップ
設置領域には半導体チップの裏面同志を接着剤で接着し
てなる両面半導体チップが設けられ、該両面半導体チッ
プはサポ−トバ−で支持され、両面半導体チップはイン
ナーリードとボンディングワイヤ−等の金属線で接続さ
れ、インナーリード以内の領域が樹脂封止される。本発
明では両面半導体チップはパッドを介することなく構成
されるので厚みを薄くすることができ、且つ接着に要す
る接着剤は半減され、湿気の侵入による悪影響が大幅に
なくなり、半導体チップや封止樹脂の剥離あるいはクラ
ックが生じない。さらに錆び発生等がなく信頼性が永く
確保される。
【0008】
【実施例】図面において1はインナーリードで、後述す
る両面半導体チップ2の周りに多数設けられている。イ
ンナーリード1にはアウターリード3が連続して設けら
れ、この境界にタイバ−4が形成されている。
る両面半導体チップ2の周りに多数設けられている。イ
ンナーリード1にはアウターリード3が連続して設けら
れ、この境界にタイバ−4が形成されている。
【0009】両面半導体チップ2は、2枚の半導体チッ
プ2a,2bの裏面同志を接着剤5を介して直接的に接
着されたもので、この間に従来設けられていたパッドは
省かれている。半導体チップ2a,2bは熱膨張係数が
等しく、且つ、それぞれ裏面は平滑であるので、接着に
要する接着剤5は極く少量で強固に接合する。その結
果、半導体装置は使用による温度上昇・降下の熱履歴を
受け、また、湿気が不可避的に半導体装置パッケージに
侵入してくるが、接着劣化、剥離等は全く生じない。
プ2a,2bの裏面同志を接着剤5を介して直接的に接
着されたもので、この間に従来設けられていたパッドは
省かれている。半導体チップ2a,2bは熱膨張係数が
等しく、且つ、それぞれ裏面は平滑であるので、接着に
要する接着剤5は極く少量で強固に接合する。その結
果、半導体装置は使用による温度上昇・降下の熱履歴を
受け、また、湿気が不可避的に半導体装置パッケージに
侵入してくるが、接着劣化、剥離等は全く生じない。
【0010】さらなる作用効果は、半導体チップ2a,
2bがパッドを除いて直接的に接着したことにより、接
着剤の使用を半減できるうえに、厚みを薄くでき薄型化
が達成されることである。また両面半導体チップ2によ
り個々の半導体チップ半導体装置としたものより小型に
なる。
2bがパッドを除いて直接的に接着したことにより、接
着剤の使用を半減できるうえに、厚みを薄くでき薄型化
が達成されることである。また両面半導体チップ2によ
り個々の半導体チップ半導体装置としたものより小型に
なる。
【0011】6は前記両面半導体チップ2を支持するサ
ポ−トバ−で、接合した2枚の半導体チップ2a,2b
の大きさが同じ場合は図1(B)に示すように半導体チ
ップ2a,2bのコ−ナ−に設けた接合溝7に先端を入
れ接着剤を介し、あるいは接着剤は用いることなく嵌合
させて固定支持している。
ポ−トバ−で、接合した2枚の半導体チップ2a,2b
の大きさが同じ場合は図1(B)に示すように半導体チ
ップ2a,2bのコ−ナ−に設けた接合溝7に先端を入
れ接着剤を介し、あるいは接着剤は用いることなく嵌合
させて固定支持している。
【0012】また、接合する半導体チップ2a,2bの
大きさが異なった両面半導体チップ2では、図2(B)
に示すようにサイズが大な半導体チップ2aを、サポ−
トバ−6で固定支持している。なお、前記サポ−トバ−
6の他端はタイバ−4に接続されている。
大きさが異なった両面半導体チップ2では、図2(B)
に示すようにサイズが大な半導体チップ2aを、サポ−
トバ−6で固定支持している。なお、前記サポ−トバ−
6の他端はタイバ−4に接続されている。
【0013】前記両面半導体チップ2はインナーリード
1とボンディングワイヤ−8により接続され、インナー
リード1以内の領域が樹脂封止9され半導体装置パッケ
ージとなる。なお、アウターリード3は図3では直線状
であるが、必要に応じて所定の形状に成形される。
1とボンディングワイヤ−8により接続され、インナー
リード1以内の領域が樹脂封止9され半導体装置パッケ
ージとなる。なお、アウターリード3は図3では直線状
であるが、必要に応じて所定の形状に成形される。
【0014】
【発明の効果】本発明は前述のように両面半導体チップ
がパッドを介することなく半導体チップの直接的な接着
により構築されていて、薄型で、且つ剥離、クラック、
錆等の発生がなく信頼性が長期に亘って維持される両面
半導体チップの半導体装置が得られる。
がパッドを介することなく半導体チップの直接的な接着
により構築されていて、薄型で、且つ剥離、クラック、
錆等の発生がなく信頼性が長期に亘って維持される両面
半導体チップの半導体装置が得られる。
【図1】本発明の1実施例における半導体装置を示す
図。
図。
【図2】本発明の他の実施例における半導体装置を示す
図。
図。
【図3】本発明の1実施例における半導体装置パッケー
ジを示す図。
ジを示す図。
1 インナーリード 2 両面半導体チップ 3 アウターリード 4 タイバ− 5 接着剤 6 サポ−トバ− 7 接合溝 8 ボンディングワイヤ− 9 樹脂封止
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体チップ設置領域の周りに設けたイ
ンナーリードと半導体チップとを電気的に接続し、樹脂
封止した半導体装置において、前記半導体チップ設置領
域にパッドを介することなく半導体チップの裏面同志を
接着してなる両面半導体チップを設け、該両面半導体チ
ップがサポ−トバ−で支持され、両面半導体チップと前
記インナーリードとを電気的に接続したことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33773995A JPH09153589A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33773995A JPH09153589A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09153589A true JPH09153589A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18311511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33773995A Pending JPH09153589A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09153589A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000033379A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic device |
US6420783B2 (en) | 2000-03-23 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
KR100391094B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 다이 패키지와 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP33773995A patent/JPH09153589A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000033379A1 (en) * | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic device |
KR100705521B1 (ko) * | 1998-12-02 | 2007-04-10 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 장치 |
CN100370612C (zh) * | 1998-12-02 | 2008-02-20 | 株式会社日立制作所 | 半导体装置 |
US6420783B2 (en) | 2000-03-23 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6727114B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-04-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6879037B2 (en) | 2000-03-23 | 2005-04-12 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
KR100391094B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 다이 패키지와 그 제조 방법 |
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