JPH07202067A - ヒートシンク付ピングリッドアレイ - Google Patents

ヒートシンク付ピングリッドアレイ

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JPH07202067A JP5352435A JP35243593A JPH07202067A JP H07202067 A JPH07202067 A JP H07202067A JP 5352435 A JP5352435 A JP 5352435A JP 35243593 A JP35243593 A JP 35243593A JP H07202067 A JPH07202067 A JP H07202067A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＬＳＩ回路面側からの放熱経路を形成し外部
接続ピンの本数を多くする。 【構成】 ＬＳＩ３の回路面と封止キャップ６との間隙
に絶縁性の熱伝導性材料５を入れ、封止キャップ６にヒ
ートシンク７を熱伝導性接着剤８により取り付けた構造
となっている。ＬＳＩ３はＴＡＢ技術あるいは、ワイヤ
ーボンディング技術によりセラミック基板１と電気的に
接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩを実装するため
のヒートシンク付ピングリッドアレイに関し、特に高速
動作の要求される発熱量の大きいＬＳＩを実装するため
のヒートシンク付ピングリッドアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路パッケージは特開昭６２
−９８６５４号公報または特開平４−２５２０５９号公
報には、基板上に搭載された半導体チップの面とは反対
の面に接着剤でヒートシンクが接着されている。
【０００３】さらに半導体チップの面に封止キャップが
取付けられており、入出力ピンはその封止キャップ周辺
に配置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体集積回路
パッケージでは、放熱のため基板を介さなければなら
ず、放熱効率は悪くなるという欠点がある。また、入出
力ピンは、封止キャップ取り付け面側に設けられるた
め、封止キャップ部分に入出力ピンが設けられず、周辺
部のみとなる。このため、多ピンケースの場合には、ケ
ース外形が大きくなるという問題点もあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のピングリ
ッドアレイは、ある面に外部との接続のための入出力ピ
ンを実装した基板と、この基板の前記入出力ピンの実装
面とは反対の面に一面を接着したＬＳＩと、前記基板に
シールリングで接合された封止キャップと、前記ＬＳＩ
と前記基板とを電気的に接続し前記封止キャップとの間
の絶縁を保つため絶縁フィルムを付したＴＡＢリード
と、この封止キャップと前記ＬＳＩの接着面とは反対の
面との間隙に前記シールリングで封止された絶縁性の熱
伝導性材料と、前記封止キャップの前記熱伝導性材料封
入面とは反対の面に接着された熱伝導性接着剤と、この
熱伝導性接着剤で接着されたヒートシンクとを含む。
【０００６】本発明の第２のピングリッドアレイは、前
記ＴＡＢリードは前記ＬＳＩと前記基板とを電気的に接
続し前記封止キャップは前記ＴＡＢリードとの絶縁を保
つため絶縁コーティングを施したことを特徴とする。
【０００７】本発明の第３のピングリッドアレイは、前
記第２のピングリッドアレイの前記ＴＡＢリードの代り
にワイヤボンディングにより前記ＬＳＩと前記基板とを
電気的に接続するワイヤを含む。
【０００８】本発明の第４のピングリッドアレイは、第
３のピングリッドアレイの前記封止キャップには前記絶
縁コーティングが施されておらず、前記ヒートシンクは
前記ＬＳＩに対応する位置に凸部形状を有し、前記封止
キャップは前記ＬＳＩの凸部形状に対応する部分がＵ字
形形状を有することを特徴とする。
【０００９】次に本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
【００１０】図１を参照すると、本発明の第１の実施例
は、裏面に入出力ピン１ｂを備え表面の所定の位置に接
着剤２を介して大規模集積回路（以下ＬＳＩ）３を接着
するセラミック基板１、このセラミック基板１の表面の
ＬＳＩ３接着場所とは異なる場所に一端を取り付けられ
他端近傍に絶縁フィルム４ａを設けたＴＡＢリード４、
セラミック基板１の表面のＬＳＩ３接着場所およびＴＡ
Ｂリード４取付場所と異なる場所にシールリング１ａと
シーム溶接により接合された封止キャップ６、この封止
キャップ６およびＬＳＩ３の間にＴＡＢリード４を含め
て介在する絶縁性の熱伝導性材料５、放熱のためのヒー
トシンク７、およびこのヒートシンク７を封止キャップ
６上に取り付けるための熱伝導性接着剤８を含む。
【００１１】
【実施例】セラミック基板１はＬＳＩ３の実装面と反対
の面に入出力ピン１ｂを有している。セラミック基板１
のキャビティにＬＳＩ３が接着剤２により取り付けられ
る。ＬＳＩは絶縁フィルム４ａを有するＴＡＢリード４
によりセラミック基板１と電気的に接続される。ＬＳＩ
３と封止キャップ６の間隙に絶縁性の熱伝導性材料５を
入れ、封止キャップ６はシールリング１ａとシーム溶接
により接合し、気密封止が完了する。封止キャップには
ヒートシンク７が熱伝導性接着剤により取り付けられ、
ヒートシンク付きＰＧＡとして完成する。ＬＳＩ３の回
路面から発生した熱は、絶縁性の熱伝導性材料５を伝導
し、封止キャップ６を通り、熱伝導性接着剤８を伝わり
ヒートシンク７に達し、ヒートシンクから放熱される。
熱伝導性材料５には、ＡｌＮ、ＢＮ等の高熱伝導性材料
の微粒子を含むシリコーンコンパウンドあるいはエポキ
シ接着剤が望ましい。封止キャップ６は金属製であり、
ＴＡＢリード４が直接接触すると、ショートとなるた
め、ＴＡＢリード４の絶縁フィルム４ａによりショート
不良を防止する。封止キャップ６はシーム溶接によりシ
ールリング１ａと接合され、その強度によりヒートシン
ク７を保持する。
【００１２】次に本発明の第２の実施例について図２を
参照して詳細に説明する。
【００１３】図２を参照すると、本発明の第２の実施例
の特徴は、第１の実施例の構成と比較してＴＡＢリード
４に絶縁フィルム４ａを設けていない点、および封止キ
ャップ６との絶縁を保つため封止キャップ６のＴＡＢリ
ード４に対する面に絶縁コーティング６ａがほどこして
いない点にある。他の構造および機能については本発明
の第１の実施例と同一である。
【００１４】次に本発明の第３の実施例について図３を
参照して詳細に説明する。
【００１５】図３を参照すると、本発明の第３の実施例
の特徴は、第２の実施例の構成と比較してＴＡＢリード
４の代りにワイヤー４′でワイヤボンディングが施され
ている。このワイヤー４′によりＬＳＩ３とセラミック
基板１とは電気的に接続されていることにある。第３の
実施例は、第２の実施例と同様に封止キャップ６に絶縁
コーティング６ａが施されている。これはワイヤー４′
とのショートを防止するためである。他の構造および機
能については本発明の第２の実施例と同一である。
【００１６】次に本発明の第４の実施例について図４を
参照して詳細に説明する。
【００１７】図４を参照すると、本発明の第４の実施例
の特徴は、第３の実施例と比較して封止キャップ６はワ
イヤー４′とショートしないようにＬＳＩ３の回路面に
対応した部分が凸形状を有し、ワイヤー４′のある部分
が引き下がった形状となっている点およびこの封止キャ
ップ６の凸形状により第３の実施例にあるような絶縁コ
ーティング６ａを有していない点にある。但し、第４の
実施例は、第３の実施例と同様に、ＬＳＩ３はワイヤー
ボンディングによりセラミック基板１と電気的に接続さ
れる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＬＳＩ回
路面と封止キャップとの間隙に絶縁性の熱伝導性材料を
入れ、封止キャップにヒートシンクを取り付けることに
より、ＬＳＩ回路面側からの熱伝導による放熱を可能と
した。従って、ＬＳＩ裏面側からの放熱の必要がなく、
ダイボンディング部分にＣｕ／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ等の金属
板を取り付ける必要がない。またＬＳＩのダイボンディ
ング部分を金属板としなくて良いため、この部分をセラ
ミックのままとできることによりこの部分に入出力ピン
を配置できる。従って、同一の基板サイズでも入出力ピ
ンを多くできるという効果も有る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図。
【図４】本発明の第４の実施例を示す図。
【符号の説明】
１ ピングリッドアレイセラミック基板 ２ 接着剤 ３ ＬＳＩ ４ ＴＡＢリード ４ａ 絶縁フィルム ４′ ワイヤー ５ 絶縁性熱伝導性材料 ６ 封止キャップ ６ａ 絶縁コーティング ７ ヒートシンク ８ 熱伝導性接着剤 １ａ シールリング １ｂ 入出力ピン ９ 金属板 ２′ ダイボンディング材料

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ある面に外部との接続のための入出力ピ
    ンを実装した基板と、この基板の前記入出力ピンの実装
    面とは反対の面に一面を接着したＬＳＩと、前記基板に
    シールリングで接合された封止キャップと、前記ＬＳＩ
    と前記基板とを電気的に接続し前記封止キャップとの間
    の絶縁を保つため絶縁フィルムを付したＴＡＢリード
    と、この封止キャップと前記ＬＳＩの接着面とは反対の
    面との間隙に前記シールリングで封止された絶縁性の熱
    伝導性材料と、前記封止キャップの前記熱伝導性材料封
    入面とは反対の面に接着された熱伝導性接着剤と、この
    熱伝導性接着剤で接着されたヒートシンクとを含むこと
    を特徴とするヒートシンク付ピングリッドアレイ。
  2. 【請求項２】 前記ＴＡＢリードは前記ＬＳＩと前記基
    板とを電気的に接続し前記封止キャップは前記ＴＡＢリ
    ードとの絶縁を保つため絶縁コーティングを施したこと
    を特徴とする請求項１記載のヒートシンク付ピングリッ
    ドアレイ。
  3. 【請求項３】 前記ＴＡＢリードの代りにワイヤボンデ
    ィングにより前記ＬＳＩと前記基板とを電気的に接続す
    るワイヤを含むことを特徴とする請求項２記載のピング
    リッドアレイ。
  4. 【請求項４】 前記封止キャップには前記絶縁コーティ
    ングが施されておらず前記ヒートシンクは前記ＬＳＩに
    対応する位置に凸部形状を有し、前記封止キャップは前
    記ＬＳＩの凸部形状に対応する部分がＵ字形形状を有す
    ることを特徴とする、請求項３記載のヒートシンク付ピ
    ングリッドアレイ。
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JPH0346260A (ja) * 1989-07-14 1991-02-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体搭載用基板の製造方法

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