JP2663860B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JP2663860B2 JP2663860B2 JP6062075A JP6207594A JP2663860B2 JP 2663860 B2 JP2663860 B2 JP 2663860B2 JP 6062075 A JP6062075 A JP 6062075A JP 6207594 A JP6207594 A JP 6207594A JP 2663860 B2 JP2663860 B2 JP 2663860B2
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- semiconductor device
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放熱性樹脂封止型半導体
装置、特に、フィルムキャリア型半導体素子をトランス
ファ形成により樹脂封止した放熱性の樹脂封止型半導体
装置に関する。
装置、特に、フィルムキャリア型半導体素子をトランス
ファ形成により樹脂封止した放熱性の樹脂封止型半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア型半導体装置に
おいては、図９の（Ａ）に示すように、フィルムの一部
であるサスペンダ１１ａにリード１２が接着され、サス
ペンダ１１ａの内側のデバイスホール１１ｂにおいて半
導体チップ１３を導電性ペースト部材１３ａによって接
着し、半導体チップ１３の上のみに液状封止樹脂２１を
ポッティング法等によって塗布して封止していた。ある
いは、図９の（Ｂ）に示すように、液状封止樹脂２１を
デバイスホール１１ｂまでポッテング法あるいはスクリ
ーン印刷法により塗布して封止していた。しかしなが
ら、このようなポッティング法等による塗布による樹脂
封止は、作業性、信頼性が悪く、また、実装時の取扱い
が困難であるという理由から、近年、他のプラスチック
パッケージと同様に、トランスファ形成により樹脂封止
した樹脂封止型半導体装置が採用されている。
おいては、図９の（Ａ）に示すように、フィルムの一部
であるサスペンダ１１ａにリード１２が接着され、サス
ペンダ１１ａの内側のデバイスホール１１ｂにおいて半
導体チップ１３を導電性ペースト部材１３ａによって接
着し、半導体チップ１３の上のみに液状封止樹脂２１を
ポッティング法等によって塗布して封止していた。ある
いは、図９の（Ｂ）に示すように、液状封止樹脂２１を
デバイスホール１１ｂまでポッテング法あるいはスクリ
ーン印刷法により塗布して封止していた。しかしなが
ら、このようなポッティング法等による塗布による樹脂
封止は、作業性、信頼性が悪く、また、実装時の取扱い
が困難であるという理由から、近年、他のプラスチック
パッケージと同様に、トランスファ形成により樹脂封止
した樹脂封止型半導体装置が採用されている。
【０００３】従来のトランスファ形成により樹脂封止し
た第１の樹脂封止型半導体装置においては、図１０に示
すように、ポリイミド等の絶縁性フィルム１１には、サ
スペンダ１１ａの内側に半導体チップ１３搭載用のデバ
イスホール１１ｂが設けれていると共に、サスペンダ１
１ａの外側に４つのアウタリードホール１１ｃが設けら
れている。また、フィルム１１の両端には、搬送及び位
置決めのためにスプロケットホール１１ｄが設けられて
いる。さらに、リード１２は半導体チップ１３からサス
ペンダ１１ａ及びアウタリードホール１１ｃに延在し、
その終端には電気選別用及びバーンインテスト用のパッ
ド１２ａが設けられている。このようなフィルムキャリ
ア型半導体装置は、アウタリードホール１１ｃの内側の
モールドライン２１ａまで封止樹脂２１によって封止さ
れて樹脂封止型半導体装置として完成する。
た第１の樹脂封止型半導体装置においては、図１０に示
すように、ポリイミド等の絶縁性フィルム１１には、サ
スペンダ１１ａの内側に半導体チップ１３搭載用のデバ
イスホール１１ｂが設けれていると共に、サスペンダ１
１ａの外側に４つのアウタリードホール１１ｃが設けら
れている。また、フィルム１１の両端には、搬送及び位
置決めのためにスプロケットホール１１ｄが設けられて
いる。さらに、リード１２は半導体チップ１３からサス
ペンダ１１ａ及びアウタリードホール１１ｃに延在し、
その終端には電気選別用及びバーンインテスト用のパッ
ド１２ａが設けられている。このようなフィルムキャリ
ア型半導体装置は、アウタリードホール１１ｃの内側の
モールドライン２１ａまで封止樹脂２１によって封止さ
れて樹脂封止型半導体装置として完成する。
【０００４】図１１は半導体チップ１３の放熱構造を付
加した従来のトランスファ形成により樹脂封止した第２
の樹脂封止型半導体装置であって、図１０の（Ｂ）の構
成要素に対して放熱金属板３１を付加してある。つま
り、この放熱金属板３１は導電性ペースト部材３１ａに
よって半導体チップ１３に接着されており、放熱金属板
３１を露出させることにより、半導体チップ１３の動作
時に発生する熱を効率よく放熱する。
加した従来のトランスファ形成により樹脂封止した第２
の樹脂封止型半導体装置であって、図１０の（Ｂ）の構
成要素に対して放熱金属板３１を付加してある。つま
り、この放熱金属板３１は導電性ペースト部材３１ａに
よって半導体チップ１３に接着されており、放熱金属板
３１を露出させることにより、半導体チップ１３の動作
時に発生する熱を効率よく放熱する。
【０００５】図１２の（Ａ）も半導体チップ１３の放熱
構造を付加した従来のトランスファ形成により樹脂封止
した第３の樹脂封止型半導体装置であって、図１０の
（Ｂ）の構成要素に対して放熱金属キャップ３２を付加
してある。つまり、この放熱金属キャップ３２は導電性
ペースト部材３２ａによって半導体チップ１３に接着さ
れており、また、放熱金属キャップＢ２はサスペンダ１
１ａ側において露出させることにより、半導体チップ１
３の動作時に発生する熱を効率よく放熱する。図１２の
（Ｂ）においては、図１２の（Ａ）における放熱金属キ
ャップ３２をサスペンダ１１ａ側において露出させる代
りに、サスペンダ１１ａの開孔に導電性ペースト部材３
２ｂによってリード１２に接続する、つまり、リード１
２をマイクロストリップ構造にする。これにより、半導
体チップ１３の動作時に発生する熱をリード１２を介し
て効率よく放熱すると共に、電源電圧の変動も小さくす
る。
構造を付加した従来のトランスファ形成により樹脂封止
した第３の樹脂封止型半導体装置であって、図１０の
（Ｂ）の構成要素に対して放熱金属キャップ３２を付加
してある。つまり、この放熱金属キャップ３２は導電性
ペースト部材３２ａによって半導体チップ１３に接着さ
れており、また、放熱金属キャップＢ２はサスペンダ１
１ａ側において露出させることにより、半導体チップ１
３の動作時に発生する熱を効率よく放熱する。図１２の
（Ｂ）においては、図１２の（Ａ）における放熱金属キ
ャップ３２をサスペンダ１１ａ側において露出させる代
りに、サスペンダ１１ａの開孔に導電性ペースト部材３
２ｂによってリード１２に接続する、つまり、リード１
２をマイクロストリップ構造にする。これにより、半導
体チップ１３の動作時に発生する熱をリード１２を介し
て効率よく放熱すると共に、電源電圧の変動も小さくす
る。
【０００６】図１３も半導体チップ１３の放熱構造を付
加した従来のトランスファ形成により樹脂封止した第３
の樹脂封止型半導体装置であって、放熱金属板３１を半
導体チップ１３に導電性ペースト部材３１ａによって接
着させると共に、サスペンダ１１ａに導電性ペースト部
材３１ｂによって接着させている（参照：実開平３−８
８３５０号公報、特開平４−１９９６６８号公報）。こ
れにより、半導体チップ１３の動作時に発生する熱を効
率よく放熱する。
加した従来のトランスファ形成により樹脂封止した第３
の樹脂封止型半導体装置であって、放熱金属板３１を半
導体チップ１３に導電性ペースト部材３１ａによって接
着させると共に、サスペンダ１１ａに導電性ペースト部
材３１ｂによって接着させている（参照：実開平３−８
８３５０号公報、特開平４−１９９６６８号公報）。こ
れにより、半導体チップ１３の動作時に発生する熱を効
率よく放熱する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１
０、図１１に示す樹脂封止型半導体装置においては、製
造工程の困難性から信頼性が低下するという課題があ
る。すなわち、図１４に示すように、トランスファ形成
による封止は、上金型４１及び下金型４２によってフィ
ルムキャリア型半導体装置をサンドイッチし、封止樹脂
２１をゲート４３を介して上金型４１及び下金型４２に
よって形成されるキャビティ４４に注入する。その際、
封入樹脂２１は、図１４の（Ａ）の矢印Ｘに示すごと
く、サスペンダ１１ａを押上げながら上金型４１側のキ
ャビティ４４に流れ込もうとする。この結果、図１４の
（Ｂ）に示すごとく、サスペンダ１１ａの可とう性によ
り、また、金型４１、４２からの温度たとえば１６０〜
１９０°Ｃの影響により、サスペンダ１１ａは変形し、
従って、リード１２及び半導体チップ１３も上金型４１
側に動いてしまう。従って、半導体チップ１３の上側の
封止樹脂２１の厚さが減少して半導体チップ１３の信頼
性の低下を招き、また、半導体チップ１３とリード１２
との接続部もストレスが印加し、電気的に信頼性の低下
を招く。なお、半導体チップ１３の上昇を防ぐために下
金型４２に突起を設けて半導体チップ１３を支持するこ
とも可能であるが（参照：特開平４−１９６１４１号公
報）、この場合、この突起に形成される樹脂孔からの水
分侵入によって信頼性の低下を招く。また、図１４にお
いては、図１０の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止を示
したが、図１１の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止の場
合も同様である。
０、図１１に示す樹脂封止型半導体装置においては、製
造工程の困難性から信頼性が低下するという課題があ
る。すなわち、図１４に示すように、トランスファ形成
による封止は、上金型４１及び下金型４２によってフィ
ルムキャリア型半導体装置をサンドイッチし、封止樹脂
２１をゲート４３を介して上金型４１及び下金型４２に
よって形成されるキャビティ４４に注入する。その際、
封入樹脂２１は、図１４の（Ａ）の矢印Ｘに示すごと
く、サスペンダ１１ａを押上げながら上金型４１側のキ
ャビティ４４に流れ込もうとする。この結果、図１４の
（Ｂ）に示すごとく、サスペンダ１１ａの可とう性によ
り、また、金型４１、４２からの温度たとえば１６０〜
１９０°Ｃの影響により、サスペンダ１１ａは変形し、
従って、リード１２及び半導体チップ１３も上金型４１
側に動いてしまう。従って、半導体チップ１３の上側の
封止樹脂２１の厚さが減少して半導体チップ１３の信頼
性の低下を招き、また、半導体チップ１３とリード１２
との接続部もストレスが印加し、電気的に信頼性の低下
を招く。なお、半導体チップ１３の上昇を防ぐために下
金型４２に突起を設けて半導体チップ１３を支持するこ
とも可能であるが（参照：特開平４−１９６１４１号公
報）、この場合、この突起に形成される樹脂孔からの水
分侵入によって信頼性の低下を招く。また、図１４にお
いては、図１０の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止を示
したが、図１１の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止の場
合も同様である。
【０００８】図１２に示す樹脂封止型半導体装置におい
ては、トランスファ成形の際に、放熱金属キャップ３１
が封止樹脂２１の上金型４１側のキャビティ４４への流
入を妨げる。このため、図１５に示すごとく、放熱金属
キャップ３１及びサスペンダ１１ａに開孔４４を設けて
封止樹脂２１の流入通路を確保する必要があり、製造上
の困難性を招く課題がある。図１３に示す樹脂封止型半
導体装置にも同様の課題がある。
ては、トランスファ成形の際に、放熱金属キャップ３１
が封止樹脂２１の上金型４１側のキャビティ４４への流
入を妨げる。このため、図１５に示すごとく、放熱金属
キャップ３１及びサスペンダ１１ａに開孔４４を設けて
封止樹脂２１の流入通路を確保する必要があり、製造上
の困難性を招く課題がある。図１３に示す樹脂封止型半
導体装置にも同様の課題がある。
【０００９】また、図１３に示す樹脂封止型半導体装置
においては、リード１２に接続されるリードパターンを
有するリードフレーム１２’を必要とし、従って、リー
ド１２とリード１２’との接続工程が増加して歩留りの
低下及び製造コストの上昇を招くという課題がある。
においては、リード１２に接続されるリードパターンを
有するリードフレーム１２’を必要とし、従って、リー
ド１２とリード１２’との接続工程が増加して歩留りの
低下及び製造コストの上昇を招くという課題がある。
【００１０】さらに、半導体チップ１３の電源電圧の変
動を小さくする図１２の（Ｂ）に示す樹脂封止型半導体
装置においては、マイクロストリップ構造とするために
導電ペースト部材３２ｂにより接続するので、接続部の
電気抵抗が高く、また、接続部の製造工程を必要として
製造コストの上昇を招く。さらに、放熱金属キャップ３
２との接続点が１点であるために、たとえば、接地リー
ドと信号リードとが平行となる電流パスが短かくなり、
電源電圧変動の低減効果は少ない。
動を小さくする図１２の（Ｂ）に示す樹脂封止型半導体
装置においては、マイクロストリップ構造とするために
導電ペースト部材３２ｂにより接続するので、接続部の
電気抵抗が高く、また、接続部の製造工程を必要として
製造コストの上昇を招く。さらに、放熱金属キャップ３
２との接続点が１点であるために、たとえば、接地リー
ドと信号リードとが平行となる電流パスが短かくなり、
電源電圧変動の低減効果は少ない。
【００１１】従って、本発明の目的は、トランスファ成
形による樹脂封止が容易な放熱性の樹脂封止型半導体装
置を提供することにある。他の目的は、電気的特性が良
好な放熱性の樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
形による樹脂封止が容易な放熱性の樹脂封止型半導体装
置を提供することにある。他の目的は、電気的特性が良
好な放熱性の樹脂封止型半導体装置を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、半導体チップ及び絶縁性サスペンダを有
する樹脂封止型半導体装置において、半導体チップに接
着された導電性ダイパッドと、サスペンダに接着された
導電性枠部材と、導電性枠部材とダイパッドとを部分的
に結合する吊り部材とを設けたものである。また、本発
明は、上記枠部材をリードとを熱圧着により接続する。
めに本発明は、半導体チップ及び絶縁性サスペンダを有
する樹脂封止型半導体装置において、半導体チップに接
着された導電性ダイパッドと、サスペンダに接着された
導電性枠部材と、導電性枠部材とダイパッドとを部分的
に結合する吊り部材とを設けたものである。また、本発
明は、上記枠部材をリードとを熱圧着により接続する。
【００１３】
【作用】上述の手段によれば、トランスファ成形による
樹脂は、導電性ダイパッドと動電性枠部材との間隙を介
して上金型側のキャビティへ封入される。また、導電性
枠部材とリードとの熱圧着による接続によりこれらの間
の電気抵抗は小さくなる。
樹脂は、導電性ダイパッドと動電性枠部材との間隙を介
して上金型側のキャビティへ封入される。また、導電性
枠部材とリードとの熱圧着による接続によりこれらの間
の電気抵抗は小さくなる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の
一実施例を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の部
分断面図である。図１においては、図１０の構成要素
に、ダイパッド部（アイルランド部とも言う）５１、枠
部５２及び吊り部５３を含んで構成される導電性フレー
ム５を付加し、半導体チップ１３の動作時に発生する熱
を効率よく放熱する。すなわち、ダイパッド部５１は導
電性ペースト部材５１ａによって半導体チップ１３に接
着されている。また、枠部５２は各サスペンダ１１ａに
設けられた２つの開口１１１ａを介してリード１２のう
ちの接地リード１２１に接着されている。この場合、枠
部５２と接地リード１２１との接着部分も封止樹脂２１
によって封止されている。図１の構成においては、半導
体チップ１３の動作時に発生する熱はダイパッド部５１
から吊り部５３を介して枠部５２に伝達され、さらに、
リード１２（１２１）を介して効率よく放熱される。ま
た、トランスファ成形の際の封止樹脂は、ダイパッド部
５１、枠部５２及び吊り部５３で囲まれた間隙を介して
上金型側のキャビティに注入されるので、樹脂封止が安
定する。また、樹脂封止の際には枠部５２はサスペンダ
１１ａの変形を防止するように作用する。さらに、枠部
５３とリード１２１との接続は各リード１２１で２箇所
で行うマイクロストリップ構造によるので、電源信号リ
ードに流れる電流と平行に流れる電流パスが長くなり、
電源電圧の変動を小さくできる。
一実施例を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の部
分断面図である。図１においては、図１０の構成要素
に、ダイパッド部（アイルランド部とも言う）５１、枠
部５２及び吊り部５３を含んで構成される導電性フレー
ム５を付加し、半導体チップ１３の動作時に発生する熱
を効率よく放熱する。すなわち、ダイパッド部５１は導
電性ペースト部材５１ａによって半導体チップ１３に接
着されている。また、枠部５２は各サスペンダ１１ａに
設けられた２つの開口１１１ａを介してリード１２のう
ちの接地リード１２１に接着されている。この場合、枠
部５２と接地リード１２１との接着部分も封止樹脂２１
によって封止されている。図１の構成においては、半導
体チップ１３の動作時に発生する熱はダイパッド部５１
から吊り部５３を介して枠部５２に伝達され、さらに、
リード１２（１２１）を介して効率よく放熱される。ま
た、トランスファ成形の際の封止樹脂は、ダイパッド部
５１、枠部５２及び吊り部５３で囲まれた間隙を介して
上金型側のキャビティに注入されるので、樹脂封止が安
定する。また、樹脂封止の際には枠部５２はサスペンダ
１１ａの変形を防止するように作用する。さらに、枠部
５３とリード１２１との接続は各リード１２１で２箇所
で行うマイクロストリップ構造によるので、電源信号リ
ードに流れる電流と平行に流れる電流パスが長くなり、
電源電圧の変動を小さくできる。
【００１５】次に、図１の樹脂封止型半導体装置の製造
方法を図２〜図６を参照して説明する。
方法を図２〜図６を参照して説明する。
【００１６】図２を参照すると、サスペンダ１１ａの内
側にデバイスホール１１ｂ、サスペンダ１１ａの外側に
アウタリードホール１１ｃ、両端にスプロケットホール
１１ｄが設けられたフィルム１１を用意する。また、フ
ィルム１１には、本発明によりさらにサスペンダ１１ａ
に開孔１１１ａが設けられている。このフィルム１１の
一方側に接地リード１２１を含むリード１２が接着さ
れ、また、リード１２の内側には半導体チップ１３が導
電性ペースト部材１３ａによって接着されている。
側にデバイスホール１１ｂ、サスペンダ１１ａの外側に
アウタリードホール１１ｃ、両端にスプロケットホール
１１ｄが設けられたフィルム１１を用意する。また、フ
ィルム１１には、本発明によりさらにサスペンダ１１ａ
に開孔１１１ａが設けられている。このフィルム１１の
一方側に接地リード１２１を含むリード１２が接着さ
れ、また、リード１２の内側には半導体チップ１３が導
電性ペースト部材１３ａによって接着されている。
【００１７】他方、図３を参照すると、ダイパッド部５
１、枠部５２、ダイパッド部５１と枠部５とを接続する
吊り部５３、枠部５３と外枠５４とを接続する吊り部５
５よりなるフレーム５を、通常のリードフレームと同様
に、銅板等の金属板をプレス金型による打抜き加工もし
くはエッチング加工により形成する。
１、枠部５２、ダイパッド部５１と枠部５とを接続する
吊り部５３、枠部５３と外枠５４とを接続する吊り部５
５よりなるフレーム５を、通常のリードフレームと同様
に、銅板等の金属板をプレス金型による打抜き加工もし
くはエッチング加工により形成する。
【００１８】次に、図４を参照すると、図３に示すフレ
ーム５のダイパッド部５１に導電性ペースト部材５１ａ
を塗布した後に、これに図２に示すフィルムキャリア型
半導体素子の半導体チップ１３を接着する。なお、この
場合、サスペンダ１１ａと枠部５２との間も、開孔１１
１ａ（図２参照）付近を除き、接着剤を塗布してもよ
い。
ーム５のダイパッド部５１に導電性ペースト部材５１ａ
を塗布した後に、これに図２に示すフィルムキャリア型
半導体素子の半導体チップ１３を接着する。なお、この
場合、サスペンダ１１ａと枠部５２との間も、開孔１１
１ａ（図２参照）付近を除き、接着剤を塗布してもよ
い。
【００１９】次に、図５の（Ａ）、（Ｂ）を参照する
と、接地リード１２１と枠部５２とはサスペンダ１１ａ
の存在のために離れている。そこで、シングルポイント
ボンディング法により、つまり、熱あるいは熱及び超音
波併用による圧着法により、接地リード１２１と枠部５
２とを接着させる。たとえば、図５の（Ｃ）に示すごと
く、ツール６１により接地リード１２１と枠部５２とを
接触させ、これに荷重（あるいは超音波の併用）をかけ
ることにより、接地リード１２１と枠部５２とを接着さ
せる。
と、接地リード１２１と枠部５２とはサスペンダ１１ａ
の存在のために離れている。そこで、シングルポイント
ボンディング法により、つまり、熱あるいは熱及び超音
波併用による圧着法により、接地リード１２１と枠部５
２とを接着させる。たとえば、図５の（Ｃ）に示すごと
く、ツール６１により接地リード１２１と枠部５２とを
接触させ、これに荷重（あるいは超音波の併用）をかけ
ることにより、接地リード１２１と枠部５２とを接着さ
せる。
【００２０】最後に、図６を参照すると、モールドライ
ン２１ａまで封止樹脂２１により封止を行い、図１の樹
脂封止型半導体装置が完成する。なお、接地リード１２
１において、枠部５２との２つの接続点の距離Ｌ1を長
くした方が、電気的特性はよくなる。
ン２１ａまで封止樹脂２１により封止を行い、図１の樹
脂封止型半導体装置が完成する。なお、接地リード１２
１において、枠部５２との２つの接続点の距離Ｌ1を長
くした方が、電気的特性はよくなる。
【００２１】図７、図８は枠部５２と接地リードとの接
続の変更例を示すもので、図８の（Ａ）は図７の部分拡
大平面図、図８の（Ｂ）はその断面図である。すなわ
ち、各接地リード１２１’は枠部５２との接続のための
２つの分岐１２１’ａ、１２１’ｂを有し、これらの分
岐１２１’ａ、１２１’ｂを枠部５２に接続するように
したものである。この場合、１つの分岐１２１’ａはデ
バイスホール１１ｂに突出した枠部５２の部分で接続さ
れている。従って、接地リード１２１’における枠部５
２との２つの接続点の距離Ｌ2は図６のＬ1より大きくな
り、電気特性はさらによくなる。
続の変更例を示すもので、図８の（Ａ）は図７の部分拡
大平面図、図８の（Ｂ）はその断面図である。すなわ
ち、各接地リード１２１’は枠部５２との接続のための
２つの分岐１２１’ａ、１２１’ｂを有し、これらの分
岐１２１’ａ、１２１’ｂを枠部５２に接続するように
したものである。この場合、１つの分岐１２１’ａはデ
バイスホール１１ｂに突出した枠部５２の部分で接続さ
れている。従って、接地リード１２１’における枠部５
２との２つの接続点の距離Ｌ2は図６のＬ1より大きくな
り、電気特性はさらによくなる。
【００２２】図１１〜図１３に示す従来構造では、熱抵
抗５０℃／Ｗであったものが、上述の実施例によれば、
４０℃／Ｗと約２０％低減できる。また、電気的特性
も、図１２の（Ｂ）に示す従来構造では、インダクタン
スＬが９〜１５ｎＨ、抵抗Ｒが２００〜２５０ｍΩであ
ったのに対し、上述の実施例においては、インダクタン
スＬを７〜１０ｎＨ、抵抗Ｒを１００〜１３０ｎΩに低
減できた。但し、これらの熱抵抗及び電気的特性はモー
ルドライン（外形）の大きさ、封止樹脂の厚み、半導体
チップ１３の大きさ、サスペンダ１１ａの大きさ、配線
の太さ、厚み、長さ、材質等に大きく左右される。
抗５０℃／Ｗであったものが、上述の実施例によれば、
４０℃／Ｗと約２０％低減できる。また、電気的特性
も、図１２の（Ｂ）に示す従来構造では、インダクタン
スＬが９〜１５ｎＨ、抵抗Ｒが２００〜２５０ｍΩであ
ったのに対し、上述の実施例においては、インダクタン
スＬを７〜１０ｎＨ、抵抗Ｒを１００〜１３０ｎΩに低
減できた。但し、これらの熱抵抗及び電気的特性はモー
ルドライン（外形）の大きさ、封止樹脂の厚み、半導体
チップ１３の大きさ、サスペンダ１１ａの大きさ、配線
の太さ、厚み、長さ、材質等に大きく左右される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、放
熱構造の半導体チップに接着された導電性ダイパット部
とサスペンダに接着された枠部との結合を部分的に吊り
部で行っているので、トランスファ形成による樹脂封止
の際の樹脂の封入が容易となる。また、電気的特性も向
上できる。
熱構造の半導体チップに接着された導電性ダイパット部
とサスペンダに接着された枠部との結合を部分的に吊り
部で行っているので、トランスファ形成による樹脂封止
の際の樹脂の封入が容易となる。また、電気的特性も向
上できる。
【図１】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例
を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその部分断面図であ
る。
を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその部分断面図であ
る。
【図２】図１の装置の製造方法を示し、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）はその部分断面図である。
図、（Ｂ）はその部分断面図である。
【図３】図１の装置の製造方法を示し、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）はその部分断面図である。
図、（Ｂ）はその部分断面図である。
【図４】図１の装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】図１の装置の製造方法を示し、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）は枠部と接地リードとの接続前の断面図、
（Ｃ）は枠部と接地リードとの接続後の断面図である。
図、（Ｂ）は枠部と接地リードとの接続前の断面図、
（Ｃ）は枠部と接地リードとの接続後の断面図である。
【図６】図１の装置の製造方法を示し、（Ａ）は平面
図、（Ｂ）はその断面図である。
図、（Ｂ）はその断面図である。
【図７】枠部と接地リードとの接続の変更例を示す平面
図である。
図である。
【図８】（Ａ）は図７の部分拡大平面図、（Ｂ）はその
断面図である。
断面図である。
【図９】従来のフィルムキャリア型半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】従来の第１の樹脂封止型半導体装置を示し、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図１１】従来の第２の樹脂封止型半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図１２】従来の第３の樹脂封止型半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図１３】従来の第４の樹脂封止型半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図１４】課題を説明する断面図である。
【図１５】課題を説明する断面図である。
１１…フィルム １１ａ…サスペンダ １１ｂ…デバイスホール １１ｃ…アウタリードホール １１ｄ…スプロケットホール １２…リード １２ａ…パッド １３…半導体チップ １３ａ…導電性ペースト部材 ２１…封止樹脂 ２１ａ…モールドライン ５…フレーム ５１…ダイパッド部 ５２…枠部 ５３…吊り部 ５４…外枠 ５５…吊り部 １１１ａ…開孔 １２１、１２１’…接地リード １２１’ａ、１２１’ｂ…分岐
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体チップ（１３）と、 絶縁性サスペンダ（１１ａ）と、 前記半導体チップに接着された導電性ダイパッド（５
１）と、 前記サスペンダに接着された導電性枠部材（５２）と、 該導電性枠部材と前記ダイパッドとを部分的に結合する
吊り部材（５３）とを具備する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記サスペンダの前記枠部材と反対側に
設けられたリード（１２１、１２１’）を具備し、該リ
ードの一部と前記枠部材とが結合された請求項１に記載
の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記リードの一部と前記枠部材との結合
が各リード毎に２箇所で行われた電気的接続である請求
項２に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 前記リードの一部と前記枠部材との結合
が該リードから分岐された部材（１２１’ａ、１２１’
ｂ）において行われる請求項２に記載の樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項５】 前記リードの一部と前記枠部材との結合
が前記サスペンダに設けられた開口（１１１ａ）を介し
て熱圧着により行われた請求項２に記載の樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項６】 前記リードの一部と前記枠部材との結合
が前記サスペンダの外側で熱圧着により行われた請求項
２に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 少なくともサスペンダ（１１ａ）を構成
するフィルム（１１）、該フィルムに接着された複数の
リード（１２）、及び表面が該リードの内側部分に接着
された半導体チップ（１３）を含むフィルムキャリア型
半導体素子と、 前記半導体チップの裏面に接着されたダイパッド部（５
１）、前記サスペンダに接着された枠部（５２）、及び
該枠部と前記ダイパッド部とを結合する吊り部（５３）
を含む導電性フレーム（５）とを具備する樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項８】 前記リードの一部（１２１）と前記枠部
材とが結合された請求項７に記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項９】 前記リードの一部と前記枠部材との結合
が各リード毎に２箇所で行われた電気的接続である請求
項８に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１０】 前記リードの一部と前記枠部材との結
合が該リードから分岐された部分（１２１’ａ、１２
１’ｂ）において行われる請求項８に記載の樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項１１】 前記リードの一部と前記枠部材との結
合が前記サスペンダに設けられた開口（１１１ａ）を介
して熱圧着により行われた請求項８に記載の樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項１２】 前記リードの一部と前記枠部材との結
合が前記サスペンダの外側で熱圧着により行われた請求
項８に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6062075A JP2663860B2 (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6062075A JP2663860B2 (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245325A JPH07245325A (ja) | 1995-09-19 |
| JP2663860B2 true JP2663860B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=13189603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6062075A Expired - Lifetime JP2663860B2 (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663860B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003037123A (ja) * | 2001-05-15 | 2003-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-07 JP JP6062075A patent/JP2663860B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07245325A (ja) | 1995-09-19 |
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