JP3686267B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、低熱抵抗形の半導体装置の信頼性向上および製造工程の簡略化に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体チップ（半導体素子）の高消費電力化に伴って、銅製のリードフレームの採用やパッケージ本体内への放熱板（ヒートスプレッダ）の設置などを行い、これにより、低熱抵抗化への対策が図られている。
【０００４】
低熱抵抗化を図った半導体装置では、インナリードの変形や隣接するインナリード間の接触を阻止するために、樹脂による絶縁性接着剤を塗布した金属板にインナリードを予め接合（接着）し、さらに、この金属板のチップ搭載箇所には、前記絶縁性接着剤とは異なったチップ固定用のダイボンド材を塗布し、これを硬化させて半導体チップの搭載すなわちダイボンド（ぺ付けともいう）を行っている。
【０００５】
なお、低熱抵抗形の半導体装置については、例えば、日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日発行、香山晋、成瀬邦彦（監）、「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、２００〜２０５頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術の低熱抵抗形の半導体装置では、その製造工程において、まず、金属板に塗布された絶縁性接着剤に予めリードフレームのインナリードを張り付け、さらに、チップ固定用のダイボンド材を塗布／硬化する工程を加えている。
【０００７】
その結果、製造工程が複雑になることが問題とされている。
【０００８】
また、インナリード固定用とチップ固定用とで２種類の接合材を用いているため、２つの接合材の材料相互の影響による信頼性低下が起こることが問題となる。
【０００９】
これに対して前記信頼性低下を考慮すると、両者の材料の選択範囲が限られるという問題が起こる。
【００１０】
本発明の目的は、信頼性の向上と原価低減と製造工程の簡略化とを図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを支持可能な板状物のチップ支持面に半導体チップと前記半導体チップの周囲に延在して配置される複数のインナリードの端部とを接続する構造の半導体装置の製造方法であり、前記板状物のチップ支持面に形成された絶縁性接合材によって前記インナリードの端部と前記板状物とが接合されたリードフレームを準備する工程と、前記板状物のチップ支持面に形成された前記絶縁性接合材によって前記半導体チップと前記板状物とを接合する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リードフレームの前記インナリードとを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記リードフレームのアウタリードとこれを支持する前記リードフレームの枠部とを分離する工程とを有し、前記絶縁性接合材は、熱硬化性および熱可塑性の両方の特性を有し、前記絶縁性接合材は、熱可塑性のポリイミド樹脂と半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物であり、前記インナリードの端部と前記板状物は、前記半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂に第１の加熱を施すことにより接合され、前記半導体チップと前記板状物は、熱可塑性のポリイミド樹脂に、前記第１の加熱以降に、第２の加熱を施すことにより接合されるものである。
【００１４】
これにより、インナリード固定用とチップ固定用とで接合材の統一化を図ることができる。
【００１５】
したがって、前記接合材として使用する絶縁性接合材が１種類だけであるため、２種類の接合材を用いた際の材料相互の影響による信頼性低下を防ぐことが可能になる。
【００１６】
その結果、半導体装置の信頼性を向上できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明による半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置の構造をモールド部を透過して示す平面図、図３（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図１に示す半導体装置の製造手順の一例を示す断面図である。
【００２０】
本実施の形態の半導体装置は、主面である回路形成面１ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ１を有するものであり、かつこの半導体チップ１をモールドによって樹脂封止した樹脂封止形のものである。
【００２１】
さらに、半導体チップ１が高消費電力タイプのものであり、したがって、低熱抵抗形の多ピン構造のものである。
【００２２】
なお、本実施の形態では、前記低熱抵抗形の多ピンの半導体装置の一例として図１および図２に示すＱＦＰ（Quad Flat Package)を取り上げて説明する。
【００２３】
前記ＱＦＰの構成は、半導体チップ１の表面電極であるパッド１ａと電気的に接続され、かつ半導体チップ１の周囲に延在して配置された複数のインナリード４と、インナリード４の端部４ａと接合し、かつ半導体チップ１を支持して半導体チップ１が発する熱を放熱する金属板３と、金属板３のチップ支持面３ａに塗布（配置）された絶縁性接着剤７（絶縁性接合材）と、インナリード４と繋がり、かつこのインナリード４と電気的に接続されて設けられた複数のアウタリード５と、半導体チップ１を樹脂封止して形成されたモールド部２とからなり、半導体チップ１およびインナリード４の端部４ａが、絶縁性接着剤７によって金属板３のチップ支持面３ａに接合されているものである。
【００２４】
すなわち、本実施の形態のＱＦＰは、金属板３のチップ支持面３ａに、このチップ支持面３ａに塗布された絶縁性接着剤７を介して半導体チップ１とインナリード４の端部４ａとが接合されているものであり、半導体チップ１の固定とインナリード４の固定とを一層の接合材である絶縁性接着剤７が兼ねて行うものである。
【００２５】
したがって、半導体チップ１は、絶縁性接着剤７を介して金属板３によって支持されており、さらに、同じ絶縁性接着剤７を介して金属板３に複数のインナリード４がその端部４ａで接合されている。
【００２６】
なお、このＱＦＰは、複数のインナリード４における各々の端部４ａが金属板３上に絶縁性接着剤７によって固定されているため、固定後、インナリード４が変形したり、または、隣接するインナリード４同士が相互に接触したりすることを防止する構造となっている。
【００２７】
ここで、本実施の形態においては、絶縁性接合材である絶縁性接着剤７として、熱硬化性と熱可塑性との両方の特性を有する絶縁性接着剤７を用いた場合を説明する。
【００２８】
例えば、絶縁性接着剤７を形成する絶縁性の接着材料の一例としては、熱可塑性のポリイミド樹脂と、半硬化（Ｂステージ）状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物などを用いる。
【００２９】
これにより、絶縁性接着剤７に、熱硬化性と熱可塑性との両方の特性を持たせることができる。
【００３０】
すなわち、一度加熱し、これにより、熱硬化性を利用して金属板３とインナリード４とを固定し、さらに、その後の工程で再び加熱し、これにより、熱可塑性を利用して金属板３に半導体チップ１を固定することができる。
【００３１】
あるいは、半導体チップ１を固定し、その後、インナリード４を固定することも可能である。
【００３２】
さらに、本実施の形態の絶縁性接着剤７は、絶縁性のフィラを含有した有機材料である。
【００３３】
このフィラは、直径数μｍから数百μｍ程度の粒子であり、例えば、シリカの粒子などである。
【００３４】
したがって、絶縁性接着剤７がシリカなどのフィラを含有していることにより、このフィラがスペーサの役割を果たし、その結果、インナリード４と金属板３の電気的ショートを防止することができる。
【００３５】
すなわち、絶縁性接着剤７の絶縁性をさらに高めることができる。
【００３６】
なお、絶縁性接着剤７は、必ずしもフィラなどを含有している必要はなく、絶縁性接着剤７として無機材料を用いてもよい。
【００３７】
また、本実施の形態のＱＦＰにおける金属板３は、半導体チップ１の放熱効果を高めるヒートスプレッダであり、半導体チップ１を支持するとともに、図２に示すように、半導体チップ１の周囲にインナリード４の端部４ａを接合可能な大きさのチップ支持面３ａを有しており、銅板などによって形成されているものである。
【００３８】
これは、金属板３の放熱効果を高めて半導体チップ１における放熱を促進させるためである。
【００３９】
ただし、金属板３は、銅板に限定されるものではなく、放熱性の高い材料によって形成されていれば、銅板以外の板材であってもよい。
【００４０】
また、インナリード４やアウタリード５を有するリードフレーム８（図３（ａ）参照）は、金属板３と同様に銅によって形成されているものが好ましい。
【００４１】
すなわち、インナリード４の端部４ａが金属板３と接合されているため、半導体チップ１からの熱を金属板３を介し、かつインナリード４とアウタリード５とを通して外部に放つことができるため、放熱性の高い材料である銅によって形成されていることが好ましい。
【００４２】
ただし、放熱性を必要としない半導体装置であれば、インナリード４とアウタリード５とを含むリードフレーム８は、鉄とニッケルの合金などによって形成されていてもよい。
【００４３】
また、半導体チップ１のパッド１ａは、これに対応するインナリード４とボンディングワイヤ６によって電気的に接続されている。
【００４４】
すなわち、半導体チップ１のパッド１ａとこれに対応するインナリード４とがワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００４５】
なお、ワイヤボンディングで用いるボンディングワイヤ６は、例えば、金線などである。
【００４６】
また、モールド部２は、封止用樹脂を用いて半導体チップ１とインナリード４とボンディングワイヤ６とを樹脂封止して形成したものであり、その際の前記封止用樹脂としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などを用いる。
【００４７】
なお、本実施の形態の半導体装置は、ＱＦＰであるため、アウタリード５は、図２に示すように、モールド部２からその４方向に向かって突出し、かつ、それぞれのアウタリード５が、図１に示すように、ガルウィング状に曲げ成形されている。
【００４８】
次に、本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ）の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、半導体チップ１を支持可能な金属板３のチップ支持面３ａに絶縁性接着剤７（絶縁性接合材）が塗布（配置）され、かつこの絶縁性接着剤７によってインナリード４の端部４ａと金属板３とが予め接合された図３（ａ）に示すリードフレーム８を準備する。
【００５０】
すなわち、絶縁性接着剤７を介してインナリード４の端部４ａによって金属板３が支持されたリードフレーム８を準備する。
【００５１】
なお、この際のリードフレーム８は、１枚のリードフレーム８から複数のＱＦＰを製造可能な多連のものであり、したがって、１枚のリードフレーム８には、複数のＱＦＰ領域が形成されている。
【００５２】
また、金属板３に塗布された絶縁性接着剤７は、熱可塑性のポリイミド樹脂と半硬化（Ｂステージ）状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物であるとともに、シリカなどのフィラを含有しているものである。
【００５３】
その後、図３（ｂ）に示すように、絶縁性接着剤７によって半導体チップ１と金属板３とを接着（接合）して半導体チップ１を金属板３によって支持する。
【００５４】
すなわち、半導体チップ１を絶縁性接着剤７によって金属板３のチップ支持面３ａに搭載するダイボンディング（ペレットボンディングともいう）を行う。
【００５５】
その際、半導体チップ１を熱圧着によって金属板３に固定する（接着する）。ただし、熱圧着の際に半導体チップ１に掛ける荷重は、数百グラム程度の小さいものである。
【００５６】
なお、本実施の形態のＱＦＰは、絶縁性接着剤７によるインナリード４と金属板３との接合と、絶縁性接着剤７による半導体チップ１と金属板３との接合とを別々の工程で行って組み立てるものである。
【００５７】
そこで、まず、図３（ａ）に示すリードフレーム８は、これのインナリード４と金属板３とが予め接合されたものであり、インナリード４と金属板３とを接合する際に、絶縁性接着剤７は、一度加熱されている。
【００５８】
つまり、インナリード４と金属板３とを接合する際に、一度加熱し、これにより、絶縁性接着剤７が有する熱硬化性を利用して金属板３とインナリード４とを固定する。
【００５９】
その後、前記ダイボンディング工程で、再び絶縁性接着剤７を加熱し、これにより、絶縁性接着剤７が有する熱可塑性を利用して金属板３に半導体チップ１を固定する。
【００６０】
すなわち、本実施の形態の絶縁性接着剤７は、２度の加熱に対して接着性を示すことが可能なものであり、これによって、リードフレーム８のインナリード４に金属板３を固定した後の工程であっても、再び、絶縁性接着剤７を加熱して金属板３に半導体チップ１を固定することができる。
【００６１】
その後、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１のパッド１ａ（表面電極）とこれに対応するリードフレーム８のインナリード４とを電気的に接続する。
【００６２】
すなわち、ワイヤボンディングを行って、半導体チップ１のパッド１ａとインナリード４とをボンディングワイヤ６によって接続する。
【００６３】
その後、図３（ｄ）に示すように、エポキシ系の熱硬化性の封止用樹脂を用いて、半導体チップ１およびボンディングワイヤ６をモールドによって樹脂封止し、これにより、モールド部２を形成する。
【００６４】
モールド終了後、切断・成形工程において、モールド部２から突出する複数のアウタリード５とこれを支持するリードフレーム８の枠部とを分離するとともに、アウタリード５を所望の形状に曲げ成形する。
【００６５】
すなわち、切断金型を用いてリードフレーム８の所定箇所を切断し、これにより、リードフレーム８の枠部からアウタリード５を分離しつつ、分離後のアウタリード５を所望の形状（本実施の形態では、図１に示すようなガルウィング状）に曲げ成形する。
【００６６】
これにより、図１に示すＱＦＰを組み立てることができる。
【００６７】
本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ）およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００６８】
すなわち、金属板３に絶縁性接合材である絶縁性接着剤７を配置（塗布）し、この絶縁性接着剤７によってインナリード４の固定と半導体チップ１の固定との両方を行うことにより、インナリード固定用とチップ固定用とで接合材の統一化を図ることができる。
【００６９】
したがって、前記接合材として使用する絶縁性接着剤７が１種類だけであるため、２種類の接合材を用いた際の材料相互の影響による信頼性低下を防ぐことが可能になる。
【００７０】
これにより、前記ＱＦＰ（半導体装置）の信頼性を向上できる。
【００７１】
また、インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接着剤７を統一するため、この絶縁性接着剤７の材料選択の範囲も広げることが可能になる。
【００７２】
さらに、インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接着剤７を統一するため、この絶縁性接着剤７の金属板３への配置（塗布）回数を１回にすることができ、その結果、ＱＦＰの製造工程すなわち組み立て工程の簡略化を図ることができる。
【００７３】
また、インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接着剤７を統一するため、接合材の種類が減り、したがって、ＱＦＰの原価低減を図ることが可能になる。
【００７４】
なお、絶縁性接合材として熱硬化性と熱可塑性の両方の特性を有する絶縁性接着剤７を用いることにより、インナリード４の接合（固定）と半導体チップ１の接合（固定）とを別々の工程すなわち２回に分けて行うことができる。
【００７５】
これにより、インナリード４の接合工程と半導体チップ１の接合工程とを分けて行わなければならない場合（例えば、一貫処理を行えない半導体製造装置を用いた場合や、それぞれの工程が離れた場所で行われる場合など）に対しても対応させることが可能になる。
【００７６】
また、絶縁性接着剤７を介して半導体チップ１を搭載する際に、金属板３上において半導体チップ１の搭載領域が限定されないため、種々の大きさの半導体チップ１（汎用サイズの半導体チップ１）を金属板３に搭載することが可能になる。
【００７７】
さらに、ＱＦＰの信頼性を向上できるため、そのことと合わせて、金属板３を有したリードフレーム８を標準化リードフレームとして適用することが可能になり、その結果、低熱抵抗形のＱＦＰ（半導体装置）に限定することなく、この標準化リードフレームを用いたＱＦＰの標準化を図ることが可能になる。
【００７８】
また、絶縁性接着剤７がシリカなどの絶縁性のフィラを含有していることにより、このフィラがスペーサの役目を持ち、これにより、絶縁性接着剤７の絶縁性をさらに向上できる。
【００７９】
その結果、ＱＦＰの信頼性をさらに向上できる。
【００８０】
また、金属板３が銅板であることにより、銅は、高い放熱性を有しているため、半導体チップ１の放熱効果をさらに向上させることが可能になる。
【００８１】
これにより、ＱＦＰの信頼性をさらに向上できる。
【００８２】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８３】
例えば、前記実施の形態では、ＱＦＰ（半導体装置）の製造方法において、絶縁性接着剤７によってインナリード４の端部４ａと金属板３とが予め接合されたリードフレーム８を準備し、このリードフレーム８を用いてＱＦＰを製造する場合の製造手順を説明したが、金属板３が接合されていないリードフレーム８と、チップ支持面３ａに絶縁性接着剤７が塗布された金属板３とを準備してＱＦＰを製造してもよい。
【００８４】
つまり、図４の他の実施の形態の半導体装置の製造手順に示すように、まず、チップ支持面３ａに予め絶縁性接着剤７が塗布（配置）された金属板３と、金属板３が接合されていないリードフレーム８とを準備し（図４（ａ）参照）、その後、図４（ｂ）に示すように熱圧着によってインナリード４の端部４ａと金属板３のチップ支持面３ａとを熱圧着によって接合（接着）するものである。
【００８５】
さらに、図４（ｃ）に示すように、前記実施の形態と同様の方法により、絶縁性接着剤７によって半導体チップ１と金属板３とを接合（接着）することにより、前記実施の形態のＱＦＰと同様のＱＦＰを製造することができる。
【００８６】
また、図５の他の実施の形態の半導体装置の製造手順に示すように、インナリード固定とチップ固定の順序を入れ換えてもよい。
【００８７】
すなわち、図５（ａ）に示すように、チップ支持面３ａに予め絶縁性接着剤７が塗布（配置）された金属板３と、金属板３が接合されていないリードフレーム８とを準備し、その後、図５（ｂ）に示すように、熱圧着により絶縁性接着剤７を介して半導体チップ１と金属板３とを接合（接着）し、さらに、図５（ｃ）に示すように、インナリード４の端部４ａと金属板３のチップ支持面３ａとを熱圧着によって接合（接着）する。
【００８８】
また、絶縁性接合材として、１種類の熱硬化性もしくは熱可塑性の絶縁性接着剤７を用いることにより、インナリード４の固定と半導体チップ１の固定とを同時に行うことも可能になる。
【００８９】
すなわち、図６の他の実施の形態の半導体装置の製造方法に示すように、チップ支持面３ａに予め絶縁性接着剤７が塗布（配置）された金属板３と、金属板３が接合されていないリードフレーム８とを準備し（図６（ａ）参照）、その後、図６（ｂ）に示すように、熱圧着により絶縁性接着剤７を介した半導体チップ１と金属板３との接合（接着）と、インナリード４の端部４ａと金属板３のチップ支持面３ａとの接合（接着）とを同時に行うものである。
【００９０】
この時、実際には、両者の接合においては、僅かなタイミングのずれが生じることが考えられるが、その場合も同時と見なす。
【００９１】
したがって、１種類の熱硬化性もしくは熱可塑性の絶縁性接着剤７を用いることにより、インナリード４の接合と半導体チップ１の接合とを同時に行うことができ、その結果、ＱＦＰの製造工程をさらに簡略化することができる。
【００９２】
なお、前記実施の形態および図４から図６に示す他の実施の形態においては、金属板３のチップ支持面３ａには予め絶縁性接着剤７が塗布されている場合を説明したが、それぞれの実施の形態において、絶縁性接着剤７が塗布（配置）されていない金属板３と、金属板３が固定されていないリードフレーム８と、絶縁性接着剤７とを個々に準備して、金属板３のチップ支持面３ａに絶縁性接着剤７を塗布するところからＱＦＰの製造を開始してもよい。
【００９３】
また、前記実施の形態においては、絶縁性接着剤７を形成する絶縁性の接着材料の一例として、熱可塑性のポリイミド樹脂と、半硬化（Ｂステージ）状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物の場合を説明したが、前記接着材料としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂に限定されることなく、他の接着材料であってもよい。
【００９４】
また、インナリード４または半導体チップ１を絶縁性接着剤７によって接合（接着）する際には、熱圧着に限定されることはなく、使用する絶縁性接着剤７によって加熱のみ、あるいは、加圧のみを選択してもよい。
【００９５】
さらに、前記実施の形態において、金属板３をリードフレーム８のインナリード４に固定し、その後、半導体チップ１を金属板３に固定する際の金属板３とインナリード４との接合（接着）については、その後の組み立て工程で、インナリード４と金属板３とが分離しない程度に接合されていればよい。
【００９６】
また、前記実施の形態および前記他の実施の形態においては、半導体装置が低熱抵抗形の場合について説明したが、前記半導体装置は、前記実施の形態で説明した標準リードフレームを用いたものである場合、低熱抵抗形のものに限定されることはなく、低熱抵抗形以外のものであってもよい。
【００９７】
さらに、前記実施の形態および前記他の実施の形態においては、半導体装置がＱＦＰの場合について説明したが、前記半導体装置は、ＱＦＰに限定されるものではなく、例えば、ＳＯＰ（Small Outline Package)などであってもよく、あるいは、それ以外のものであってもよい。
【００９８】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９９】
（１）．金属板に絶縁性接合材を配置し、この絶縁性接合材によってインナリードの固定と半導体チップの固定との両方を行うことにより、インナリード固定用とチップ固定用とで接合材の統一化を図ることができる。したがって、前記接合材として使用する絶縁性接合材が１種類だけであるため、２種類の接合材を用いた際の材料相互の影響による信頼性低下を防ぐことが可能になる。これにより、半導体装置の信頼性を向上できる。
【０１００】
（２）．インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接合材を統一するため、この絶縁性接合材の材料選択の範囲も広げることが可能になる。
【０１０１】
（３）．インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接合材を統一するため、この絶縁性接合材の金属板への配置（塗布）回数を１回にすることができ、半導体装置の製造工程すなわち組み立て工程の簡略化を図ることができる。
【０１０２】
（４）．インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接合材を統一するため、接合材の種類が減り、その結果、半導体装置の原価低減を図ることができる。
【０１０３】
（５）．絶縁性接合材を介して半導体チップを搭載する際に、金属板上において半導体チップの搭載領域が限定されないため、種々の大きさの半導体チップ（汎用サイズの半導体チップ）を金属板に搭載することが可能になる。したがって、前記金属板を有したリードフレームを標準化リードフレームとして適用することが可能になり、その結果、低熱抵抗形の半導体装置に限定することなく、この標準化リードフレームを用いた半導体装置の標準化を図ることが可能になる。
【０１０４】
（６）．絶縁性接合材が絶縁性のフィラを含有していることにより、このフィラがスペーサとなり、これにより、絶縁性接合材の絶縁性をさらに向上できる。その結果、半導体装置の信頼性をさらに向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造をモールド部を透過して示す平面図である。
【図３】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図１に示す半導体装置の製造手順の一例を示す断面図である。
【図４】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造手順を示す断面図である。
【図５】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造手順を示す断面図である。
【図６】（ａ),（ｂ) は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造手順を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ
１ａ パッド（表面電極）
１ｂ 回路形成面
２ モールド部
３ 金属板
３ａ チップ支持面
４ インナリード
４ａ 端部
５ アウタリード
６ ボンディングワイヤ
７ 絶縁性接着剤（絶縁性接合材）
８ リードフレーム
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、低熱抵抗形の半導体装置の信頼性向上および製造工程の簡略化に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体チップ（半導体素子）の高消費電力化に伴って、銅製のリードフレームの採用やパッケージ本体内への放熱板（ヒートスプレッダ）の設置などを行い、これにより、低熱抵抗化への対策が図られている。
【０００４】
低熱抵抗化を図った半導体装置では、インナリードの変形や隣接するインナリード間の接触を阻止するために、樹脂による絶縁性接着剤を塗布した金属板にインナリードを予め接合（接着）し、さらに、この金属板のチップ搭載箇所には、前記絶縁性接着剤とは異なったチップ固定用のダイボンド材を塗布し、これを硬化させて半導体チップの搭載すなわちダイボンド（ぺ付けともいう）を行っている。
【０００５】
なお、低熱抵抗形の半導体装置については、例えば、日経ＢＰ社、１９９３年５月３１日発行、香山晋、成瀬邦彦（監）、「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、２００〜２０５頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術の低熱抵抗形の半導体装置では、その製造工程において、まず、金属板に塗布された絶縁性接着剤に予めリードフレームのインナリードを張り付け、さらに、チップ固定用のダイボンド材を塗布／硬化する工程を加えている。
【０００７】
その結果、製造工程が複雑になることが問題とされている。
【０００８】
また、インナリード固定用とチップ固定用とで２種類の接合材を用いているため、２つの接合材の材料相互の影響による信頼性低下が起こることが問題となる。
【０００９】
これに対して前記信頼性低下を考慮すると、両者の材料の選択範囲が限られるという問題が起こる。
【００１０】
本発明の目的は、信頼性の向上と原価低減と製造工程の簡略化とを図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを支持可能な板状物のチップ支持面に半導体チップと前記半導体チップの周囲に延在して配置される複数のインナリードの端部とを接続する構造の半導体装置の製造方法であり、前記板状物のチップ支持面に形成された絶縁性接合材によって前記インナリードの端部と前記板状物とが接合されたリードフレームを準備する工程と、前記板状物のチップ支持面に形成された前記絶縁性接合材によって前記半導体チップと前記板状物とを接合する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リードフレームの前記インナリードとを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記リードフレームのアウタリードとこれを支持する前記リードフレームの枠部とを分離する工程とを有し、前記絶縁性接合材は、熱硬化性および熱可塑性の両方の特性を有し、前記絶縁性接合材は、熱可塑性のポリイミド樹脂と半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物であり、前記インナリードの端部と前記板状物は、前記半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂に第１の加熱を施すことにより接合され、前記半導体チップと前記板状物は、熱可塑性のポリイミド樹脂に、前記第１の加熱以降に、第２の加熱を施すことにより接合されるものである。
【００１４】
これにより、インナリード固定用とチップ固定用とで接合材の統一化を図ることができる。
【００１５】
したがって、前記接合材として使用する絶縁性接合材が１種類だけであるため、２種類の接合材を用いた際の材料相互の影響による信頼性低下を防ぐことが可能になる。
【００１６】
その結果、半導体装置の信頼性を向上できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明による半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す断面図、図２は図１に示す半導体装置の構造をモールド部を透過して示す平面図、図３（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図１に示す半導体装置の製造手順の一例を示す断面図である。
【００２０】
本実施の形態の半導体装置は、主面である回路形成面１ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ１を有するものであり、かつこの半導体チップ１をモールドによって樹脂封止した樹脂封止形のものである。
【００２１】
さらに、半導体チップ１が高消費電力タイプのものであり、したがって、低熱抵抗形の多ピン構造のものである。
【００２２】
なお、本実施の形態では、前記低熱抵抗形の多ピンの半導体装置の一例として図１および図２に示すＱＦＰ（Quad Flat Package)を取り上げて説明する。
【００２３】
前記ＱＦＰの構成は、半導体チップ１の表面電極であるパッド１ａと電気的に接続され、かつ半導体チップ１の周囲に延在して配置された複数のインナリード４と、インナリード４の端部４ａと接合し、かつ半導体チップ１を支持して半導体チップ１が発する熱を放熱する金属板３と、金属板３のチップ支持面３ａに塗布（配置）された絶縁性接着剤７（絶縁性接合材）と、インナリード４と繋がり、かつこのインナリード４と電気的に接続されて設けられた複数のアウタリード５と、半導体チップ１を樹脂封止して形成されたモールド部２とからなり、半導体チップ１およびインナリード４の端部４ａが、絶縁性接着剤７によって金属板３のチップ支持面３ａに接合されているものである。
【００２４】
すなわち、本実施の形態のＱＦＰは、金属板３のチップ支持面３ａに、このチップ支持面３ａに塗布された絶縁性接着剤７を介して半導体チップ１とインナリード４の端部４ａとが接合されているものであり、半導体チップ１の固定とインナリード４の固定とを一層の接合材である絶縁性接着剤７が兼ねて行うものである。
【００２５】
したがって、半導体チップ１は、絶縁性接着剤７を介して金属板３によって支持されており、さらに、同じ絶縁性接着剤７を介して金属板３に複数のインナリード４がその端部４ａで接合されている。
【００２６】
なお、このＱＦＰは、複数のインナリード４における各々の端部４ａが金属板３上に絶縁性接着剤７によって固定されているため、固定後、インナリード４が変形したり、または、隣接するインナリード４同士が相互に接触したりすることを防止する構造となっている。
【００２７】
ここで、本実施の形態においては、絶縁性接合材である絶縁性接着剤７として、熱硬化性と熱可塑性との両方の特性を有する絶縁性接着剤７を用いた場合を説明する。
【００２８】
例えば、絶縁性接着剤７を形成する絶縁性の接着材料の一例としては、熱可塑性のポリイミド樹脂と、半硬化（Ｂステージ）状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物などを用いる。
【００２９】
これにより、絶縁性接着剤７に、熱硬化性と熱可塑性との両方の特性を持たせることができる。
【００３０】
すなわち、一度加熱し、これにより、熱硬化性を利用して金属板３とインナリード４とを固定し、さらに、その後の工程で再び加熱し、これにより、熱可塑性を利用して金属板３に半導体チップ１を固定することができる。
【００３１】
あるいは、半導体チップ１を固定し、その後、インナリード４を固定することも可能である。
【００３２】
さらに、本実施の形態の絶縁性接着剤７は、絶縁性のフィラを含有した有機材料である。
【００３３】
このフィラは、直径数μｍから数百μｍ程度の粒子であり、例えば、シリカの粒子などである。
【００３４】
したがって、絶縁性接着剤７がシリカなどのフィラを含有していることにより、このフィラがスペーサの役割を果たし、その結果、インナリード４と金属板３の電気的ショートを防止することができる。
【００３５】
すなわち、絶縁性接着剤７の絶縁性をさらに高めることができる。
【００３６】
なお、絶縁性接着剤７は、必ずしもフィラなどを含有している必要はなく、絶縁性接着剤７として無機材料を用いてもよい。
【００３７】
また、本実施の形態のＱＦＰにおける金属板３は、半導体チップ１の放熱効果を高めるヒートスプレッダであり、半導体チップ１を支持するとともに、図２に示すように、半導体チップ１の周囲にインナリード４の端部４ａを接合可能な大きさのチップ支持面３ａを有しており、銅板などによって形成されているものである。
【００３８】
これは、金属板３の放熱効果を高めて半導体チップ１における放熱を促進させるためである。
【００３９】
ただし、金属板３は、銅板に限定されるものではなく、放熱性の高い材料によって形成されていれば、銅板以外の板材であってもよい。
【００４０】
また、インナリード４やアウタリード５を有するリードフレーム８（図３（ａ）参照）は、金属板３と同様に銅によって形成されているものが好ましい。
【００４１】
すなわち、インナリード４の端部４ａが金属板３と接合されているため、半導体チップ１からの熱を金属板３を介し、かつインナリード４とアウタリード５とを通して外部に放つことができるため、放熱性の高い材料である銅によって形成されていることが好ましい。
【００４２】
ただし、放熱性を必要としない半導体装置であれば、インナリード４とアウタリード５とを含むリードフレーム８は、鉄とニッケルの合金などによって形成されていてもよい。
【００４３】
また、半導体チップ１のパッド１ａは、これに対応するインナリード４とボンディングワイヤ６によって電気的に接続されている。
【００４４】
すなわち、半導体チップ１のパッド１ａとこれに対応するインナリード４とがワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００４５】
なお、ワイヤボンディングで用いるボンディングワイヤ６は、例えば、金線などである。
【００４６】
また、モールド部２は、封止用樹脂を用いて半導体チップ１とインナリード４とボンディングワイヤ６とを樹脂封止して形成したものであり、その際の前記封止用樹脂としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などを用いる。
【００４７】
なお、本実施の形態の半導体装置は、ＱＦＰであるため、アウタリード５は、図２に示すように、モールド部２からその４方向に向かって突出し、かつ、それぞれのアウタリード５が、図１に示すように、ガルウィング状に曲げ成形されている。
【００４８】
次に、本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ）の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、半導体チップ１を支持可能な金属板３のチップ支持面３ａに絶縁性接着剤７（絶縁性接合材）が塗布（配置）され、かつこの絶縁性接着剤７によってインナリード４の端部４ａと金属板３とが予め接合された図３（ａ）に示すリードフレーム８を準備する。
【００５０】
すなわち、絶縁性接着剤７を介してインナリード４の端部４ａによって金属板３が支持されたリードフレーム８を準備する。
【００５１】
なお、この際のリードフレーム８は、１枚のリードフレーム８から複数のＱＦＰを製造可能な多連のものであり、したがって、１枚のリードフレーム８には、複数のＱＦＰ領域が形成されている。
【００５２】
また、金属板３に塗布された絶縁性接着剤７は、熱可塑性のポリイミド樹脂と半硬化（Ｂステージ）状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物であるとともに、シリカなどのフィラを含有しているものである。
【００５３】
その後、図３（ｂ）に示すように、絶縁性接着剤７によって半導体チップ１と金属板３とを接着（接合）して半導体チップ１を金属板３によって支持する。
【００５４】
すなわち、半導体チップ１を絶縁性接着剤７によって金属板３のチップ支持面３ａに搭載するダイボンディング（ペレットボンディングともいう）を行う。
【００５５】
その際、半導体チップ１を熱圧着によって金属板３に固定する（接着する）。ただし、熱圧着の際に半導体チップ１に掛ける荷重は、数百グラム程度の小さいものである。
【００５６】
なお、本実施の形態のＱＦＰは、絶縁性接着剤７によるインナリード４と金属板３との接合と、絶縁性接着剤７による半導体チップ１と金属板３との接合とを別々の工程で行って組み立てるものである。
【００５７】
そこで、まず、図３（ａ）に示すリードフレーム８は、これのインナリード４と金属板３とが予め接合されたものであり、インナリード４と金属板３とを接合する際に、絶縁性接着剤７は、一度加熱されている。
【００５８】
つまり、インナリード４と金属板３とを接合する際に、一度加熱し、これにより、絶縁性接着剤７が有する熱硬化性を利用して金属板３とインナリード４とを固定する。
【００５９】
その後、前記ダイボンディング工程で、再び絶縁性接着剤７を加熱し、これにより、絶縁性接着剤７が有する熱可塑性を利用して金属板３に半導体チップ１を固定する。
【００６０】
すなわち、本実施の形態の絶縁性接着剤７は、２度の加熱に対して接着性を示すことが可能なものであり、これによって、リードフレーム８のインナリード４に金属板３を固定した後の工程であっても、再び、絶縁性接着剤７を加熱して金属板３に半導体チップ１を固定することができる。
【００６１】
その後、図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１のパッド１ａ（表面電極）とこれに対応するリードフレーム８のインナリード４とを電気的に接続する。
【００６２】
すなわち、ワイヤボンディングを行って、半導体チップ１のパッド１ａとインナリード４とをボンディングワイヤ６によって接続する。
【００６３】
その後、図３（ｄ）に示すように、エポキシ系の熱硬化性の封止用樹脂を用いて、半導体チップ１およびボンディングワイヤ６をモールドによって樹脂封止し、これにより、モールド部２を形成する。
【００６４】
モールド終了後、切断・成形工程において、モールド部２から突出する複数のアウタリード５とこれを支持するリードフレーム８の枠部とを分離するとともに、アウタリード５を所望の形状に曲げ成形する。
【００６５】
すなわち、切断金型を用いてリードフレーム８の所定箇所を切断し、これにより、リードフレーム８の枠部からアウタリード５を分離しつつ、分離後のアウタリード５を所望の形状（本実施の形態では、図１に示すようなガルウィング状）に曲げ成形する。
【００６６】
これにより、図１に示すＱＦＰを組み立てることができる。
【００６７】
本実施の形態の半導体装置（ＱＦＰ）およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００６８】
すなわち、金属板３に絶縁性接合材である絶縁性接着剤７を配置（塗布）し、この絶縁性接着剤７によってインナリード４の固定と半導体チップ１の固定との両方を行うことにより、インナリード固定用とチップ固定用とで接合材の統一化を図ることができる。
【００６９】
したがって、前記接合材として使用する絶縁性接着剤７が１種類だけであるため、２種類の接合材を用いた際の材料相互の影響による信頼性低下を防ぐことが可能になる。
【００７０】
これにより、前記ＱＦＰ（半導体装置）の信頼性を向上できる。
【００７１】
また、インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接着剤７を統一するため、この絶縁性接着剤７の材料選択の範囲も広げることが可能になる。
【００７２】
さらに、インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接着剤７を統一するため、この絶縁性接着剤７の金属板３への配置（塗布）回数を１回にすることができ、その結果、ＱＦＰの製造工程すなわち組み立て工程の簡略化を図ることができる。
【００７３】
また、インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接着剤７を統一するため、接合材の種類が減り、したがって、ＱＦＰの原価低減を図ることが可能になる。
【００７４】
なお、絶縁性接合材として熱硬化性と熱可塑性の両方の特性を有する絶縁性接着剤７を用いることにより、インナリード４の接合（固定）と半導体チップ１の接合（固定）とを別々の工程すなわち２回に分けて行うことができる。
【００７５】
これにより、インナリード４の接合工程と半導体チップ１の接合工程とを分けて行わなければならない場合（例えば、一貫処理を行えない半導体製造装置を用いた場合や、それぞれの工程が離れた場所で行われる場合など）に対しても対応させることが可能になる。
【００７６】
また、絶縁性接着剤７を介して半導体チップ１を搭載する際に、金属板３上において半導体チップ１の搭載領域が限定されないため、種々の大きさの半導体チップ１（汎用サイズの半導体チップ１）を金属板３に搭載することが可能になる。
【００７７】
さらに、ＱＦＰの信頼性を向上できるため、そのことと合わせて、金属板３を有したリードフレーム８を標準化リードフレームとして適用することが可能になり、その結果、低熱抵抗形のＱＦＰ（半導体装置）に限定することなく、この標準化リードフレームを用いたＱＦＰの標準化を図ることが可能になる。
【００７８】
また、絶縁性接着剤７がシリカなどの絶縁性のフィラを含有していることにより、このフィラがスペーサの役目を持ち、これにより、絶縁性接着剤７の絶縁性をさらに向上できる。
【００７９】
その結果、ＱＦＰの信頼性をさらに向上できる。
【００８０】
また、金属板３が銅板であることにより、銅は、高い放熱性を有しているため、半導体チップ１の放熱効果をさらに向上させることが可能になる。
【００８１】
これにより、ＱＦＰの信頼性をさらに向上できる。
【００８２】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８３】
例えば、前記実施の形態では、ＱＦＰ（半導体装置）の製造方法において、絶縁性接着剤７によってインナリード４の端部４ａと金属板３とが予め接合されたリードフレーム８を準備し、このリードフレーム８を用いてＱＦＰを製造する場合の製造手順を説明したが、金属板３が接合されていないリードフレーム８と、チップ支持面３ａに絶縁性接着剤７が塗布された金属板３とを準備してＱＦＰを製造してもよい。
【００８４】
つまり、図４の他の実施の形態の半導体装置の製造手順に示すように、まず、チップ支持面３ａに予め絶縁性接着剤７が塗布（配置）された金属板３と、金属板３が接合されていないリードフレーム８とを準備し（図４（ａ）参照）、その後、図４（ｂ）に示すように熱圧着によってインナリード４の端部４ａと金属板３のチップ支持面３ａとを熱圧着によって接合（接着）するものである。
【００８５】
さらに、図４（ｃ）に示すように、前記実施の形態と同様の方法により、絶縁性接着剤７によって半導体チップ１と金属板３とを接合（接着）することにより、前記実施の形態のＱＦＰと同様のＱＦＰを製造することができる。
【００８６】
また、図５の他の実施の形態の半導体装置の製造手順に示すように、インナリード固定とチップ固定の順序を入れ換えてもよい。
【００８７】
すなわち、図５（ａ）に示すように、チップ支持面３ａに予め絶縁性接着剤７が塗布（配置）された金属板３と、金属板３が接合されていないリードフレーム８とを準備し、その後、図５（ｂ）に示すように、熱圧着により絶縁性接着剤７を介して半導体チップ１と金属板３とを接合（接着）し、さらに、図５（ｃ）に示すように、インナリード４の端部４ａと金属板３のチップ支持面３ａとを熱圧着によって接合（接着）する。
【００８８】
また、絶縁性接合材として、１種類の熱硬化性もしくは熱可塑性の絶縁性接着剤７を用いることにより、インナリード４の固定と半導体チップ１の固定とを同時に行うことも可能になる。
【００８９】
すなわち、図６の他の実施の形態の半導体装置の製造方法に示すように、チップ支持面３ａに予め絶縁性接着剤７が塗布（配置）された金属板３と、金属板３が接合されていないリードフレーム８とを準備し（図６（ａ）参照）、その後、図６（ｂ）に示すように、熱圧着により絶縁性接着剤７を介した半導体チップ１と金属板３との接合（接着）と、インナリード４の端部４ａと金属板３のチップ支持面３ａとの接合（接着）とを同時に行うものである。
【００９０】
この時、実際には、両者の接合においては、僅かなタイミングのずれが生じることが考えられるが、その場合も同時と見なす。
【００９１】
したがって、１種類の熱硬化性もしくは熱可塑性の絶縁性接着剤７を用いることにより、インナリード４の接合と半導体チップ１の接合とを同時に行うことができ、その結果、ＱＦＰの製造工程をさらに簡略化することができる。
【００９２】
なお、前記実施の形態および図４から図６に示す他の実施の形態においては、金属板３のチップ支持面３ａには予め絶縁性接着剤７が塗布されている場合を説明したが、それぞれの実施の形態において、絶縁性接着剤７が塗布（配置）されていない金属板３と、金属板３が固定されていないリードフレーム８と、絶縁性接着剤７とを個々に準備して、金属板３のチップ支持面３ａに絶縁性接着剤７を塗布するところからＱＦＰの製造を開始してもよい。
【００９３】
また、前記実施の形態においては、絶縁性接着剤７を形成する絶縁性の接着材料の一例として、熱可塑性のポリイミド樹脂と、半硬化（Ｂステージ）状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物の場合を説明したが、前記接着材料としては、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂に限定されることなく、他の接着材料であってもよい。
【００９４】
また、インナリード４または半導体チップ１を絶縁性接着剤７によって接合（接着）する際には、熱圧着に限定されることはなく、使用する絶縁性接着剤７によって加熱のみ、あるいは、加圧のみを選択してもよい。
【００９５】
さらに、前記実施の形態において、金属板３をリードフレーム８のインナリード４に固定し、その後、半導体チップ１を金属板３に固定する際の金属板３とインナリード４との接合（接着）については、その後の組み立て工程で、インナリード４と金属板３とが分離しない程度に接合されていればよい。
【００９６】
また、前記実施の形態および前記他の実施の形態においては、半導体装置が低熱抵抗形の場合について説明したが、前記半導体装置は、前記実施の形態で説明した標準リードフレームを用いたものである場合、低熱抵抗形のものに限定されることはなく、低熱抵抗形以外のものであってもよい。
【００９７】
さらに、前記実施の形態および前記他の実施の形態においては、半導体装置がＱＦＰの場合について説明したが、前記半導体装置は、ＱＦＰに限定されるものではなく、例えば、ＳＯＰ（Small Outline Package)などであってもよく、あるいは、それ以外のものであってもよい。
【００９８】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９９】
（１）．金属板に絶縁性接合材を配置し、この絶縁性接合材によってインナリードの固定と半導体チップの固定との両方を行うことにより、インナリード固定用とチップ固定用とで接合材の統一化を図ることができる。したがって、前記接合材として使用する絶縁性接合材が１種類だけであるため、２種類の接合材を用いた際の材料相互の影響による信頼性低下を防ぐことが可能になる。これにより、半導体装置の信頼性を向上できる。
【０１００】
（２）．インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接合材を統一するため、この絶縁性接合材の材料選択の範囲も広げることが可能になる。
【０１０１】
（３）．インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接合材を統一するため、この絶縁性接合材の金属板への配置（塗布）回数を１回にすることができ、半導体装置の製造工程すなわち組み立て工程の簡略化を図ることができる。
【０１０２】
（４）．インナリード固定用とチップ固定用とで絶縁性接合材を統一するため、接合材の種類が減り、その結果、半導体装置の原価低減を図ることができる。
【０１０３】
（５）．絶縁性接合材を介して半導体チップを搭載する際に、金属板上において半導体チップの搭載領域が限定されないため、種々の大きさの半導体チップ（汎用サイズの半導体チップ）を金属板に搭載することが可能になる。したがって、前記金属板を有したリードフレームを標準化リードフレームとして適用することが可能になり、その結果、低熱抵抗形の半導体装置に限定することなく、この標準化リードフレームを用いた半導体装置の標準化を図ることが可能になる。
【０１０４】
（６）．絶縁性接合材が絶縁性のフィラを含有していることにより、このフィラがスペーサとなり、これにより、絶縁性接合材の絶縁性をさらに向上できる。その結果、半導体装置の信頼性をさらに向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造をモールド部を透過して示す平面図である。
【図３】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は図１に示す半導体装置の製造手順の一例を示す断面図である。
【図４】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造手順を示す断面図である。
【図５】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造手順を示す断面図である。
【図６】（ａ),（ｂ) は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造手順を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ
１ａ パッド（表面電極）
１ｂ 回路形成面
２ モールド部
３ 金属板
３ａ チップ支持面
４ インナリード
４ａ 端部
５ アウタリード
６ ボンディングワイヤ
７ 絶縁性接着剤（絶縁性接合材）
８ リードフレーム
Claims (2)
- 半導体チップを支持可能な板状物のチップ支持面に半導体チップと前記半導体チップの周囲に延在して配置される複数のインナリードの端部とを接続する構造の半導体装置の製造方法であって、
前記板状物のチップ支持面に形成された絶縁性接合材によって前記インナリードの端部と前記板状物とが接合されたリードフレームを準備する工程と、
前記板状物のチップ支持面に形成された前記絶縁性接合材によって前記半導体チップと前記板状物とを接合する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記リードフレームの前記インナリードとを電気的に接続する工程と、
前記半導体チップを樹脂封止する工程と、
前記リードフレームのアウタリードとこれを支持する前記リードフレームの枠部とを分離する工程とを有し、
前記絶縁性接合材は、熱硬化性および熱可塑性の両方の特性を有し、
前記絶縁性接合材は、熱可塑性のポリイミド樹脂と半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂との混合物であり、
前記インナリードの端部と前記板状物は、前記半硬化状態の熱硬化性のエポキシ樹脂に第１の加熱を施すことにより接合され、前記半導体チップと前記板状物は、熱可塑性のポリイミド樹脂に、前記第１の加熱以降に、第２の加熱を施すことにより接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記板状物は、金属板であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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