JPH1117082A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH1117082A
JPH1117082A JP9166781A JP16678197A JPH1117082A JP H1117082 A JPH1117082 A JP H1117082A JP 9166781 A JP9166781 A JP 9166781A JP 16678197 A JP16678197 A JP 16678197A JP H1117082 A JPH1117082 A JP H1117082A
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semiconductor device
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radiator
resin sealing
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Fujio Ito
富士夫 伊藤
Yasuhisa Hagiwara
靖久 萩原
Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Kunihiko Nishi
邦彦 西
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Hitachi Ltd
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 放熱体を有する樹脂封止型半導体装置の平坦
性が低下する。また、歩留まりが低下する。 【解決手段】（１）チップ塔載面に半導体チップが固定
され、前記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体
が前記半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆わ
れた放熱体を有する樹脂封止型半導体装置であって、前
記放熱体が、前記樹脂封止体の樹脂の熱膨張係数と同一
若しくはそれと近値した熱膨張係数を有する材料で構成
されている。（２）チップ塔載面に半導体チップが固定
され、前記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体
が前記半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆わ
れた放熱体を有する樹脂封止型半導体装置であって、前
記放熱体の裏面側の周辺部がその中央部よりも一段低く
なっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関し、特に、放熱体を有する樹脂封止型半導体装
置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置として、例えばＱ
ＦＰ(Ｑuad Ｆlat Ｐackage)構造の樹脂封止型半導体装
置がある。このＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置は、
熱伝導率が小さい樹脂封止体で半導体チップを封止して
いるので、半導体チップから発生した熱を樹脂封止体の
外部に放出する放熱性が低い。一方、半導体チップから
発生する発熱量は、それに塔載される回路システムの高
性能化（高速化及び多機能化）による消費電力の増加に
伴って年々増大している。このため、ＱＦＰ構造の樹脂
封止型半導体装置においては、如何にして放熱性を高め
るかが技術な課題となっている。
【０００３】そこで、ＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装
置として、チップ塔載面に半導体チップが固定され、前
記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体が前記半
導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆われた放熱
体を有する樹脂封止型半導体装置が開発されている。こ
の樹脂封止型半導体装置は、一般的に下記の製造プロセ
スで製造される。
【０００４】まず、枠体で規定された領域内に、インナ
ーリード、アウターリード及び放熱体等が配置されたリ
ードフレームを準備する。インナーリードはアウターリ
ードと一体化され、アウターリードは枠体と一体化され
ている。放熱体は、そのチップ塔載面の周辺領域に絶縁
層を介在して固定されたインナーリードによってリード
フレームに支持されている。
【０００５】次に、前記放熱体のチップ塔載面の中央領
域に絶縁層を介在して半導体チップを固定し、その後、
半導体チップの外部端子とインナーリードとをワイヤで
電気的に接続する。
【０００６】次に、前記リードフレームをモールド金型
の上型と下型との間に配置し、モールド金型の上型と下
型とで形成されるキャビティ内に、前記半導体チップ、
インナーリード、ワイヤ及び放熱体等を配置する。放熱
体はその裏面をキャビティの内壁面に当接した状態で配
置される。
【０００７】次に、前記モールド金型を１７０〜１８０
［℃］程度の温度に加熱した状態で、モールド金型のポ
ットからランナー及び流入ゲートを通してキャビティ内
に熱硬化性樹脂を加圧注入して樹脂封止体を形成する。
この工程において、放熱体及び樹脂封止体はモールド金
型の加熱によって１７０〜１８０［℃］程度の温度に加
熱され、その後、常温(２５℃)まで冷却される。
【０００８】次に、前記モールド金型からリードフレー
ムを取り出し、その後、前記リードフレームの枠体から
アウターリードを切断すると共に、タイバー(ダムバー)
を切断し、その後、アウターリードをガルウィング形状
に成形することにより、樹脂封止型半導体装置がほぼ完
成する。
【０００９】このように構成された樹脂封止型半導体装
置の場合、半導体チップから発生した熱は放熱体に伝達
され、放熱体に伝達された熱は放熱体の裏面から外部に
伝達されるので、半導体チップから発生した熱を樹脂封
止体の外部に放出する放熱性が高い。
【００１０】なお、前記樹脂封止型半導体装置について
は、例えば、日経ＢＰ社発行の日経マイクロデバイス
〔１９９１年、５月号、第９４頁乃至第９９頁〕に記載
されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、前述の
樹脂封止型半導体装置について検討した結果、以下の問
題点を見出した。
【００１２】（１）樹脂封止体は、１０〜１３×１０~6
［１／℃］程度の熱膨張係数を有する熱硬化性樹脂で形
成されている。放熱体は、放熱性を高めるため、熱伝達
率が大きい金属材、例えばアルミニウム（Ａｌ）若しく
は銅（Ｃｕ）材で形成されている。アルミニウム材の熱
膨張係数αは２５×１０~6［１／℃］程度であり、銅材
の熱膨張係数αは１６．５×１０~6［１／℃］程度であ
る。つまり、樹脂封止体、放熱体の夫々は、熱膨張係数
の差が大きい材料で形成されている。
【００１３】一方、樹脂封止体は、モールド金型を１７
０〜１８０［℃］程度の温度に加熱した状態で、モール
ド金型のキャビティ内に熱硬化性樹脂を加圧注入するこ
とにより形成されるので、樹脂封止体、放熱体の夫々
は、１７０〜１８０［℃］程度の温度まで加熱され、そ
の後、常温まで冷却される。この時、樹脂封止体と放熱
体との熱膨張係数の差に起因する熱応力が発生し、樹脂
封止体及び放熱体に反り、歪み等の変形が生じ、樹脂封
止型半導体装置の平坦性が著しく低下する。この平坦性
が低下した場合、実装基板の実装面上に樹脂封止型半導
体装置を実装する際、実装基板の電極パッドと樹脂封止
型半導体装置のアウターリードとの接続不良が多発す
る。
【００１４】（２）樹脂封止体を形成する際、放熱体は
モールド金型のキャビティの内壁面に裏面を当接した状
態で配置されるが、放熱体の裏面とキャビティの内壁面
との間に放熱体の周縁から樹脂が流れ込み、放熱体の裏
面にバリが発生する。このバリの発生は製品の外観不良
となるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが低下す
る。
【００１５】本発明の目的は、放熱体を有する樹脂封止
型半導体装置の平坦性を高めることが可能な技術を提供
することにある。
【００１６】本発明の他の目的は、放熱体を有する樹脂
封止型半導体装置の歩留まりを高めることが可能な技術
を提供することにある。
【００１７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１９】（１）チップ塔載面に半導体チップが固定
され、前記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体
が前記半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆わ
れた放熱体を有する樹脂封止型半導体装置であって、前
記放熱体を前記樹脂封止体の樹脂の熱膨張係数と同一若
しくはそれと近値した熱膨張係数を有する材料で構成す
る。
【００２０】（２）チップ塔載面に半導体チップが固定
され、前記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体
が前記半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆わ
れた放熱体を有する樹脂封止型半導体装置であって、前
記放熱体の裏面側の周辺部をその中央部よりも一段低く
する。
【００２１】上述した手段（１）によれば、樹脂封止体
をトランスファモールド法で形成する際、樹脂封止体、
放熱体の夫々がモールド金型の加熱温度（例えば１７０
〜１８０［℃］）から常温まで冷却されても、樹脂封止
体と放熱体との熱膨張係数の差に起因する熱応力を緩和
でき、樹脂封止体及び放熱体に生じる反り、歪み等の変
形を抑制することができるので、樹脂封止型半導体装置
の平坦性を高めることができる。
【００２２】上述した手段（２）によれば、樹脂封止体
をトランスファモールド法で形成する際、放熱体の裏面
側の周辺部に樹脂を溜め込むことができるので、放熱体
の裏面とキャビティの内壁面との間には樹脂が流れ込ま
ない。この結果、放熱体の裏面に発生するバリを抑制す
ることができるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まり
を高めることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１である樹脂封止型半導体装置の概略構成を示す平面図
であり、図２は、図１に示すＡ−Ａ線の位置で切った断
面図である。
【００２５】図２に示すように、樹脂封止型半導体装置
は、放熱体１のチップ塔載面１Ａの中央領域上に半導体
チップ２を塔載している。半導体チップ２は、放熱体１
のチップ塔載面１Ａに接着層３を介在して接着固定され
ている。接着層３は、例えば、銀が添加されたエポキシ
系の熱硬化性樹脂で形成されている。
【００２６】前記半導体チップ２は、例えば平面が方形
状に形成された単結晶珪素基板を主体に構成されてい
る。この半導体チップ２には、記憶回路システム、論理
回路システム、或はそれらの混合回路システムが塔載さ
れている。また、半導体チップ２の主面(素子形成面)に
は複数個の外部端子(ボンディングパッド)が配置されて
いる。複数個の外部端子の夫々は、半導体チップ２の各
辺に沿って配列され、半導体チップ２に塔載された回路
システムと電気的に接続されている。
【００２７】前記半導体チップ２の外周囲の外側には、
複数本のインナーリード４Ａが配置されている。複数本
のインナーリード４Ａの夫々は、半導体チップ２の各辺
に沿って配列され、半導体チップ２の主面に配置された
複数個の外部端子の夫々にワイヤ６を介して電気的に接
続されている。
【００２８】前記ワイヤ６としては例えば金(Ａｕ)ワイ
ヤを使用する。ワイヤ６は、例えば熱圧着に超音波振動
を併用したボンディング法により接続される。
【００２９】前記複数本のインナーリード４Ａの夫々
は、放熱体１のチップ塔載面１Ａの周辺領域に絶縁層５
を介在して接着固定されている。絶縁層５は、例えば両
面に接着層が形成されたポリイミド系のフィルム材で形
成されている。
【００３０】前記半導体チップ２、インナーリード４Ａ
及びワイヤ６等は樹脂封止体７で封止されている。ま
た、前記放熱体１は、チップ塔載面１Ａと対向する裏面
１Ｂを除くほぼ全体が樹脂封止体７の樹脂で覆われ、裏
面１Ｂが樹脂封止体７から露出されている。つまり、本
実施形態の樹脂封止型半導体装置は、チップ塔載面１Ａ
に半導体チップ２が固定され、前記チップ塔載面１Ａと
対向する裏面１Ｂを除くほぼ全体が前記半導体チップ２
を封止する樹脂封止体７の樹脂で覆われた放熱体１を有
する構造で構成されている。
【００３１】前記樹脂封止体７は、図１に示すように、
平面が方形状で形成されている。この樹脂封止体７の外
周囲の外側には複数本のアウターリード４Ｂが配置され
ている。複数本のアウターリード４Ｂの夫々は、樹脂封
止体７の各辺に沿って配列され、樹脂封止体７で封止さ
れた複数本のインナーリード４Ａの夫々と一体化されて
いる。複数本のアウターリード４Ｂの夫々は、例えばガ
ルウィング形状に成形されている。つまり、本実施形態
の樹脂封止型半導体装置は、ＱＦＰ構造で構成されてい
る。
【００３２】前記樹脂封止体７はトランスファモールド
法で形成されている。樹脂封止体７は、低応力化を図る
目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴ
ム及びフィラーが添加されたエポキシ系の樹脂で形成さ
れている。このエポキシ系樹脂の熱膨張係数αは１３×
１０~6［１／℃］程度である。
【００３３】図２に示すように、前記放熱体１の裏面１
Ｂ側の周辺部は、その裏面１Ｂ側の中央部よりも一段低
くなっている。つまり、放熱体１は裏面１Ｂ側の周辺部
に段差１Ｃが設けられた形状で形成され、段差１Ｃは放
熱体１の裏面１Ｂ側の中央部を囲むように形成されてい
る。なお、樹脂封止体７から露出された放熱体１の裏面
１Ｂの平面形状は、これに限定されないが、八角形で形
成されている。
【００３４】前記放熱体１は、例えばＳｉＣの含有率が
４０［重量％］のアルミシリコンカーバイト(Ａｌ／Ｓ
ｉＣ)材で形成されている。このアルミシリコンカーバ
イト材の熱膨張係数αは１３×１０~6［１／℃］程度で
あり、熱伝導率λは２２５［Ｗ／ｍｋ］であり、比重ρ
は２８９程度である。
【００３５】このように構成された樹脂封止型半導体装
置の場合、半導体チップ２から発生した熱は放熱体１に
効率よく伝達され、放熱体１に伝達された熱は放熱体１
の裏面１Ｂから外部に効率よく伝達されるので、半導体
チップ２から発生した熱を樹脂封止体７の外部に放出す
る放熱性が高い。
【００３６】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造に
使用されるリードフレームについて、図３(要部平面図)
及び図４(図３に示すＢ−Ｂ線の位置で切った断面図)を
用いて説明する。
【００３７】図３及び図４に示すように、リードフレー
ム４は、枠体４Ｄで規定された領域内に、複数本のイン
ナーリード４Ａ、複数本のアウターリード４Ｂ及び放熱
体１を配置している。複数本のインナーリード４Ａの夫
々は複数本のアウターリード４Ｂの夫々と一体化され、
複数本のアウターリード４Ｂの夫々は枠体４Ｄと一体化
されている。放熱体１は、そのチップ塔載面１Ａの周辺
領域に絶縁層５を介在して固定された複数本のインナー
リード４Ａの夫々によってリードフレーム４に支持され
ている。なお、インナーリード４Ａとアウタリード４Ｂ
との間の領域は他のインナーリード４Ａと他のインナー
リード４Ｂとの間の領域にタイバー４Ｃを介して連結さ
れている。
【００３８】前記リードフレーム４は、熱伝導率が大き
い金属材、例えば銅(Ｃｕ)材からなる金属板にエッチン
グ加工又はプレス加工を施し、所定のリードパタンーン
を形形した後、インナーリード４Ａに放熱体１を貼り付
けることにより形成される。
【００３９】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法について、図５及び図６（製造方法を説明するための
断面図）を用いて説明する。
【００４０】まず、図３及び図４に示すリードフレーム
４を準備する。
【００４１】次に、前記放熱体１のチップ塔載面１Ａの
中央領域に接続層３を介在して半導体チップ２を接着固
定し、その後、図５に示すように、前記半導体チップ２
の外部端子とリードフレーム４のインナーリード４Ａと
をワイヤ６で電気的に接続する。
【００４２】次に、図６に示すように、前記リードフレ
ーム４をモールド金型１０の上型１０Ａと下型１０Ｂと
の間に配置し、モールド金型１０の上型１０Ａと下型１
０Ｂとで形成されるキャビティ１１内に、前記放熱体
１、半導体チップ２、インナーリード４Ａ及びワイヤ６
等を配置する。放熱体１はその裏面１Ｂをキャビティ１
１の内壁面に当接した状態で配置される。
【００４３】次に、前記モールド金型１０を１７０〜１
８０［℃］程度の温度に加熱した状態で、モールド金型
１０のポットからランナー及び流入ゲートを通してキャ
ビティ１１内に熱硬化性樹脂を加圧注入して樹脂封止体
７を形成する。この工程において、樹脂封止体７及び放
熱体１はモールド金型１０の加熱によって１７０〜１８
０［℃］程度の温度に加熱される。つまり、樹脂封止体
７及び放熱体１は、１７０〜１８０［℃］に加熱され、
その後、常温まで冷却される。また、この工程におい
て、放熱体１の裏面１Ｂ側の周辺部(段差１Ｃ)に樹脂を
溜め込むことができるので、放熱体１の裏面１Ｂとキャ
ビティ１１の内壁面との間には樹脂が流れ込まない。
【００４４】次に、前記モールド金型１０からリードフ
レーム４を取り出し、その後、リードフレーム４の枠体
４Ｄからアウターリード４Ｂを切断すると共に、タイバ
ー４Ｃを切断し、その後、アウターリード４Ｂをガルウ
ィング形状に成形することにより、図１及び図２に示す
樹脂封止型半導体装置がほぼ完成する。
【００４５】この後、樹脂封止型半導体装置は、製品完
成後の環境試験である温度サイクル試験が施され、製品
として出荷される。製品として出荷された樹脂封止型半
導体装置は実装基板の実装面上に実装される。
【００４６】本発明者等は、前述の製造方法で製造した
樹脂封止型半導体装置のパッケージ(放熱体１及び樹脂
封止体７)の反りについて測定したところ、４０［μ
ｍ］の反りであった。また、放熱体の材料をアルミニウ
ム材に変えた場合の樹脂封止型半導体装置のパッケージ
の反りについて測定したところ、１００［μｍ］の反り
であった。即ち、放熱体１の材料を、樹脂封止体７を熱
膨張係数と同一若しくはそれと近値した材料で構成する
ことにより、樹脂封止体７と放熱体１との熱膨張係数の
差に起因する熱応力を緩和でき、樹脂封止体７及び放熱
体１に生じる反り、歪み等の変形を抑制することができ
る。
【００４７】このように、本実施形態によれば、以下の
効果が得られる。
【００４８】（１）放熱体１を樹脂封止体７の樹脂の熱
膨張係数と同一若しくはそれと近値した熱膨張係数を有
する材料で構成することにより、樹脂封止体７をトラン
スファモールド法で形成する際、樹脂封止体７、放熱体
１の夫々がモールド金型１０の加熱温度（例えば１７０
〜１８０［℃］）から常温まで冷却されても、樹脂封止
体７と放熱体１との熱膨張係数の差に起因する熱応力を
緩和でき、樹脂封止体７及び放熱体１に生じる反り、歪
み等の変形を抑制することができるので、樹脂封止型半
導体装置の平坦性を高めることができる。
【００４９】また、樹脂封止型半導体装置の平坦性を高
めることができるので、実装基板の実装面上に樹脂封止
型半導体装置を実装する際、実装基板の電極パッドと樹
脂封止型半導体装置のアウターリードとの接続不良を抑
制できる。
【００５０】（２）放熱体１をＳｉＣの含有率が４０
［重量％］のアルミシリコンカーバイト(Ａｌ／ＳｉＣ)
材で構成することにより、銅材で構成された放熱体に比
べて放熱体を軽くすることができるので、樹脂封止型半
導体装置の製造プロセス中の搬送工程において、リード
フレーム４から放熱体１が脱落する不具合を防止でき
る。
【００５１】（３）放熱体１の裏面１Ｂ側の周辺部をそ
の中央部よりも一段低くすることにより、樹脂封止体７
をトランスファモールド法で形成する際、放熱体１の裏
面１Ｂ側の周辺部に樹脂を溜め込むことができるので、
放熱体１の裏面１Ｂとキャビティ１１の内壁面との間に
は樹脂が流れ込まない。この結果、放熱体１の裏面１Ｂ
に発生するバリを抑制することができるので、樹脂封止
型半導体装置の歩留まりを高めることができる。
【００５２】（実施形態２）本発明の実施形態２である
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図７(断面図)に示
す。
【００５３】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、前
述の実施形態１と同様に、チップ塔載面１Ａに半導体チ
ップ２が固定され、チップ塔載面１Ａと対向する裏面１
Ｂを除くほぼ全体が半導体チップ２を封止する樹脂封止
体７の樹脂で覆われた放熱体１を有する構造で構成され
ている。本実施形態の放熱体１は、第１部材１Ｄ及び第
２部材１Ｅで構成されている。
【００５４】前記第１部材１Ｄには低弾性接着層(図示
せず)を介在して第２部材１Ｅが固定され、第２部材１
Ｅには接着層３を介在して半導体チップ２が固定されて
いる。第１部材１Ｄは、裏面１Ｂを除くほぼ全体が樹脂
封止体７の樹脂で覆われている。このように、放熱体１
を、裏面１Ｂを除くほぼ全体が樹脂封止体７の樹脂で覆
われる第１部材１Ｄと、半導体チップ２が固定される第
２部材１Ｅとで構成することにより、第１部材１Ｄを樹
脂封止体７の熱膨張係数と同一若しくはそれと近値した
熱膨張係数を有する材料で構成することができ、また、
第２部材１Ｅを半導体チップ２の熱膨張係数と同一若し
くはそれと近値した熱膨張係数を有する材料で構成する
ことができるので、熱履歴によって樹脂封止体７の内部
に発生する熱応力を緩和することができる。この結果、
放熱体１を有する樹脂封止型半導体装置の熱に対する信
頼性を高めることができる。
【００５５】（実施形態３）本発明の実施形態３である
樹脂封止型半導体装置の概略構成を図８(断面図)に示
す。
【００５６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、前
述の実施形態１と同様に、チップ塔載面１Ａに半導体チ
ップ２が固定され、チップ塔載面１Ａと対向する裏面１
Ｂを除くほぼ全体が半導体チップ２を封止する樹脂封止
体７の樹脂で覆われた放熱体１を有する構造で構成され
ている。本実施形態の放熱体１は、第１部材１Ｄ、第２
部材１Ｅ及び第３部材１Ｆで構成されている。
【００５７】前記第１部材１Ｄには低弾性接着層(図示
せず)を介在して第２部材１Ｅ及び第３部材１Ｆが固定
され、第２部材１Ｅには接着層３を介在して半導体チッ
プ２が固定され、第３部材１Ｆには絶縁層５を介在して
インナーリード４Ａが固定されている。第１部材１Ｄ
は、裏面１Ｂを除くほぼ全体が樹脂封止体７の樹脂で覆
われている。このように、放熱体１を、裏面１Ｂを除く
ほぼ全体が樹脂封止体７の樹脂で覆われる第１部材１Ｄ
と、半導体チップ２が固定される第２部材１Ｅと、イン
ナーリード４Ａが固定される第３部分１Ｆとで構成する
ことにより、第１部材１Ｄを樹脂封止体７の熱膨張係数
と同一若しくはそれと近値した熱膨張係数を有する材料
で構成することができ、また、第２部材１Ｅを半導体チ
ップ２の熱膨張係数と同一若しくはそれと近値した熱膨
張係数を有する材料で構成することができ、更に、第３
部材１Ｆをインナーリード４Ａの熱膨張係数と同一若し
くはそれと近値する材料で構成することができるので、
熱履歴によって樹脂封止体７の内部に発生する熱応力を
更に緩和することができる。この結果、放熱体１を有す
る樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性を更に高め
ることができる。
【００５８】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【００５９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００６０】本発明によれば、放熱体を有する樹脂封止
型半導体装置の平坦性を高めることができる。
【００６１】本発明によれば、放熱体を有する樹脂封止
型半導体装置の歩留まりを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１である樹脂封止型半導体装
置の平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線の位置で切った断面図であ
る。
【図３】前記樹脂封止型半導体装置の製造に使用される
リードフレームの要部平面図である。
【図４】図３に示すＢ−Ｂ線の位置で切った断面図であ
る。
【図５】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための断面図である。
【図６】前記樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
るための断面図である。
【図７】本発明の実施形態２である樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
【図８】本発明の実施形態２である樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
【符号の説明】
１…放熱体、１Ａ…チップ塔載面、１Ｂ…裏面、１Ｃ…
断差部、１Ｄ…第１部材、１Ｅ…第２部材、１Ｆ…第３
部材、２…半導体チップ、３…接着層、４…リードフレ
ーム、４Ａ…インナーリード、４Ｂ…アウターリード、
４Ｃ…タイバー、４Ｄ…枠体、５…絶縁層、６…ワイ
ヤ、７…樹脂封止体、１０…モールド金型、１０Ａ…上
型、１０Ｂ…下型、１１…キャビティ。
フロントページの続き (72)発明者 萩原 靖久 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 西 邦彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チップ塔載面に半導体チップが固定さ
    れ、前記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体が
    前記半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆われ
    た放熱体を有する樹脂封止型半導体装置であって、前記
    放熱体が、前記樹脂封止体の樹脂の熱膨張係数と同一若
    しくはそれと近値した熱膨張係数を有する材料で構成さ
    れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記放熱体は、アルミシリコンカーバイ
    ト材で構成されていることを特徴とする請求項１に記載
    の樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記放熱体は、ＳｉＣの含有率が４０
    ［重量％］のアルミシリコンカーバイト材で構成されて
    いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導
    体装置。
  4. 【請求項４】 チップ塔載面に半導体チップが固定さ
    れ、前記チップ塔載面と対向する裏面を除くほぼ全体が
    前記半導体チップを封止する樹脂封止体の樹脂で覆われ
    た放熱体を有する樹脂封止型半導体装置であって、前記
    放熱体の裏面側の周辺部がその中央部よりも一段低くな
    っていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP9166781A 1997-06-24 1997-06-24 樹脂封止型半導体装置 Withdrawn JPH1117082A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102117785A (zh) * 2011-01-19 2011-07-06 南通富士通微电子股份有限公司 一种半导体功率器件封装结构
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