JPH0345542B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0345542B2 JPH0345542B2 JP57132553A JP13255382A JPH0345542B2 JP H0345542 B2 JPH0345542 B2 JP H0345542B2 JP 57132553 A JP57132553 A JP 57132553A JP 13255382 A JP13255382 A JP 13255382A JP H0345542 B2 JPH0345542 B2 JP H0345542B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor
- resin
- stage
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体装置に係り、特に樹脂封止型の
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
(b) 技術の背景
樹脂封止型例えば樹脂モールド型半導体集積回
路装置(IC)等に於て、集積度が向上し半導体
チツプが大型化するに伴つて、該半導体チツプ或
るいは半導体チツプステージと樹脂パツケージと
の間に生ずる応力が増大する。そのために半導体
チツプにクラツクが発生して素子特性が劣化した
り、又樹脂パツケージにクラツクが発生して素子
の信頼性が損われるという問題が生じている。
路装置(IC)等に於て、集積度が向上し半導体
チツプが大型化するに伴つて、該半導体チツプ或
るいは半導体チツプステージと樹脂パツケージと
の間に生ずる応力が増大する。そのために半導体
チツプにクラツクが発生して素子特性が劣化した
り、又樹脂パツケージにクラツクが発生して素子
の信頼性が損われるという問題が生じている。
そこで近時、上記クラツクを防止する手法が、
各所に於て検討されている。
各所に於て検討されている。
(c) 従来技術と問題点
上記クラツク防止のために従来からよく用いら
れる手段に、ワイヤ・ボンデイングを終つた半導
体チツプの主面上にシリコーン樹脂を滴下塗布
し、該シリコーン樹脂を所定の条件でキユアし
て、該半導体チツプの主面上に所望の弾力性を有
するシリコーン樹脂膜を形成し、該シリコーン樹
脂膜によつてモールド後半導体チツプと樹脂パツ
ケージとの間に生ずる応力を吸収する方法があ
る。
れる手段に、ワイヤ・ボンデイングを終つた半導
体チツプの主面上にシリコーン樹脂を滴下塗布
し、該シリコーン樹脂を所定の条件でキユアし
て、該半導体チツプの主面上に所望の弾力性を有
するシリコーン樹脂膜を形成し、該シリコーン樹
脂膜によつてモールド後半導体チツプと樹脂パツ
ケージとの間に生ずる応力を吸収する方法があ
る。
しかし、この方法はシリコーン樹脂の滴下塗布
及びキユアの作業が煩雑なため、製造効率が著し
く阻害されるという問題があつた。
及びキユアの作業が煩雑なため、製造効率が著し
く阻害されるという問題があつた。
(d) 発明の目的
本発明の目的は、弾力性を有する樹脂フイルム
を内部応力の吸収体として用いることにより、半
導体チツプ及び樹脂パツケージのクラツク発生を
防止した樹脂成形型半導体装置を提供するにあ
る。
を内部応力の吸収体として用いることにより、半
導体チツプ及び樹脂パツケージのクラツク発生を
防止した樹脂成形型半導体装置を提供するにあ
る。
(e) 発明の構成
即ち本発明は半導体装置に於て、弾力性を有す
る樹脂フイルムが半導体チツプの主面上及び半導
体チツプが取付けられるリードフレームのチツ
プ・ステージの背面上に添着された半導体チツプ
を具備し、樹脂成形されてなり、前記樹脂フイル
ムにより半導体チツプ或るいはチツプ・ステージ
と樹脂パツケージとの間に生ずる応力を吸収させ
たことを特徴とする。
る樹脂フイルムが半導体チツプの主面上及び半導
体チツプが取付けられるリードフレームのチツ
プ・ステージの背面上に添着された半導体チツプ
を具備し、樹脂成形されてなり、前記樹脂フイル
ムにより半導体チツプ或るいはチツプ・ステージ
と樹脂パツケージとの間に生ずる応力を吸収させ
たことを特徴とする。
(f) 発明の実施例
以下、本発明の実施例について図を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の一実施例に於ける要部透視平
面図イ及びA−A′矢視リード端子延出方向断面
図ロである。
面図イ及びA−A′矢視リード端子延出方向断面
図ロである。
本発明の構造を有する半導体ICは、例えば第
1図イ,ロに示すように、通常通りリード・フレ
ームのチツプ・ステージ11上に例えば金−シリ
コンの合金等からなる通常のろう材12によつて
半導体ICチツプ13が固着され、該半導体ICチ
ツプ13のボンデイング・パツド(図示せず)と
リード・フレームのリード端子14とが通常通り
例えば金の細線等のボンデイング・ワイヤ15に
よつて接続されている。
1図イ,ロに示すように、通常通りリード・フレ
ームのチツプ・ステージ11上に例えば金−シリ
コンの合金等からなる通常のろう材12によつて
半導体ICチツプ13が固着され、該半導体ICチ
ツプ13のボンデイング・パツド(図示せず)と
リード・フレームのリード端子14とが通常通り
例えば金の細線等のボンデイング・ワイヤ15に
よつて接続されている。
そして、該半導体ICチツプ13の主面のワイ
ヤ・ボンデイング領域16を除く領域上と、半導
体ICチツプ13が取り付けられるリードフレー
ムのチツプ・ステージ11の背面に、250〔℃〕程
度以上の耐熱性を有し、且つ弾力性を有する厚さ
25〜125〔μm〕程度の樹脂フイルム例えばポリイ
ミド・フイルム17a,17bが、ふつ素樹脂或
るいはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等からなる
熱硬化性接着剤18によつて固着され、該チツ
プ・ステージ11とボンデイング・ワイヤ15が
接続されたリード端子14の先端部とを含む領域
が、通常通りシリコーン或るいはエポキシ等のモ
ールド樹脂からなる樹脂パツケージ19内に成形
封入されてなつている。
ヤ・ボンデイング領域16を除く領域上と、半導
体ICチツプ13が取り付けられるリードフレー
ムのチツプ・ステージ11の背面に、250〔℃〕程
度以上の耐熱性を有し、且つ弾力性を有する厚さ
25〜125〔μm〕程度の樹脂フイルム例えばポリイ
ミド・フイルム17a,17bが、ふつ素樹脂或
るいはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等からなる
熱硬化性接着剤18によつて固着され、該チツ
プ・ステージ11とボンデイング・ワイヤ15が
接続されたリード端子14の先端部とを含む領域
が、通常通りシリコーン或るいはエポキシ等のモ
ールド樹脂からなる樹脂パツケージ19内に成形
封入されてなつている。
上記実施例の構造を有する半導体ICを形成す
るに際しては通常通りダイボンダを用いてリード
フレームのチツプ・ステージ11上に半導体IC
チツプ12をろう付けした後、通常のワイヤボン
ダを用い半導体ICチツプ13のボンデイング・
パツド(図示せず)とリードフレームのリード端
子14のチツプ・ステージ11に向う先端部との
間をボンデイング・ワイヤ15により接続する。
るに際しては通常通りダイボンダを用いてリード
フレームのチツプ・ステージ11上に半導体IC
チツプ12をろう付けした後、通常のワイヤボン
ダを用い半導体ICチツプ13のボンデイング・
パツド(図示せず)とリードフレームのリード端
子14のチツプ・ステージ11に向う先端部との
間をボンデイング・ワイヤ15により接続する。
次いで、例えばテープボンダを用い半導体IC
チツプ13を150〜350〔℃〕程度に加熱した状態
で、該半導体ICチツプ12のワイヤ・ボンデイ
ング領域16の中側領域上に、該領域を殆んど完
全に覆い、且つ前記厚さを有し下面に前記熱硬化
性接着剤18膜を有するポリイミド・フイルム1
7aを熱圧着固定する。そして、リードフレーム
のチツプ・ステージ11の背面にも同様に、ポリ
イミド・フイルム17bを熱圧着固定する。な
お、該熱圧着の時間は1〜5〔秒〕程度である。
チツプ13を150〜350〔℃〕程度に加熱した状態
で、該半導体ICチツプ12のワイヤ・ボンデイ
ング領域16の中側領域上に、該領域を殆んど完
全に覆い、且つ前記厚さを有し下面に前記熱硬化
性接着剤18膜を有するポリイミド・フイルム1
7aを熱圧着固定する。そして、リードフレーム
のチツプ・ステージ11の背面にも同様に、ポリ
イミド・フイルム17bを熱圧着固定する。な
お、該熱圧着の時間は1〜5〔秒〕程度である。
次いで、通常通りトランスフアモールド技術を
用い、半導体ICチツプ13が搭載されたチツプ
ステージ11及びボンデイング・ワイヤ15の接
続されたリード端子14先端部を含む領域を前記
樹脂パツケージ19内に封入する。
用い、半導体ICチツプ13が搭載されたチツプ
ステージ11及びボンデイング・ワイヤ15の接
続されたリード端子14先端部を含む領域を前記
樹脂パツケージ19内に封入する。
該実施例の構造に於ては、ポリイミド・フイル
ム17a,17bによつて半導体ICチツプ13
と樹脂パツケージ19間と、チツプ・ステージ1
1と樹脂パツケージ19間とに生ずる応力の吸収
がなされ、半導体ICチツプ13及び樹脂パツケ
ージ19のクラツクが防止される。
ム17a,17bによつて半導体ICチツプ13
と樹脂パツケージ19間と、チツプ・ステージ1
1と樹脂パツケージ19間とに生ずる応力の吸収
がなされ、半導体ICチツプ13及び樹脂パツケ
ージ19のクラツクが防止される。
以上説明したように本発明の一実施例では、半
導体ICチツプ13の主面と、リードフレームの
チツプ・ステージ11の背面との両方に、ポリイ
ミド・フイルム17a,17bを貼り着けること
により、半導体ICチツプ13に上下から加わる
応力を吸収することができる。
導体ICチツプ13の主面と、リードフレームの
チツプ・ステージ11の背面との両方に、ポリイ
ミド・フイルム17a,17bを貼り着けること
により、半導体ICチツプ13に上下から加わる
応力を吸収することができる。
(g) 発明の効果
以上説明したように本発明の構造を有する樹脂
成形型の半導体装置に於ては、半導体チツプ或る
いはチツプ・ステージと樹脂パツケージとの間に
生ずる応力が、ポリイミド・フイルムによつて吸
収される。そのため例えば−65〜+150〔℃〕程度
の過酷な温度サイクル試験を1000〔サイクル〕程
度行つても、樹脂クラツク等の発生は見られず、
且つ従来構造に比べ効果のばらつきが少ないこと
が確認された。
成形型の半導体装置に於ては、半導体チツプ或る
いはチツプ・ステージと樹脂パツケージとの間に
生ずる応力が、ポリイミド・フイルムによつて吸
収される。そのため例えば−65〜+150〔℃〕程度
の過酷な温度サイクル試験を1000〔サイクル〕程
度行つても、樹脂クラツク等の発生は見られず、
且つ従来構造に比べ効果のばらつきが少ないこと
が確認された。
以上本発明によれば、樹脂成形型半導体装置に
於けるチツプ・クラツク、樹脂クラツク等が防止
され、その信頼性が向上する。又本発明の構造は
テープボンダ等を用い容易に形成でき、樹脂成形
型半導体装置の作業効率向上に有効である。
於けるチツプ・クラツク、樹脂クラツク等が防止
され、その信頼性が向上する。又本発明の構造は
テープボンダ等を用い容易に形成でき、樹脂成形
型半導体装置の作業効率向上に有効である。
第1図は本発明の一実施例に於ける要部透視平
面図イ及びA−A′矢視リード端子延出方向断面
図ロである。 図に於て、11はチツプ・ステージ、12はろ
う材、13は半導体ICチツプ、14はリード端
子、15はボンデイング・ワイヤ、16はワイ
ヤ・ボンデイング領域、17,17a,17bは
ポリイミド・フイルム、18は熱硬化性接着剤、
19は樹脂パツケージを示す。
面図イ及びA−A′矢視リード端子延出方向断面
図ロである。 図に於て、11はチツプ・ステージ、12はろ
う材、13は半導体ICチツプ、14はリード端
子、15はボンデイング・ワイヤ、16はワイ
ヤ・ボンデイング領域、17,17a,17bは
ポリイミド・フイルム、18は熱硬化性接着剤、
19は樹脂パツケージを示す。
Claims (1)
- 1 弾性力を有する樹脂フイルムを半導体チツプ
の主面上、及び半導体チツプが取り付けられるリ
ードフレームのチツプ・ステージの背面上に貼着
し、樹脂封止してなることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57132553A JPS5922349A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57132553A JPS5922349A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5922349A JPS5922349A (ja) | 1984-02-04 |
JPH0345542B2 true JPH0345542B2 (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=15083973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57132553A Granted JPS5922349A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5922349A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4777520A (en) * | 1986-03-27 | 1988-10-11 | Oki Electric Industry Co. Ltd. | Heat-resistant plastic semiconductor device |
JPS63293955A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
US5313102A (en) * | 1989-12-22 | 1994-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device having a polyimide moisture barrier coating |
KR100234824B1 (ko) * | 1991-03-20 | 1999-12-15 | 윌리엄 비. 켐플러 | 반도체 장치 |
JPH08195169A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | カラー陰極線管の蛍光面の形成方法及びカラー陰極線管の蛍光面形成用露光機 |
US11443958B2 (en) | 2019-12-02 | 2022-09-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Semiconductor device and corresponding method |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57132553A patent/JPS5922349A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5922349A (ja) | 1984-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2531382B2 (ja) | ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 | |
JP3332516B2 (ja) | 露出裏面を有する熱強化型半導体デバイスと、その製造方法 | |
KR100268505B1 (ko) | 캐리어 필름 | |
JPH0444347A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0345542B2 (ja) | ||
JP3339881B2 (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP3655338B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
WO1999049512A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe | |
JPH08236560A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JP2005142452A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3642545B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH09330992A (ja) | 半導体装置実装体とその製造方法 | |
JPS63293963A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP4020594B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100214857B1 (ko) | 멀티 칩 패키지 | |
JP2779322B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP2001015633A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0637221A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH1117082A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3145892B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3555790B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH07302863A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6163042A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
JPH05152495A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61240664A (ja) | 半導体装置 |