JP2531382B2 - ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装用パッケージ
構造をもつボールグリッドアレイ半導体装置に関し、特
に、TABボンディング方式にて接続された半導体素子
を有する樹脂封止型のボールグリッドアレイ半導体装置
及びその製法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の電子機器の軽小短薄化の傾向に添
うものとして、また組み立て工程の自動化に適合するも
のとして、電子機器の組み立ては表面実装方式で行うこ
とが主流となってきている。表面実装方式に適合する半
導体装置としては、従来よりQFP(Quad Flat Packag
e)構造のものやSOJ(Small Outline J-leaded Packa
ge)構造のものが広く用いられてきた。而して、これら
の半導体装置は外部リードがパッケージの外周囲に沿っ
て配置されるものであるため、ピン数が増加すると、ピ
ン間のピッチが狭くなり、実装技術の限界を越えてしま
うことになる。
【0003】この難点を克服するものとしてピンを2次
元的に取り出す方式が開発され、実用化されている。そ
の一種にボールグリッドアレイ(ball grid array:BG
A)と呼ばれるパッケージ構造がある。図7は、従来の
樹脂封止型ボールグリッドアレイ半導体装置の断面図で
ある。同図に示されるように、ガラスエポキシ樹脂等か
らなる樹脂基板21とその表面に形成された銅箔のリー
ド22とによりチップキャリア2が形成されており、チ
ップキャリア上に半導体素子1がマウントされている。
【0004】半導体素子1上に形成されたパッドと、チ
ップキャリアのリード22間はAu線のボンディングワ
イヤ8によって接続されている。樹脂基板21の表面に
形成されたリード22は、スルーホール23を介して基
板裏面のリード22に接続されており、基板裏面のリー
ド上には外部端子となる半田バンプ5が形成されてい
る。このようにして、半導体素子1のパッドは半田バン
プ5に接続されている。半導体素子1は、チップ基板2
の表面に形成されたモールド樹脂3によって封止されて
いる。チップキャリア2の裏面には半田バンプの位置を
規定するソルダーマスク4が形成されている。なお、上
述した従来技術は、例えば米国特許第5,216,27
8号明細書等により公知となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型ボールグリッドアレイ半導体装置は、以下の問題点
を有するものであった。第1に、チップキャリアの片側
のみが樹脂封止されているために、封止樹脂とチップキ
ャリアは樹脂の接着力だけで接着されているに過ぎない
ので、表面実装時の加熱によって樹脂内の水分が蒸発し
て膨張し、これにより簡単に基板が剥がれてしまうとい
う欠点があった。この点に関連して、実装前にオーブン
内で乾燥し、乾燥後24時間以内に実装を終えるように
する等の配慮が必要であり、取り扱いが煩雑であった。
第2に、半導体素子は吸湿性の高いチップキャリア上に
直接ボンディングされており、このチップキャリアは封
止されていないので、樹脂基板の吸湿によって半導体素
子が劣化する恐れがあり長期信頼性に乏しいものであっ
た。
【0006】第3の問題点は、従来のボールグリッドア
レイパッケージが金線による接続技術を用いているため
に、半導体素子の電極ピッチとして最小120μmまで
しか対応できず、より狭い電極ピッチの半導体素子を組
み込むことはできなかった。第4に、高温加熱が困難で
かつ軟らかい樹脂基板上のリード(銅箔)にワイヤボン
ディング行うものであるため、接続抵抗が低く信頼性の
高いボンディングが困難であった。
【0007】第5に、電気信号がボンディングワイヤ7
によって樹脂基板上面のリード22に伝播された後、ス
ルーホール23を通し、基板下面のリード22に伝わ
り、その後半田バンプ5を介して実装基板に伝わるの
で、半導体素子から実装基板迄の信号伝達経路が長く、
伝搬遅延時間が長くなり、ノイズも大きくなるという問
題点があった。本発明はこのような従来例の問題点に鑑
みてなされたものであって、その解決すべき課題は、上
述の問題点を一挙に解決しうるボールグリッドアレイパ
ッケージ構造の半導体装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、樹脂基板(21)上に内部リード
部(22a)と外部リード部(22b)とを備えるリー
ド(22)が複数個形成されてなるチップキャリア
(2)と、電極端子(1a)が前記チップキャリアの内
部リード部に接続されている半導体素子(1)と、前記
半導体素子および前記チップキャリアの前記内部リード
部を内包して形成された第1のモールド樹脂層(3a)
と、前記チップキャリアの上面を覆い、前記第1のモー
ルド樹脂層の前記チップキャリアより上の部分の周囲覆
うように形成された第2のモールド樹脂層(3b)と、
前記チップキャリアの前記外部リード部の下面に形成さ
れた金属バンプ(5)と、を有するボールグリッドアレ
イ半導体装置、が提供される。
【0009】また、本発明によれば、 樹脂基板(21)上に内部リード部と外部リード部
とを備えるリード(22)が複数個形成されているチッ
プキャリア(2)の内部リード上に半導体素子(1)の
電極端子を接続する工程と〔図2(a)〕、 前記チップキャリアの外部リード部(22b)を上
下両面よりクランプし、前記半導体素子(1)および前
記チップキャリア(2)の内部リード部(22a)を第
1のモールド樹脂層(3a)にて封止する工程と〔図2
(b)、(c)〕、 前記チップキャリアの下面および前記第1のモール
ド樹脂の下面を金型(103、108)に接触させ、前
記チップキャリアの上面を覆い前記第1のモールド樹脂
層の前記チップキャリアより上の部分の周囲を覆う第2
のモールド樹脂層(3b)を形成する工程と〔図2
(d)、(e)〕、を有するボールグリッドアレイ半導
体装置の製造方法、が提供される。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 [第1の実施例]図1は、本発明の第1の実施例のボー
ルグリッドアレイ半導体装置の断面図である。同図に示
されるように、半導体素子1が搭載されるチップキャリ
ア2は、ポリイミドテープまたはガラスエポキシからな
る樹脂基板21と銅箔のリード22とから構成されてい
る。リード22の内部リード22a上にフェースダウン
の方式にて半導体素子のバンプ1aがボンディングされ
ている。リード22の外部リード22b部には、ソルダ
ーマスク4が形成されており、外部リード22bのソル
ダーマスクで覆われていない部分に半田バンプ5が形成
されている。この半田バンプ5は、Pb/Sn共晶合金
により形成してもよいが、高温半田を用いることもでき
る。
【0011】半導体素子1およびこれがボンディングさ
れている内部リード22aは、完全に第1のモールド樹
脂3aによって包囲されている。そして、第1のモール
ド樹脂3aのチップキャリア2より上の部分は第2のモ
ールド樹脂3bによって被覆されている。この第2のモ
ールド樹脂3bを設ける主目的は、チップキャリア2の
機械的強度を補強するとともに外部リード部の平坦性を
確保することである。したがって、第2のモールド樹脂
3bによって、第1のモールド樹脂3aの上面を覆わな
いようにすることもできる。
【0012】このように構成された半導体装置では、半
導体素子が第1のモールド樹脂内に収容されたため半導
体素子に対する耐湿性は格段に向上している。また、チ
ップキャリアの内部リードの部分は、第1のモールド樹
脂によって上下面が被覆されているため、モールド樹脂
からの剥離が起こり難くなっている。この剥離問題は、
この部分のチップキャリアの吸湿性が抑制されているこ
とにより一層改善されている。従来例では、オーブン中
での乾燥後24時間以内に実装を完了しなければならな
かったが、本実施例の場合、乾燥後72時間経過後の実
装によっても内部リード部での剥離は認められなかっ
た。
【0013】次に、図2を参照して図1に示した本発明
の第1の実施例の製造方法について説明する。なお、図
2(a)〜(e)は、第1の実施例の製造工程を順に示
した工程断面図である。ポリイミド等からなる樹脂基板
21にパンチングにより予めデバイスホール21aを開
孔し、これに銅箔を貼着する。この銅箔をフォトエッチ
ング法によりパターニングして、内部リード22a、外
部リード22bを有するリード22を形成する。続い
て、チップキャリアの下側表面に、後に半田バンプが形
成される個所に開孔を有するソルダーマスク4を形成
し、内部リード部および半田バンプのランド部に錫(S
n)または金(Au)をメッキを施してチップキャリア
2の作製を完了する。
【0014】次に、Auのバンプ1aを有する半導体素
子1を、一括ボンディング法(gangbonding method)に
よりチップキャリアの内部リード22aに接続する〔図
2(a)〕。 この一括ボンディング法を採用すること
によりワイヤボンディング法に比較してボンディング時
間を短縮することができる。この効果はピン数の増加に
従って顕著になる。
【0015】次に、半導体素子1のボンディングされた
チップキャリア2をトランスファモールド装置の金型内
に配置する。すなわち、第1の下金型101と第1の上
金型102間にチップキャリア2を配置し、チップキャ
リアの外部リード部を両金型によってクランプする〔図
2(b)〕。この状態で金型キャビティ内に溶融樹脂を
流し込み第1回目の樹脂封止を行う。封止樹脂として
は、クレゾール・ノボラック系のエポキシ樹脂を用い、
硬化剤としてフェノール・ノボラック系樹脂を使用し
た。また、フィラーには、放熱性向上のためにシリカを
用いた。
【0016】樹脂の硬化後、モールド装置より取り出す
と、半導体素子が第1のモールド樹脂3aにて封止され
た半導体装置が得られる〔図2(c)〕。続いて、この
半導体装置を第2の下金型103、第2の上金型104
を有するトランスファ・モールド装置内に配置し、型締
めを行ってチップキャリア2の外周部を第2の上金型1
04でクランプするとともに第1のモールド樹脂3aの
下面およびチップキャリア2の下面を第2の下金型10
3に密着させる〔図2(d)〕。
【0017】この状態で溶融樹脂を流し込み第2回目の
樹脂封止を行う。封止樹脂としては第1回目の材料と同
等のものを用いた。樹脂の硬化後、モールド装置より取
り出すと、半導体素子が第1のモールド樹脂3a、第2
のモールド樹脂3bにて2重に封止された半導体装置が
得られる〔図2(e)〕。さらに、この半導体装置を数
時間加熱してモールド樹脂のキュアを行った後、外部リ
ード22b上に半田バンプ5を形成すれば、図1に示さ
れる本実施例の半導体装置が得られる。半田バンプ5
は、半田ボールの半田付けやディスポーザによる溶融半
田の滴下等の方法により形成することができる。なお、
上記実施例では、第1のモールド樹脂と第2のモールド
樹脂とを同じ材料により形成していたが、異なる材料を
用いて形成するようにしてもよい。その場合にも、熱膨
張係数が大きく異なることのないようにする必要があ
る。
【0018】本発明による半導体装置は2回の樹脂封止
工程を経て形成されるが、このようにする理由は、図2
(e)に示す形状の半導体装置を図3に示すように下金
型109、上金型110を用いて1回の樹脂封止工程に
より得ようとした場合、樹脂が外部リード22bの下面
に回り込んで、ここに樹脂バリ3′が形成されてしまう
ので、これを避けるためである。すなわち、上述のよう
に2段階封止法を採用することにより、半導体素子1の
素子形成面にチップキャリアの下面より突き出す厚さの
樹脂層を形成することができるとともにチップキャリア
の半田バンプ形成面に樹脂バリが形成されることのない
ようにすることができる。
【0019】[第2の実施例]図4は、本発明の第2の
実施例の半導体装置の断面図である。図4において、図
1の第1の実施例の部分と同等の部分には同一の参照番
号が付せられているので重複する説明は省略するが、本
実施例においては、半導体素子1の素子形成面と反対側
の面にヒートスプレッダ6が接着されている。ヒートス
プレッダ6の上面は大気中に露出されており、半導体素
子からの発熱はこのヒートスプレッダを介して大気中に
放出される。
【0020】また、本実施例においては、ソルダーマス
ク4がチップキャリア2の上面側にも形成されている。
このチップキャリアの表面に塗付されたソルダーマスク
は、チップキャリア2と第1のモールド樹脂および第2
のモールド樹脂との界面の応力を吸収する効果があり、
さらに化学的に安定で接着性の低いポリイミドテープと
モールド樹脂との間に介在して密着性を高める効果があ
る。
【0021】ヒートスプレッダ6の側面には突起6aが
形成されている。この突起は、第1のモールド樹脂3a
とヒートスプレッダとの結合を強化するとともに、水分
の侵入経路を長くして、ヒートスプレッダの樹脂界面を
経由する水分の侵入を防止するべく設けられたものであ
る。図示した例では突起6aは1個のみであったがこれ
を複数個設けるようにしてもよい。この実施例では、ヒ
ートスプレッダ6の上面が外部に露出しているが、より
耐湿性が求められる半導体装置においてはヒートスプレ
ッダをモールド樹脂中に埋設するようにしてもよい。
【0022】次に、図5を参照して図4に示した本発明
の第2の実施例の製造方法について説明する。なお、図
5(a)〜(d)は、第2の実施例の製造工程を工程順
に示した工程断面図である。まず、内部リード部および
半田バンプ形成領域を除く上下面にソルダーマスク4を
形成したチップキャリア2を用意し、第1の実施例の場
合と同様の方法により、チップキャリア2の内部リード
に半導体装置1のバンプをボンディングする。次に、ヒ
ートスプレッダ6に銀ペースト7を塗布し、チップキャ
リアを反転させて半導体素子の裏面をヒートスプレッダ
上に載置し、銀ペーストのキュアを行う〔図5
(a)〕。
【0023】次に、ヒートスプレッダ6の貼着された半
導体素子1を保持するチップキャリア2をトランスファ
モールド装置の金型内に、ヒートスプレッダ6を下にし
て配置する。すなわち、第1の下金型105と第1の上
金型106間にチップキャリア2を配置し、チップキャ
リアの外部リード部を両金型によってクランプし、ヒー
トスプレッダの表面を第1の下金型105の内面に密着
させる〔図5(b)〕。この状態で溶融樹脂をキャビテ
ィ内に流し込み第1回目の樹脂封止を行う。
【0024】樹脂の硬化後、モールド装置より取り出す
と、ヒートスプレッダ6の表面が外部に露出し、半導体
素子が第1のモールド樹脂3aにて封止された半導体装
置が得られる〔図5(c)〕。続いて、この半導体装置
を第2の下金型107、第2の上金型108を有するト
ランスファ・モールド装置内に配置し、型締めを行っ
て、第1のモールド樹脂3aの下面(図では上側になっ
ている)およびチップキャリア2の外部リード22b側
の面を第2の上金型108の内面に密着させるとともに
チップキャリア2の外周部およびヒートスプレッダ6の
外表面を第2の上金型107でクランプする〔図5
(d)〕。
【0025】この状態で金型のキャビティ内に溶融樹脂
を流し込み第2回目の樹脂封止を行なう。樹脂の硬化
後、モールド装置より取り出すと、第1のモールド樹脂
3a、第2のモールド樹脂3bにて2重に封止された半
導体装置が得られる。続いて、この半導体装置を数時間
加熱してモールド樹脂のキュアを行った後、外部リード
22b上に半田バンプ5を形成すれば、図4に示される
本実施例の半導体装置が得られる。
【0026】[第3の実施例]図6は、本発明の第3の
実施例を示す断面図である。同図において、図1に示さ
れた第1の実施例の部分と対応する部分には同一の参照
番号が付せられているので重複する説明は省略するが、
本実施例においては、樹脂基板21の表面側にも配線が
施され、表裏両面のリード22はスルーホール23によ
り接続されている。これにより、第1の実施例の場合よ
りも高密度配線が可能となり、また配線の自由度を大き
く確保することが可能になる。
【0027】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本願発
明の要旨を変更しない範囲内において各種の変更が可能
である。例えば、半田バンプ5に代え、半田メッキの施
されたCu球のような金属ボールを用いてもよく、ま
た、半導体素子のバンプもAuバンプに代え、半田バン
プとすることができる。さらに、バンプレスの半導体素
子を用い、Alパッドに直接TABボンディングを行っ
てAl/Cu合金による接続を行ってもよい。この場
合、チップキャリアの内部リード部にはCuスタッドを
形成しておくことが望ましい。また、第1回目の樹脂封
止工程に先立って、半導体素子の素子形成面にポッティ
ング樹脂膜を形成しておくようにしてもよい。
【0028】そして、本発明は、請求項の記載に関連し
て、さらに次の態様をとりうるものである。 [請求項a] 前記第2のモールド樹脂層が前記第1の
モールド樹脂層の上表面を覆っていることを特徴とする
請求項1記載のボールグリッドアレイ半導体装置。 [請求項b] 前記樹脂基板にはデバイスホールが形成
されており、前記半導体素子が該デバイスホール内に配
置されていることを特徴とする請求項1記載のボールグ
リッドアレイ半導体装置。 [請求項c] 前記ヒートスプレッダの上表面が外部に
露出していることを特徴とする請求項4記載のボールグ
リッドアレイ半導体装置。 [請求項d] 前記ヒートスプレッダが側面に1乃至複
数個の突起を有していることを特徴とする請求項4記載
のボールグリッドアレイ半導体装置。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるボー
ルグリッドアレイ半導体装置は、TABテープ上に搭載
された半導体素子を第1、第2のモールド樹脂を用いて
封止したものであるので、以下の効果を奏することがで
きる。 (a)チップキャリア(TABテープ)を第1のモール
ド樹脂にて上下面より挟んでいるので、チップキャリア
とモールド樹脂との密着性が向上し、樹脂基板の吸湿性
が抑制される。特に、実装時には、これら2つの効果の
相乗作用により基板剥離を防止することができる。
【0030】(b)半導体素子の接続にTABボンディ
ング法を用いたことにより、半導体素子の電極ピッチを
従来の120μmから半分の60μmに縮小することが
可能になり、半導体素子面積を縮小することが、あるい
は半導体素子をより高密度化することが可能となる。ま
た、TABテープの接続方式を採用しているので、樹脂
基板上の配線にワイヤボンディングを行うことによるボ
ンディング不良の発生を回避することができ半導体装置
の信頼性を高めることができる。 (c)単層のリードをもつチップキャリアを用いる場合
には、半導体素子の電極と実装基板上の端子とをほぼ最
短距離で接続することが可能となり、信号伝搬遅延時間
が短く、ノイズの低い半導体装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置の断面図。
【図2】本発明の第1の実施例の半導体装置の製造方法
を説明するための工程断面図。
【図3】本発明による半導体装置の製造方法の効果を説
明するための断面図。
【図4】本発明の第2の実施例の半導体装置の断面図。
【図5】本発明の第2の実施例の半導体装置の製造方法
を説明するための工程断面図。
【図6】本発明の第3の実施例の半導体装置の断面図。
【図7】従来例の断面図。
【符号の説明】
1 半導体素子 1a バンプ 2 チップキャリア 21 樹脂基板 21a デバイスホール 22 リード 22a 内部リード 22b 外部リード 23 スルーホール 3 モールド樹脂 3′ 樹脂バリ 3a 第1のモールド樹脂 3b 第2のモールド樹脂 4 ソルダーマスク 5 半田バンプ 6 ヒートスプレッダ 6a 突起 7 銀ペースト 8 ボンディングワイヤ 101、105 第1の下金型 102、106 第1の上金型 103、107 第2の下金型 104、108 第2の上金型 109 封止用下金型 110 封止用上金型

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂基板上に内部リード部と外部リード
    部とを備えるリードが複数個形成されてなるチップキャ
    リアと、 電極端子が前記チップキャリアの内部リード部に接続さ
    れている半導体素子と、 前記半導体素子および前記チップキャリアの前記内部リ
    ード部を内包して形成された第1のモールド樹脂層と、 前記チップキャリアの上面を覆い、前記第1のモールド
    樹脂層の前記チップキャリアより上の部分の周囲覆うよ
    うに形成された第2のモールド樹脂層と、 前記チップキャリアの前記外部リード部の下面に形成さ
    れた金属バンプと、を有することを特徴とするボールグ
    リッドアレイ半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記金属バンプの下面が前記第1のモー
    ルド樹脂層の下面より突出していることを特徴とする請
    求項1記載のボールグリッドアレイ半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記チップキャリアの表面には、前記金
    属バンプの形成領域を規定するソルダーマスクが形成さ
    れていることを特徴とする請求項1記載のボールグリッ
    ドアレイ半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記半導体素子上にヒートスプレッダが
    固着されていることを特徴とする請求項1記載のボール
    グリッドアレイ半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記リードが前記樹脂基板の両面に形成
    されていることを特徴とする請求項1記載のボールグリ
    ッドアレイ半導体装置。
  6. 【請求項6】 (1)樹脂基板上に内部リード部と外部
    リード部とを備えるリードが複数個形成されているチッ
    プキャリアの内部リード部上に半導体素子の電極端子を
    接続する工程と、 (2)前記チップキャリアの外部リード部を上下両面よ
    りクランプし、前記半導体素子および前記チップキャリ
    アの内部リード部を第1のモールド樹脂層にて封止する
    工程と、 (3)前記チップキャリアの下面および前記第1のモー
    ルド樹脂の下面を金型に接触させ、前記チップキャリア
    の上面を覆い前記第1のモールド樹脂層の前記チップキ
    ャリアより上の部分の周囲を覆う第2のモールド樹脂層
    を形成する工程と、を有することを特徴とするボールグ
    リッドアレイ半導体装置の製造方法。
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DE69529698T DE69529698T2 (de) 1994-05-26 1995-05-23 Einkapselung eines Halbleiterbauelementes mit hoher Feuchtigkeitsfestigkeit
KR1019950013221A KR0152700B1 (ko) 1994-05-26 1995-05-25 고방습 가능한 반도체 장치와 그 제조방법
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Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3007497B2 (ja) * 1992-11-11 2000-02-07 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置、その製造方法、及びその実装方法
JP2531382B2 (ja) * 1994-05-26 1996-09-04 日本電気株式会社 ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法
USRE39426E1 (en) 1996-06-19 2006-12-12 International Business Machines Corporation Thermally enhanced flip chip package and method of forming
US6881611B1 (en) 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
EP1189271A3 (en) * 1996-07-12 2003-07-16 Fujitsu Limited Wiring boards and mounting of semiconductor devices thereon
EP0886313A4 (en) * 1996-12-04 2001-02-28 Shinko Electric Ind Co RESIN SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURE OF SUCH DEVICE
JP3671563B2 (ja) * 1996-12-09 2005-07-13 株式会社デンソー モールドicをケースに固定した構造の半導体装置
JP3032964B2 (ja) * 1996-12-30 2000-04-17 アナムインダストリアル株式会社 ボールグリッドアレイ半導体のパッケージ及び製造方法
JP3398004B2 (ja) * 1997-03-24 2003-04-21 ローム株式会社 パッケージ型半導体装置の構造
JPH10294418A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH10321631A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR19990005515A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 윤종용 금형을 이용한 씨오비(cob) 패키지 제조 방법
WO1999016132A2 (de) * 1997-09-22 1999-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum herstellen eines kunststoffverbundkörpers sowie kunststoffverbundkörper
JPH11219984A (ja) * 1997-11-06 1999-08-10 Sharp Corp 半導体装置パッケージおよびその製造方法ならびにそのための回路基板
KR100246366B1 (ko) * 1997-12-04 2000-03-15 김영환 에리어 어레이형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP3087709B2 (ja) * 1997-12-08 2000-09-11 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH11260863A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用接続端子とその製造方法
TW469611B (en) * 1998-03-12 2001-12-21 Delta Electronics Inc Packaging method for electronic device
JPH11283593A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Mitsumi Electric Co Ltd 電池パック
JP3648053B2 (ja) 1998-04-30 2005-05-18 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6329709B1 (en) * 1998-05-11 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Interconnections for a semiconductor device
US6190945B1 (en) * 1998-05-21 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Integrated heat sink
KR100266693B1 (ko) * 1998-05-30 2000-09-15 김영환 적층가능한 비지에이 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
KR100266698B1 (ko) * 1998-06-12 2000-09-15 김영환 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법
JP2000068436A (ja) * 1998-08-18 2000-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置用フレーム
US6515355B1 (en) * 1998-09-02 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Passivation layer for packaged integrated circuits
US6008074A (en) * 1998-10-01 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method of forming a synchronous-link dynamic random access memory edge-mounted device
CN1196495C (zh) * 1999-04-30 2005-04-13 宾夕法尼亚大学理事会 突变的人cd80及其制备和应用组合物和方法
US6274397B1 (en) * 1999-06-01 2001-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method to preserve the testing chip for package's quality
JP3277996B2 (ja) * 1999-06-07 2002-04-22 日本電気株式会社 回路装置、その製造方法
US6122171A (en) * 1999-07-30 2000-09-19 Micron Technology, Inc. Heat sink chip package and method of making
US6700210B1 (en) 1999-12-06 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Electronic assemblies containing bow resistant semiconductor packages
US6384487B1 (en) * 1999-12-06 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Bow resistant plastic semiconductor package and method of fabrication
FR2805392B1 (fr) * 2000-02-17 2003-08-08 Bull Sa Boitier de circuit integre surmoule
JP2002009097A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
US6818968B1 (en) * 2000-10-12 2004-11-16 Altera Corporation Integrated circuit package and process for forming the same
US6645794B2 (en) 2000-10-18 2003-11-11 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding
US6367544B1 (en) * 2000-11-21 2002-04-09 Thermal Corp. Thermal jacket for reducing condensation and method for making same
JP3619773B2 (ja) 2000-12-20 2005-02-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6462273B1 (en) * 2001-03-16 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor card and method of fabrication
US6444501B1 (en) * 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
JP2003133484A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Tokai Rika Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4166997B2 (ja) * 2002-03-29 2008-10-15 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置
JP2003332578A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
CN100413060C (zh) * 2003-09-04 2008-08-20 松下电器产业株式会社 半导体装置
US7017655B2 (en) 2003-12-18 2006-03-28 Modine Manufacturing Co. Forced fluid heat sink
KR100540848B1 (ko) * 2004-01-02 2006-01-11 주식회사 메디아나전자 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
US20050275081A1 (en) * 2004-06-12 2005-12-15 Roger Chang Embedded chip semiconductor having dual electronic connection faces
US20090097222A1 (en) * 2004-06-25 2009-04-16 Wilfried Babutzka Electrical Subassembly Comprising a Protective Sheathing
US7429799B1 (en) 2005-07-27 2008-09-30 Amkor Technology, Inc. Land patterns for a semiconductor stacking structure and method therefor
WO2007046771A1 (en) * 2005-10-19 2007-04-26 Infineon Technologies Ag Method of forming component package
US7435625B2 (en) * 2005-10-24 2008-10-14 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device with reduced package cross-talk and loss
JP5428123B2 (ja) * 2006-08-16 2014-02-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4293563B2 (ja) * 2006-11-28 2009-07-08 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び半導体パッケージ
JP5234884B2 (ja) * 2006-12-20 2013-07-10 住友重機械工業株式会社 樹脂封止金型
DE102007008464B4 (de) * 2007-02-19 2012-01-05 Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh Optischer Dehnungsmessstreifen
US9466545B1 (en) 2007-02-21 2016-10-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package in package
FR2919756B1 (fr) * 2007-07-31 2009-11-20 Tacchini Ets Procede de protection d'un composant electronique.
US7868471B2 (en) * 2007-09-13 2011-01-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package-in-package system with leads
US9059074B2 (en) * 2008-03-26 2015-06-16 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with planar interconnect
DE102009008738A1 (de) 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE102009002519A1 (de) * 2009-04-21 2010-10-28 Robert Bosch Gmbh Gekapselte Schaltungsvorrichtung für Substrate mit Absorptionsschicht sowie Verfahren zu Herstellung derselben
JP5718720B2 (ja) * 2011-02-22 2015-05-13 アピックヤマダ株式会社 Rfidタグ、非接触給電アンテナ部品、それらの製造方法、及び金型
US9673162B2 (en) * 2012-09-13 2017-06-06 Nxp Usa, Inc. High power semiconductor package subsystems
DE102012222679A1 (de) * 2012-12-10 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schaltmoduls und eines zugehörigen Gittermoduls sowie ein zugehöriges Gittermodul und korrespondierende elektronische Baugruppe
CN104392969A (zh) * 2014-10-13 2015-03-04 华东光电集成器件研究所 一种多芯片集成电路抗冲击封装结构
DE102015102535B4 (de) 2015-02-23 2023-08-03 Infineon Technologies Ag Verbundsystem und Verfahren zum haftenden Verbinden eines hygroskopischen Materials
US10319657B2 (en) * 2015-03-27 2019-06-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Circuit package having a plurality of epoxy mold compounds with different compositions
KR20160141278A (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR20160140247A (ko) * 2015-05-29 2016-12-07 삼성전기주식회사 패키지 기판
US10438864B2 (en) * 2015-08-21 2019-10-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Circuit packages comprising epoxy mold compounds and methods of compression molding
JP6640003B2 (ja) * 2016-04-05 2020-02-05 Towa株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
KR20210158587A (ko) * 2020-06-24 2021-12-31 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4026008A (en) * 1972-10-02 1977-05-31 Signetics Corporation Semiconductor lead structure and assembly and method for fabricating same
JPS5796559A (en) * 1980-12-09 1982-06-15 Nec Corp Semiconductor device
US4396936A (en) * 1980-12-29 1983-08-02 Honeywell Information Systems, Inc. Integrated circuit chip package with improved cooling means
JPS57130437A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Citizen Watch Co Ltd Sealing method of ic
JPS59148343A (ja) * 1983-02-15 1984-08-25 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JPS6171649A (ja) * 1984-09-17 1986-04-12 Seiko Instr & Electronics Ltd Icパツケ−ジ
FI76220C (fi) * 1984-09-17 1988-09-09 Elkotrade Ag Foerfarande foer inkapsling av pao ett baerarband anordnade halvledarkomponenter.
US5090609A (en) * 1989-04-28 1992-02-25 Hitachi, Ltd. Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals
JPH0373559A (ja) * 1989-08-15 1991-03-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US5202288A (en) * 1990-06-01 1993-04-13 Robert Bosch Gmbh Method of manufacturing an electronic circuit component incorporating a heat sink
JPH0462865A (ja) * 1990-06-25 1992-02-27 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5847467A (en) * 1990-08-31 1998-12-08 Texas Instruments Incorporated Device packaging using heat spreaders and assisted deposition of wire bonds
US5105259A (en) * 1990-09-28 1992-04-14 Motorola, Inc. Thermally enhanced semiconductor device utilizing a vacuum to ultimately enhance thermal dissipation
US5216278A (en) 1990-12-04 1993-06-01 Motorola, Inc. Semiconductor device having a pad array carrier package
JP2982450B2 (ja) * 1991-11-26 1999-11-22 日本電気株式会社 フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法
KR100280762B1 (ko) * 1992-11-03 2001-03-02 비센트 비.인그라시아 노출 후부를 갖는 열적 강화된 반도체 장치 및 그 제조방법
TW258829B (ja) * 1994-01-28 1995-10-01 Ibm
JP2531382B2 (ja) * 1994-05-26 1996-09-04 日本電気株式会社 ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法

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