JP3398004B2 - パッケージ型半導体装置の構造 - Google Patents
パッケージ型半導体装置の構造Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの部
分を、合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成る
いわゆるパッケージ型半導体装置の構造に関するもので
ある。
分を、合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成る
いわゆるパッケージ型半導体装置の構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置においては、表面に
各種回路素子の複数個又は多数個を形成した半導体チッ
プの部分を、エポキシ樹脂等の熱硬化性合成樹脂製のモ
ールド部にてパッケージしていることは周知の通りであ
る。
各種回路素子の複数個又は多数個を形成した半導体チッ
プの部分を、エポキシ樹脂等の熱硬化性合成樹脂製のモ
ールド部にてパッケージしていることは周知の通りであ
る。
【０００３】ところで、前記半導体チップの部分をパッ
ケージするモールド部は、従来から良く知られているよ
うに、半導体チップの部分を、一対の金型の合わせ面に
凹み形成したキャビティーにて密閉し、このキャビティ
ー内に、合成樹脂を溶融状態で高い圧力で注入したの
ち、冷却・硬化すると言うトランファ成形法によって成
形している。
ケージするモールド部は、従来から良く知られているよ
うに、半導体チップの部分を、一対の金型の合わせ面に
凹み形成したキャビティーにて密閉し、このキャビティ
ー内に、合成樹脂を溶融状態で高い圧力で注入したの
ち、冷却・硬化すると言うトランファ成形法によって成
形している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記モールド部は、前
記したように、一対の金型におけるキャビティー内に、
合成樹脂を溶融状態で高い圧力で注入したのち冷却・硬
化すると言うトラスファ成形法によって成形するもので
あることにより、このモールド部にてパッケージされる
半導体チップには、溶融合成樹脂をキャビティー内に注
入するときの圧力による外力、及び、合成樹脂が溶融状
態から硬化するときの収縮に伴って発生する外力、並び
に、モールド部と半導体チップとの間における熱膨張差
によって発生する外力が作用することになる。
記したように、一対の金型におけるキャビティー内に、
合成樹脂を溶融状態で高い圧力で注入したのち冷却・硬
化すると言うトラスファ成形法によって成形するもので
あることにより、このモールド部にてパッケージされる
半導体チップには、溶融合成樹脂をキャビティー内に注
入するときの圧力による外力、及び、合成樹脂が溶融状
態から硬化するときの収縮に伴って発生する外力、並び
に、モールド部と半導体チップとの間における熱膨張差
によって発生する外力が作用することになる。
【０００５】その結果、前記モールド部に亀裂が発生し
たり、或いは、半導体チップに欠けが発生したりする問
題があるばかりか、このモールド部の材料である合成樹
脂にその機械的強度等を高めることのために混合されて
いるフィラー粒子が、前記した外力によって、半導体チ
ップの表面に形成されている各種の回路素子の部分に対
して直接的に食い込むことになるから、半導体チップに
おける回路素子を破損するおそれが大きいと言う問題も
あった。
たり、或いは、半導体チップに欠けが発生したりする問
題があるばかりか、このモールド部の材料である合成樹
脂にその機械的強度等を高めることのために混合されて
いるフィラー粒子が、前記した外力によって、半導体チ
ップの表面に形成されている各種の回路素子の部分に対
して直接的に食い込むことになるから、半導体チップに
おける回路素子を破損するおそれが大きいと言う問題も
あった。
【０００６】本発明は、これらの問題を解消することを
技術的課題とするものである。
技術的課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「表面に各種の回路素子と、ワイヤボ
ンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チ
ップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケー
ジして成る半導体装置において、前記半導体チップにお
ける表面に、軟質フィルムを、半導体チップの表面にお
ける回路素子の部分を覆い、前記各ワイヤボンディング
接続用パッドを覆うことがないように貼着する一方、前
記各ワイヤボンディング接続用パッド及びこれに接続し
た金属線の部分を、前記モールド部を構成する熱硬化性
合成樹脂にて被覆した。」と言う構成にした。
るため本発明は、「表面に各種の回路素子と、ワイヤボ
ンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チ
ップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケー
ジして成る半導体装置において、前記半導体チップにお
ける表面に、軟質フィルムを、半導体チップの表面にお
ける回路素子の部分を覆い、前記各ワイヤボンディング
接続用パッドを覆うことがないように貼着する一方、前
記各ワイヤボンディング接続用パッド及びこれに接続し
た金属線の部分を、前記モールド部を構成する熱硬化性
合成樹脂にて被覆した。」と言う構成にした。
【０００８】
【発明の作用・効果】このように構成することにより、
モールド部を成形するとき、及びモールド部を成形した
後において半導体チップに対して作用する外力を、前記
軟質フィルムの弾性変形によって緩和することができる
から、モールド部に亀裂が発生したり、半導体チップに
欠けが発生したりすることを確実に低減できるのであ
る。
モールド部を成形するとき、及びモールド部を成形した
後において半導体チップに対して作用する外力を、前記
軟質フィルムの弾性変形によって緩和することができる
から、モールド部に亀裂が発生したり、半導体チップに
欠けが発生したりすることを確実に低減できるのであ
る。
【０００９】しかも、前記モールド部の材料である合成
樹脂に混合されているフィラー粒子が半導体チップにお
ける回路素子に対して直接的に食い込むことを、前記軟
質フィルムにて阻止できるから、モールド部の材料であ
る合成樹脂に混合されているフィラー粒子のために半導
体チップにおける回路素子を損傷することをも確実に低
減できるのである。
樹脂に混合されているフィラー粒子が半導体チップにお
ける回路素子に対して直接的に食い込むことを、前記軟
質フィルムにて阻止できるから、モールド部の材料であ
る合成樹脂に混合されているフィラー粒子のために半導
体チップにおける回路素子を損傷することをも確実に低
減できるのである。
【００１０】ところで、前記半導体チップに対して作用
する外力を、軟質フィルムの弾性変形によって緩和する
ことをより確実するには、前記軟質フィルムをより軟質
のものにすれば良いが、軟質フィルムをより軟質のもの
すれば、モールド部の材料である合成樹脂に混合されて
いるフィラー粒子が半導体チップにおける回路素子に対
して食い込むことを当該軟質フィルムにて阻止すること
の効果が低下する。
する外力を、軟質フィルムの弾性変形によって緩和する
ことをより確実するには、前記軟質フィルムをより軟質
のものにすれば良いが、軟質フィルムをより軟質のもの
すれば、モールド部の材料である合成樹脂に混合されて
いるフィラー粒子が半導体チップにおける回路素子に対
して食い込むことを当該軟質フィルムにて阻止すること
の効果が低下する。
【００１１】これに対して、本発明は、「請求項２」に
記載したように、「表面に各種の回路素子と、ワイヤボ
ンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チ
ップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケー
ジして成る半導体装置において、前記半導体チップにお
ける表面に、粉末粒子を混合した軟質フィルムを、半導
体チップの表面における回路素子の部分を覆い、前記各
ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないよう
に貼着する一方、前記各ワイヤボンディング接続用パッ
ド及びこれに接続した金属線の部分を、前記モールド部
を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆した。」ことを提
案するものである。
記載したように、「表面に各種の回路素子と、ワイヤボ
ンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チ
ップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケー
ジして成る半導体装置において、前記半導体チップにお
ける表面に、粉末粒子を混合した軟質フィルムを、半導
体チップの表面における回路素子の部分を覆い、前記各
ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないよう
に貼着する一方、前記各ワイヤボンディング接続用パッ
ド及びこれに接続した金属線の部分を、前記モールド部
を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆した。」ことを提
案するものである。
【００１２】このように、軟質フィルムに粉末粒子を混
合することにより、モールド部の材料である合成樹脂に
混合されているフィラー粒子が当該軟質フィルムに食い
込んだとき、この軟質フィルムに混入されている粉末粒
子のうち前記フィラー粒子が食い込む付近のものが互い
に密接するように一体化して、前記フィラー粒子の前記
以上の食い込みを確実に阻止することができる。
合することにより、モールド部の材料である合成樹脂に
混合されているフィラー粒子が当該軟質フィルムに食い
込んだとき、この軟質フィルムに混入されている粉末粒
子のうち前記フィラー粒子が食い込む付近のものが互い
に密接するように一体化して、前記フィラー粒子の前記
以上の食い込みを確実に阻止することができる。
【００１３】すなわち、「請求項２」によると、軟質フ
ィルムを、当該軟質フィルムに対するフィラー粒子の食
い込みを確実に防止できる形態のもとで、より軟質のも
のにすることができるから、前記した効果を更に助長で
きる効果を有する。
ィルムを、当該軟質フィルムに対するフィラー粒子の食
い込みを確実に防止できる形態のもとで、より軟質のも
のにすることができるから、前記した効果を更に助長で
きる効果を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１及び図２の図面について説明する。
１及び図２の図面について説明する。
【００１５】この図において、符号１は、半導体チップ
を示し、この半導体チップ１の上面には、点線で示す中
心領域１ａの部分に各種の回路素子が、その周囲の部分
に多数個のワイヤボンディング接続用パッド１ｂが形成
されている。
を示し、この半導体チップ１の上面には、点線で示す中
心領域１ａの部分に各種の回路素子が、その周囲の部分
に多数個のワイヤボンディング接続用パッド１ｂが形成
されている。
【００１６】この半導体チップ１の上面に、シリコン等
の軟質合成樹脂製の軟質フィルム２を、前記回路素子の
部分を覆い、前記各ワイヤボンディング接続用パッド１
ｂを 覆うことがないように貼着する。
の軟質合成樹脂製の軟質フィルム２を、前記回路素子の
部分を覆い、前記各ワイヤボンディング接続用パッド１
ｂを 覆うことがないように貼着する。
【００１７】そして、この半導体チップ１を、リードフ
レーム３におけるチップマウント部３ａにダイボンディ
ングしたのち、その各ワイヤボンディング接続用パッド
１ｂと、リードフレーム３における各リード端子３ｂと
の間の各々を細い金属線４にてワイヤボンディングす
る。
レーム３におけるチップマウント部３ａにダイボンディ
ングしたのち、その各ワイヤボンディング接続用パッド
１ｂと、リードフレーム３における各リード端子３ｂと
の間の各々を細い金属線４にてワイヤボンディングす
る。
【００１８】次いで、前記リードフレーム３を、上下一
対の金型（図示せず）に挟み付けることにより、前記半
導体チップ１及び金属線４の部分を、両金型の合わせ面
に凹み形成したキャビティー（図示せず）にて密閉し、
このキャビティー内に、熱硬化性合成樹脂を溶融状態で
高い圧力で注入したのち、冷却・硬化すると言うトラン
ファ成形法によって、モールド部５を成形する。
対の金型（図示せず）に挟み付けることにより、前記半
導体チップ１及び金属線４の部分を、両金型の合わせ面
に凹み形成したキャビティー（図示せず）にて密閉し、
このキャビティー内に、熱硬化性合成樹脂を溶融状態で
高い圧力で注入したのち、冷却・硬化すると言うトラン
ファ成形法によって、モールド部５を成形する。
【００１９】このモールド部５の成形に際しては、前記
各各ワイヤボンディング接続用パッド１ｂ及びこれに接
続した金属線４を、前記モールド部５を構成する熱硬化
性合成樹脂によって被覆するようにする。
各各ワイヤボンディング接続用パッド１ｂ及びこれに接
続した金属線４を、前記モールド部５を構成する熱硬化
性合成樹脂によって被覆するようにする。
【００２０】前記半導体チップ１の上面に貼着した軟質
フィルム２は、モールド部５を成形するとき、及びモー
ルド部５を成形した後において半導体チップ１に対して
作用する外力を、当該軟質フィルム２の弾性変形によっ
て緩和すると言う作用を行うと共に、前記モールド部５
の材料である合成樹脂に混合されているフィラー粒子が
半導体チップ１における回路素子に対して直接的に食い
込むことを阻止する作用を行うのである。
フィルム２は、モールド部５を成形するとき、及びモー
ルド部５を成形した後において半導体チップ１に対して
作用する外力を、当該軟質フィルム２の弾性変形によっ
て緩和すると言う作用を行うと共に、前記モールド部５
の材料である合成樹脂に混合されているフィラー粒子が
半導体チップ１における回路素子に対して直接的に食い
込むことを阻止する作用を行うのである。
【００２１】この場合において、前記軟質フィルム２と
して、粉末粒子を混合した軟質フィルムを使用すること
により、モールド部５の材料である合成樹脂に混合され
ているフィラー粒子が当該軟質フィルムに食い込んだと
き、この軟質フィルムに混入されている粉末粒子のうち
前記フィラー粒子が食い込む付近のものが互いに密接す
るように一体化して、前記フィラー粒子の前記以上の食
い込みを確実に阻止するから、軟質フィルムを、当該軟
質フィルムに対するフィラー粒子の食い込みを確実に防
止できる形態のもとで、より軟質のものにすることがで
きるのである。
して、粉末粒子を混合した軟質フィルムを使用すること
により、モールド部５の材料である合成樹脂に混合され
ているフィラー粒子が当該軟質フィルムに食い込んだと
き、この軟質フィルムに混入されている粉末粒子のうち
前記フィラー粒子が食い込む付近のものが互いに密接す
るように一体化して、前記フィラー粒子の前記以上の食
い込みを確実に阻止するから、軟質フィルムを、当該軟
質フィルムに対するフィラー粒子の食い込みを確実に防
止できる形態のもとで、より軟質のものにすることがで
きるのである。
【図１】本発明の実施形態による半導体装置の縦断正面
図である。
図である。
【図２】半導体チップの斜視図である。
１ 半導体チップ
１ｂ 接続用パッド
２ 軟質フィルム
３ リードフレーム
４ 金属線
５ モールド部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−107156（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−107050（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−24650（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−334106（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−64240（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】表面に各種の回路素子と、ワイヤボンディ
ング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チップ
を、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケージし
て成る半導体装置において、 前記半導体チップにおける表面に、軟質フィルムを、半
導体チップの表面における回路素子の部分を覆い、前記
各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないよ
うに貼着する一方、前記各ワイヤボンディング接続用パ
ッド及びこれに接続した金属線の部分を、前記モールド
部を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆したことを特徴
とするパッケージ型半導体装置の構造。 - 【請求項２】表面に各種の回路素子と、ワイヤボンディ
ング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チップ
を、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケージし
て成る半導体装置において、 前記半導体チップにおける表面に、粉末粒子を混合した
軟質フィルムを、半導体チップの表面における回路素子
の部分を覆い、前記各ワイヤボンディング接続用パッド
を覆うことがないように貼着する一方、前記各ワイヤボ
ンディング接続用パッド及びこれに接続した金属線の部
分を、前記モールド部を構成する熱硬化性合成樹脂にて
被覆したことを特徴とするパッケージ型半導体装置の構
造。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06932497A JP3398004B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | パッケージ型半導体装置の構造 |
| US09/046,412 US6046506A (en) | 1997-03-24 | 1998-03-23 | Semiconductor device with package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06932497A JP3398004B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | パッケージ型半導体装置の構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270606A JPH10270606A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3398004B2 true JP3398004B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=13399269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06932497A Expired - Lifetime JP3398004B2 (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | パッケージ型半導体装置の構造 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6046506A (ja) |
| JP (1) | JP3398004B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3737333B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2006-01-18 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| WO2003044858A2 (en) * | 2001-11-23 | 2003-05-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of enveloping an integrated circuit |
| DE102004020173B4 (de) * | 2004-04-24 | 2014-02-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikrostrukturiertes Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines mikrostrukturierten Bauelements |
| JP2006100752A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| JP2008078555A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009130271A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2011100718A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-05-19 | Yazaki Corp | コネクタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5966157A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| AU8519891A (en) * | 1990-08-01 | 1992-03-02 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus |
| JP2613128B2 (ja) * | 1990-10-01 | 1997-05-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5406117A (en) * | 1993-12-09 | 1995-04-11 | Dlugokecki; Joseph J. | Radiation shielding for integrated circuit devices using reconstructed plastic packages |
| JP2531382B2 (ja) * | 1994-05-26 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | ボ―ルグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法 |
| JPH07335790A (ja) * | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 半導体素子保護用組成物および半導体装置 |
-
1997
- 1997-03-24 JP JP06932497A patent/JP3398004B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-23 US US09/046,412 patent/US6046506A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10270606A (ja) | 1998-10-09 |
| US6046506A (en) | 2000-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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