JP2004087673A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止する。
【解決手段】同一の厚さを有する複数個の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載されており、これら半導体チップ10、20の間が、1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたボンディングワイヤ30によって結線され、さらに全体が樹脂40にて封止されている。ここで、ワイヤ30における第2ボンディング部32側となるチップ搭載部52の方が、第1ボンディング部31側となるチップ搭載部51よりも、当該ワイヤ30のループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいる。
【選択図】 図1
【解決手段】同一の厚さを有する複数個の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載されており、これら半導体チップ10、20の間が、1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたボンディングワイヤ30によって結線され、さらに全体が樹脂40にて封止されている。ここで、ワイヤ30における第2ボンディング部32側となるチップ搭載部52の方が、第1ボンディング部31側となるチップ搭載部51よりも、当該ワイヤ30のループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ボンディングワイヤにて結線された同一の厚さを有する複数個の半導体チップを樹脂にて封止してなるマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置において、小型化、部品点数の削減、高機能化といったニーズがある。これに対しては、各機能を有するICチップを一つのチップに集積化することが最も効果的である。
【0003】
しかし、チップの組合せによってはマイナス面も大きい。例えば、CPUチップとメモリチップとの組合せでは、チップ製造プロセスに時間がかかることや、1チップ化のための開発コストが大きいことから、半導体装置のコストがアップするというデメリットがある。
【0004】
このようなケースでは、複数個の半導体チップを樹脂にてモールドして一つのパッケージに収納するとともに、パッケージ内にて各半導体チップをボンディングワイヤにて結線するマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置が採用される。
【0005】
このマルチチップパッケージは、1チップ毎に製造すれば良いのでチップ製造プロセスがシンプルであることや、既存のICチップを活用できることなど、チップの製造、開発コストが抑えられるという点でメリットが大きい。すなわち、マルチチップパッケージは、半導体装置における小型化、部品点数削減を低コストで実現できるため、大変有望視されている。
【0006】
この種のマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置の一般的な断面構成を図5に示す。同一の厚さを有する複数個(図5では2個)の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載されており、半導体チップ10、20の間がボンディングワイヤ30によって結線されており、これらのものが樹脂40で包み込まれるように封止されている。
【0007】
このような半導体装置の一般的な製造方法を図6(a)、(b)、(c)を参照して述べる。図6において、(a)は下型に半導体装置を設置した状態での概略上面図、(b)は(a)中のB−B概略断面図、(c)は(b)に対応した断面にて樹脂40を注入していく状態を示す概略断面図である。
【0008】
図6(a)、(b)における半導体装置は、樹脂封止前のものであり、二つの半導体チップ10、20をそれぞれ、リードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載し、各チップ10、20間およびチップ10、20とリードフレーム50のリード部55とをボンディングワイヤ30、35により結線し一体化したものである。
【0009】
この図6に示す例においては、金型(型装置)100は、上型110と下型120とを合致させたものであり、それによって形成されたキャビティ130内には、上記半導体装置が配置される。そして、金型100に形成された樹脂溜まりとしてのポット101から延びたランナー102の先端に、キャビティ130に樹脂40を注入するためのゲート103が形成されている。
【0010】
そして、図6(c)に示すように、ポット101内の溶融状態の樹脂40がプランジャー104によりポット101から押し出され、ランナー102を流れることにより、ゲート103からキャビティ130へ樹脂40が注入され充填される。こうして、キャビティ130を樹脂40にて充填した後、樹脂40を硬化させることで、半導体装置が樹脂40で封止された樹脂封止型半導体装置ができあがる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者の検討によれば、上記樹脂封止型半導体装置においては、次のような問題が生じることを見出した。
【0012】
各半導体チップ10、20間を結線するボンディングワイヤ30を形成するためのワイヤボンディング方法としては、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行う方法が一般的である。
【0013】
このワイヤボンディング方法を図7に示しておく。まず、図7(a)に示す様に、ボンディング装置におけるキャピラリ200の内部に挿入されたワイヤ30において、キャピラリ200の先端から導出された部分の先端に、放電加工によりボール部(イニシャルボール)30aを形成する。
【0014】
次に、このボール部30aを第1ボンディング面である第1の半導体チップ10のパッド11に押し当てて、熱及び超音波振動を加えながら接合し、第1ボンディングを行う(図7(b))。その後、図7(c)の破線矢印に示すように、ワイヤ30を、キャピラリ200の先端から繰り出して上記パッド11との接合部(第1ボンディング部)31から第2ボンディング面である第2の半導体チップ20のパッド21まで引き回す。
【0015】
次に、第2の半導体チップ20のパッド21まで引き回されたワイヤ30を、キャピラリ200の先端面にて当該パッド21に押しつけて、熱及び超音波振動を加えながら接合し、第2ボンディングを行う(図7(d))。
【0016】
そして、図7(e)の矢印に示す順に、キャピラリ200を上方へ移動させ、第2ボンディング部32からワイヤ30を切り離す。このとき、キャピラリ200の先端からは、ワイヤ30が突出してテール部30bとして残り、このテール部30bに再び上記同様に放電加工を行い、上記ボール部30aを形成する。こうして、ワイヤボンディングの1サイクルが完了し、次のサイクルを行う。
【0017】
このようなワイヤボンディングを行った結果形成されたワイヤ30は、上記図5および図6(b)、(c)に示すように、第1の半導体チップ10側の第1ボンディング部31近傍では、ワイヤ30はほぼ直角に近い角度で立ち上がっているが、第2の半導体チップ20側の第2ボンディング部32近傍では、ワイヤ30は寝た形となっておりチップ20に近づいたものとなっている。
【0018】
このようなボンディングワイヤ30の形状では、次のような問題が生じる。図8は、図6(b)に示す樹脂封止前の半導体装置おける第2ボンディング部32近傍のワイヤ30の形状を拡大して示す図である。
【0019】
図8に示す例では、第2の半導体チップ20のパッド21の上には、第2ボンディング部の接合寿命の確保とパッド21の下部のダメージ(例えば、酸化膜クラック等)を回避するため、予め第2ボンディング面であるパッド21の表面に金等からなる金属バンプ32aを形成し、この金属バンプ32a上に第2ボンディングを行っている。
【0020】
このように、チップ10、20間を結線するボンディングワイヤ30が、第2ボンディング部32近傍にて立ち上がっておらず、その立ち上がり角度θが小さい(例えば十数°)ため、ワイヤ30とチップ20とのギャップG2が小さいものとなる。
【0021】
ここで、従来では、上記図6(c)に示すように樹脂40が流れる。そのため、図8中の矢印Y2に示すように、樹脂40が流れ、このような形状のボンディングワイヤ30に対しては、流れてくる樹脂40によって図8中の矢印F2に示すように、第2ボンディング部32近傍のワイヤ部分をチップ20方向へ押さえる力が加わり、ワイヤ30がチップ20のエッジ20aに接することが起こりうる。
【0022】
チップ20の表面は絶縁性の保護膜22で被覆されているが、チップ20のエッジ20aはダイシングカットされた部位であり、この部分にワイヤ30が接触すると、ワイヤ30とチップ20との間で電気的な短絡が発生する可能性が高い。
【0023】
なお、このようなチップ10、20間を結線するボンディングワイヤ30において、第1ボンディング部近傍のワイヤ部分は、上述したように、直角に近い角度で立ち上がっており、チップとも十分に離れているため、上記第2ボンディング側のような問題は生じない。
【0024】
このように、本発明者は、従来のマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置において、チップ間を結線するボンディングワイヤでは、第2ボンディング部近傍におけるワイヤ部分がチップに接触し、電気的な短絡が発生しやすくなるという新たな問題を見出した。
【0025】
ここで、第2ボンディング側の半導体チップの厚さを薄くして、第2ボンディング面の位置を低くすることで、第2ボンディング側のワイヤの立ち上がり角度を大きくすることも考えられるが、チップを薄くするための工程が必要となり、コストアップする。
【0026】
本発明は、上記したような本発明者が新たに見出した問題に鑑みてなされたものであり、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止できるようにすることを目的とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、同一の厚さを有する複数個の半導体チップ(10、20)のそれぞれがリードフレーム(50)のチップ搭載部(51、52)に搭載されており、複数個の半導体チップの間がボンディングワイヤ(30)によって結線されており、複数個の半導体チップ、リードフレーム、およびボンディングワイヤが樹脂(40)で包み込まれるように封止されてなり、ボンディングワイヤは、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたものである樹脂封止型半導体装置において、ボンディングワイヤにおける第2ボンディング部(32)側となるチップ搭載部(52)の方が、当該ボンディングワイヤにおける第1ボンディング部(31)側となるチップ搭載部(51)よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいることを特徴とする。
【0028】
それによれば、半導体チップ間を結線するボンディングワイヤにおいて第2ボンディング部側となるチップ搭載部の方が、第1ボンディング部側となるチップ搭載部よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいるため、同一の厚さの半導体チップを用いても、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなる。
【0029】
そのため、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなった分、上記ボンディングワイヤの第2ボンディング部側にて、ワイヤとチップ面との間隔(角度)を大きくできる。そして、樹脂封止の際に、樹脂によって第2ボンディング部近傍のワイヤが押されても、ワイヤがチップに接触しにくくできる。
【0030】
なお、チップ間を結線するボンディングワイヤにおいて、第1ボンディング部近傍のワイヤ部分は、上述したようにボールボンディング法によって直角に近い角度で立ち上がるため、第1ボンディング部側のチップ面が高くなったとしても、チップとワイヤとの距離を十分に確保でき、接触しないようにできる。
【0031】
よって、本発明によれば、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0032】
請求項2に記載の発明では、同一の厚さを有する複数個の半導体チップ(10、20)のそれぞれがリードフレーム(50)のチップ搭載部(51、52)にダイボンド材(60)を介して搭載されており、複数個の半導体チップの間がボンディングワイヤ(30)によって結線されており、複数個の半導体チップ、リードフレーム、およびボンディングワイヤが樹脂(40)で包み込まれるように封止されてなり、ボンディングワイヤは、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたものである樹脂封止型半導体装置において、ボンディングワイヤの第1ボンディング部(31)側となる半導体チップ(10)は、ダイボンド材としてスペーサ(61)が混入されたものを用いてチップ搭載部(51)に搭載されることによって、当該ボンディングワイヤの第2ボンディング部(32)側となる半導体チップ(20)よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向へ出っ張っていることを特徴とする。
【0033】
それによれば、半導体チップ間を結線するボンディングワイヤの第1ボンディング部側となる半導体チップを、ダイボンド材としてスペーサが混入されたものを用いてチップ搭載部に搭載しているため、このスペーサによって、ダイボンド材の厚さを厚くすることができる。
【0034】
そして、スペーサによってダイボンド材を厚くした分、ボンディングワイヤの第1ボンディング部側の半導体チップを、第2ボンディング部側の半導体チップよりも、ボンディングワイヤのループ突出方向へ出っ張らせることができる。
【0035】
このことは、つまり、上記請求項1の発明と同様、同一の厚さの半導体チップを用いても、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなることである。
【0036】
そのため、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなった分、上記ボンディングワイヤの第2ボンディング部側にて、ワイヤとチップ面との間隔(角度)を大きくできる。そして、樹脂封止の際に、樹脂によって第2ボンディング部近傍のワイヤが押されても、ワイヤがチップに接触しにくくできる。
【0037】
よって、本発明によっても、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0038】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態相互において互いに同一の部分には、図中、同一符号を付してある。
【0040】
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態に係る樹脂封止型半導体装置S1の概略断面構成を示す図であり、図2は図1中の上視平面図であり、樹脂40を透過した状態を示してある。
【0041】
このものは、大きくは、同一の厚さを有する複数個(図示例では2個)の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載され、これら半導体チップ10、20間がボンディングワイヤ30によって結線されており、これら半導体チップ10、20、リードフレーム50、およびボンディングワイヤ30が樹脂40で包み込まれるように封止されてなるものである。
【0042】
半導体チップ10、20は、例えば機能の異なるICチップからなり、同じ厚さ(例えば0.4mm)の矩形板状のシリコンチップからなる。これら半導体チップ10、20はそれぞれ、リードフレーム50のチップ搭載部であるダイベッド51、52上に搭載され、導電性接着剤等のダイボンド材(図示せず)を介して固定されている。
【0043】
そして、各半導体チップ10、20を結線するボンディングワイヤとしてのチップ間ワイヤ30は、図1、図2における左側の半導体チップ10を第1ボンディング側、右側の半導体チップ20を第2ボンディング側として、第1ボンディングをボールボンディング法、第2ボンディングをウェッジボンディング法にて行うワイヤボンディングによって形成されている。
【0044】
ここで、図1、図2中の左側に位置し第1ボンディングされるチップ10を第1の半導体チップ10とし、右側に位置し第2ボンディングされるチップ20を第2の半導体チップ20とする。なお、半導体チップは2個ではなく、3個以上でも良い。
【0045】
つまり、チップ間ワイヤ30は、上記図7に示すワイヤボンディング方法にて形成されている。そして、図1には、チップ間ワイヤ30と第1の半導体チップ10との接続部31すなわち第1ボンディング部31、および、チップ間ワイヤ30と第2の半導体チップ20との接続部32すなわち第2ボンディング部32が示されている。
【0046】
ここで、図3は、図1における第2ボンディング部32近傍のチップ間ワイヤ30の形状を拡大して示す図である。
【0047】
図3に示す例では、第2の半導体チップ20のパッド21の上には、予め第2ボンディング面であるパッド21の表面に金等からなる金属バンプ32aを形成し、この金属バンプ32a上に第2ボンディングを行っている。また、第2の半導体チップ20の表面には、シリコン窒化膜等からなる保護膜22が形成されている。
【0048】
この金属バンプ32aは、第2ボンディング部32の接合寿命の確保とパッド21の下部のダメージ(例えば、酸化膜クラック等)を回避するために形成されたものであり、ボールボンド法で作ることができ、その厚さtは例えば10〜30μm程度にすることができる。なお、この金属バンプ32aは無くても良い。
【0049】
また、図2に示すように、第1および第2の半導体チップ10、20は、リードフレーム50のリード部55ともボンディングワイヤ35によって結線されている。また、上記したチップ間ワイヤ30およびボンディングワイヤ35は、金やアルミニウム等のワイヤを用いて形成されている。
【0050】
次に、半導体チップ10、20およびボンディングワイヤ30、35を包み込むように封止する樹脂40は、エポキシ樹脂等の通常のモールド用樹脂材料からなる。この樹脂40は、リードフレーム50のダイベッド51、52およびリード部55の一部も封止している。
【0051】
この樹脂40は、各ボンディングワイヤ30、35によって結線された複数個の半導体チップ10、20およびリードフレーム50を、型装置のキャビティ内に設置してゲートから溶融状態の樹脂を注入、充填して硬化させることで形成されるものである。
【0052】
ここで、リードフレーム50のリード部55のうち樹脂40にて封止された部位がインナーリード、樹脂40から突出する部位がアウターリードであり、アウターリードにて外部基板との接続がなされる。このようなリードフレーム50は銅等の公知のリードフレーム材料を用いて形成され、本例では板厚0.2mm程度のものにできる。
【0053】
そして、本実施形態では、リードフレーム50において、次のような独自の構成を採用している。チップ搭載部である各ダイベッド51、52には、吊りリード53が連結されているが、この吊りリード53は、後述する樹脂封止前の半導体装置においてダイベッド51、52を図示しないリードフレームの枠部等に一体に連結しておくためのものである。
【0054】
ここで、このダイベッド51、52において、チップ間ワイヤ30における第1ボンディング部31側となるダイベッドすなわち第1の半導体チップ10を搭載するダイベッド51を第1のダイベッド51とし、チップ間ワイヤ30における第2ボンディング部32側となるダイベッドすなわち第2の半導体チップ20を搭載するダイベッド52を第2のダイベッド52とする。
【0055】
そして、図1に示すように、これら第1のダイベッド(第1のチップ搭載部)51および第2のダイベッド(第2のチップ搭載部)52のうち、第2ボンディング側である第2のダイベッド52の方が、第1ボンディング側である第1のダイベッド51よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいる。
【0056】
具体的には、図1に示すように、第2のダイベッド52側のディプレス52aを、第1のダイベッド51側のディプレス51aよりも深くなるように、、第2のダイベッド52側の吊りリード53を第1のダイベッド51側の吊りリード53よりも深く曲げる。第2のダイベッド52の引っ込み段差D1は例えば0.2mm程度にできる。このようなリードフレーム50はプレス加工により容易に形成可能である。
【0057】
このように、チップ間ワイヤ30において第2ボンディング部32側となる第2のダイベッド52の方が、第1ボンディング部31側となるダイベッド51よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいるため、同一の厚さの半導体チップ10、20を用いても、第2ボンディング部32側である第2の半導体チップ20のチップ面の方が低くなる。
【0058】
そのため、第2の半導体チップ20のチップ面の方が低くなった分、チップ間ワイヤ30においては、第2ボンディング部32側にてワイヤ30とチップ面との間隔(角度)を大きくできる。
【0059】
例えば、チップ間ワイヤ30において、そのワイヤ長さW(第1ボンディング部と第2ボンディング部間の距離、図1参照)を2mm、ループ高さh(図1参照)を0.3mmとし、上記引っ込み段差D1を0.2mmとした場合、図3に示す第2ボンディング部側の立ち上がり角度θは27°程度である。
【0060】
ちなみに、上記図5に示した従来の樹脂封止型半導体装置では、本実施形態のような引っ込み段差は0であり、両ダイベッド51、52は同一面上であるがゆえ、同じ厚さの両半導体チップ10、20のチップ面も同一面上に位置する。このような従来のものでは、チップ間ワイヤ30における第2ボンディング部側の立ち上がり角度θ(上記図8参照)は16°程度と小さい。
【0061】
上記図1〜図3に示す本実施形態の樹脂封止型半導体装置S1は、上記図6を参照して示した従来の製造方法と同様の方法にて製造することができる。具体的には、上記図6中における樹脂封止前の半導体装置を、本実施形態の樹脂封止型半導体装置S1における樹脂封止前のものに置き換えれば良い。
【0062】
すなわち、二つの半導体チップ10、20をそれぞれ、リードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載し、各チップ10、20間およびチップ10、20とリードフレーム50のリード部55とをボンディングワイヤ30、35により結線し一体化したものを、金型のキャビティ内に設置する。
【0063】
その後、溶融状態の樹脂40をゲートからキャビティへ注入し、キャビティを樹脂40にて充填した後、樹脂40を硬化させることで、本実施形態の樹脂封止型半導体装置S1ができあがる。
【0064】
ここにおいて、本実施形態では、第2の半導体チップ20のチップ面の方を第1の半導体チップ10のチップ面よりも低くすることで、チップ間ワイヤ30において、第2ボンディング部32側にてワイヤ30とチップ面との間隔(角度)を大きくしている。そのため、樹脂封止工程の際に、樹脂40によって第2ボンディング部32近傍のワイヤ30が押されても、ワイヤ30がチップ20に接触しにくくできる。
【0065】
よって、本実施形態によれば、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0066】
なお、上記引っ込み段差D1は、チップ間ワイヤ30のワイヤ長さ、パッケージ構造やパッケージ材料等により必要な値は異なるが、上記の効果を発揮するには0.1mm以上が好ましい。また、第1および第2のダイベッド51、52同士はつながっていても良く、その場合にはダイベッド同士の継ぎ目でディプレスを設ければよい。
【0067】
そして、このような引っ込み段差D1を有する本実施形態のリードフレーム50は、プレス加工の型を調整してリードフレーム50のディプレス51a、52aを制御することにより容易に実現できるため、実質的なコストアップを伴わないという利点がある。
【0068】
(第2実施形態)
図4は本発明の第2実施形態に係る樹脂封止型半導体装置S2の概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
【0069】
本実施形態でも、同一の厚さを有する複数個の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52にダイボンド材を介して搭載されている。ここで、図4では、第1の半導体チップ10側にてダイボンド材60を図示している。
【0070】
また、本実施形態では、チップ間ワイヤ30における第1ボンディング側となり第1のダイベッド51と、第2ボンディング側となる第2のダイベッド52とは同じ高さとなっている。
【0071】
そして、本実施形態独自の構成として、チップ間ワイヤ30の第1ボンディング部31側となる第1の半導体チップ10を、ダイボンド材60としてスペーサ61が混入されたものを用いて第1のダイベッド(第1のチップ搭載部)51に搭載している。それによって、第1の半導体チップ10を第2の半導体チップ20よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向へ出っ張らせている。
【0072】
両半導体チップ10、20を接着するダイボンド材は、導電性接着剤や絶縁性の無機や有機の接着剤等を採用できるが、第1の半導体チップ10側のダイボンド材60には、さらに、シリコーン樹脂やシリカあるいは金属粒子等からなるスペーサ61を混入させている。
【0073】
本実施形態によれば、第1ボンディング部31側となる第1の半導体チップ10側においては、ダイボンド材60中のスペーサ61によって、ダイボンド材60の厚さを厚く確保することができる。
【0074】
そして、スペーサ61によってダイボンド材60を厚くした分、第1の半導体チップ10を第2の半導体チップ20よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向へ出っ張らせることができる。
【0075】
つまり、図4に示すように、本実施形態においても、上記第1実施形態と同様、同一の厚さの半導体チップ10、20を用いても、第2ボンディング部32側である第2の半導体チップ20のチップ面の方が第1の半導体チップ10のチップ面よりも低くなる。このときも、上記第1実施形態における引っ込み段差と同様に、0.1mm以上低くすることが好ましく、例えば0.2mm低くしたものにできる。
【0076】
そのため、上記第1実施形態と同様、チップ間ワイヤ30の第2ボンディング部32側にて、ワイヤ30とチップ面との間隔(角度)を大きくできる。そして、樹脂封止の際に、樹脂40によって第2ボンディング部32近傍のワイヤ30が押されても、ワイヤ30がチップ20に接触しにくくできる。
【0077】
よって、本実施形態によっても、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0078】
なお、本実施形態は、第1の半導体チップ10を、ダイボンド材60としてスペーサ61が混入されたものを用いて第1のダイベッド51に搭載することによって、第2の半導体チップ20よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向へ出っ張らせるものであり、第2の半導体チップ20の搭載にもスペーサが混入されたダイボンド材を用いることを除外するものではない。
【0079】
この場合、第2の半導体チップ20の搭載に用いるダイボンド材に混入されたスペーサは、第1の半導体チップ10のダイボンド材60におけるスペーサ61よりもサイズの小さいものとすれば良い。それにより、本実施形態の効果が損なわれることなく発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の概略断面図である。
【図2】図1中の上視平面図である。
【図3】図1における第2ボンディング部近傍のチップ間ワイヤの形状を拡大して示す図である。
【図4】本発明の第2実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の概略断面図である。
【図5】従来の樹脂封止型半導体装置の一般的な断面構成図である。
【図6】従来の一般的な樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す図である。
【図7】半導体チップ間のワイヤボンディング方法を示す図である。
【図8】図6における第2ボンディング部近傍のワイヤ形状を拡大して示す図である。
【符号の説明】
10…第1の半導体チップ、20…第2の半導体チップ、
30…チップ間ワイヤ、31…第1ボンディング部、
32…第2ボンディング部、40…樹脂、50…リードフレーム、
51…第1のダイベッド、52…第2のダイベッド、60…ダイボンド材、
61…スペーサ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ボンディングワイヤにて結線された同一の厚さを有する複数個の半導体チップを樹脂にて封止してなるマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置において、小型化、部品点数の削減、高機能化といったニーズがある。これに対しては、各機能を有するICチップを一つのチップに集積化することが最も効果的である。
【0003】
しかし、チップの組合せによってはマイナス面も大きい。例えば、CPUチップとメモリチップとの組合せでは、チップ製造プロセスに時間がかかることや、1チップ化のための開発コストが大きいことから、半導体装置のコストがアップするというデメリットがある。
【0004】
このようなケースでは、複数個の半導体チップを樹脂にてモールドして一つのパッケージに収納するとともに、パッケージ内にて各半導体チップをボンディングワイヤにて結線するマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置が採用される。
【0005】
このマルチチップパッケージは、1チップ毎に製造すれば良いのでチップ製造プロセスがシンプルであることや、既存のICチップを活用できることなど、チップの製造、開発コストが抑えられるという点でメリットが大きい。すなわち、マルチチップパッケージは、半導体装置における小型化、部品点数削減を低コストで実現できるため、大変有望視されている。
【0006】
この種のマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置の一般的な断面構成を図5に示す。同一の厚さを有する複数個(図5では2個)の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載されており、半導体チップ10、20の間がボンディングワイヤ30によって結線されており、これらのものが樹脂40で包み込まれるように封止されている。
【0007】
このような半導体装置の一般的な製造方法を図6(a)、(b)、(c)を参照して述べる。図6において、(a)は下型に半導体装置を設置した状態での概略上面図、(b)は(a)中のB−B概略断面図、(c)は(b)に対応した断面にて樹脂40を注入していく状態を示す概略断面図である。
【0008】
図6(a)、(b)における半導体装置は、樹脂封止前のものであり、二つの半導体チップ10、20をそれぞれ、リードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載し、各チップ10、20間およびチップ10、20とリードフレーム50のリード部55とをボンディングワイヤ30、35により結線し一体化したものである。
【0009】
この図6に示す例においては、金型(型装置)100は、上型110と下型120とを合致させたものであり、それによって形成されたキャビティ130内には、上記半導体装置が配置される。そして、金型100に形成された樹脂溜まりとしてのポット101から延びたランナー102の先端に、キャビティ130に樹脂40を注入するためのゲート103が形成されている。
【0010】
そして、図6(c)に示すように、ポット101内の溶融状態の樹脂40がプランジャー104によりポット101から押し出され、ランナー102を流れることにより、ゲート103からキャビティ130へ樹脂40が注入され充填される。こうして、キャビティ130を樹脂40にて充填した後、樹脂40を硬化させることで、半導体装置が樹脂40で封止された樹脂封止型半導体装置ができあがる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者の検討によれば、上記樹脂封止型半導体装置においては、次のような問題が生じることを見出した。
【0012】
各半導体チップ10、20間を結線するボンディングワイヤ30を形成するためのワイヤボンディング方法としては、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行う方法が一般的である。
【0013】
このワイヤボンディング方法を図7に示しておく。まず、図7(a)に示す様に、ボンディング装置におけるキャピラリ200の内部に挿入されたワイヤ30において、キャピラリ200の先端から導出された部分の先端に、放電加工によりボール部(イニシャルボール)30aを形成する。
【0014】
次に、このボール部30aを第1ボンディング面である第1の半導体チップ10のパッド11に押し当てて、熱及び超音波振動を加えながら接合し、第1ボンディングを行う(図7(b))。その後、図7(c)の破線矢印に示すように、ワイヤ30を、キャピラリ200の先端から繰り出して上記パッド11との接合部(第1ボンディング部)31から第2ボンディング面である第2の半導体チップ20のパッド21まで引き回す。
【0015】
次に、第2の半導体チップ20のパッド21まで引き回されたワイヤ30を、キャピラリ200の先端面にて当該パッド21に押しつけて、熱及び超音波振動を加えながら接合し、第2ボンディングを行う(図7(d))。
【0016】
そして、図7(e)の矢印に示す順に、キャピラリ200を上方へ移動させ、第2ボンディング部32からワイヤ30を切り離す。このとき、キャピラリ200の先端からは、ワイヤ30が突出してテール部30bとして残り、このテール部30bに再び上記同様に放電加工を行い、上記ボール部30aを形成する。こうして、ワイヤボンディングの1サイクルが完了し、次のサイクルを行う。
【0017】
このようなワイヤボンディングを行った結果形成されたワイヤ30は、上記図5および図6(b)、(c)に示すように、第1の半導体チップ10側の第1ボンディング部31近傍では、ワイヤ30はほぼ直角に近い角度で立ち上がっているが、第2の半導体チップ20側の第2ボンディング部32近傍では、ワイヤ30は寝た形となっておりチップ20に近づいたものとなっている。
【0018】
このようなボンディングワイヤ30の形状では、次のような問題が生じる。図8は、図6(b)に示す樹脂封止前の半導体装置おける第2ボンディング部32近傍のワイヤ30の形状を拡大して示す図である。
【0019】
図8に示す例では、第2の半導体チップ20のパッド21の上には、第2ボンディング部の接合寿命の確保とパッド21の下部のダメージ(例えば、酸化膜クラック等)を回避するため、予め第2ボンディング面であるパッド21の表面に金等からなる金属バンプ32aを形成し、この金属バンプ32a上に第2ボンディングを行っている。
【0020】
このように、チップ10、20間を結線するボンディングワイヤ30が、第2ボンディング部32近傍にて立ち上がっておらず、その立ち上がり角度θが小さい(例えば十数°)ため、ワイヤ30とチップ20とのギャップG2が小さいものとなる。
【0021】
ここで、従来では、上記図6(c)に示すように樹脂40が流れる。そのため、図8中の矢印Y2に示すように、樹脂40が流れ、このような形状のボンディングワイヤ30に対しては、流れてくる樹脂40によって図8中の矢印F2に示すように、第2ボンディング部32近傍のワイヤ部分をチップ20方向へ押さえる力が加わり、ワイヤ30がチップ20のエッジ20aに接することが起こりうる。
【0022】
チップ20の表面は絶縁性の保護膜22で被覆されているが、チップ20のエッジ20aはダイシングカットされた部位であり、この部分にワイヤ30が接触すると、ワイヤ30とチップ20との間で電気的な短絡が発生する可能性が高い。
【0023】
なお、このようなチップ10、20間を結線するボンディングワイヤ30において、第1ボンディング部近傍のワイヤ部分は、上述したように、直角に近い角度で立ち上がっており、チップとも十分に離れているため、上記第2ボンディング側のような問題は生じない。
【0024】
このように、本発明者は、従来のマルチチップパッケージとしての樹脂封止型半導体装置において、チップ間を結線するボンディングワイヤでは、第2ボンディング部近傍におけるワイヤ部分がチップに接触し、電気的な短絡が発生しやすくなるという新たな問題を見出した。
【0025】
ここで、第2ボンディング側の半導体チップの厚さを薄くして、第2ボンディング面の位置を低くすることで、第2ボンディング側のワイヤの立ち上がり角度を大きくすることも考えられるが、チップを薄くするための工程が必要となり、コストアップする。
【0026】
本発明は、上記したような本発明者が新たに見出した問題に鑑みてなされたものであり、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止できるようにすることを目的とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、同一の厚さを有する複数個の半導体チップ(10、20)のそれぞれがリードフレーム(50)のチップ搭載部(51、52)に搭載されており、複数個の半導体チップの間がボンディングワイヤ(30)によって結線されており、複数個の半導体チップ、リードフレーム、およびボンディングワイヤが樹脂(40)で包み込まれるように封止されてなり、ボンディングワイヤは、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたものである樹脂封止型半導体装置において、ボンディングワイヤにおける第2ボンディング部(32)側となるチップ搭載部(52)の方が、当該ボンディングワイヤにおける第1ボンディング部(31)側となるチップ搭載部(51)よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいることを特徴とする。
【0028】
それによれば、半導体チップ間を結線するボンディングワイヤにおいて第2ボンディング部側となるチップ搭載部の方が、第1ボンディング部側となるチップ搭載部よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいるため、同一の厚さの半導体チップを用いても、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなる。
【0029】
そのため、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなった分、上記ボンディングワイヤの第2ボンディング部側にて、ワイヤとチップ面との間隔(角度)を大きくできる。そして、樹脂封止の際に、樹脂によって第2ボンディング部近傍のワイヤが押されても、ワイヤがチップに接触しにくくできる。
【0030】
なお、チップ間を結線するボンディングワイヤにおいて、第1ボンディング部近傍のワイヤ部分は、上述したようにボールボンディング法によって直角に近い角度で立ち上がるため、第1ボンディング部側のチップ面が高くなったとしても、チップとワイヤとの距離を十分に確保でき、接触しないようにできる。
【0031】
よって、本発明によれば、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0032】
請求項2に記載の発明では、同一の厚さを有する複数個の半導体チップ(10、20)のそれぞれがリードフレーム(50)のチップ搭載部(51、52)にダイボンド材(60)を介して搭載されており、複数個の半導体チップの間がボンディングワイヤ(30)によって結線されており、複数個の半導体チップ、リードフレーム、およびボンディングワイヤが樹脂(40)で包み込まれるように封止されてなり、ボンディングワイヤは、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたものである樹脂封止型半導体装置において、ボンディングワイヤの第1ボンディング部(31)側となる半導体チップ(10)は、ダイボンド材としてスペーサ(61)が混入されたものを用いてチップ搭載部(51)に搭載されることによって、当該ボンディングワイヤの第2ボンディング部(32)側となる半導体チップ(20)よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向へ出っ張っていることを特徴とする。
【0033】
それによれば、半導体チップ間を結線するボンディングワイヤの第1ボンディング部側となる半導体チップを、ダイボンド材としてスペーサが混入されたものを用いてチップ搭載部に搭載しているため、このスペーサによって、ダイボンド材の厚さを厚くすることができる。
【0034】
そして、スペーサによってダイボンド材を厚くした分、ボンディングワイヤの第1ボンディング部側の半導体チップを、第2ボンディング部側の半導体チップよりも、ボンディングワイヤのループ突出方向へ出っ張らせることができる。
【0035】
このことは、つまり、上記請求項1の発明と同様、同一の厚さの半導体チップを用いても、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなることである。
【0036】
そのため、第2ボンディング部側のチップ面の方が低くなった分、上記ボンディングワイヤの第2ボンディング部側にて、ワイヤとチップ面との間隔(角度)を大きくできる。そして、樹脂封止の際に、樹脂によって第2ボンディング部近傍のワイヤが押されても、ワイヤがチップに接触しにくくできる。
【0037】
よって、本発明によっても、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0038】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【0039】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態相互において互いに同一の部分には、図中、同一符号を付してある。
【0040】
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態に係る樹脂封止型半導体装置S1の概略断面構成を示す図であり、図2は図1中の上視平面図であり、樹脂40を透過した状態を示してある。
【0041】
このものは、大きくは、同一の厚さを有する複数個(図示例では2個)の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載され、これら半導体チップ10、20間がボンディングワイヤ30によって結線されており、これら半導体チップ10、20、リードフレーム50、およびボンディングワイヤ30が樹脂40で包み込まれるように封止されてなるものである。
【0042】
半導体チップ10、20は、例えば機能の異なるICチップからなり、同じ厚さ(例えば0.4mm)の矩形板状のシリコンチップからなる。これら半導体チップ10、20はそれぞれ、リードフレーム50のチップ搭載部であるダイベッド51、52上に搭載され、導電性接着剤等のダイボンド材(図示せず)を介して固定されている。
【0043】
そして、各半導体チップ10、20を結線するボンディングワイヤとしてのチップ間ワイヤ30は、図1、図2における左側の半導体チップ10を第1ボンディング側、右側の半導体チップ20を第2ボンディング側として、第1ボンディングをボールボンディング法、第2ボンディングをウェッジボンディング法にて行うワイヤボンディングによって形成されている。
【0044】
ここで、図1、図2中の左側に位置し第1ボンディングされるチップ10を第1の半導体チップ10とし、右側に位置し第2ボンディングされるチップ20を第2の半導体チップ20とする。なお、半導体チップは2個ではなく、3個以上でも良い。
【0045】
つまり、チップ間ワイヤ30は、上記図7に示すワイヤボンディング方法にて形成されている。そして、図1には、チップ間ワイヤ30と第1の半導体チップ10との接続部31すなわち第1ボンディング部31、および、チップ間ワイヤ30と第2の半導体チップ20との接続部32すなわち第2ボンディング部32が示されている。
【0046】
ここで、図3は、図1における第2ボンディング部32近傍のチップ間ワイヤ30の形状を拡大して示す図である。
【0047】
図3に示す例では、第2の半導体チップ20のパッド21の上には、予め第2ボンディング面であるパッド21の表面に金等からなる金属バンプ32aを形成し、この金属バンプ32a上に第2ボンディングを行っている。また、第2の半導体チップ20の表面には、シリコン窒化膜等からなる保護膜22が形成されている。
【0048】
この金属バンプ32aは、第2ボンディング部32の接合寿命の確保とパッド21の下部のダメージ(例えば、酸化膜クラック等)を回避するために形成されたものであり、ボールボンド法で作ることができ、その厚さtは例えば10〜30μm程度にすることができる。なお、この金属バンプ32aは無くても良い。
【0049】
また、図2に示すように、第1および第2の半導体チップ10、20は、リードフレーム50のリード部55ともボンディングワイヤ35によって結線されている。また、上記したチップ間ワイヤ30およびボンディングワイヤ35は、金やアルミニウム等のワイヤを用いて形成されている。
【0050】
次に、半導体チップ10、20およびボンディングワイヤ30、35を包み込むように封止する樹脂40は、エポキシ樹脂等の通常のモールド用樹脂材料からなる。この樹脂40は、リードフレーム50のダイベッド51、52およびリード部55の一部も封止している。
【0051】
この樹脂40は、各ボンディングワイヤ30、35によって結線された複数個の半導体チップ10、20およびリードフレーム50を、型装置のキャビティ内に設置してゲートから溶融状態の樹脂を注入、充填して硬化させることで形成されるものである。
【0052】
ここで、リードフレーム50のリード部55のうち樹脂40にて封止された部位がインナーリード、樹脂40から突出する部位がアウターリードであり、アウターリードにて外部基板との接続がなされる。このようなリードフレーム50は銅等の公知のリードフレーム材料を用いて形成され、本例では板厚0.2mm程度のものにできる。
【0053】
そして、本実施形態では、リードフレーム50において、次のような独自の構成を採用している。チップ搭載部である各ダイベッド51、52には、吊りリード53が連結されているが、この吊りリード53は、後述する樹脂封止前の半導体装置においてダイベッド51、52を図示しないリードフレームの枠部等に一体に連結しておくためのものである。
【0054】
ここで、このダイベッド51、52において、チップ間ワイヤ30における第1ボンディング部31側となるダイベッドすなわち第1の半導体チップ10を搭載するダイベッド51を第1のダイベッド51とし、チップ間ワイヤ30における第2ボンディング部32側となるダイベッドすなわち第2の半導体チップ20を搭載するダイベッド52を第2のダイベッド52とする。
【0055】
そして、図1に示すように、これら第1のダイベッド(第1のチップ搭載部)51および第2のダイベッド(第2のチップ搭載部)52のうち、第2ボンディング側である第2のダイベッド52の方が、第1ボンディング側である第1のダイベッド51よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいる。
【0056】
具体的には、図1に示すように、第2のダイベッド52側のディプレス52aを、第1のダイベッド51側のディプレス51aよりも深くなるように、、第2のダイベッド52側の吊りリード53を第1のダイベッド51側の吊りリード53よりも深く曲げる。第2のダイベッド52の引っ込み段差D1は例えば0.2mm程度にできる。このようなリードフレーム50はプレス加工により容易に形成可能である。
【0057】
このように、チップ間ワイヤ30において第2ボンディング部32側となる第2のダイベッド52の方が、第1ボンディング部31側となるダイベッド51よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいるため、同一の厚さの半導体チップ10、20を用いても、第2ボンディング部32側である第2の半導体チップ20のチップ面の方が低くなる。
【0058】
そのため、第2の半導体チップ20のチップ面の方が低くなった分、チップ間ワイヤ30においては、第2ボンディング部32側にてワイヤ30とチップ面との間隔(角度)を大きくできる。
【0059】
例えば、チップ間ワイヤ30において、そのワイヤ長さW(第1ボンディング部と第2ボンディング部間の距離、図1参照)を2mm、ループ高さh(図1参照)を0.3mmとし、上記引っ込み段差D1を0.2mmとした場合、図3に示す第2ボンディング部側の立ち上がり角度θは27°程度である。
【0060】
ちなみに、上記図5に示した従来の樹脂封止型半導体装置では、本実施形態のような引っ込み段差は0であり、両ダイベッド51、52は同一面上であるがゆえ、同じ厚さの両半導体チップ10、20のチップ面も同一面上に位置する。このような従来のものでは、チップ間ワイヤ30における第2ボンディング部側の立ち上がり角度θ(上記図8参照)は16°程度と小さい。
【0061】
上記図1〜図3に示す本実施形態の樹脂封止型半導体装置S1は、上記図6を参照して示した従来の製造方法と同様の方法にて製造することができる。具体的には、上記図6中における樹脂封止前の半導体装置を、本実施形態の樹脂封止型半導体装置S1における樹脂封止前のものに置き換えれば良い。
【0062】
すなわち、二つの半導体チップ10、20をそれぞれ、リードフレーム50のチップ搭載部51、52に搭載し、各チップ10、20間およびチップ10、20とリードフレーム50のリード部55とをボンディングワイヤ30、35により結線し一体化したものを、金型のキャビティ内に設置する。
【0063】
その後、溶融状態の樹脂40をゲートからキャビティへ注入し、キャビティを樹脂40にて充填した後、樹脂40を硬化させることで、本実施形態の樹脂封止型半導体装置S1ができあがる。
【0064】
ここにおいて、本実施形態では、第2の半導体チップ20のチップ面の方を第1の半導体チップ10のチップ面よりも低くすることで、チップ間ワイヤ30において、第2ボンディング部32側にてワイヤ30とチップ面との間隔(角度)を大きくしている。そのため、樹脂封止工程の際に、樹脂40によって第2ボンディング部32近傍のワイヤ30が押されても、ワイヤ30がチップ20に接触しにくくできる。
【0065】
よって、本実施形態によれば、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0066】
なお、上記引っ込み段差D1は、チップ間ワイヤ30のワイヤ長さ、パッケージ構造やパッケージ材料等により必要な値は異なるが、上記の効果を発揮するには0.1mm以上が好ましい。また、第1および第2のダイベッド51、52同士はつながっていても良く、その場合にはダイベッド同士の継ぎ目でディプレスを設ければよい。
【0067】
そして、このような引っ込み段差D1を有する本実施形態のリードフレーム50は、プレス加工の型を調整してリードフレーム50のディプレス51a、52aを制御することにより容易に実現できるため、実質的なコストアップを伴わないという利点がある。
【0068】
(第2実施形態)
図4は本発明の第2実施形態に係る樹脂封止型半導体装置S2の概略断面図である。上記第1実施形態との相違点を中心に述べる。
【0069】
本実施形態でも、同一の厚さを有する複数個の半導体チップ10、20のそれぞれがリードフレーム50のチップ搭載部51、52にダイボンド材を介して搭載されている。ここで、図4では、第1の半導体チップ10側にてダイボンド材60を図示している。
【0070】
また、本実施形態では、チップ間ワイヤ30における第1ボンディング側となり第1のダイベッド51と、第2ボンディング側となる第2のダイベッド52とは同じ高さとなっている。
【0071】
そして、本実施形態独自の構成として、チップ間ワイヤ30の第1ボンディング部31側となる第1の半導体チップ10を、ダイボンド材60としてスペーサ61が混入されたものを用いて第1のダイベッド(第1のチップ搭載部)51に搭載している。それによって、第1の半導体チップ10を第2の半導体チップ20よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向へ出っ張らせている。
【0072】
両半導体チップ10、20を接着するダイボンド材は、導電性接着剤や絶縁性の無機や有機の接着剤等を採用できるが、第1の半導体チップ10側のダイボンド材60には、さらに、シリコーン樹脂やシリカあるいは金属粒子等からなるスペーサ61を混入させている。
【0073】
本実施形態によれば、第1ボンディング部31側となる第1の半導体チップ10側においては、ダイボンド材60中のスペーサ61によって、ダイボンド材60の厚さを厚く確保することができる。
【0074】
そして、スペーサ61によってダイボンド材60を厚くした分、第1の半導体チップ10を第2の半導体チップ20よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向へ出っ張らせることができる。
【0075】
つまり、図4に示すように、本実施形態においても、上記第1実施形態と同様、同一の厚さの半導体チップ10、20を用いても、第2ボンディング部32側である第2の半導体チップ20のチップ面の方が第1の半導体チップ10のチップ面よりも低くなる。このときも、上記第1実施形態における引っ込み段差と同様に、0.1mm以上低くすることが好ましく、例えば0.2mm低くしたものにできる。
【0076】
そのため、上記第1実施形態と同様、チップ間ワイヤ30の第2ボンディング部32側にて、ワイヤ30とチップ面との間隔(角度)を大きくできる。そして、樹脂封止の際に、樹脂40によって第2ボンディング部32近傍のワイヤ30が押されても、ワイヤ30がチップ20に接触しにくくできる。
【0077】
よって、本実施形態によっても、ボンディングワイヤにて結線された複数個の同一の厚さの半導体チップを樹脂にて封止してなる樹脂封止型半導体装置において、第2ボンディング部近傍のボンディングワイヤ部分が半導体チップに接触するのを防止することができる。
【0078】
なお、本実施形態は、第1の半導体チップ10を、ダイボンド材60としてスペーサ61が混入されたものを用いて第1のダイベッド51に搭載することによって、第2の半導体チップ20よりも、チップ間ワイヤ30のループ突出方向へ出っ張らせるものであり、第2の半導体チップ20の搭載にもスペーサが混入されたダイボンド材を用いることを除外するものではない。
【0079】
この場合、第2の半導体チップ20の搭載に用いるダイボンド材に混入されたスペーサは、第1の半導体チップ10のダイボンド材60におけるスペーサ61よりもサイズの小さいものとすれば良い。それにより、本実施形態の効果が損なわれることなく発揮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の概略断面図である。
【図2】図1中の上視平面図である。
【図3】図1における第2ボンディング部近傍のチップ間ワイヤの形状を拡大して示す図である。
【図4】本発明の第2実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の概略断面図である。
【図5】従来の樹脂封止型半導体装置の一般的な断面構成図である。
【図6】従来の一般的な樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す図である。
【図7】半導体チップ間のワイヤボンディング方法を示す図である。
【図8】図6における第2ボンディング部近傍のワイヤ形状を拡大して示す図である。
【符号の説明】
10…第1の半導体チップ、20…第2の半導体チップ、
30…チップ間ワイヤ、31…第1ボンディング部、
32…第2ボンディング部、40…樹脂、50…リードフレーム、
51…第1のダイベッド、52…第2のダイベッド、60…ダイボンド材、
61…スペーサ。
Claims (2)
- 同一の厚さを有する複数個の半導体チップ(10、20)のそれぞれがリードフレーム(50)のチップ搭載部(51、52)に搭載されており、
前記複数個の半導体チップの間がボンディングワイヤ(30)によって結線されており、
前記複数個の半導体チップ、前記リードフレーム、および前記ボンディングワイヤが樹脂(40)で包み込まれるように封止されてなり、
前記ボンディングワイヤは、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたものである樹脂封止型半導体装置において、
前記ボンディングワイヤにおける第2ボンディング部(32)側となる前記チップ搭載部(52)の方が、当該ボンディングワイヤにおける第1ボンディング部(31)側となる前記チップ搭載部(51)よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向とは反対側の方向へ引っ込んでいることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 同一の厚さを有する複数個の半導体チップ(10、20)のそれぞれがリードフレーム(50)のチップ搭載部(51、52)にダイボンド材(60)を介して搭載されており、
前記複数個の半導体チップの間がボンディングワイヤ(30)によって結線されており、
前記複数個の半導体チップ、前記リードフレーム、および前記ボンディングワイヤが樹脂(40)で包み込まれるように封止されてなり、
前記ボンディングワイヤは、第1ボンディングとしてボールボンディング法、第2ボンディングとしてウェッジボンディング法を行うワイヤボンディングによって形成されたものである樹脂封止型半導体装置において、
前記ボンディングワイヤの第1ボンディング部(31)側となる前記半導体チップ(10)は、前記ダイボンド材としてスペーサ(61)が混入されたものを用いて前記チップ搭載部(51)に搭載されることによって、当該ボンディングワイヤの第2ボンディング部(32)側となる前記半導体チップ(20)よりも、当該ボンディングワイヤのループ突出方向へ出っ張っていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
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