JP2000323623A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Akiyoshi Sawai
章能 澤井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージの反りの発生を未然に防止するこ
とのできる構造を有する樹脂封止型パッケージ構造を有
する半導体装置を提供する． 【解決手段】 パッケージ１は、半導体チップ４と同等
もしくは若干大きい領域である第１領域１ａを厚く
（０．３５〜０．７ｍｍ）樹脂封止し、第１領域１ａの
外側である第２領域１ｂは薄く（０．１５〜０．３５ｍ
ｍ）樹脂封止している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラスエポキシ
など有機材料のフレームに搭載された半導体チップを、
トランスファーモールド法により樹脂封止する樹脂封止
型パッケージ構造（Ball Grid Array Package, Land Gr
id Array Package）を有する半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ガラスエポキシなど有機材料のフレーム
を用いた樹脂封止型のパッケージ構造（ＢＧＡ，ＬＧ
Ａ）を有する半導体装置においては、フレームに搭載さ
れた半導体チップをトランスファーモールド法を用いて
樹脂封止を行う。
【０００３】フレームには、半導体チップがインナバン
プやフリップチップボンドで接続されるパッド、外部接
続電極を形成するパッド、およびそれぞれのパッドを結
線する配線パターンがあらかじめ形成されている。
【０００４】半導体チップのフレームへの搭載構造に
は、図１１および図１２に示す構造が挙げられる。図１
１に示す搭載構造は、フレーム２の表面に設けられた配
線パターン６に、半導体チップ４の能動面を下側（フェ
ースダウン）にし、半導体チップ４のパッド電極（図示
省略）と配線パターン６との電気的接続は、インナバン
プ５により行なわれるフリップチップ接合構造であり、
半導体チップ４およびインナバンプ５がパッケージ１に
より封止される。
【０００５】一方、図１２に示す搭載構造は、フレーム
２の表面に設けられた配線パターン６に、半導体チップ
４の能動面を上側（フェースアップ）にし、半導体チッ
プ４をフレームにダイボンド材８を用いて固定するとと
もに、半導体チップ４のパッド電極（図示省略）と配線
パターン６との電気的接続は、金属細線７によって結線
されるワイヤボンド接合構造であり、半導体チップ４お
よび金属細線７が樹脂１により封止される。
【０００６】樹脂封止後は、上記フリップチップ接合構
造およびワイヤボンド接合構造のいずれも、フレーム２
の裏面側に外部接続電極が形成される。外部接続電極は
フレーム２の配線自体であっても良いし、または、はん
だなどよりなるボールを形成しても良い。外部接続電極
形成後、金型もしくはレーザでフレーム２を分割し、個
片化することにより樹脂封止された半導体装置が完成す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記樹脂封止パッケー
ジ構造を有する半導体装置において、従来構造の樹脂封
止パッケージ構造においては、チップ搭載面全体をフレ
ーム２と同等の面積にてトランスファーモールド法を用
いて樹脂封止していた。
【０００８】しかし、フレーム２の面積に対する半導体
チップ４の占有面積率が小さい場合には、図１３および
図１４に示すように、パッケージの反りが大きくなるた
め、半導体チップ４のサイズに対してパッケージのサイ
ズの制約が生じていた。
【０００９】特に、パッケージのサイズが１５ｍｍ角以
上、外部接続電極数２５０ピン以上のパッケージにおい
ては、チップサイズによっては、パッケージの反りが
０．１ｍｍを超える場合が存在し、以下に示すような問
題が発生する。
【００１０】パッケージの反りは、そのまま外部接続電
極の平坦度と相関する関係にある。具体的には、パッケ
ージの反りが大きいと、半導体装置のプリント基板など
への実装時に、半導体装置の外部接続電極がプリント基
板側に配線と接続されないといった不具合が発生する。
【００１１】また、トランスファーモールド法に用いら
れる樹脂の硬化収縮は、樹脂の厚さが大きいほど大きい
ため、半導体装置の封止樹脂の厚さが大きいと、パッケ
ージの反りも必然的に大きくなる。
【００１２】一方、半導体チップ搭載面の全体をフレー
ムのサイズと同等の面積にて樹脂封止するのではなくチ
ップ領域のみを樹脂封止した場合にも、樹脂封止パッケ
ージの反りに起因する外部接続電極平坦度不良が発生す
る。
【００１３】これは使用するフレームが非常に薄い場合
（約０．１ｍｍ）に生じ易く、半導体チップ領域外にお
いてはフレームが露出する状態となり、フレームのうね
りや反りが影響すると考えられる。また、この樹脂封止
パッケージの構造の場合、パッケージ自体の強度は非常
に小さくなり、プリント基板などへの実装時に、不具合
いを起こすことも考えられる。
【００１４】したがって、この発明は上記問題を解決す
るためになされたものであり、ガラスエポキシなどの有
機材料からなる平坦なフレームの表面側に搭載される半
導体チップを、トランスファモールド法にて樹脂封止す
るパッケージと、フレームの裏面側に設けられる外部接
続電極とを備える半導体装置であって、パッケージの反
りの発生を未然に防止することのできる構造を有する半
導体装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた半導
体装置においては、ガラスエポキシなどの有機材料から
なる平坦なフレームの表面側に搭載される半導体チップ
を、トランスファモールド法にて樹脂封止するパッケー
ジと、上記フレームの裏面側に設けられる外部接続電極
とを備える半導体装置であって、上記パッケージは、上
記半導体チップと同等もしくは若干大きいチップ領域が
樹脂封止される第１領域と、上記第１領域の領域以外に
おいて、上記第１領域の厚さよりも薄い厚さに樹脂封止
される第２領域とを含む。
【００１６】上記構造を採用することにより、フレーム
全体を厚く樹脂封止するよりも、パッケージの反りの低
減が可能となる。これは、半導体チップ領域の外側の第
２領域における樹脂量が少なくなることにより、当該部
分の樹脂の硬化収縮に起因するパッケージの反りを低減
することができるためである。また、第１領域において
は、半導体チップの搭載面全体が樹脂で封止されている
ため、樹脂の強度でパッケージ強度も確保される。
【００１７】また、上記発明をより好ましい状態で実現
するために、以下に示す構造が採用される。
【００１８】好ましくは、上記第２領域の上面部におい
て、上記第１領域の四隅から上記パッケージの四隅に放
射状に伸びる樹脂封止リブを有する。また、好ましく
は、上記パッケージの上面部において、その外周部を取
囲むように樹脂封止リングを有する。
【００１９】このように、樹脂封止リブまたは樹脂封止
リングを第２領域の上面部に設けることにより、フレー
ム全体を厚く封止することなく、パッケージの反りの低
減が可能となる。また、パッケージの強度は、樹脂封止
リブまたは樹脂封止リングによって確保される。
【００２０】また、好ましくは、上記第１領域の四隅に
内部絞り部を有する。また、好ましくは、上記内部絞り
部の断面形状または断面寸法は、少なくとも２種以上で
ある。また、好ましくは、上記樹脂封止リブの上記パッ
ケージの四隅に位置する領域の少なくともいずれか一隅
に外部絞り部を有する。また、好ましくは、上記外部絞
り部の断面形状または断面寸法より上記内部絞り部の断
面形状または断面寸法が小さい。また、好ましくは、上
記樹脂封止リブに、少なくとも１ヶ所以上のリブ絞り部
を有する。また、好ましくは、上記樹脂封止リングに、
少なくとも１ヶ所以上のリング絞り部を有する。
【００２１】この構成を採用することにより、樹脂の絞
り部は流れる樹脂に適度な熱を与えることと、樹脂硬化
後の不要部を除去する際に、この絞り部を起点として割
れやすくすることが可能になる。
【００２２】また、外部絞り部の断面形状または断面寸
法より内部絞り部の断面形状または断面寸法のサイズを
小さくすることにより、封止樹脂が第１領域に到達する
までの受熱を抑えるとともに、完全溶融した低粘度樹脂
を第１領域内に注入することが可能となる。
【００２３】その結果、半導体チップ領域である第１領
域への樹脂注入時に半導体チップ、金線など内部構造物
へのダメージを低減することが可能になる。
【００２４】また、内部絞り部の断面寸法を少なくとも
２種以上としたのは、第１領域へ内に流入する樹脂は一
番大きい断面寸法を有する内部絞り部を通過したものが
支配的になり、第１領域内での樹脂の乱流を避けること
が可能となる。その結果、第１領域内での樹脂の乱流に
よる内部構造物へのダメージを低減することが可能にな
る。
【００２５】また、好ましくは、上記第１領域の裏面側
の樹脂封止の厚さが、上記外部接続電極の厚みよりも薄
く設けられる。
【００２６】この構成を採用することにより、封止樹脂
の硬化収縮、熱収縮に起因する半導体チップへの応力を
低減することが可能となる。これは、封止樹脂の硬化収
縮、熱収縮がチップ搭載面とその裏面でそれぞれ起こる
ことにより、チップへの発生応力をある程度相殺できる
ためである。
【００２７】また、好ましくは、上記フレームの上記半
導体チップが搭載される領域よりも外側の四隅を含む領
域に、スリットが設けられる。
【００２８】トランスファーモールド法ではフレームを
金型にて高圧型締めするため、モールド前の半導体チッ
プの反り、フレームの反りがわずかであっても型締めに
よって半導体チップ、フレームに強制変位が与えられ
る。
【００２９】その強制変位により半導体チップクラック
やフリップチップ接続の断線が発生する場合がある。そ
れらの不具合はチップコーナ部において発生しやすい。
【００３０】本発明においては、半導体チップ領域より
外側部の四隅にスリットを形成しているため、半導体チ
ップのコーナ部では型締め状態のときにフリーになり、
強制変位が与えられることはない。これにより、より信
頼性の高いトランスファーモールド法を用いた、樹脂封
止パッケージ構造を有する半導体装置を実現することが
可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、この発明に基づいた実施の
形態における樹脂封止型パッケージ構造を有する半導体
装置について、図を参照しながら説明する。
【００３２】（実施の形態１）実施の形態１における樹
脂封止型半導体パッケージを有する半導体装置につい
て、図１〜図３を参照して説明する。なお、図１は、実
施の形態１における樹脂封止型半導体パッケージを有す
る半導体装置の全体斜視図、図２は平面図、図３は、図
２中Ｘ−Ｘ′線矢視断面に対応する断面図である。
【００３３】ガラスエポキシなどの有機材料からなる平
坦なフレーム２に半導体チップを搭載し、このフレーム
２の配線パタンーン６と半導体チップ４のパッド電極
（図示省略）とがインナバンプ５によって電気的に接続
される。パッケージ１は、金型（図示省略）によってフ
レーム２を型締めした後に、トランスファーモールド法
によってモールド樹脂を注入することにより形成され
る。金型には、樹脂の流路となるランナと呼ばれる彫り
込みと、パッケージの封止部となるキャビティと呼ばれ
る彫り込みが形成されている。
【００３４】樹脂封止後、封止樹脂からなる不要部（カ
ル、ランナ）は、ゲートブレークによって除去される。
樹脂封止が完了した後、フレーム２の半導体チップ４の
搭載面とは反対側の裏面に、はんだよりなる外部電極
（はんだボール）を形成する。フレーム２の不要部とパ
ッケージ１とは、切断金型などを用いた個片化工程で分
離される。
【００３５】本実施の形態においては、パッケージ１
は、半導体チップ４と同等もしくは若干大きい領域であ
る第１領域１ａのみ厚く（０．３５〜０．７ｍｍ）樹脂
封止され、第１領域１ａの外側の領域である第２領域１
ｂは薄く（０．１５〜０．３５ｍｍ）樹脂封止されてい
る。その形状は、モールド金型のキャビティ形状によっ
て決定される。
【００３６】このような構造を採用することで、従来構
造のようにフレーム２全体を厚く（０．３５〜０．７ｍ
ｍ）封止するよりも、パッケージ１の反りの低減が可能
となる。これは、第２領域１ｂの封止樹脂量が少なくな
ることにより、当該部分の封止樹脂の硬化収縮の起因に
よるパッケージ１の反りを低減することができるためで
ある。また、フレーム２全体が樹脂で封止されているた
め、樹脂の強度でパッケージ１の強度も確保される。
【００３７】なお、図４は、本実施の形態において、ワ
イヤボンド構造を採用した場合の図２中Ｘ−Ｘ′線矢視
断面に対応する断面図である。
【００３８】（実施の形態２）本実施の形態における樹
脂封止型半導体パッケージを有する半導体装置と、上記
実施の形態１における樹脂封止型半導体パッケージを有
する半導体装置との相違点は、図５の平面図に示すよう
に、さらに、第２領域１ｂの上面部において、第１領域
１ａの四隅からパッケージ１の四隅に放射状に伸びる樹
脂封止リブ９を有している点にある。
【００３９】樹脂封止リブ９の形状は、モールド金型の
キャビティ形状によって決まる。また、樹脂封止リブ９
の厚さは、第１領域１ａの封止樹脂と同じである必要は
ない。樹脂封止後、封止樹脂からなる不要部（カル、ラ
ンナ）は、ゲートブレークによって除去されるが、樹脂
封止リブ９は除去せず第２領域１ｂに残存させる。
【００４０】上記構造を有することにより、上記実施の
形態１に示す構造よりも、パッケージ１の反りの低減が
可能となる。また、パッケージ１の強度は、樹脂封止リ
ブ９の樹脂強度によって確保される。
【００４１】（実施の形態３）本実施の形態における樹
脂封止型半導体パッケージを有する半導体装置と記実施
の形態２における樹脂封止型半導体パッケージを有する
半導体装置との相違点は、図６の平面図に示すように、
さらに、パッケージ１の上面部において、その外周部を
取囲むように樹脂封止リング１２を有している点にあ
る。その形状は、モールド金型のキャビティ形状によっ
て決まる。
【００４２】樹脂封止リング１２の厚さは、樹脂封止リ
ブ９と同様に、第１領域１ａの封止樹脂と同じである必
要はない。樹脂封止後、封止樹脂からなる不要部（カ
ル、ランナ）はゲートブレークによって除去されるが、
樹脂封止リング１２は除去せずパッケージに残存させ
る。
【００４３】上記構造においても、上述した実施の形態
２と同様の作用効果を得ることが可能となる。
【００４４】（実施の形態４）本実施の形態において
は、上記実施の形態２または３において、図５および図
６に示すように、第１領域１ａの四隅外側に内部絞り部
１１ａ，１１ｂ，１１ｃを設け、その断面形状または断
面寸法は少なくとも２種以上、本実施の形態においては
３種としている。
【００４５】また、樹脂封止リブ９および樹脂封止リン
グ１２のパッケージ１の四隅に位置する領域の少なくと
もいずれか一隅に外部絞り部１０を設けている。ここ
で、外部絞り部１０の断面形状または断面寸法より、内
部絞り部１１ａ，１１ｂ，１１ｃの断面形状または断面
寸法を小さく設けられることが好ましい。なお、内部絞
り部１１ａ，１１ｂ，１１ｃおよび外部絞り部１０の形
状はモールド金型のキャビティ形状によって決まる。
【００４６】ここで、内部絞り部１１ａ，１１ｂ，１１
ｃおよび外部絞り部１０（以下、単に絞り部と総称す
る。）は、流れる樹脂に適度な熱を与えることと、樹脂
硬化後の不要部（カル、ランナ）を除去する（ゲートブ
レーク）際に絞り部を起点として割れやすくするためで
ある。
【００４７】また、外部絞り部１０の断面形状または断
面寸法より内部絞り部１１ａ，１１ｂ，１１ｃの断面形
状または断面寸法を小さくしているのは、半導体チップ
の領域内である第１領域１ａへの樹脂注入時に、半導体
チップ、金線など内部構造物へのダメージを低減するた
めである。
【００４８】モールド樹脂は通常エポキシ系などの熱硬
化性樹脂であり、約１８０℃に熱せられ、金型内を溶け
ながら流れる。しかし、熱硬化性樹脂の特性上、受熱時
間が長すぎると樹脂の粘度が高くなり内部構造物へのダ
メージが増大する。
【００４９】一方、受熱時間が短すぎると、樹脂が溶け
きらず同様に内部構造物へのダメージが増大する。一般
に絞り部のサイズが小さいほど樹脂の受熱効果が大き
い。樹脂の注入時間は１０秒前後が適当とされる。
【００５０】そこで、外部絞り部１０の断面形状または
断面寸法を大きくすることで第１領域１ａに到達するま
での受熱を抑え、内部絞り部１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
小さくすることで完全溶融した低粘度樹脂を第１領域１
ａ内に注入することが可能となる。
【００５１】また、内部絞り部１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
の断面形状または断面寸法のサイズを少なくとも２種以
上としたのは、第１領域１ａ内での樹脂の乱流による内
部構造物へのダメージを低減するためである。
【００５２】樹脂は流路の広いところほど流れやすい性
質を持っており、障害物のない樹脂封止リブ９および樹
脂封止リング１２は流れやすい。乱流は内部絞り部１１
ａを通過した樹脂と樹脂封止リング１２経由で内部絞り
部１１ｂ、内部絞り部１１ｃを通過した樹脂の流動先端
同士が第１領域１ａ内で衝突することによって引起こさ
れる。
【００５３】外部絞り部１０と同じ隅にある内部絞り部
１１ａは，内部絞り部１１ｂおよび内部絞り部１１ｃよ
り大きいゲートサイズであることが望ましい。そうする
ことで第１領域１ａ内に流入する樹脂は内部絞り部１１
ａを通過したものが支配的になり、第１領域１ａ内での
乱流を避けることが可能となる。
【００５４】（実施の形態５）本実施の形態において
は、図７に示すように、上記実施の形態２〜４で、樹脂
封止リブ９および樹脂封止リング１２には、少なくとも
１ヶ所以上のリブ絞り部１３ａまたはリング絞り部１３
ｂを有することを特徴としている。この構造を採用する
ことによって、上記実施の形態２〜４で説明したのと、
同等以上の作用効果を得ることが可能となる。
【００５５】（実施の形態６）本実施の形態において
は、図８および図９の断面構造に示すように、上記実施
の形態１〜５で、第１領域１ａの裏面側の樹脂封止の厚
さが、外部接続電極３の厚みよりも薄いことを特徴とす
る。なお、図８はフリップチップ接合構造を示し、図９
はワイヤボンド接合構造を示すものである。
【００５６】このように、フレーム２の第１領域１ａの
裏面側においても樹脂封止することで、モールドによる
樹脂の硬化収縮、熱収縮に起因する半導体チップ４への
応力を低減することが可能となる。これは、樹脂の硬化
収縮および熱収縮が、半導体チップ搭載面とその裏面で
それぞれ起こることにより、半導体チップ４への発生応
力をある程度相殺できるためである。
【００５７】従来、半導体チップ４をフレーム２に搭載
した状態ではわずかながら半導体チップ４の反り、フレ
ーム２の反りを持っている。それを第１領域１ａの表面
のみを樹脂封止した際、射出圧力によって半導体チップ
４、フレーム２に強制変位が与えられる。それは第１領
域１ａの裏面側は平坦な金型のためである。この強制変
位により、チップクラックやフリップチップ接続の断線
が発生する問題が生じていた。
【００５８】しかし、本実施の形態においては、第１領
域１ａの裏面側を受ける金型は樹脂を注入するためのキ
ャビティが形成されているため、射出圧力によって半導
体チップ４、フレーム２に強制変位が与えられることは
ない。その結果、上記強制変位によるチップクラックの
発生や、フリップチップ接続の断線を回避することが可
能となる。
【００５９】（実施の形態７）本実施の形態において
は、上記実施の形態１〜６において、図１０に示すよう
に、フレーム２の第１領域１ａより外側の四隅を含む領
域に、スリット１４を有している。なお、スリット１４
の上を配線パターンが跨っていてもよい。
【００６０】従来、トランスファーモールド法ではフレ
ーム２を金型にて高圧型締めするため、モールド前の半
導体チップ４の反り、フレーム２反りがわずかであって
も型締めによって半導体チップ４、フレーム２に強制変
位が与えられる。その強制変位によりチップクラックや
フリップチップ接続の断線が発生する場合がある。それ
らの不具合は半導体チップ４のコーナ部において発生し
やすい。
【００６１】一方、本実施の形態においては、第１領域
１ａより外側の四隅を含む領域に、スリット１４を設け
ているため、半導体チップ４のコーナ部では型締め状態
でフリーになり、強制変位が与えられることはない。こ
れにより、より信頼性の高いトランスファーモールドプ
ロセスを実現することが可能となる。
【００６２】また、このスリット１４は、チップ搭載面
から裏面側へのモールド樹脂流路となる。その場合、ス
リット１４の幅は、０．１５ｍｍ以上必要である。そう
することで、裏面側を受ける金型に特別の樹脂流路を形
成する必要がなく、簡単な金型構造でこの本実施の形態
における樹脂封止型半導体パッケージの構造を実現する
ことが可能となる。
【００６３】以上、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の技術的範囲は上記した説明ではなく
て特許請求の範囲によって画定され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００６４】
【発明の効果】この発明に基づいた半導体装置の構造に
よれば、半導体チップ領域外の第２領域における樹脂量
が少なくなることにより、当該部分の樹脂の硬化収縮の
起因によるパッケージの反りを低減することができるた
め、フレーム全体を厚く樹脂封止するよりも、パッケー
ジの反りの低減が可能となる。また、第２領域において
もフレーム全体、リブおよびリングを用いた形態で樹脂
封止されているため、樹脂の強度でパッケージ強度も確
保される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１における樹脂封止型半導体パッ
ケージを有する半導体装置の全体斜視図である。
【図２】 図１に示す半導体装置の平面図である。
【図３】 図２中Ｘ−Ｘ′線矢視断面に対応する断面図
である。
【図４】 実施の形態１における半導体装置の他の構造
を示す断面図である。
【図５】 実施の形態２または４における半導体装置の
構造を示す平面図である。
【図６】 実施の形態３または４における半導体装置の
構造を示す平面図である。
【図７】 実施の形態５における半導体装置の構造を示
す平面図である。
【図８】 実施の形態６における半導体装置の構造を示
す断面図である。
【図９】 実施の形態６における半導体装置の他の構造
を示す断面図である。
【図１０】 実施の形態７における半導体装置の構造を
示す平面図である。
【図１１】 従来の技術における樹脂封止型半導体パッ
ケージ構造を有する半導体装置の構造を示す第１断面図
である。
【図１２】 従来の技術における樹脂封止型半導体パッ
ケージ構造を有する半導体装置の構造を示す第２断面図
である。
【図１３】 従来の技術における樹脂封止型半導体パッ
ケージ構造を有する半導体装置の問題点を示す第１断面
図である。
【図１４】 従来の技術における樹脂封止型半導体パッ
ケージ構造を有する半導体装置の問題点を示す第２断面
図である。
【符号の説明】
１ パッケージ、１ａ 第１領域、１ｂ 第２領域、２
フレーム、４ 半導体チップ、５ インナバンプ、６
配線パターン、９ 樹脂封止リブ、１０ 外部絞り
部、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 内部絞り部、１２ 樹脂
封止リング、１３ａ リブ絞り部、１３ｂ リング絞り
部、１４ スリット。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラスエポキシなどの有機材料からなる
    平坦なフレームの表面側に搭載される半導体チップを、
    トランスファモールド法にて樹脂封止するパッケージ
    と、前記フレームの裏面側に設けられる外部接続電極と
    を備える半導体装置であって、 前記パッケージは、 前記半導体チップと同等もしくは若干大きいチップ領域
    が樹脂封止される第１領域と、 前記第１領域の領域の外側において、前記第１領域の厚
    さよりも薄い厚さに樹脂封止される第２領域と、を含
    む、半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記第２領域の上面部において、前記第
    １領域の四隅から前記パッケージの四隅に放射状に伸び
    る樹脂封止リブを有することを特徴とする、請求項１に
    記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記パッケージの上面部において、その
    外周部を取囲むように樹脂封止リングを有することを特
    徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記第１領域の四隅に内部絞り部を設け
    たことを特徴とする、請求項２または３に記載の半導体
    装置。
  5. 【請求項５】 前記内部絞り部の断面形状または断面寸
    法は、少なくとも２種以上である、請求項４に記載の半
    導体装置。
  6. 【請求項６】 前記樹脂封止リブの前記パッケージの四
    隅に位置する領域の少なくともいずれか一隅に外部絞り
    部を有することを特徴とする、請求項２〜５のいずれか
    に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記外部絞り部の断面形状または断面寸
    法より前記内部絞り部の断面形状または断面寸法が小さ
    いことを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】 前記樹脂封止リブに、少なくとも１ヶ所
    以上のリブ絞り部を有することを特徴とする、請求項２
    〜７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】 前記樹脂封止リングに、少なくとも１ヶ
    所以上のリング絞り部を有することを特徴とする、請求
    項３〜８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 前記第１領域の裏面側の樹脂封止の厚
    さが、前記外部接続電極の厚みよりも薄いことを特徴と
    する、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 前記フレームの前記半導体チップが搭
    載される領域よりも外側の四隅を含む領域に、スリット
    を設けたことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか
    に記載の半導体装置。
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