JP3103281B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ソルダーボールコネク
ト法（ＳＢＣ法）を用いた樹脂封止型半導体装置に関す
る。
ト法（ＳＢＣ法）を用いた樹脂封止型半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、回路パ
ターンが形成された実装基板上に半田を用いて接続され
ている。近年、素子の微細化及び装置の小型化に対応し
てソルダーボールコネクト法（ＳＢＣ法）と称される半
田ボールを用いて回路基板上に半導体パッケージを接続
する方法が提案されている。この方法によれば、実装基
板上の回路パターンに半導体装置の位置決めを行って載
置した後、加熱すれば多数の半田ボールによって形成さ
れる端子が回路パターンに同時に接続されるので、実装
が容易であるという利点がある。前記ソルダーボールコ
ネクト法に用いる半導体装置の一例を、図７に示すが、
片面にリードパターン７０が形成されたポリイミド樹脂
製絶縁テープからなるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板７１のリードパターン形
成面に半導体素子７２を搭載すると共に、この半導体素
子７２を囲むように金属基板７３を搭載・接合し、半導
体素子７２は金線からなるボンディングワイヤ７４によ
って各リードパターン７０に接続され、このボンディン
グワイヤ７４と共に半導体素子７２はポリイミド樹脂か
らなるポッティング樹脂７５で全体を被覆されている。
そして、前記ＴＡＢ基板７１には多数の小孔７６が格子
状に形成され、それぞれの小孔７６を介して表面側のリ
ードパターン７０に接続する状態で、裏面側に半田ボー
ル７７が突出状態で形成されている。
ターンが形成された実装基板上に半田を用いて接続され
ている。近年、素子の微細化及び装置の小型化に対応し
てソルダーボールコネクト法（ＳＢＣ法）と称される半
田ボールを用いて回路基板上に半導体パッケージを接続
する方法が提案されている。この方法によれば、実装基
板上の回路パターンに半導体装置の位置決めを行って載
置した後、加熱すれば多数の半田ボールによって形成さ
れる端子が回路パターンに同時に接続されるので、実装
が容易であるという利点がある。前記ソルダーボールコ
ネクト法に用いる半導体装置の一例を、図７に示すが、
片面にリードパターン７０が形成されたポリイミド樹脂
製絶縁テープからなるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板７１のリードパターン形
成面に半導体素子７２を搭載すると共に、この半導体素
子７２を囲むように金属基板７３を搭載・接合し、半導
体素子７２は金線からなるボンディングワイヤ７４によ
って各リードパターン７０に接続され、このボンディン
グワイヤ７４と共に半導体素子７２はポリイミド樹脂か
らなるポッティング樹脂７５で全体を被覆されている。
そして、前記ＴＡＢ基板７１には多数の小孔７６が格子
状に形成され、それぞれの小孔７６を介して表面側のリ
ードパターン７０に接続する状態で、裏面側に半田ボー
ル７７が突出状態で形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例に係る半導体装置においては、ポッティング樹脂７
５の注入は個々の半導体装置毎に行うので生産性が悪
く、更にはポッティング樹脂７５の注入は正確に制御す
る必要があり、不足する場合には封止不良となる場合が
あるという問題があった。更には、ポッティング樹脂の
価格が高く、前述のように装置自体の生産性が悪いの
で、製品価格が高騰するという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みてなされたもので、生産性及び信頼性
が高く、更には従来のモールド設備も使用可能な低コス
トの半田ボールを有する樹脂封止型半導体装置を提供す
ることを目的とする。
来例に係る半導体装置においては、ポッティング樹脂７
５の注入は個々の半導体装置毎に行うので生産性が悪
く、更にはポッティング樹脂７５の注入は正確に制御す
る必要があり、不足する場合には封止不良となる場合が
あるという問題があった。更には、ポッティング樹脂の
価格が高く、前述のように装置自体の生産性が悪いの
で、製品価格が高騰するという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みてなされたもので、生産性及び信頼性
が高く、更には従来のモールド設備も使用可能な低コス
トの半田ボールを有する樹脂封止型半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置は、中央に素子搭載部が形
成され、前記素子搭載部の外側位置で裏面には多数の半
田ボール端子が設けられた集積回路搭載用基板と、前記
素子搭載部に取付けられる集積回路素子と、前記半田ボ
ール端子に一端がそれぞれ接続されたリードパターン内
側のワイヤボンディング部と前記集積回路素子の各パッ
ド部をそれぞれ連結するボンディングワイヤとを有し、
また、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭載
部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合さ
れ、非接合面には多数の前記リードパターンが形成され
た絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部分
を覆う絶縁性カバーコートとを備え、更には、モールド
金型で形成され、前記集積回路素子、前記ボンディング
ワイヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディ
ング部を覆う封止樹脂体を有し、しかも、前記集積回路
搭載用基板の金属基板は平面状となって、該金属基板の
表面に前記集積回路素子が固着され、更に該金属基板及
び前記絶縁シートには、前記ワイヤボンディング部を露
出させる配線孔が設けられ、前記封止樹脂体は、該集積
回路搭載用基板の中央部の表裏を覆うようにしている。
また、請求項２記載の樹脂封止型半導体装置は、中央に
素子搭載部が形成され、前記素子搭載部の外側位置で裏
面には多数の半田ボール端子が設けられた集積回路搭載
用基板と、前記素子搭載部に取付けられる集積回路素子
と、前記半田ボール端子に一端がそれぞれ接続されたリ
ードパターン内側のワイヤボンディング部と前記集積回
路素子の各パッド部をそれぞれ連結するボンディングワ
イヤとを有し、また、前記集積回路搭載用基板は、中央
に前記素子搭載部が形成された金属基板と、該金属基板
の片面に接合され、非接合面には多数の前記リードパタ
ーンが形成された絶縁シートと、前記ワイヤボンディン
グ部を除く部分を覆う絶縁性カバーコートとを備え、更
には、モールド金型で形成され、前記集積回路素子、前
記ボンディングワイヤ、及び前記リードパターン内側の
ワイヤボンディング部を覆う封止樹脂体を有し、前記金
属基板の素子搭載部は、ディプレスされた窪み部に形成
され、しかも、前記金属基板の素子搭載部の隣接周辺
に、該素子搭載部を支持する吊りリードを形成する複数
の抜き孔が形成され、前記吊りリードの部分でディプレ
スされている。
記載の樹脂封止型半導体装置は、中央に素子搭載部が形
成され、前記素子搭載部の外側位置で裏面には多数の半
田ボール端子が設けられた集積回路搭載用基板と、前記
素子搭載部に取付けられる集積回路素子と、前記半田ボ
ール端子に一端がそれぞれ接続されたリードパターン内
側のワイヤボンディング部と前記集積回路素子の各パッ
ド部をそれぞれ連結するボンディングワイヤとを有し、
また、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭載
部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合さ
れ、非接合面には多数の前記リードパターンが形成され
た絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部分
を覆う絶縁性カバーコートとを備え、更には、モールド
金型で形成され、前記集積回路素子、前記ボンディング
ワイヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディ
ング部を覆う封止樹脂体を有し、しかも、前記集積回路
搭載用基板の金属基板は平面状となって、該金属基板の
表面に前記集積回路素子が固着され、更に該金属基板及
び前記絶縁シートには、前記ワイヤボンディング部を露
出させる配線孔が設けられ、前記封止樹脂体は、該集積
回路搭載用基板の中央部の表裏を覆うようにしている。
また、請求項２記載の樹脂封止型半導体装置は、中央に
素子搭載部が形成され、前記素子搭載部の外側位置で裏
面には多数の半田ボール端子が設けられた集積回路搭載
用基板と、前記素子搭載部に取付けられる集積回路素子
と、前記半田ボール端子に一端がそれぞれ接続されたリ
ードパターン内側のワイヤボンディング部と前記集積回
路素子の各パッド部をそれぞれ連結するボンディングワ
イヤとを有し、また、前記集積回路搭載用基板は、中央
に前記素子搭載部が形成された金属基板と、該金属基板
の片面に接合され、非接合面には多数の前記リードパタ
ーンが形成された絶縁シートと、前記ワイヤボンディン
グ部を除く部分を覆う絶縁性カバーコートとを備え、更
には、モールド金型で形成され、前記集積回路素子、前
記ボンディングワイヤ、及び前記リードパターン内側の
ワイヤボンディング部を覆う封止樹脂体を有し、前記金
属基板の素子搭載部は、ディプレスされた窪み部に形成
され、しかも、前記金属基板の素子搭載部の隣接周辺
に、該素子搭載部を支持する吊りリードを形成する複数
の抜き孔が形成され、前記吊りリードの部分でディプレ
スされている。
【０００５】
【作用】請求項１、２記載の樹脂封止型半導体装置にお
いては、集積回路搭載用基板の中央部に集積回路素子が
搭載され、該集積回路素子の各パッド部は、ボンディン
グワイヤ、リードパターンを介して該集積回路搭載用基
板の裏面に形成されている半田ボール端子に連結されて
いる。また、前記集積回路素子、前記ボンディングワイ
ヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディング
部を覆う封止樹脂体はモールド金型によって形成されて
いる。従って、均一に前記封止樹脂体を形成することが
できると共に、複数の半導体装置を同時に製造できる。
特に、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、金属基
板は平面状となって、表面に集積回路素子が固着され、
前記金属基板及び絶縁シートには配線孔が形成されて、
下部に形成された各リードパターンのワイヤボンディン
グ部が露出しているので、この部分にワイヤボンディン
グを行うことができる。請求項２記載の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子はディプレスされた金属基板の窪
み部に固定され、放熱性が向上する。そして、金属基板
の素子搭載部の隣接周辺に、該素子搭載部を支持する吊
りリードを形成する複数の抜き孔が形成され、前記吊り
リードの部分でディプレスされているので、周囲の金属
基板に無理な変形を生じることなく、簡便にディプレス
加工ができる。
いては、集積回路搭載用基板の中央部に集積回路素子が
搭載され、該集積回路素子の各パッド部は、ボンディン
グワイヤ、リードパターンを介して該集積回路搭載用基
板の裏面に形成されている半田ボール端子に連結されて
いる。また、前記集積回路素子、前記ボンディングワイ
ヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディング
部を覆う封止樹脂体はモールド金型によって形成されて
いる。従って、均一に前記封止樹脂体を形成することが
できると共に、複数の半導体装置を同時に製造できる。
特に、請求項１記載の樹脂封止型半導体装置は、金属基
板は平面状となって、表面に集積回路素子が固着され、
前記金属基板及び絶縁シートには配線孔が形成されて、
下部に形成された各リードパターンのワイヤボンディン
グ部が露出しているので、この部分にワイヤボンディン
グを行うことができる。請求項２記載の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子はディプレスされた金属基板の窪
み部に固定され、放熱性が向上する。そして、金属基板
の素子搭載部の隣接周辺に、該素子搭載部を支持する吊
りリードを形成する複数の抜き孔が形成され、前記吊り
リードの部分でディプレスされているので、周囲の金属
基板に無理な変形を生じることなく、簡便にディプレス
加工ができる。
【０００６】
【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の第１の実施例に係る樹脂封
止型半導体装置の部分断面図、図２、図３は同樹脂封止
型半導体装置の製造方法の説明図、図４〜図６は本発明
の第２〜第４の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の部
分断面図である。
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の第１の実施例に係る樹脂封
止型半導体装置の部分断面図、図２、図３は同樹脂封止
型半導体装置の製造方法の説明図、図４〜図６は本発明
の第２〜第４の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の部
分断面図である。
【０００７】図１に示すように、本発明の第１の実施例
に係る樹脂封止型半導体装置１０は、集積回路搭載用基
板１１と、集積回路搭載用基板１１の中央に搭載された
集積回路素子１２と、集積回路搭載用基板１１の下部に
配置された端子を形成する半田ボール１３と、封止樹脂
体１４とを有している。以下、これらについて詳しく説
明する。
に係る樹脂封止型半導体装置１０は、集積回路搭載用基
板１１と、集積回路搭載用基板１１の中央に搭載された
集積回路素子１２と、集積回路搭載用基板１１の下部に
配置された端子を形成する半田ボール１３と、封止樹脂
体１４とを有している。以下、これらについて詳しく説
明する。
【０００８】前記集積回路搭載用基板１１は、表側の銅
製の金属基板１５と、この金属基板１５の裏面側に貼着
されているＴＡＢ基板１６からなっている。前記ＴＡＢ
基板１６は、絶縁シート１７とその裏面に形成されてい
る導電性材料からなるリードパターン１８を有し、この
ＴＡＢ基板１６は、予め、リードパターン１８のワイヤ
ボンディング部１９を表側に露出させる配線孔２０が形
成された絶縁性樹脂シートの裏面に銅フィルムを貼着
し、これにリードパターン１８をエッチング加工し、更
にその表面に銅めっき、ニッケルめっき及び金めっき処
理を行って製造されている。なお、集積回路素子１２が
搭載される裏面側にプレス加工によって形成される抜き
孔２１は放熱性を向上するためのものである。また、実
際に金めっき処理が必要な部分はワイヤボンディング部
１９と半田ボール形成部だけであるので、他の部分はマ
スキングを行ってその部分のみめっきしてもよい。そし
て、集積回路搭載用基板１１の裏面側で半田ボール形成
部を除く部分はポリイミド樹脂の絶縁性カバーコート２
２が例えばスクリーン印刷法等によって形成されてい
る。
製の金属基板１５と、この金属基板１５の裏面側に貼着
されているＴＡＢ基板１６からなっている。前記ＴＡＢ
基板１６は、絶縁シート１７とその裏面に形成されてい
る導電性材料からなるリードパターン１８を有し、この
ＴＡＢ基板１６は、予め、リードパターン１８のワイヤ
ボンディング部１９を表側に露出させる配線孔２０が形
成された絶縁性樹脂シートの裏面に銅フィルムを貼着
し、これにリードパターン１８をエッチング加工し、更
にその表面に銅めっき、ニッケルめっき及び金めっき処
理を行って製造されている。なお、集積回路素子１２が
搭載される裏面側にプレス加工によって形成される抜き
孔２１は放熱性を向上するためのものである。また、実
際に金めっき処理が必要な部分はワイヤボンディング部
１９と半田ボール形成部だけであるので、他の部分はマ
スキングを行ってその部分のみめっきしてもよい。そし
て、集積回路搭載用基板１１の裏面側で半田ボール形成
部を除く部分はポリイミド樹脂の絶縁性カバーコート２
２が例えばスクリーン印刷法等によって形成されてい
る。
【０００９】この集積回路搭載用基板１１の製造過程の
様子を、図２、図３に示すが、予め配線孔２３ａ等の所
定の形状がプレス加工された金属基板１５が複数形成さ
れた条材２３を所定方向に搬送し、条材２３の送り方向
とは直交する方向からＴＡＢ基板１６が複数形成された
条材２４を搬送し、丁度直交する部分にプレス装置２５
を配置し、ダイス２６とパンチ２７によって条材２４か
らＴＡＢ基板１６を打ち抜き、下部にある金属基板１５
の所定位置に押圧する。この場合、金属基板１５は下部
のヒーター２８によって加熱され、ＴＡＢ基板１６の接
合面には接着剤が貼着されて、金属基板１５の所定位置
にＴＡＢ基板１６が仮接合される。なお、仮接合では接
着が不十分であるので、金属基板１５を次の工程に送っ
た時点で、加熱・押圧してＴＡＢ基板１６と金属基板１
５との本接合がなされる。なお、図３におけるハッチン
グ部は抜き孔を示し、２３ｂ、２４ａはパイロット孔を
示す。
様子を、図２、図３に示すが、予め配線孔２３ａ等の所
定の形状がプレス加工された金属基板１５が複数形成さ
れた条材２３を所定方向に搬送し、条材２３の送り方向
とは直交する方向からＴＡＢ基板１６が複数形成された
条材２４を搬送し、丁度直交する部分にプレス装置２５
を配置し、ダイス２６とパンチ２７によって条材２４か
らＴＡＢ基板１６を打ち抜き、下部にある金属基板１５
の所定位置に押圧する。この場合、金属基板１５は下部
のヒーター２８によって加熱され、ＴＡＢ基板１６の接
合面には接着剤が貼着されて、金属基板１５の所定位置
にＴＡＢ基板１６が仮接合される。なお、仮接合では接
着が不十分であるので、金属基板１５を次の工程に送っ
た時点で、加熱・押圧してＴＡＢ基板１６と金属基板１
５との本接合がなされる。なお、図３におけるハッチン
グ部は抜き孔を示し、２３ｂ、２４ａはパイロット孔を
示す。
【００１０】以上の工程によって製造された集積回路搭
載用基板１１の中央の素子搭載部２９に所定の集積回路
素子１２を導電性接着剤（例えば、銀ペースト）３０で
接合し、集積回路素子１２のパッド部と、配線孔２０、
２３ａによって開口しているリードパターン１８の各ワ
イヤボンディング部１９とをボンディングワイヤ（例え
ば、金線）３１で接合する。この後、所定のモールド金
型に樹脂封止部分を入れて、エポキシ樹脂による樹脂封
止を行う。そして、下部に格子状に露出しているボール
半田形成部に周知の方法（例えば、クリーム半田法）に
よってボール半田１３を形成し、条材２３から分離して
樹脂封止型半導体装置１０が完成する。
載用基板１１の中央の素子搭載部２９に所定の集積回路
素子１２を導電性接着剤（例えば、銀ペースト）３０で
接合し、集積回路素子１２のパッド部と、配線孔２０、
２３ａによって開口しているリードパターン１８の各ワ
イヤボンディング部１９とをボンディングワイヤ（例え
ば、金線）３１で接合する。この後、所定のモールド金
型に樹脂封止部分を入れて、エポキシ樹脂による樹脂封
止を行う。そして、下部に格子状に露出しているボール
半田形成部に周知の方法（例えば、クリーム半田法）に
よってボール半田１３を形成し、条材２３から分離して
樹脂封止型半導体装置１０が完成する。
【００１１】図４〜図６には本発明の第２〜第４の実施
例に係る樹脂封止型半導体装置３３〜３５を示すが、同
一の構成要素は同一の番号を付してその詳しい説明を省
略する。図４に示す第２の実施例に係る樹脂封止型半導
体装置３３においては、金属基板３３ａに形成される素
子搭載部３６の隣接周辺に抜き孔３７が形成され、素子
搭載部３６の４隅を支持する幅狭の吊りリード３８を形
成し、この吊りリード３８の部分でディプレスを行い、
素子搭載部３６を段状に窪ませている。なお、必要に応
じて抜き孔３７の周囲に二重、三重に抜き孔を形成し、
内側部分を支持する吊りリードの位置を変えることによ
って、ディプレス時に発生する応力を緩和し、円滑にデ
ィプレス作業を行える。そして、ＴＡＢ基板３９に形成
されるリードパターン４０は、下部の素子搭載部３６側
で露出してワイヤボンディング部４１を形成し、集積回
路素子１２とボンディングワイヤ３１によって連結され
ている。ワイヤボンディング部４１、ボンディングワイ
ヤ３１及び集積回路素子１２は、モールド金型を用いて
エポキシ樹脂等によって樹脂封止されている。
例に係る樹脂封止型半導体装置３３〜３５を示すが、同
一の構成要素は同一の番号を付してその詳しい説明を省
略する。図４に示す第２の実施例に係る樹脂封止型半導
体装置３３においては、金属基板３３ａに形成される素
子搭載部３６の隣接周辺に抜き孔３７が形成され、素子
搭載部３６の４隅を支持する幅狭の吊りリード３８を形
成し、この吊りリード３８の部分でディプレスを行い、
素子搭載部３６を段状に窪ませている。なお、必要に応
じて抜き孔３７の周囲に二重、三重に抜き孔を形成し、
内側部分を支持する吊りリードの位置を変えることによ
って、ディプレス時に発生する応力を緩和し、円滑にデ
ィプレス作業を行える。そして、ＴＡＢ基板３９に形成
されるリードパターン４０は、下部の素子搭載部３６側
で露出してワイヤボンディング部４１を形成し、集積回
路素子１２とボンディングワイヤ３１によって連結され
ている。ワイヤボンディング部４１、ボンディングワイ
ヤ３１及び集積回路素子１２は、モールド金型を用いて
エポキシ樹脂等によって樹脂封止されている。
【００１２】図５に示す樹脂封止型半導体装置３４にお
いては、金属基板４３に抜き孔を設けないで、素子搭載
部４４をディプレス加工し、ディプレスした素子搭載部
４４に集積回路素子１２を取付け、集積回路素子１２を
搭載した側のみをエポキシ樹脂等の封止樹脂体４５によ
って樹脂封止している。これによって裏面（即ち、上
面）の金属基板４３が露出するので、集積回路素子１２
からの熱を効率よく放出することができる。
いては、金属基板４３に抜き孔を設けないで、素子搭載
部４４をディプレス加工し、ディプレスした素子搭載部
４４に集積回路素子１２を取付け、集積回路素子１２を
搭載した側のみをエポキシ樹脂等の封止樹脂体４５によ
って樹脂封止している。これによって裏面（即ち、上
面）の金属基板４３が露出するので、集積回路素子１２
からの熱を効率よく放出することができる。
【００１３】図６に示す樹脂封止型半導体装置３５は、
前記第３の実施例に係る樹脂封止型半導体装置３４の変
形で、素子搭載部４６を下側にディプレスすると共に、
配線孔２３ａを形成した金属基板４７を使用している。
なお、封止樹脂体４８は集積回路素子１２が設けられた
表面側のみを被覆し、裏面側への放熱性を向上させてい
る。
前記第３の実施例に係る樹脂封止型半導体装置３４の変
形で、素子搭載部４６を下側にディプレスすると共に、
配線孔２３ａを形成した金属基板４７を使用している。
なお、封止樹脂体４８は集積回路素子１２が設けられた
表面側のみを被覆し、裏面側への放熱性を向上させてい
る。
【００１４】
【発明の効果】請求項１及び２記載の樹脂封止型半導体
装置は、従来のようにポッティング樹脂を使用しない
で、モールド金型を使用した樹脂封止を行っているの
で、信頼性及び生産性が高い。また、使用する封止樹脂
体もエポキシ樹脂等の廉価な樹脂が使用でき、更には従
来のモールド設備の使用も可能であるので、製造コスト
が廉価となる。
装置は、従来のようにポッティング樹脂を使用しない
で、モールド金型を使用した樹脂封止を行っているの
で、信頼性及び生産性が高い。また、使用する封止樹脂
体もエポキシ樹脂等の廉価な樹脂が使用でき、更には従
来のモールド設備の使用も可能であるので、製造コスト
が廉価となる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の部分断面図である。
装置の部分断面図である。
【図２】同樹脂封止型半導体装置の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図３】同樹脂封止型半導体装置の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図６】本発明の第４実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図７】従来例に係る樹脂封止型半導体装置の部分断面
図である。
図である。
１０：樹脂封止型半導体装置、１１：集積回路搭載用基
板、１２：集積回路素子、１３：半田ボール、１４：封
止樹脂体、１５：金属基板、１６：ＴＡＢ基板、１７：
絶縁シート、１８：リードパターン、１９：ワイヤボン
ディング部、２０：配線孔、２１：抜き孔、２２：絶縁
性カバーコート、２３：条材、２３ａ：配線孔、２３
ｂ：パイロット孔、２４：条材、２４ａ：パイロット
孔、２５：プレス装置、２６：ダイス、２７：パンチ、
２８：ヒーター、２９：素子搭載部、３０：導電性接着
剤、３１：ボンディングワイヤ、３３：樹脂封止型半導
体装置、３３ａ：金属基板、３４：樹脂封止型半導体装
置、３５：樹脂封止型半導体装置、３６：素子搭載部、
３７：抜き孔、３８：吊りリード、３９：ＴＡＢ基板、
４０：リードパターン、４１：ワイヤボンディング部、
４３：金属基板、４４：素子搭載部、４５：封止樹脂
体、４６：素子搭載部、４７：金属基板、４８：封止樹
脂体
板、１２：集積回路素子、１３：半田ボール、１４：封
止樹脂体、１５：金属基板、１６：ＴＡＢ基板、１７：
絶縁シート、１８：リードパターン、１９：ワイヤボン
ディング部、２０：配線孔、２１：抜き孔、２２：絶縁
性カバーコート、２３：条材、２３ａ：配線孔、２３
ｂ：パイロット孔、２４：条材、２４ａ：パイロット
孔、２５：プレス装置、２６：ダイス、２７：パンチ、
２８：ヒーター、２９：素子搭載部、３０：導電性接着
剤、３１：ボンディングワイヤ、３３：樹脂封止型半導
体装置、３３ａ：金属基板、３４：樹脂封止型半導体装
置、３５：樹脂封止型半導体装置、３６：素子搭載部、
３７：抜き孔、３８：吊りリード、３９：ＴＡＢ基板、
４０：リードパターン、４１：ワイヤボンディング部、
４３：金属基板、４４：素子搭載部、４５：封止樹脂
体、４６：素子搭載部、４７：金属基板、４８：封止樹
脂体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立石 幸治 福岡県北九州市八幡西区小嶺２丁目10− １ 株式会社三井ハイテック内 (56)参考文献 特開 平６−204355（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283336（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−273246（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−116014（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−148608（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 23/28
Claims (2)
- 【請求項１】 中央に素子搭載部が形成され、前記素子
搭載部の外側位置で裏面には多数の半田ボール端子が設
けられた集積回路搭載用基板と、前記素子搭載部に取付
けられる集積回路素子と、前記半田ボール端子に一端が
それぞれ接続されたリードパターン内側のワイヤボンデ
ィング部と前記集積回路素子の各パッド部をそれぞれ連
結するボンディングワイヤとを有し、 また、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭載
部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合さ
れ、非接合面には多数の前記リードパターンが形成され
た絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部分
を覆う絶縁性カバーコートとを備え、 更には、モールド金型で形成され、前記集積回路素子、
前記ボンディングワイヤ、及び前記リードパターン内側
のワイヤボンディング部を覆う封止樹脂体を有し、 しかも、前記集積回路搭載用基板の金属基板は平面状と
なって、該金属基板の表面に前記集積回路素子が固着さ
れ、更に該金属基板及び前記絶縁シートには、前記ワイ
ヤボンディング部を露出させる配線孔が設けられ、前記
封止樹脂体は、該集積回路搭載用基板の中央部の表裏を
覆うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 中央に素子搭載部が形成され、前記素子
搭載部の外側位置で裏面には多数の半田ボール端子が設
けられた集積回路搭載用基板と、前記素子搭載部に取付
けられる集積回路素子と、前記半田ボール端子に一端が
それぞれ接続されたリードパターン内側のワイヤボンデ
ィング部と前記集積回路素子の各パッド部をそれぞれ連
結するボンディングワイヤとを有し、 また、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭載
部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合さ
れ、非接合面には多数の前記リードパターンが形成され
た絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部分
を覆う絶縁性カバーコートとを備え、 更には、モールド金型で形成され、前記集積回路素子、
前記ボンディングワイヤ、及び前記リードパターン内側
のワイヤボンディング部を覆う封止樹脂体を有し、 前記金属基板の素子搭載部は、ディプレスされた窪み部
に形成され、 しかも、前記金属基板の素子搭載部の隣接周辺に、該素
子搭載部を支持する吊りリードを形成する複数の抜き孔
が形成され、前記吊りリードの部分でディプレスされて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30307594A JP3103281B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US08/757,639 US5717252A (en) | 1994-07-25 | 1996-12-02 | Solder-ball connected semiconductor device with a recessed chip mounting area |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30307594A JP3103281B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139228A JPH08139228A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3103281B2 true JP3103281B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=17916600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30307594A Expired - Fee Related JP3103281B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3103281B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970059825A (ko) * | 1997-01-25 | 1997-08-12 | 안승균 | 카메라용 필터를 고정하는 장치 |
| KR100258852B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2000-06-15 | 김영환 | 반도체 패키지의 제조 방법 |
| JPH10294418A (ja) * | 1997-04-21 | 1998-11-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2000323623A (ja) | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2006093577A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用転写フィルム基板及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-11 JP JP30307594A patent/JP3103281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08139228A (ja) | 1996-05-31 |
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