JPH08139228A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH08139228A JPH08139228A JP30307594A JP30307594A JPH08139228A JP H08139228 A JPH08139228 A JP H08139228A JP 30307594 A JP30307594 A JP 30307594A JP 30307594 A JP30307594 A JP 30307594A JP H08139228 A JPH08139228 A JP H08139228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- integrated circuit
- semiconductor device
- metal substrate
- element mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 生産性及び信頼性が高く、更には従来のモー
ルド設備も使用可能な低コストの半田ボールを有する樹
脂封止型半導体装置を提供する。 【構成】 外側裏面には多数の半田ボール端子１３が設
けられた集積回路搭載用基板１１と、素子搭載部に固着
される集積回路素子１２と、リードパターン１８の内側
のワイヤボンディング部１９と集積回路素子１２を連結
するボンディングワイヤ３１とを有し、集積回路搭載用
基板１１は、中央に素子搭載部が形成された金属基板１
５と、金属基板１５の片面に接合され、非接合面には多
数のリードパターンが形成された絶縁シート１７と、ワ
イヤボンディング部１９の形成部を除く部分を覆う絶縁
性カバーコート２２とを備え、更には、モールド金型で
形成され、集積回路素子１２、ボンディングワイヤ３
１、及びリードパターン１８の内側のワイヤボンディン
グ部１９を覆う封止樹脂体１４を有する。
ルド設備も使用可能な低コストの半田ボールを有する樹
脂封止型半導体装置を提供する。 【構成】 外側裏面には多数の半田ボール端子１３が設
けられた集積回路搭載用基板１１と、素子搭載部に固着
される集積回路素子１２と、リードパターン１８の内側
のワイヤボンディング部１９と集積回路素子１２を連結
するボンディングワイヤ３１とを有し、集積回路搭載用
基板１１は、中央に素子搭載部が形成された金属基板１
５と、金属基板１５の片面に接合され、非接合面には多
数のリードパターンが形成された絶縁シート１７と、ワ
イヤボンディング部１９の形成部を除く部分を覆う絶縁
性カバーコート２２とを備え、更には、モールド金型で
形成され、集積回路素子１２、ボンディングワイヤ３
１、及びリードパターン１８の内側のワイヤボンディン
グ部１９を覆う封止樹脂体１４を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ソルダーボールコネク
ト法（ＳＢＣ法）を用いた樹脂封止型半導体装置に関す
る。
ト法（ＳＢＣ法）を用いた樹脂封止型半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は、回路パ
ターンが形成された実装基板上に半田を用いて接続され
ている。近年、素子の微細化及び装置の小型化に対応し
てソルダーボールコネクト法（ＳＢＣ法）と称される半
田ボールを用いて回路基板上に半導体パッケージを接続
する方法が提案されている。この方法によれば、実装基
板上の回路パターンに半導体装置の位置決めを行って載
置した後、加熱すれば多数の半田ボールによって形成さ
れる端子が回路パターンに同時に接続されるので、実装
が容易であるという利点がある。前記ソルダーボールコ
ネクト法に用いる半導体装置の一例を、図７に示すが、
片面にリードパターン７０が形成されたポリイミド樹脂
製絶縁テープからなるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板７１のリードパターン形
成面に半導体素子７２を搭載すると共に、この半導体素
子７２を囲むように金属基板７３を搭載・接合し、半導
体素子７２は金線からなるボンディングワイヤ７４によ
って各リードパターン７０に接続され、このボンディン
グワイヤ７４と共に半導体素子７２はポリイミド樹脂か
らなるポッティング樹脂７５で全体を被覆されている。
そして、前記ＴＡＢ基板７１には多数の小孔７６が格子
状に形成され、それぞれの小孔７６を介して表面側のリ
ードパターン７０に接続する状態で、裏面側に半田ボー
ル７７が突出状態で形成されている。
ターンが形成された実装基板上に半田を用いて接続され
ている。近年、素子の微細化及び装置の小型化に対応し
てソルダーボールコネクト法（ＳＢＣ法）と称される半
田ボールを用いて回路基板上に半導体パッケージを接続
する方法が提案されている。この方法によれば、実装基
板上の回路パターンに半導体装置の位置決めを行って載
置した後、加熱すれば多数の半田ボールによって形成さ
れる端子が回路パターンに同時に接続されるので、実装
が容易であるという利点がある。前記ソルダーボールコ
ネクト法に用いる半導体装置の一例を、図７に示すが、
片面にリードパターン７０が形成されたポリイミド樹脂
製絶縁テープからなるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板７１のリードパターン形
成面に半導体素子７２を搭載すると共に、この半導体素
子７２を囲むように金属基板７３を搭載・接合し、半導
体素子７２は金線からなるボンディングワイヤ７４によ
って各リードパターン７０に接続され、このボンディン
グワイヤ７４と共に半導体素子７２はポリイミド樹脂か
らなるポッティング樹脂７５で全体を被覆されている。
そして、前記ＴＡＢ基板７１には多数の小孔７６が格子
状に形成され、それぞれの小孔７６を介して表面側のリ
ードパターン７０に接続する状態で、裏面側に半田ボー
ル７７が突出状態で形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例に係る半導体装置においては、ポッティング樹脂７
５の注入は個々の半導体装置毎に行うので生産性が悪
く、更にはポッティング樹脂７５の注入は正確に制御す
る必要があり、不足する場合には封止不良となる場合が
あるという問題があった。更には、ポッティング樹脂の
価格が高く、前述のように装置自体の生産性が悪いの
で、製品価格が高騰するという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みてなされたもので、生産性及び信頼性
が高く、更には従来のモールド設備も使用可能な低コス
トの半田ボールを有する樹脂封止型半導体装置を提供す
ることを目的とする。
来例に係る半導体装置においては、ポッティング樹脂７
５の注入は個々の半導体装置毎に行うので生産性が悪
く、更にはポッティング樹脂７５の注入は正確に制御す
る必要があり、不足する場合には封止不良となる場合が
あるという問題があった。更には、ポッティング樹脂の
価格が高く、前述のように装置自体の生産性が悪いの
で、製品価格が高騰するという問題があった。本発明は
かかる事情に鑑みてなされたもので、生産性及び信頼性
が高く、更には従来のモールド設備も使用可能な低コス
トの半田ボールを有する樹脂封止型半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置は、中央に素子搭載部が形
成され、前記素子搭載部の外側位置で裏面には多数の半
田ボール端子が設けられた集積回路搭載用基板と、前記
素子搭載部に取付けられる集積回路素子と、前記半田ボ
ール端子に一端がそれぞれ接続されたリードパターン内
側のワイヤボンディング部と前記集積回路素子の各パッ
ド部をそれぞれ連結するボンディングワイヤとを有し、
しかも、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭
載部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合
され、非接合面には多数の前記リードパターンが形成さ
れた絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部
分を覆う絶縁性カバーコートとを備え、更には、モール
ド金型で形成され、前記集積回路、前記ボンディングワ
イヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディン
グ部を覆う封止樹脂体を有することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。請求項２記載の樹脂封止型半導体装置
は、請求項１記載の半導体装置において、前記集積回路
搭載用基板の金属基板は平面状となって、該金属基板の
表面に前記集積回路素子が固着され、更に該金属基板及
び前記絶縁シートには、前記ワイヤボンディング部を露
出させる配線孔が設けられ、前記封止樹脂体は、該集積
回路搭載用基板の中央部の表裏を覆うようにしている。
請求項３記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１記載
の半導体装置において、前記金属基板の素子搭載部は、
ディプレスされた窪み部に形成されている。請求項４記
載の樹脂封止型半導体装置は、請求項３記載の半導体装
置において、前記金属基板の素子搭載部側のみに封止樹
脂体が設けられている。そして、請求項５記載の樹脂封
止型半導体装置は、請求項３記載の半導体装置におい
て、前記金属基板の素子搭載部の隣接周辺に、該素子搭
載部を支持する吊りリードを形成する複数の抜き孔が形
成され、前記吊りリードの部分でディプレスされてい
る。
記載の樹脂封止型半導体装置は、中央に素子搭載部が形
成され、前記素子搭載部の外側位置で裏面には多数の半
田ボール端子が設けられた集積回路搭載用基板と、前記
素子搭載部に取付けられる集積回路素子と、前記半田ボ
ール端子に一端がそれぞれ接続されたリードパターン内
側のワイヤボンディング部と前記集積回路素子の各パッ
ド部をそれぞれ連結するボンディングワイヤとを有し、
しかも、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭
載部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合
され、非接合面には多数の前記リードパターンが形成さ
れた絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部
分を覆う絶縁性カバーコートとを備え、更には、モール
ド金型で形成され、前記集積回路、前記ボンディングワ
イヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディン
グ部を覆う封止樹脂体を有することを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。請求項２記載の樹脂封止型半導体装置
は、請求項１記載の半導体装置において、前記集積回路
搭載用基板の金属基板は平面状となって、該金属基板の
表面に前記集積回路素子が固着され、更に該金属基板及
び前記絶縁シートには、前記ワイヤボンディング部を露
出させる配線孔が設けられ、前記封止樹脂体は、該集積
回路搭載用基板の中央部の表裏を覆うようにしている。
請求項３記載の樹脂封止型半導体装置は、請求項１記載
の半導体装置において、前記金属基板の素子搭載部は、
ディプレスされた窪み部に形成されている。請求項４記
載の樹脂封止型半導体装置は、請求項３記載の半導体装
置において、前記金属基板の素子搭載部側のみに封止樹
脂体が設けられている。そして、請求項５記載の樹脂封
止型半導体装置は、請求項３記載の半導体装置におい
て、前記金属基板の素子搭載部の隣接周辺に、該素子搭
載部を支持する吊りリードを形成する複数の抜き孔が形
成され、前記吊りリードの部分でディプレスされてい
る。
【０００５】
【作用】請求項１〜５記載の樹脂封止型半導体装置にお
いては、集積回路搭載用基板の中央部に集積回路素子が
搭載され、該集積回路素子の各パッド部は、ボンディン
グワイヤ、リードパターンを介して該集積回路搭載用基
板の裏面に形成されている半田ボール端子に連結されて
いる。そして、前記集積回路、前記ボンディングワイ
ヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディング
部を覆う封止樹脂体はモールド金型によって形成されて
いる。従って、均一に前記封止樹脂体を形成することが
できると共に、複数の半導体装置を同時に製造できる。
特に、請求項２記載の樹脂封止型半導体装置において
は、金属基板は平面状となって、表面に集積回路素子が
固着され、前記金属基板及び絶縁シートには配線孔が形
成されて、下部に形成された各リードパターンのワイヤ
ボンディング部が露出しているので、この部分にワイヤ
ボンディングを行うことができる。請求項３記載の樹脂
封止型半導体装置においては、半導体素子はディプレス
された金属基板の窪み部に固定され、請求項４記載の樹
脂封止型半導体装置においては、更に金属基板の片側の
みを樹脂封止しているので、金属基板の片面が露出し、
放熱性が向上する。そして、請求項５記載の樹脂封止型
半導体装置においては、金属基板の素子搭載部の隣接周
辺に、該素子搭載部を支持する吊りリードを形成する複
数の抜き孔が形成され、前記吊りリードの部分でディプ
レスされているので、周囲の金属基板に無理な変形を生
じることなく、簡便にディプレス加工ができる。
いては、集積回路搭載用基板の中央部に集積回路素子が
搭載され、該集積回路素子の各パッド部は、ボンディン
グワイヤ、リードパターンを介して該集積回路搭載用基
板の裏面に形成されている半田ボール端子に連結されて
いる。そして、前記集積回路、前記ボンディングワイ
ヤ、及び前記リードパターン内側のワイヤボンディング
部を覆う封止樹脂体はモールド金型によって形成されて
いる。従って、均一に前記封止樹脂体を形成することが
できると共に、複数の半導体装置を同時に製造できる。
特に、請求項２記載の樹脂封止型半導体装置において
は、金属基板は平面状となって、表面に集積回路素子が
固着され、前記金属基板及び絶縁シートには配線孔が形
成されて、下部に形成された各リードパターンのワイヤ
ボンディング部が露出しているので、この部分にワイヤ
ボンディングを行うことができる。請求項３記載の樹脂
封止型半導体装置においては、半導体素子はディプレス
された金属基板の窪み部に固定され、請求項４記載の樹
脂封止型半導体装置においては、更に金属基板の片側の
みを樹脂封止しているので、金属基板の片面が露出し、
放熱性が向上する。そして、請求項５記載の樹脂封止型
半導体装置においては、金属基板の素子搭載部の隣接周
辺に、該素子搭載部を支持する吊りリードを形成する複
数の抜き孔が形成され、前記吊りリードの部分でディプ
レスされているので、周囲の金属基板に無理な変形を生
じることなく、簡便にディプレス加工ができる。
【０００６】
【実施例】続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の第１の実施例に係る樹脂封
止型半導体装置の部分断面図、図２、図３は同樹脂封止
型半導体装置の製造方法の説明図、図４〜図６は本発明
の第２〜第４の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の部
分断面図である。
を具体化した実施例につき説明し、本発明の理解に供す
る。ここに、図１は本発明の第１の実施例に係る樹脂封
止型半導体装置の部分断面図、図２、図３は同樹脂封止
型半導体装置の製造方法の説明図、図４〜図６は本発明
の第２〜第４の実施例に係る樹脂封止型半導体装置の部
分断面図である。
【０００７】図１に示すように、本発明の第１の実施例
に係る樹脂封止型半導体装置１０は、集積回路搭載用基
板１１と、集積回路搭載用基板１１の中央に搭載された
集積回路素子１２と、集積回路搭載用基板１１の下部に
配置された端子を形成する半田ボール１３と、封止樹脂
体１４とを有している。以下、これらについて詳しく説
明する。
に係る樹脂封止型半導体装置１０は、集積回路搭載用基
板１１と、集積回路搭載用基板１１の中央に搭載された
集積回路素子１２と、集積回路搭載用基板１１の下部に
配置された端子を形成する半田ボール１３と、封止樹脂
体１４とを有している。以下、これらについて詳しく説
明する。
【０００８】前記集積回路搭載用基板１１は、表側の銅
製の金属基板１５と、この金属基板１５の裏面側に貼着
されているＴＡＢ基板１６からなっている。前記ＴＡＢ
基板１６は、絶縁シート１７とその裏面に形成されてい
る導電性材料からなるリードパターン１８を有し、この
ＴＡＢ基板１６は、予め、リードパターン１８のワイヤ
ボンディング部１９を表側に露出させる配線孔２０が形
成された絶縁性樹脂シートの裏面に銅フィルムを貼着
し、これにリードパターン１８をエッチング加工し、更
にその表面に銅めっき、ニッケルめっき及び金めっき処
理を行って製造されている。なお、集積回路素子１２が
搭載される裏面側にプレス加工によって形成される抜孔
２１は放熱性を向上するためのものである。また、実際
に金めっき処理が必要な部分はワイヤボンディング部１
９と半田ボール形成部だけであるので、他の部分はマス
キングを行ってその部分のみめっきしてもよい。そし
て、集積回路搭載用基板１１の裏面側で半田ボール形成
部を除く部分はポリイミド樹脂の絶縁カバーコート２２
が例えばスクリーン印刷法等によって形成されている。
製の金属基板１５と、この金属基板１５の裏面側に貼着
されているＴＡＢ基板１６からなっている。前記ＴＡＢ
基板１６は、絶縁シート１７とその裏面に形成されてい
る導電性材料からなるリードパターン１８を有し、この
ＴＡＢ基板１６は、予め、リードパターン１８のワイヤ
ボンディング部１９を表側に露出させる配線孔２０が形
成された絶縁性樹脂シートの裏面に銅フィルムを貼着
し、これにリードパターン１８をエッチング加工し、更
にその表面に銅めっき、ニッケルめっき及び金めっき処
理を行って製造されている。なお、集積回路素子１２が
搭載される裏面側にプレス加工によって形成される抜孔
２１は放熱性を向上するためのものである。また、実際
に金めっき処理が必要な部分はワイヤボンディング部１
９と半田ボール形成部だけであるので、他の部分はマス
キングを行ってその部分のみめっきしてもよい。そし
て、集積回路搭載用基板１１の裏面側で半田ボール形成
部を除く部分はポリイミド樹脂の絶縁カバーコート２２
が例えばスクリーン印刷法等によって形成されている。
【０００９】この集積回路搭載用基板１１の製造過程の
様子を、図２、図３に示すが、予め配線孔２３ａ等の所
定の形状がプレス加工された金属基板１５が複数形成さ
れた条材２３を所定方向に搬送し、条材２３の送り方向
とは直交する方向からＴＡＢ基板１６が複数形成された
条材２４を搬送し、丁度直交する部分にプレス装置２５
を配置し、ダイス２６とパンチ２７によって条材２４か
らＴＡＢ基板１６を打ち抜き、下部にある金属基板１５
の所定位置に押圧する。この場合、金属基板１５は下部
のヒーター２８によって加熱され、ＴＡＢ基板１６の接
合面には接着剤が貼着されて、金属基板１５の所定位置
にＴＡＢ基板１６が仮接合される。なお、仮接合では接
着が不十分であるので、金属基板１５を次の工程に送っ
た時点で、加熱・押圧してＴＡＢ基板１６と金属基板１
５との本接合がなされる。なお、図３におけるハッチン
グ部は抜孔を示し、２３ｂ、２４ａはパイロット孔を示
す。
様子を、図２、図３に示すが、予め配線孔２３ａ等の所
定の形状がプレス加工された金属基板１５が複数形成さ
れた条材２３を所定方向に搬送し、条材２３の送り方向
とは直交する方向からＴＡＢ基板１６が複数形成された
条材２４を搬送し、丁度直交する部分にプレス装置２５
を配置し、ダイス２６とパンチ２７によって条材２４か
らＴＡＢ基板１６を打ち抜き、下部にある金属基板１５
の所定位置に押圧する。この場合、金属基板１５は下部
のヒーター２８によって加熱され、ＴＡＢ基板１６の接
合面には接着剤が貼着されて、金属基板１５の所定位置
にＴＡＢ基板１６が仮接合される。なお、仮接合では接
着が不十分であるので、金属基板１５を次の工程に送っ
た時点で、加熱・押圧してＴＡＢ基板１６と金属基板１
５との本接合がなされる。なお、図３におけるハッチン
グ部は抜孔を示し、２３ｂ、２４ａはパイロット孔を示
す。
【００１０】以上の工程によって製造された集積回路搭
載用基板１１の中央の素子搭載部２９に所定の集積回路
素子１２を導電性接着剤（例えば、銀ペースト）３０で
接合し、集積回路素子１２のパッド部と、配線孔２０、
２３ａによって開口しているリードパターン１８の各ワ
イヤボンディング部１９とをボンディングワイヤ（例え
ば、金線）３１で接合する。この後、所定のモールド金
型に樹脂封止部分を入れて、エポキシ樹脂による樹脂封
止を行う。そして、下部に格子状に露出しているボール
半田形成部に周知の方法（例えば、クリーム半田法）に
よってボール半田１３を形成し、条材２３から分離して
樹脂封止型半導体装置１０が完成する。
載用基板１１の中央の素子搭載部２９に所定の集積回路
素子１２を導電性接着剤（例えば、銀ペースト）３０で
接合し、集積回路素子１２のパッド部と、配線孔２０、
２３ａによって開口しているリードパターン１８の各ワ
イヤボンディング部１９とをボンディングワイヤ（例え
ば、金線）３１で接合する。この後、所定のモールド金
型に樹脂封止部分を入れて、エポキシ樹脂による樹脂封
止を行う。そして、下部に格子状に露出しているボール
半田形成部に周知の方法（例えば、クリーム半田法）に
よってボール半田１３を形成し、条材２３から分離して
樹脂封止型半導体装置１０が完成する。
【００１１】図４〜図６には本発明の第２〜第４の実施
例に係る樹脂封止型半導体装置３３〜３５を示すが、同
一の構成要素は同一の番号を付してその詳しい説明を省
略する。図４に示す第２の実施例に係る樹脂封止型半導
体装置３３においては、金属基板３３ａに形成される素
子搭載部３６の隣接周辺に抜孔３７が形成され、素子搭
載部３６の４隅を支持する幅狭の吊りリード３８を形成
し、この吊りリード３８の部分でディプレスを行い、素
子搭載部３６を段状に窪ませている。なお、必要に応じ
て抜き孔３７の周囲に二重、三重に抜き孔を形成し、内
側部分を支持する吊りリードの位置を変えることによっ
て、ディプレス時に発生する応力を緩和し、円滑にディ
プレス作業を行える。そして、ＴＡＢ基板３９に形成さ
れるリードパターン４０は、下部の素子搭載部３６側で
露出してワイヤボンディング部４１を形成し、集積回路
素子１２とボンディングワイヤ３１によって連結されて
いる。ワイヤボンディング部４１、ボンディングワイヤ
３１及び集積回路素子１２は、モールド金型を用いてエ
ポキシ樹脂等によって樹脂封止されている。
例に係る樹脂封止型半導体装置３３〜３５を示すが、同
一の構成要素は同一の番号を付してその詳しい説明を省
略する。図４に示す第２の実施例に係る樹脂封止型半導
体装置３３においては、金属基板３３ａに形成される素
子搭載部３６の隣接周辺に抜孔３７が形成され、素子搭
載部３６の４隅を支持する幅狭の吊りリード３８を形成
し、この吊りリード３８の部分でディプレスを行い、素
子搭載部３６を段状に窪ませている。なお、必要に応じ
て抜き孔３７の周囲に二重、三重に抜き孔を形成し、内
側部分を支持する吊りリードの位置を変えることによっ
て、ディプレス時に発生する応力を緩和し、円滑にディ
プレス作業を行える。そして、ＴＡＢ基板３９に形成さ
れるリードパターン４０は、下部の素子搭載部３６側で
露出してワイヤボンディング部４１を形成し、集積回路
素子１２とボンディングワイヤ３１によって連結されて
いる。ワイヤボンディング部４１、ボンディングワイヤ
３１及び集積回路素子１２は、モールド金型を用いてエ
ポキシ樹脂等によって樹脂封止されている。
【００１２】図５に示す樹脂封止型半導体装置３４にお
いては、金属基板４３に抜孔を設けないで、素子搭載部
４４をディプレス加工し、ディプレスした素子搭載部４
４に集積回路素子１２を取付け、集積回路素子１２を搭
載した側のみをエポキシ樹脂等の封止樹脂体４５によっ
て樹脂封止している。これによって裏面（即ち、上面）
の金属基板４３が露出するので、集積回路素子１２から
の熱を効率よく放出することができる。
いては、金属基板４３に抜孔を設けないで、素子搭載部
４４をディプレス加工し、ディプレスした素子搭載部４
４に集積回路素子１２を取付け、集積回路素子１２を搭
載した側のみをエポキシ樹脂等の封止樹脂体４５によっ
て樹脂封止している。これによって裏面（即ち、上面）
の金属基板４３が露出するので、集積回路素子１２から
の熱を効率よく放出することができる。
【００１３】図６に示す樹脂封止型半導体装置３５は、
前記第３の実施例に係る樹脂封止型半導体装置３４の変
形で、素子搭載部４６を下側にディプレスすると共に、
配線孔２３ａを形成した金属基板４７を使用している。
なお、封止樹脂体４８は集積回路素子１２が設けられた
表面側のみを被覆し、裏面側への放熱性を向上させてい
る。
前記第３の実施例に係る樹脂封止型半導体装置３４の変
形で、素子搭載部４６を下側にディプレスすると共に、
配線孔２３ａを形成した金属基板４７を使用している。
なお、封止樹脂体４８は集積回路素子１２が設けられた
表面側のみを被覆し、裏面側への放熱性を向上させてい
る。
【００１４】
【発明の効果】請求項１〜５記載の樹脂封止型半導体装
置は、従来のようにポッティング樹脂を使用しないで、
モールド金型を使用した樹脂封止を行っているので、信
頼性及び生産性が高い。また、使用する封止樹脂体もエ
ポキシ樹脂等の廉価な樹脂が使用でき、更には従来のモ
ールド設備の使用も可能であるので、製造コストが廉価
となる。
置は、従来のようにポッティング樹脂を使用しないで、
モールド金型を使用した樹脂封止を行っているので、信
頼性及び生産性が高い。また、使用する封止樹脂体もエ
ポキシ樹脂等の廉価な樹脂が使用でき、更には従来のモ
ールド設備の使用も可能であるので、製造コストが廉価
となる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る樹脂封止型半導体
装置の部分断面図である。
装置の部分断面図である。
【図２】同樹脂封止型半導体装置の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図３】同樹脂封止型半導体装置の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図６】本発明の第４実施例に係る樹脂封止型半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図７】従来例に係る樹脂封止型半導体装置の部分断面
図である。
図である。
１０ 樹脂封止型半導体装置 １１ 集積回路搭載用基板 １２ 集積回路素子 １３ 半田ボール １４ 封止樹脂体 １５ 金属基板 １６ ＴＡＢ基板 １７ 絶縁シート １８ リードパターン １９ ワイヤボンディング部 ２０ 配線孔 ２１ 抜孔 ２２ 絶縁カバーコート ２３ 条材 ２３ａ 配線孔 ２３ｂ パイロット孔 ２４ 条材 ２４ａ パイロット孔 ２５ プレス装置 ２６ ダイス ２７ パンチ ２８ ヒーター ２９ 素子搭載部 ３０ 導電性接着剤 ３１ ボンディングワイヤ ３３ 樹脂封止型半導体装置 ３３ａ 金属基板 ３４ 樹脂封止型半導体装置 ３５ 樹脂封止型半導体装置 ３６ 素子搭載部 ３７ 抜孔 ３８ 吊りリード ３９ ＴＡＢ基板 ４０ リードパターン ４１ ワイヤボンディング部 ４３ 金属基板 ４４ 素子搭載部 ４５ 封止樹脂体 ４６ 素子搭載部 ４７ 金属基板 ４８ 封止樹脂体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立石 幸治 福岡県北九州市八幡西区小嶺２丁目10−１ 株式会社三井ハイテック内
Claims (5)
- 【請求項１】 中央に素子搭載部が形成され、前記素子
搭載部の外側位置で裏面には多数の半田ボール端子が設
けられた集積回路搭載用基板と、前記素子搭載部に取付
けられる集積回路素子と、前記半田ボール端子に一端が
それぞれ接続されたリードパターン内側のワイヤボンデ
ィング部と前記集積回路素子の各パッド部をそれぞれ連
結するボンディングワイヤとを有し、 しかも、前記集積回路搭載用基板は、中央に前記素子搭
載部が形成された金属基板と、該金属基板の片面に接合
され、非接合面には多数の前記リードパターンが形成さ
れた絶縁シートと、前記ワイヤボンディング部を除く部
分を覆う絶縁性カバーコートとを備え、 更には、モールド金型で形成され、前記集積回路、前記
ボンディングワイヤ、及び前記リードパターン内側のワ
イヤボンディング部を覆う封止樹脂体を有することを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記集積回路搭載用基板の金属基板は平
面状となって、該金属基板の表面に前記集積回路素子が
固着され、更に該金属基板及び前記絶縁シートには、前
記ワイヤボンディング部を露出させる配線孔が設けら
れ、前記封止樹脂体は、該集積回路搭載用基板の中央部
の表裏を覆う請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記金属基板の素子搭載部は、ディプレ
スされた窪み部に形成されている請求項１記載の樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項４】 前記金属基板の素子搭載部側のみに封止
樹脂体が設けられている請求項３記載の樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項５】 前記金属基板の素子搭載部の隣接周辺
に、該素子搭載部を支持する吊りリードを形成する複数
の抜き孔が形成され、前記吊りリードの部分でディプレ
スされている請求項３記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30307594A JP3103281B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US08/757,639 US5717252A (en) | 1994-07-25 | 1996-12-02 | Solder-ball connected semiconductor device with a recessed chip mounting area |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30307594A JP3103281B2 (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139228A true JPH08139228A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3103281B2 JP3103281B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=17916600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30307594A Expired - Fee Related JP3103281B2 (ja) | 1994-07-25 | 1994-11-11 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3103281B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100258852B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2000-06-15 | 김영환 | 반도체 패키지의 제조 방법 |
| US6084300A (en) * | 1997-04-21 | 2000-07-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Compact resin-sealed semiconductor device |
| US6177724B1 (en) | 1999-05-13 | 2001-01-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| DE19802575B4 (de) * | 1997-01-25 | 2005-10-13 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Herstellen einer Einheit für ein Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteil und zum Herstellen eines Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteils |
| JP2006093577A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用転写フィルム基板及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置 |
-
1994
- 1994-11-11 JP JP30307594A patent/JP3103281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100258852B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2000-06-15 | 김영환 | 반도체 패키지의 제조 방법 |
| DE19802575B4 (de) * | 1997-01-25 | 2005-10-13 | LG Semicon Co., Ltd., Cheongju | Verfahren zum Herstellen einer Einheit für ein Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteil und zum Herstellen eines Ball-Grid-Array-Halbleiterbauteils |
| US6084300A (en) * | 1997-04-21 | 2000-07-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Compact resin-sealed semiconductor device |
| EP0874400B1 (en) * | 1997-04-21 | 2007-02-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6177724B1 (en) | 1999-05-13 | 2001-01-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2006093577A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用転写フィルム基板及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3103281B2 (ja) | 2000-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100294719B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 및 그 제조방법, 리드프레임 | |
| KR100192760B1 (ko) | 메탈 캐리어 프레임을 이용한 bag반도체 패키지의 제조방법 및 그반도체 패키지 | |
| US5717252A (en) | Solder-ball connected semiconductor device with a recessed chip mounting area | |
| JP4633740B2 (ja) | フリップチップｑｆｎパッケージおよびそのための方法 | |
| US6020218A (en) | Method of manufacturing ball grid array semiconductor package | |
| US6271057B1 (en) | Method of making semiconductor chip package | |
| US6054767A (en) | Programmable substrate for array-type packages | |
| US20020003308A1 (en) | Semiconductor chip package and method for fabricating the same | |
| US6380062B1 (en) | Method of fabricating semiconductor package having metal peg leads and connected by trace lines | |
| JP3103281B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000299423A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JP2000114295A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH088385A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08148608A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用基板 | |
| JP2006237503A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3096226B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2740977B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3280243B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH08306721A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10154768A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3398556B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4485210B2 (ja) | 半導体デバイス、電子機器、半導体デバイスの製造方法及び電子機器の製造方法 | |
| JPH0888295A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07122701A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびにｐｇａ用リードフレーム | |
| JPH10154766A (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |