JP2002270638A - 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置

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resin
mold
semiconductor chip
semiconductor
wiring board
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Masahiro Koike
昌弘 小池
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】アンダーフィル樹脂の充填および硬化にかかる
時間を短縮するとともに内部ボイドの発生を無くし、製
造工程と構成部品の単純化を図ることが可能な半導体装
置および樹脂封止方法および樹脂封止装置を提供する 【解決手段】配線基板3に貫通孔10を設け、金型の樹
脂流路から貫通孔10を介して樹脂の充填を行う、ま
た、金型を上型および中型および下型に分離して、各部
分を交換可能にすることで樹脂流路の変更を行って多種
の半導体パッケージに対応する。半導体チップ裏面はモ
ールド樹脂部よりも低い位置とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップとイ
ンターポーザ基板とをフリップチップ接続により一体に
接合した構造の回路装置、この回路装置の製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、IC(Integrated C
ircuit)等の回路装置が独立したチップ部品とし
て製造されており、各種の電子機器に利用されている。
このような回路装置は、例えば、多数の接続パッドを具
備する半導体回路の半導体チップの周囲に多数のリード
端子を配置し、これらのリード端子と半導体チップの接
続パッドとをボンディングワイヤで個々に結線し、半導
体チップとリード端子の内側部分とを樹脂部材の内部に
封止した構造からなる。
【0003】このような構造の回路装置では、樹脂部材
の外周部から外側に多数のリード端子が突出しているの
で、回路装置をPCB(Printed Circui
tBoard)の上面に搭載してリード端子をプリント
配線に接続すれば、PCBのプリント配線と回路装置の
半導体回路とがデータ通信できる状態となる。
【0004】しかし、近年では回路装置の小型化と高集
積化とが進行しており、リード端子の個数と密度とが上
昇しているため、ユーザレベルでは回路装置のリード端
子をPCBのプリント配線に正確に接続することが困難
となりつつある。さらに、微細なリード端子は強度も不
足するため、ユーザレベルでの取り扱いでリード端子を
折損して回路装置を駄目にすることも多発している。
【0005】上述のような課題を解決するため、BGA
(Ball Grid Array)構造の回路装置で
ある半導体パッケージが開発された。BGA構造の半導
体パッケージでは、接続端子が球状の半田バンプとして
形成され、装置下面の全域に二次元状に配列されている
ので、リード端子の配列密度が低減され、リード端子が
折損することもない。
【0006】このようなBGA構造の回路装置の一従来
例を図15を参照して以下に説明する。なお、図15は
回路装置である半導体パッケージの内部構造を示す模式
的な断面図である。また、ここでは説明を簡略化するた
め、単純に図面の上下方向を装置の上下方向と表現す
る。
【0007】ここで回路装置として例示する半導体パッ
ケージ1は、図15に示すように、高密度に集積された
半導体回路からなる半導体チップ2を具備しており、こ
の半導体チップ2はインターポーザ基板3の上面に実装
されている。半導体チップ2は、下面に多数の接続パッ
ド(図示せず)が形成されており、インターポーザ基板
3は、上面と下面とに多数の接続パッド(図示せず)が
形成されている。
【0008】より詳細には、インターポーザ基板3は、
上面の中心部に多数の接続パッドが半導体チップ2の接
続パッドと対応した位置に高密度に形成されており、下
面の略全域に多数の接続パッドが低密度に形成されてい
る。そして、インターポーザ基板3は、多層構造に形成
されて上面や下面や内部に多数のプリント配線やスルー
ホールが形成されており、これらのプリント配線やスル
ーホールを介して上面と下面との多数の接続パッドが適
宜接続されている。
【0009】これらの接続パッドの各々には半田バンプ
4が装着されており、半導体チップ2の下面の接続パッ
ドとインターポーザ基板3の上面の接続パッドとは半田
バンプ4で機械的に接合されるとともに電気的に接続さ
れている。なお、この多数の半田バンプ4の間隙にはエ
ポキシ樹脂からなるアンダーフィル樹脂5が注入されて
おり、このアンダーフィル樹脂5により半導体チップ2
の下面とインターポーザ基板3の上面との機械的な接合
が補強されている。
【0010】さらに、ここで例示する半導体パッケージ
1では、インターポーザ基板3の上面の外周部には側壁
状の金属製のスティフナ6が接合されており、このステ
ィフナ6と半導体チップ2との上面には天板状の金属製
のヒートスプレッダ7が金属ペースト8などで接合され
ている。
【0011】上述のような構造の半導体パッケージ1
は、半導体チップ2には半導体回路が高密度に集積され
ており、その接続パッドも高密度に配列されている。た
だし、この高密度に配列された半導体チップ2の多数の
接続パッドの各々が、同一配置のインターポーザ基板3
上面の多数の接続パッドに半田バンプ4で個々に接続さ
れており、この多数の接続パッドが下面に低密度に配列
された多数の接続パッドに適宜接続されている。
【0012】ここで、上述のような構造の半導体パッケ
ージ1の従来の製造方法を以下に簡単に説明する。ま
ず、半導体パッケージ1を形成する各種の部品として、
半導体チップ2、インターポーザ基板3、スティフナ
6、ヒートスプレッダ7、等を各々所定の構造に製作す
る。
【0013】つぎに、インターポーザ基板3の上面の外
周部にスティフナ6を貼付し、中央部に半導体チップ2
を半田バンプ4でボンディング接続する。全体をフラッ
クス洗浄してから乾燥させ、O2プラズマ処理を実行す
る。インターポーザ基板3と半導体チップ2との間隙に
アンダーフィル樹脂5となるエポキシ樹脂を注入し、こ
のエポキシ樹脂を硬化させてアンダーフィル樹脂5を形
成する。
【0014】そして、ヒートスプレッダ7を半導体チッ
プ2の上面に金属ペースト8で貼付するとともにスティ
フナ6の上面にエポキシ樹脂などの接着剤9で貼付し、
最後に、インターポーザ基板3の下面の多数の接続パッ
ドの各々に半田バンプ4を装着することで、半導体パッ
ケージ1が完成する。
【0015】上述のような半導体パッケージ1を製造す
る場合、前述のように半導体チップ2とインターポーザ
基板3との機械的な接合強度を向上させるためにアンダ
ーフィル樹脂5を注入している。アンダーフィル樹脂5
の注入方法としては、液状樹脂をストックしたシリンジ
を搭載したディスペンスノズルにより半導体チップ2の
周辺から液状樹脂を供給することで、半導体チップ2と
インターポーザ基板3との微細な間隙に高粘度のエポキ
シ樹脂を毛細管現象により浸透させるという方法が用い
られる。しかし、液状樹脂の浸透を行うためには作業に
時間が必要であり、液状樹脂の硬化に必要な時間はタブ
レット樹脂を用いたトランスファ成形よりも長くなるた
めに生産効率が悪くなる。さらに、毛細管現象による浸
透では樹脂の充填されていない空隙である内部ボイドが
発生し、パッケージの信頼性を高めることが困難であ
る。
【0016】また、上述の半導体パッケージ1は、イン
ターポーザ基板3とスティフナ6とを別個に製造してか
らエポキシ樹脂などで接着しており、そのスティフナ6
にヒートスプレッダ7をエポキシ樹脂などで接着してい
るので、製造工程と構成部品とが多数で生産性が低下し
ている。また、平板状のヒートスプレッダ7を半導体チ
ップ2とスティフナ6との上面に貼付するため、半導体
チップ2とスティフナ6との上面が面一となるように各
部を調整する必要があり、これも半導体パッケージ1の
生産性を低下させている。
【0017】また、アンダーフィル樹脂の封入方法とし
て特開平10−270477号広報には、フリップチッ
プ実装を行った半導体チップと配線基盤の隙間に樹脂を
充填するために、配線基盤の所定位置に樹脂注入用の貫
通孔を設け、貫通孔を介して樹脂供給用のノズルを差し
込み、樹脂に圧力を印加して樹脂を充填する方法が記載
されている。しかし、ヒートスプレッダを半導体チップ
とスティフナとの上面に貼付するため、前述したように
製造工程と構成部品が多数となってしまい生産性が低下
するという問題は残っていた。
【0018】また特願2000−349203号広報に
は、フリップチップ実装をした半導体チップとインター
ポーザを金型のキャビティに当接させて、半導体チップ
の側方から溶融したエポキシ樹脂を圧入して充填する半
導体装置の製造方法が開示されている。しかし、半導体
チップの側方から樹脂を充填するために充填に要する時
間が長いという問題と、半導体チップとインターポーザ
の間隙が狭いために樹脂の回り込みが発生して、内部ボ
イドが発生しやすいという問題があった。さらに、金型
と半導体チップの接触による半導体チップ角部分の破損
や、樹脂の圧入により半導体チップ裏面に樹脂が回り込
んでしまい外観不良が発生するという問題があった。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述のような
従来技術の問題に鑑みてなされたものであって、アンダ
ーフィル領域と半導体チップ側方周辺部の樹脂封止を同
一の工程で樹脂封止し、アンダーフィル樹脂の充填およ
び硬化にかかる時間を短縮するとともに内部ボイドの発
生を無くし、製造工程と構成部品の単純化を図ることが
可能な半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装
置を提供することを課題とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の本願発明の半導体装置は、配線基板に半導体チップを
フリップチップ接続した半導体装置において、前記配線
基板の所定位置に貫通孔が設けられ、前記配線基板と前
記半導体チップとの間隙部分であるアンダーフィル領域
と、前記半導体チップの側方周辺部分であるモールド樹
脂部と、前記貫通孔とが樹脂封止され、前記配線基板の
前記半導体チップとの接続面と前記半導体チップの裏面
との距離よりも、前記配線基板の前記半導体チップとの
接続面と前記モールド樹脂部の樹脂面との距離が大とな
る領域が、前記モールド樹脂部に形成されていることを
特徴とする。
【0021】半導体チップ面がモールド樹脂部の樹脂面
よりも低い位置に形成されているために、後工程におい
てヒートスプレッダと半導体チップの接触による半導体
チップの破損を防止することができる。また、スティフ
ナを形成する必要が無いため、従来よりも製造工程およ
び構成部品を単純化することが可能であり、製造コスト
の低減を図ることが可能である。
【0022】また、前記課題を解決するための本願発明
の半導体装置は、配線基板に半導体チップをフリップチ
ップ接続した半導体装置において、前記配線基板の所定
位置に貫通孔が設けられ、前記配線基板と前記半導体チ
ップとの間隙部分であるアンダーフィル領域と、前記半
導体チップの側方周辺部分であるモールド樹脂部と、前
記貫通孔とが樹脂封止され、前記半導体チップの側方周
辺部のモールド樹脂部に前記半導体チップを取り囲むよ
うに凹部であるモールド引下り部が形成されていること
を特徴とする。
【0023】モールド樹脂部にモールド引下り部が形成
されていることにより、ヒートスプレッダを半導体チッ
プおよびモールド樹脂部に接着する際に用いられる金属
ペーストや接着剤の剰余分が、モールド引下り部に捕捉
されるため、ヒートスプレッダの接着不良を防止するこ
とができる。
【0024】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置は、前記モールド樹脂部の前記モールド引下
り部は、前記半導体チップ上端面からの傾斜面を伴って
いることを特徴とする。
【0025】モールド引下り部が傾斜面を伴っているこ
とにより、樹脂を圧入する際に半導体チップ裏面に樹脂
が侵入することを防止することができ、外観検査による
不良を低減することが可能となり、製造歩留まりを向上
することができる。
【0026】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置は、前記モールド樹脂部に、前記半導体チッ
プ上端面に重畳したオーバーハング部が形成されている
ことを特徴とする。
【0027】オーバーハング部が形成されていることに
より、半導体チップの角部が樹脂によって保護され、半
導体チップの破損を防止することが可能となる。
【0028】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置は、前記モールド樹脂部が、前記配線基板の
略全域に形成されていることを特徴とする。
【0029】モールド樹脂部が配線基板の略全域に形成
されていることで、後工程における熱処理を行った場合
の半導体パッケージのそりを抑制することができるた
め、半導体パッケージの実装信頼性を向上させることが
可能となる。
【0030】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置は、前記配線基板に設けられた電気的接続の
ための一または複数のスルーホールから前記樹脂を圧入
して前記アンダーフィル領域および前記モールド樹脂部
を形成したことを特徴とする。
【0031】スルーホールを利用することで、配線基板
に貫通孔を形成する必要がないために、配線基板の縮小
化を図ることができ、半導体パッケージの軽量小型化を
図ることが可能となる。
【0032】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、配線基板に半導体チップ
をフリップチップ接続した被成形品を金型によりクラン
プし、トランスファ封止方法によって樹脂封止する半導
体装置の樹脂封止方法において、前記金型に設けられた
樹脂流路に樹脂を圧入し、前記配線基板に設けられた貫
通孔を介して、前記樹脂流路から前記樹脂を充填し、所
定の形状に樹脂を成形することを特徴とする。
【0033】金型に設けられた樹脂流路を半導体パッケ
ージに対応したものとすることにより、多種多様な形態
の半導体パッケージの製造にも金型の交換だけで対応す
ることが可能となり、製造工程の簡略化を図ることが可
能となる。また、貫通孔から樹脂の充填を行うため、ア
ンダーフィル領域の樹脂充填を優先して行うように設計
することも可能となる。
【0034】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記樹脂の充填は、単位
時間あたりに樹脂を圧入する量を時間経過と共に変化さ
せるものであることを特徴とする。
【0035】樹脂の圧入量を時間経過と共に変化させる
ことで、半導体パッケージの特定部分の樹脂充填を確実
に行うことができ、多種の半導体パッケージの特徴に対
応した樹脂の封入を行うことが可能となる。
【0036】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記貫通孔および前記樹
脂流路が複数設けられ、複数箇所から樹脂の充填を行う
ことを特徴とする。
【0037】複数箇所から樹脂の充填を行うことで、樹
脂注入に要する時間の短縮化をすることができ、製造コ
スト削減を図ることが可能となる。
【0038】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記複数箇所からの樹脂
の充填は、前記樹脂流路の経路毎に充填の速度を設定し
たものであることを特徴とする。
【0039】樹脂流路の経路によって充填速度を変える
ことで、得ようとする半導体パッケージの形状に対応し
た樹脂封止を行うことができ、製品の多様性に対応する
ことが可能となる。
【0040】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記複数箇所からの樹脂
の充填は、前記樹脂流路の経路毎に充填の開始時期を設
定したものであることを特徴とする。
【0041】樹脂流路の経路によって充填の開始時期を
変えることで、得ようとする半導体パッケージの形状に
対応した樹脂封止を行うことができ、製品の多様性に対
応することが可能となる。
【0042】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記配線基板と前記半導
体チップとの間隙部分であるアンダーフィル領域への前
記樹脂の充填速度が、前記半導体チップの側方周辺部分
であるモールド樹脂部への前記樹脂の充填速度よりも小
であることを特徴とする。
【0043】アンダーフィル領域への樹脂充填速度が、
モールド樹脂部への充填速度よりも速く行われること
で、アンダーフィル領域への樹脂充填を確実に行い、内
部ボイドの発生を抑制することが可能となり、半導体パ
ッケージの信頼性が向上する。
【0044】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記配線基板と前記半導
体チップの間隙部分であるアンダーフィル領域への前記
樹脂の充填が、前記半導体チップの側方周辺部分である
モールド樹脂部への前記樹脂の充填よりも早期に行われ
ることを特徴とする。
【0045】アンダーフィル領域への樹脂の充填が、モ
ールド樹脂部への充填よりも早期に行われることで、ア
ンダーフィル領域への樹脂充填を確実に行い、内部ボイ
ドの発生を抑制することが可能となり、半導体パッケー
ジの信頼性が向上する。
【0046】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記樹脂の充填が、前記
配線基板に設けられた電気的接続のための一または複数
のスルーホールを介することにより行われることで、実
質的に前記貫通孔を介するものと同様なものとなること
を特徴とする。
【0047】スルーホールを利用することで、配線基板
に貫通孔を形成する必要がないために、配線基板の縮小
化を図ることができ、半導体パッケージの軽量小型化を
図ることが可能となる。
【0048】また前記課題を解決するための本願発明の
半導体装置の樹脂封止方法は、前記金型に前記被成形品
を複数クランプし、一括して前記樹脂の充填を行うこと
を特徴とする。
【0049】一括して樹脂の充填を行うことで、単位時
間あたりに製造可能な半導体パッケージの量を増加さ
せ、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0050】また前記課題を解決するための本願発明の
樹脂封止装置は、配線基板に半導体チップをフリップチ
ップ接続した被成形品を金型によりクランプし、トラン
スファ封止方法によって前記金型に設けられたキャビテ
ィ部の形状に樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、前
記金型へ樹脂の圧入を行うプランジャ導入口から前記配
線基板に設けられた貫通孔に対応した位置まで、前記金
型に空洞である樹脂流路が形成されていることを特徴と
する。
【0051】金型に設けられた樹脂流路を半導体パッケ
ージに対応したものとすることにより、多種多様な形態
の半導体パッケージの製造にも金型の交換だけで対応す
ることが可能となり、製造工程の簡略化を図ることが可
能となる。また、貫通孔から樹脂の充填を行うため、ア
ンダーフィル領域の樹脂充填を優先して行うように設計
することも可能となる。
【0052】また前記課題を解決するための本願発明の
樹脂封止装置は、前記樹脂流路が複数設けられ、前記樹
脂流路の容積が経路毎に設定されていることを特徴とす
る。
【0053】各樹脂流路の容積が異なるために、樹脂流
路の経路によって充填の開始時期や充填速度を変えるこ
とができ、得ようとする半導体パッケージの形状に対応
した樹脂封止を行い、製品の多様性に対応することが可
能となる。
【0054】また前記課題を解決するための本願発明の
樹脂封止装置は、前記金型が上型と中型と下型とからな
り、前記下型は半導体装置のモールド樹脂部の外形を成
形する型であるキャビティ部を有し、前記中型は前記貫
通孔に対応した位置に貫通した孔である樹脂注入孔が形
成されたゲートプレートを交換可能に配置したものであ
り、前記上型が前記樹脂注入孔に対応する位置まで溝で
あるランナーを形成されたものであり、前記樹脂注入孔
および前記ランナーにより前記樹脂流路を形成したこと
を特徴とする。
【0055】樹脂注入孔およびランナーの交換を可能に
した金型では、簡便に樹脂流路の変更を行うことができ
るため、得ようとする半導体パッケージの形状に対応し
た樹脂封止を行い、製品の多様性に対応することが可能
となる。
【0056】また前記課題を解決するための本願発明の
樹脂封止装置は、前記樹脂流路が、前記配線基板に設け
られた電気的接続のためのスルーホールに対応した位置
まで形成されていることを特徴とする。
【0057】スルーホールを利用することで、配線基板
に貫通孔を形成する必要がないために、配線基板の縮小
化を図ることができ、半導体パッケージの軽量小型化を
図ることが可能となる。
【0058】また前記課題を解決するための本願発明の
樹脂封止装置は、前記金型には、前記キャビティ部の半
導体チップに対応する領域の周辺部分から、傾斜を伴っ
た凸部であるモールド引下り形成部が設けられているこ
とを特徴とする。
【0059】モールド引下り形成部が設けられているこ
とにより、樹脂の充填の際に半導体チップ裏面へ樹脂が
侵入することを防止することができ、外観検査による不
良を低減することが可能となり、製造歩留まりを向上す
ることができる。
【0060】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態につ
き図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態
であって本発明を限定するものではない。
【0061】実施の形態1 まず、本発明の実施の形態1につき、図を参照して以下
に説明する。図1は本発明の実施の形態1における半導
体パッケージの内部構造を示す模式的な縦断面図であ
る。BGA構造をとる半導体パッケージ1は、高密度に
集積された半導体回路からなる半導体チップ2を具備し
ており、この半導体チップ2はインターポーザ基板3の
上面に実装されている。半導体チップ2は、下面に多数
の接続パッド(図示せず)が形成されており、インター
ポーザ基板3は、上面と下面とに多数の接続パッド(図
示せず)が形成されている。また、インターポーザ基板
3の半導体チップ2と対向する位置には、インターポー
ザ基板3の両面を貫通する孔である貫通孔10が設けら
れている。
【0062】より詳細には、インターポーザ基板3は、
上面の中心部に多数の接続パッドが半導体チップ2の接
続パッドと対応した位置に高密度に形成されており、下
面の略全域に多数の接続パッドが低密度に形成されてい
る。そして、インターポーザ基板3は、多層構造に形成
されて上面や下面や内部に多数のプリント配線やスルー
ホールが形成されており、これらのプリント配線やスル
ーホールを介して上面と下面との多数の接続パッドが適
宜接続されている。
【0063】これらの接続パッドの各々には半田バンプ
4が装着されており、半導体チップ2の下面の接続パッ
ドとインターポーザ基板3の上面の接続パッドとは半田
バンプ4で機械的に接合されるとともに電気的に接続さ
れている。なお、半導体チップ2とインターポーザ基板
3との間隙であるアンダーフィル領域、および半導体チ
ップ2周辺領域であるモールド樹脂部、および貫通孔1
0はトランスファ封止により形成されたビフェニル系樹
脂からなるモールド樹脂11で充填されており、このモ
ールド樹脂11により半導体チップ2の下面とインター
ポーザ基板3の上面との機械的な接合が補強されてい
る。
【0064】さらに、半導体チップ2の上面には天板状
の金属製のヒートスプレッダ7が金属ペースト8などで
接合されており、モールド樹脂11の上面においてはヒ
ートスプレッダ7はエポキシ樹脂からなる接着剤で接合
されている。
【0065】上述のような構造の半導体パッケージ1
は、半導体チップ2には半導体回路が高密度に集積され
ており、その接続パッドも高密度に配列されている。た
だし、この高密度に配列された半導体チップ2の多数の
接続パッドの各々が同一配置のインターポーザ基板3の
上面の多数の接続パッドに半田バンプ4で個々に接続さ
れており、この多数の接続パッドが下面に低密度に配列
された多数の接続パッドに適宜接続されている。
【0066】図2は図1に示した半導体パッケージ1の
部分拡大図であり、半導体チップ2とヒートスプレッダ
7とモールド樹脂11の接合点付近でのモールド樹脂1
1の形状を模式的に示したものである。半導体チップ2
の上面周辺からモールド樹脂11が傾斜を持った凹部で
あるモールド引下り部12がモールド樹脂部に形成され
ている。また、半導体チップ2裏面よりも高い位置にモ
ールド樹脂11の上面部分が形成されている。ここで半
導体チップ2の裏面とは、図中での上方向にある面であ
り、ヒートスプレッダ7を金属ペースト8を用いて接合
させる面のことをいう。
【0067】モールド引下り部12がモールド樹脂部に
形成されていることにより、半導体チップ2とヒートス
プレッダ7との接合に使用される金属ペースト8や、ヒ
ートスプレッダ7とモールド樹脂11との接合に使用さ
れる接着剤が、ヒートスプレッダ7の接合時に余っては
み出してきた場合に、モールド引下り部12によって捕
捉される。これにより、半導体チップ2裏面またはモー
ルド樹脂11上面での金属ペースト8と接着剤の混合を
防ぐことができ、ヒートスプレッダ7の接合信頼性を高
めることが可能となる。
【0068】また、半導体チップ2裏面よりも高い位置
にモールド樹脂11上面が形成されていることにより、
天板状の金属製のヒートスプレッダ7と半導体チップ2
の接触を防止することができるため、半導体チップ2と
ヒートスプレッダ7の接触による半導体チップ2の破損
を防止することが可能となる。また、従来用いられてい
たスティフナを形成する必要がないために、部品構成の
簡便化と製造工程の簡略化を図ることができ、製造時間
の短縮および製造コストの低減をすることが可能とな
る。
【0069】次に、上述した実施の形態1の半導体パッ
ケージ1の製造方法について図3乃至図6を用いて説明
する。図3は半導体パッケージ1の製造方法を模式的に
示す工程図である。貫通孔10が形成され、多層構造の
上面や下面や内部に多数のプリント配線やスルーホール
が形成されたインターポーザ基板3を用意する。また、
半田バンプ4を形成した半導体チップ2を別途用意して
半導体チップ2とインターポーザ基板3をフリップチッ
プ接続する。その後、フリップチップ接続に使用したフ
ラックスの洗浄と乾燥を行い、O2プラズマ洗浄を行
う。
【0070】フリップチップ接続した半導体チップ2お
よびインターポーザ基板3を、予め用意しておいた金型
13にセットし、貫通孔10を介してプランジャ14か
らビフェニル樹脂を圧入して充填し、ビフェニル樹脂を
凝固させることでモールド樹脂11を形成する(トラン
スファ封止)。一体に形成された半導体チップ2とイン
ターポーザ基板3とモールド樹脂11を金型13から取
り出し、半導体チップ2裏面には銀ペースト等の金属ペ
ースト8を塗布し、モールド樹脂11上面にはエポキシ
樹脂等の接着剤を塗布する。その後、ヒートスプレッダ
7を半導体チップ2およびモールド樹脂11の上面に当
接させて接着する。さらにインターポーザ基板3にも半
田バンプを設けて、半導体パッケージが完成する。
【0071】上述のトランスファ封止に関して、図4乃
至図6を用いて詳細に説明する。図4は金型13が上型
13aと中型13bと下型13cとからなる場合の封止
金型の形態例を模式的に示した図である。図5はパッケ
ージをセットして金型をクランプした状態での金型の側
方断面図である。
【0072】トランスファ封止時の条件として、以下の
設定範囲においてビフェニル樹脂の充填を行った。 射出時間は樹脂特性に応じて上記範囲内で変更し、射出
圧力も樹脂特性および半田バンプの強度を考慮して多段
変速かつ多段変圧の制御を行う。例としては「樹脂注入
孔17までは高速、半導体チップ2とインターポーザ基
板3の間隙充填時は低速、その後は再度高速に充填す
る」といった態様が考えられる。また、充填するビフェ
ニル樹脂として の条件を満たす樹脂を用い、半導体チップ2とインター
ポーザ3との間隙に設けられている半田バンプ4の設計
条件は以下のもので行った。 上型13aには、溶融したビフェニル樹脂が流れる流路
であるランナー15が形成されており、プランジャ14
によって圧入されたビフェニル樹脂を中型13bと接す
る面に供給する。中型13bにはゲートプレート16を
取り外し可能に設置してあり、ゲートプレート16には
ランナー15に対応した位置に、ビフェニル樹脂を下型
13cに対して注入するための孔である樹脂注入孔17
が形成されている。下型13cには、プランジャ14を
差し込んでビフェニル樹脂を上型13aのランナー15
に圧入するためのプランジャ導入口18、およびモール
ド樹脂11を目的の形状に成形するためのキャビティ部
19が形成されている。
【0073】図6は図5の部分拡大図である。下型13
cには吸着穴21が複数設けられており、厚さ50μm
程度の弾性率の高いフィルムをチップ保護シート20と
して敷き、外部から脱気を行いチップ保護シート20を
キャビティ部19に密着させる。また、フリップチップ
接続により一体形成された半導体チップ2とインターポ
ーザ基板3が、貫通孔10を中型13bに向けてセット
される。その後、上型13aおよび中型13bおよび下
型13cを組み合わせて、図示しないクランプ手段によ
り各部をしっかりと固定する。このとき、貫通孔10の
位置が樹脂注入孔17に対応する位置となる。図4では
インターポーザ基板3を透明に表示して半導体チップ2
の半田バンプ4を可視的に表示することで、貫通孔10
と半導体チップ2の位置関係を明確に示している。
【0074】プランジャ14をプランジャ導入口18に
挿入してプランジャ14からビフェニル樹脂を圧入する
と、ビフェニル樹脂はランナー15および樹脂注入孔1
7および貫通孔10を介してキャビティ部19に充填さ
れ、貫通孔10およびアンダーフィル領域およびモール
ド樹脂部を満たす。その後、金型13を所定時間保持し
てビフェニル樹脂を凝固させることで、半導体チップ2
およびインターポーザ基板3およびモールド樹脂11を
一体に形成する。
【0075】図6に示されるように、半導体チップ2裏
面とモールド樹脂11上面との高さ差は10〜20μm
であり、半導体チップ2裏面とモールド引下り部12底
面部との高さ差は10〜30μm、半導体チップ2側面
からモールド引下り部12底面端部までの距離は60μ
m以下、モールド引下り部12底面の幅は1mm以上と
した。
【0076】キャビティ部19にモールド引下り部12
を形成するための構造が設けられていることによって、
半導体チップ2裏面角部でのチップ保護シート20と半
導体チップ2との密着度が高まり、モールド樹脂11の
圧入の際に半導体チップ2裏面に樹脂が侵入することを
防ぐことができる。モールド引下り部12と半導体チッ
プ2側面との距離が小さい場合には、流路がパッケージ
内の他の箇所よりも狭いために、半導体チップ2裏面の
方向にモールド樹脂11が流入する量が減少するため
に、半導体チップ2裏面への樹脂の侵入防止効果はさら
に高まる。
【0077】モールド樹脂11の形成後の半導体パッケ
ージの例を図14に示す。半導体チップ2側方周辺部に
はモールド樹脂11によりモールド樹脂部が形成され
る。金型13の形状により、モールド樹脂部は半導体チ
ップ2の周囲のみに形成される場合や、インターポーザ
基板3のほぼ全領域にわたって形成される場合がある。
また、求められる半導体パッケージの特性によっては、
半導体チップ2の上面部分を覆うようにモールド樹脂1
1が形成されていても良い。
【0078】モールド樹脂11がインターポーザ基板3
のほぼ全領域にわたって形成することにより、半導体パ
ッケージ全体での強度を高めることができ、加熱処理時
の半導体パッケージのそりを低減することが可能である
ので、半導体パッケージの実装信頼性を向上することが
可能となる。
【0079】実施の形態2 本願発明の実施の形態2として、モールド引下り部12
設けない形状の半導体パッケージについて、上述した実
施の形態1と相違する部分のみを図を用いて説明する。
図7はパッケージをセットして金型をクランプした状態
での金型の側方断面図であり、半導体チップ2とヒート
スプレッダ7とモールド樹脂11の接合点付近でのモー
ルド樹脂11の形状を模式的に示したものである。
【0080】半導体チップ2の上面周辺部分に、モール
ド樹脂11が半導体チップ2に重畳してオーバーハング
部22が形成されている。また、半導体チップ2裏面よ
りも高い位置にモールド樹脂11の上面部分が形成され
ている。このとき、半導体チップ2裏面とモールド樹脂
11上面との高さ方向の差は0.1mm以下とし、オー
バーハング部22の半導体チップ2に重畳した量である
オーバーハング量は50μm以下となる様にした。オー
バーハング部22が半導体チップ2裏面周辺部に形成さ
れていることにより、半導体チップ2の角部分がモール
ド樹脂11によって保護されることになり、半導体チッ
プ2の損傷を低減することができる。
【0081】また、半導体チップ2裏面よりも高い位置
にモールド樹脂11上面が形成されていることにより、
天板状の金属製のヒートスプレッダ7と半導体チップ2
の接触を防止することができるため、半導体チップ2と
ヒートスプレッダ7の接触による半導体チップ2の破損
を防止することが可能となる。また、従来用いられてい
たスティフナを形成する必要がないために、部品構成の
簡便化と製造工程の簡略化を図ることができ、製造時間
の短縮および製造コストの低減をすることが可能とな
る。
【0082】キャビティ部19にオーバーハング部22
を形成するための構造が設けられていることによって、
半導体チップ2裏面角部とキャビティ部19との接触に
よる半導体チップ2裏面角部の損傷を防止することが可
能である。また、チップ保護シート20と半導体チップ
2との密着度が高まり、モールド樹脂11の圧入の際に
半導体チップ2裏面に樹脂が侵入することを防ぐことが
できる。
【0083】実施の形態3 本願発明の実施の形態3として、上型13aおよびゲー
トプレート16および貫通孔10の他の実施例を、上述
した実施の形態1と相違する部分のみを図を用いて説明
する。図8(a)は、図4に示された上型13aおよび
ゲートプレート16および下型13cの組み合わせを簡
略に示した図である。ランナー15と樹脂注入孔17と
貫通孔10と半導体チップ2の位置関係が明確になるよ
うに、インターポーザ基板3は透明に表示されている。
図8(b)は、貫通孔10を複数形成した場合の実施例
である。インターポーザ基板3の半導体チップ2と対向
した領域の他にも貫通孔10が形成されている。ゲート
プレート16として貫通孔10に対応した位置に樹脂注
入孔17を設けたものを用いる。また、上型13aとし
てはモールド樹脂11を樹脂注入孔17に対応した位置
に供給できるようにランナー15が形成されたものを用
いる。
【0084】図9は、インターポーザ基板3での貫通孔
10の位置を示した例で、半導体チップ2とインターポ
ーザ基板3がフリップチップ接続された状態を、インタ
ーポーザ基板3側から見た図である。貫通孔10と半導
体チップ2の位置関係が明確となるように、インターポ
ーザ基板3を透明に表示している。図8(b)に示した
ように、ゲートプレート16として貫通孔10に対応し
た位置に樹脂注入孔17を設けたものを用いる。また、
上型13aとしてはモールド樹脂11を樹脂注入孔17
に対応した位置に供給できるようにランナー15が形成
されたものを用いる。
【0085】複数の貫通孔10からモールド樹脂11を
圧入することができるため、モールド樹脂11の充填に
要する時間を短縮することが可能となり、単位時間あた
りの生産量を増加させて製造コストの低減を図ることが
可能となる。また、半導体チップ2と対向していない部
分に設けられた貫通孔10と、半導体チップ2と対向し
た部分に設けられた貫通孔10の位置および個数を調整
することにより、キャビティ部19の形状に応じたトラ
ンスファ封止を行うことが可能となる。
【0086】実施の形態4 本願発明の実施の形態4として、複数の貫通孔10を介
してモールド樹脂11の充填を行う場合の実施例を図を
用いて説明する。図10は、金型13が上型13aと中
型13bと下型13cとからなる場合の封止金型の形態
例を模式的に示した図である。
【0087】上型13aには、溶融したビフェニル樹脂
が流れる流路であるランナー15が複数形成されてお
り、プランジャ14によって圧入されたビフェニル樹脂
を中型13bと接する面に供給する。ランナー15のい
くつかには、他の部分よりも広い空洞である時間差調整
部23が形成されている。中型13bにはゲートプレー
ト16を取り外し可能に設置してあり、ゲートプレート
16にはランナー15に対応した位置に、ビフェニル樹
脂を下型13cに対して注入するための孔である樹脂注
入孔17が形成されている。下型13cには、プランジ
ャ14を差し込んでビフェニル樹脂を上型13aのラン
ナー15に圧入するためのプランジャ導入口18、およ
びモールド樹脂11を目的の形状に成形するためのキャ
ビティ部19が形成されている。
【0088】プランジャ14をプランジャ導入口18に
挿入してプランジャ14からビフェニル樹脂を圧入する
と、ビフェニル樹脂はランナー15および樹脂注入孔1
7および貫通孔10を介してキャビティ部19に充填さ
れる。この際、時間差調整部23が形成されているラン
ナー15では、ビフェニル樹脂は時間差調整部23を満
たした後に樹脂注入孔17へと流入することとなり、時
間差調整部23の形成されていないランナー15から樹
脂注入孔17へ流入するビフェニル樹脂との間に、貫通
孔10を介しての充填に時間差を持つこととなる。その
後、金型全体を冷却してビフェニル樹脂を凝固させるこ
とで、半導体チップ2およびインターポーザ基板3およ
びモールド樹脂11を一体に形成する。
【0089】図10に示した例では、三本のランナー1
5のうちの真ん中には時間差調整部23が設けられてい
ないが、他の二本のランナー15には時間差調整部23
が設けられているため、半導体チップ2とインターポー
ザ基板3の間隙にビフェニル樹脂が充填された後に、半
導体チップ2側面側にビフェニル樹脂の充填が行われる
こととなり、半導体チップ2とインターポーザ基板3と
の間隙であるアンダーフィル領域へのビフェニル樹脂の
充填を優先して行うことで、内部ボイドの発生を抑制す
ることが可能となり、製造歩留まりの向上を図ることが
出来る。
【0090】また、図10には示されていないが、ラン
ナー15の樹脂流路の幅を変更することで、実質的に時
間差調整部23と同様にビフェニル樹脂の充填に時間差
を設けることも可能である。この場合、単位時間あたり
に各貫通孔10から充填されるビフェニル樹脂の量が異
なるために、樹脂充填の速度が各貫通孔10毎に異なる
ように設定することが可能であり、半導体パッケージの
形状に応じた樹脂充填を行うことで内部ボイドの発生を
抑制して製造歩留まりの向上を図ることが出来る。
【0091】実施の形態5 本願発明の実施の形態5として、複数の半導体パッケー
ジを同時にトランスファ封止する形態について図を用い
て説明する。図11(a)は、上型13aおよび中型1
3bおよび下型13cを組み合わせた状態を透過的に示
した図である。上型13aには複数のランナー15が形
成されており、ゲートプレート16には樹脂注入孔17
が複数形成されている。下型13cには複数の半導体チ
ップ2およびインターポーザ基板3がセットされてい
る。図11(b)は図11(a)の側方断面図であり、
複数の半導体チップ2ひとつの金型13によってトラン
スファ封止されることがわかる。
【0092】また、中型13bおよびゲートプレート1
6の代わりに基板保護シート24を使用した場合のトラ
ンスファ封止について図12に示す。樹脂注入孔17が
設けられた基板保護シート24を上型13aとインター
ポーザ基板3との間に挿入することで、上型13aとイ
ンターポーザ基板3の接触によるインターポーザ基板3
の損傷を防止することができる。
【0093】複数の半導体パッケージを一組の金型で同
時にトランスファ封止することが可能であるため、単位
時間あたりの製造量を容易に増やすことができ、製造コ
ストの低減を図ることが可能となる。
【0094】実施の形態6 本願発明の実施の形態6として、インターポーザ基板3
に樹脂の充填のみを目的とする貫通孔10を設けない場
合のビフェニル樹脂の圧入について図を用いて説明す
る。図13はスルーホール25を利用してビフェニル樹
脂の圧入する場合に、パッケージをセットして金型をク
ランプした状態での金型およびパッケージの側方断面図
を拡大したものである。
【0095】インターポーザ基板3には通常、インター
ポーザ基板3の両面を電気的に接続するためのスルーホ
ール25が形成されている。インターポーザ基板3が多
層構造となる場合には、スルーホール25は複雑に回折
して表裏面を電気的に接続しているが、ここではインタ
ーポーザ基板3の両面を一直線に貫くようにスルーホー
ル25を形成するような設計を行うとする。この場合、
インターポーザ基板3の両面の電気的接続を行うと共
に、スルーホール25を介してビフェニル樹脂の圧入を
行うことができる。
【0096】図13のように、スルーホール25に対応
した位置に樹脂注入孔17を配置したゲートプレート1
6を用意し、ビフェニル樹脂の圧入を行うことで、貫通
孔10をインターポーザ基板3に形成せずにトランスフ
ァ封止を行うことが可能となる。インターポーザ基板3
に貫通孔10を形成する必要がないために、インターポ
ーザ基板3の面積を小さくすることが可能となり、半導
体パッケージの小型化を図ることが可能となる。
【0097】
【発明の効果】半導体チップ面がモールド樹脂部の樹脂
面よりも低い位置に形成されているために、後工程にお
いてヒートスプレッダと半導体チップの接触による半導
体チップの破損を防止することができる。また、スティ
フナを形成する必要が無いため、従来よりも製造工程お
よび構成部品を単純化することが可能であり、製造コス
トの低減を図ることが可能である。モールド樹脂部にモ
ールド引下り部が形成されていることにより、ヒートス
プレッダを半導体チップおよびモールド樹脂部に接着す
る際に用いられる金属ペーストや接着剤の剰余分が、モ
ールド引下り部に捕捉されるため、ヒートスプレッダの
接着不良を防止することができる。オーバーハング部が
形成されていることにより、半導体チップの角部が樹脂
によって保護され、半導体チップの破損を防止すること
が可能となる。モールド樹脂部が配線基板の略全域に形
成されていることで、後工程における熱処理を行った場
合の半導体パッケージのそりを抑制することができるた
め、半導体パッケージの実装信頼性を向上させることが
可能となる。スルーホールを利用することで、配線基板
に貫通孔を形成する必要がないために、配線基板の縮小
化を図ることができ、半導体パッケージの軽量小型化を
図ることが可能となる。
【0098】金型に設けられた樹脂流路を半導体パッケ
ージに対応したものとすることにより、多種多様な形態
の半導体パッケージの製造にも金型の交換だけで対応す
ることが可能となり、製造工程の簡略化を図ることが可
能となる。また、貫通孔から樹脂の充填を行うため、ア
ンダーフィル領域の樹脂充填を優先して行うように設計
することも可能となる。樹脂の圧入量を時間経過と共に
変化させることで、半導体パッケージの特定部分の樹脂
充填を確実に行うことができ、多種の半導体パッケージ
の特徴に対応した樹脂の封入を行うことが可能となる。
複数箇所から樹脂の充填を行うことで、樹脂注入に要す
る時間の短縮化をすることができ、製造コスト削減を図
ることが可能となる。アンダーフィル領域への樹脂充填
速度が、モールド樹脂部への充填速度よりも速く行わ
れ、アンダーフィル領域への樹脂の充填が、モールド樹
脂部への充填よりも早期に行われることで、アンダーフ
ィル領域への樹脂充填を確実に行い、内部ボイドの発生
を抑制することが可能となり、半導体パッケージの信頼
性が向上する。一括して樹脂の充填を行うことで、単位
時間あたりに製造可能な半導体パッケージの量を増加さ
せ、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0099】各樹脂流路の容積が異なるために、樹脂流
路の経路によって充填の開始時期や充填速度を変えるこ
とができ、得ようとする半導体パッケージの形状に対応
した樹脂封止を行い、製品の多様性に対応することが可
能となる。樹脂注入孔およびランナーの交換を可能にし
た金型では、簡便に樹脂流路の変更を行うことができる
ため、得ようとする半導体パッケージの形状に対応した
樹脂封止を行い、製品の多様性に対応することが可能と
なる。モールド引下り形成部が設けられていることによ
り、樹脂の充填の際に半導体チップ裏面へ樹脂が侵入す
ることを防止することができ、外観検査による不良を低
減することが可能となり、製造歩留まりを向上すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半導体パッケージの内部構造を示す模式的な
縦断面図
【図2】 図1に示した半導体パッケージの部分拡大図
【図3】 半導体パッケージの製造方法を模式的に示す
工程図
【図4】 実施の形態1での封止金型の形態例
【図5】 実施の形態1での金型の側方断面図
【図6】 図5の部分拡大図
【図7】 実施の形態2での金型の側方断面図
【図8】 上型およびゲートプレートおよび下型の組み
合わせを簡略に示した図
【図9】 貫通孔の位置をインターポーザ基板側から見
た図
【図10】実施の形態4での封止金型の形態例
【図11】複数の半導体パッケージを同時にトランスフ
ァ封止する形態例
【図12】ゲートプレートの代わりに基板保護シートを
使用した場合の図
【図13】実施の形態6での金型の側方断面図
【図14】モールド樹脂の形成後の半導体パッケージの
【図15】従来の半導体パッケージの内部構造を示す模
式的な断面図
【符号の説明】
1…半導体パッケージ 2…半導体チップ 3…インターポーザ基板 4…半田バンプ 5…アンダーフィル樹脂 6…スティフナ 7…ヒートスプレッダ 8…金属ペースト 9…接着剤 10…貫通孔 11…モールド樹脂 12…モールド引下り部 13…金型 13a、13b、13c …上型、中型、下型 14…プランジャ 15…ランナー 16…ゲートプレート 17…樹脂注入孔 18…プランジャ導入口 19…キャビティ部 20…チップ保護シート 21…吸着穴 22…オーバーハング部 23…時間差調整部 24…基板保護シート 25…スルーホール

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】配線基板に半導体チップをフリップチップ
    接続した半導体装置において、前記配線基板の所定位置
    に貫通孔が設けられ、前記配線基板と前記半導体チップ
    との間隙部分であるアンダーフィル領域と、前記半導体
    チップの側方周辺部分であるモールド樹脂部と、前記貫
    通孔とが樹脂封止され、前記配線基板の前記半導体チッ
    プとの接続面と前記半導体チップの裏面との距離より
    も、前記配線基板の前記半導体チップとの接続面と前記
    モールド樹脂部の樹脂面との距離が大となる領域が、前
    記モールド樹脂部に形成されていることを特徴とする半
    導体装置。
  2. 【請求項2】配線基板に半導体チップをフリップチップ
    接続した半導体装置において、前記配線基板の所定位置
    に貫通孔が設けられ、前記配線基板と前記半導体チップ
    との間隙部分であるアンダーフィル領域と、前記半導体
    チップの側方周辺部分であるモールド樹脂部と、前記貫
    通孔とが樹脂封止され、前記半導体チップの側方周辺部
    のモールド樹脂部に前記半導体チップを取り囲むように
    凹部であるモールド引下り部が形成されていることを特
    徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】前記モールド樹脂部の前記モールド引下り
    部は、前記半導体チップ上端面からの傾斜面を伴ってい
    ることを特徴とする請求項2に記載された半導体装置。
  4. 【請求項4】前記モールド樹脂部に、前記半導体チップ
    上端面に重畳したオーバーハング部が形成されているこ
    とを特徴とする請求項1または請求項2に記載された半
    導体装置。
  5. 【請求項5】前記モールド樹脂部が、前記配線基板の略
    全域に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請
    求項4のいずれか一に記載された半導体装置。
  6. 【請求項6】前記配線基板に設けられた電気的接続のた
    めの一または複数のスルーホールから前記樹脂を圧入し
    て前記アンダーフィル領域および前記モールド樹脂部を
    形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいず
    れか一に記載された半導体装置。
  7. 【請求項7】配線基板に半導体チップをフリップチップ
    接続した被成形品を金型によりクランプし、トランスフ
    ァ封止方法によって樹脂封止する半導体装置の樹脂封止
    方法において、前記金型に設けられた樹脂流路に樹脂を
    圧入し、前記配線基板に設けられた貫通孔を介して、前
    記樹脂流路から前記樹脂を充填し、所定の形状に樹脂を
    成形することを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
  8. 【請求項8】前記樹脂の充填は、単位時間あたりに樹脂
    を圧入する量を時間経過と共に変化させるものであるこ
    とを特徴とする請求項7に記載された半導体装置の樹脂
    封止方法。
  9. 【請求項9】前記貫通孔および前記樹脂流路が複数設け
    られ、複数箇所から樹脂の充填を行うことを特徴とする
    請求項7または請求項8に記載された半導体装置の樹脂
    封止方法。
  10. 【請求項10】前記複数箇所からの樹脂の充填は、前記
    樹脂流路の経路毎に充填の速度を設定したものであるこ
    とを特徴とする請求項9に記載された半導体装置の樹脂
    封止方法。
  11. 【請求項11】前記複数箇所からの樹脂の充填は、前記
    樹脂流路の経路毎に充填の開始時期を設定したものであ
    ることを特徴とする請求項9または請求項10に記載さ
    れた半導体装置の樹脂封止方法。
  12. 【請求項12】前記配線基板と前記半導体チップとの間
    隙部分であるアンダーフィル領域への前記樹脂の充填速
    度が、前記半導体チップの側方周辺部分であるモールド
    樹脂部への前記樹脂の充填速度よりも小であることを特
    徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか一に記載さ
    れた半導体装置の樹脂封止方法。
  13. 【請求項13】前記配線基板と前記半導体チップの間隙
    部分であるアンダーフィル領域への前記樹脂の充填が、
    前記半導体チップの側方周辺部分であるモールド樹脂部
    への前記樹脂の充填よりも早期に行われることを特徴と
    する請求項9乃至請求項12のいずれか一に記載された
    半導体装置の樹脂封止方法。
  14. 【請求項14】前記樹脂の充填が、前記配線基板に設け
    られた電気的接続のための一または複数のスルーホール
    を介することにより行われることで、実質的に前記貫通
    孔を介するものと同様なものとなることを特徴とする請
    求項7乃至請求項13のいずれか一に記載された半導体
    装置の樹脂封止方法。
  15. 【請求項15】前記金型に前記被成形品を複数クランプ
    し、一括して前記樹脂の充填を行うことを特徴とする請
    求項7乃至請求項14のいずれか一に記載された半導体
    装置の樹脂封止方法。
  16. 【請求項16】配線基板に半導体チップをフリップチッ
    プ接続した被成形品を金型によりクランプし、トランス
    ファ封止方法によって前記金型に設けられたキャビティ
    部の形状に樹脂封止を行う樹脂封止装置であって、前記
    金型へ樹脂の圧入を行うプランジャ導入口から前記配線
    基板に設けられた貫通孔に対応した位置まで、前記金型
    に空洞である樹脂流路が形成されていることを特徴とす
    る樹脂封止装置。
  17. 【請求項17】前記樹脂流路が複数設けられ、前記樹脂
    流路の容積が経路毎に設定されていることを特徴とする
    請求項16に記載された樹脂封止装置。
  18. 【請求項18】前記金型が上型と中型と下型とからな
    り、前記下型は半導体装置のモールド樹脂部の外形を成
    形する型であるキャビティ部を有し、前記中型は前記貫
    通孔に対応した位置に貫通した孔である樹脂注入孔が形
    成されたゲートプレートを交換可能に配置したものであ
    り、前記上型が前記樹脂注入孔に対応する位置まで溝で
    あるランナーを形成されたものであり、前記樹脂注入孔
    および前記ランナーにより前記樹脂流路を形成したこと
    を特徴とする請求項16または請求項17に記載された
    樹脂封止装置。
  19. 【請求項19】前記樹脂流路が、前記配線基板に設けら
    れた電気的接続のためのスルーホールに対応した位置ま
    で形成されていることを特徴とする請求項16乃至請求
    項18のいずれか一に記載された樹脂封止装置。
  20. 【請求項20】前記金型には、前記キャビティ部の半導
    体チップに対応する領域の周辺部分から、傾斜を伴った
    凸部であるモールド引下り形成部が設けられていること
    を特徴とする請求項16乃至請求項19のいずれか一に
    記載された樹脂封止装置。
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