JP2010074142A - 半導体装置及びそれを用いた電子機器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 70
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】モールド樹脂材からなる固定体により複数のリードフレームを固定する半導体装置の強度を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、素子実装部1aを有する第1のリードフレーム1と、第1のリードフレーム1と同一面内で且つ所定の間隔をおいて配置された第2のリードフレーム2と、各リードフレームを固定する樹脂材14からなるモールド固定体5と、第1のリードフレーム1の素子実装部1aの上に固着されたレーザダイオード6とを有している。モールド固定体5は、各リードフレームの表裏面の少なくとも一部を覆うと共に、モールド固定体5に残され該モールド固定体5を注入した痕跡である樹脂注入口跡5aは、その一部が第1のリードフレーム1又は第2のリードフレーム2の上側部分に位置し、その残部が第1のリードフレーム1と第2のリードフレーム2との間の上側部分に位置する。
【選択図】図4
【解決手段】半導体装置は、素子実装部1aを有する第1のリードフレーム1と、第1のリードフレーム1と同一面内で且つ所定の間隔をおいて配置された第2のリードフレーム2と、各リードフレームを固定する樹脂材14からなるモールド固定体5と、第1のリードフレーム1の素子実装部1aの上に固着されたレーザダイオード6とを有している。モールド固定体5は、各リードフレームの表裏面の少なくとも一部を覆うと共に、モールド固定体5に残され該モールド固定体5を注入した痕跡である樹脂注入口跡5aは、その一部が第1のリードフレーム1又は第2のリードフレーム2の上側部分に位置し、その残部が第1のリードフレーム1と第2のリードフレーム2との間の上側部分に位置する。
【選択図】図4
Description
本発明は、例えば光源に用いられる半導体装置及びそれを用いた電子機器に関する。
以下、従来のレーザ光源に用いられる半導体装置を説明する。
従来のレーザ光源に用いられる半導体装置は、少なくとも、素子実装部を有する第1のリードフレームと、該第1のリードフレームとほぼ同一面内で且つ所定間隔をおいて配置された第2のリードフレームとを有している。
第1のリードフレームと第2のリードフレームとは、各リードフレームの表裏面の少なくとも一部がトランスファーモールド樹脂材よりなる固定体(以下、モールド固定体と呼ぶ。)により固着されて固定されている。また、第1のリードフレームの素子実装部の上には、レーザダイオードが固着されている。例えば、この構成に類似した半導体装置が特許文献1に記載されている。
従来の半導体装置は、第1のリードフレームと第2のリードフレームとを固定するトランスファーモールド工程において、モールド固定体によって、第1のリードフレーム及び第2のリードフレームの表裏面の少なくとも一部を覆う必要があることから、金型の樹脂注入口は、第1のリードフレーム又は第2のリードフレームと対向して配置し、この状態で、金型内に樹脂材を圧入している。
具体的には、圧入される樹脂材を第1のリードフレーム又は第2のリードフレームの表面に衝突させ、この衝突により樹脂材の流動方向をリードフレームの表面に平行な方向に変更して、さらにリードフレームの裏面側へと流動させている。
従って、トランスファーモールド工程の後には、金型に設けられた樹脂材の注入口の痕跡である樹脂注入口跡が、第1のリードフレーム及び第2のリードフレームのうちのいずれか一方の上方に残存している。
電子機器の小型化に伴い、これに搭載される半導体装置も小型化が求められ、その一環としてモールド固定体の肉厚を薄くすることが求められる。
しかしながら、前記従来の半導体装置の構成では十分な強度を得られないという問題がある。すなわち、小型化を目指してモールド固定体の肉厚を薄くするには、金型の樹脂注入口を該樹脂注入口と対向する第1のリードフレーム又は第2のリードフレームの表面に接近させる必要がある。
ところが、金型の樹脂注入口をリードフレームの表面に接近させると、樹脂材の流動性が十分に確保できなくなる。このため、各リードフレームの表裏面の一部を覆うモールド固定体が途切れたり、空気が混入したりして、いわゆる、鬆(す)ができてしまい、半導体装置としての十分な強度を得ることができなくなる。
本発明は、前記従来の問題を解決し、モールド樹脂材からなる固定体により複数のリードフレームを固定する半導体装置の強度を向上できるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体装置を、金型の樹脂注入口の一部が複数のリードフレームのいずれか1つと対向し、且つその残部が複数のリードフレームの間の領域と対向するようにする構成とする。
具体的に、本発明に係る半導体装置は、素子実装部を有する第1のリードフレームと、第1のリードフレームと同一の面内で且つ所定の間隔をおいて配置された第2のリードフレームと、第1のリードフレームと第2のリードフレームとを固定するトランスファーモールド樹脂材からなる固定体と、第1のリードフレームにおける素子実装部の上に固着された半導体素子とを備え、固定体は、第1のリードフレームの表裏面の少なくとも一部及び第2のリードフレームの表裏面の少なくとも一部を覆うと共に、固定体に残され、該固定体を注入した痕跡である樹脂注入口跡は、その一部が第1のリードフレーム又は第2のリードフレームの上側部分に位置し、その残部が第1のリードフレームと第2のリードフレームとの間の上側部分に位置することを特徴とする。
本発明の半導体装置によると、第1のリードフレーム及び第2のリードフレームのいずれか一方の表面で樹脂材の一部が衝突し、それにより樹脂材の流動方向がリードフレームの表面に平行な方向に変更されるため、リードフレームの表面側には樹脂材がスムーズに流動する。その上、第1のリードフレームと第2のリードフレームとの間から樹脂材の残り部分が裏面側へもスムーズに流動するため、第1のリードフレーム及び第2のリードフレームの各表裏面の少なくとも一部を覆う固定体に途切れが発生したり、空気が混入したりするおそれがなくなる。これにより、半導体装置としての十分な強度を得ることができる。
本発明の半導体装置において、第1のリードフレーム又は第2のリードフレームにおける樹脂注入口跡と対向する領域は、第1のリードフレーム又は第2のリードフレームにおける樹脂注入口跡と対向しない他の領域よりも肉厚が薄い薄肉部を形成していることが好ましい。
この場合に、第1のリードフレーム又は第2のリードフレームにおける樹脂注入口跡と対向する領域は、樹脂注入口跡側からその下方に向かって打ち抜かれることにより形成されていることが好ましい。
本発明の半導体装置において、半導体素子はレーザダイオードであることが好ましい。
本発明に係る電子機器は、本発明の半導体装置を光源として備えていることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置及び電子機器は、モールド樹脂材により複数のリードフレームを固定する半導体装置の強度を向上することができる。
(一実施形態)
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1(a)〜図1(c)は本発明の一実施形態に係る半導体装置であって、(a)は平面構成を示し、(b)は底面構成を示し、(c)は側面構成を示している。
図1(a)〜(c)に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、素子実装部1aを有する第1のリードフレーム1と、それぞれが第1のリードフレーム1と同一の面内で且つ所定の間隔をおいて配置された第2のリードフレーム2及び第3のリードフレーム3と、第1のリードフレーム1、第2のリードフレーム2及び第3のリードフレーム3の各表裏面の少なくとも一部を覆うことにより、第1のリードフレーム1と、第2のリードフレーム2及び第3のリードフレーム3とを固定するトランスファーモールド樹脂材からなるモールド固定体5と、第1のリードフレーム1の素子実装部1aの上にサブマウント7を介在させて固着された半導体素子、例えばレーザダイオード6とを有している。
図1(a)に示すように、サブマウント7の上に保持されたレーザダイオード6は、第3のリードフレーム3に設けられた、モールド固定体5から露出する第2の接続端子部3aと金属細線8により接続されている。また、サブマウント7は、第2のリードフレーム2に設けられた、モールド固定体5から露出する第1の接続端子部2aと金属細線8により接続されている。
図1(a)〜(c)に示す半導体装置は、主に光ディスク装置等ピックアップに用いられる。 第1のリードフレーム1は、その幅が3mmから6mm程度であり、モールド固定体5を含めた厚さは、1.0mmから2.0mm程度である。また、レーザダイオード6の寸法は、幅方向が0.2mmから0.4mm程度であり、長手方向が0.5mmから3mm程度である。
図1(a)〜(c)に示すように、モールド固定体5は、各リードフレーム1〜3の表裏面にわたって設けられており、図1(a)に示す表面側では、レーザダイオード6の三方を取り巻くように平面コの字状に形成され、図1(b)に示す裏面側においても、同じく平面コの字状に形成されている。ここで、第1のリードフレーム1における素子実装部1aの両側方に設けられた取付孔1bは、表面側に形成されたモールド固定体5によって充填されている。
また、図1(b)に示すように、モールド固定体5の裏面側には、トランスファーモールド樹脂材を注入した痕跡である樹脂注入口跡5aが残存している。
以下、前記のように構成された半導体装置の製造方法、特にモールド固定体5の形成方法について図面を参照しながら説明する。
まず、図2に示す第1のリードフレーム1、第2のリードフレーム2及び第3のリードフレーム3を用意する。図2に示すように、第3のリードフレーム3における第1のリードフレーム1と対向する先端部であって、その裏面側には他の部分よりも肉厚が薄い薄肉部3bが形成されている。
次に、図3に示すように、用意された各リードフレーム1〜3の各表裏面を、上金型10及び下金型11によって挟持し、この状態で上金型10に設けられた樹脂注入口10aからトランスファーモールド樹脂材(以下、単に樹脂材と呼ぶ。)14を圧入する。ここで、図4は図1(b)の領域Aを拡大して表している。
このとき、図3及び図4に示すように、上金型10の樹脂注入口10aは、その一部、ここでは半分程度が第3のリードフレーム3の上方に位置し、残部は第1のリードフレーム2と第3のリードフレーム3との間の上方に位置するように形成されている。このため、樹脂注入口10aから圧入された樹脂材14の一部(約半分)は、第3のリードフレーム3の表面と衝突して、該樹脂材14の流動方向が第3のリードフレーム3の表面に平行な方向に変更される。これにより、各リードフレーム1〜3の表面には樹脂材14がスムーズに流動する。また、第1のリードフレーム1と第3のリードフレーム3との隙間からは、樹脂材14の残部が各リードフレーム1〜3の裏面側へと流動し、この裏面側でも樹脂材14がスムーズに流動する。その結果、各リードフレーム1〜3の各表裏面の一部を覆ったモールド固定体5に途切れが発生したり、空気が混入したりせず、半導体装置に十分な強度を得ることができる。
また、樹脂注入口10aは、平面コの字状の樹脂材14(モールド固定体5)の底辺部分に位置しており、モールド固定体5におけるコの字型の左右の先端部分の双方に対して距離の相違が小さい範囲に設けられている。これにより、モールド固定体5の各先端部分への樹脂材14の充填性が確保される。さらに、第3のリードフレーム3の樹脂注入口10aと反対側の面は、その表面をモールド固定体5から露出して金属細線8と接続する第2の接続端子部3aに用いられるため、樹脂材14の表面への回り込みを防止する必要がある。本実施形態においては、図3に示すように、樹脂注入口10aから流入した樹脂材14の一部(約半分)が第3のリードフレーム3と衝突するように注入されることから、第3のリードフレーム3には、注入された樹脂材14によって下金型11に押し付けられる力が発生する。このため、第3のリードフレーム3と下金型11との間には隙間が生じず、樹脂材14の回りこみを防止できるので、第3のリードフレーム3の上には、金属細線8を接続する第2の接続端子部3aを確保することができる。
なお、本実施形態においては、図4に示すように、トランスファーモールド工程の後には、モールド固定体5に、上金型10の樹脂注入口10aと対応する位置に樹脂注入口跡5aが残存する。すなわち、樹脂注入口跡5aは、その一部が第3のリードフレーム3の上方に位置し、残部が第1のリードフレーム1と第3のリードフレーム3との間の上方に位置する。
さらに、本実施形態においては、上述したように、第3のリードフレーム3における樹脂注入口跡10aの一部と対向する部分に、該第3のリードフレーム3の他の部分並びに第1のリードフレーム1及び第2のリードフレーム2よりも厚さが薄い薄肉部3bを設けてる。このように、第3のリードフレーム3における樹脂注入口跡10aの一部と対向する部分に薄肉部3を設けることにより、上金型10の樹脂注入口13から圧入される樹脂材14を流入しやすくしている。
なお、第3のリードフレーム3に設けられた薄肉部16は、各リードフレーム1〜3を分割して形成する前に、所定の荷重を印加して薄肉化することにより形成されている。各リードフレーム1〜3は、裏面側から表面側へ打ち抜き加工により分割されているため、図3の断面図に示すように、薄肉部16には打ち抜きばり3cが残存している。この残存した打ち抜きばり3cによって、樹脂材14が流入しやすくなる。
本実施形態に係る半導体装置は、図1(c)に示す第1のリードフレーム1の底面である取付基準面1bを電子機器に組み込まれた実装基板に実装し、所望の光源として活用される。従って、本実施形態に係る半導体装置を用いることにより、電子機器の小型化を図ることができ、その上、半導体装置自体の強度も高いため、電子機器の小型化に大きく貢献できる。
また、本実施形態に係る半導体装置として半導体レーザ装置を構成した場合は、該半導体レーザ装置を搭載した光ピックアップは、薄型化且つ小型化を図ることができる。従って、本実施形態に係る半導体装置を搭載した光ピックアップを備えた光ディスクドライブ装置の小型化且つ薄型化に貢献することができる。
また、本実施形態においては、半導体装置に搭載する半導体素子としてレーザダイオードを用いたが、レーザダイオードに限られず、発光ダイオード(LED)を用いることができる。
本発明に係る半導体装置は、モールド樹脂材からなる固定体により複数のリードフレームを固定する半導体装置の強度を向上することができ、例えば光源に用いられる半導体装置及びそれを用いた電子機器等に有用である。
1 第1のリードフレーム
1a 素子実装部
1b 取付孔
2 第2のリードフレーム
2a 第1の接続端子部
3 第3のリードフレーム
3a 第2の接続端子部
3b 薄肉部
3c 打ち抜きばり
5 モールド固定体
5a 樹脂注入口跡
6 レーザダイオード
7 サブマウント
8 金属細線
10 上金型
10a 樹脂注入口
11 下金型
14 トランスファーモールド樹脂材(樹脂材)
1a 素子実装部
1b 取付孔
2 第2のリードフレーム
2a 第1の接続端子部
3 第3のリードフレーム
3a 第2の接続端子部
3b 薄肉部
3c 打ち抜きばり
5 モールド固定体
5a 樹脂注入口跡
6 レーザダイオード
7 サブマウント
8 金属細線
10 上金型
10a 樹脂注入口
11 下金型
14 トランスファーモールド樹脂材(樹脂材)
Claims (5)
- 素子実装部を有する第1のリードフレームと、
前記第1のリードフレームと同一の面内で且つ所定の間隔をおいて配置された第2のリードフレームと、
前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとを固定するトランスファーモールド樹脂材からなる固定体と、
前記第1のリードフレームにおける前記素子実装部の上に固着された半導体素子とを備え、
前記固定体は、前記第1のリードフレームの表裏面の少なくとも一部及び前記第2のリードフレームの表裏面の少なくとも一部を覆うと共に、
前記固定体に残され、該固定体を注入した痕跡である樹脂注入口跡は、その一部が前記第1のリードフレーム又は前記第2のリードフレームの上側部分に位置し、その残部が前記第1のリードフレームと前記第2のリードフレームとの間の上側部分に位置することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のリードフレーム又は前記第2のリードフレームにおける前記樹脂注入口跡と対向する領域は、前記第1のリードフレーム又は前記第2のリードフレームにおける前記樹脂注入口跡と対向しない他の領域よりも肉厚が薄い薄肉部を形成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のリードフレーム又は前記第2のリードフレームにおける前記樹脂注入口跡と対向する領域は、前記樹脂注入口跡側からその下方に向かって打ち抜かれることにより形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子はレーザダイオードであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体装置を光源として備えていることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009135780A JP2010074142A (ja) | 2008-08-20 | 2009-06-05 | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
US12/510,785 US7970033B2 (en) | 2008-08-20 | 2009-07-28 | Semiconductor device and electronic equipment using same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008211917 | 2008-08-20 | ||
JP2009135780A JP2010074142A (ja) | 2008-08-20 | 2009-06-05 | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010074142A true JP2010074142A (ja) | 2010-04-02 |
Family
ID=41696350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009135780A Pending JP2010074142A (ja) | 2008-08-20 | 2009-06-05 | 半導体装置及びそれを用いた電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7970033B2 (ja) |
JP (1) | JP2010074142A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2380488A2 (en) | 2010-03-29 | 2011-10-26 | Kowa Company, Ltd. | Perimeter and method of controlling perimeter |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2748592B2 (ja) * | 1989-09-18 | 1998-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型 |
JPH0645703A (ja) | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP3082695B2 (ja) * | 1997-01-16 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
JP2002270638A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Nec Corp | 半導体装置および樹脂封止方法および樹脂封止装置 |
JP3947495B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2007-07-18 | ローム株式会社 | モールド型半導体レーザ |
JP3802896B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2006-07-26 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
JP4031748B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2008-01-09 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
JP4713250B2 (ja) | 2005-07-01 | 2011-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
-
2009
- 2009-06-05 JP JP2009135780A patent/JP2010074142A/ja active Pending
- 2009-07-28 US US12/510,785 patent/US7970033B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2380488A2 (en) | 2010-03-29 | 2011-10-26 | Kowa Company, Ltd. | Perimeter and method of controlling perimeter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7970033B2 (en) | 2011-06-28 |
US20100046564A1 (en) | 2010-02-25 |
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