JP2017103295A - パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017103295A
JP2017103295A JP2015233752A JP2015233752A JP2017103295A JP 2017103295 A JP2017103295 A JP 2017103295A JP 2015233752 A JP2015233752 A JP 2015233752A JP 2015233752 A JP2015233752 A JP 2015233752A JP 2017103295 A JP2017103295 A JP 2017103295A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
package
resin
lead frame
connection portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015233752A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6337873B2 (ja
Inventor
真弓 福田
Mayumi Fukuda
真弓 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2015233752A priority Critical patent/JP6337873B2/ja
Priority to US15/364,265 priority patent/US9954151B2/en
Publication of JP2017103295A publication Critical patent/JP2017103295A/ja
Priority to US15/919,219 priority patent/US10580947B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6337873B2 publication Critical patent/JP6337873B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】薄型のパッケージ、パッケージ中間体及び発光装置を提供する。【解決手段】パッケージ100は、第1の電極10と、第2の電極20と、第1の電極10及び第2の電極20を保持する第1の樹脂体30と、を有し、底部101と、底部101上の載置領域を囲い複数の外側面31a,31b,31c,31dを備える壁部31と、を持つ。第1の電極10及び第2の電極20は、壁部31の対向する2つの外側面31a,31cからそれぞれ外側に延びたアウターリード部11を備え、第1の樹脂体30は、壁部31と、アウターリード部11が配置された壁部31の外側面31a,31cから外側にそれぞれ延設された鍔部32cと、を備え、アウターリード部11は、平面視において鍔部32cの先端よりも外側まで延設されている。【選択図】図1

Description

本開示は、パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法に関する。
従来、リードを備えたパッケージは、下面側から熱可塑性樹脂を注入して製造されている(例えば、特許文献1及び2参照)。そして、樹脂を硬化した後、リードを折り曲げて、発光装置を形成している。
なお、成型金型においてパッケージ形状に相当するキャビティ内に樹脂を注入し硬化させ、リードと一体に樹脂体を成型することによりパッケ−ジが形成されることが知られている(例えば、特許文献3参照)。
特開2010−186896号公報 特開2013−051296号公報 特開2013−077813号公報
特許文献1や2に記載された発光装置にあっては、リードの下面側から樹脂を注入するため、パッケージの厚みが厚くなっている。また、そのようなパッケージを用いた発光装置の厚みも厚くなっている。
そこで、本開示に係る実施形態は、薄型のパッケージ、パッケージ中間体及び発光装置を提供する。また、パッケージ、パッケージ中間体及び発光装置の簡易な製造方法を提供する。
本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法は、フレームと、第1の電極と、第2の電極と、前記フレームと前記第1の電極とを繋ぐ第1の接続部と、前記フレームと前記第2の電極とを繋ぐ第2の接続部と、を有し、さらに、前記第1の電極と前記第1の接続部との間に第1の貫通孔を有し、前記第2の電極と前記第2の接続部との間に第2の貫通孔を有するリードフレームを準備する工程と、前記リードフレームが配置された金型内に、前記第1の電極の隣にある注入口から第1の樹脂を注入する工程と、前記注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、前記第1の樹脂を硬化又は固化した後、前記第1の電極の隣から前記第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、前記第1の接続部と前記第2の接続部とを切断することによってパッケージを個片化する工程と、を有する。
本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法は、パッケージの形成予定領域に、第1の電極と、前記第1の電極とは極性が異なる第2の電極と、を有するリードフレームを準備する工程と、前記第1の電極と前記第2の電極とを、上下に分割された金型の上金型と下金型で挟み込む工程と、前記第1の電極と前記第2の電極とが挟み込まれた前記金型内に、当該金型のパッケージの形成予定領域の外側であり前記第1の電極の隣に形成される注入口から第1の樹脂を注入する工程と、前記注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、前記第1の樹脂を硬化又は固化した後、前記第1の電極の隣から前記第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、前記リードフレームを切断することによってパッケージを個片化する工程と、を有する。
本開示の実施形態に係るパッケージ中間体は、フレームと、第1の電極と、第2の電極と、前記フレームと前記第1の電極とを繋ぐ第1の接続部と、前記フレームと前記第2の電極とを繋ぐ第2の接続部と、を有し、さらに、前記第1の電極と前記第1の接続部との間に第1の貫通孔を有し、前記第2の電極と前記第2の接続部との間に第2の貫通孔を有するリードフレームと、前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する第1の樹脂体と、を有し、底部と、前記底部上の載置領域を囲い複数の外側面を備える壁部と、を持つパッケージの中間体であって、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記底部に配置され、前記第1の樹脂体は、前記壁部と、前記底部において前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する保持部と、を備え、前記保持部は、前記壁部の外側面から外側に延設された鍔部を備え、前記第1の接続部と前記第2の接続部は、平面視において前記鍔部の先端よりも外側に配置されている。
本開示の実施形態に係るパッケージは、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する第1の樹脂体と、を有し、底部と、前記底部上の載置領域を囲い複数の外側面を備える壁部と、を持つパッケージであって、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記壁部の対向する2つの外側面からそれぞれ外側に延びたアウターリード部を備え、前記第1の樹脂体は、前記壁部と、前記アウターリード部が配置された前記壁部の外側面から外側にそれぞれ延設された鍔部と、を備え、前記アウターリード部は、平面視において前記鍔部の先端よりも外側まで延設されている。
本開示の実施形態に係るパッケージ中間体の製造方法は、フレームと、第1の電極と、第2の電極と、前記フレームと前記第1の電極とを繋ぐ第1の接続部と、前記フレームと前記第2の電極とを繋ぐ第2の接続部と、を有し、さらに、前記第1の電極と前記第1の接続部との間に第1の貫通孔を有し、前記第2の電極と前記第2の接続部との間に第2の貫通孔を有するリードフレームを準備する工程と、前記リードフレームが配置された金型内に、前記第1の電極の隣又は前記第1の接続部の隣にある注入口から第1の樹脂を注入する工程と、前記注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、前記第1の樹脂を硬化又は固化した後、前記第1の電極の隣又は前記第1の接続部の隣から前記第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、を有する。
本開示に係る実施形態は、薄型のパッケージ及び発光装置を提供することができる。また、パッケージ及び発光装置の簡易な製造方法を提供することができる。
実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。 実施形態に係るパッケージの概略を示す図であり、パッケージの平面図である。 実施形態に係るパッケージの概略を示す図であり、図2のIII−III断面矢視図である。 実施形態に係るパッケージの概略を示す図であり、パッケージの下面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの平面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図8のIX−IX線に対応した位置におけるリードフレームと金型の配置を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図8のX−X線に対応した位置におけるリードフレームと金型の配置を模式的に示す断面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型で挟まれたリードフレームの平面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、第1の樹脂注入後の図8のIX−IX断面矢視図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、第1の樹脂注入後の図8のX−X断面矢視図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、注入痕を切除する前の樹脂成形体の概略平面図である。 実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、注入痕を切除した後の樹脂成形体の概略平面図である。
以下、実施形態の一例を示すパッケージ、発光装置及びそれらの製造方法を説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
<発光装置1の構成>
図面を用いて説明する。図1は、実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の全体を示す斜視図である。図2は、実施形態に係るパッケージの概略を示す図であり、パッケージの平面図である。図3は、実施形態に係るパッケージの概略を示す図であり、図2のIII−III断面矢視図である。図4は、実施形態に係るパッケージの概略を示す図であり、パッケージの下面図である。
発光装置1は、第1の樹脂体30を含むパッケージ100と、発光素子200と、ワイヤ250と、第2の樹脂からなる封止部材300とを備えている。
<パッケージ100の概要>
パッケージ100は、第1の樹脂体30と、第1の電極10と、第2の電極20と、を備え、底部101と、底部101上の載置領域110aを囲う壁部31と、を有している。
パッケージ100には、底部101と壁部31とによって、上方に開口した凹部110が形成されており、凹部110の底面が半導体素子の載置領域110aとなっている。凹部110は、開口方向に拡がる形状となっている。
パッケージ100の底部101には、第1の電極10と、第2の電極20と、第1の樹脂体30と、が配置されている。
第1の樹脂体30は、凹部110の側壁を構成する壁部31と、第1の電極10及び第2の電極20を固定する保持部32と、を備えている。
保持部32は、パッケージ100の底部101に配置されている。
保持部32は、第1の電極10と第2の電極20との間に設けられた中央部32aと、中央部32aと第1の電極10と第2の電極20とを取り囲む周辺部32bとを備えている。
周辺部32bは、平面視において壁部31から外側に延設された鍔部32cを備えている。
第1の電極10は、平面視において壁部31の外側面31aから鍔部32cの先端よりも外側まで延設されており、同様に、第2の電極20は、平面視において壁部31の外側面31cから鍔部32cの先端よりも外側まで延設されている。
<パッケージ100の詳細>
第1の電極10は、第1のアウターリード部11と、第1のインナーリード部12と、を備えている。第1のアウターリード部11は、壁部31の外側面31aから外側に位置するリード部分をいう。第1のインナーリード部12は、凹部110の底面及び壁部31の下に位置するリード部分をいう。
第2の電極20は、第2のアウターリード部21と、第2のインナーリード部22と、を備えている。第2のアウターリード部21は、壁部31の外側面31cから外側に位置するリード部分をいう。第2のインナーリード部22は、凹部110の底面及び壁部31の下に位置するリード部分をいう。
第1のインナーリード部22及び第2のインナーリード部22の形状は平面視では略矩形であるが、形状はこれに限定されず、一部切り欠きや凹み、貫通孔を設けたものでもよい。
第1の電極10と第2の電極20とは、パッケージ100の下面に露出して形成されている。パッケージ100の下面は、外部の基板に実装される側の面である。下面において、第1の電極10及び第2の電極20は、壁部31の外側面31b,31d側には配置されていないので、パッケージ100を外部の基板に例えば半田接合した際に、外側面31b,31d側への半田漏れを低減できる。
第1の電極10と第2の電極20とは、離間させて配置されており、第1の電極10と第2の電極20との間には、中央部32aが介在している。発光装置として使用される際、第1の電極10と第2の電極20とは、アノード電極、カソード電極にそれぞれ相当し、それぞれ導電性が異なることを意味する。
第1のアウターリード部11及び第2のアウターリード部21は、先端に第2凹み部50を有している。第2凹み部50は、パッケージ100を側面視したときの奥行き方向に凹んでいるものである。これにより、パッケージ100を外部の実装基板に例えば半田接合した際に、第2凹み部50に半田のフィレットを形成することができる。
なお、パッケージ100において、いずれか一方の電極だけ第2凹み部50を有するようにしてもよいし、あるいは、いずれか一方の電極だけアウターリード部を有するようにしてもよい。
第1の電極10、第2の電極20の材質は、例えば銅や銅合金が好ましく、その最表面は、例えば、銀、アルミニウム、銅及び金等のメッキが施されている。
例えば第1のアウターリード部11は、壁部31の外側面から最も離間した端面43,44を除いて、表面にメッキ層を備える。後記するが、端面43,44は、メッキ処理後に、パッケージ100を個片化することで現れた切断面であるため、メッキ層を備えていない。一方、第2凹み部50の側面51や第1のアウターリード部11の側面45,46は、メッキ処理前に切断した面であるため、メッキ層を備えている。第1のアウターリード部11は、上面41、下面42、側面45,46及び第2凹み部50の側面51がメッキされている。なお、第2のアウターリード部21も同様である。
また、パッケージ100は、第1のインナーリード部12と、第2のインナーリード部22とにはメッキが施されているので、半田等の導電性部材との接合強度が増すと共に、パッケージ100の凹部110に発光素子を実装して発光装置を構成したときに、この発光素子からの光の反射率を高めることができる。
第1の樹脂体30は、平面視において壁部31の外縁形状が矩形である。
鍔部32cは、壁部31の外側面31aから外側に延設されており、第1のアウターリード部11に接して設けられている。第1のアウターリード部11は、上面41及び下面42とも鍔部32cと面一で形成されている。第1のアウターリード部11は、平面視で両隣に鍔部32cを有し、鍔部32cの先端よりも外側まで延設されている。
鍔部32cは、第1のアウターリード部11と同じ厚みTを有している。鍔部32cは、第1のアウターリード部11の第2凹み部50には設けられていない。
また、鍔部32cは、壁部31の外側面31cから外側に延設されており、同様に第2のアウターリード部21に接して設けられている。
平面視において壁部31の外側面31cから鍔部32cの先端までの長さW1は、少なくとも5μm以上であることが好ましく、第2の凹み部50を形成するためには、例えば20μm程度であることが特に好ましい。平面視において壁部31の外側面31aから鍔部32cの先端までの長さは、長さW1と同じでもよいし、異なってもよい。
壁部31の外側面毎に、平面視において壁部31の外側面から鍔部32cの先端までの長さは、当該外側面に沿って一定である。例えば外側面31aに着目すると、第1のアウターリード部11が設けられた部分を除いて、外側面31aから鍔部32cの先端までの長さは、外側面31aに沿って一定になるように設定されており、鍔部32cはバリではない。また、例えば外側面31cに着目すると、第2のアウターリード部21が設けられた部分を除いて、外側面31cから鍔部32cの先端までの長さは、外側面31cに沿って一定になるように設定されている。
平面視において壁部31の外縁形状は矩形である。第1の電極10及び第2の電極20が配置された外側面31a,31cとは異なる少なくとも1つの外側面に鍔部32cが配置されていてもよい。ここでは、壁部31の外側面31b,31dにも鍔部32cが配置されていることとした。
平面視において壁部31の外側面31dから鍔部32cの先端までの長さW2は、少なくとも5μm以上であることが好ましく、製造中における外側面31dの傷付きを防止するためには、例えば10μm以上が好ましく、20μm以上であることが特に好ましい。平面視において壁部31の外側面31bから鍔部32cの先端までの長さは、長さW2と同じでもよいし、異なってもよい。長さW2は、長さW1と同じでもよいし、異なってもよい。
第1の樹脂体30は、壁部31に面取り部120を備えている。面取り部120は角部の一部を切り欠いたり、切り欠いた形になるように成形されたり、凹む形に成形されたりしているものを指す。面取り部120は、第1の電極10の極性を表すものであり、カソードマーク又はアノードマークとして利用される。面取り部120の形状や大きさは任意である。ここでは、面取り部120は、例えば逆三角形の形状で、壁部31の外側面31aと外側面31bとに跨って形成されている。
壁部31と鍔部32cとは、別々に形成されてもよいし、同一材料で一体的に形成されてもよい。例えば一体成型すると、壁部31と鍔部32cとの強度を高めることができるので好ましい。
以下では、第1の樹脂体30を構成する樹脂のことを第1の樹脂という。
第1の樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。
熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、不飽和ポリエステル等を用いることができる。熱可塑性樹脂を加熱、冷却することにより固化する。
熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂を加熱することにより硬化する。
第1の樹脂体30の壁部31の内周面において光を効率よく反射するために、第1の樹脂体30に光反射部材が含有されていても構わない。光反射部材として、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、ガラスフィラー、シリカ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
発光素子200は、パッケージ100の第1の電極10及び第2の電極20の少なくとも一方に載置される。ここでは、発光素子200は、載置領域110aの第2の電極20上に固定され、ワイヤ250を介して、第1のインナーリード部22及び第2のインナーリード部22とそれぞれ電気的に接続している。発光素子200の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色(波長430〜490nmの光)の発光素子としては、窒化物半導体であるInAlGa1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等で表されるGaN系やInGaN系を用いることができる。発光素子200は、フェイスアップ構造のものを使用することができる他、フェイスダウン構造のものも使用することができる。なお、発光素子を実装していないインナーリード部に、保護素子を実装してもよい。
ワイヤ250は、発光素子200や保護素子等の電子部品と、第1の電極10や第2の電極20を電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤ250の材質としては、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Pt(白金)、Al(アルミニウム)等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特にAuを用いるのが好ましい。
封止部材300は、パッケージ100の載置領域110aに実装された発光素子200等を覆うものである。封止部材300は、発光素子200等を、外力、埃、水分等から保護すると共に、発光素子200等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。封止部材300を構成する樹脂のことを以下では第2の樹脂と呼ぶ。第2の樹脂としては、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光拡散性物質等のフィラーを含有させることもできる。
第2の樹脂は、例えば蛍光体を混合することで、発光装置1の色調調整を容易にすることができる。第2の樹脂に含有させるフィラーとしては、例えば、SiO、TiO、Al、ZrO、MgO等の光反射率が高い物質を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を用いることができる。
<パッケージ100の製造方法>
次にパッケージ100の製造方法について、図5から図12を参照して説明する。図5は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの平面図である。図6は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図8のIX−IX線に対応した位置におけるリードフレームと金型の配置を模式的に示す断面図である。図7は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、図8のX−X線に対応した位置におけるリードフレームと金型の配置を模式的に示す断面図である。図8は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、上金型と下金型で挟まれたリードフレームの平面図である。図9は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、第1の樹脂注入後の図8のIX−IX断面矢視図である。図10は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、第1の樹脂注入後の図8のX−X断面矢視図である。図11は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、注入痕を切除する前の第1の樹脂体の概略平面図である。図12は、実施形態に係るパッケージの製造工程の概略を示す図であり、注入痕を切除した後の第1の樹脂体の概略平面図である。
パッケージの製造方法は、パッケージ中間体を準備する工程と、パッケージを個片化する工程と、を有する。パッケージ中間体を準備する工程は、リードフレームを準備する工程、第1の樹脂を注入する工程と、注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、を有する。
リードフレーム705は、例えば、銅や銅合金等の電気良導体を用いて形成され、平板状の金属板を用いることができるが、段差や凹凸を設けた金属板も用いることができる。リードフレーム705は、平板状の金属板に打ち抜き加工やエッチング加工等を行ったものである。
リードフレーム705は、パッケージの形成予定領域600に、第1の電極10と、第1の電極10とは極性が異なる第2の電極20と、を有している。ここで、パッケージの形成予定領域600とは、リードフレーム705から分離された、成型後のパッケージ100の底部101の外周となる領域である。また、リードフレーム705における第1の電極10とは、成型後の第1の電極10に相当する部分を意味する。
同様に、リードフレーム705における第2の電極20とは、成型後の第2の電極20に相当する部分を意味する。なお、簡単のため、リードフレーム705は、1個のパッケージの形成予定領域600を備えるものとして説明するが、その個数は複数でもよい。
リードフレーム705は、板状の部材であり、第1の電極10及び第2の電極20の周囲に所定形状の隙間部を有し、第1の電極10と第2の電極20とは対面する部分が離間している。リードフレーム705は、第1の電極10及び第2の電極20を取り囲むフレーム707と、フレーム707と第1の電極10とを繋ぐ第1の接続部708と、フレーム707と第2の電極20とを繋ぐ第2の接続部709と、を有している。
第1の接続部708と第2の接続部709は、パッケージを個片化する前のパッケージ中間体を流通させるときに、パッケージ中間体が脱落しないように、第1の電極10及び第2の電極20をフレーム707に連結しておくものである。ここで、パッケージを個片化するとは、リードフレーム705の一部を切断し、パッケージをリードフレーム705から切り離すことである。
リードフレーム705において、第1の電極10は、成型後の第1のアウターリード部11に相当する部分が第1の接続部708によってフレーム707と接続されている。第1の電極10の隣には、隙間部として第1の空間706aと第2の空間706bとが形成されている。ここで、第1の電極10の隣とは、第1の接続部708の隣であって、パッケージの形成予定領域600の近傍を意味する。ここでは、第1の電極10の隣は、平面視でリードフレーム705において、第1の電極10の真横ではなく、斜め上や斜め下の位置である。なお、本実施形態では第1の空間706aから第1の樹脂を注入している。
第2の電極20は、成型後の第2のアウターリード部21に相当する部分が第2の接続部709によってフレーム707と接続されている。第2の電極20の隣には、隙間部として第3の空間706cと第4の空間706dとが形成されている。ここで、第2の電極20の隣とは、第2の接続部709の隣であって、パッケージの形成予定領域600の近傍を意味する。ここでは、第2の電極20の隣は、平面視でリードフレーム705において、第2の電極20の真横ではなく、斜め上や斜め下の位置である。
リードフレーム705において、第1の空間706a、第2の空間706b、第3の空間706c及び第4の空間706dは、第1の電極10及び第2の電極20の周囲の隙間部と連通している。
リードフレーム705は、第1の電極10及び第2の電極20の少なくとも一方においてパッケージの形成予定領域600の外縁に跨る位置に貫通孔を有している。具体的には、リードフレーム705は、第1の電極10と第1の接続部708との間に第1の貫通孔713を有し、第2の電極20と第2の接続部709との間に第2の貫通孔714を有する。なお、貫通孔713,714は、独立したものであり、第1の空間706a等に連通したものではない。貫通孔713、714は、円形、楕円、T字状、I字状、十字状等を用いることができる。
パッケージの形成予定領域600は、平面視で略矩形であり、第1の縁部601、第2の縁部602、第3の縁部603及び第4の縁部604を有している。
第2の縁部602及び第4の縁部604は、直線状で、リードフレーム705の隙間部の縁部に一致している。
第2の縁部602と第4の縁部604との間の距離V1は、成型後のパッケージの保持部32の幅となるよう予めに設定されている。
第1の縁部601と第3の縁部603との間の距離H1は、成型後のパッケージの保持部32の長さとなるよう予め設定されている。
なお、第1の縁部601は、第1の貫通孔713を横切るように第1の接続部708側に突出した箇所を有し、第3の縁部603は一部が第2の貫通孔714を横切るように第2の接続部709側に突出した箇所を有する。
リードフレームを準備する工程では、リードフレーム705を金型内に配置する。具体的には、リードフレーム705の第1の電極10と第2の電極20とを、上下に分割された金型500の上金型550と下金型560とで挟み込む。なお、説明の都合上、リードフレーム705の下面と下金型560とが離間した状態で示したが、リードフレーム705は下金型560の上面に固定される。
上金型550は、第1の樹脂体30の壁部31に相当する第1凹み部501を有し、この第1凹み部501に第1の樹脂を注入する。平面視において、第1凹み部501は環状に繋がっており、第1凹み部501の外縁502の外形は矩形である。また、上金型550は、第1凹み部501の内周側に隣接した平坦部と、外周側に隣接した平坦部と、を有している。なお、第1凹み部501は、面取り部120に相当する凹みも有している。
リードフレーム705は、パッケージの形成予定領域600が上金型550の第1凹み部501の下に位置すると共に、貫通孔713,714が第1凹み部501の外側に位置するように配置される。また、上金型550には、リードフレーム705と位置合わせしたときにパッケージの形成予定領域600の外側で第1の空間706aが設けられた位置に連通するように空間503が設けられている。すなわち、金型500は、平面視において、第1凹み部501の外側に空間503が設けられている。
第1凹み部501の形状は、成型後のパッケージの凹部110の側壁部の形状に対応している。第1凹み部501には、凹部110の側壁部の外側面の傾斜に相当する傾斜面が形成されている。
平面視において、第1凹み部501の最大長さH2(図8参照)は、成型後のパッケージの壁部31の長さとなるよう予めに設定されており、距離H1(図5参照)よりも僅かに短い。ここで、H2とH1との差は、外側面31a,31cから鍔部32cの先端までの長さW1(図2参照)の2倍である。
また、平面視において、第1凹み部501の最大幅V2(図8参照)は、成型後のパッケージの壁部31の幅となるよう予めに設定されており、距離V1(図5参照)よりも僅かに短い。ここで、V2とV1との差は、外側面31b,31dから鍔部32cの先端までの長さW2(図2参照)の2倍である。
図5及び図8に示すように、本実施形態では、平面視において、パッケージの形成予定領域600のサイズを、金型500の第1凹み部501のサイズよりも僅かに広くして、成型後のパッケージの外周全体に鍔部32cが形成できるように、隙間部の配置やサイズを調整したリードフレーム705を準備した。
そして、前記のように位置合わせして、上金型550の第1凹み部501外周側に隣接した平坦部を、フレーム707の少なくとも一部、第1の接続部708、第2の接続部709、及び成型後の第1及び第2のアウターリード部11,21に相当する部分に当接させる。このとき、リードフレーム705と、上金型550及び下金型560と、の隙間に第1の樹脂が入り込まない程度に強固に挟み込んでいる。そして、上金型550において、空間503への注入口となるゲート555から空間503に第1の樹脂を注入する。
第1の樹脂の注入工程は、射出成形やトランスファーモールド等公知の成形方法を利用することができる。
この工程では、リードフレーム705を上金型550と下金型560で挟み込んだ金型500内に、平面視において、第1の電極10(第1のアウターリード部11)の隣となるゲート555から第1の樹脂を注入している。ここで、第1の電極10の隣とは、リードフレーム705の第1の空間706aが設けられた位置である。また、上金型550が備えるゲート555は、上金型550の空間503への注入口である。金型500とリードフレーム705とを位置合わせしたときに、上金型550の空間503は、リードフレーム705の第1の空間706aが設けられた位置に連通する。この場合、平面視では、上金型550が備えるゲート555は、第1の電極10の隣に配置される。
第1の樹脂には、酸化チタン等の光反射部材が予め混合されている。第1の樹脂は、リードフレーム705の第1の空間706aを通って、上金型550の第1凹み部501に注入される。また、第1の樹脂は、第1の空間706aと連通した第2の空間706b、第3の空間706c及び第4の空間706dに注入される。このとき、リードフレーム705の貫通孔713,714には第1の樹脂が入り込むことはない。
これにより、第1凹み部501に充填された第1の樹脂によって、第1の樹脂体30の壁部31が形成される。また、リードフレーム705の貫通孔713,714以外の隙間部に充填された第1の樹脂によって、第1の樹脂体30の保持部32が形成される。このとき、成型後の第1及び第2のアウターリード部11,21に相当する部分の両側に隣接して、第1及び第2のアウターリード部11,21と同じ厚みで、成型後の鍔部32cに相当する部分が形成される。なお、この時点では鍔部32cはゲート555まで連続している。
第1の樹脂が熱硬化性樹脂である場合には第1の樹脂を硬化させることにより、また、第1の樹脂が熱可塑性樹脂である場合には第1の樹脂を固化させることにより、それぞれ第1の樹脂体30を形成する。
第1の樹脂を硬化又は固化した後、第1の電極10の隣又は第1の接続部708の隣から第1の樹脂の注入痕を切除する。この工程では、リードフレーム705の第1の空間706a等に充填された余分な樹脂体をパンチにより分離除去する。これにより、図12に示すように、パッケージ中間体400の表面には注入痕が残らない。
このとき、余分な樹脂体だけを除去してもよいが、ゲート痕(注入痕)155とともにリードフレーム705の一部716a〜716d(図11参照)を切除すると、次工程で切断されるリードフレーム705の面積を減らすことができるので、このようにすることが好ましい。リードフレーム705の一部であるリードフレーム716a〜715dを切除する場合、第1の電極10と第1の接続部708、第2の電極20と第2の接続部709、が連結を維持できる程度であればよい。
パッケージ中間体400において、さらに、リードフレーム705が露出している部分にメッキを施すことが好ましい。具体的には、リードフレーム705に例えばAgを電解メッキにより付着させる。これにより、第1の電極10及び第2の電極20にメッキが施され、貫通孔713,714の内周面にもメッキが施される。
パッケージを個片化する工程は、パッケージ中間体400において、リードフレーム705の一部を切断して、個片のパッケージを得る工程である。パッケージを個片化する工程では、樹脂体を切断せずに、リードフレーム705のみを切断すればよい。
具体的には、第1の接続部708を切断線L1で切断し、第2の接続部709を切断線L2で切断する。ここで、切断線L1は、パッケージの形成予定領域600の第1の縁部601の突出した箇所に相当し、切断線L2は、第3の縁部603の突出した箇所に相当する。切断線L1は、第1の貫通孔713を横切り、切断線L2は、第2の貫通孔713を横切っている。よって、パッケージを個片化する工程では、例えばリードカッターを用いて、貫通孔713,714を通る位置でリードフレーム705を切断する。
切断により、リードフレーム705の貫通孔713,714が切断されて第1及び第2のアウターリード部11,21に第2凹み部50が形成される。これにより、パッケージ100を製造することができる。
<発光装置の製造方法>
発光装置の製造方法では、パッケージ100を製造する工程のうち例えば前記したパッケージを個片化する工程の前に、パッケージ100の中に、発光素子200を実装する。すなわち、リードフレーム705から分離されていないパッケージ100の第2の電極20の上に発光素子200を実装する。
発光素子200は、上面に一対のn電極及びp電極が形成された片面電極構造の素子である。この場合、パッケージ100の載置領域110aにダイボンド樹脂を塗布して、発光素子200を実装し、次に、ダイボンド樹脂を硬化するために、オーブンで加熱処理する。続いて、ワイヤボンディング装置を用い、ワイヤ250で、発光素子200の一方の電極を第1の電極10に接続させ、発光素子200の他方の電極を第2の電極20に接続させる。
続いて、例えば樹脂塗布装置を用いて、パッケージ100の凹部110内に第2の樹脂を塗布し、発光素子200を封止する。第2の樹脂は、熱硬化性樹脂のほか、蛍光体、無機フィラー、有機フィラーの少なくとも、1つを含有させることができる。塗布に続いて、第2の樹脂を硬化させるために、オーブンで加熱処理を行う。これにより、封止部材300が形成される。以上の工程により、発光装置1を製造することができる。なお、パッケージを個片化する工程は、発光素子を実装する前でもよい。つまり、個片化されたパッケージに、発光素子200を実装して発光装置を製造してもよい。
以上説明したように、パッケージを個片化する前のパッケージ中間体400は、リードフレーム705の第1の接続部708及び第2の接続部709によってフレーム707に連結されており、リードフレーム705から脱落することなく、流通させることができる。また、リードフレーム705は、第1の接続部708及び第2の接続部709を備えるので、パッケージの樹脂部を両側から下支えする保持部を設ける必要が無い。リードフレームにおいて上記保持部を設けた場合、パッケージに保持部の痕跡の凹みが形成されてしまう。そして、パッケージの底部に保持部の痕跡の凹みを有すると、パッケージの底部に樹脂バリが出来やすくなり、見栄えも悪くなってしまう。加えて、そのようなパッケージを外部の基板に例えば半田実装する際には、バリが邪魔になってしまう。これに対して、パッケージ100は、底部101の保持部32に凹みが出来ないので、底部101に樹脂バリが出来にくく、見栄えも良くなり、実装し易くなる。
また、パッケージ中間体400は、リードフレーム705にメッキが施される。パッケージを個片化する工程では、パッケージ中間体400において、リードフレーム705を、貫通孔713,714を通る位置で切断することで第2凹み部50が形成される。このため、リードフレーム705の切断によって表れる端面43,44はメッキされていないので、半田等の導電性部材が付着せず、接合に寄与しない。一方で、第1のアウターリード部11及び第2のアウターリード部21の側面45,46や第2凹み部50の側面51にはメッキが施されているので、半田等の導電性部材が付着し、接合に寄与する。よって、パッケージ100は、第2凹み部50が無い場合と比べて、半田等の導電性部材の接合強度を高めることができる。
また、パッケージ100は、第1のアウターリード部11及び第2のアウターリード部21の側面45,46や第2凹み部50の側面51がメッキされているので、外部の実装基板にパッケージ100を例えば半田接合した際に、側面45,46や第2凹み部50に半田のフィレットを形成することができる。また、パッケージ100において、第1のアウターリード部11及び第2のアウターリード部21は、上面41及び下面42がメッキされているので、半田等の導電性部材は、側面45,46や第2凹み部50の側面51を通じて、上面41から下面42まで接合し、キャスタレーション電極を形成することができる。
また、従来方法ではパッケージの下面側から樹脂を注入していたが、本実施形態のパッケージの製造方法によれば、第1の電極10の近傍であって、パッケージの形成予定領域600の外側から樹脂を注入する。このように第1の樹脂の注入口を第1の樹脂の硬化又は固化後に不要となる位置である第1の電極10の近傍に設けており、第1の樹脂を注入して硬化又は固化させた後にゲート痕155を切除するので、パッケージ100及び発光装置1は、従来よりも薄型にすることができる。特に、パッケージ100の底部101の厚みを従来よりも薄くすることができる。このため、パッケージ100に搭載する発光素子等の動作時の放熱性を向上させることができる。また、ゲート痕155を切除すると第1の電極10の隣に鍔部32cが残ることになる。
また、本実施形態では、パッケージ100は、鍔部32cが壁部31の外側面31b,31dから外側に延設されていることにより、リードフレーム705からパッケージを取り外す際にパッケージ表面の損傷を防止する効果がある。すなわち、個片化する前の状態では、壁部31の外側面31b,31dの下方に配置される鍔部32cがリードフレーム705に接触しており、第1の接続部708及び第2の接続部709を切断すると、鍔部32cよりも上方に配置される壁部31の外側面31b,31dがリードフレーム705に接触することなく、パッケージを取り外すことができる。
以上、本開示の実施形態に係るパッケージ及び発光装置について、具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
例えば、図8に示す金型500の上金型550において、1つのゲート555が形成されているものとしたが、リードフレーム705を金型500内に配置したときに第1の電極10の隣となる2箇所にそれぞれゲートを形成しておき、これら2つのゲートから第1の樹脂を注入してもよい。また、リードフレーム705を金型500内に配置したときに第1の電極10の隣だけでなく、第2の電極20の隣となる1箇所又は2箇所にゲートを設け、第1の樹脂を注入することもできる。また、上金型550の代わりに下金型560にゲートを設け、下金型560側から第1の樹脂を注入することもできる。
実施例として、実施形態に係るパッケージを参照して説明するが、発明はこの実施例に限定されない。実施例の大きさは±10%の誤差を含む。
実施例に係るパッケージ100の大きさは、縦約2.2mm×横約1.4mm×高さ約0.7mmである。この大きさは、第1の電極10と第2の電極20も含んだ大きさである。対向する壁部31の外側面31a,31c間の距離(縦)は約2.0mmであり、第1の電極10のアウターリード部11、第2の電極20のアウターリード部21の幅は壁部31から約0.1mmである。第1の電極10、第2の電極20の隣に位置する鍔部32cの幅W1は0.05mmである。第1の電極10のアウターリード部11、第2の電極20のアウターリード部21の先端は鍔部32cの先端より約0.05mm外側まで延設されている。第2の凹み部50は先端から約0.05mm内側に入る。第1の電極10、第2の電極の厚みは約0.2mmである。壁部31の内側面の距離は縦約1.65mm×横1.1mmの角部に丸みを有する略四角形である。
第1の電極10、第2の電極20は、銅を母材としており、第1の樹脂体30から露出する部分に銀メッキが施されている。第1の樹脂体30は光反射部材が含有されたポリアミド樹脂を用い、光反射部材として酸化チタンを用いる。封止部材300はシリコーン樹脂を用いる。発光素子200はサファイア基板に窒化物半導体が積層されたものを用いる。発光素子200と第1の電極10、第2の電極20とを電気的に接続するワイヤ250は主成分に金を含むものを用いる。
本発明に係る実施形態の発光装置は、照明用装置、車載用発光装置等に利用することができる。
1 発光装置
10 第1の電極
20 第2の電極
30 第1の樹脂体
31 壁部
32 保持部
32c 鍔部
43 第1のアウターリード部の端面
50 第2凹み部
100 パッケージ
101 底部
110a 載置領域
155 ゲート痕(注入痕)
200 発光素子
300 封止部材
400 パッケージ中間体
500 金型
501 第1凹み部
503 空間
555 ゲート(注入口)
600 パッケージの形成予定領域
705 リードフレーム
706a 第1の空間
707 フレーム
708 第1の接続部
709 第2の接続部
713 第1の貫通孔
714 第2の貫通孔

Claims (32)

  1. フレームと、第1の電極と、第2の電極と、前記フレームと前記第1の電極とを繋ぐ第1の接続部と、前記フレームと前記第2の電極とを繋ぐ第2の接続部と、を有し、さらに、前記第1の電極と前記第1の接続部との間に第1の貫通孔を有し、前記第2の電極と前記第2の接続部との間に第2の貫通孔を有するリードフレームを準備する工程と、
    前記リードフレームが配置された金型内に、前記第1の電極の隣にある注入口から第1の樹脂を注入する工程と、
    前記注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、
    前記第1の樹脂を硬化又は固化した後、前記第1の電極の隣から前記第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、
    前記第1の接続部と前記第2の接続部とを切断することによってパッケージを個片化する工程と、を有するパッケージの製造方法。
  2. パッケージの形成予定領域に、第1の電極と、前記第1の電極とは極性が異なる第2の電極と、を有するリードフレームを準備する工程と、
    前記第1の電極と前記第2の電極とを、上下に分割された金型の上金型と下金型で挟み込む工程と、
    前記第1の電極と前記第2の電極とが挟み込まれた前記金型内に、当該金型のパッケージの形成予定領域の外側であり前記第1の電極の隣に形成される注入口から第1の樹脂を注入する工程と、
    前記注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、
    前記第1の樹脂を硬化又は固化した後、前記第1の電極の隣から前記第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、
    前記リードフレームを切断することによってパッケージを個片化する工程と、を有するパッケージの製造方法。
  3. 前記パッケージを個片化する工程において、前記リードフレームのみを切断する請求項1又は請求項2に記載のパッケージの製造方法。
  4. 前記注入痕を切除する工程において、前記注入痕とともに前記リードフレームの一部も切除する請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  5. 前記準備されたリードフレームには、前記第1の電極の隣に第1の空間が形成されており、前記第1の空間から前記第1の樹脂を注入する請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  6. 前記準備されたリードフレームは、前記第1の電極と前記第2の電極とが離間している請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  7. 前記金型は、前記第1の電極及び前記第2の電極の上に形成する壁部に相当する第1凹み部を有し、前記第1凹み部に前記第1の樹脂を注入する請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  8. 平面視において、前記金型は、前記第1凹み部の外側に空間が設けられ、前記空間に前記第1の樹脂を注入する請求項7に記載のパッケージの製造方法。
  9. 前記金型を用いて成型される第1の樹脂からなる第1の樹脂体は、
    前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する保持部と、
    前記保持部上の載置領域を囲う壁部と、を有し、
    前記保持部は、平面視において前記壁部の外側面から外側に延設された鍔部を有し、
    前記第1の電極及び前記第2の電極は、平面視において前記壁部の外側面から前記鍔部の先端よりも外側まで延設される請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  10. 前記第1の樹脂を注入する工程は、トランスファーモールドである請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  11. 前記第1の樹脂には、光反射部材が混合されている請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  12. 前記準備されたリードフレームは、前記第1の電極及び前記第2の電極の少なくとも一方において前記パッケージの形成予定領域の外縁に跨る位置に貫通孔を有しており、
    前記パッケージを個片化する工程において、前記パッケージの形成予定領域の外縁で前記リードフレームを切断する請求項2に記載のパッケージの製造方法。
  13. 前記第1樹脂を硬化又は固化した後、かつ、前記パッケージを個片化する工程の前に前記リードフレームをメッキする工程を含む請求項12に記載のパッケージの製造方法。
  14. 請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の前記パッケージの製造方法における全工程と、
    前記第1の樹脂を硬化又は固化した後であって前記注入痕を切除する工程の前又は後のいずれかのタイミングで、前記第1の電極又は前記第2の電極に発光素子を実装する工程と、を有する発光装置の製造方法。
  15. 前記発光素子を実装する工程後、さらに、第2の樹脂を塗布し、前記発光素子を封止する工程を有する請求項14に記載の発光装置の製造方法。
  16. フレームと、第1の電極と、第2の電極と、前記フレームと前記第1の電極とを繋ぐ第1の接続部と、前記フレームと前記第2の電極とを繋ぐ第2の接続部と、を有し、さらに、前記第1の電極と前記第1の接続部との間に第1の貫通孔を有し、前記第2の電極と前記第2の接続部との間に第2の貫通孔を有するリードフレームと、
    前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する第1の樹脂体と、を有し、
    底部と、前記底部上の載置領域を囲い複数の外側面を備える壁部と、を持つパッケージの中間体であって、
    前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記底部に配置され、
    前記第1の樹脂体は、前記壁部と、前記底部において前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する保持部と、を備え、
    前記保持部は、前記壁部の外側面から外側に延設された鍔部を備え、
    前記第1の接続部と前記第2の接続部は、平面視において前記鍔部の先端よりも外側に配置されている、パッケージの中間体。
  17. 第1の電極と、
    第2の電極と、
    前記第1の電極及び前記第2の電極を保持する第1の樹脂体と、を有し、底部と、前記底部上の載置領域を囲い複数の外側面を備える壁部と、を持つパッケージであって、
    前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記壁部の対向する2つの外側面からそれぞれ外側に延びたアウターリード部を備え、
    前記第1の樹脂体は、前記壁部と、前記アウターリード部が配置された前記壁部の外側面から外側にそれぞれ延設された鍔部と、を備え、
    前記アウターリード部は、平面視において前記鍔部の先端よりも外側まで延設されている、パッケージ。
  18. 平面視において前記壁部の外縁形状は矩形であり、前記第1の電極及び前記第2の電極が配置された外側面とは異なる少なくとも1つの外側面に前記鍔部が配置された、請求項17に記載のパッケージ。
  19. 前記第1の電極及び前記第2の電極が配置された外側面とは異なる2つの外側面に前記鍔部がそれぞれ配置された、請求項18に記載のパッケージ。
  20. 前記壁部の外側面毎に、平面視において前記壁部の外側面から前記鍔部の先端までの長さは、当該外側面に沿って一定である、請求項17乃至請求項19のいずれか一項に記載のパッケージ。
  21. 前記鍔部は、前記第1の電極及び前記第2の電極に接して設けられている、請求項17乃至請求項20のいずれか一項に記載のパッケージ。
  22. 前記鍔部は、前記第1の電極及び前記第2の電極と同じ厚みを有する、請求項17乃至請求項21のいずれか一項に記載のパッケージ。
  23. 平面視において前記壁部の外側面から前記鍔部の先端までの長さは少なくとも5μmである、請求項17乃至請求項22のいずれか一項に記載のパッケージ。
  24. 平面視において前記アウターリード部の先端に第2凹み部を有する、請求項17乃至請求項23のいずれか一項に記載のパッケージ。
  25. 前記第2凹み部には前記鍔部が設けられていない、請求項24に記載のパッケージ。
  26. 前記アウターリード部は、前記壁部の外側面から最も離間した端面を除いて、表面にメッキ層を備える請求項17乃至請求項25のいずれか一項に記載のパッケージ。
  27. 前記アウターリード部は、平面視において両隣に前記鍔部を有する、請求項17乃至請求項26のいずれか一項に記載のパッケージ。
  28. 前記壁部と前記鍔部とが同一材料で一体的に形成された請求項17乃至請求項27のいずれか一項に記載のパッケージ。
  29. 請求項17乃至請求項28のいずれか一項に記載のパッケージと、
    前記パッケージの前記第1の電極及び前記第2の電極の少なくとも一方に載置された発光素子と、を有する発光装置。
  30. 前記発光素子が第2の樹脂で封止された請求項29に記載の発光装置。
  31. フレームと、第1の電極と、第2の電極と、前記フレームと前記第1の電極とを繋ぐ第1の接続部と、前記フレームと前記第2の電極とを繋ぐ第2の接続部と、を有し、さらに、前記第1の電極と前記第1の接続部との間に第1の貫通孔を有し、前記第2の電極と前記第2の接続部との間に第2の貫通孔を有するリードフレームを準備する工程と、
    前記リードフレームが配置された金型内に、前記第1の電極の隣又は前記第1の接続部の隣にある注入口から第1の樹脂を注入する工程と、
    前記注入された第1の樹脂を硬化又は固化する工程と、
    前記第1の樹脂を硬化又は固化した後、前記第1の電極の隣又は前記第1の接続部の隣から前記第1の樹脂の注入痕を切除する工程と、
    を有するパッケージ中間体の製造方法。
  32. 請求項31に記載の製造方法で製造された前記パッケージ中間体を準備する工程と、
    前記パッケージ中間体における前記リードフレームの前記第1の接続部と前記第2の接続部とを切断することによってパッケージを個片化する工程と、を有するパッケージの製造方法。
JP2015233752A 2015-11-30 2015-11-30 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法 Active JP6337873B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015233752A JP6337873B2 (ja) 2015-11-30 2015-11-30 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
US15/364,265 US9954151B2 (en) 2015-11-30 2016-11-30 Package, package intermediate body, light emitting device, method for manufacturing same
US15/919,219 US10580947B2 (en) 2015-11-30 2018-03-13 Package and package intermediate body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015233752A JP6337873B2 (ja) 2015-11-30 2015-11-30 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018090449A Division JP6547875B2 (ja) 2018-05-09 2018-05-09 パッケージの製造方法、パッケージ中間体の製造方法及び発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017103295A true JP2017103295A (ja) 2017-06-08
JP6337873B2 JP6337873B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=58777320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015233752A Active JP6337873B2 (ja) 2015-11-30 2015-11-30 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9954151B2 (ja)
JP (1) JP6337873B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107989A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP2017107965A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11335842B2 (en) * 2018-02-14 2022-05-17 Maven Optronics Co., Ltd. Chip-scale packaging light-emitting device with electrode polarity identifier and method of manufacturing the same
JP2020120037A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュールの製造方法
TWI765569B (zh) * 2021-02-08 2022-05-21 健策精密工業股份有限公司 導線架結構及其製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012231068A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20130270588A1 (en) * 2012-04-11 2013-10-17 Lite-On Technology Corp. Lead frame assembly, led package and led light bar
EP2701193A2 (en) * 2012-08-23 2014-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
EP2947705A1 (en) * 2014-05-23 2015-11-25 Everlight Electronics Co., Ltd Carrier, carrier leadframe, and light emitting device

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3934115A1 (de) 1989-10-12 1991-04-18 Kloeckner Ferromatik Desma Spritzgiessform fuer spritzgussteile aus plastifizierbarem material, insbesondere aus plastifizierbaren fluessigkristall-polymeren
JPH03274127A (ja) 1990-03-26 1991-12-05 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 熱可塑性樹脂の成形装置及びその成形法
JP2004144987A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Fuji Xerox Co Ltd 高分子光導波路の製造方法
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7960819B2 (en) 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
KR100869376B1 (ko) 2008-05-20 2008-11-19 주식회사 정진넥스텍 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법
JP5246662B2 (ja) 2009-02-13 2013-07-24 パナソニック株式会社 半導体装置用パッケージおよびその製造方法
JP5310672B2 (ja) 2009-10-15 2013-10-09 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2012028694A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置
KR20120050283A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지
JP5760655B2 (ja) 2011-04-28 2015-08-12 三菱化学株式会社 半導体発光装置用樹脂パッケージ及び該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法
JP2013051296A (ja) 2011-08-31 2013-03-14 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージとその製造方法、および半導体装置
WO2013039052A1 (ja) 2011-09-15 2013-03-21 三菱化学株式会社 パッケージ及び発光装置
JP2013161903A (ja) 2012-02-03 2013-08-19 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2013183013A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージシート、その製造方法、半導体発光装置用パッケージ、その製造方法及び半導体発光装置
CN103579470A (zh) 2012-07-19 2014-02-12 特新光电科技股份有限公司 发光二极管导线架结构与发光二极管导线架的制造方法
TW201405684A (zh) 2012-07-19 2014-02-01 Techwin Opto Electronics Co Ltd 發光二極體導線架結構與發光二極體導線架之製造方法
CN202797084U (zh) 2012-07-19 2013-03-13 特新光电科技股份有限公司 发光二极管导线架结构
KR20140094758A (ko) 2013-01-22 2014-07-31 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 스트립
CN203351644U (zh) 2013-04-11 2013-12-18 东莞市正光光电科技有限公司 覆晶式led支架和表面贴装led
JP2015005584A (ja) 2013-06-20 2015-01-08 日立アプライアンス株式会社 照明装置
KR102094924B1 (ko) * 2013-06-27 2020-03-30 삼성전자주식회사 관통전극을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP2015015327A (ja) 2013-07-04 2015-01-22 日立アプライアンス株式会社 Ledモジュール及びそれを備える照明装置
JP2015015406A (ja) 2013-07-08 2015-01-22 日立アプライアンス株式会社 Ledモジュール及びそれを備える照明装置
JP2015015404A (ja) 2013-07-08 2015-01-22 日立アプライアンス株式会社 Ledモジュール及びそれを備える照明装置
JP2015015405A (ja) 2013-07-08 2015-01-22 日立アプライアンス株式会社 Ledモジュール及びそれを備える照明装置
JP2015018847A (ja) 2013-07-09 2015-01-29 日立アプライアンス株式会社 Ledモジュール及びそれを備える照明装置
CN203466217U (zh) 2013-09-09 2014-03-05 博罗承创精密工业有限公司 一体成型式led和铜板支架
CN203967130U (zh) 2014-06-06 2014-11-26 安徽盛烨电子有限公司 一种密集型led引线框架料带
CN203967131U (zh) 2014-06-06 2014-11-26 安徽盛烨电子有限公司 一种新型大杯底led引线框架
CN204130589U (zh) 2014-09-12 2015-01-28 博罗承创精密工业有限公司 一种tv背光源的led支架及其铜板支架
JP6477328B2 (ja) 2014-09-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
US9640743B2 (en) 2014-09-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
CN204333031U (zh) 2015-01-16 2015-05-13 江西亚中电子科技有限公司 宽焊线区支架
CN204558528U (zh) 2015-05-08 2015-08-12 安徽盛烨电子有限公司 一种led引线框架

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012231068A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US20130270588A1 (en) * 2012-04-11 2013-10-17 Lite-On Technology Corp. Lead frame assembly, led package and led light bar
EP2701193A2 (en) * 2012-08-23 2014-02-26 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP2014042011A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
EP2947705A1 (en) * 2014-05-23 2015-11-25 Everlight Electronics Co., Ltd Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
JP2015226063A (ja) * 2014-05-23 2015-12-14 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. キャリア、キャリアリードフレーム、及び、発光デバイス

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017107989A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP2017107965A (ja) * 2015-12-09 2017-06-15 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10580947B2 (en) 2020-03-03
US20170155021A1 (en) 2017-06-01
US9954151B2 (en) 2018-04-24
US20180204990A1 (en) 2018-07-19
JP6337873B2 (ja) 2018-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6337873B2 (ja) パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
CN110076953B (zh) 封装的制造方法、发光装置的制造方法及封装、发光装置
JP6332251B2 (ja) パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
US10600944B2 (en) Lead frame, package and light emitting device
JP6332253B2 (ja) パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6642746B2 (ja) パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6394634B2 (ja) リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP6277875B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6387824B2 (ja) パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP6566092B2 (ja) パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP2013077727A (ja) Led発光素子用リードフレーム基板
JP6547875B2 (ja) パッケージの製造方法、パッケージ中間体の製造方法及び発光装置の製造方法
JP2017117901A (ja) 発光装置、並びにパッケージ及びその製造方法
EP4191689A1 (en) Semiconductor light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180109

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180410

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180423

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6337873

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250