KR20140094758A - 발광 소자 패키지 스트립 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 소자 패키지 스트립에 관한 것으로서, 본 발명의 발광 소자 패키지 스트립은, 리드 프레임 스트립; 상기 리드 프레임 스트립에 사출 성형되는 복수개의 수지 성형물; 및 상기 수지 성형물과 이웃하는 수지 성형물 사이에 형성되고, 절단이 용이하도록 상기 수지 성형물의 두께 보다 작은 두께로 상기 수지 성형물의 측면에 형성되는 런너 및 게이트 부재;를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 발광 소자 패키지 스트립에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수지 사용 효율을 높일 수 있는 발광 소자 패키지 스트립에 관한 것이다.
일반적으로 발광 소자 패키지를 제조하기 위해서는, 복수개의 단위 발광 소자 패키지들이 하나의 리드 프레임 스트립 상에 매트릭스 또는 일렬 배치되고, 상기 리드 프레임 스트립에 수지 성형 재료가 몰딩되어 발광 소자 패키지 스트립을 이룰 수 있다.
이러한 발광 소자 패키지 스트립은, 절단 과정을 거쳐서 개별적인 발광 소자 패키지 단위로 분리될 수 있다.
본 발명의 사상은, 절단 공정을 용이하게 할 수 있도록 런너 및 게이트 부재의 두께와 위치를 조정하여 수지 사용 효율 및 생산 비용과 생산 시간을 줄여서 생산성을 높이고, 절단시 수지 성형물의 측면 손상을 최소화할 수 있게 하는 발광 소자 패키지 스트립을 제공함에 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 스트립은, 리드 프레임 스트립; 상기 리드 프레임 스트립에 사출 성형되는 복수개의 수지 성형물; 및 상기 수지 성형물과 이웃하는 수지 성형물 사이에 형성되고, 절단이 용이하도록 상기 수지 성형물의 두께 보다 작은 두께로 상기 수지 성형물의 측면에 형성되는 런너 및 게이트 부재;를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 리드 프레임 스트립의 두께 이하인 두께로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 리드 프레임 스트립의 상면의 연장면과 하면의 연장면 사이의 공간에 위치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 리드 프레임 스트립의 두께 보다 작은 두께로 형성되고, 상기 리드 프레임의 상면의 연장면과 하면의 연장면 사이의 내부 공간에 상측, 중간, 하측 중 어느 하나를 선택하여 위치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 폭 보다 작은 폭으로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 중심과 이웃하는 수지 성형물의 중심을 연결하는 중심선을 따라 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 중심과 이웃하는 수지 성형물의 중심을 연결하는 중심선을 기준으로 한번은 좌측에 형성되고, 한번은 우측에 형성되는 지그 재그 형태로 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 수지 성형물은, 전체적으로 육면체 형상이고, 상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 중심과 이웃하는 수지 성형물의 중심을 연결하는 중심선을 기준으로 한번은 상기 수지 성형물의 좌측 귀퉁이에 형성되고, 한번은 상기 수지 성형물의 우측 귀퉁이에 형성되는 지그 재그 형태로 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 경사지게 형성되는 경사형일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 적어도 직선 절곡형, 곡선 절곡형 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 런너 및 게이트 부재는, 두께가 줄어드는 목부가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 목부는 적어도 V자 형상, U자 형상 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상일 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 목부는 적어도 상기 런너 및 게이트 부재의 상측, 하측 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상인 위치에 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 사상에 따르면, 상기 목부는 적어도 상기 런너 및 게이트 부재의 양단부에 형성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 스트립은, 리드 프레임 스트립; 상기 리드 프레임 스트립에 설치되고, 서로 이격되게 일렬로 배치되는 복수개의 발광 소자; 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 상기 리드 프레임 스트립에 사출 성형되는 복수개의 수지 성형물; 및 상기 복수개의 수지 성형물들이 서로 직렬로 연결될 수 있도록 상기 수지 성형물과 이웃하는 수지 성형물 사이에 형성되고, 상기 리드 프레임의 상면의 연장면과 하면의 연장면 사이의 내부 공간에 위치되는 런너 및 게이트 부재;를 포함할 수 있다.
본 발명의 사상에 따른 발광 소자 패키지 스트립은, 런너 및 게이트 부재의 두께를 리드 프레임 스트립의 두께 이하로 하여 수지 사용 효율을 향상시키고, 기존의 리드 프레임 스트립을 절단하던 디게이팅 장비나 트리밍 장비를 그대로 사용하여 런너 및 게이트 부재를 절단할 수 있어서, 생산 비용과 생산 시간을 줄여 생산성을 높이고, 절단시 수지 성형물의 측면 손상을 최소화할 수 있는 효과를 갖는 것이다.
도 1은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 사시도이다.
도 3은 도 2의 III-III선 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 절단 공정을 이용하여 도 1의 발광 소자 패키지 스트립에서 런너 및 게이트 부재를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 사시도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI선 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 사시도이다.
도 9는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 3의 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 15는 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 16은 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 17은 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 18은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 19는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 다른 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 20은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 또 다른 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 21은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 또 다른 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 22는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 23는 도 22의 사시도이다.
도 24는 절단 공정을 이용하여 도 22의 발광 소자 패키지 스트립에서 런너 및 게이트 부재를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
도 25는 도 24의 사시도이다.
도 26은 도 24에서 브릿지 커팅 라인을 따란 브릿지 커팅된 상태 및 리드 커팅 라인을 나타내는 평면도이다.
도 27은 도 26의 사시도이다.
도 28은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 가공 과정을 나타내는 순서도이다.
도 2는 도 1의 사시도이다.
도 3은 도 2의 III-III선 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 4는 절단 공정을 이용하여 도 1의 발광 소자 패키지 스트립에서 런너 및 게이트 부재를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 사시도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI선 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 사시도이다.
도 9는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 3의 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 15는 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 16은 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 17은 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재를 나타내는 확대 단면도이다.
도 18은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 19는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 다른 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 20은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 또 다른 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 21은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 또 다른 일례를 나타내는 확대 단면도이다.
도 22는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립을 나타내는 평면도이다.
도 23는 도 22의 사시도이다.
도 24는 절단 공정을 이용하여 도 22의 발광 소자 패키지 스트립에서 런너 및 게이트 부재를 제거한 상태를 나타내는 평면도이다.
도 25는 도 24의 사시도이다.
도 26은 도 24에서 브릿지 커팅 라인을 따란 브릿지 커팅된 상태 및 리드 커팅 라인을 나타내는 평면도이다.
도 27은 도 26의 사시도이다.
도 28은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 가공 과정을 나타내는 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 다른 구성요소 "상에", "연결되어", "적층되어" 또는 "커플링되어" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에", "직접 연결되어", 또는 "직접 커플링되어" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, "상의" 또는 "위의" 및 "하의" 또는 "아래의"와 같은 상대적인 용어들은 도면들에서 도해되는 것처럼 다른 요소들에 대한 어떤 요소들의 관계를 기술하기 위해 여기에서 사용될 수 있다. 상대적 용어들은 도면들에서 묘사되는 방향에 추가하여 소자의 다른 방향들을 포함하는 것을 의도한다고 이해될 수 있다. 예를 들어, 도면들에서 소자가 뒤집어 진다면(turned over), 다른 요소들의 상부의 면 상에 존재하는 것으로 묘사되는 요소들은 상기 다른 요소들의 하부의 면 상에 방향을 가지게 된다. 그러므로, 예로써 든 "상의"라는 용어는, 도면의 특정한 방향에 의존하여 "하의" 및 "상의" 방향 모두를 포함할 수 있다. 소자가 다른 방향으로 향한다면(다른 방향에 대하여 90도 회전), 본 명세서에 사용되는 상대적인 설명들은 이에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 사시도이고, 도 3은 도 2의 III-III선 절단면을 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)은, 크게 리드 프레임 스트립(10)과, 발광 소자(20)와, 수지 성형물(30) 및 런너 및 게이트 부재(40)를 포함할 수 있다.
이러한 상기 리드 프레임 스트립(10)은, 복수개의 수지 성형물(30)들이 상기 런너 및 게이트 부재(40)에 의해 연결되어 매트릭스 또는 일렬 및 다열 배치될 수 있도록 상기 수지 성형물(30)과 상기 런너 및 게이트 부재(40)를 지지하는 일종의 판상체이다.
여기서, 상기 리드 프레임 스트립(10)은, 작업의 편의성을 위해서 상기 발광 소자(20)가 안착되는 다이 패드와 상기 발광 소자(20)를 전기적으로 외부와 연결시키는 리드와, 테두리에 형성되는 프레임 및 리드와 프레임을 서로 연결시키는 브릿지 등으로 이루어지는 리드 프레임들이 서로 하나의 구조체를 이루도록 연결된 형태일 수 있다.
이러한 상기 리드 프레임 스트립(10)은, 발광 소자 패키지 조립 공정 중에서 발광 소자(20)와 외부 회로를 전기적으로 연결하기 위한 합금 골격으로, 발광 소자(20)를 지지하는 역할을 수행하며, 철계합금, 동계합금 등의 재질이 적용될 수 있다.
예를 들어서, 철계합금은 열팽창률이 적고 강도가 높은 장점을 갖고 있으며, 가장 대표적인 철계합금은 Fe-Ni계 합금인 Alloy 42이다. 또한, 동계합금은 철계합금에 비해 열전도도, 열경화성수지와의 밀착성 등이 우수하다.
반도체 패키지가 소형화, 고속화, 고기능화되어 감에 따라 상기 리드 프레임 스트립(10)의 다핀화, 리드 폭과 리드 피치의 축소화를 가능하게 하고, 신뢰성 측면에서 리드 위치의 정밀도 및 형상의 정밀도 향상을 가능하게 할 수 있도록 스탬핑 공정 또는 식각 공정 등을 이용하여 정밀하게 제작될 수 있다.
이외에도, 상기 리드 프레임 스트립(10)은, 예를 들어서, 열전도율을 고려하여 세라믹(ceramic) 기판 스트립이 적용될 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임 스트립(10)은, 상기 발광 소자(20)를 외부 전원과 연결시키도록 각종 배선층이 형성되고, 에폭시계 수지 시트를 다층 형성시킨 인쇄 회로 기판(PCB: Printed Circuit Board) 스트립일 수 있다. 또한, 레진, 글래스 에폭시 등의 합성 수지 기판 스트립이나, 절연 처리된 알루미늄, 구리, 아연, 주석, 납, 금, 은 등의 금속 기판 스트립 등이 적용될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(20)는, 상기 리드 프레임 스트립(10)에 설치되고, 서로 이격되게 일렬을 이루어 상기 수지 성형물(30)의 내부에게 각각 배치되는 것으로서, 반도체로 이루어진다. 예를 들어서, 질화물 반도체로 이루어지는 청색 발광의 LED, 자외 발광의 LED 등이 적용될 수 있다. 질화물 반도체는, 일반식이 AlxGayInzN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, X+Y+Z=1)으로 나타내진다.
또한, 상기 발광 소자(20)는, 예를 들면, MOCVD법 등의 기상성장법에 의해, 기판 상에 InN, AlN, InGaN, AlGaN, InGaAlN 등의 질화물 반도체를 에피택셜 성장시켜 구성할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)는, 질화물 반도체 이외에도 ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlInGaP 등의 반도체를 이용해서 형성할 수 있다. 이들 반도체는, n형 반도체층, 발광층, p형 반도체층의 순으로 형성한 적층체를 이용할 수 있다. 상기 발광층(활성층)은, 다중 양자웰 구조나 단일 양자웰 구조를 한 적층 반도체 또는 더블 헤테로 구조의 적층 반도체를 이용할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자(20)는, 임의의 파장을 발광하는 것을 선택할 수 있다.
또한, 상기 수지 성형물(30)은, 상기 발광 소자(20)의 주위를 둘러싸도록 상기 리드 프레임 스트립(10)에 사출 성형되는 것으로서, 열경화성 수지, 열가소성 수지 등의 수지 성형 재료가 적용될 수 있다.
구체적으로는, 에폭시 수지 조성물, 실리콘 수지 조성물, 실리콘 변성 에폭시 수지 등의 변성 에폭시 수지 조성물, 에폭시 변성 실리콘 수지 등의 변성 실리콘 수지 조성물, 폴리이미드 수지 조성물, 변성 폴리이미드 수지 조성물, 폴리프탈아미드(PPA), 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 액정 폴리머(LCP), ABS 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, PBT 수지 등의 수지 등이 적용될 수 있다.
또한, 이들 수지 중에, 산화 티타늄, 이산화 규소, 이산화 티탄, 이산화 지르코늄, 티타늄 산 칼륨, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 멀라이트 등의 광 반사성 반사 물질을 함유시킬 수 있다.
또한, 상기 수지 성형물(30)은, 상기 발광 소자(20)로부터의 광을 외부에 투과 가능한 재료에 의해 형성될 수 있다. 상기 수지 성형물(30)은, 상기 발광 소자(20)로부터 발광된 광의 투과율이 70％ 정도 이상일 수 있고, 90％ 정도 이상인 것도 가능하다.
이외에도 상기 수지 성형물(30)은, 투광성 밀봉 수지로서, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레아 수지 등의 내구성이 우수한 투명 수지 또는 유리 등이 적용될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(40)는, 상기 복수개의 수지 성형물(30)들이 서로 직렬로 연결될 수 있도록 상기 수지 성형물(30)과 이웃하는 수지 성형물(30) 사이에 형성되고, 절단시 상기 수지 성형물(30)의 측면 손상을 줄일 수 있고 절단이 용이할 수 있도록 상기 수지 성형물(30)의 두께(T1) 보다 작은 두께(T2)로 상기 수지 성형물의 측면에 형성될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(40)는, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 두께(T3) 이하인 두께(T2)로 형성되고, 상기 런너 및 게이트 부재(40)는, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 상면(10T)의 연장면과 하면(10B)의 연장면 사이의 공간에 위치될 수 있다.
따라서, 기존의 디게이팅 장비 또는 트리밍 장비의 절삭 블레이드가 상기 런너 및 게이트 부재(40)를 절단하기 위해서 접근하는 경우, 하강하는 상기 절삭 블레이드는, 상기 런너 및 게이트 부재(40) 보다 상기 리드 프레임 스트립(10)과 먼저 접촉된 후, 그 다음에 상기 런너 및 게이트 부재(40)가 상기 리드 프레임 스트립(10)과 함께 또는 동시에 절단될 수 있는 것으로서, 상기 절삭 블레이드의 절삭 압력이 상기 리드 프레임 스트립(10)으로 분산되어 상기 수지 성형물(30)의 측면 파손을 최소화할 수 있는 것이다. 또한, 상기 절삭 블레이드가 상기 리드 프레임 스트립(10)과 먼저 접촉되지 않고 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(40)만 절단되더라도, 상기 런너 및 게이트 부재(40)의 두께(T2)가 작아서 절단 압력이 크지 않기 때문에 상기 수지 성형물(30)의 측면 파손을 최소화할 수 있는 것이다.
도 4는 절단 공정을 이용하여 도 1의 발광 소자 패키지 스트립(100)에서 런너 및 게이트 부재(40)를 제거한 상태를 나타내는 평면도이고, 도 5는 도 4의 사시도이고, 도 6은 도 5의 VI-VI선 절단면을 나타내는 단면도이다.
그러므로, 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 절삭 블레이드를 이용하여 도 1의 발광 소자 패키지 스트립(100)에서 런너 및 게이트 부재(40)를 깨끗하게 제거할 수 있다.
도 11은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(200)을 나타내는 단면도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(200)은, 상기 런너 및 게이트 부재(41)가, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 두께(T3) 보다 작은 두께(T4)로 형성되고, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 상면(10T)의 연장면과 하면(10B)의 연장면 사이의 내부 공간(A)에서 상측에 위치될 수 있다.
도 12는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(300)을 나타내는 단면도이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(300)은, 상기 런너 및 게이트 부재(42)가, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 두께(T3) 보다 작은 두께(T4)로 형성되고, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 상면(10T)의 연장면과 하면(10B)의 연장면 사이의 내부 공간(A)에서 하측에 위치될 수 있다.
도 13은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(400)을 나타내는 단면도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 발광 소자 패키지 스트립(400)은, 상기 런너 및 게이트 부재(43)가, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 두께(T3) 보다 작은 두께(T4)로 형성되고, 상기 리드 프레임 스트립(10)의 상면(10T)의 연장면과 하면(10B)의 연장면 사이의 내부 공간(A)에서 중간에 위치될 수 있다.
도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자 패키지 스트립(200)(300)(400)들은 기존의 디게이팅 장비 또는 트리밍 장비의 절삭 블레이드가 상기 런너 및 게이트 부재(41)(42)(43)를 절단하기 위해서 접근하는 경우, 하강하는 상기 절삭 블레이드는, 상기 런너 및 게이트 부재(41)(42)(43) 보다 상기 리드 프레임 스트립(10)과 먼저 접촉된 후, 그 다음에 상기 런너 및 게이트 부재(41)(42)(43)가 상기 리드 프레임 스트립(10)과 함께 절단되는 것으로서, 상기 절삭 블레이트의 절삭 압력이 상기 리드 프레임 스트립(10)으로 분산되어 상기 수지 성형물(30)의 측면 파손을 최소화할 수 있는 것이다. 또한, 상기 절삭 블레이드가 상기 리드 프레임 스트립(10)과 먼저 접촉되지 않더라도, 상기 런너 및 게이트 부재(41)(42)(43)의 두께(T4)가 더욱 작아서 절단 압력이 크지 않기 때문에 상기 수지 성형물(30)의 측면 파손을 최소화할 수 있는 것이다.
도 7은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(500)을 나타내는 평면도이고, 도 8은 도 7의 사시도이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 절삭 블레이드의 절삭 압력을 더욱 낮출 수 있도록 상기 런너 및 게이트 부재(44)는, 상기 수지 성형물(30)의 폭(W1) 보다 작은 폭(W2)으로 형성될 수 있다.
또한, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 절삭 작업의 편리성을 위하여 상기 런너 및 게이트 부재(44)는, 상기 수지 성형물(30)의 중심과 이웃하는 수지 성형물(30)의 중심을 연결하는 중심선(L1)을 따라 일렬로 배치될 수 있다.
도 9는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(600)을 나타내는 평면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(45)는, 상기 수지 성형물(30)의 폭(W1) 보다 작은 폭(W2)으로 형성되고, 상기 런너 및 게이트 부재(45)는, 상기 수지 성형물(30)을 형성하는 수지 성형 재료의 흐름을 유도하여 상기 금형 내부의 캐비티 공간 내부에 빈 공간이 형성되는 것을 방지할 수 있도록 상기 수지 성형물(30)의 중심과 이웃하는 수지 성형물(30)의 중심을 연결하는 중심선(L1)을 기준으로 한번은 좌측에 형성되고, 한번은 우측에 형성되는 지그 재그 형태로 배치될 수 있다.
도 10은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(700)을 나타내는 평면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(46)는, 상기 수지 성형물(30)의 폭(W1) 보다 작은 폭(W3)으로 형성되고, 상기 수지 성형물(30)은, 전체적으로 육면체 형상이며, 상기 수지 성형물(30)을 형성하는 수지 성형 재료의 흐름을 도 10의 화살표와 같이, 일측 귀퉁이에서 타측 귀퉁이 방향으로 유도하여 상기 금형 내부의 캐비티 공간 내부에 빈 공간이 형성되는 것을 방지할 수 있도록 상기 런너 및 게이트 부재(46)는, 상기 수지 성형물(30)의 중심과 이웃하는 수지 성형물(30)의 중심을 연결하는 중심선(L1)을 기준으로 한번은 상기 수지 성형물(30)의 좌측 귀퉁이(30a)에 형성되고, 한번은 상기 수지 성형물의 우측 귀퉁이(30b)에 형성되는 지그 재그 형태로 배치될 수 있다.
도 14는 도 3의 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재(47-1)를 나타내는 확대 단면도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(47-1)는, 수지 성형 재료의 흐름을 촉진하기 위하여, 수평면을 기준으로 정방향 격사각도(K1)를 갖도록 경사지게 형성되어 성형 재료가 수지 성형물(30)을 형성하는 금형 내부에서 화살표와 같이 내려가는 방향으로 흐를 수 있다.
도 15는 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재(47-2)를 나타내는 확대 단면도이다.
도 15에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(47-2)는, 수지 성형 재료의 흐름을 촉진하기 위하여, 수평면을 기준으로 역방향 격사각도(K2)를 갖도록 경사지게 형성되어 성형 재료가 수지 성형물(30)을 형성하는 금형 내부에서 화살표와 같이 올라가는 방향으로 흐를 수 있다.
도 16은 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재(47-3)를 나타내는 확대 단면도이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(47-3)는, 수지 성형 재료의 흐름 속도를 단속하기 위하여 직선 절곡형으로 형성되어 성형 재료가 수지 성형물(30)을 형성하는 금형 내부에서 화살표와 같이 절곡된 경로로 흐를 수 있다.
도 17은 도 3의 또 다른 일례에 따른 런너 및 게이트 부재(47-4)를 나타내는 확대 단면도이다.
도 17에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(47-4)는, 수지 성형 재료의 흐름 속도를 단속하기 위하여 곡선 절곡형으로 형성되어 성형 재료가 수지 성형물(30)을 형성하는 금형 내부에서 화살표와 같이 완만하게 절곡된 경로로 흐를 수 있다.
도 18 내지 도 21은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립의 목부의 여러 일례들을 나타내는 확대 단면도이다.
도 18 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(48)는, 절단을 용이하게 하기 위하여, 그 두께가 줄어드는 목부(48-1)(48-2)(48-3)(48-4)가 형성될 수 있다.
즉, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 목부(48-1)는 상기 런너 및 게이트 부재(48)의 상측에 형성되는 V자 형상일 수 있다.
또한, 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 목부(48-2)는 상기 런너 및 게이트 부재(48)의 상측 및 하측에 형성되는 V자 형상일 수 있다.
또한, 도 20에 도시된 바와 같이, 상기 목부(48-3)는 상기 런너 및 게이트 부재(48)의 상측에 형성되는 U자 형상일 수 있다.
또한, 도 21에 도시된 바와 같이, 상기 목부(48-4)는 상기 런너 및 게이트 부재(48)의 양단부의 상측 및 하측에 형성되는 V자 형상일 수 있다.
이러한, 상기 목부(48-1)(48-2)(48-3)(48-4)의 형태 및 위치는 금형의 종류, 수지 성형물(30)의 규격, 수지 성형 재료의 종류, 가공 조건 등에 따라 최적화 설계될 수 있다.
도 22는 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(800)을 나타내는 평면도이고, 도 23는 도 22의 사시도이고, 도 24는 절단 공정을 이용하여 도 22의 발광 소자 패키지 스트립(800)에서 런너 및 게이트 부재(40)를 제거한 상태를 나타내는 평면도이고, 도 25는 도 24의 사시도이고, 도 26은 도 24에서 브릿지 커팅 라인(C1)을 따란 브릿지 커팅된 상태 및 리드 커팅 라인(C2)을 나타내는 평면도이고, 도 27은 도 26의 사시도이다.
도 22 내지 도 27에 도시된 바와 같이, 본 발명 사상의 여러 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(800)은, 상기 리드 프레임 스트립(11)에 복수개의 리드(13)가 형성될 수 있다.
이러한 발광 소자 패키지 스트립(800)은, 먼저, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 상기 런너 및 게이트 부재(40)를 제거한 다음, 도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 브릿지 커팅 라인(C1)을 따라 1차 컷팅 후, 리드 커팅 라인(C2)을 따라 2차 컷팅하여 최종적으로 단위 발광 소자 패키지(1000)들을 얻을 수 있다.
이외에도, 본 발명 사상에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)의 리드 프레임 스트립(10)의 종류와 형태는 본 발명의 기술적 사상을 벋어나지 않는 범위 내에서 해당 분야에 종사하는 당업자에 의해 수정 및 변경이 가능하다.
도 28은 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)의 가공 과정을 나타내는 순서도이다.
도 28과 도 1 내지 도 27을 함께 참조하면, 본 발명 사상의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)의 제작 방법은, 리드 프레임 스트립(10)을 준비하는 단계(S1)를 수행하고, 상기 리드 프레임 스트립(10)에 서로 이격되게 일렬로 배치되는 복수개의 발광 소자(20)의 주위를 둘러싸는 수지 성형물(30) 및 상기 복수개의 수지 성형물(30)들이 서로 직렬로 연결될 수 있도록 상기 수지 성형물(30)과 이웃하는 수지 성형물(30) 사이에 형성되고, 상기 수지 성형물(30)의 두께(T1) 보다 작은 두께(T2)로 형성되는 런너 및 게이트 부재(40)가 형성될 수 있도록 금형을 준비하는 단계(S2)를 수행할 수 있다.
이어서, 상기 금형 내부에 수지 성형물을 몰딩하는 단계(S3)를 수행하여 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)을 제작할 수 있다.
이렇게 제작된 본 발명의 일부 실시예들에 따른 발광 소자 패키지 스트립(100)은, 몰딩된 상기 런너 및 게이트 부재(40)를 제거하고, 상술된 브릿지 커팅 라인(C1)과 리드 커팅 라인(C2)을 따라 절단하는 단계(S4)를 거쳐서 최종적으로 개별적인 단위 발광 소자 패키지가 제작될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 사상을 해치지 않는 범위 내에서 당업자에 의한 변형이 가능함은 물론이다.
따라서, 본 발명에서 권리를 청구하는 범위는 상세한 설명의 범위 내로 정해지는 것이 아니라 후술되는 청구범위와 이의 기술적 사상에 의해 한정될 것이다.
10, 11: 리드 프레임 스트립 10T: 상면
10B: 하면 13: 리드
20: 발광 소자 30: 수지 성형물
30a: 좌측 귀퉁이 30b: 우측 귀퉁이
T1, T2, T3, T4: 두께
40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47-1, 47-2, 47-3, 47-4, 48: 런너 및 게이트 부재
48-1, 48-2, 48-3, 48-4: 목부
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: 발광 소자 패키지 스트립
A: 내부 공간 W1, W2, W3: 폭
L1: 중심선 K1: 정방향 격사각도
K2: 역방향 격사각도 C1: 브릿지 커팅 라인
C2: 리드 커팅 라인 1000: 단위 발광 소자 패키지
10B: 하면 13: 리드
20: 발광 소자 30: 수지 성형물
30a: 좌측 귀퉁이 30b: 우측 귀퉁이
T1, T2, T3, T4: 두께
40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47-1, 47-2, 47-3, 47-4, 48: 런너 및 게이트 부재
48-1, 48-2, 48-3, 48-4: 목부
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800: 발광 소자 패키지 스트립
A: 내부 공간 W1, W2, W3: 폭
L1: 중심선 K1: 정방향 격사각도
K2: 역방향 격사각도 C1: 브릿지 커팅 라인
C2: 리드 커팅 라인 1000: 단위 발광 소자 패키지
Claims (10)
- 리드 프레임 스트립;
상기 리드 프레임 스트립에 사출 성형되는 복수개의 수지 성형물; 및
상기 수지 성형물과 이웃하는 수지 성형물 사이에 형성되고, 절단이 용이하도록 상기 수지 성형물의 두께 보다 작은 두께로 상기 수지 성형물의 측면에 형성되는 런너 및 게이트 부재;
를 포함하는 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 리드 프레임 스트립의 두께 이하인 두께로 형성되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 2 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 리드 프레임 스트립의 상면의 연장면과 하면의 연장면 사이의 공간에 위치되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 3 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 리드 프레임 스트립의 두께 보다 작은 두께로 형성되고, 상기 리드 프레임의 상면의 연장면과 하면의 연장면 사이의 내부 공간에 상측, 중간, 하측 중 어느 하나를 선택하여 위치되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 폭 보다 작은 폭으로 형성되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 중심과 이웃하는 수지 성형물의 중심을 연결하는 중심선을 따라 배치되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 중심과 이웃하는 수지 성형물의 중심을 연결하는 중심선을 기준으로 한번은 좌측에 형성되고, 한번은 우측에 형성되는 지그 재그 형태로 배치되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 수지 성형물은, 전체적으로 육면체 형상이고,
상기 런너 및 게이트 부재는, 상기 수지 성형물의 중심과 이웃하는 수지 성형물의 중심을 연결하는 중심선을 기준으로 한번은 상기 수지 성형물의 좌측 귀퉁이에 형성되고, 한번은 상기 수지 성형물의 우측 귀퉁이에 형성되는 지그 재그 형태로 배치되는 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 경사지게 형성되는 경사형인 것인 발광 소자 패키지 스트립. - 제 1 항에 있어서,
상기 런너 및 게이트 부재는, 적어도 직선 절곡형, 곡선 절곡형 및 이들의 조합 중 어느 하나 이상을 선택하여 형성되는 것인 발광 소자 패키지 스트립.
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