JP6205894B2 - 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置用のパッケージ成形体と、それを用いた発光装置に関する。

ＬＥＤ等の発光素子を含む発光装置において、発光素子からの発熱を効率よく放熱するために、セラミックパッケージが用いられている。セラミックパッケージは、プリント配線を上面に備えたセラミック基板と、セラミック基板の上面に盛り上げられた環状の樹脂壁部とを備えたパッケージである。プリント配線は、発光素子を載置するための配線と、給電用の配線を含んでいる。樹脂壁部は、発光素子を載置するための配線を囲繞するように配置されており、発光素子からの光を方向付ける機能を有する。
セラミックは、一般的なパッケージ用樹脂に比べて熱伝導率が高いので、セラミックパッケージは優れた放熱性を有している。

セラミックパッケージに用いられるセラミックは放熱性に優れているが、樹脂に比べて高価である。そのため、セラミックパッケージを用いた発光装置は高価であった。そこで、セラミックの使用量を減らすために、小寸法のセラミック部材を樹脂パッケージに埋め込んだパッケージを用いて、発光装置が製造されている（特許文献１、２）。

例えば特許文献１には、発光素子（チップ）を載置したマウントカップを突設したセラミック製のヒートシンクブロックと、樹脂材料でリードフレームをインサート成型した結合ベースとを備えた固体半導体発光素子（発光装置）が開示されている。リードフレームは、第１サブリードと、第１サブリードと同じ形状を有する第２サブリードと、通孔を有し第１サブリードに連結された第３サブリードを有している。結合ベースは、第３サブリードと対応する位置に通孔を有しており、ヒートシンクブロックのマウントカップを結合ベースの通孔に通して嵌合することにより、ヒートシンクブロックと結合ベースとが一体化されている。
結合ベースの通孔の周囲では、第３サブリードを覆うように樹脂材料が突出しており（これを「樹脂突出部」と称する）、ヒートシンクブロックのマウントカップの側面に当接している。

また、特許文献２には、放熱性セラミックの表面にロー付けして一体化したリードフレームの周辺に、白色樹脂を用いて反射カップを形成した発光ダイオードパッケージが開示されている。発光素子（ＬＥＤ）は、リードフレームの上、またはリードフレームの間から露出した放熱性セラミックの上に載置される。

特許文献１、２に開示された発光装置では、発光素子がセラミック部材の上側に載置されているので、発光素子からの熱をセラミック部材を介して効率的に放熱できる。また、発光装置を実装基板に実装する際には、樹脂パッケージのリードを用いて半田リフローで実装することができる。

登録実用新案第３１０９１０９号公報 特開２００７−２５０９７９号公報

特許文献１では、第１サブリードおよび第２サブリードは、結合ベースの通孔周囲に設けられた樹脂突出部よりも外側（環状凹部）において露出している。また、第３サブリードは、樹脂突出部によって覆われている。よって、チップをサブリードにワイヤボンディングするためには、突設したマウントカップから環状凹部まで届くような長いワイヤが必要となる。長いワイヤは、封止樹脂等で封止する際に断線しやすく、また、ワイヤの使用量が増加するため好ましくない。

特許文献２では、放熱性セラミックをリードフレームにロー付けする際に、セラミックおよびリードフレームを高温（例えば７６０℃）に加熱する。その後の冷却中に、熱膨張係数の差により、リードフレームのほうがセラミックより大きく収縮する。リードフレームが大きく収縮することにより、セラミックは両側に引っ張られ、クラックが入る恐れがある。クラック防止のためには、硬度Ｈｖ４０〜８０と比較的軟らかいリードフレームを用いるのが好ましいとされている。しかしながら、軟らかいリードは加熱時に大きく反るため、成形樹脂から剥離するおそれがあり、軟らかいリードを用いるのは工業的に困難であった。

そこで、本発明は、ワイヤボンディングに必要なワイヤの長さを短くできる発光装置用のパッケージ成形体、及び比較的硬質なリードを使用できる発光装置用のパッケージ成形体を提供することを目的とする。また、本発明は、それらのパッケージ成形体を用いた発光装置を提供することを目的とする。

本発明に係る第１のパッケージ成形体は、
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に配置されたリードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記リードは、前記セラミック基板の少なくとも１つの側面に接触して、前記セラミック基板を保持している。

本発明に係る第２のパッケージ成形体は、
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に前記セラミック基板を第１の方向に挟んで配置された第１リードと第２リードであって、それぞれの一方の面の一部が、前記凹部の底面より露出している第１リードおよび第２リードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記第１の方向と直交する第２の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる。

本発明の第１のパッケージ成形体においては、パッケージ成形体のリードがセラミック基板の側面に接触して、セラミック基板を保持しているので、リードとセラミック基板とは接着されていない。したがって、温度変化が生じた際に、セラミック基板がリードによって両側に引っ張られることはない。よって、例えばＨｖ８０を越えるような硬質のリードを使用することができる。

第２のパッケージ成形体においては、パッケージ成形体の第１リードおよび第２リードのぞれぞれが、一方の面の一部が凹部の底面より露出した露出面を有している。したがって、凹部内に載置された発光素子と、同じ凹部内に露出した第１リード、第２リードの露出面との距離を短くできるので、ワイヤボンディングに必要なワイヤの長さを短くできる。そして、第２のパッケージ成形体では、パッケージ成形体の第１リードおよび第２リードの少なくとも一方は、セラミック基板の対向する側面に接触して、前記セラミック基板を挟んでいるので、セラミック基板と第１リード電極および第２リードとの間は、接着されていない。したがって、温度変化が生じた際に、セラミック基板がリードによって両側に引っ張られることはない。よって、例えばＨｖ８０を越えるような硬質のリードを使用することができる。

本発明に係る発光装置は、
上記の本発明の第１又は第２のパッケージ成形体と、
前記パッケージ成形体の樹脂成形体の凹部内に収納されてセラミック基板の一方の面に載置された発光素子と、
前記凹部を封止する封止樹脂と、を備えている。

このように、本発明の第１のパッケージ成形体およびそれを用いた発光装置によれば、比較的硬質なリードを使用することができる。
また、本発明の第２のパッケージ成形体およびそれを用いた発光装置によれば、ワイヤボンディングに必要なワイヤの長さを短くでき、比較的硬質なリードを使用することができる。

実施の形態１に係る発光装置であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図、図１（ｄ）は底面図である。 図２は、パッケージ成形体の上面図である。 実施の形態１に係る発光装置の変形例であり、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ’−Ａ’線に沿った断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ’−Ｂ’線に沿った断面図、図３（ｄ）は底面図である。 図４（ａ）は、パッケージ成形体の上面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）の部分拡大上面図である。 図５（ａ）は、発光装置用のパッケージ成形体に使用されるセラミック基板の上面図、図５（ｂ）は、セラミック基板に発光素子およびツェナーダイオードを載置した状態を示す斜視図である。 図６は、図４（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。 図７（ａ）〜（ｄ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。 図８（ａ）、（ｂ）は、パッケージ成形体の製造方法を説明するための断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。

＜実施の形態１＞
本実施形態の発光装置５０は、図１に示すように、パッケージ成形体１０と、発光素子４２と、封止樹脂５２と、波長変換部材５１を含んでいる。
パッケージ成形体１０は、凹部１２を有する樹脂成形体１１と、樹脂成形体１１の凹部１２の底部１２５に配置されたセラミック基板４１、第１リード２０および第２リード３０を含んでいる。
発光素子４２は、樹脂成形体１１の凹部１２内に収納され、セラミック基板４１の表面４１ａに載置されている。本実施の形態の発光装置５０では、セラミック基板４１はｘ方向に伸びた矩形であり、その上に、４つの発光素子４２がｘ方向に一列に並んで配置されている（図１（ｂ））。なお、図１（ａ）のＡ−Ａ線が直線の場合には、図１（ｂ）の断面図にリード２０、３０と発光素子４２とを共に図示することができない。そこで、本発明の理解を容易にするために、図１（ａ）のＡ−Ａ線がリード２０、３０と発光素子４２とを通るようにＡ−Ａ線を曲げて、図１（ｂ）にリード２０、３０と発光素子４２とを共に図示できるようにした。
波長変換部材５１は、発光素子４２からの発光の波長を変換する材料（蛍光体等）を含有するガラスや樹脂から形成された部材であり、本実施の形態では、４つの発光素子４２の上面に配置されている（図１（ａ）〜（ｃ））。

図２は、本実施の形態に係るパッケージ成形体１０を示しており、樹脂成形体１１の凹部１２の底部１２５に配置されたセラミック基板４１は、一方の面（表面）４１ａの一部が、樹脂成形体１１の凹部１２の底面１２１より露出している。セラミック基板４１の他方の面（裏面）４１ｂについては、図１（ｄ）に示すように、樹脂成形体１１の裏面１４より露出している。

再び図２を参照すると、第１リード２０は、その一部が樹脂成形体１１内にあり、樹脂成形体１１と十分な接合強度を有している。同様に、第２リード３０も、その一部が樹脂成形体１１内にあり、樹脂成形体１１と十分な接合強度を有している。

図１（ｂ）、（ｃ）及び図２に示すように、セラミック基板４１の側面４１１〜４１４には、第１リード２０及び第２リード３０が接触している。なお、図では、第１リード２０は、セラミック基板４１の３つの側面（第１の側面４１１、第３の側面４１３、第４の側面４１４）に接触し、第２リード３０も、セラミック基板４１の３つの側面（第２の側面４１２、第３の側面４１３、第４の側面４１４）に接触している。しかしながら、本発明はこれに限定されず、セラミック基板４１の４つの側面４１１〜４１４のうち、少なくとも１つの側面に、第１及び第２のリード２０、３０の少なくとも一方が接触していればよい。

本発明において、セラミック基板４１は、４つの側面４１１〜４１４を樹脂成形体１１によって囲まれている。樹脂材料は、セラミック材料に対する接着力が低いため、セラミック基板４１が樹脂成形体１１から脱落する可能性があった。そのため、セラミック基板４１と樹脂成形体１１との間を、接着剤等で接着して、セラミック基板４１の脱落を防止する必要があった。
また、特許文献２のように、放熱性セラミックの上面にリードフレームを配置するためには、ロー付けする必要があった。そのため、ロー付け後の冷却中に、熱膨張係数の差によってリードフレームがセラミックを両側に引っ張って、セラミックにクラックが入る恐れがあった。クラック防止のため、硬度Ｈｖ４０〜８０と比較的軟らかいリードフレームを用いた場合、成形樹脂から剥離するおそれがあった。

本発明では、セラミック基板４１の少なくとも１つの側面に、第１及び第２のリード２０、３０の少なくとも一方が接触していると、リード２０、３０が側面４１１〜４１４に引っかかるので、セラミック基板４１が樹脂成形体１１から脱落するのを抑制することができる。よって、本発明によれば、セラミック基板４１と樹脂成形体１１との間に、接着剤等を使用するのを回避することができる。したがって、温度変化が生じた際に、セラミック基板がリードによって両側に引っ張られることはない。よって、例えばＨｖ８０を越えるような硬質のリードを使用することができる。

さらに、第１リード２０及び第２リード３０の少なくとも一方が、セラミック基板４１の対向する側面の各々に接触して、セラミック基板４１を挟んでいるのが好ましく、セラミック基板４１が樹脂成形体１１から脱落するのをより効果的に抑制することができる。

第１リード２０と第２リード３０は、セラミック基板４１を第１の方向（ｘ方向）に挟んで配置されていてもよい。
例えば、図２に示すように、セラミック基板４１の側面４１１〜４１４は、第１の側面４１１と第２の側面４１２とが、第１の方向（ｘ方向）において対向し、第３の側面４１３と第４の側面４１４が、第１の方向と直交する第２の方向（ｙ方向）において対向している。
第１リード２０および第２リード３０の少なくとも一方（図１および図２の実施の形態では両方）が、ｙ方向においてセラミック基板４１の対向する第３側面４１３、第４側面４１４に接触して、セラミック基板４１を挟むことができる。つまり、第１リード２０および第２リード３０がセラミック基板４１を挟んでいる方向（ｙ方向）は、第１リード２０と第２リード３０とがセラミック基板４１を挟んでいる方向（ｘ方向）に対して、直交していてもよい。

具体的には、図２（ａ）に示すように、第１リード２０がｙ方向に２つに分岐したのちにｘ方向に伸びて、その一方（第１の分岐延伸部２０ａ）がセラミック基板４１の第４の側面４１４に接触し、他方（第２の分岐延伸部２０ｂ）が第３の側面４１３に接触させることができる。同様に、第２リード３０が上下２つに分岐したのちにｘ方向に伸びて、その一方（第１の分岐延伸部３０ａ）がセラミック基板４１の第４の側面４１４に接触し、他方（第２の分岐延伸部３０ｂ）が第３の側面４１３に接触させることができる。

パッケージ成形体１０の下部に配置された第１リード２０は、一方の面（表面）２１の一部が凹部１２の底面１２１より露出しているのが好ましい（露出面２１ｅ）。同様に、パッケージ成形体１０の下部に配置された第２リード３０も、一方の面（表面）３１の一部が凹部１２の底面１２１より露出しているのが好ましい（露出面３１ｅ）。これにより、発光素子４２の２つの電極と、第１リード２０及び第２リード３０とを、凹部１２内においてボンディングワイヤＢＷで各々接続することができる。
また、図３（ａ）のように、セラミック基板４１がその表面４１ａにプリント配線ＰＷを有している場合には、発光素子４２をプリント配線ＰＷにフリップチップ実装し（図３（ｂ））、プリント配線ＰＷの２つの端子部分と、第１リード２０及び第２リード３０とを、凹部１２内においてボンディングワイヤＢＷで各々接続することができる（図１（ａ））。
いずれの場合でも、ボンディングワイヤＢＷは凹部１２内のみに張り渡されるので、引用文献１に比べて、ボンディングワイヤＢＷの長さを短くできる。特に、プリント配線ＰＷを利用すると、発光素子４２の載置位置に関係なく、プリント配線ＰＷの端子部分と第１リード２０および第２リード３０とを近接させることができるので、ボンディングワイヤＢＷの長さをより短くすることができる。

また、パッケージ成形体の第１リード２０および第２リード３０の少なくとも一方が、セラミック基板４１の少なくとも１つの側面と接触しているだけなので（また、場合によっては、ｙ方向において、セラミック基板４１の対向する側面４１３、４１４に接触して挟んでいるだけなので）、第１リード２０、第２リード３０の冷却時の収縮量がセラミック基板４１の収縮量より大きくても、セラミック基板４１が両側に引っ張られることはない。
引用文献２では、セラミックが受ける引張応力を緩和するために、硬度の低い材料からリードを製造し、その結果、リードが樹脂成形体から剥離しやすくなる、という別の課題が生じていた。これに対して、本発明では、セラミックが引張応力を受けることがないので、十分な硬さを有する材料からリード２０、３０を製造することができる。よって、リード２０、３０の硬度に起因するリード２０、３０と樹脂成形体１１との剥離を抑制することができる。

また、第１リード２０および第２リード３０の少なくとも一方が、ｙ方向においてセラミック基板４１の対向する第３側面４１３、第４側面４１４に接触して、セラミック基板４１を挟んでいる場合には、セラミック基板４１と樹脂成形体１１との間の界面の剥離を抑制する効果と、セラミック基板４１がパッケージ成形体１０から抜け落ちるのを効果的に抑制する効果がある。

図２に示したパッケージ成形体１０では、セラミック基板４１の表面４１ａの一部が、樹脂成形体１１の凹部１２の底面１２１より露出し、表面４１ａの残りの一部（図では、セラミック基板４１の４つの縁部のうち、３つの縁部）は樹脂成形体１１によって覆われている。この形態では、セラミック基板４１と樹脂成形体１１との接触面積が広くなるので、セラミック基板４１と樹脂成形体１１との接合力を高めるのに有利である。
なお、第１リード２０及び第２リード３０の露出面２１ｅ、３１ｅは、セラミック基板４１の縁部のうち、樹脂成形体１１の凹部１２の底面１２１から露出した１つの縁部に近接して設けることができる。

（変形例）
図３〜４に、パッケージ成形体の変形例（パッケージ成形体１０’）を示す。パッケージ成形体１０’は、セラミック基板４１の表面４１ａの全面が樹脂成形体１１の凹部１２の底面１２１より露出している点で、図１〜２のパッケージ成形体１０と異なっている。
変形例に係るパッケージ成形体１０’では、凹部１２の底面１２１において、セラミック基板４１の周囲は樹脂成形体１１によって囲まれている。第１リード２０、第２リード３０を凹部１２の底面１２１から露出させる場合には、セラミック基板４１の周囲を囲む樹脂成形体１１の任意の位置から露出させることができる。すなわち、このパッケージ成形体１０’では、セラミック基板４１の任意の縁部の近傍に、リード２０、３０の露出面２１ｅ、露出面３１ｅを配置することができる。よって、セラミック基板４１の上に配置した発光素子４２の２つの電極と、第１リード２０及び第２リード３０とを、ボンディングワイヤＢＷで各々接続する際に、ボンディングワイヤＢＷの長さが最も短くなるように、露出面２１ｅ、３１ｅを任意の位置に設けることができる。

なお、図３〜図４において、第１リード２０及び第２リード３０が、セラミック基板４１の側面４１１〜４１４に接触している例が図示されている。しかしながら、第１リード２０及び第２リード３０がセラミック基板４１の側面４１１〜４１４と離れていても、露出面２１ｅ、３１ｅをセラミック基板４１の任意の縁部に近接して設けることができるので、ボンディングワイヤＢＷを短くできる効果は得られる。

以下、第１リード２０が、第３側面４１３、第４側面４１４に接触してセラミック基板４１を挟んでいることを前提として、その効果を説明する。
樹脂成形体１１を形成している樹脂材料は、セラミック基板４１を形成しているセラミックに比べて、熱膨張係数が数倍大きい。そのため、パッケージ成形体１０が高温に曝された時（例えば、パッケージ成形体１０を用いた発光装置５０を半田リフローで実装する時や、発光装置５０を使用している時）に樹脂成形体１１が熱膨張すると、セラミック基板４１はその熱膨張に追従できない。その結果、樹脂成形体１１とセラミック基板４１との間の界面に剥離が生じるおそれがある。半田リフロー時に界面の剥離が起これば、半田フラックス等が樹脂成形体１１の凹部１２内に侵入して、発光素子４２からの光を吸収するおそれがある。また、発光装置５０の使用時に界面の剥離が起これば、外部環境からの水分が樹脂成形体１１の凹部１２内に侵入して、発光素子４２の劣化を引き起こす可能性がある。
さらに、界面の剥離が進行すれば、セラミック基板４１がパッケージ成形体１０から抜け落ちるおそれもある。

本発明では、金属材料から成る第１リード２０が、セラミック基板４１の対向する第３側面４１３、第４側面４１４に接触して、セラミック基板４１を挟んでいる。詳しくは、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａが第４の側面４１４に接触し、第２の分岐延伸部２０ｂが第３の側面４１３に接触している。第１リード２０を形成している金属材料は、樹脂材料に比べて、セラミックに近い熱膨張係数を有している。また、半田リフローを行う温度（２００℃前後）では、第１リード２０の熱膨張量とセラミック基板４１の熱膨張量との差はごく僅かである。よって、パッケージ成形体１０が半田リフロー等によって高温に曝された時にも、第１リード２０とセラミック基板４１の第３側面４１３、第４側面４１４との間の接触は維持できる。つまり、セラミック基板４１は、第１リード２０によって保持されるので、セラミック基板４１がパッケージ成形体１０から抜け落ちるのを防止できる。

また局所的な応力を観察すると、発光装置５０が高温に曝されたとき、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａと第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａとの間にある樹脂成形体１１の膨張によって、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａは−ｘ方向に応力Ｆ_３を受ける（図４（ａ））。同様に、第１リード２０の第２の分岐延伸部２０ｂと第２リード３０の第２の分岐延伸部３０ｂとの間にある樹脂成形体１１の膨張によって、第１リード２０の第２の分岐延伸部２０ｂも−ｘ方向に応力を受ける（図示せず）。第１の分岐延伸部２０ａが受ける応力Ｆ_３と、第２の分岐延伸部２０ｂが受ける応力は、ほぼ同じ大きさで同じ方向になると考えられる。そのため、第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂとが、−ｘ方向の応力に対して同等の対抗力を発揮できるのが望ましい。
そこで、本発明では、第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂとを、−ｘ方向と直交する方向（ｙ方向）にセラミック基板４１を挟むことにより、第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂとが、−ｘ方向の応力に対して同等の対抗力を発揮できるようにしている。

同様に、発光装置５０が高温に曝されたとき、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａと第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａとの間にある樹脂成形体１１の膨張によって、第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａはｘ方向に応力Ｆ_４を受ける（図４（ａ））。同様に、第１リード２０の第２の分岐延伸部２０ｂと第２リード３０の第２の分岐延伸部３０ｂとの間にある樹脂成形体１１の膨張によって、第２リード３０の第２の分岐延伸部３０ｂもｘ方向に応力を受ける（図示せず）。第１の分岐延伸部３０ａが受ける応力Ｆ_４と、第２の分岐延伸部３０ｂが受ける応力は、ほぼ同じ大きさで同じ方向になると考えられる。そのため、第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂとが、ｘ方向の応力に対して同等の対抗力を発揮できるのが望ましい。
本発明では、第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂとを、ｘ方向と直交する方向（ｙ方向）にセラミック基板４１を挟むことにより、第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂとが、ｘ方向の応力に対して同等の対抗力を発揮できるようにしている。

また、第１リード２０が、その周囲の樹脂成形体１１の補強材として機能すると考えられる。第１リード２０は、その一部が樹脂成形体１１内にあり、樹脂成形体１１と十分な接合強度を有している。よって、発光装置５０が熱にさらされたとき、第１リード２０の膨張量が樹脂成形体１１の膨張量より小さいことにより、第１リード２０が樹脂成形体１１の膨張を抑制するように機能しうる。その結果、第１リードの周囲において、（膨張に起因して）樹脂成形体１１がセラミック基板４１から剥離するのが抑制される。これにより、剥離した界面から半田フラックスや水分が樹脂成形体１１の凹部１２内に侵入するのを抑えることができる。

上述の説明では、第１リード２０が、セラミック基板４１の第３側面４１３および第４側面４１４に接触してセラミック基板４１を挟んでいる場合について説明した。しかしながら、第１リード２０の代わりに、第２リード３０が、第３側面４１３、第４側面４１４に接触してセラミック基板４１を挟んでいる場合も同様の効果が得られる。特に、第１リード２０及び第２リード３０の両方が、セラミック基板４１の第３側面４１３および第４側面４１４と接触しているのが好ましく、セラミック基板４１の抜け落ち抑制効果も、セラミック基板４１とパッケージ成形体１０との界面の剥離を抑制する効果も向上させることができる。

また、本発明のパッケージ成形体１０によれば、セラミック基板４１は発光素子４２の大きさとほぼ同等でよいので、従来のセラミックパッケージに比べて、高価なセラミック基板４１の使用量を減らすことができる。よって、パッケージ成形体１０のコストを抑え、ひいてはパッケージ成形体１０を用いた発光装置５０のコストを抑えることができる。

また、本発明のパッケージ成形体１０では、熱伝導率の高いセラミック基板４１に発光素子４２を載置する。そのため、使用時に発光素子４２で発生する熱は、セラミック基板４１を通って、（樹脂成形体１１の裏面に露出した）セラミック基板４１の裏面４１ｂからパッケージ成形体１０の外部に効率よく放熱することができる。なお、セラミック基板４１に接触した第１リード２０及び／又は第２リード３０も、放熱経路になりうる。

セラミック基板４１は、例えば、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂとの間に挟むことにより、セラミック基板４１のｙ方向の位置を、分岐延伸部２０ａ、２０ｂによって決定することができる。
第１リード２０の代わりに、セラミック基板４１は、第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂとの間に挟むことにより、セラミック基板４１のｙ方向の位置を、分岐延伸部３０ａ、３０ｂによって決定することができる。
このように、セラミック基板４１を第１リード２０及び／又は第２リード３０によってｙ方向に挟むことにより、パッケージ成形体１０の製造時において、セラミック基板４１のｙ方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。
なお、第１リード２０及び第２リード３０の両方で、セラミック基板４１をｙ方向に挟んでいるのが好ましく、セラミック基板４１のｙ方向の位置決め精度がさらに向上する。

第１リード２０は、セラミック基板４１の第３側面４１３、第４側面４１４と異なる側面（図４（ａ）では、第１側面４１１）と接触しているのが好ましい。例えば、図４（ｂ）に示すように、第１リード２０の第１分岐延伸部２０ａが、第４側面４１４だけでなく、第１側面４１１にも接触しているのが好ましい。このように、第１リード２０を第１側面４１１に接触させることにより、パッケージ成形体１０の製造時において、セラミック基板４１のｘ方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。
第１分岐延伸部２０ａの代わりに、第２分岐延伸部２０ｂが、第３側面４１３だけでなく、第１側面４１１にも接触させることにより（図４（ａ））、セラミック基板４１のｘ方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。

第１リード２０の代わりに、第２リード３０を、セラミック基板４１の第３側面４１３、第４側面４１４と異なる側面（図４（ａ）では、第２側面４１２）と接触させても、同様の効果を得ることができる。例えば、第２リード３０の第１分岐延伸部３０ａを、第４側面４１４だけでなく、第２側面４１２にも接触させても、セラミック基板４１のｘ方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。
第１分岐延伸部３０ａの代わりに、第２分岐延伸部３０ｂを、第３側面４１３だけでなく、第２側面４１２にも接触させることにより、セラミック基板４１のｘ方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。

セラミック基板４１のｘ方向の位置決めの観点からすると、第１リード２０の第１分岐延伸部２０ａおよび第２分岐延伸部２０ｂ、ならびに第２リード３０の第１分岐延伸部３０ａおよび第２分岐延伸部３０ｂのいずれか１つを、セラミック基板４１の第１側面４１１又は第２側面４１２に接触するだけでもよい。しかしながら、より精度の高い位置決めを行うためには、複数の分岐延伸部を接触させるのが好ましく、特に、全ての分岐延伸部２０ａ、２０ｂ、３０ａ、３０ｂを接触させるのがより好ましい。

第１リード２０は、セラミック基板４１の第３側面４１３、第４側面４１４に接触する部分（第１接触部２０ａ_１、２０ｂ_１）、それらの側面と異なる側面（図４（ａ）では、第１側面４１１）に接触する部分（第２接触部２０ａ_２、２０ｂ_２）と、第１接触部２０ａ_１、２０ｂ_１と第２接触部２０ａ_２、２０ｂ_２との間に設けられ、樹脂で満たされた切欠き部２５とを有しているのが好ましい。例えば、図４（ｂ）に示すように、第１リード２０の第１分岐延伸部２０ａが、第４側面４１４に接触する第１接触部２０ａ_１と、第１側面４１１に接触する第２接触部２０ａ_２と、それらの間に位置している切欠き部２５とを有し、この切欠き部２５を樹脂で満たしているのが好ましい。切欠き部２５に満たされた樹脂が熱膨張すると、ｙ方向に沿って、応力Ｆ_１（セラミック基板４１を押す力）と、応力Ｆ_２（第１分岐延伸部２０ａを押す力）とを生じる。

ここで、第１分岐延伸部２０ａと第２分岐延伸部２０ｂとは一体成形されており、第１リード２０は比較的硬質の材料から形成しうることから、第１分岐延伸部２０ａの第１接触部２０ａ_１と第２分岐延伸部２０ｂの第１接触部２０ｂ_１との離間距離はほぼ一定に維持される。また、第２分岐延伸部２０ｂの第１接触部２０ｂ_１がセラミック基板４１の第３側面４１３に接触していることから（図４（ａ））、第１リード２０全体が、セラミック基板４１に対してｙ方向に移動することもない。そのため、第１分岐延伸部２０ａはｙ方向に移動することはない。したがって、切欠き部２５に満たされた樹脂は、セラミック基板４１に向かって応力Ｆ_１で押圧され、樹脂とセラミック基板４１の第４側面４１４との界面の密着度が高まる。このように、切欠き部２５を設けて樹脂で満たすことにより、セラミック基板４１と樹脂との界面の剥離を抑制することができる。

また、図４（ａ）に示すように、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａと、第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａの間に位置する樹脂は、熱膨張によって、ｘ方向に沿って、反対向きの応力Ｆ_３、Ｆ_４を生じる。これらの応力は、セラミック基板４１の第４側面４１４と樹脂との界面の剥離を促進する。
一方、図４（ｂ）に示すように、切欠き部２５に満たされた樹脂が熱膨張すると、ｘ方向に沿って、応力Ｆ_５を生じる。その結果、第１の分岐延伸部２０ａにおいて、ｙ方向に沿って反対向きの応力Ｆ_３と応力Ｆ_５とが一部相殺される。よって、セラミック基板４１の第４側面４１４と樹脂との界面の剥離が抑制される。

さらに、図６のように、第１リード２０の下側まで樹脂が形成されている場合、切欠き部２５を満たしている樹脂を樹脂成形体１１と一体に形成できる。第１リード２０は、両側面と、下面２２と、上面２１の一部とが樹脂成形体１１で覆われるので、樹脂成形体１１と第１リード２０との密着力が向上する。

切欠き部２５について、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａに設けた場合を詳述したが、他の分岐延伸部に切欠き部２５を設けることもできる。
例えば、図４（ａ）を参照すると、第１リード２０の第２の分岐延伸部２０ｂについては、第３側面４１３に接触する第１接触部２０ｂ_１と、第１側面４１１に接触する第２接触部２０ｂ_２と、それらの間に位置している切欠き部２５とを有し、この切欠き部２５を樹脂で満たすことができる。第２リード３０の第１分岐延伸部３０ａについては、第４側面４１４に接触する第１接触部３０ａ_１と、第２側面４１２に接触する第２接触部３０ａ_２と、それらの間に位置している切欠き部３５とを有し、この切欠き部３５を樹脂で満たすことができる。第２リード３０の第２の分岐延伸部３０ｂについては、第３側面４１３に接触する第１接触部３０ｂ_１と、第２側面４１２に接触する第２接触部３０ｂ_２と、それらの間に位置している切欠き部３５とを有し、この切欠き部３５を樹脂で満たすことができる。
いずれの分岐延伸部に切欠き部２５、３５を設けた場合にも、同様の効果を得ることができる。

第１リード２０がセラミック基板４１を弾性変形した状態で挟んでいるのが好ましい。ここで「弾性変形した状態」とは、第１リード２０でセラミック基板４１を挟むことにより、第１リード２０が弾性変形していることを意味する。具体的には、第１リード２０においてセラミック基板４１を挟むための部分（第１分岐延伸部２０ａの「第１接触部２０ａ_１」と、第２分岐延伸部２０ｂの「第１接触部２０ｂ_１」）の離間距離が、第１リード２０がセラミック基板４１を挟んでいるとき（第１の離間距離Ｄ_１）より、第１リード２０がセラミック基板４１を挟んでいないとき（第２の離間距離Ｄ_２）のほうが短くなることである（Ｄ_１＞Ｄ_２）。言い換えれば、第１リード２０からセラミック基板４１を除去すると、第１分岐延伸部２０ａの第１接触部２０ａ_１と、第２分岐延伸部２０ｂの第１接触部２０ｂ_１との間の離間距離が短くなる。これにより、第１リード２０がセラミック基板４１を保持する弾性力（図４（ａ）の応力Ｆ_６、Ｆ_７）を生じさせることができる。第１リード２０がセラミック基板４１の側面４１３、４１４に単に接触している場合（つまり、応力Ｆ_６、Ｆ_７が発生していない場合）に比べて、セラミック基板４１がパッケージ成形体１０から抜け落ちるのを、より効果的に防止できる。
第１リード２０に代えて、第２リード３０でセラミック基板４１を弾性変形した状態で挟むことにより、同様の効果を得ることができる。
特に、第１リード２０と第２リード３０の両方とも、セラミック基板４１を弾性変形した状態で挟んでいると、セラミック基板４１の脱落を抑制する効果が高まるので特に好ましい。

弾性力を発生させる具体的な方法としては、第１リード２０の製造時における第１分岐延伸部２０ａの第１接触部２０ａ_１と、第２分岐延伸部２０ｂの第１接触部２０ｂ_１との間の離間距離（上述の「第２の離間距離Ｄ_２」に相当）を、ｙ方向おけるセラミック基板４１の寸法（セラミック基板４１の幅）より小さくする方法がある。第２の離間距離Ｄ_２とセラミック基板４１の幅の寸法差（Δｓとする）をどの程度にするかは、要求される弾性力、第１リード２０に使用される金属材料の物性等に基づいて決定することができる。また、第１リード２０の熱膨張量とセラミック基板４１の熱膨張量との差が無視できなくなる恐れがある場合（例えば、半田リフローを行う温度を遙かにに越える高温にさらされる場合など）には、第２の離間距離Ｄ_２とセラミック基板４１の幅との寸法差Δｓを、第１リード２０とセラミック基板４１との熱膨張量の差と同等以上にすることにより、熱膨張量の差を補償することができる。

再び図３（ｂ）を参照すると、樹脂成形体１１の凹部１２内では、第１リード２０および第２リード３０の表面２１、３１はセラミック基板４１の表面４１ａと面一にされている。これにより、リード２０、３０の表面２１、３１の一部を凹部１２の底面１２１から露出するのを容易にしている。
一方、樹脂成形体１１の外側では、第１リード２０および第２リード３０の裏面２２、３２は、セラミック基板４１の裏面４１ｂと面一にされており、これにより、発光装置５０を実装基板に実装するときに、リード２０、３０の裏面２２、３２が実装基板に接触するようにしている。これにより、半田リフローにより発光装置５０を実装基板に実装することができる。

第１リード２０および第２リード３０のｚ方向の寸法（厚さ）は、セラミック基板４１のｚ方向の寸法（厚さ）よりも小さいので、リード２０、３０の表面２１、３１及び裏面２２、３２をこのように位置付けるために、リード２０、３０を断面ｚ字状に折り曲げている。リード２０、３０の折り曲げ部は、図３（ｂ）のように樹脂成形体１１の内部に埋設されるように設けることも、樹脂成形体１１の外側に位置するように設けることもできる。

なお、リード２０、３０の裏面２２、３２は必ずしもセラミック基板４１の裏面と面一にされていなくてもよい。例えば、リード２０、３０の裏面２２、３２を、セラミック基板４１の裏面４１ｂよりも僅かに上側に位置させてもよい。これにより、セラミック基板４１の裏面４１ｂを、実装基板に確実に接触させることができる。実装基板は放熱経路になるので、セラミック基板４１からの放熱性を向上させることができる。なお、半田リフローで実装する場合には、リード２０、３０の裏面２２、３２と実装基板との間に僅かなギャップがあっても、そのギャップが半田で埋まるので、問題なく実装することができる。

上述のように、第１リード２０および第２リード３０の表面２１、３１は、樹脂成形体１１の凹部１２内において、セラミック基板４１の表面４１ａと面一にされているのが好ましいが、これに限定されるものではない。
図７（ａ）、（ｂ）は、図４（ａ）において、第２リード３０を横切るＣ−Ｃ線に沿った断面図を示している。図７（ａ）のように、第２リード３０の表面３１とセラミック基板４１の表面４１ａとを面一にすることもでき、また、図７（ｂ）のように、第２リード３０の表面３１とセラミック基板４１の表面４１ａとの間に段差を設けることもできる。なお、図７（ａ）に示すパッケージ成形体１０と、図７（ｂ）に示すパッケージ成形体１０とでは、使用される金型が異なる。

パッケージ成形体１０の樹脂成形体１１は、凹部１２の形状に対応する突起を備えた金型を用いてモールド成形される。図７（ａ）のように、第２リード３０の表面３１とセラミック基板４１の表面４１ａとが面一であると、比較的単純な形状の突起を有する金型が使用できる。
一方、図７（ｂ）のように、第２リード３０の表面３１とセラミック基板４１の表面４１ａとの間に段差があると、この段差に対応するような凹凸を備えた突起を有する金型を使用する必要がある。

また、図７（ｃ）に示すように、裏面４１ｂ側に段部４５を設けたセラミック基板４１Ｘを用いることもできる。段部４５を樹脂成形体１１で満たすことにより、セラミック基板４１Ｘがパッケージ成形体１０から抜け落ちるのをより効果的に抑制できる。
また、図５（ｄ）に示すように、表面４１ａ側に段部４５を設けたセラミック基板４１Ｙを用いることもできる。樹脂成形体１１の裏面１４において、セラミック基板４１Ｙの裏面４１ｂが露出する面積を広く設けることができるので、放熱性により優れたパッケージ成形体１０を得ることができる。

次に、本実施の形態に係る発光装置５０の製造方法を説明する。
＜１．パッケージ成形体１０の製造＞
１−１．リードフレームの形成
高硬度の（例えば、Ｈｖ８０を越える）金属板をパンチングして、ｘ方向において対向配置された第１リード２０と第２リード３０との対を複数備えたリードフレームを形成する。第１リード２０は、ｙ方向において分離した第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂを有し、第２リード３０は、ｙ方向において分離した第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂを有している（図４（ａ））。第１リード２０の第１分岐延伸部２０ａの第１接触部２０ａ_１と、第２分岐延伸部２０ｂの第１接触部２０ｂ_１との間の離間距離（第２の離間距離Ｄ_２）が、次の工程で形成される「セラミック基板４１」のｙ方向の寸法（幅）と略等しいか、僅かに小さくするのが好ましい。また、第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａの第１接触部３０ａ_１と第２の分岐延伸部３０ｂの第１接触部３０ｂ_１との離間距離と、セラミック基板４１の幅と、の関係も、同様にするのが好ましい。
第１リード２０および第２リード３０とは、タイバーによってリードフレームに連結されている。

１−２．セラミック基板の形成
セラミック粉末を矩形の板状体に圧縮し、得られた圧縮成形体を焼結する。その後、表面に金属配線を形成してプリント配線ＰＷを設けて、セラミック基板４１を得る。

１−３．セラミック基板の配置
対向配置された第１リード２０と第２リード３０との間に、セラミック基板４１を配置する。このとき、図４（ａ）に示すように、セラミック基板４１を、第１リード２０の第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂの間に配置して、第１の分岐延伸部２０ａを、セラミック基板４１の第４側面４１４に接触させ、第２の分岐延伸部２０ｂをセラミック基板４１の第３側面４１３に接触させる。これにより、ｙ方向におけるセラミック基板４１の位置が決定される。このとき、セラミック基板４１の幅が、第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂとの離間距離より大きければ、セラミック基板４１は、第１の分岐延伸部２０ａと第２の分岐延伸部２０ｂとが弾性変形した状態でそれらの間に保持される。
なお、図４（ａ）に示す形態では、第１の分岐延伸部２０ａ、第２の分岐延伸部２０ｂを、さらにセラミック基板４１の第１側面４１１にも接触させる。これにより、ｘ方向におけるセラミック基板４１の位置も決定される。

同様に、セラミック基板４１を、第２リード３０の第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂの間に配置して、第１の分岐延伸部３０ａをセラミック基板４１の第４側面４１４に接触させ、第２の分岐延伸部３０ｂをセラミック基板４１の第３側面４１３に接触させる。このとき、セラミック基板４１の幅が、第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂとの離間距離より大きければ、セラミック基板４１は、第１の分岐延伸部３０ａと第２の分岐延伸部３０ｂとが弾性変形した状態でそれらの間に保持される。
図４（ａ）に示す形態では、第１の分岐延伸部３０ａ、第２の分岐延伸部３０ｂを、さらにセラミック基板４１の第２側面４１２にも接触させる。

また、ｚ方向におけるセラミック基板４１と第１リード２０、第２リード３０との位置関係は、任意に決定することができる。例えば、図３（ｂ）に示すように、セラミック基板４１の表面４１ａと、第１リード２０の露出面２１ｅと、第２リード３０の露出面３１ｅとが面一になるように、セラミック基板４１を配置することができる。
セラミック基板４１は、第１リード２０および第２リード３０によって、リードフレームに仮止めされる。

１−４．樹脂成形体１１の成形
樹脂成形体１１用の空隙を有している金型９０に、リードフレームＬＦを挟持する（図８（ａ））。リードフレームに仮止めされたセラミック基板４１は、上側金型９１の突起９３と下側金型９２とで挟まれる。第１リード２０の表面２１の一部は突起９３に接触している（この一部が、後に露出面２１ｅになる）。図示しないが、第２リード３０も同様に、表面３１の一部を突起９３に接触させる（この一部が、後に露出面３１ｅになる）。そして、金型９０の空隙に、樹脂成形体１１用の樹脂材料を注入する。樹脂材料が硬化した後に金型９０を外すと、リードフレームに固定された状態のパッケージ成形体１０が得られる。

＜２．発光素子４２の実装＞
パッケージ成形体１０のセラミック基板４１のプリント配線ＰＷ上に、発光素子４２をフリップチップ実装する。まず、プリント配線ＰＷ上の、発光素子４２の電極と対応する位置に、半田バンプを形成する。次に、発光素子４２の電極がプリント配線ＰＷと対向する向きで、発光素子４２をセラミック基板４１に載置する。このとき、発光素子４２の電極と半田バンプとを正確に位置合わせする。図５（ｂ）の例では、発光素子４２を４つ実装する。また、同様にして、ツェナーダイオード４３もセラミック基板４１のプリント配線ＰＷの上に実装する。
プリント配線ＰＷの一方の端子部分と、第１リード２０の露出面２１ｅとボンディングワイヤＢＷで接続する。また、プリント配線ＰＷの他方の端子部分を、第２リード３０の露出面３１ｅとボンディングワイヤＢＷで接続する。
そして、発光素子４２の上に、波長変換部材５１を樹脂で固定する

＜３．封止樹脂５２の充填＞
パッケージ成形体１０の凹部１２に、液体状態の封止樹脂をポッティングし、その後に硬化させる。封止樹脂５２を２層にする場合には、まず、凹部１２に第１封止樹脂（アンダーフィル）をポッティングした後に硬化し、次いで、凹部１２に第２封止樹脂をポッティングした後に硬化する。

＜４．発光装置５０の個片化＞
リードフレームのタイバーをダイシングによって切断し、個々の発光装置５０に分離する。

次に、発光装置５０の各構成部材について説明する。

（セラミック基板４１）
セラミック基板４１は、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＣ等のセラミックを用いることができる。特に、ＡｌＮは熱伝導率が高く好ましい。
本実施の形態では矩形のセラミック基板４１を例示したが、これに限定されるものではなく、正方形、多角形、円形、楕円形等の任意形状のセラミック基板４１を用いることもできる。

（第１リード２０、第２リード３０）
第１リード２０、第２リード３０は、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅などのいずれか１つ以上からなる導電性材料を用いることができる。第１リード２０、第２リード３０は、金、銀およびそれらの合金などでメッキするのが好ましい。

（樹脂成形体１１）
樹脂成形体１１の成形材料には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂のほか、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、樹脂成形体１１の凹部１２内における光の反射率を高めることもできる。

（発光素子４２）
発光素子４２としては、半導体発光素子（例えばＬＥＤ）を用いることができる。半導体発光素子は、基板上に、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等の半導体層を積層した積層構造体から構成されている。発光素子の基板としては、サファイア等の絶縁性基板や、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等の導電性基板等が挙げられる。
絶縁性基板を用いた半導体発光素子では、積層構造体の上面にｎ側電極およびｐ側電極を形成する。導電性基板を用いた半導体発光素子では、積層構造体の上面に一方の電極（例えばｎ側電極）、導電性基板の下面に他方の電極（例えばｐ側電極）を形成する。
図５（ｂ）では、絶縁性基板を用いた半導体発光素子を、フリップチップボンディングにより、セラミック基板４１のプリント配線に実装している。

（ボンディングワイヤＢＷ）
ボンディングワイヤＢＷとしては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム等の金属およびそれらの合金から成る金属製のワイヤを用いることが出来る。

（封止樹脂５２）
封止樹脂５２は、発光素子４２を収容した樹脂成形体１１の凹部１２を封止するものであり、発光素子４２を外部環境から保護している。封止樹脂５２は単一層から形成することもできるが、複数層（例えば、第１封止樹脂５２１と第２封止樹脂５２２の２層）から構成することもできる。封止樹脂の材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはこれらを１つ以上含む樹脂を用いることができる。また、封止樹脂５２には、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、アルミナ、窒化アルミニウムなどの光散乱粒子を分散させてもよい。

（波長変換部材５１）
波長変換部材５１は、発光素子４２からの発光の波長を変換する材料（蛍光体等）を含有するガラスや樹脂から形成された部材であり、本実施の形態では、発光素子４２の上面に配置されている。例えば白色光を発する発光装置５０では、青色光を発光する発光素子４２と、青色光を吸収して黄色光を発する波長変換部材５１（例えば、ガラスにＹＡＧを分散させたＹＡＧガラス）とを組み合わせることができる。

なお、本発明は以下の態様を包含している。
・第１の態様：
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記樹脂成形体の下部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に前記セラミック基板を第１の方向に挟んで配置された第１リードおよび第２リードであって、それぞれが、一方の面の一部が前記凹部の底面より露出した露出部を有する第１リードおよび第２リードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記第１の方向と直交する第２の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる、パッケージ成形体。
・第２の態様：
上記第１の態様において、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方は、前記対向する側面と異なる側面に接触していることを特徴とするパッケージ成形体。
・第３の態様：
上記第１〜２の態様において、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の前記対向する側面に接触する第１接触部と、当該対向する側面と異なる側面に接触する第２接触部と、前記第１接触部と前記第２接触部との間に設けられて、樹脂で満たされた切欠き部とを有していることを特徴とするパッケージ成形体。
・第４の態様：
上記第１〜３の態様において、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記セラミック基板を弾性変形した状態で挟んでいることを特徴とするパッケージ成形体。
・第５の態様：
上記第１〜４の態様に係るパッケージ成形体を製造する方法であって、
第１の方向において互いに対向する第１リードと第２リードを備えたリードフレームを形成する工程と、
前記第１リードと前記第２リードとの間に前記セラミック基板を配置する工程と、
前記配置する工程の後に、前記第１リード、前記第２リード及び前記セラミック基板を金型で挟持し、前記金型に樹脂を注入して樹脂成形体を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
・第６の態様：
上記第５の態様において、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触する２つの第１接触部を有し、
前記２つの第１接触部の離間距離は、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記セラミック基板の寸法より小さいことを特徴とする製造方法。
・第７の態様：
上記第１〜４の態様に係るパッケージ成形体と、
セラミック基板の一方の面に載置され、第１リードおよび第２リードと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子を収容した樹脂成形体の凹部を封止する封止樹脂と、を含む発光装置。
・第８の態様：
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記樹脂成形体の前記凹部の底部に配置され、一方の面の全面が前記凹部の底面より露出し、他方の面の全面又は一部が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に配置され、一方の面の一部が前記凹部の底面より露出した露出部を有するリードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置されている、パッケージ成形体。
・第９の態様：
上記第８の態様において、
前記リードは、前記セラミック基板の少なくとも１つの側面に接触して、前記セラミック基板を保持しているパッケージ成形体。
・第１０の態様：
上記第８〜９の態様において、
前記リードは、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいるパッケージ成形体。
・第１１の態様：
上記第８〜１０の態様において、
前記リードは、前記セラミック基板を第１の方向に挟んで配置された第１リード及び第２リードを含み、
前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記第１の方向と直交する第２の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいるパッケージ成形体。

１０ パッケージ成形体
１１ 樹脂成形体
１２ 凹部
１２１ 凹部の底面
１４ 樹脂成形体の裏面
２０ 第１リード
２１ 第１リードの表面（一方の面）
２２ 第１リードの裏面
２５ 切欠き部
３０ 第２リード
３１ 第２リードの表面（一方の面）
３２ 第２リードの裏面
３５ 切欠き部
４１ セラミック基板
４１ａ セラミック基板の表面（一方の面）
４１ｂ セラミック基板の裏面（他方の面）
４２ 発光素子
４３ ツェナーダイオード
５０ 発光装置
５１ 波長変換部材
５２ 封止樹脂

Claims (9)

1. 発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
   前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
   前記樹脂成形体の下部に配置されたリードと、を備え、
   前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
   前記リードは、前記セラミック基板を第１の方向に挟んで配置された第１リード及び第２リードを含み、
   前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記第１の方向と直交する第２の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んで保持している、パッケージ成形体。
2. 前記リードの一方の面の一部が、前記凹部の前記底面より露出している、請求項１に記載のパッケージ成形体。
3. 発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
   前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
   前記樹脂成形体の下部に前記セラミック基板を第１の方向に挟んで配置された第１リードおよび第２リードであって、それぞれの一方の面の一部が、前記凹部の底面より露出している第１リードおよび第２リードと、を備え、
   前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
   前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記第１の方向と直交する第２の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる、パッケージ成形体。
4. 前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方は、前記対向する側面と異なる側面に接触していることを特徴とする請求項３に記載のパッケージ成形体。
5. 前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の前記対向する側面に接触する第１接触部と、当該対向する側面と異なる側面に接触する第２接触部と、前記第１接触部と前記第２接触部との間に設けられて、樹脂で満たされた切欠き部とを有していることを特徴とする請求項３又は４に記載のパッケージ成形体。
6. 前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方が、前記セラミック基板を弾性変形した状態で挟んでいることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載のパッケージ成形体。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載のパッケージ成形体の製造方法であって、
   第１の方向において互いに対向する第１リードと第２リードを備えたリードフレームを形成する工程と、
   前記第１リードと前記第２リードとの間に前記セラミック基板を配置する工程と、
   前記配置する工程の後に、前記第１リード、前記第２リード及び前記セラミック基板を金型で挟持し、前記金型に樹脂を注入して樹脂成形体を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
8. 前記第１リードおよび前記第２リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触する２つの第１接触部を有し、
   前記２つの第１接触部の離間距離は、前記第１の方向と直交する第２の方向における前記セラミック基板の寸法より小さいことを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
9. 請求項１〜６のいずれか１項に記載のパッケージ成形体と、
   セラミック基板の一方の面に載置され、第１リードおよび第２リードと電気的に接続された発光素子と、
   前記発光素子を収容した樹脂成形体の凹部を封止する封止樹脂と、を含む発光装置。

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