JP2014029996A - 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 - Google Patents
発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014029996A JP2014029996A JP2013132958A JP2013132958A JP2014029996A JP 2014029996 A JP2014029996 A JP 2014029996A JP 2013132958 A JP2013132958 A JP 2013132958A JP 2013132958 A JP2013132958 A JP 2013132958A JP 2014029996 A JP2014029996 A JP 2014029996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- ceramic substrate
- molded body
- light emitting
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 264
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 251
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 155
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 155
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のパッケージ成形体10は、発光素子42を収納するための凹部12を有する樹脂成形体11と、前記凹部12の底部125に配置され、一方の面41aが前記凹部12の底面121より露出し、他方の面41bが前記樹脂成形体11の裏面14より露出したセラミック基板41と、前記樹脂成形体11の下部に配置されたリード20, 30と、を備え、前記セラミック基板41の前記一方の面41aに前記発光素子42が載置され、前記リード20, 30は、前記セラミック基板41の少なくとも1つの側面413, 414に接触して、前記セラミック基板41を保持している。
【選択図】図1
Description
セラミックは、一般的なパッケージ用樹脂に比べて熱伝導率が高いので、セラミックパッケージは優れた放熱性を有している。
結合ベースの通孔の周囲では、第3サブリードを覆うように樹脂材料が突出しており(これを「樹脂突出部」と称する)、ヒートシンクブロックのマウントカップの側面に当接している。
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に配置されたリードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記リードは、前記セラミック基板の少なくとも1つの側面に接触して、前記セラミック基板を保持している。
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に前記セラミック基板を第1の方向に挟んで配置された第1リードと第2リードであって、それぞれの一方の面の一部が、前記凹部の底面より露出している第1リードおよび第2リードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる。
上記の本発明の第1又は第2のパッケージ成形体と、
前記パッケージ成形体の樹脂成形体の凹部内に収納されてセラミック基板の一方の面に載置された発光素子と、
前記凹部を封止する封止樹脂と、を備えている。
また、本発明の第2のパッケージ成形体およびそれを用いた発光装置によれば、ワイヤボンディングに必要なワイヤの長さを短くでき、比較的硬質なリードを使用することができる。
本実施形態の発光装置50は、図1に示すように、パッケージ成形体10と、発光素子42と、封止樹脂52と、波長変換部材51を含んでいる。
パッケージ成形体10は、凹部12を有する樹脂成形体11と、樹脂成形体11の凹部12の底部125に配置されたセラミック基板41、第1リード20および第2リード30を含んでいる。
発光素子42は、樹脂成形体11の凹部12内に収納され、セラミック基板41の表面41aに載置されている。本実施の形態の発光装置50では、セラミック基板41はx方向に伸びた矩形であり、その上に、4つの発光素子42がx方向に一列に並んで配置されている(図1(b))。なお、図1(a)のA−A線が直線の場合には、図1(b)の断面図にリード20、30と発光素子42とを共に図示することができない。そこで、本発明の理解を容易にするために、図1(a)のA−A線がリード20、30と発光素子42とを通るようにA−A線を曲げて、図1(b)にリード20、30と発光素子42とを共に図示できるようにした。
波長変換部材51は、発光素子42からの発光の波長を変換する材料(蛍光体等)を含有するガラスや樹脂から形成された部材であり、本実施の形態では、4つの発光素子42の上面に配置されている(図1(a)〜(c))。
また、特許文献2のように、放熱性セラミックの上面にリードフレームを配置するためには、ロー付けする必要があった。そのため、ロー付け後の冷却中に、熱膨張係数の差によってリードフレームがセラミックを両側に引っ張って、セラミックにクラックが入る恐れがあった。クラック防止のため、硬度Hv40〜80と比較的軟らかいリードフレームを用いた場合、成形樹脂から剥離するおそれがあった。
例えば、図2に示すように、セラミック基板41の側面411〜414は、第1の側面411と第2の側面412とが、第1の方向(x方向)において対向し、第3の側面413と第4の側面414が、第1の方向と直交する第2の方向(y方向)において対向している。
第1リード20および第2リード30の少なくとも一方(図1および図2の実施の形態では両方)が、y方向においてセラミック基板41の対向する第3側面413、第4側面414に接触して、セラミック基板41を挟むことができる。つまり、第1リード20および第2リード30がセラミック基板41を挟んでいる方向(y方向)は、第1リード20と第2リード30とがセラミック基板41を挟んでいる方向(x方向)に対して、直交していてもよい。
また、図3(a)のように、セラミック基板41がその表面41aにプリント配線PWを有している場合には、発光素子42をプリント配線PWにフリップチップ実装し(図3(b))、プリント配線PWの2つの端子部分と、第1リード20及び第2リード30とを、凹部12内においてボンディングワイヤBWで各々接続することができる(図1(a))。
いずれの場合でも、ボンディングワイヤBWは凹部12内のみに張り渡されるので、引用文献1に比べて、ボンディングワイヤBWの長さを短くできる。特に、プリント配線PWを利用すると、発光素子42の載置位置に関係なく、プリント配線PWの端子部分と第1リード20および第2リード30とを近接させることができるので、ボンディングワイヤBWの長さをより短くすることができる。
引用文献2では、セラミックが受ける引張応力を緩和するために、硬度の低い材料からリードを製造し、その結果、リードが樹脂成形体から剥離しやすくなる、という別の課題が生じていた。これに対して、本発明では、セラミックが引張応力を受けることがないので、十分な硬さを有する材料からリード20、30を製造することができる。よって、リード20、30の硬度に起因するリード20、30と樹脂成形体11との剥離を抑制することができる。
なお、第1リード20及び第2リード30の露出面21e、31eは、セラミック基板41の縁部のうち、樹脂成形体11の凹部12の底面121から露出した1つの縁部に近接して設けることができる。
図3〜4に、パッケージ成形体の変形例(パッケージ成形体10’)を示す。パッケージ成形体10’は、セラミック基板41の表面41aの全面が樹脂成形体11の凹部12の底面121より露出している点で、図1〜2のパッケージ成形体10と異なっている。
変形例に係るパッケージ成形体10’では、凹部12の底面121において、セラミック基板41の周囲は樹脂成形体11によって囲まれている。第1リード20、第2リード30を凹部12の底面121から露出させる場合には、セラミック基板41の周囲を囲む樹脂成形体11の任意の位置から露出させることができる。すなわち、このパッケージ成形体10’では、セラミック基板41の任意の縁部の近傍に、リード20、30の露出面21e、露出面31eを配置することができる。よって、セラミック基板41の上に配置した発光素子42の2つの電極と、第1リード20及び第2リード30とを、ボンディングワイヤBWで各々接続する際に、ボンディングワイヤBWの長さが最も短くなるように、露出面21e、31eを任意の位置に設けることができる。
樹脂成形体11を形成している樹脂材料は、セラミック基板41を形成しているセラミックに比べて、熱膨張係数が数倍大きい。そのため、パッケージ成形体10が高温に曝された時(例えば、パッケージ成形体10を用いた発光装置50を半田リフローで実装する時や、発光装置50を使用している時)に樹脂成形体11が熱膨張すると、セラミック基板41はその熱膨張に追従できない。その結果、樹脂成形体11とセラミック基板41との間の界面に剥離が生じるおそれがある。半田リフロー時に界面の剥離が起これば、半田フラックス等が樹脂成形体11の凹部12内に侵入して、発光素子42からの光を吸収するおそれがある。また、発光装置50の使用時に界面の剥離が起これば、外部環境からの水分が樹脂成形体11の凹部12内に侵入して、発光素子42の劣化を引き起こす可能性がある。
さらに、界面の剥離が進行すれば、セラミック基板41がパッケージ成形体10から抜け落ちるおそれもある。
そこで、本発明では、第1の分岐延伸部20aと第2の分岐延伸部20bとを、−x方向と直交する方向(y方向)にセラミック基板41を挟むことにより、第1の分岐延伸部20aと第2の分岐延伸部20bとが、−x方向の応力に対して同等の対抗力を発揮できるようにしている。
本発明では、第1の分岐延伸部30aと第2の分岐延伸部30bとを、x方向と直交する方向(y方向)にセラミック基板41を挟むことにより、第1の分岐延伸部30aと第2の分岐延伸部30bとが、x方向の応力に対して同等の対抗力を発揮できるようにしている。
第1リード20の代わりに、セラミック基板41は、第2リード30の第1の分岐延伸部30aと第2の分岐延伸部30bとの間に挟むことにより、セラミック基板41のy方向の位置を、分岐延伸部30a、30bによって決定することができる。
このように、セラミック基板41を第1リード20及び/又は第2リード30によってy方向に挟むことにより、パッケージ成形体10の製造時において、セラミック基板41のy方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。
なお、第1リード20及び第2リード30の両方で、セラミック基板41をy方向に挟んでいるのが好ましく、セラミック基板41のy方向の位置決め精度がさらに向上する。
第1分岐延伸部20aの代わりに、第2分岐延伸部20bが、第3側面413だけでなく、第1側面411にも接触させることにより(図4(a))、セラミック基板41のx方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。
第1分岐延伸部30aの代わりに、第2分岐延伸部30bを、第3側面413だけでなく、第2側面412にも接触させることにより、セラミック基板41のx方向の位置を、容易に且つ精度よく位置決めすることができる。
一方、図4(b)に示すように、切欠き部25に満たされた樹脂が熱膨張すると、x方向に沿って、応力F5を生じる。その結果、第1の分岐延伸部20aにおいて、y方向に沿って反対向きの応力F3と応力F5とが一部相殺される。よって、セラミック基板41の第4側面414と樹脂との界面の剥離が抑制される。
例えば、図4(a)を参照すると、第1リード20の第2の分岐延伸部20bについては、第3側面413に接触する第1接触部20b1と、第1側面411に接触する第2接触部20b2と、それらの間に位置している切欠き部25とを有し、この切欠き部25を樹脂で満たすことができる。第2リード30の第1分岐延伸部30aについては、第4側面414に接触する第1接触部30a1と、第2側面412に接触する第2接触部30a2と、それらの間に位置している切欠き部35とを有し、この切欠き部35を樹脂で満たすことができる。第2リード30の第2の分岐延伸部30bについては、第3側面413に接触する第1接触部30b1と、第2側面412に接触する第2接触部30b2と、それらの間に位置している切欠き部35とを有し、この切欠き部35を樹脂で満たすことができる。
いずれの分岐延伸部に切欠き部25、35を設けた場合にも、同様の効果を得ることができる。
第1リード20に代えて、第2リード30でセラミック基板41を弾性変形した状態で挟むことにより、同様の効果を得ることができる。
特に、第1リード20と第2リード30の両方とも、セラミック基板41を弾性変形した状態で挟んでいると、セラミック基板41の脱落を抑制する効果が高まるので特に好ましい。
一方、樹脂成形体11の外側では、第1リード20および第2リード30の裏面22、32は、セラミック基板41の裏面41bと面一にされており、これにより、発光装置50を実装基板に実装するときに、リード20、30の裏面22、32が実装基板に接触するようにしている。これにより、半田リフローにより発光装置50を実装基板に実装することができる。
図7(a)、(b)は、図4(a)において、第2リード30を横切るC−C線に沿った断面図を示している。図7(a)のように、第2リード30の表面31とセラミック基板41の表面41aとを面一にすることもでき、また、図7(b)のように、第2リード30の表面31とセラミック基板41の表面41aとの間に段差を設けることもできる。なお、図7(a)に示すパッケージ成形体10と、図7(b)に示すパッケージ成形体10とでは、使用される金型が異なる。
一方、図7(b)のように、第2リード30の表面31とセラミック基板41の表面41aとの間に段差があると、この段差に対応するような凹凸を備えた突起を有する金型を使用する必要がある。
また、図5(d)に示すように、表面41a側に段部45を設けたセラミック基板41Yを用いることもできる。樹脂成形体11の裏面14において、セラミック基板41Yの裏面41bが露出する面積を広く設けることができるので、放熱性により優れたパッケージ成形体10を得ることができる。
<1.パッケージ成形体10の製造>
1−1.リードフレームの形成
高硬度の(例えば、Hv80を越える)金属板をパンチングして、x方向において対向配置された第1リード20と第2リード30との対を複数備えたリードフレームを形成する。第1リード20は、y方向において分離した第1の分岐延伸部20aと第2の分岐延伸部20bを有し、第2リード30は、y方向において分離した第1の分岐延伸部30aと第2の分岐延伸部30bを有している(図4(a))。第1リード20の第1分岐延伸部20aの第1接触部20a1と、第2分岐延伸部20bの第1接触部20b1との間の離間距離(第2の離間距離D2)が、次の工程で形成される「セラミック基板41」のy方向の寸法(幅)と略等しいか、僅かに小さくするのが好ましい。また、第2リード30の第1の分岐延伸部30aの第1接触部30a1と第2の分岐延伸部30bの第1接触部30b1との離間距離と、セラミック基板41の幅と、の関係も、同様にするのが好ましい。
第1リード20および第2リード30とは、タイバーによってリードフレームに連結されている。
セラミック粉末を矩形の板状体に圧縮し、得られた圧縮成形体を焼結する。その後、表面に金属配線を形成してプリント配線PWを設けて、セラミック基板41を得る。
対向配置された第1リード20と第2リード30との間に、セラミック基板41を配置する。このとき、図4(a)に示すように、セラミック基板41を、第1リード20の第1の分岐延伸部20aと第2の分岐延伸部20bの間に配置して、第1の分岐延伸部20aを、セラミック基板41の第4側面414に接触させ、第2の分岐延伸部20bをセラミック基板41の第3側面413に接触させる。これにより、y方向におけるセラミック基板41の位置が決定される。このとき、セラミック基板41の幅が、第1の分岐延伸部20aと第2の分岐延伸部20bとの離間距離より大きければ、セラミック基板41は、第1の分岐延伸部20aと第2の分岐延伸部20bとが弾性変形した状態でそれらの間に保持される。
なお、図4(a)に示す形態では、第1の分岐延伸部20a、第2の分岐延伸部20bを、さらにセラミック基板41の第1側面411にも接触させる。これにより、x方向におけるセラミック基板41の位置も決定される。
図4(a)に示す形態では、第1の分岐延伸部30a、第2の分岐延伸部30bを、さらにセラミック基板41の第2側面412にも接触させる。
セラミック基板41は、第1リード20および第2リード30によって、リードフレームに仮止めされる。
樹脂成形体11用の空隙を有している金型90に、リードフレームLFを挟持する(図8(a))。リードフレームに仮止めされたセラミック基板41は、上側金型91の突起93と下側金型92とで挟まれる。第1リード20の表面21の一部は突起93に接触している(この一部が、後に露出面21eになる)。図示しないが、第2リード30も同様に、表面31の一部を突起93に接触させる(この一部が、後に露出面31eになる)。そして、金型90の空隙に、樹脂成形体11用の樹脂材料を注入する。樹脂材料が硬化した後に金型90を外すと、リードフレームに固定された状態のパッケージ成形体10が得られる。
パッケージ成形体10のセラミック基板41のプリント配線PW上に、発光素子42をフリップチップ実装する。まず、プリント配線PW上の、発光素子42の電極と対応する位置に、半田バンプを形成する。次に、発光素子42の電極がプリント配線PWと対向する向きで、発光素子42をセラミック基板41に載置する。このとき、発光素子42の電極と半田バンプとを正確に位置合わせする。図5(b)の例では、発光素子42を4つ実装する。また、同様にして、ツェナーダイオード43もセラミック基板41のプリント配線PWの上に実装する。
プリント配線PWの一方の端子部分と、第1リード20の露出面21eとボンディングワイヤBWで接続する。また、プリント配線PWの他方の端子部分を、第2リード30の露出面31eとボンディングワイヤBWで接続する。
そして、発光素子42の上に、波長変換部材51を樹脂で固定する
パッケージ成形体10の凹部12に、液体状態の封止樹脂をポッティングし、その後に硬化させる。封止樹脂52を2層にする場合には、まず、凹部12に第1封止樹脂(アンダーフィル)をポッティングした後に硬化し、次いで、凹部12に第2封止樹脂をポッティングした後に硬化する。
リードフレームのタイバーをダイシングによって切断し、個々の発光装置50に分離する。
セラミック基板41は、AlN、Al2O3、SiC等のセラミックを用いることができる。特に、AlNは熱伝導率が高く好ましい。
本実施の形態では矩形のセラミック基板41を例示したが、これに限定されるものではなく、正方形、多角形、円形、楕円形等の任意形状のセラミック基板41を用いることもできる。
第1リード20、第2リード30は、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅などのいずれか1つ以上からなる導電性材料を用いることができる。第1リード20、第2リード30は、金、銀およびそれらの合金などでメッキするのが好ましい。
樹脂成形体11の成形材料には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂のほか、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、成形材料中に酸化チタンなどの白色顔料などを混合して、樹脂成形体11の凹部12内における光の反射率を高めることもできる。
発光素子42としては、半導体発光素子(例えばLED)を用いることができる。半導体発光素子は、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等の半導体層を積層した積層構造体から構成されている。発光素子の基板としては、サファイア等の絶縁性基板や、SiC、GaN、GaAs等の導電性基板等が挙げられる。
絶縁性基板を用いた半導体発光素子では、積層構造体の上面にn側電極およびp側電極を形成する。導電性基板を用いた半導体発光素子では、積層構造体の上面に一方の電極(例えばn側電極)、導電性基板の下面に他方の電極(例えばp側電極)を形成する。
図5(b)では、絶縁性基板を用いた半導体発光素子を、フリップチップボンディングにより、セラミック基板41のプリント配線に実装している。
ボンディングワイヤBWとしては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム等の金属およびそれらの合金から成る金属製のワイヤを用いることが出来る。
封止樹脂52は、発光素子42を収容した樹脂成形体11の凹部12を封止するものであり、発光素子42を外部環境から保護している。封止樹脂52は単一層から形成することもできるが、複数層(例えば、第1封止樹脂521と第2封止樹脂522の2層)から構成することもできる。封止樹脂の材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはこれらを1つ以上含む樹脂を用いることができる。また、封止樹脂52には、酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、アルミナ、窒化アルミニウムなどの光散乱粒子を分散させてもよい。
波長変換部材51は、発光素子42からの発光の波長を変換する材料(蛍光体等)を含有するガラスや樹脂から形成された部材であり、本実施の形態では、発光素子42の上面に配置されている。例えば白色光を発する発光装置50では、青色光を発光する発光素子42と、青色光を吸収して黄色光を発する波長変換部材51(例えば、ガラスにYAGを分散させたYAGガラス)とを組み合わせることができる。
・第1の態様:
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記樹脂成形体の下部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に前記セラミック基板を第1の方向に挟んで配置された第1リードおよび第2リードであって、それぞれが、一方の面の一部が前記凹部の底面より露出した露出部を有する第1リードおよび第2リードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる、パッケージ成形体。
・第2の態様:
上記第1の態様において、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方は、前記対向する側面と異なる側面に接触していることを特徴とするパッケージ成形体。
・第3の態様:
上記第1〜2の態様において、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の前記対向する側面に接触する第1接触部と、当該対向する側面と異なる側面に接触する第2接触部と、前記第1接触部と前記第2接触部との間に設けられて、樹脂で満たされた切欠き部とを有していることを特徴とするパッケージ成形体。
・第4の態様:
上記第1〜3の態様において、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記セラミック基板を弾性変形した状態で挟んでいることを特徴とするパッケージ成形体。
・第5の態様:
上記第1〜4の態様に係るパッケージ成形体を製造する方法であって、
第1の方向において互いに対向する第1リードと第2リードを備えたリードフレームを形成する工程と、
前記第1リードと前記第2リードとの間に前記セラミック基板を配置する工程と、
前記配置する工程の後に、前記第1リード、前記第2リード及び前記セラミック基板を金型で挟持し、前記金型に樹脂を注入して樹脂成形体を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
・第6の態様:
上記第5の態様において、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触する2つの第1接触部を有し、
前記2つの第1接触部の離間距離は、前記第1の方向と直交する第2の方向における前記セラミック基板の寸法より小さいことを特徴とする製造方法。
・第7の態様:
上記第1〜4の態様に係るパッケージ成形体と、
セラミック基板の一方の面に載置され、第1リードおよび第2リードと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子を収容した樹脂成形体の凹部を封止する封止樹脂と、を含む発光装置。
・第8の態様:
発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記樹脂成形体の前記凹部の底部に配置され、一方の面の全面が前記凹部の底面より露出し、他方の面の全面又は一部が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に配置され、一方の面の一部が前記凹部の底面より露出した露出部を有するリードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置されている、パッケージ成形体。
・第9の態様:
上記第8の態様において、
前記リードは、前記セラミック基板の少なくとも1つの側面に接触して、前記セラミック基板を保持しているパッケージ成形体。
・第10の態様:
上記第8〜9の態様において、
前記リードは、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいるパッケージ成形体。
・第11の態様:
上記第8〜10の態様において、
前記リードは、前記セラミック基板を第1の方向に挟んで配置された第1リード及び第2リードを含み、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいるパッケージ成形体。
11 樹脂成形体
12 凹部
121 凹部の底面
14 樹脂成形体の裏面
20 第1リード
21 第1リードの表面(一方の面)
22 第1リードの裏面
25 切欠き部
30 第2リード
31 第2リードの表面(一方の面)
32 第2リードの裏面
35 切欠き部
41 セラミック基板
41a セラミック基板の表面(一方の面)
41b セラミック基板の裏面(他方の面)
42 発光素子
43 ツェナーダイオード
50 発光装置
51 波長変換部材
52 封止樹脂
Claims (11)
- 発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に配置されたリードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記リードは、前記セラミック基板の少なくとも1つの側面に接触して、前記セラミック基板を保持している、パッケージ成形体。 - 前記リードは、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる、請求項1に記載のパッケージ成形体。
- 前記リードの一方の面の一部が、前記凹部の前記底面より露出している、請求項1又は2に記載のパッケージ成形体。
- 前記リードは、前記セラミック基板を第1の方向に挟んで配置された第1リード及び第2リードを含み、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパッケージ成形体。 - 発光素子を収納するための凹部を有する樹脂成形体と、
前記凹部の底部に配置され、一方の面が前記凹部の底面より露出し、他方の面が前記樹脂成形体の裏面より露出したセラミック基板と、
前記樹脂成形体の下部に前記セラミック基板を第1の方向に挟んで配置された第1リードおよび第2リードであって、それぞれの一方の面の一部が、前記凹部の底面より露出している第1リードおよび第2リードと、を備え、
前記セラミック基板の前記一方の面に前記発光素子が載置され、
前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記第1の方向と直交する第2の方向において前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触して、前記セラミック基板を挟んでいる、パッケージ成形体。 - 前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方は、前記対向する側面と異なる側面に接触していることを特徴とする請求項5に記載のパッケージ成形体。
- 前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の前記対向する側面に接触する第1接触部と、当該対向する側面と異なる側面に接触する第2接触部と、前記第1接触部と前記第2接触部との間に設けられて、樹脂で満たされた切欠き部とを有していることを特徴とする請求項5又は6に記載のパッケージ成形体。
- 前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方が、前記セラミック基板を弾性変形した状態で挟んでいることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載のパッケージ成形体。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のパッケージ成形体の製造方法であって、
第1の方向において互いに対向する第1リードと第2リードを備えたリードフレームを形成する工程と、
前記第1リードと前記第2リードとの間に前記セラミック基板を配置する工程と、
前記配置する工程の後に、前記第1リード、前記第2リード及び前記セラミック基板を金型で挟持し、前記金型に樹脂を注入して樹脂成形体を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記第1リードおよび前記第2リードの少なくとも一方は、前記セラミック基板の対向する側面の各々に接触する2つの第1接触部を有し、
前記2つの第1接触部の離間距離は、前記第1の方向と直交する第2の方向における前記セラミック基板の寸法より小さいことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のパッケージ成形体と、
セラミック基板の一方の面に載置され、第1リードおよび第2リードと電気的に接続された発光素子と、
前記発光素子を収容した樹脂成形体の凹部を封止する封止樹脂と、を含む発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013132958A JP6205894B2 (ja) | 2012-07-04 | 2013-06-25 | 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 |
US13/932,096 US9455383B2 (en) | 2012-07-04 | 2013-07-01 | Molded package for light emitting device and light emitting device using the same |
EP13174700.8A EP2682993B1 (en) | 2012-07-04 | 2013-07-02 | Molded package for light emitting device and light emitting device using the same |
CN201310276122.9A CN103531695B (zh) | 2012-07-04 | 2013-07-03 | 发光装置用封装成形体及采用了其的发光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012150428 | 2012-07-04 | ||
JP2012150428 | 2012-07-04 | ||
JP2013132958A JP6205894B2 (ja) | 2012-07-04 | 2013-06-25 | 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014029996A true JP2014029996A (ja) | 2014-02-13 |
JP6205894B2 JP6205894B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=48700441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013132958A Active JP6205894B2 (ja) | 2012-07-04 | 2013-06-25 | 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9455383B2 (ja) |
EP (1) | EP2682993B1 (ja) |
JP (1) | JP6205894B2 (ja) |
CN (1) | CN103531695B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103872216B (zh) * | 2014-03-14 | 2016-06-15 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 大功率led光源模块 |
US9343633B1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-17 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode lighting device |
CN108269899B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-06-05 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116990A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2006173561A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Seoul Semiconductor Co Ltd | ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ |
JP2006339653A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 高出力ledパッケージおよび高出力ledパッケージ製造方法 |
JP2008181985A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2008235868A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2010183079A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光素子およびその作製方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100359703C (zh) * | 2001-08-21 | 2008-01-02 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 辐射构件及其引线框和壳体及带辐射构件的显示装置和/或照明装置 |
TWI241042B (en) | 2004-03-11 | 2005-10-01 | Chen-Lun Hsingchen | A low thermal resistance LED device |
US7119422B2 (en) * | 2004-11-15 | 2006-10-10 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Solid-state semiconductor light emitting device |
JP3109109U (ja) | 2004-11-30 | 2005-05-12 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 固体半導体発光素子 |
JP5219331B2 (ja) | 2005-09-13 | 2013-06-26 | 株式会社住田光学ガラス | 固体素子デバイスの製造方法 |
JP2007116078A (ja) | 2005-09-20 | 2007-05-10 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光素子の外囲器 |
JP2007250979A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Zeniya Sangyo Kk | 半導体パッケージ |
KR100775574B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2007-11-15 | 알티전자 주식회사 | 고효율 발광 다이오드 패키지 |
KR20080079745A (ko) | 2007-02-28 | 2008-09-02 | 주식회사 옵토필 | 리드프레임과 열방출판의 이중 방열구조를 갖는 발광다이오드 패키지 베이스 및 그 제조방법 |
KR100933920B1 (ko) * | 2009-06-05 | 2009-12-28 | 주식회사 케이아이자이맥스 | 발광유니트 및 그 제조방법 |
KR101783955B1 (ko) * | 2011-02-10 | 2017-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
-
2013
- 2013-06-25 JP JP2013132958A patent/JP6205894B2/ja active Active
- 2013-07-01 US US13/932,096 patent/US9455383B2/en active Active
- 2013-07-02 EP EP13174700.8A patent/EP2682993B1/en active Active
- 2013-07-03 CN CN201310276122.9A patent/CN103531695B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116990A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2006173561A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Seoul Semiconductor Co Ltd | ヒートシンク支持リングを有するリードフレーム、それを使用した発光ダイオードパッケージ製造方法及びそれを用いて製造した発光ダイオードパッケージ |
JP2006339653A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 高出力ledパッケージおよび高出力ledパッケージ製造方法 |
JP2008181985A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP2008235868A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2010183079A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光素子およびその作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2682993B1 (en) | 2019-09-18 |
EP2682993A2 (en) | 2014-01-08 |
EP2682993A3 (en) | 2016-08-10 |
CN103531695A (zh) | 2014-01-22 |
US9455383B2 (en) | 2016-09-27 |
CN103531695B (zh) | 2018-07-24 |
JP6205894B2 (ja) | 2017-10-04 |
US20140008692A1 (en) | 2014-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI661580B (zh) | 發光裝置 | |
US8823040B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
JP5813467B2 (ja) | 基板、発光装置及び基板の製造方法 | |
JP2007180227A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006237190A (ja) | 半導体発光装置 | |
WO2010082614A1 (ja) | Ledモジュールの製造方法およびledモジュール | |
JP2001168398A (ja) | 発光ダイオード及び製造方法 | |
JP6947995B2 (ja) | 発光装置 | |
US9159893B2 (en) | Light emitting device including lead having terminal part and exposed part, and method for manufacturing the same | |
JP6277875B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6183118B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI569475B (zh) | 發光裝置、電路基板、發光裝置用封裝陣列、及發光裝置用封裝陣列之製造方法 | |
JP6205894B2 (ja) | 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置 | |
JP6558389B2 (ja) | リードフレーム | |
JPWO2014188632A1 (ja) | 放熱構造を有する半導体装置および半導体装置の積層体 | |
JP2018157088A (ja) | リードフレーム | |
US10186649B2 (en) | Light emitting device | |
JP6551210B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6651699B2 (ja) | 側面発光型発光装置の製造方法 | |
JP5359135B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2015038917A (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 | |
JP2019186381A (ja) | 基板及びそれを用いた発光装置の製造方法 | |
JP7140956B2 (ja) | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 | |
JP6105638B2 (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP2013026371A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6205894 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |