JP2015038917A - リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents
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Abstract
【課題】端子部間における各端子部と樹脂層との剥離の発生を抑制することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供する。
【解決手段】リードフレーム10は、表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部11、12を有し、端子部11、12のうち少なくとも一つに光半導体素子2が接続される光半導体装置1に用いられるリードフレーム10において、各端子部11、12は、その裏面の互いに対向する辺の外周に、その外部端子面11b、12bの外周縁から落ち込むように形成された段部Dを有し、段部Dは、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tを有することを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】リードフレーム10は、表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部11、12を有し、端子部11、12のうち少なくとも一つに光半導体素子2が接続される光半導体装置1に用いられるリードフレーム10において、各端子部11、12は、その裏面の互いに対向する辺の外周に、その外部端子面11b、12bの外周縁から落ち込むように形成された段部Dを有し、段部Dは、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tを有することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、LED素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた2つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた(例えば、特許文献1)。
しかし、このような光半導体装置は、LED素子の発光や、実装した基板の熱等によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合がある。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまうことがある。
しかし、このような光半導体装置は、LED素子の発光や、実装した基板の熱等によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合がある。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまうことがある。
また、このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、リードフレームのリフレクタが形成される側の面が、その面とは反対側の面に比べ樹脂が多く形成されるため、温度変化が生じた場合において、金属及び樹脂の線膨張率の差によって反りが生じてしまい、上述の剥離現象の発生をより顕著にする場合がある。
特に、リードフレームの端子部間は、リードフレームの厚み部分のみで樹脂部と端子部とが接合しており、他の部分に比べ両者の接合面積が狭く接合強度が弱いため、上述の剥離が発生しやすくなる。この端子部間の剥離は、光半導体装置の製造時の透明樹脂を形成する工程で透明樹脂が裏面に漏れ出るほか、光半導体装置がその端子部間で破損したり、剥離した部分から半田に含まれるフラックスや、水分等が浸入し、端子部や樹脂層等を変色させてしまい光半導体装置の光反射特性を劣化させたりする要因になる場合があった。
特に、リードフレームの端子部間は、リードフレームの厚み部分のみで樹脂部と端子部とが接合しており、他の部分に比べ両者の接合面積が狭く接合強度が弱いため、上述の剥離が発生しやすくなる。この端子部間の剥離は、光半導体装置の製造時の透明樹脂を形成する工程で透明樹脂が裏面に漏れ出るほか、光半導体装置がその端子部間で破損したり、剥離した部分から半田に含まれるフラックスや、水分等が浸入し、端子部や樹脂層等を変色させてしまい光半導体装置の光反射特性を劣化させたりする要因になる場合があった。
本発明の課題は、端子部間における各端子部と樹脂層との剥離の発生を抑制することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第1の発明は、表面及び裏面に端子面(11a、11b、12a、12b)を設けた複数の端子部(11、12)を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子(2)が接続される光半導体装置(1)に用いられるリードフレーム(10)において、前記端子部のうち少なくとも一の端子部は、その表面及び裏面の少なくとも一方の面であり他の端子部に対向する辺の外周に、その端子面の外周縁から落ち込むように形成された段部(D)を有し、前記段部は、その落ち込んだ領域から突出する凸部(T)を有すること、を特徴とするリードフレームである。
第2の発明は、第1の発明のリードフレーム(10)において、前記凸部(T)は、その頂部(T1)が、前記端子面よりも低く形成されること、を特徴とするリードフレームである。
第3の発明は、第1の発明又は第2の発明のリードフレーム(10)において、前記凸部(T)は、前記端子部間の互いに対向する辺に沿って複数個形成されていること、を特徴とするリードフレームである。
第2の発明は、第1の発明のリードフレーム(10)において、前記凸部(T)は、その頂部(T1)が、前記端子面よりも低く形成されること、を特徴とするリードフレームである。
第3の発明は、第1の発明又は第2の発明のリードフレーム(10)において、前記凸部(T)は、前記端子部間の互いに対向する辺に沿って複数個形成されていること、を特徴とするリードフレームである。
第4の発明は、第1の発明から第3の発明までのいずれかのリードフレーム(10)と、前記リードフレームの前記端子部(11、12)の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部(20a)を有する樹脂層(20)と、を備える樹脂付きリードフレームである。
第5の発明は、第4の発明の樹脂付きリードフレームにおいて、前記樹脂層(20)は、前記リードフレーム(10)の前記光半導体素子(2)が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部(20b)を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。
第5の発明は、第4の発明の樹脂付きリードフレームにおいて、前記樹脂層(20)は、前記リードフレーム(10)の前記光半導体素子(2)が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部(20b)を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームである。
第6の発明は、第1の発明から第3の発明までのいずれかのリードフレーム(10)が枠体(F)に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体(MS)である。
第7の発明は、第4の発明又は第5の発明の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体(R)である。
第8の発明は、第4の発明又は第5の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記端子部(11、12)のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子(2)と、前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層(30)と、を備える光半導体装置(1)である。
第9の発明は、第8の発明の光半導体装置(1)が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、端子部間の剥離の発生を抑制することができる。
(第1実施形態)
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)、図1(b)、図1(c)は、それぞれ光半導体装置1の平面図、側面図、裏面図を示す。図1(d)は、図1(a)のd−d断面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。
図2(a)、図2(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図2(c)、図2(d)は、それぞれ図2(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図3は、第1実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図3(a)、図3(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図4(a)は、図2(c)のA部詳細図であり、リードフレーム10の端子部間の詳細を示す。図4(b)は、図3(c)のB部詳細図であり、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す。
各図において、光半導体装置1の平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
以下、図面等を参照して、本発明の第1実施形態について説明する。
図1は、第1実施形態の光半導体装置1の全体構成を示す図である。
図1(a)、図1(b)、図1(c)は、それぞれ光半導体装置1の平面図、側面図、裏面図を示す。図1(d)は、図1(a)のd−d断面図を示す。
図2は、第1実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。
図2(a)、図2(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図2(c)、図2(d)は、それぞれ図2(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
図3は、第1実施形態の光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの詳細を説明する図である。
図3(a)、図3(b)は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rの平面図、裏面図を示し、図3(c)、図3(d)は、それぞれ図3(a)のc−c断面図と、d−d断面図を示す。
図4は、第1実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図4(a)は、図2(c)のA部詳細図であり、リードフレーム10の端子部間の詳細を示す。図4(b)は、図3(c)のB部詳細図であり、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す。
各図において、光半導体装置1の平面図における左右方向をX方向、上下方向をY方向、厚み方向をZ方向とする。
光半導体装置1は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したLED素子2が発光する照明装置である。光半導体装置1は、図1に示すように、LED素子2(光半導体素子)、リードフレーム10、光反射樹脂層20(樹脂層)、透明樹脂層30を備える。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図3参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
光半導体装置1は、多面付けされたリードフレーム10(リードフレームの多面付け体MS、図2参照)に光反射樹脂層20を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体R(図3参照)を作製し、LED素子2を電気的に接続し、透明樹脂層30を形成して、パッケージ単位に切断(ダイシング)することによって製造される(詳細は後述する)。
LED素子2は、発光層として一般に用いられるLED(発光ダイオード)の素子であり、例えば、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP等の化合物半導体単結晶、又は、InGaN等の各種GaN系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレーム10は、一対の端子部、すなわち、LED素子2が載置、接続される端子部11と、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2に接続される端子部12とから構成される。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図2に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅板)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部11、12は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、42合金(Ni40.5%〜43%のFe合金)等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部11、12は、図2に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Sが形成されており、電気的に独立している。端子部11、12は、1枚の金属基板(銅板)をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部11は、図1に示すように、その表面にLED素子2が載置、接続されるLED端子面11aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面11bが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部11は、LED素子2が載置されるため、端子部12に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図6(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部12は、その表面にLED素子2のボンディングワイヤ2aが接続されるLED端子面12aが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面12bが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部11、12は、その表面及び裏面にめっき層Cが形成されており(図6(e)参照)、表面側のめっき層Cは、LED素子2の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Cは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部11、12は、図2に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
段部Dは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外部端子面11b、12bから落ち込んでいる。換言すれば、端子部11、12の厚みと比較して1/3〜2/3程度に形成されている。
各端子部11、12が互いに対向する辺に形成される段部Dは、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。ここで、落ち込んだ領域とは、段部Dを形成する領域のうち、各端子部の外部端子面11b、12bの端部を除いた外部端子面11b、12bよりも低く落ち込むようにして形成された領域をいう。
凸部Tは、図2(b)に示すように、各端子部が互いに対向する辺に沿うようにして形成されており、その長さが、外部端子面の上下方向(Y方向)の幅寸法と同等に形成されている。
段部Dは、リードフレーム10の裏面側から見て、各端子部11、12の外部端子面11b、12bから落ち込んでいる。換言すれば、端子部11、12の厚みと比較して1/3〜2/3程度に形成されている。
各端子部11、12が互いに対向する辺に形成される段部Dは、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。ここで、落ち込んだ領域とは、段部Dを形成する領域のうち、各端子部の外部端子面11b、12bの端部を除いた外部端子面11b、12bよりも低く落ち込むようにして形成された領域をいう。
凸部Tは、図2(b)に示すように、各端子部が互いに対向する辺に沿うようにして形成されており、その長さが、外部端子面の上下方向(Y方向)の幅寸法と同等に形成されている。
リードフレーム10は、端子部11、12の周囲や、端子部11、12間の空隙部S等に光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填される場合に、図3に示すように、段部Dにも樹脂が充填され、光反射樹脂層20と各端子部11、12との接触面積を大きくしている。また、厚み(Z)方向において、リードフレーム10と光反射樹脂層20とを交互に構成することができる。これにより、段部Dは、厚み方向において、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、段部Dは、その落ち込んだ領域に凸部Tが形成されているので、樹脂が凸部Tの周囲にまで充填されるので、端子部11、12の配列方向(X方向)において、端子部11、12間の光反射樹脂層20が各端子部11、12から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、段部Dは、その落ち込んだ領域に凸部Tが形成されているので、樹脂が凸部Tの周囲にまで充填されるので、端子部11、12の配列方向(X方向)において、端子部11、12間の光反射樹脂層20が各端子部11、12から剥離してしまうのを抑制することができる。
凸部Tは、図4(a)に示すように、各端子部の裏面側から見て、その頂部T1が、各端子部11、12の裏面側に形成される外部端子面11b、12bよりも低くなるように形成されている。そのため、リードフレーム10は、光反射樹脂層20が形成された場合に、図4(b)に示すように、樹脂付きリードフレームの裏面から凸部Tの頂部T1が表出してしまうのを防ぐことができ、樹脂付きリードフレームの裏面の外観を良好に保つことができる。
また、リードフレーム10は、上述したように端子部11が端子部12よりも大きく形成されおり、また、段部Dが各端子部の裏面に設けられているので、端子部11のLED端子面11aがリードフレーム10の外形(図2の破線)の中央に位置することとなる。そのため、リードフレーム10は、LED素子2をリードフレーム10の外形のほぼ中央に配置して接続することができる。これにより、製造された光半導体装置1は、LED素子2から発光した光の透明樹脂層30を透過する経路の長さを略均等にすることができ、光半導体装置1から出射する光の色ムラの発生を抑制することができる。
連結部13は、枠体F内に多面付けされた各リードフレーム10の端子部11、12を、隣接する他のリードフレーム10の端子部や、枠体Fに連結している。連結部13は、多面付けされた各リードフレーム10上にLED素子2等が搭載され、光半導体装置1の多面付け体(図8参照)が形成された場合に、リードフレーム10を形成する外形線(図3(a)及び図3(b)中の破線)でダイシング(切断)される。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、端子部11、12が対向する辺を除いた辺に形成されている。
連結部13は、端子部11、12を形成する各辺のうち、端子部11、12が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部13aは、図2(a)に示すように、端子部12の右(+X)側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の左(−X)側の辺とを接続し、また、端子部11の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の右側の辺とを接続している。枠体Fに隣接する端子部11、12に対しては、連結部13aは、端子部11の左側の辺又は端子部12の右側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13bは、端子部11の上(+Y)側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の下(−Y)側の辺とを接続し、また、端子部11の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部11の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部11に対しては、連結部13bは、端子部11の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
連結部13cは、端子部12の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の下側の辺とを接続し、また、端子部12の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム10の端子部12の上側の辺とを接続する。枠体Fに隣接する端子部12に対しては、連結部13cは、端子部12の上側又は下側の辺と、枠体Fとを接続している。
なお、端子部11、12は、連結部13によって、隣り合う他のリードフレーム10の端子部11、12と電気的に導通されるが、光半導体装置1の多面付け体を形成した後に、光半導体装置1(リードフレーム10)の外形(図2(a)の破線)に合わせて各連結部13を切断(ダイシング)することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部13は、図2(b)、図2(c)に示すように、端子部11、12の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部11、12の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部13は、その裏面が、各端子部11、12の段部Dの落ち込んだ領域と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層20の樹脂が充填された場合に、図3(b)、図3(c)に示すように、連結部13の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図3(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体MSは、上述のリードフレーム10を枠体F内に多面付けしたものをいう。枠体Fは、多面付けされたリードフレーム10を固定する部材である。
また、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の裏面には、図3(b)に示すように、矩形状の外部端子面11b、12bが表出することとなり、光半導体装置1の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置1の面内(XY平面内)の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
リードフレームの多面付け体MSは、上述のリードフレーム10を枠体F内に多面付けしたものをいう。枠体Fは、多面付けされたリードフレーム10を固定する部材である。
光反射樹脂層20は、図3に示すように、フレーム樹脂部20aと、リフレクタ樹脂部20bとから構成される。
フレーム樹脂部20aは、端子部11、12の外周側面(リードフレーム10の外周や、空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた段部Dや、連結部13の裏面にも形成される。
フレーム樹脂部20aは、端子部11、12の外周側面(リードフレーム10の外周や、空隙部S)だけでなく、各端子部に設けられた段部Dや、連結部13の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部20bは、リードフレーム10の表面側(リードフレーム10のLED素子2が接続される側)に突出するように形成され、リードフレーム10に接続されるLED素子2から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部20bは、端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして、リードフレーム10の表面側に突出しており、LED端子面11aに接続されるLED素子2から発光する光を反射させて、光半導体装置1から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部20bは、リードフレーム10の多面付け体MSの状態において、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、フレーム樹脂部20aと結合している。また、リフレクタ樹脂部20bは、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される(図1参照)。
リフレクタ樹脂部20bは、リードフレーム10の多面付け体MSの状態において、その外形が、枠体Fの内周縁に沿うようにして形成されており、フレーム樹脂部20aと結合している。また、リフレクタ樹脂部20bは、その厚み(高さ)寸法が、LED端子面11aに接続されるLED素子2の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される(図1参照)。
ここで、リードフレーム10は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層20は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。そのため、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10(樹脂付きリードフレーム)は、各端子部に外部機器との半田溶着による熱や、LED素子2の発光による熱が加わることによって、各端子部と光反射樹脂層20との間で剥離が生じてしまう場合がある。
また、リードフレーム10は、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部20bが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、樹脂付きリードフレームは、上記熱が加わったり、冷えたりすることで、上述の線膨張率の差によって反りが生じたり、その反りが戻ったりして、これが繰り返されると、上記剥離がより発生しやすくなる。
また、リードフレーム10は、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部20bが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、樹脂付きリードフレームは、上記熱が加わったり、冷えたりすることで、上述の線膨張率の差によって反りが生じたり、その反りが戻ったりして、これが繰り返されると、上記剥離がより発生しやすくなる。
特に、リードフレーム10の端子部11、12間は、端子部11、12と光反射樹脂層20との接合面積が狭いため、接合強度が弱く、剥離の発生が顕著となる。光半導体装置1を組み立てる際に、LED素子2と電気的な接続部となる金属面を覆うために透明な樹脂(透明樹脂層30)で封止を行うが、特に高耐光性を持つためにシリコーン、エポキシなどの熱硬化樹脂が用いられる。この熱硬化樹脂は、一般的に加熱硬化前はモノマーもしくはプレポリマーであり、液状もしくは非常に流動性の高い粘性体である。そのため、樹脂付きのリードフレームの状態で、光反射樹脂層20とリードフレーム10の端子部間においてこの剥離が発生した場合、LED素子2の搭載側の端子部間から外部端子面側へ透明樹脂が漏れ出て外部端子面11b、12bを覆い、製造された光半導体装置1が使用不可能な状態になる場合がある。
また、製造した光半導体装置1の端子部間においてこの剥離が発生した場合、端子部間で光半導体装置1が折れて破損する可能性がある。更に、光半導体装置1の雰囲気中の水分や、外部端子面に溶着する半田のフラックス等が、剥離した隙間に浸入してしまい、各端子部の表面のめっき層や、光反射樹脂層20、透明樹脂層30等を変色させてしまう可能性がある。
また、製造した光半導体装置1の端子部間においてこの剥離が発生した場合、端子部間で光半導体装置1が折れて破損する可能性がある。更に、光半導体装置1の雰囲気中の水分や、外部端子面に溶着する半田のフラックス等が、剥離した隙間に浸入してしまい、各端子部の表面のめっき層や、光反射樹脂層20、透明樹脂層30等を変色させてしまう可能性がある。
上記剥離の一因となる反りを抑制するために、光反射樹脂層20の樹脂中に特定のフィラー(粉末)を含有させて線膨張率を、リードフレーム10の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層20の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、熱可塑性を維持するために三次元架橋密度を上げられないという分子構造上、フィラーを多量に充填した場合に強度が保てないことから、実用レベルとしては線膨張率の調整自体をすることが困難となる。
そのため、本実施形態では、リードフレーム10は、各端子部11、12に段部Dを設け、厚み方向において、光反射樹脂層20がリードフレーム10から剥離してしまうのを抑制することができる。また、特に各端子部間に対しては、段部Dに凸部Tを設けることによって、段部D内の凸部Tの周囲に形成された樹脂が、各端子部間の空隙部Sに形成された光反射樹脂層20を各端子部に対して強固に結合し、上記剥離の発生を抑制する。
また、リードフレーム10は、その表面側にリフレクタ樹脂部20bが形成され、各端子部の裏面側に設けられた段部Dにフレーム樹脂部20aが形成されるので、リードフレーム10を表裏面から光反射樹脂層20で挟み込ませることができる。これにより、リードフレーム10は、樹脂が充填された場合に、厚み方向に対して光反射樹脂層20が抜け落ちてしまうのを防ぐことができる。
また、リードフレーム10は、その表面側にリフレクタ樹脂部20bが形成され、各端子部の裏面側に設けられた段部Dにフレーム樹脂部20aが形成されるので、リードフレーム10を表裏面から光反射樹脂層20で挟み込ませることができる。これにより、リードフレーム10は、樹脂が充填された場合に、厚み方向に対して光反射樹脂層20が抜け落ちてしまうのを防ぐことができる。
光反射樹脂層20は、リードフレーム10に載置されるLED素子2の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、段部Dへの樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、段部Dでの接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
以上より、リードフレームの多面付け体MSに多面付けされるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが形成される。
光反射樹脂層20を形成する樹脂は、段部Dへの樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、段部Dでの接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
以上より、リードフレームの多面付け体MSに多面付けされるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが形成される。
透明樹脂層30は、リードフレーム10上に載置されたLED素子2を保護するとともに、発光したLED素子2の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層30は、図1に示すように、光反射樹脂層20のリフレクタ樹脂部20bによって囲まれたLED端子面11a、12a上に形成される。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
透明樹脂層30は、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子2の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、LED素子2に高輝度LED素子を用いる場合、透明樹脂層30は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、本実施形態の光半導体装置、リードフレームの他の形態について説明する。
図5は、第1実施形態の光半導体装置1の他の形態を説明する図である。
図5(a)、図5(b)、図5(c)は、それぞれ光半導体装置1の平面図、側面図、裏面図を示す。
上述の説明では、段部D及び凸部Tを設けたリードフレーム10の表面にリフレクタ樹脂部20bが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置1の例で説明したが、図5に示すように、リードフレーム10と光反射樹脂層20との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置1に適用してもよい。
図5は、第1実施形態の光半導体装置1の他の形態を説明する図である。
図5(a)、図5(b)、図5(c)は、それぞれ光半導体装置1の平面図、側面図、裏面図を示す。
上述の説明では、段部D及び凸部Tを設けたリードフレーム10の表面にリフレクタ樹脂部20bが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置1の例で説明したが、図5に示すように、リードフレーム10と光反射樹脂層20との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置1に適用してもよい。
次に、リードフレーム10の製造方法について説明する。
図6は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図6(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図6(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図6(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図6(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図6(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
図7は、凸部Tを形成する場合のエッチング加工の詳細を説明する図である。図7(a)は、金属基板の裏面よりも低くなる凸部Tが形成される場合を説明する図であり、図7(b)は、金属基板の裏面とほぼ同等の高さの凸部が形成される場合を説明する図である。
なお、図6においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
図6は、第1実施形態のリードフレーム10の製造過程を説明する図である。
図6(a)は、レジストパターンを形成した金属基板100を示す平面図と、その平面図のa−a断面図とを示す。図6(b)は、エッチング加工されている金属基板100を示す図である。図6(c)は、エッチング加工後の金属基板100を示す図である。図6(d)は、レジストパターンが除去された金属基板100を示す図である。図6(e)は、めっき処理が施された金属基板100を示す図である。
図7は、凸部Tを形成する場合のエッチング加工の詳細を説明する図である。図7(a)は、金属基板の裏面よりも低くなる凸部Tが形成される場合を説明する図であり、図7(b)は、金属基板の裏面とほぼ同等の高さの凸部が形成される場合を説明する図である。
なお、図6においては、1枚のリードフレーム10の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100からリードフレームの多面付け体MSが製造される。
リードフレーム10の製造において、金属基板100を加工してリードフレーム10を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム10の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板100を用意し、図6(a)に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン40a、40bを形成する。なお、レジストパターン40a、40bの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いることができるが、アクリル系、カゼイン、ゼラチンなどのタンパク質系、ポリビニルアルコール(PVA)系などが酸性のエッチング液耐性が高く、望ましい。
次に、図6(b)に示すように、レジストパターン40a、40b、40cを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
次に、図6(b)に示すように、レジストパターン40a、40b、40cを耐エッチング膜として、金属基板100に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板100の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板100として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板100の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム10には、端子部11、12の外周部や、各端子部11、12間の空隙部Sのように貫通した空間と、段部Dや、連結部13の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する(図2参照)。本実施形態では、金属基板100の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板100の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板100の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
段部Dに形成される凸部Tは、段部Dを形成するときに腐食液の噴射量を調整することによって形成される。具体的には、凸部Tに対応する部分に、レジストパターン40cを残すことにより、腐食液の噴射が届かず、凸部Tが形成される。エッチングが拡散律速になるように、例えば銅、銅合金、鉄、鉄合金の塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液でエッチングを行う。このとき、凸部Tに対応する部分のレジストパターン40cの幅を、エッチングされる深さのおよそ2倍程度とし、ほぼ等方性のエッチングとなるように腐食液の噴射を弱く行うと、図7(a)に示すように、凸部Tは、金属基板100の裏面よりも低くなるように形成される。
なお、異方性のエッチングとなるように腐食液の噴射を強く行うと、図7(b)に示すように、金属基板の厚みのまま凸部を残すことも可能である。
エッチング処理により金属基板100には、図6(c)に示すように、段部Dや凸部Tが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
段部Dに形成される凸部Tは、段部Dを形成するときに腐食液の噴射量を調整することによって形成される。具体的には、凸部Tに対応する部分に、レジストパターン40cを残すことにより、腐食液の噴射が届かず、凸部Tが形成される。エッチングが拡散律速になるように、例えば銅、銅合金、鉄、鉄合金の塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液でエッチングを行う。このとき、凸部Tに対応する部分のレジストパターン40cの幅を、エッチングされる深さのおよそ2倍程度とし、ほぼ等方性のエッチングとなるように腐食液の噴射を弱く行うと、図7(a)に示すように、凸部Tは、金属基板100の裏面よりも低くなるように形成される。
なお、異方性のエッチングとなるように腐食液の噴射を強く行うと、図7(b)に示すように、金属基板の厚みのまま凸部を残すことも可能である。
エッチング処理により金属基板100には、図6(c)に示すように、段部Dや凸部Tが形成された端子部11、12が形成され、金属基板100上にリードフレーム10が形成される。
次に、図6(d)に示すように、金属基板100(リードフレーム10)からレジストパターン40を除去する。
そして、図6(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2において、めっき層Cは省略されている。
そして、図6(e)に示すように、リードフレーム10が形成された金属基板100にめっき処理を行い、端子部11、12にめっき層Cを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Cを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Cを形成してもよい。
以上により、リードフレーム10は、図2に示すように、枠体Fに多面付けされた状態で製造される。なお、図2において、めっき層Cは省略されている。
次に、光半導体装置1の製造方法について説明する。
図8は、第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図9は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図9(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図9(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図9(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図9(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図9においては、1台の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100から複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図9(a)〜(d)は、それぞれ図6(a)の断面図に基づくものである。
図8は、第1実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図9は、第1実施形態の光半導体装置1の製造過程を説明する図である。
図9(a)は、光反射樹脂層20が形成されたリードフレーム10の断面図であり、図9(b)は、LED素子2が電気的に接続されたリードフレーム10の断面図を示す。図9(c)は、透明樹脂層30が形成されたリードフレーム10の断面図を示す。図9(d)は、ダイシングにより個片化された光半導体装置1の断面図を示す。
なお、図9においては、1台の光半導体装置1の製造過程について図示するが、実際には、1枚の金属基板100から複数の光半導体装置1が製造されるものとする。また、図9(a)〜(d)は、それぞれ図6(a)の断面図に基づくものである。
図9(a)に示すように、金属基板100上にエッチング加工により形成されたリードフレーム10の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層20を形成する。光反射樹脂層20は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形(射出成形)のように、樹脂成形金型にリードフレーム10(金属基板100)をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム10上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部11、12の外周側から段部Dや、連結部13の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部20aが形成され、リードフレーム10と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部20bが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図3(a)、図3(b)参照)。
以上により、図3に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Rが形成される。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部20bが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部11、12のLED端子面11a、12aを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部11、12のLED端子面11a、12aと、外部端子面11b、12bとが表出した状態となる(図3(a)、図3(b)参照)。
以上により、図3に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Rが形成される。
次に、図9(b)に示すように、端子部11のLED端子面11aに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してLED素子2を載置し、また、端子部12のLED端子面12aに、ボンディングワイヤ2aを介してLED素子2を電気的に接続する。ここで、LED素子2とボンディングワイヤ2aは複数あってもよく、一つのLED素子2に複数のボンディングワイヤ2aが接続されてもよく、ボンディングワイヤ2aをダイパッドに接続させてもよい。また、LED素子2を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ2aは、例えば、金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)等の導電性の良い材料からなる。
そして、図9(c)に示すように、リフレクタ樹脂部20bに囲まれたLED素子2を覆うようにして透明樹脂層30を形成する。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図8に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図9(d)に示すように、光半導体装置1の外形(図8の破線部参照)に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
透明樹脂層30は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図8に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図9(d)に示すように、光半導体装置1の外形(図8の破線部参照)に合わせて、光反射樹脂層20及び透明樹脂層30とともに、リードフレーム10の連結部13を切断(ダイシング、パンチング、カッティング等)して、1パッケージに分離(個片化)された光半導体装置1(図1参照)を得る。
次に、上述の図9(a)におけるリードフレーム10に光反射樹脂層20を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図10は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図10(a)は、金型の構成を説明する図であり、図10(b)〜図10(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図11は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図11(a)〜図11(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図10及び図11において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
図10は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図10(a)は、金型の構成を説明する図であり、図10(b)〜図10(i)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
図11は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図11(a)〜図11(c)は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図10及び図11において、説明を明確にするために、リードフレーム10の単体に対して光反射樹脂層20が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体MSに対して光反射樹脂層20が形成される。
(トランスファ成形)
トランスファ成形は、図10(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図10(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112の設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図10(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図10(d)及び図10(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
トランスファ成形は、図10(a)に示すように、上型111及び下型112等から構成される金型110を使用する。
まず、作業者は、上型111及び下型112を加熱した後、図10(b)に示すように、上型111と下型112との間にリードフレームの多面付け体MSを配置するとともに、下型112の設けられたポット部112aに光反射樹脂層20を形成する樹脂を充填する。
そして、図10(c)に示すように、上型111及び下型112を閉じて(型締め)、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図10(d)及び図10(e)に示すように、プランジャー113によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型110内へと充填(トランスファ)させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図10(f)及び図10(g)に示すように、上型111及び下型112を開き、上型111に設けられたイジェクターピン111aにより、上型111から光反射樹脂層20が成形されたリードフレームの多面付け体MSを取り外す。その後、図10(h)に示すように、上型111の流路(ランナー)部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図10(i)に示すように、光反射樹脂層20が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
(インジェクション成形)
インジェクション成形は、図11(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図11(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと樹脂が充填される。
インジェクション成形は、図11(a)に示すように、上から順に、ノズルプレート121、スプループレート122、ランナープレート123(上型)、下型124等から構成される金型120を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート123及び下型124間にリードフレームの多面付け体MSを配置して、金型120を閉じる(型締め)。
そして、図11(b)に示すように、ノズル125をノズルプレート121のノズル穴に配置して、光反射樹脂層20を形成する樹脂を金型120内に射出する。ノズル125から射出された樹脂は、スプループレート122のスプルー122aを通過し、ランナープレート123のランナー123a及びゲートスプルー123bを通過した上で、リードフレームの多面付け体MSが配置された金型120内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図11(c)に示すように、ランナープレート123を下型124から開き、下型124に設けられたイジェクターピン124aによって、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSを下型124から取り外す。そして、光反射樹脂層20が形成されたリードフレームの多面付け体MSから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Rが完成する。
電子線硬化樹脂を用いた場合には、形成された樹脂つきリードフレームの多面付け体Rに、リードフレームの表裏面側から低加速電圧の電子線の照射あるいは、片面から高加速電圧の電子線の照射を行うことで、樹脂の耐熱性を高めた高架橋の光反射樹脂層20を得ることができる。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型120は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体MSに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体MSの各リードフレーム10に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型120は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体MSに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体MSの各リードフレーム10に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Rを得ることができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
(1)リードフレーム10は、各端子部11、12の裏面の互いに対向する辺の外周に段部Dを設け、その段部Dの落ち込んだ領域に凸部Tを形成しているので、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填された場合に、段部Dに形成された樹脂が凸部Tの周囲にまで及び、端子部間に形成された樹脂と強固に結合する。また、リードフレーム10は、段部D及び凸部Tを備えることによって、端子部間において光反射樹脂層20との接触面積を大きくしているので、光反射樹脂層20と各端子部との密着性を向上させる。
そのため、リードフレーム10は、接合強度の弱い端子部間における光反射樹脂層20との結合強度を向上させることができ、端子部間における光反射樹脂層20との剥離の発生を抑制することができる。
これにより、端子部間における光半導体装置1の破損や、剥離した部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生を抑制することができる。また、光半導体装置1の製造時において、透明樹脂層30を形成する透明樹脂がリードフレーム10の裏面へ漏れ出してしまうのを防ぐことができる。
(1)リードフレーム10は、各端子部11、12の裏面の互いに対向する辺の外周に段部Dを設け、その段部Dの落ち込んだ領域に凸部Tを形成しているので、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填された場合に、段部Dに形成された樹脂が凸部Tの周囲にまで及び、端子部間に形成された樹脂と強固に結合する。また、リードフレーム10は、段部D及び凸部Tを備えることによって、端子部間において光反射樹脂層20との接触面積を大きくしているので、光反射樹脂層20と各端子部との密着性を向上させる。
そのため、リードフレーム10は、接合強度の弱い端子部間における光反射樹脂層20との結合強度を向上させることができ、端子部間における光反射樹脂層20との剥離の発生を抑制することができる。
これにより、端子部間における光半導体装置1の破損や、剥離した部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生を抑制することができる。また、光半導体装置1の製造時において、透明樹脂層30を形成する透明樹脂がリードフレーム10の裏面へ漏れ出してしまうのを防ぐことができる。
(2)リードフレーム10は、凸部Tの頂部T1が、端子部11、12の外部端子面11b、12bよりも低く形成されるので、光反射樹脂層20を形成する樹脂が充填された場合に、樹脂付きリードフレームの裏面から凸部Tの頂部T1が表出してしまうのを防ぐことができる。これにより、樹脂付きリードフレームの裏面の外観を良好に保つことができるため、外部機器の基板への実装時にはんだが濡れない問題や、はんだブリッジなどの実装上の問題を防ぐことができる。
また、リードフレーム10は、凸部Tの頂部T1が外部端子面11b、12bよりも低く形成されるので、流し込まれた樹脂が凸部Tの頂部T1上を通過することができ、凸部Tの周囲への樹脂の充填効率を向上させることができる。これにより、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。
また、リードフレーム10は、凸部Tの頂部T1が外部端子面11b、12bよりも低く形成されるので、流し込まれた樹脂が凸部Tの頂部T1上を通過することができ、凸部Tの周囲への樹脂の充填効率を向上させることができる。これにより、光半導体装置の製造効率を向上させることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図12は、第2実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。図12(a)、図12(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図12(c)、図12(d)は、それぞれ図12(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図12は、第2実施形態のリードフレームの多面付け体MSの詳細を説明する図である。図12(a)、図12(b)は、それぞれリードフレームの多面付け体MSの平面図、裏面図を示し、図12(c)、図12(d)は、それぞれ図12(a)のc−c断面図、d−d断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第1実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第2実施形態のリードフレーム210は、端子部211、212に設けられる凸部Tの形状が第1実施形態と相違する。
各端子部211、212が互いに対向する辺に形成される段部Dは、図12に示すように、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。
凸部Tは、図12(b)に示すように、各端子部が互いに対向する辺に沿うようにして、各端子部の段部Dに4つずつ均等に形成されている。
各端子部211、212が互いに対向する辺に形成される段部Dは、図12に示すように、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。
凸部Tは、図12(b)に示すように、各端子部が互いに対向する辺に沿うようにして、各端子部の段部Dに4つずつ均等に形成されている。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム210は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレーム210は、段部Dに設けられた凸部Tが、端子部間の互いに対向する辺に沿って、各端子部に4つずつ形成されているので、樹脂が充填された場合に、凸部Tの周囲に、第1実施形態の場合よりも効率よく樹脂を充填させることができる。
また、リードフレーム210は、段部Dに設けられた凸部Tが、端子部間の互いに対向する辺に沿って、各端子部に4つずつ形成されているので、樹脂が充填された場合に、凸部Tの周囲に、第1実施形態の場合よりも効率よく樹脂を充填させることができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図13は、第3実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図13(a)は、リードフレーム310の端子部間の詳細を示す図であり、図4(a)に対応する図である。図13(b)は、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す図であり、図4(b)に対応する図である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図13は、第3実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図13(a)は、リードフレーム310の端子部間の詳細を示す図であり、図4(a)に対応する図である。図13(b)は、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す図であり、図4(b)に対応する図である。
第3実施形態のリードフレーム310は、段部D及び凸部Tの形成される位置が第1実施形態と相違する。
端子部311、312は、図13(a)に示すように、それぞれの表面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
段部Dは、リードフレーム310の表面側から見て、各端子部311、312のLED端子面311a、312aから落ち込んでいる。換言すれば、端子部311、312の厚みと比較して1/3〜2/3程度に形成されている。
各端子部311、312が互いに対向する辺に形成される段部Dは、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。
凸部Tは、各端子部の表面側から見て、その頂部T1が、各端子部311、312の表面側に形成されるLED端子面311a、312aよりも低くなるように形成されている。
端子部311、312は、図13(a)に示すように、それぞれの表面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
段部Dは、リードフレーム310の表面側から見て、各端子部311、312のLED端子面311a、312aから落ち込んでいる。換言すれば、端子部311、312の厚みと比較して1/3〜2/3程度に形成されている。
各端子部311、312が互いに対向する辺に形成される段部Dは、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。
凸部Tは、各端子部の表面側から見て、その頂部T1が、各端子部311、312の表面側に形成されるLED端子面311a、312aよりも低くなるように形成されている。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム310は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレーム310は、各端子部の表面側に段部D及び凸部Tが形成されているので、図13(b)に示すように、樹脂が充填された場合に、樹脂付きリードフレームの裏面側に設けられる外部端子面311b、312bの面積を第1実施形態の場合に比べ広くすることができる。これにより、外部機器に対する接合面積を広くすることができるので、製造された光半導体装置を外部機器に対してより確実に接合することができる。
また、リードフレーム310は、各端子部の表面側に段部D及び凸部Tが形成されているので、図13(b)に示すように、樹脂が充填された場合に、樹脂付きリードフレームの裏面側に設けられる外部端子面311b、312bの面積を第1実施形態の場合に比べ広くすることができる。これにより、外部機器に対する接合面積を広くすることができるので、製造された光半導体装置を外部機器に対してより確実に接合することができる。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
図14は、第4実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図14(a)は、リードフレーム410の端子部間の詳細を示す図であり、図4(a)に対応する図である。図14(b)は、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す図であり、図4(b)に対応する図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
図14は、第4実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図14(a)は、リードフレーム410の端子部間の詳細を示す図であり、図4(a)に対応する図である。図14(b)は、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す図であり、図4(b)に対応する図である。
第4実施形態のリードフレーム410は、段部D及び凸部Tの形成される位置が裏面だけでなく表面側にも形成されている点で第1実施形態と相違する。
端子部411、412は、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。また、端子部411、412は、図14(a)に示すように、その表面側の互いに対向する辺の外周部にも段部Dが設けられている。
表面側の段部Dは、リードフレーム410の表面側から見て、各端子部411、412のLED端子面411a、412aから落ち込んでいる。換言すれば、端子部411、412の厚みと比較して1/3程度に形成されている。また、裏面側の段部Dは、リードフレーム410の裏面側から見て、各端子部の互いに対向する辺の外周から落ち込んでいる。換言すれば、端子部411、412の厚みと比較して1/3程度に形成されている。
端子部411、412は、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。また、端子部411、412は、図14(a)に示すように、その表面側の互いに対向する辺の外周部にも段部Dが設けられている。
表面側の段部Dは、リードフレーム410の表面側から見て、各端子部411、412のLED端子面411a、412aから落ち込んでいる。換言すれば、端子部411、412の厚みと比較して1/3程度に形成されている。また、裏面側の段部Dは、リードフレーム410の裏面側から見て、各端子部の互いに対向する辺の外周から落ち込んでいる。換言すれば、端子部411、412の厚みと比較して1/3程度に形成されている。
各端子部411、412が互いに対向する辺に形成される各段部Dには、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tがそれぞれ形成されている。
各端子部の表面側に形成された凸部Tは、表面側から見て、その頂部T1が、各端子部411、412の表面側に形成されるLED端子面411a、412aよりも低くなるように形成されている。同様に、各端子部の裏面側に形成された凸部Tは、裏面側から見て、その頂部T1が、各端子部411、412の裏面側に形成される外部端子面411b、412bよりも低くなるように形成されている。
各端子部の表面側に形成された凸部Tは、表面側から見て、その頂部T1が、各端子部411、412の表面側に形成されるLED端子面411a、412aよりも低くなるように形成されている。同様に、各端子部の裏面側に形成された凸部Tは、裏面側から見て、その頂部T1が、各端子部411、412の裏面側に形成される外部端子面411b、412bよりも低くなるように形成されている。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム410は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様の効果を奏することができる。
特に、リードフレーム410は、その表裏面に段部D及び凸部Tが形成されているので、第1実施形態の場合に比べ、光反射樹脂層420をより強力に結合することができ、剥離抑制効果を向上させる。
また、リードフレーム410は、各端子部の互いに対向する辺の外周部の表裏面に段部Dが形成されているので、樹脂が充填された場合に、図14(b)に示すように、光反射樹脂層420が各端子部を挟み込むように形成することができる。これにより、リードフレーム410は、その厚み方向において光反射樹脂層20が剥離してしまうのを抑制することができる。
特に、リードフレーム410は、その表裏面に段部D及び凸部Tが形成されているので、第1実施形態の場合に比べ、光反射樹脂層420をより強力に結合することができ、剥離抑制効果を向上させる。
また、リードフレーム410は、各端子部の互いに対向する辺の外周部の表裏面に段部Dが形成されているので、樹脂が充填された場合に、図14(b)に示すように、光反射樹脂層420が各端子部を挟み込むように形成することができる。これにより、リードフレーム410は、その厚み方向において光反射樹脂層20が剥離してしまうのを抑制することができる。
(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
図15は、第5実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図15(a)は、リードフレーム510の端子部間の詳細を示す図であり、図4(a)に対応する図である。図15(b)は、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す図であり、図4(b)に対応する図である。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
図15は、第5実施形態のリードフレーム及び樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を説明する図である。図15(a)は、リードフレーム510の端子部間の詳細を示す図であり、図4(a)に対応する図である。図15(b)は、樹脂付きリードフレームの端子部間の詳細を示す図であり、図4(b)に対応する図である。
第5実施形態のリードフレーム510は、端子部512にのみ凸部Tが形成される点で第1実施形態と相違する。
端子部511は、端子部512と対向する辺を除いた外周部の裏面側に厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
端子部512は、その裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
段部Dは、リードフレーム510の裏面側から見て、各端子部511、512のLED端子面511a、512aから落ち込んでいる。換言すれば、端子部511、512の厚みと比較して1/3〜2/3程度に形成されている。
端子部512の端子部511と対向する辺に形成される段部Dには、図15(a)に示すように、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。
凸部Tは、端子部512の裏面側から見て、その頂部T1が、端子部512の裏面側に形成される外部端子面512bよりも低くなるように形成されている。
また、リードフレーム510が上述のハーフエッチング処理により形成されるので、端子部511の端子部512と対向する辺の外周側面は、平坦とならず、外周側面から突出する突出部Uが形成される。また、リードフレーム510の各端子部と他のリードフレーム510の各端子部とを接続する連結部の側面にも突出部Uが形成される。
端子部511は、端子部512と対向する辺を除いた外周部の裏面側に厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
端子部512は、その裏面側の外周部に、厚みの薄くなる段部Dが設けられている。
段部Dは、リードフレーム510の裏面側から見て、各端子部511、512のLED端子面511a、512aから落ち込んでいる。換言すれば、端子部511、512の厚みと比較して1/3〜2/3程度に形成されている。
端子部512の端子部511と対向する辺に形成される段部Dには、図15(a)に示すように、他の部位に比べ、その幅が広く形成されており、その落ち込んだ領域から突出する凸部Tが形成されている。
凸部Tは、端子部512の裏面側から見て、その頂部T1が、端子部512の裏面側に形成される外部端子面512bよりも低くなるように形成されている。
また、リードフレーム510が上述のハーフエッチング処理により形成されるので、端子部511の端子部512と対向する辺の外周側面は、平坦とならず、外周側面から突出する突出部Uが形成される。また、リードフレーム510の各端子部と他のリードフレーム510の各端子部とを接続する連結部の側面にも突出部Uが形成される。
以上の構成により、本実施形態のリードフレーム510は、上述の第1実施形態のリードフレーム10と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレーム510は、端子部511の端子部512と対向する辺の外周側面と、連結部の側面とに突出部Uが形成されるので、図15(b)に示すように樹脂が充填された場合に、各端子部間に形成される樹脂が、段部Dだけでなく、突出部Uを挟み込むようにして充填されるので、形成されたフレーム樹脂部が、リードフレーム510の表裏面から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム510は、端子部511の端子部512と対向する辺の外周側面と、連結部の側面とに突出部Uが形成されるので、図15(b)に示すように樹脂が充填された場合に、各端子部間に形成される樹脂が、段部Dだけでなく、突出部Uを挟み込むようにして充填されるので、形成されたフレーム樹脂部が、リードフレーム510の表裏面から剥離してしまうのを抑制することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
(変形形態)
(1)各実施形態において、リードフレーム10は、凸部Tを、各端子部の互いに対向する辺に設けられた段部Dにのみ設ける例を説明したが、これに限定されるものでなく、各端子部の互いに対向する辺以外に設けられた段部Dにも凸部Tを形成するようにしてもよい。例えば、凸部Tは、各端子部に形成される段部Dの落ち込んだ領域の全周に渡って設けるようにしてもよい。これにより、リードフレームの多面付け体MSは、樹脂が流し込まれた場合に、端子部間の光反射樹脂層だけでなく、リードフレームの外周部の光反射樹脂層に対しても、各端子部と強固に結合させることができる。
(1)各実施形態において、リードフレーム10は、凸部Tを、各端子部の互いに対向する辺に設けられた段部Dにのみ設ける例を説明したが、これに限定されるものでなく、各端子部の互いに対向する辺以外に設けられた段部Dにも凸部Tを形成するようにしてもよい。例えば、凸部Tは、各端子部に形成される段部Dの落ち込んだ領域の全周に渡って設けるようにしてもよい。これにより、リードフレームの多面付け体MSは、樹脂が流し込まれた場合に、端子部間の光反射樹脂層だけでなく、リードフレームの外周部の光反射樹脂層に対しても、各端子部と強固に結合させることができる。
(2)第2実施形態において、凸部Tは、各端子部が互いに対向する辺に沿うようにして、各端子部の段部Dに4つずつ均等に形成されている例を示したが、これに限定されない。例えば、凸部Tは、各端子部の外形寸法に応じて、各段部Dに2つずつ設けたり、3つずつ設けたり、5つずつ以上設けたりしてもよい。
また、第1実施形態、第3実施形態、第4実施形態において、凸部Tを複数個に分けて形成するようにしてもよい。
(3)第2実施形態から第4実施形態においても、リードフレームは、第1実施形態と同様に、カップ型のリードフレームだけでなく、フラット型のリードフレームに適用してもよい。
また、第1実施形態、第3実施形態、第4実施形態において、凸部Tを複数個に分けて形成するようにしてもよい。
(3)第2実施形態から第4実施形態においても、リードフレームは、第1実施形態と同様に、カップ型のリードフレームだけでなく、フラット型のリードフレームに適用してもよい。
(4)各実施形態においては、リードフレーム10は、端子部11及び端子部12を備える例を示したが、リードフレームは、3以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を3つ設け、その1つにはLED素子2を実装し、他の2つにはボンディングワイヤ2aを介してLED素子2と接続してもよい。この場合、それぞれの端子部の互いに対向する辺の外周部に段部Dを設けることにより、上述の実施形態と同様に、端子部間における、各端子部と光反射樹脂層との剥離に発生を抑制することができる。
(5)各実施形態において、リードフレーム10は、LED素子2を載置、接続するダイパッドとなる端子部11と、LED素子2とボンディングワイヤ2aを介して接続されるリード側端子部となる端子部12とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、LED素子2が2つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、2つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
(6)各実施形態においては、リードフレーム10は、LED素子2等の光半導体素子を接続する光半導体装置1に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
(6)各実施形態においては、リードフレーム10は、LED素子2等の光半導体素子を接続する光半導体装置1に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。
1 光半導体装置
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a フレーム樹脂部
20b リフレクタ樹脂部
30 透明樹脂層
D 段部
F 枠体
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部
T 凸部
2 LED素子
10 リードフレーム
11 端子部
12 端子部
13 連結部
20 光反射樹脂層
20a フレーム樹脂部
20b リフレクタ樹脂部
30 透明樹脂層
D 段部
F 枠体
MS リードフレームの多面付け体
R 樹脂付きリードフレームの多面付け体
S 空隙部
T 凸部
Claims (9)
- 表面及び裏面に端子面を設けた複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
前記端子部のうち少なくとも一の端子部は、その表面及び裏面の少なくとも一方の面であり他の端子部に対向する辺の外周に、その端子面の外周縁から落ち込むように形成された段部を有し、
前記段部は、その落ち込んだ領域から突出する凸部を有すること、
を特徴とするリードフレーム。 - 請求項1に記載のリードフレームにおいて、
前記凸部は、その頂部が、前記端子面よりも低く形成されること、
を特徴とするリードフレーム。 - 請求項1又は請求項2に記載のリードフレームにおいて、
前記凸部は、前記端子部間の互いに対向する辺に沿って複数個形成されていること、
を特徴とするリードフレーム。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリードフレームと、
前記リードフレームの前記端子部の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層と、
を備える樹脂付きリードフレーム。 - 請求項4に記載の樹脂付きリードフレームにおいて、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のリードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 - 請求項4又は請求項5に記載の樹脂付きリードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項4又は請求項5に記載の樹脂付きリードフレームと、
前記樹脂付きリードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層と、
を備える光半導体装置。 - 請求項8に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013070100A JP2015038917A (ja) | 2013-03-28 | 2013-03-28 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200121686A (ko) * | 2019-04-16 | 2020-10-26 | 주식회사 코스텍시스 | 고방열 플라스틱 큐에프엔 패키지 |
WO2022113661A1 (ja) * | 2020-11-30 | 2022-06-02 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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-
2013
- 2013-03-28 JP JP2013070100A patent/JP2015038917A/ja active Pending
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