JP6311240B2 - 樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子を実装する樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体に関するものである。
従来、ＬＥＤ素子等の半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような半導体装置は、枠体に多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、使用されるリードフレームの多面付け体は、銅などの導電性のある金属材料から形成され、また、その表面及び裏面にはめっき層が形成されている。リードフレームの多面付け体や樹脂つきリードフレームの多面付け体は、半導体装置の製造工程において、搬送装置の治具により搬送されたり、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納されたりする場合があり、枠体の裏面や外周側面に表出する金属面と、治具や収納ケースのレールとが摩擦接触し、金属粉が発生してしまう場合があった。このようなリードフレームの多面付け体は、エッチング加工により形成された場合、枠体の裏面や外周側面から突出する凸部が形成されてしまう場合がある。このような場合には、特に、この凸部が最もレール等に接触しやすいため、摩擦接触により削れてより多くの金属粉が発生してしまう。
この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、半導体素子を適正に作動させることができない等の不具合を有する半導体装置が製造されてしまう要因となっていた。
このような半導体装置は、枠体に多面付けされたリードフレーム（リードフレームの多面付け体）に樹脂層を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体を作製し、半導体素子を電気的に接続し、透明樹脂層を形成して、パッケージ単位に切断することによって同時に複数製造される。
ここで、使用されるリードフレームの多面付け体は、銅などの導電性のある金属材料から形成され、また、その表面及び裏面にはめっき層が形成されている。リードフレームの多面付け体や樹脂つきリードフレームの多面付け体は、半導体装置の製造工程において、搬送装置の治具により搬送されたり、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納されたりする場合があり、枠体の裏面や外周側面に表出する金属面と、治具や収納ケースのレールとが摩擦接触し、金属粉が発生してしまう場合があった。このようなリードフレームの多面付け体は、エッチング加工により形成された場合、枠体の裏面や外周側面から突出する凸部が形成されてしまう場合がある。このような場合には、特に、この凸部が最もレール等に接触しやすいため、摩擦接触により削れてより多くの金属粉が発生してしまう。
この金属粉がリードフレームの端子部に付着すると、端子部間を短絡させてしまう場合があり、半導体素子を適正に作動させることができない等の不具合を有する半導体装置が製造されてしまう要因となっていた。
本発明の課題は、枠体の裏面や外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができるリードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体を提供することである。
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
第１の発明は、半導体素子（２）が表面に接続されるリードフレーム（１０）が、枠体（Ｆ）に多面付けされたリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体は、その外周側面及び裏面の少なくともいずれかの面から突出する凸部（Ｔ）を有し、前記枠体の凸部を覆うようにして形成される枠体樹脂部（１４）を備えること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、硬化性樹脂で形成されていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、その樹脂のショア硬さ（Ｄ形、ＪＩＳ Ｚ２２４６）が５０ＨＳＤ以上で形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、外部に表出する面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１）が、１０μｍ以上７００μｍ以下で形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれか１項に記載のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、前記リードフレーム（１０）の色とは異なる色で形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第２の発明は、第１の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、硬化性樹脂で形成されていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、その樹脂のショア硬さ（Ｄ形、ＪＩＳ Ｚ２２４６）が５０ＨＳＤ以上で形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、外部に表出する面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１）が、１０μｍ以上７００μｍ以下で形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれか１項に記載のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、前記リードフレーム（１０）の色とは異なる色で形成されること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。
第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかに記載のリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレーム（１０）の外周側面に形成されるフレーム樹脂部（２０ａ）を有する樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）である。
第７の発明は、第６の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の前記半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ｂ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第８の発明は、第６の発明又は第７の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、前記リードフレーム（１０）及び前記樹脂層（２０）の色とは異なる色で形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第７の発明は、第６の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の前記半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ｂ）を有すること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第８の発明は、第６の発明又は第７の発明の樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）において、前記枠体樹脂部（１４）は、前記リードフレーム（１０）及び前記樹脂層（２０）の色とは異なる色で形成されること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。
第９の発明は、第６の発明から第８の発明までのいずれかの樹脂付きリードフレームの多面付け体（Ｒ）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）に接続される半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）と、を備える半導体装置の多面付け体である。
第１０の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかのリードフレームの多面付け体（ＭＳ）と、前記リードフレームの多面付け体の前記各リードフレーム（１０）に接続される半導体素子（８０２）と、前記リードフレームの外周側面に形成され、また、前記リードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う樹脂層（８２０）と、を備える半導体装置の多面付け体である。
本発明によれば、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、半導体装置の多面付け体は、枠体の裏面や外周側面から金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、それぞれ光半導体装置１の平面図、側面図、裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、右側面図、裏面図を示す。
図３は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示す。図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。図３（ｅ）は、図３（ｄ）のｅ部詳細図を示す。
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、それぞれ光半導体装置１の平面図、側面図、裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、右側面図、裏面図を示す。
図３は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示す。図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。図３（ｅ）は、図３（ｄ）のｅ部詳細図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図５は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを収納する収納ケース５０を示す概略図である。図５（ａ）は、収納ケース５０にリードフレームＭＳが収納される状態を示す図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のｂ部詳細図である。
各図において、光半導体装置１、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
図５は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳを収納する収納ケース５０を示す概略図である。図５（ａ）は、収納ケース５０にリードフレームＭＳが収納される状態を示す図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のｂ部詳細図である。
各図において、光半導体装置１、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。
光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図３（ａ）参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図３（ａ）参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図４参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。本実施形態では、図２に示すように、縦横に複数個、連結部によって連結されたリードフレーム１０の集合体Ｇを、複数組（本実施形態では４組）、左右方向に配列させて枠体Ｆ内に形成したものである。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳに光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。枠体Ｆの裏面側の外周縁には、図３に示すように、その外周側面から突出する凸部Ｔが形成されている。
この凸部Ｔは、後述のエッチング加工によって、金属基板からリードフレームの多面付け体ＭＳが形成された場合に、枠体Ｆの外周側面に形成されるものであり、その加工特性から、図３（ｅ）に示すように、凸部Ｔの先端は鋭く尖る場合がある。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳに光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填されることによって、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
枠体Ｆは、リードフレーム１０の集合体Ｇ毎に、リードフレーム１０を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。枠体Ｆの裏面側の外周縁には、図３に示すように、その外周側面から突出する凸部Ｔが形成されている。
この凸部Ｔは、後述のエッチング加工によって、金属基板からリードフレームの多面付け体ＭＳが形成された場合に、枠体Ｆの外周側面に形成されるものであり、その加工特性から、図３（ｅ）に示すように、凸部Ｔの先端は鋭く尖る場合がある。
ここで、リードフレームの多面付け体ＭＳは、次の工程に備えて、複数枚、所定の間隔で積層する収納ケースに収納されたり、所定の治具等に配置されたりする場合があり、その場合、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔや裏面が、収納ケースのレールや治具等に接触することがある。ここで、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔや裏面は、金属部分が表出しているため、リードフレームの多面付け体ＭＳは、その収納時や治具等への配置時に、枠体Ｆと、レールや治具等とが摩擦接触し、枠体Ｆから金属粉が発生してしまう場合があった。特に、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔは、上述したようにその先端部が鋭く尖っているため、レール等に接触した場合、より多くの金属粉が発生してしまうおそれがある。
この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部１１、１２間を短絡させてしまう場合があり、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまう要因となっていた。
この金属粉がリードフレームに付着すると、端子部１１、１２間を短絡させてしまう場合があり、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまう要因となっていた。
そこで、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳには、枠体Ｆの凸部Ｔを含む外周側面と、枠体Ｆの裏面の外周縁及びその近傍とを覆うようにして枠体樹脂部１４が形成される。
枠体樹脂部１４が、枠体Ｆの外周側面及び枠体Ｆの裏面に形成されることによって、枠体Ｆの金属部がレール等と直接接触するのを防ぐことができ、上述の金属粉の発生を防止する。本実施形態では、リードフレームの多面付け体ＭＳの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置方向が、枠体Ｆの長辺と平行な方向であるので、枠体樹脂部１４は、枠体Ｆの長辺側の外周側面及び裏面に形成される。より具体的には、枠体樹脂部１４は、枠体Ｆの長辺に沿うようにして、枠体Ｆの外周側面の全面及び裏面の外周縁側の面に形成されている。
枠体樹脂部１４が、枠体Ｆの外周側面及び枠体Ｆの裏面に形成されることによって、枠体Ｆの金属部がレール等と直接接触するのを防ぐことができ、上述の金属粉の発生を防止する。本実施形態では、リードフレームの多面付け体ＭＳの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置方向が、枠体Ｆの長辺と平行な方向であるので、枠体樹脂部１４は、枠体Ｆの長辺側の外周側面及び裏面に形成される。より具体的には、枠体樹脂部１４は、枠体Ｆの長辺に沿うようにして、枠体Ｆの外周側面の全面及び裏面の外周縁側の面に形成されている。
これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳは、図５に示すように、収納ケース５０に収納されたとしても、枠体Ｆの外周側面に形成された枠体樹脂部１４が、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔとレール５１の側面との摩擦接触を防ぎ、凸部Ｔを要因とした金属粉の発生を防ぐことができる。また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体Ｆの裏面側に形成された枠体樹脂部１４により、レール５１の表面と枠体Ｆの裏面の金属面との摩擦接触による金属粉の発生も防ぐことができる。同様に、リードフレームの多面付け体ＭＳは、治具等に配置された場合においても、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔや裏面から金属粉を発生してしまうのを防止することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒや、ＬＥＤ素子２が接続され、透明樹脂層３０が形成された光半導体装置の多面付け体（図８参照）を収納ケース５０に収納したり、治具等に配置したりする場合においても、同様に枠体Ｆの凸部Ｔや裏面の摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。
以上より、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ、及び、光半導体装置の多面付け体は、上述したような不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを回避することができる。
以上より、リードフレームの多面付け体ＭＳ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ、及び、光半導体装置の多面付け体は、上述したような不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを回避することができる。
枠体樹脂部１４は、上記収納ケースのレール等の摩擦接触によりレール側等が削れて金属粉を発生させないようにするために、金属より磨耗しやすい樹脂で形成されている。また、枠体樹脂部１４は、枠体Ｆと十分な密着性を確保するために、樹脂中に反応性の官能基を有する硬化性樹脂を使用することが望ましい。ここで、硬化性樹脂とは、液状の樹脂を加熱したり、光を照射したりすることによって硬化する樹脂をいい、例えば、熱硬化性樹脂や、光硬化性樹脂（ＵＶ硬化性樹脂）等をいう。
更に、枠体樹脂部１４は、耐熱性のある樹脂を使用することが望ましく、例えば、荷重たわみ温度（ＪＩＳＫ７２０７−１９８３）が１８０度以上であることが望ましい。これは、光半導体装置１の製造過程において、リードフレームの多面付け体ＭＳにＬＥＤ素子２をワイヤボンディングや、ダイボンディングにより接合したり、半田による狭小接合をしたりしてリードフレームの多面付け体ＭＳが加熱されてしまう場合がある。この場合において、枠体樹脂部１４に耐熱性のある樹脂が使用されていれば、枠体Ｆに加わる熱によって枠体樹脂部１４が軟化し、リードフレームの多面付け体ＭＳがレールや治具等に対して滑りにくくなるのを回避することができる。
本実施形態では、枠体樹脂部１４は、耐熱特性の優れた熱硬化性樹脂であるポリイミドにより形成されている。また、枠体樹脂部１４には、ポリイミドのほか、熱硬化性樹脂として、エポキシや、アクリル、ポリアミド等を用いることも可能である。
また、枠体樹脂部１４は、光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、アクリルや、ゴム、ゼラチンやカゼイン等のたんぱく質、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などを使用することも可能である。
また、枠体樹脂部１４は、光硬化性樹脂を用いる場合、例えば、アクリルや、ゴム、ゼラチンやカゼイン等のたんぱく質、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などを使用することも可能である。
枠体樹脂部１４は、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０とは異なる色に着色されている。こうすることで、枠体Ｆがレール等に摩擦接触して枠体樹脂部１４が削れてしまった場合に、その削れた樹脂粉がリードフレーム１０や光反射樹脂層２０の上に付着したとしても、その樹脂粉を容易に発見して除去することができる。
また、枠体樹脂部１４は、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０の色とはコントラストの差が大きい色で着色されていることが望ましい。例えば、リードフレーム１０の色が銀色であり、光反射樹脂層２０の色が白色である場合、枠体樹脂部１４の色は、黒色で着色されていることが望ましい。これにより、枠体樹脂部１４から削れた樹脂粉が、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０上に付着した場合に、その樹脂粉を、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０上から目立たせることができ、樹脂粉の発見を更に容易にすることができる。
なお、枠体樹脂部１４の着色は、硬化性樹脂に所定の色の顔料を混ぜることによって行われる。
また、枠体樹脂部１４は、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０の色とはコントラストの差が大きい色で着色されていることが望ましい。例えば、リードフレーム１０の色が銀色であり、光反射樹脂層２０の色が白色である場合、枠体樹脂部１４の色は、黒色で着色されていることが望ましい。これにより、枠体樹脂部１４から削れた樹脂粉が、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０上に付着した場合に、その樹脂粉を、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０上から目立たせることができ、樹脂粉の発見を更に容易にすることができる。
なお、枠体樹脂部１４の着色は、硬化性樹脂に所定の色の顔料を混ぜることによって行われる。
枠体樹脂部１４は、その樹脂の硬さが、ショア硬さ（Ｄ形、ＪＩＳ Ｚ２２４６）で５０ＨＳＤ以上であることが望ましく、また、７０ＨＳＤ以上であることがより好ましい。このように樹脂の硬さを特定の硬さ以上に規定することで、樹脂が柔らかいことによって枠体樹脂部１４が収納ケースのレールや治具等に対して滑りにくくなってしまうのを防ぐことができる。
また、枠体樹脂部１４は、その外部に表出する面、すなわち、レールや治具等と接触する面が鏡面ではなく、表面粗さ（算術平均粗さＲａ、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１）が、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが望ましい。このように表面粗さを規定することによって、収納ケースのレール等に対して、表面粗さ分の空隙を設けることができるため、摩擦力が減少し、枠体樹脂部１４を滑りやすくすることができる。
また、枠体樹脂部１４は、その外部に表出する面、すなわち、レールや治具等と接触する面が鏡面ではなく、表面粗さ（算術平均粗さＲａ、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１）が、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが望ましい。このように表面粗さを規定することによって、収納ケースのレール等に対して、表面粗さ分の空隙を設けることができるため、摩擦力が減少し、枠体樹脂部１４を滑りやすくすることができる。
リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図３に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。
端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図６（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図６（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。
端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その窪みの厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図１１参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。
具体的には、連結部１３ａは、図３（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいう。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｄが設けられることによって、リードフレームの多面付け体ＭＳは、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２が枠体Ｆに対して捩れたりするのを抑制することができる。また、連結部１３ｄは、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上させることができ、空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。
なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図３（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
連結部１３は、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面（窪んだ部分）と略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｂ）〜図４（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。
光反射樹脂層２０は、図４に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、リードフレーム１０の外周側面（端子部１１、１２の外周側面及び端子部間の空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
フレーム樹脂部２０ａは、リードフレーム１０の外周側面（端子部１１、１２の外周側面及び端子部間の空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凹部Ｍや、連結部１３の裏面にも形成される。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ樹脂部２０ｂは、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図６（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図６（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図６（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図６（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図６においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
図６は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図６（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図６（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図６（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図６（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図６においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。
リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図６（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。
ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図６（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上に枠体Ｆに多面付けされたリードフレーム１０が形成される。このとき、枠体Ｆには、その外周側面から突出した凸部Ｔが形成される（図３（ｅ）参照）。
エッチング処理により金属基板１００には、図６（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上に枠体Ｆに多面付けされたリードフレーム１０が形成される。このとき、枠体Ｆには、その外周側面から突出した凸部Ｔが形成される（図３（ｅ）参照）。
次に、図６（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２及び図３において、めっき層Ｃは省略されている。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２及び図３に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２及び図３において、めっき層Ｃは省略されている。
次に枠体樹脂部１４の形成方法について説明する。
本実施形態では、まずリードフレームの多面付け体ＭＳを搬送装置に配置して長手方向（Ｘ方向）に移動させる。そして、長手方向に移動するリードフレームの多面付け体ＭＳの枠体Ｆの凸部Ｔを含む外周側面及び裏面に対して、ノズルから枠体樹脂部１４を形成する熱硬化性樹脂を噴出させて塗布（コーティング）する。
それから、リードフレームの多面付け体ＭＳ（枠体Ｆ）を所定の温度で加熱して、枠体Ｆに塗布された熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、枠体Ｆの外周側面及び裏面には、図３（ｅ）に示すように、枠体樹脂部１４が形成される。
本実施形態では、まずリードフレームの多面付け体ＭＳを搬送装置に配置して長手方向（Ｘ方向）に移動させる。そして、長手方向に移動するリードフレームの多面付け体ＭＳの枠体Ｆの凸部Ｔを含む外周側面及び裏面に対して、ノズルから枠体樹脂部１４を形成する熱硬化性樹脂を噴出させて塗布（コーティング）する。
それから、リードフレームの多面付け体ＭＳ（枠体Ｆ）を所定の温度で加熱して、枠体Ｆに塗布された熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、枠体Ｆの外周側面及び裏面には、図３（ｅ）に示すように、枠体樹脂部１４が形成される。
なお、枠体樹脂部１４の形成方法は、上記コーティングによる方法に限られない。例えば、枠体Ｆ上に感光性のある光硬化性樹脂から構成されるドライフィルムレジストを貼付したり、ソルダーレジストを塗布したりして、所定のフォトマスクを介して光を照射することによって枠体樹脂部１４を作製する、いわゆるフォトファブリケーションの技法により形成してもよい。この形成方法の場合、枠体樹脂部１４の厚み寸法の精度や、枠体Ｆに対する枠体樹脂部１４の配置位置の精度を、上述のコーティングの場合よりも向上させることができる。
また、枠体Ｆの枠体樹脂部１４を形成する部分を、容器内に溜めた硬化性樹脂に漬け込み、その後に加熱や光の照射によって硬化性樹脂を硬化させるようにして、枠体樹脂部１４を形成してもよい。この場合、枠体樹脂部１４の形成をより簡易に行うことができる。
また、枠体Ｆの枠体樹脂部１４を形成する部分を、容器内に溜めた硬化性樹脂に漬け込み、その後に加熱や光の照射によって硬化性樹脂を硬化させるようにして、枠体樹脂部１４を形成してもよい。この場合、枠体樹脂部１４の形成をより簡易に行うことができる。
次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。
図８は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。
図８は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
まず、図７（ａ）に示すように、リードフレームの多面付け体のリードフレーム１０の外周側面（端子部１１、１２の外周側面及び端子部間の空隙部Ｓ）に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側面から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２０ｂが、リードフレーム１０の表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。
これにより、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳは、その表面及び裏面に、それぞれ各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。
以上により、図４に示す樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
これにより、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳは、その表面及び裏面に、それぞれ各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。
以上により、図４に示す樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。
次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図７（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図８に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図８中の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図８に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図８中の破線）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
次に、上述の図７（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図９は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図９（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図９（ｂ）〜図９（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１０は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図９及び図１０において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。
図９は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図９（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図９（ｂ）〜図９（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１０は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図９及び図１０において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。
（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図９（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図９（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図９（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図９（ｄ）及び図９（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
トランスファ成形は、図９（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図９（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図９（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図９（ｄ）及び図９（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。
所定の時間の経過後、図９（ｆ）及び図９（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図９（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図９（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。
（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図１０（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１０（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。
インジェクション成形は、図１０（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１０（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。
樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図１０（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。
なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。
本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレームの多面付け体は、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔを覆う枠体樹脂部１４を備えるので、凸部Ｔの金属部分と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、リードフレームの多面付け体は、金属粉が端子部１１、１２間を短絡させ、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを回避することができる。
また、リードフレームの多面付け体は、枠体Ｆの裏面にも枠体樹脂部１４が形成されているので、枠体Ｆの裏面の金属面と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。
（１）リードフレームの多面付け体は、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔを覆う枠体樹脂部１４を備えるので、凸部Ｔの金属部分と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、リードフレームの多面付け体は、金属粉が端子部１１、１２間を短絡させ、ＬＥＤ素子２を発光させることができない等の不具合を有する光半導体装置１が製造されてしまうのを回避することができる。
また、リードフレームの多面付け体は、枠体Ｆの裏面にも枠体樹脂部１４が形成されているので、枠体Ｆの裏面の金属面と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。
（２）枠体樹脂部１４は、硬化性樹脂として熱硬化性樹脂により形成されているので、枠体Ｆと枠体樹脂部１４との密着性を良好にし、かつ、枠体樹脂部１４の形成を容易にすることができる。
（３）枠体樹脂部１４は、ショア硬さ（Ｄ形、ＪＩＳ Ｚ２２４６）が５０ＨＳＤ以上に形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースのレールや治具等に載置された場合に、枠体樹脂部１４のレールや治具等に対する滑りを良くすることができる。
（４）枠体樹脂部１４は、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０の色とは相違する色で形成されているので、枠体樹脂部１４が収納ケースのレール等と接触し、削れて樹脂粉が発生したとしても、その樹脂粉をリードフレームの多面付け体ＭＳから発見するのを容易にすることができる。また、枠体樹脂部１４の色は、リードフレーム１０及び光反射樹脂層２０の色とのコントラストの差が大きいので、樹脂粉の発見をより容易にすることができる。
（３）枠体樹脂部１４は、ショア硬さ（Ｄ形、ＪＩＳ Ｚ２２４６）が５０ＨＳＤ以上に形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースのレールや治具等に載置された場合に、枠体樹脂部１４のレールや治具等に対する滑りを良くすることができる。
（４）枠体樹脂部１４は、リードフレーム１０や光反射樹脂層２０の色とは相違する色で形成されているので、枠体樹脂部１４が収納ケースのレール等と接触し、削れて樹脂粉が発生したとしても、その樹脂粉をリードフレームの多面付け体ＭＳから発見するのを容易にすることができる。また、枠体樹脂部１４の色は、リードフレーム１０及び光反射樹脂層２０の色とのコントラストの差が大きいので、樹脂粉の発見をより容易にすることができる。
次に、本実施形態の枠体Ｆに設けられた凸部Ｔ及び枠体樹脂部１４の他の形態について説明する。
図１１は、第１実施形態のリードフレーム１０に設けられた枠体樹脂部の他の形態を説明する図である。図１１（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、枠体Ｆに設けられた枠体樹脂部の断面図であり、図３（ｅ）に対応する図である。なお、図１１（ａ）〜（ｆ）においても、枠体樹脂部は、上述の説明と同様に、枠体Ｆの長辺側の凸部Ｔに形成されるものとする。なお、以下の説明及び図面において、前述した形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
枠体Ｆに形成される凸部Ｔは、上述した形態（図３（ｅ）参照）に限られず、エッチング加工の処理過程等を変更することによって、図１１に示す他の形態に形成される場合があり、その場合、枠体樹脂部は、その形態に対応させて変更することができる。
図１１は、第１実施形態のリードフレーム１０に設けられた枠体樹脂部の他の形態を説明する図である。図１１（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、枠体Ｆに設けられた枠体樹脂部の断面図であり、図３（ｅ）に対応する図である。なお、図１１（ａ）〜（ｆ）においても、枠体樹脂部は、上述の説明と同様に、枠体Ｆの長辺側の凸部Ｔに形成されるものとする。なお、以下の説明及び図面において、前述した形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
枠体Ｆに形成される凸部Ｔは、上述した形態（図３（ｅ）参照）に限られず、エッチング加工の処理過程等を変更することによって、図１１に示す他の形態に形成される場合があり、その場合、枠体樹脂部は、その形態に対応させて変更することができる。
（他の形態１）
図１１（ａ）に示すように、枠体Ｆは、その外周側面から突出する凸部Ｔが形成されている。より具体的には、枠体Ｆは、その裏面側の外周縁において、外周側面から突出するようにして凸部Ｔが形成されている。
枠体樹脂部２１４は、凸部Ｔの先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ａ）に示す断面図において、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、枠体樹脂部２１４は、枠体Ｆの外周側面や裏面よりも外側に突出することとなる。
以上の構成により、枠体樹脂部２１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの凸部Ｔや裏面が直接接触して金属分が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、本形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の枠体樹脂部１４の場合に比べ、枠体樹脂部２１４を形成する樹脂の量を削減することができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの生産コストを削減することができる。
図１１（ａ）に示すように、枠体Ｆは、その外周側面から突出する凸部Ｔが形成されている。より具体的には、枠体Ｆは、その裏面側の外周縁において、外周側面から突出するようにして凸部Ｔが形成されている。
枠体樹脂部２１４は、凸部Ｔの先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ａ）に示す断面図において、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、枠体樹脂部２１４は、枠体Ｆの外周側面や裏面よりも外側に突出することとなる。
以上の構成により、枠体樹脂部２１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの凸部Ｔや裏面が直接接触して金属分が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、本形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の枠体樹脂部１４の場合に比べ、枠体樹脂部２１４を形成する樹脂の量を削減することができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの生産コストを削減することができる。
（他の形態２）
図１１（ｂ）に示すように、枠体Ｆには、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。また、枠体Ｆには、その外周側面の厚み方向のほぼ中央部に凸部Ｔ３が形成されている。
各凸部Ｔ１〜Ｔ３は、上述したように、いずれも枠体Ｆの外周側面から突出しており、凸部Ｔ３が、他の凸部Ｔ１、Ｔ２に比べ最も外側に突出している。
枠体樹脂部３１４は、枠体Ｆの表裏面の外周縁及びその近傍と、枠体Ｆの凸部Ｔ１〜Ｔ３を含む外周側面とを覆うようにして形成される。
以上の構成により、枠体樹脂部３１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの凸部Ｔ１〜Ｔ３や裏面が直接接触して金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、枠体樹脂部３１４は、枠体Ｆの表面側にも形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを複数枚、直接積層させたとしても、表面側の枠体樹脂部３１４が他のリードフレームの多面付け体ＭＳの裏面側の枠体樹脂部３１４と接触することとなる。そのため、枠体樹脂部３１４は、端子部１１、１２等の製品となる部分（図３（ａ）の破線部内）が傷ついたり、汚損したりするのを防ぐことができる。
図１１（ｂ）に示すように、枠体Ｆには、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。また、枠体Ｆには、その外周側面の厚み方向のほぼ中央部に凸部Ｔ３が形成されている。
各凸部Ｔ１〜Ｔ３は、上述したように、いずれも枠体Ｆの外周側面から突出しており、凸部Ｔ３が、他の凸部Ｔ１、Ｔ２に比べ最も外側に突出している。
枠体樹脂部３１４は、枠体Ｆの表裏面の外周縁及びその近傍と、枠体Ｆの凸部Ｔ１〜Ｔ３を含む外周側面とを覆うようにして形成される。
以上の構成により、枠体樹脂部３１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの凸部Ｔ１〜Ｔ３や裏面が直接接触して金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、枠体樹脂部３１４は、枠体Ｆの表面側にも形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを複数枚、直接積層させたとしても、表面側の枠体樹脂部３１４が他のリードフレームの多面付け体ＭＳの裏面側の枠体樹脂部３１４と接触することとなる。そのため、枠体樹脂部３１４は、端子部１１、１２等の製品となる部分（図３（ａ）の破線部内）が傷ついたり、汚損したりするのを防ぐことができる。
（他の形態３）
図１１（ｃ）に示すように、枠体Ｆには、上述の他の形態２と同様に、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。また、枠体Ｆには、その外周側面の厚み方向のほぼ中央部に凸部Ｔ３が形成されている。
各凸部Ｔ１〜Ｔ３は、いずれも枠体Ｆの外周側面から突出しており、凸部Ｔ３が、他の凸部Ｔ１、Ｔ２に比べ最も外側に突出している。
枠体樹脂部４１４は、凸部Ｔ１〜Ｔ３をそれぞれ覆うようにして形成された樹脂であり、凸部Ｔ１を覆う樹脂部４１４ａと、凸部Ｔ２を覆う樹脂部４１４ｂと、凸部Ｔ３を覆う樹脂部４１４ｃとを備える。
図１１（ｃ）に示すように、枠体Ｆには、上述の他の形態２と同様に、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。また、枠体Ｆには、その外周側面の厚み方向のほぼ中央部に凸部Ｔ３が形成されている。
各凸部Ｔ１〜Ｔ３は、いずれも枠体Ｆの外周側面から突出しており、凸部Ｔ３が、他の凸部Ｔ１、Ｔ２に比べ最も外側に突出している。
枠体樹脂部４１４は、凸部Ｔ１〜Ｔ３をそれぞれ覆うようにして形成された樹脂であり、凸部Ｔ１を覆う樹脂部４１４ａと、凸部Ｔ２を覆う樹脂部４１４ｂと、凸部Ｔ３を覆う樹脂部４１４ｃとを備える。
各樹脂部４１４ａ〜４１４ｃは、各凸部Ｔ１〜Ｔ３の先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｃ）に示す断面図において、各凸部Ｔ１〜Ｔ３の先端部を中心にしてそれぞれ略円形状に形成されている。そのため、樹脂部４１４ａは、枠体Ｆの表面よりも外側に突出し、樹脂部４１４ｂは、枠体Ｆの裏面よりも外側に突出し、樹脂部４１４ｃは、枠体Ｆの外周側面よりも外側に最も突出する。
以上の構成により、枠体樹脂部４１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの各凸部Ｔ１〜Ｔ３や裏面が直接接触して金属粉を発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、枠体樹脂部４１４は、枠体Ｆの表面側にも樹脂部４１４ａが形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを複数枚、直接積層させたとしても、樹脂部４１４ａが他のリードフレームの多面付け体ＭＳの樹脂部４１４ｂと接触することとなる。そのため、枠体樹脂部４１４は、端子部１１、１２等の製品となる部分が傷ついたり、汚損したりするのを防ぐことができる。
更に、本形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の他の形態２の場合に比べ、枠体樹脂部４１４を形成する樹脂の量を削減することができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの生産コストを削減することができる。
以上の構成により、枠体樹脂部４１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの各凸部Ｔ１〜Ｔ３や裏面が直接接触して金属粉を発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、枠体樹脂部４１４は、枠体Ｆの表面側にも樹脂部４１４ａが形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを複数枚、直接積層させたとしても、樹脂部４１４ａが他のリードフレームの多面付け体ＭＳの樹脂部４１４ｂと接触することとなる。そのため、枠体樹脂部４１４は、端子部１１、１２等の製品となる部分が傷ついたり、汚損したりするのを防ぐことができる。
更に、本形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、上述の他の形態２の場合に比べ、枠体樹脂部４１４を形成する樹脂の量を削減することができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの生産コストを削減することができる。
（他の形態４）
図１１（ｄ）に示すように、枠体Ｆには、上述の他の形態２と同様に、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。また、枠体Ｆは、その外周側面の厚み方向のほぼ中央部にも凸部Ｔ３が形成されている。
各凸部Ｔ１〜Ｔ３は、いずれも枠体Ｆの外周側面から突出しており、凸部Ｔ３が、他の凸部Ｔ１、Ｔ２に比べ最も外側に突出している。
枠体樹脂部５１４は、凸部Ｔ３の先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｄ）に示す断面図において、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、枠体樹脂部５１４は、枠体の外周側面よりも外側に突出することとなる。
以上の構成により、枠体樹脂部５１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、レール等との接触により最も金属粉の発生する可能性の高い枠体Ｆの凸部Ｔ３におけるレール等の接触を防ぎ、金属粉の発生を防止することができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
本形態の枠体樹脂部５１４は、枠体Ｆの裏面から発生する金属粉の量が問題ない程度に少ない場合等に特に有効であり、必要最小限の枠体樹脂部の構成により上記効果を奏することができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの生産コストを低減することができる。
図１１（ｄ）に示すように、枠体Ｆには、上述の他の形態２と同様に、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。また、枠体Ｆは、その外周側面の厚み方向のほぼ中央部にも凸部Ｔ３が形成されている。
各凸部Ｔ１〜Ｔ３は、いずれも枠体Ｆの外周側面から突出しており、凸部Ｔ３が、他の凸部Ｔ１、Ｔ２に比べ最も外側に突出している。
枠体樹脂部５１４は、凸部Ｔ３の先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｄ）に示す断面図において、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、枠体樹脂部５１４は、枠体の外周側面よりも外側に突出することとなる。
以上の構成により、枠体樹脂部５１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、レール等との接触により最も金属粉の発生する可能性の高い枠体Ｆの凸部Ｔ３におけるレール等の接触を防ぎ、金属粉の発生を防止することができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
本形態の枠体樹脂部５１４は、枠体Ｆの裏面から発生する金属粉の量が問題ない程度に少ない場合等に特に有効であり、必要最小限の枠体樹脂部の構成により上記効果を奏することができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの生産コストを低減することができる。
（他の形態５）
図１１（ｅ）に示すように、枠体Ｆには、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。
枠体樹脂部６１４は、凸部Ｔ１、Ｔ２をそれぞれ覆うようにして形成された樹脂であり、凸部Ｔ１を覆う樹脂部６１４ａと、凸部Ｔ２を覆う樹脂部６１４ｂを備える。
各樹脂部６１４ａ、６１４ｂは、それぞれ凸部Ｔ１、Ｔ２の先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｅ）に示す断面図において、各凸部Ｔ１、Ｔ２の先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、樹脂部６１４ａは、枠体Ｆの表面及び外周側面から外側に突出し、樹脂部６１４ｂは、枠体Ｆの裏面及び外周側面から外側に突出する。
図１１（ｅ）に示すように、枠体Ｆには、その外周側面の表面側及び裏面側の外周縁から突出する凸部Ｔ１、Ｔ２が形成されている。
枠体樹脂部６１４は、凸部Ｔ１、Ｔ２をそれぞれ覆うようにして形成された樹脂であり、凸部Ｔ１を覆う樹脂部６１４ａと、凸部Ｔ２を覆う樹脂部６１４ｂを備える。
各樹脂部６１４ａ、６１４ｂは、それぞれ凸部Ｔ１、Ｔ２の先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｅ）に示す断面図において、各凸部Ｔ１、Ｔ２の先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、樹脂部６１４ａは、枠体Ｆの表面及び外周側面から外側に突出し、樹脂部６１４ｂは、枠体Ｆの裏面及び外周側面から外側に突出する。
以上の構成により、枠体樹脂部６１４は、リードフレームの多面付け体ＭＳが収納ケースに収納等された場合に、収納ケースのレール等に対して枠体Ｆの各凸部Ｔ１、Ｔ２や裏面が直接接触して金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
また、枠体樹脂部６１４は、枠体Ｆの表面側にも樹脂部６１４ａが形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを複数枚、直接積層させたとしても、樹脂部６１４ａが他のリードフレームの多面付け体ＭＳの樹脂部６１４ｂと接触することとなる。そのため、枠体樹脂部６１４は、端子部１１、１２等の製品となる部分が傷ついたり、汚損したりするのを防ぐことができる。
また、枠体樹脂部６１４は、枠体Ｆの表面側にも樹脂部６１４ａが形成されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳを複数枚、直接積層させたとしても、樹脂部６１４ａが他のリードフレームの多面付け体ＭＳの樹脂部６１４ｂと接触することとなる。そのため、枠体樹脂部６１４は、端子部１１、１２等の製品となる部分が傷ついたり、汚損したりするのを防ぐことができる。
（他の形態６）
図１１（ｆ）に示すように、枠体Ｆは、その外周縁において、その裏面から突出する凸部Ｔが形成されている。
枠体樹脂部７１４は、凸部Ｔの先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｆ）に示す断面図において、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、枠体樹脂部７１４は、枠体Ｆの外周側面や裏面よりも外側に突出することとなる。
以上の構成により、枠体樹脂部７１４は、枠体Ｆの裏面に突出する凸部Ｔが形成されている場合においても、枠体Ｆの凸部Ｔが収納ケースのレール等に直接接触して金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。また、枠体樹脂部７１４は、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されているので、枠体Ｆの裏面だけでなく、外周側面の外側にも突出することとなり、枠体Ｆの外周側面がレール等に直接接触するのも防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
図１１（ｆ）に示すように、枠体Ｆは、その外周縁において、その裏面から突出する凸部Ｔが形成されている。
枠体樹脂部７１４は、凸部Ｔの先端部分及びその周囲のみを覆うようにして形成されており、図１１（ｆ）に示す断面図において、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されている。そのため、枠体樹脂部７１４は、枠体Ｆの外周側面や裏面よりも外側に突出することとなる。
以上の構成により、枠体樹脂部７１４は、枠体Ｆの裏面に突出する凸部Ｔが形成されている場合においても、枠体Ｆの凸部Ｔが収納ケースのレール等に直接接触して金属粉が発生してしまうのを防ぐことができる。また、枠体樹脂部７１４は、凸部Ｔの先端部を中心にして略円形状に形成されているので、枠体Ｆの裏面だけでなく、外周側面の外側にも突出することとなり、枠体Ｆの外周側面がレール等に直接接触するのも防ぐことができる。これにより、不具合を有する光半導体装置が製造されてしまうのを回避することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１２は、第２実施形態の半導体装置８０１の全体構成を示す図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、それぞれ半導体装置８０１の平面図、側面図、裏面図を示す。図１２（ｄ）は、図１２（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図１３は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、側面図、裏面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１２は、第２実施形態の半導体装置８０１の全体構成を示す図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、それぞれ半導体装置８０１の平面図、側面図、裏面図を示す。図１２（ｄ）は、図１２（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図１３は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの全体図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、側面図、裏面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、半導体装置８０１に使用される点と、枠体Ｆに形成される枠体樹脂部８１４の形状が異なる点とで、第１実施形態の場合と主に相違する。
半導体装置８０１は、図１２に示すように、リードフレーム１０、ダイオード８０２、樹脂層８２０を備える。半導体装置８０１は、多面付けされたリードフレーム１０にダイオード８０２を電気的に接続し、樹脂層８２０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される。
ダイオード８０２は、整流（電流を一定方向にしか流さない）作用を有する半導体素子であり、ｎ型半導体とｐ型半導体とが接合されることによって構成される。
半導体装置８０１は、図１２に示すように、リードフレーム１０、ダイオード８０２、樹脂層８２０を備える。半導体装置８０１は、多面付けされたリードフレーム１０にダイオード８０２を電気的に接続し、樹脂層８２０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される。
ダイオード８０２は、整流（電流を一定方向にしか流さない）作用を有する半導体素子であり、ｎ型半導体とｐ型半導体とが接合されることによって構成される。
半導体装置８０１は、上述の第１実施形態の光半導体装置１と相違して、それ自体が発光する機能を有していないことから、ダイオード８０２を覆う樹脂層８２０を透明にする必要がない。また、樹脂層８２０を第１実施形態のように光反射樹脂層２０と透明樹脂層３０のように分離する必要がない。そのため、半導体装置８０１の樹脂層８２０は、リードフレームの多面付け体ＭＳの表面にダイオード８０２を接続した後に、樹脂を各端子部の外周部や空隙部だけでなく、ダイオード８０２の周囲を覆うようにして充填することによって形成される。
枠体樹脂部８１４は、図１３に示すように、枠体Ｆの長辺側の外周側面及び裏面に形成される。ここで、枠体樹脂部８１４は、第１実施形態の枠体樹脂部１４と相違して、枠体Ｆの長辺側であって、集合体Ｇに対応する位置にのみ形成されている。すなわち、枠体樹脂部８１４は、枠体Ｆの各長辺に沿うようにして、所定の間隔を空けて一辺当り４つに分割されるようにして形成される。
樹脂層８２０は、リードフレーム１０の各端子部１１、１２間を絶縁したり、ダイオード８０２を外部から絶縁したりする樹脂の層であり、例えば、エポキシ樹脂等から形成される。
樹脂層８２０は、リードフレーム１０の各端子部１１、１２間を絶縁したり、ダイオード８０２を外部から絶縁したりする樹脂の層であり、例えば、エポキシ樹脂等から形成される。
以上の構成により、本実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体Ｆの外周側面の凸部Ｔを覆う枠体樹脂部８１４を備えるので、凸部Ｔの金属部分と、収納ケースのレールや治具等との摩擦接触を回避することができ、金属粉の発生を防ぐことができる。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳは、金属粉が端子部１１、１２間を短絡させ、ダイオード８０２を適正に作動させることができない等の不具合を有する半導体装置８０１が製造されてしまうのを回避することができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体Ｆの裏面にも枠体樹脂部８１４が形成されるので、枠体Ｆの裏面の金属面を起因とした金属粉の発生も防ぐことができる。
また、リードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体Ｆの裏面にも枠体樹脂部８１４が形成されるので、枠体Ｆの裏面の金属面を起因とした金属粉の発生も防ぐことができる。
更に、リードフレームの多面付け体ＭＳは、枠体樹脂部８１４が、枠体Ｆの長辺に沿うように分割して形成されるので、第１実施形態の場合に比べ、枠体樹脂部８１４のレール等に接触する接触面積を減らすことができる。これにより、枠体樹脂部８１４とレール等の摩擦接触が起因となる樹脂粉の発生も減らすことができる。また、枠体樹脂部８１４を形成する樹脂量も減らすことができ、リードフレームの多面付け体ＭＳの製造コストを低減させることができる。
なお、本実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳは、凸部Ｔを、第１実施形態に記載の他の形態１〜８（図１１参照）の凸部Ｔに置き換えることが可能であり、また、枠体樹脂部８１４の形態もその凸部Ｔの形状に合わせて置き換えることが可能である。枠体樹脂部８１４の形態を置き換えることによって得られる効果は、第１実施形態の各他の形態１〜８に記載した効果と同様に本実施形態においても奏することができる。
なお、本実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳは、凸部Ｔを、第１実施形態に記載の他の形態１〜８（図１１参照）の凸部Ｔに置き換えることが可能であり、また、枠体樹脂部８１４の形態もその凸部Ｔの形状に合わせて置き換えることが可能である。枠体樹脂部８１４の形態を置き換えることによって得られる効果は、第１実施形態の各他の形態１〜８に記載した効果と同様に本実施形態においても奏することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
（変形形態）
（１）第１実施形態においては、リードフレームの多面付け体ＭＳは、半導体装置としてＬＥＤ素子２を実装した光半導体装置１に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、第２実施形態のように、ダイオードや、トランジスタを実装する半導体装置に適用することも可能である。この場合、この半導体装置は、半導体素子を覆う樹脂層を透明にする必要がないため、光反射樹脂層２０と透明樹脂層３０とを備える必要がなく、両樹脂層を一の樹脂層として形成することができる。
（１）第１実施形態においては、リードフレームの多面付け体ＭＳは、半導体装置としてＬＥＤ素子２を実装した光半導体装置１に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、第２実施形態のように、ダイオードや、トランジスタを実装する半導体装置に適用することも可能である。この場合、この半導体装置は、半導体素子を覆う樹脂層を透明にする必要がないため、光反射樹脂層２０と透明樹脂層３０とを備える必要がなく、両樹脂層を一の樹脂層として形成することができる。
（２）第２実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳは、ダイオード８０２を実装した半導体装置８０１に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、第１実施形態のように、ＬＥＤ素子等の光半導体素子を実装する光半導体装置に適用することも可能である。この場合、この光半導体装置は、樹脂層のうち少なくともＬＥＤ素子を覆う部分については透明又は略透明に形成する必要がある。
（３）各実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置方向を、枠体Ｆの長辺と平行な方向にした場合を例に説明したが、これに限定されない。例えば、リードフレームの多面付け体ＭＳの収納ケースへの収納方向や、治具等への配置方向は、枠体Ｆの短辺と平行な方向や、短辺及び長辺に平行な方向の両方であってもよい。
なお、枠体Ｆの短辺に平行な方向である場合、リードフレームの多面付け体は、枠体Ｆの短辺側の凸部Ｔ上に枠体樹脂部を形成することで、枠体Ｆの凸部Ｔを起因とした金属粉の発生を防止することができる。
また、枠体Ｆの短辺に平行な方向と長辺に平行な方向との両方である場合は、枠体Ｆの短辺側及び長辺側の両方の凸部Ｔ上に枠体樹脂部を形成することで、枠体Ｆの凸部Ｔを起因とした金属粉の発生を防止することができる。
なお、枠体Ｆの短辺に平行な方向である場合、リードフレームの多面付け体は、枠体Ｆの短辺側の凸部Ｔ上に枠体樹脂部を形成することで、枠体Ｆの凸部Ｔを起因とした金属粉の発生を防止することができる。
また、枠体Ｆの短辺に平行な方向と長辺に平行な方向との両方である場合は、枠体Ｆの短辺側及び長辺側の両方の凸部Ｔ上に枠体樹脂部を形成することで、枠体Ｆの凸部Ｔを起因とした金属粉の発生を防止することができる。
（４）第１実施形態において、リードフレームの多面付け体ＭＳは、リードフレーム１０の表面にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成された、いわゆるカップ型の光半導体装置に適用される例を示したが、これに限定されない。例えば、リードフレームの多面付け体は、リードフレームの表面にリフレクタ樹脂部が形成されない、いわゆるフラット型の光半導体装置に適用することも可能である。
（５）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子を実装し、他の２つにはボンディングワイヤを介してＬＥＤ素子と接続してもよい。また、リードフレームにトランジスタを実装し、端子部のそれぞれに、トランジスタのベース、コレクタ、エミッタを接続するようにしてもよい。
（６）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
１４ 枠体樹脂部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
５０ 収納ケース
５１ レール
８０１ 半導体装置
８０２ ダイオード
８２０ 樹脂層
Ｆ 枠体
Ｇ 集合体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Ｔ 凸部
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
１４ 枠体樹脂部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
５０ 収納ケース
５１ レール
８０１ 半導体装置
８０２ ダイオード
８２０ 樹脂層
Ｆ 枠体
Ｇ 集合体
Ｍ 凹部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部
Ｔ 凸部
Claims (6)
- 半導体素子が表面に接続されるリードフレームが、枠体に多面付けされたリードフレームの多面付け体と、
前記リードフレームの外周側面に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層とを備え、
前記枠体は、その外周側面及び裏面の少なくともいずれかの面から突出する凸部を有し、
前記枠体の凸部の少なくとも一部を覆うようにして形成される枠体樹脂部を備え、
前記枠体樹脂部は、前記リードフレーム及び前記樹脂層の色とは異なる色で形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体樹脂部は、硬化性樹脂で形成されていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１又は請求項２に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体樹脂部は、その樹脂のショア硬さ（Ｄ形、ＪＩＳ Ｚ２２４６）が５０ＨＳＤ以上で形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記枠体樹脂部は、外部に表出する面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１）が、１０μｍ以上７００μｍ以下で形成されること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体において、
前記樹脂層は、前記リードフレームの前記半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有すること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 - 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の樹脂付きリードフレームの多面付け体と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記各リードフレームに接続される半導体素子と、
前記樹脂付きリードフレームの多面付け体の前記半導体素子が接続される側の面に形成され、前記半導体素子を覆う透明樹脂層と、
を備える半導体装置の多面付け体。
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-
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