JP6115671B2 - リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用のリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置に関するものである。

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
しかし、このような光半導体装置は、ＬＥＤ素子の発光や、実装した基板の熱等によって、樹脂層及びリードフレームがそれぞれ伸びてしまう場合がある。ここで、リードフレームの端子部は、銅等の導電材料から形成され、樹脂層は、熱可塑性樹脂等から形成されているので、両者の線膨張係数の差によって、樹脂層がリードフレームの端子部から剥離してしまうことがある。

また、このような光半導体装置の中には、端子部を覆う樹脂層が、光半導体素子を囲むようにして、光半導体素子の搭載面から突出するようにリフレクタが形成され、光半導体素子から発光する光の方向等を制御するものがある。このような光半導体装置は、リードフレームのリフレクタが形成される側の面が、その面とは反対側の面に比べ樹脂が多く形成されるため、温度変化が生じた場合において、金属及び樹脂の線膨張率の差によって反りが生じてしまい、上述の剥離現象の発生をより顕著にする場合がある。

特開２０１１−１５１０６９号公報

本発明の課題は、各端子部と樹脂層との剥離を抑制することができるリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置を提供することである。

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられるリードフレーム（１０）において、前記端子部は、その側面に、その表面側及び裏面側の外周縁（ｐ１、ｐ２）よりも外側に突出する凸部（Ｍ）を有しており、前記表面側の外周縁（ｐ１）が、前記裏面側の外周縁（ｐ２）よりも外側に形成されており、前記凸部の先端部が、リードフレームの厚み方向の裏面側に湾曲していることを特徴とするリードフレームである。
第２の発明は、前記凸部（Ｍ）は、前記各端子部（１１、１２）の互いに対向する辺の外周側面に形成されることを特徴とする第１の発明のリードフレーム（１０）である。
第３の発明は、前記凸部（Ｍ）は、前記各端子部の互いに対向する辺の外周側面に交互に形成されることを特徴とする第２の発明のリードフレーム（１０）である。

第４の発明は、第１の発明から第３の発明のいずれかのリードフレーム（１０）と、前記リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部（２０ａ）を有する樹脂層（２０）と、を備える樹脂付きリードフレームである。
第５の発明は、前記樹脂層（２０）は、前記リードフレーム（１０）の光半導体素子（２）が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部（２０ｂ）を有することを特徴とする第４の発明の樹脂付きリードフレームである。

第６の発明は、第４の発明又は第５の発明の樹脂付きリードフレームと、前記樹脂付きリードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）と、を備える光半導体装置（１）である。

本発明によれば、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置は、端子部から樹脂層が剥離してしまうのを抑制することができる。

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。 第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第１実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の端子部間の断面の詳細を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置１の他の形態を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の他の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の光半導体装置１の多面付け体を示す図である。 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。 トランスファ成形の概略を説明する図である。 インジェクション成形の概略を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０に設けられた凸部Ｍの他の形態を説明する図である。 第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。 第２実施形態の端子部間の断面の詳細を説明する図である。

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図３は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれ、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒの平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態のリードフレーム１０の端子部間の断面の詳細を説明する図である。図４（ａ）は、図２（ｃ）のＡ部詳細を示す図であり、図４（ｂ）は、図３（ｃ）のＢ部詳細を示す図である。
各図において、光半導体装置１の平面図における左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向、厚み方向をＺ方向とする。

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、多面付けされたリードフレーム１０（リードフレームの多面付け体ＭＳ、図２参照）に光反射樹脂層２０を形成して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒ（図３参照）を作製し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、図２に示すように、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅板）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図６（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。

端子部１１、１２は、図２に示すように、それぞれの表面の連結部１３を除く外周部分がＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａに窪みが形成され、また、それぞれの裏面の外周部分の全体が外部端子面１１ｂ、１２ｂに窪みが形成されている。そのため、端子部１１、１２は、図４（ａ）に示すように、それぞれ連結部１３を除いた外周側面に、表面側の外周縁ｐ１及び裏面側の外周縁ｐ２よりも外側（各端子部の中央とは反対側）に突出する凸部Ｍが形成される。
また、本実施形態では、端子部１１、１２は、表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成されている。すなわち、各端子部１１、１２は、図２に示すように、表面側のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａの方が、裏面側の外部端子面１１ｂ、１２ｂに比べ面積が広くなるように形成される。
ここで、各端子部１１、１２の表面側の外周縁ｐ１とは、各端子部の表面（ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ）と外周側面との境界をいい、また、裏面側の外周縁ｐ２とは、各端子部の裏面（外部端子面１１ｂ、１２ｂ）と外周側面との境界をいう。

凸部Ｍは、図４（ａ）に示すように、その断面が略三角形状に形成され、その外周縁ｐ３が、各端子部の表面側の外周縁ｐ１及び裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に位置するように形成されている。また、本実施形態では、凸部Ｍは、各端子部１１、１２の厚み方向（Ｚ方向）において、外周側面のほぼ中央に形成される例を示すがこれに限定されるものでなく、表面側又は裏面側に偏るようにして形成してもよい。
リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓ等に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図３に示すように、凸部Ｍの表面及び裏面にも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、図４（ｂ）に示すように、凸部Ｍが存在することによって、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０を挟み込む構成にすることができる。

これにより、凸部Ｍは、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離し、抜けてしまうのを抑制するとともに、端子部１１、１２の水平面内（ＸＹ面内）において、光反射樹脂層２０が各端子部１１、１２から剥離してしまうのを抑制する。特に、各端子部の表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成されているので、光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の表面側に対する抜けをより効果的に抑制することができる。ここで、凸部Ｍの表面とは、各端子部の表面側の凸部の傾斜した面をいい、凸部Ｍの裏面とは、各端子部の裏面側の凸部の傾斜した面をいう。

連結部１３は、枠体Ｆ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、枠体Ｆに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図８参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図３（ａ）及び図３（ｂ）中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。

具体的には、連結部１３ａは、図２（ａ）に示すように、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。枠体Ｆに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。枠体Ｆに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、枠体Ｆとを接続している。

なお、端子部１１、１２は、連結部１３によって、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１（リードフレーム１０）の外形（図２（ａ）の破線）に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。

連結部１３は、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の裏面の外周部分の窪みと略同一面内に形成されている。これにより、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図３（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。

更に、樹脂付きリードフレームの裏面には、連結部１３は表出せず、外部端子面１１ｂ、１２ｂのみが表出するので、連結部１３の裏面が表出する場合に比べて樹脂付きリードフレームの裏面における金属部分と光反射樹脂層２０との界面の長さを短くすることができる。かかる境界は、光反射樹脂層２０と端子部とが剥離した場合に隙間になるため、光半導体装置１の内部に水分や、半田のフラックス等が浸入する要因となる。そのため、上述のようにその界面の長さを短くすることによって、光半導体装置１における水分等の浸入経路を減少させることができる。
リードフレームの多面付け体ＭＳは、上述のリードフレーム１０を枠体Ｆ内に多面付けしたものをいう。枠体Ｆは、多面付けされたリードフレーム１０を固定する部材であり、その外形が矩形状に形成されている。

光反射樹脂層２０は、図３に示すように、フレーム樹脂部２０ａと、リフレクタ樹脂部２０ｂとから構成される。
フレーム樹脂部２０ａは、端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周や、空隙部Ｓ）だけでなく、各端子部に設けられた凸部Ｍの表裏面や、連結部１３の裏面にも形成される。

リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の表面側（リードフレーム１０のＬＥＤ素子２が接続される側）に突出するように形成され、リードフレーム１０に接続されるＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタを構成する。このリフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして、リードフレーム１０の表面側に突出しており、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置１から光を効率よく照射させる。

リフレクタ樹脂部２０ｂは、リードフレーム１０の多面付け体ＭＳの状態において、その外形が、枠体Ｆの内周縁に沿うようにして形成されており、その厚み（高さ）寸法が、ＬＥＤ端子面１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の厚み寸法よりも大きい寸法で形成される。リフレクタ樹脂部２０ｂは、端子部１１、１２の外周縁に形成されたフレーム樹脂部２０ａの表面上に重なっており、フレーム樹脂部２０ａと結合している。

ここで、リードフレーム１０は銅などの金属により形成され、光反射樹脂層２０は熱硬化性樹脂等の樹脂により形成され、また、両者の材料の線膨張率には差がある。そのため、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（樹脂付きリードフレーム）は、各端子部に外部機器との半田溶着による熱や、ＬＥＤ素子２の発光による熱が加わることによって、各端子部と光反射樹脂層２０との間で剥離が生じてしまう場合がある。
また、リードフレーム１０は、上述したように表面側にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成されることから裏面側に比べ表面側に樹脂が多く形成される。そのため、樹脂付きリードフレームは、上記熱が加わったり、冷えたりすることで、上述の線膨張率の差によって反りが生じたり、その反りが戻ったりして、これが繰り返されると、上記剥離がより発生しやすくなる。

また、金型に樹脂を流し込む成形方法を用いた場合、線膨張率の差だけでなく、成形収縮や、樹脂の密度、樹脂中のフィラーや高分子の高次構造による異方性、樹脂の結晶性の温度依存、クリープや応力緩和により、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とが剥離するような応力が残るため、剥離が発生しやすい。
更に、熱可塑性の樹脂を用いた場合、熱可塑性維持のために熱により反応が進むアクリル基、水酸基、エポキシ基、アミン、カルボニル基の様な反応性基を導入することが難しく、リードフレーム１０との化学的接着を得るためにこれらの反応性基を導入することが難しい事から、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との剥離が発生しやすい。
更にまた、熱可塑性の樹脂を形成後に電子線で硬化させる電子線硬化樹脂を用いた場合、熱可塑性維持のためにリードフレームとの化学的接着が得られないことに加え、樹脂成形体に電子線を照射して重合を行うために硬化収縮が発生し、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との剥離がより生じやすい。

特に、リードフレーム１０の端子部１１、１２間は、端子部１１、１２と光反射樹脂層２０との接合面積が狭いため、接合強度が弱く、剥離の発生が顕著となる。樹脂付きリードフレームの端子部間にこの剥離が発生した場合、光半導体装置１の製造過程において、透明樹脂層３０を形成する際に、硬化前の液状樹脂が樹脂付きリードフレームの裏面に漏れてしまい、透明樹脂層３０を適正に形成することができなかったり、裏面の端子部を漏れた透明樹脂で覆ってしまったりする問題が発生する可能性がある。また、製造した光半導体装置１の端子部間においてこの剥離が発生した場合、端子部間で光半導体装置１が折れて破損する可能性がある。また、光半導体装置１の雰囲気中の水分や、外部端子面に溶着する半田のフラックス等が、剥離した隙間に浸入してしまい、各端子部の表面のめっき層や、光反射樹脂層２０、透明樹脂層３０等を変色させてしまう可能性がある。

上記剥離の一因となる反りを抑制するために、光反射樹脂層２０の樹脂中に特定のフィラー（粉末）を含有させて線膨張率を、リードフレーム１０の金属に近づけることも可能である。しかし、光反射樹脂層２０の光反射特性を維持するために、フィラーの含有量は制限されてしまい、樹脂の線膨張率を十分に金属に近づけられない場合がある。また、樹脂に熱可塑性樹脂を使用した場合は、熱可塑性を維持するために三次元架橋密度を上げられないという分子構造上、フィラーを多量に充填した場合に強度が保てないことから、実用レベルとしては線膨張率の調整自体をすることが困難となる。

そのため、本実施形態では、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の外周側面に凸部Ｍが設けられ、リードフレーム１０から光反射樹脂層２０が剥離してしまうのを抑制することができ、上記光半導体装置１の破損や、変色等の問題の発生を抑制することができる。
また、特にリードフレーム１０の各端子部１１、１２間に対しては、図４（ｂ）に示すように、空隙部Ｓにおいて各端子部の凸部Ｍが互いに対向することとなる。そのため、リードフレーム１０は、空隙部Ｓの平面視において、空隙部Ｓの幅を狭く、すなわち、厚み方向において端子部間の樹脂のみが存在する部分を減らすことができ、製造された光半導体装置１（樹脂付きリードフレーム）の端子部間の強度を向上させることができる。

光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、窪んだ部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、窪んだ部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにリードフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。
例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。
また、ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂を成形した後に、電子線を照射することで架橋させる方法を用いた、いわゆる電子線硬化樹脂を用いてもよい。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂が、リードフレームの多面付け体ＭＳに多面付けされるリードフレーム１０に充填されることによって、樹脂付きリードフレームが多面付けされた樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層３０は、図１に示すように、光反射樹脂層２０のリフレクタ樹脂部２０ｂによって囲まれたＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａ上に形成される。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。

次に、本実施形態の光半導体装置１の他の形態について説明する。
図５は、第１実施形態の光半導体装置１の他の形態を説明する図である。
図５（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図５（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図５（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
上述の説明では、リードフレーム１０の表面にリフレクタ樹脂部２０ｂが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置１の例で説明したが、本発明は、図５に示すように、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０との厚みがほぼ同等となる、いわゆるフラットタイプの光半導体装置１に適用してもよい。

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図６（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図６（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図６（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図６（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
図７は、第１実施形態のリードフレーム１０の他の製造過程を説明する図である。図７（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す。図７（ｂ）は、表面がエッチング加工された金属基板１００を示す図である。図７（ｃ）は、表面に再度レジストパターンを形成した金属基板１００を示す図である。図７（ｄ）は、裏面がエッチング加工された金属基板１００を示す図である。図７（ｅ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。
なお、図６、図７においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００からリードフレームの多面付け体ＭＳが製造される。また、図７（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図６（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いることができるが、アクリル系、カゼイン、ゼラチンなどのタンパク質系、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系などが酸性のエッチング液耐性が高く、望ましい。
次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化鉄、塩化銅、過酸化水素−硫酸が使用できる。特に、凸部Ｍの外周縁ｐ３の形状を残すためには、深さ方向へのエッチング力が必要であり、塩酸系の中でも特に望ましい塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓ、のように貫通した空間と、凸部Ｍの表裏面や、連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図２参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図６（ｃ）に示すように、凸部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。

次に、図６（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。

ここで、めっき層Ｃは、その形成過程において、鋭角に尖った部位が、平坦な部位に比べて厚く形成されてしまう傾向がある。そのため、各端子部の表裏面の外周縁ｐ１、ｐ２が、鋭角に尖った形状である場合、その外周縁にはめっき層Ｃが厚く形成されてしまい、各端子部は、その外周縁がＬＥＤ端子面や外部端子面から突出してしまい、樹脂付きリードフレームの製造工程において金型に配置された場合において、金型に圧痕を付けてしまう場合がある。しかし、本実施形態の各端子部１１、１２は、その外周側面に凸部Ｍが設けられ、各端子部の表面側の外周縁ｐ１及び裏面側の外周縁ｐ２が尖らないように鈍角に形成されているので、各端子部の表面及び裏面にめっき層Ｃを均一に形成することができる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、枠体Ｆに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。

ここで、上述の説明では、金属基板１００の両面を同時にエッチング処理する例を示したが、これに限定されるものでなく、図７（ａ）に示すように、両面同時にレジストパターンを形成した後、片面だけを板厚の１／３〜２／３程度をエッチング加工し、エッチングした部分に、更にレジストを形成し、反対側の面をエッチングする２段エッチング加工を用いてもよい。
図６において説明したように、両面同時のエッチング加工では、金属基板１００の表裏面からのエッチング加工によって貫通部分が形成されるのと同時に、リードフレーム１０の凸部Ｍの外周縁ｐ３が形成されることになる。しかし、この凸部Ｍの外周縁ｐ３が形成される部分は、腐食液の液流が激しく、極短時間にエッチング加工が進むため、凸部Ｍの外周縁ｐ３の大きさの制御が困難である。これに対して、２段エッチング加工に於いては、片面ずつエッチング加工を行うので、凸部Ｍの外周縁ｐ３への極端な液流集中がないため、かかる部分の制御が容易である。特に、大きな面積のリードフレームや、リードフレームの多面付け体を複数枚同時にエッチング加工する場合や、さらに大きなシート状態で加工する場合に、面内の均一性確保が容易になり、実用性が高くなる。

この２段エッチング加工を行う場合、まず、図７（ｂ）に示すように、金属基板１００の片面（表面）をエッチング加工する。そして、図７（ｃ）に示すように、そのエッチング加工した部分を含む金属基板１００の表面にレジストパターン４０ｃを形成する。ここで、再度形成するレジストには、熱可塑性のオレフィン系樹脂を使用するのが望ましい。例えば、熱アルカリでのレジストパターン除去時に同時に除去することができるため、工程の簡略化に優れ、製造が容易となるためである。
次に、図７（ｄ）に示すように、金属基板１００の裏面をエッチング加工して、図７（ｅ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。これにより、凸部Ｍが形成されたリードフレームの多面付け体が形成される。最後に、上記図６（ｅ）と同様に、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行うことで、リードフレームの多面付け体ＭＳを得ることができる。
なお、上記説明では、金属基板１００の表面、裏面の順で２段エッチング加工をする例を示したが、金属基板１００の裏面、表面の順で２段エッチング加工するようにしてもよい。

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図８は、第１実施形態の光半導体装置の多面付け体を示す図である。
図９は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図９（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図９（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図９（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図９（ｄ）は、ダイシングにより個片化された光半導体装置１の断面図を示す。
なお、図９においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図９（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図６（ａ）の断面図に基づくものである。

図９（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、トランスファ成形や、インジェクション成形（射出成形）のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凸部Ｍの表裏面や、連結部１３の裏面へと流れ込み、フレーム樹脂部２０ａが形成され、リードフレーム１０と接合する。
また、これと同時に、リフレクタ樹脂部２０ｂが、リードフレームの表面側に突出して、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａを囲むようにして形成される。これにより、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒは、その表面及び裏面に、それぞれ、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出した状態となる（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。
以上により、図３に示す樹脂付きのリードフレームの多面付け体Ｒが形成される。

次に、図９（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。例えば、半田を用いる場合、金錫共晶はんだが用いられ、およそ３２０℃の高温となる。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。

そして、図９（ｃ）に示すように、リフレクタ樹脂部２０ｂに囲まれたＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図８に示すように、光半導体装置の多面付け体が製造される。
最後に、図９（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形（図８の破線部参照）に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。
光反射樹脂層１の高密度な配置による生産の効率化や、エッチング、めっき層の均一化のために、連結部１３は、可能な限り小さいことが望ましい。また、個別封止ではなく、隣接する光半導体装置１が、光反射樹脂層２０を介して接続し、Ｘ、Ｙ方向に並んで配置されているＭＡＰ（モールドアレイパッケージ）が望ましく、この場合、光半導体装置１の個片化は、ダイシングによる切断が適している。
また、光半導体装置１を個片化した後、光半導体装置１の側壁（側面）に断面が表出する連結部１３の側面には、凸部Ｍを設けず、かつ、連結部１３の実装側（外部機器に接続する外部端子面側）の面をハーフエッチングとすることが望ましい。これは、光反射樹脂層２０とリードフレーム１０との界面が増加し、水分等の侵入経路が大きくなってしまうのを防ぐためである。特に、ＭＡＰタイプの光半導体装置の多面付け体をダイシングにより切断する場合、切断時に光反射樹脂層２０とリードフレーム１０とを剥離させる力が働いてしまうため、連結部１３の側面に凸部Ｍを設けずに、その実装側をハーフエッチングにすることが好適である。

次に、上述の図９（ａ）におけるリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成するトランスファ成形及びインジェクション成形について説明する。
図１０は、トランスファ成形の概略を説明する図である。図１０（ａ）は、金型の構成を説明する図であり、図１０（ｂ）〜図１０（ｉ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
図１１は、インジェクション成形の概略を説明する図である。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成するまでの工程を説明する図である。
なお、図１０及び図１１において、説明を明確にするために、リードフレーム１０の単体に対して光反射樹脂層２０が成形される図を示すが、実際には、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して光反射樹脂層２０が形成される。

（トランスファ成形）
トランスファ成形は、図１０（ａ）に示すように、上型１１１及び下型１１２等から構成される金型１１０を使用する。
まず、作業者は、上型１１１及び下型１１２を加熱した後、図１０（ｂ）に示すように、上型１１１と下型１１２との間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置するとともに、下型１１２の設けられたポット部１１２ａに光反射樹脂層２０を形成する樹脂を充填する。
そして、図１０（ｃ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を閉じて（型締め）、樹脂を加熱する。樹脂が十分に加熱されたら、図１０（ｄ）及び図１０（ｅ）に示すように、プランジャー１１３によって樹脂に圧力をかけて、樹脂を金型１１０内へと充填（トランスファ）させ、所定の時間その圧力を一定に保持する。

所定の時間の経過後、図１０（ｆ）及び図１０（ｇ）に示すように、上型１１１及び下型１１２を開き、上型１１１に設けられたイジェクターピン１１１ａにより、上型１１１から光反射樹脂層２０が成形されたリードフレームの多面付け体ＭＳを取り外す。その後、図１０（ｈ）に示すように、上型１１１の流路（ランナー）部等の余分な樹脂部分を、製品となる部分から除去し、図１０（ｉ）に示すように、光反射樹脂層２０が形成された樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。

（インジェクション成形）
インジェクション成形は、図１１（ａ）に示すように、上から順に、ノズルプレート１２１、スプループレート１２２、ランナープレート１２３（上型）、下型１２４等から構成される金型１２０を使用する。
まず、作業者は、ランナープレート１２３及び下型１２４間にリードフレームの多面付け体ＭＳを配置して、金型１２０を閉じる（型締め）。
そして、図１１（ｂ）に示すように、ノズル１２５をノズルプレート１２１のノズル穴に配置して、光反射樹脂層２０を形成する樹脂を金型１２０内に射出する。ノズル１２５から射出された樹脂は、スプループレート１２２のスプルー１２２ａを通過し、ランナープレート１２３のランナー１２３ａ及びゲートスプルー１２３ｂを通過した上で、リードフレームの多面付け体ＭＳが配置された金型１２０内へと樹脂が充填される。

樹脂が充填されたら所定の時間保持した後に、作業者は、図１１（ｃ）に示すように、ランナープレート１２３を下型１２４から開き、下型１２４に設けられたイジェクターピン１２４ａによって、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳを下型１２４から取り外す。そして、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレームの多面付け体ＭＳから余分なバリなどを除去して樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒが完成する。

なお、本実施形態のインジェクション成形の金型１２０は、樹脂の流路が、一つのスプルーからランナーを介して複数のゲートへと分岐されているので、リードフレームの多面付け体ＭＳに対して、複数個所から均等に樹脂を射出するようにしている。これにより、リードフレームの多面付け体ＭＳの各リードフレーム１０に対して、樹脂を適正に充填させることができ、樹脂ムラのない樹脂付きリードフレームの多面付け体Ｒを得ることができる。

以上より、本実施形態のリードフレーム１０には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の外周側面に凸部Ｍが形成されているので、樹脂が充填された場合に、厚み方向において、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０を挟み込む構成にすることができる。これにより、リードフレーム１０は、凸部Ｍが、厚み方向において光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離したり、抜けたりしてしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくすることができるので、各端子部の水平面内（ＸＹ面内）においても、光反射樹脂層２０が各端子部１１、１２から剥離してしまうのを抑制することができる。
これらにより、各端子部１１、１２と光反射樹脂層２０との剥離が要因となる光半導体装置１の破損や、剥離した部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生を抑制することができる。

（２）リードフレーム１０は、各端子部の互いに対向する外周側面に凸部Ｍが形成されているので、空隙部Ｓにおいて各端子部の凸部Ｍが互いに対向することとなる。そのため、リードフレーム１０は、空隙部Ｓの平面視において、空隙部Ｓの幅を狭く、すなわち端子部間の樹脂のみが存在する部分を減らすことができ、製造された光半導体装置１（樹脂付きリードフレーム）の端子部間の強度を向上させることができる。
また、凸部Ｍの外周縁ｐ３が丸みを帯びている場合、樹脂成形時に充填される樹脂の圧力によって、凸部Ｍが欠けたり、変形したりするのを防止することができる。
更に、凸部Ｍの外周縁ｐ３が鋭角に形成されている場合、リードフレーム１０は、光反射樹脂層２０との密着性（食いつき）を向上することができる。

次に、本実施形態の各端子部に設けられた凸部Ｍの他の形態について説明する。
図１２は、第１実施形態のリードフレーム１０に設けられた凸部Ｍの他の形態を説明する図である。図１２（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ、端子部１１の外周側面に形成された凸部Ｍの断面図である。なお、図１２（ａ）〜（ｈ）では、端子部１１の凸部Ｍについて記載するが、端子部１２の外周側面についても同様の凸部Ｍが形成されているものとし、以下の説明において、端子部１１の凸部Ｍについて説明するが、端子部１２についても同様であるものとする。
以下に説明する他の形態の凸部Ｍは、上述のリードフレーム１０の凸部Ｍと同様に、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム１０を挟み込む構成にすることができる。そのため、他の形態の凸部Ｍは、厚み方向において光反射樹脂層がリードフレーム１０から剥離したり、抜けたりしてしまうのを抑制することができる。また、光反射樹脂層と各端子部との接触面積を大きくすることができるので、各端子部の水平面内（ＸＹ面内）においても、光反射樹脂層が各端子部から剥離してしまうのを抑制することができる。

（他の形態１）
図１２（ａ）に示すように、端子部１１は、表面側及び裏面側の外周縁ｐ１が、厚み方向と平行な線の同一直線状に形成され、また、その外周側面のほぼ中央に凸部Ｍが形成される。
凸部Ｍは、その外周縁ｐ３が、端子部１１の表面側及び裏面側の外周縁ｐ１よりも外側（端子部１１の中央とは反対側）になるように形成される。
上記構成により、リードフレーム１０は、図５に示すフラットタイプの光半導体装置１（樹脂付リードフレーム）が製造された場合、各端子部の外周側面及び端子部間の樹脂厚とリードフレーム厚とがほぼ同一となる部分（空隙部Ｓ）に形成されるフレーム樹脂部２０ａの樹脂量を、凸部Ｍの表面側及び裏面側で均等にすることができる。これにより、光半導体装置１の厚み方向に対する曲げの強度を、表面方向（＋Ｚ方向）及び裏面方向（−Ｚ方向）で均等にすることができる。

（他の形態２）
図１２（ｂ）に示すように、端子部１１は、その表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成され、裏面側の外周縁ｐ２が、上述の図４（ａ）に示す端子部１１の裏面側の外周縁ｐ２よりも更に内側（凸部Ｍの突出する方向の反対側）に位置するように形成されている。すなわち、端子部１１の裏面の外部端子面１１ｂ、１２ｂは、上述の図４（ａ）に示す端子部１１の外部端子面１１ｂ、１２ｂよりも小さくなるように形成される。
上記構成により、リードフレーム１０は、凸部Ｍの裏面により多くの樹脂が充填され、その部分に形成される光反射樹脂層の強度を向上させることができるので、光反射樹脂層が端子部の表面側に抜けてしまうのをより効果的に抑制することができる。

（他の形態３）
図１２（ｃ）に示すように、端子部１１は、その表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成され、裏面側の外周縁ｐ２が、上述の図４（ａ）に示す端子部１１の裏面側の外周縁ｐ２よりも更に内側（凸部Ｍの突出する方向の反対側）に位置するように形成されている。すなわち、端子部１１の裏面の外部端子面１１ｂ、１２ｂは、上述の図４（ａ）に示す端子部１１の外部端子面１１ｂ、１２ｂよりも小さくなるように形成される。
また、端子部１１は、凸部Ｍの裏面側の付け根部分が、端子部１１の裏面側の外周縁ｐ２よりも内側に窪むように形成されている。ここで、付け根部分とは、凸部Ｍの各端子部との境界となる部分をいい、図１２（ｃ）においては、凸部Ｍの左側端部であって、端子部１１の表面側の外周縁ｐ１及び裏面側の外周縁ｐ２に接合される部分をいう。
上記構成により、リードフレーム１０は、上記他の形態２と同様に、凸部Ｍの裏面により多くの樹脂が充填され、その部分に形成される光反射樹脂層の強度を向上させることができるので、光反射樹脂層が端子部の表面側に抜けてしまうのをより効果的に抑制することができる。また、リードフレーム１０は、凸部Ｍの裏面側に充填される樹脂が、上述の裏面側の付け根部分の窪みにも充填されるので、光反射樹脂層を厚み方向に対してリードフレーム１０により強固に密着させ、剥離抑制効果を向上させることができる。

（他の形態４）
図１２（ｄ）に示すように、端子部１１は、その表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成され、裏面側の外周縁ｐ２が、上述の図４（ａ）に示す端子部１１の裏面側の外周縁ｐ２よりも更に内側（凸部Ｍの突出する方向の反対側）に位置するように形成されている。すなわち、端子部１１の裏面の外部端子面１１ｂ、１２ｂは、上述の図４（ａ）に示す端子部１１の外部端子面１１ｂ、１２ｂよりも小さくなるように形成される。
また、端子部１１は、凸部Ｍの先端部が、厚み方向の裏面側（−Ｚ側）に湾曲するように形成されている。
上記構成により、リードフレーム１０は、上記他の形態２と同様に、凸部Ｍの裏面により多くの樹脂が充填され、その部分に形成される光反射樹脂層の強度を向上させることができるので、光反射樹脂層が端子部の表面側に抜けてしまうのをより効果的に抑制することができる。また、リードフレーム１０は、裏面側に湾曲している凸部Ｍによって、より強固に光反射樹脂層を各端子部１１、１２に密着させ、特に各端子部と光反射樹脂層との水平方向の剥離抑制の効果を向上させることができる。

（他の形態５）
図１２（ｅ）に示すように、端子部１１は、その表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成され、凸部Ｍの先端部が、他の形態４の場合よりも厚み方向の裏面側（−Ｚ側）に大きく湾曲するように形成されている。
上記構成により、リードフレーム１０は、裏面側に湾曲している凸部Ｍによって、他の形態４の場合よりも強固に光反射樹脂層２０を各端子部１１、１２に密着させ、特に各端子部と光反射樹脂層との水平方向の剥離抑制効果を向上させることができる。

（他の形態６）
図１２（ｆ）に示すように、端子部１１は、その表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側に形成され、凸部Ｍの先端部が、他の形態５の場合よりも厚み方向の裏面側（−Ｚ側）に大きく湾曲するように形成されている。そのため、湾曲させた凸部Ｍの先端部は、厚み方向とほぼ平行になる。また、端子部１１は、凸部Ｍの裏面の付け根部分が、端子部１１の裏面側の外周縁ｐ２よりも内側（端子部１１の中央側）に窪むように形成されている。

上記構成により、リードフレーム１０は、先端部が厚み方向とほぼ平行になるように形成された凸部Ｍによって、他の形態５の場合よりも更に強固に光反射樹脂層２０を各端子部１１、１２に密着させることができる。これにより、特に各端子部と光反射樹脂層との水平方向の剥離抑制効果を向上させることができる。
また、リードフレーム１０は、凸部Ｍの裏面側に充填される樹脂が、裏面側の外周縁ｐ２よりも内側に窪んだ凸部Ｍの裏面側の付け根部分にも充填されるので、光反射樹脂層を厚み方向に対してリードフレーム１０により強固に密着させ、剥離抑制効果を向上させることができる。
更に、リードフレーム１０は、凸部Ｍの先端部が厚み方向と略平行に形成されることにより、各端子部と光反射樹脂層２０とが端子面（ＸＹ平面）を構成する軸（Ｘ軸、Ｙ軸）周りに互いに回転してしまうのを抑制することができ、上記剥離抑制効果を向上することができる。特に、本実施形態では、端子部１２は、端子部１１よりも外形が小さいため、上述の回転を発生しやすくなるが、凸部Ｍを、少なくとも端子部１２の端子部１１とは対向しない側の辺に設けることで、効果的にその回転を抑制することができる。

（他の形態７）
図１２（ｇ）に示すように、端子部１１は、表面側及び裏面側の外周縁ｐ１が、厚み方向と平行な線の同一直線状に形成され、また、その外周側面のほぼ中央に凸部Ｍが形成される。
凸部Ｍは、端子部１１の外周側面の付け根部分から離れるにつれて徐々に細くなるが、先端部に向かって再び太くなるように形成される。ここで、付け根部分とは、凸部Ｍの各端子部との境界となる部分をいい、図１２（ｇ）においては、凸部Ｍの左端部であって、端子部１１の表面側及び裏面側の外周縁ｐ１に接合される部分をいう。

上記構成により、リードフレーム１０は、図５に示すフラットタイプの光半導体装置１（樹脂付リードフレーム）が製造された場合、各端子部の外周側面及び端子部間の樹脂厚とリードフレーム厚とがほぼ同一となる部分（空隙部Ｓ）に形成されるフレーム樹脂部２０ａの樹脂量を、凸部Ｍの表面側及び裏面側で均等にすることができる。これにより、光半導体装置１の厚み方向に対する曲げの強度を、表面方向（＋Ｚ方向）及び裏面方向（−Ｚ方向）で均等にすることができる。
また、リードフレーム１０は、凸部Ｍが付け根部分から離れるにつれて徐々に細くなり、先端部に向かって再び太くなるように形成されているので、各端子部と光反射樹脂層とを水平方向により強固に密着させ、各端子部及び光反射樹脂層間の剥離抑制効果を向上させることができる。

更に、リードフレーム１０は、凸部Ｍを有することにより、各端子部と光反射樹脂層２０とが端子面（ＸＹ平面）を構成する軸（Ｘ軸、Ｙ軸）周りに互いに回転してしまうのを抑制することができ、上記剥離抑制効果を向上することができる。特に、本実施形態では、端子部１２は、端子部１１よりも外形が小さいため、上述の回転を発生しやすくなるが、凸部Ｍを、少なくとも端子部１２の端子部１１とは対向しない側の辺に設けることで、効果的にその回転を抑制することができる。

（他の形態８）
図１２（ｈ）に示すように、端子部１１は、表面側及び裏面側の外周縁ｐ１が、厚み方向と平行な線の同一直線状に形成され、また、その外周側面のほぼ中央に凸部Ｍが形成される。
凸部Ｍは、端子部１１の外周側面の付け根部分から離れるにつれて徐々に細くなるが、先端部に向かって再び太くなるように形成される。また、凸部Ｍは、その先端部が２つに分岐されており、それぞれが表面側、裏面側に向かって湾曲しており、２つに分岐された先端部間には窪みが形成される。

上記構成により、リードフレーム１０は、図５に示すフラットタイプの光半導体装置１（樹脂付リードフレーム）が製造された場合、各端子部の外周側面及び端子部間の樹脂厚とリードフレーム厚とがほぼ同一となる部分（空隙部Ｓ）に形成されるフレーム樹脂部２０ａの樹脂量を、凸部Ｍの表面側及び裏面側で均等にすることができる。これにより、光半導体装置１の厚み方向に対する曲げの強度を、表面方向（＋Ｚ方向）及び裏面方向（−Ｚ方向）で均等にすることができる。
また、リードフレーム１０は、凸部Ｍが付け根部分から離れるにつれて徐々に細くなり、先端部に向かって再び太くなるように形成されているので、各端子部と光反射樹脂層とを水平方向により強固に密着させ、各端子部及び光反射樹脂層間の剥離抑制効果を向上させることができる。

更に、リードフレーム１０は、凸部Ｍを有することにより、各端子部と光反射樹脂層２０とが端子面（ＸＹ平面）を構成する軸（Ｘ軸、Ｙ軸）周りに互いに回転してしまうのを抑制することができ、上記剥離抑制効果を向上することができる。特に、本実施形態では、端子部１２は、端子部１１よりも外形が小さいため、上述の回転を発生しやすくなるが、凸部Ｍを、少なくとも端子部１２の端子部１１とは対向しない側の辺に設けることで、効果的にその回転を抑制することができる。
また、リードフレーム１０は、凸部Ｍの２つに分岐された先端部間が窪んでいるので、樹脂が充填された場合に、その窪んだ部分にも樹脂が充填され、リードフレーム１０及び光反射樹脂層の厚み方向に対する剥離を効果的に抑制することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図１３は、第２実施形態のリードフレームの多面付け体ＭＳの詳細を説明する図である。図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、それぞれリードフレームの多面付け体ＭＳの平面図、裏面図を示し、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）は、それぞれ図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１４は、第２実施形態のリードフレーム２１０の端子部間の断面の詳細を説明する図である。図１４（ａ）は、図１３（ｃ）のＡ部詳細を示す図であり、図１４（ｂ）は、図１３（ｄ）のＢ部詳細を示す図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

第２実施形態のリードフレーム２１０は、各端子部２１１、２１２の互いに対向する辺に設けられる凸部Ｍの形状が第１実施形態と相違する。
端子部２１１は、図１３及び図１４に示すように、その表面の端子部２１２と対向する辺と連結部２１３とを除く辺の外周部分が、ＬＥＤ端子面２１１ａから窪んでおり、凸部Ｍが形成されている。また、端子部２１１は、その表面の端子部２１２と対向する辺の両端部及び中央部の外周部分もＬＥＤ端子面２１１ａから窪んでおり、凸部Ｍが形成されている。

これに対して、端子部２１２は、その表面において、端子部２１１と対向する辺と連結部２１３とを除いた外周部分がＬＥＤ端子面２１２ａから窪んでおり、凸部Ｍが形成されている。また、端子部２１２は、その表面の端子部２１１と対向する辺において、端子部２１１の凸部Ｍが設けられる部分に対向する部分を除いた外周部分がＬＥＤ端子面２１２ａから窪んでおり、凸部Ｍが形成されている。すなわち、凸部Ｍは、リードフレーム２１０の端子部間において、各端子部２１１、２１２の互いに対向する辺の外周側面に交互に形成されている。

以上の構成により、本実施形態のリードフレーム２１０は、上述の第１実施形態のリードフレーム１０と同様に、樹脂が充填された場合に、光反射樹脂層と各端子部２１１、２１２との接触面積を大きくすることができ、また、厚み方向において、光反射樹脂層がリードフレーム２１０を挟み込む構成にすることができる。これにより、リードフレーム２１０は、凸部Ｍが、厚み方向において光反射樹脂層がリードフレーム２１０から剥離して抜けてしまうのを抑制することができる。また、各端子部の水平面内（ＸＹ面内）においても、光反射樹脂層が各端子部２１１、２１２から剥離してしまうのを抑制することができる。そのため、各端子部２１１、２１２と光反射樹脂層との剥離が要因となる光半導体装置の破損や、剥離した部分からの水分等の浸入による各部材の変色の発生を抑制することができる。
また、リードフレーム２１０は、凸部Ｍが、端子部間において、各端子部２１１、２１２の互いに対向する辺の外周側面に交互に形成されているので、光反射樹脂層がリードフレーム２１０に対して厚み方向（Ｚ方向）に平行な軸を中心に回転してしまうのを防ぐことができる。
なお、本実施形態において、リードフレーム２１０は、凸部Ｍの形態を、第１実施形態に記載の他の形態１〜８（図１２参照）に置き換えることも可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。

（変形形態）
（１）第１実施形態において、リードフレーム１０は、凸部Ｍが、各端子部の連結部１３を除く外周側面に形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、各端子部の互いに対向する辺の外周側面にのみ凸部Ｍを形成するようにしてもよく、また、各端子部の各辺の一部に凸部Ｍを適宜形成するようにしてもよい。
（２）各実施形態において、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２に同一形態の凸部Ｍを形成する例を示したが、これに限定されない。例えば、図１２に示すような他の形態１〜８の凸部Ｍを適宜選択して、端子部ごとに形成したり、各端子部の辺ごとに形成したりしてもよい。

（３）各実施形態において、リードフレーム１０は、各端子部１１、１２の表面側の外周縁ｐ１が、裏面側の外周縁ｐ２よりも外側（各端子部の中央とは反対側）に形成され、ＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａが外部端子面１１ｂ、１２ｂよりも広く形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、各端子部の表面側の外周縁ｐ１を、裏面側の外周縁ｐ２よりも内側（各端子部の中央側）に形成し、ＬＥＤ端子面が外部端子面よりも狭く形成されるようにしてもよい。
（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。例えば、端子部を３つ設け、その１つにはＬＥＤ素子２を実装し、他の２つにはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。この場合、それぞれの端子部に凸部Ｍを設けることにより、上述の実施形態と同様に、各端子部と光反射樹脂層との剥離に発生を抑制することができる。

（５）各実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。

１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０ リードフレーム
１１ 端子部
１２ 端子部
１３ 連結部
２０ 光反射樹脂層
２０ａ フレーム樹脂部
２０ｂ リフレクタ樹脂部
３０ 透明樹脂層
Ｆ 枠体
Ｍ 凸部
ＭＳ リードフレームの多面付け体
Ｒ 樹脂付きリードフレームの多面付け体
Ｓ 空隙部

Claims (6)

1. 複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つに光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられるリードフレームにおいて、
   前記端子部は、その側面に、その表面側及び裏面側の外周縁よりも外側に突出する凸部を有しており、
   前記表面側の外周縁が、前記裏面側の外周縁よりも外側に形成されており、
   前記凸部の先端部が、リードフレームの厚み方向の裏面側に湾曲していることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記凸部は、前記各端子部の互いに対向する辺の外周側面に形成されることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記凸部は、前記各端子部の互いに対向する辺の外周側面に交互に形成されることを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームと、
   前記リードフレームの前記端子部の外周側面及び前記端子部間に形成されるフレーム樹脂部を有する樹脂層と、を備える樹脂付きリードフレーム。
5. 前記樹脂層は、前記リードフレームの光半導体素子が接続される側の面に突出して形成されるリフレクタ樹脂部を有することを特徴とする請求項４に記載の樹脂付きリードフレーム。
6. 請求項４又は請求項５に記載の樹脂付きリードフレームと、
   前記樹脂付きリードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
   前記樹脂付きリードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層と、を備える光半導体装置。

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