JP6349648B2 - 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置用の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。
このような光半導体装置の中には、各端子部を電気的に絶縁するために、端子部間に空隙を設け、そこに樹脂を充填させているものがある。しかし、このような光半導体装置は、導電性のある金属等から形成される端子部に比べ、端子部間の空隙部の樹脂部分が最も強度が弱いものとなるため、外力等が加わることにより、その空隙部で破損してしまう場合があった。

特開２０１１−１５１０６９号公報

本発明の課題は、外力等が加わっても端子部間の空隙部で破損してしまうのを抑制することができる光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。

第１の発明は、互いに絶縁する複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体用リードフレーム（１０）において、前記端子部は、対向する他の端子部との間の空隙部（Ｓ）の延長上に補強部（１３ｄ）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記補強部（１３ｄ）は、前記空隙部（Ｓ）に対して複数設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、当該光半導体装置用リードフレームは、枠体（Ｆ）に多面付けされており、前記補強部（１３ｄ）は、前記端子部（１１、１２）と、多面付けされる他の光半導体装置用リードフレームの端子部とを接続する連結部材を兼ねること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記補強部（１３ｄ）は、前記空隙部（Ｓ）の延長上の幅全域に渡って設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第１の発明から第４の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記補強部（１３ｄ）は、少なくとも一部が、前記端子部（１１、１２）の表面又は裏面に対して窪んだ状態に形成されること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第６の発明は、互いに絶縁する複数の端子部（５１１、５１２）を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子（２）と接続される光半導体装置（５０１）に用いられる光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記複数の端子部間の空隙部（Ｓ）の延長上に補強部（Ｔ）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第７の発明は、第６の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記端子部（５１１、５１２）の表面及び裏面のうち少なくとも一方の面に対して窪んでいること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第８の発明は、第６の発明又は第７の発明の光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記光半導体装置（５０１）の外形の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第９の発明は、第６の発明から第８の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（５１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記空隙部（Ｓ）の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第１０の発明は、第６の発明から第９の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（７１０）において、前記補強部（Ｔ）は、前記光半導体装置の外形の中心に対して点対称に設けられること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。

第１１の発明は、第１の発明から第１０の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）の外周及び前記空隙部（Ｓ）に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。

第１２の発明は、第１の発明から第１０の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。

第１３の発明は、第１１の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。

第１４の発明は、第１１の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１、１２）のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（１）である。

第１５の発明は、第１４の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。

本発明によれば、光半導体素子用リードフレーム、樹脂付き光半導体素子用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、外力等が加わっても端子部間の空隙部の樹脂部分で破損してしまうのを抑制することができる。

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。 第１実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０を示す図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。 第１実施形態の多面付けされた樹脂付きリードフレーム、多面付けされた光半導体装置１を示す図である。 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。 第２実施形態のリードフレーム２１０及び光半導体装置２０１の詳細を説明する図である。 第３実施形態の光半導体装置５０１の全体構成を示す図である。 第３実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム５１０を示す図である。 第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。 第４実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム６１０を示す図である。 第５実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム７１０を示す図である。 第６実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム８１０を示す図である。 第７実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム９１０を示す図である。 第８実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０１０を示す図である。 変形形態のリードフレーム３１０を示す図である。 変形形態の光半導体装置４０１を示す図である。

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）は、光半導体装置１の平面図を示し、図１（ｂ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の裏面図を示す。
図２は、第１実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０を示す図である。
図３は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における長手方向を左右方向Ｘ、短手方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、図２に示すように、多面付けされたリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。
端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、互いに対向する辺の間に空隙部Ｓが形成されており、電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｃが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｃは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｃは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。

端子部１１、１２は、図３に示すように、それぞれの裏面側の外周部に、厚みの薄くなる凹部Ｍが設けられている。
凹部Ｍは、リードフレーム１０の裏面側から見て、各端子部１１、１２の外周部に形成された窪みであり、その底面の厚みは、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。

リードフレーム１０は、端子部１１、１２の周囲や、端子部１１、１２間の空隙部Ｓに、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、図４に示すように、凹部Ｍにも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０と各端子部１１、１２との接触面積を大きくしている。また、厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に構成することができる。これにより、凹部Ｍは、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。

連結部１３は、図２に示すように、フレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部１１、１２を、隣接する他のリードフレーム１０の端子部や、フレームＦに連結している。連結部１３は、多面付けされた各リードフレーム１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置１の多面付け体（図６（ｂ）参照）が形成された場合に、リードフレーム１０を形成する外形線（図２中の破線）でダイシング（切断）される。
連結部１３は、端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。

具体的には、連結部１３ａは、端子部１２の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の左（−Ｘ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の右側の辺とを接続している。フレームＦに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ａは、端子部１１の左側の辺又は端子部１２の右側の辺と、フレームＦとを接続している。

連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。フレームＦに隣接する端子部１１に対しては、連結部１３ｂは、端子部１１の上側又は下側の辺と、フレームＦとを接続している。
連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。フレームＦに隣接する端子部１２に対しては、連結部１３ｃは、端子部１２の上側又は下側の辺と、フレームＦとを接続している。

連結部１３ｄ（補強部）は、端子部１１及び端子部１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成される。ここで、空隙部Ｓの延長上とは、空隙部Ｓを上下（Ｙ）方向に延長させた領域をいい、図２中の斜線部の領域を示す。本実施形態では、連結部１３ｄは、一の端子部（１２、１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んだ対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（１１、１２）とを連結するために、端子部１１の上側の辺及び端子部１２の下側の辺に対して、傾斜（例えば、４５度）した形状に形成される。
具体的には、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。また、フレームＦに隣接する端子部１１、１２に対しては、連結部１３ｄは、端子部１２の上側の辺又は端子部１１の下側の辺と、フレームＦとを接続している。

ここで、仮に、連結部１３ｄが存在しない場合、多面付けされたリードフレーム１０には、フレームＦの上端から下端に渡って、各リードフレーム１０の空隙部Ｓ及びその延長上に連結部１３が存在しないこととなる。そのため、後述のリードフレーム１０に対して光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２がフレームＦに対して捩れたりして、適正に光半導体装置１を製造することができなくなる場合が生じる。
これに対して、本発明のリードフレーム１０には、連結部１３ｄが、リードフレーム１０の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして、端子部１１と他のリードフレーム１０の端子部１２とを接続することによって、上記問題の発生を抑制することができる。

また、連結部１３ｄを備えていないリードフレームで光半導体装置を製造した場合、端子部間の空隙部及びその延長上は、光反射樹脂層のみが存在することとなるため、他の部分に比べ光半導体装置の強度が低くなる。そのため、その光半導体装置は、外力等が加わった場合に、その空隙部で折れて破損してしまうおそれがある。
これに対して、本発明の光半導体装置１は、外力等が加わったとしても、図１（ａ）に示すように、空隙部Ｓの延長上に連結部１３ｄが存在しているため、空隙部Ｓが樹脂のみである場合に比べ、空隙部Ｓの強度を向上させることができ、光半導体装置１が空隙部Ｓにおいて破損してしまうのを抑制することができる。

ここで、光半導体装置１の上記破損を効果的に抑制するためには、連結部１３ｄは、端子部１１、１２間の空隙部Ｓの延長上の幅（Ｘ）方向全域を横切るようにして形成されていることが望ましい。
本実施形態では、図１（ａ）に示すように、端子部１１の下側の辺に形成された連結部１３ｄは、対向する端子部１２の左側の辺の延長線ｐ１の手前で切断され、また、端子部１２の上側の辺に形成された連結部１３ｄは、対向する端子部１１の右側の辺の延長線ｐ２の手前で切断される。そのため、端子部１１、１２の各連結部１３ｄは、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域を横切るようには形成されていない。

しかし、空隙部Ｓ及びその延長上を光半導体装置１の全体で見た場合に、上記２つの連結部のうちいずれかの連結部１３ｄが、常に空隙部Ｓの延長上を横切ることとなるので、実質的には、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域に渡って連結部１３ｄが横切ることとなる。従って、本実施形態の連結部１３ｄは、より効果的に光半導体装置１の破損を抑制することができる。
また、本実施形態の光半導体装置１は、光半導体装置１の上端及び下端の両側に連結部１３ｄが存在しているため、連結部が一箇所設けられる場合に比べ、空隙部Ｓにおける強度を向上し、かつ、均一にすることができる。

なお、端子部１１、１２は、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と、連結部１３とによって電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。

連結部１３は、図３（ｃ）、図３（ｄ）に示すように、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。具体的には、連結部１３は、その裏面が、各端子部１１、１２の凹部Ｍの底面と同一平面内に形成されている。これにより、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏面にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４（ｃ）、図４（ｄ）に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の裏面には、図４（ｂ）に示すように、矩形状の外部端子面１１ｂ、１２ｂが表出することとなり、光半導体装置１の外観を向上させることができることに加え、半田で基板に実装する場合に、基板側への半田印刷を容易にしたり、半田を均一に塗布したり、リフロー後に半田内へのボイドの発生を抑制したりすることができる。また、光半導体装置１の面内（ＸＹ平面内）の中心線に対して線対称であることから、熱応力等に対する信頼性を向上させることができる。

光反射樹脂層２０は、図４に示すように、各端子部１１、１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の空隙部Ｓ）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。

例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。
また、透明樹脂層３０は、図１に示すように、光半導体装置１の外形に合わせた略直方体状の形状に限られず、光を効率よく制御するために、ＬＥＤ素子２の部分に対して半球状等に形成してもよい。

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、その平面図のａ−ａ断面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から多面付けされた複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。

まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部や、各端子部１１、１２間の空隙部Ｓのように貫通した空間と、凹部Ｍや連結部１３の裏面のように貫通せずに厚みが薄くなった窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、厚みが薄くなる側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍが形成された端子部１１、１２が形成され、金属基板１００上にリードフレーム１０が形成される。

次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｃを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電界めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｃを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｃを形成してもよい。
以上により、リードフレーム１０は、図２に示すように、フレームＦに多面付けされた状態で製造される。なお、図２において、めっき層Ｃは省略されている。

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の多面付けされた樹脂付きリードフレーム、多面付けされた光半導体装置１を示す図である。
図７は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図７（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の断面図であり、図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０の断面図を示す。図７（ｄ）は、ダイシングにより個片化され、光半導体装置１を形成したリードフレーム１０の断面図を示す。
なお、図７においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。また、図７（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）の断面図に基づくものである。

図７（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、樹脂は、各端子部１１、１２の外周側から凹部Ｍや、連結部１３の裏面へと流れ込み、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを接合している。
また、光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、光反射樹脂層２０の表面及び裏面には、各端子部１１、１２のＬＥＤ端子面１１ａ、１２ａと、外部端子面１１ｂ、１２ｂとが表出する（図４（ａ）、図４（ｂ）参照）。以上により、図６（ａ）に示すように、樹脂付きのリードフレーム１０の多面付け体が形成される。

次に、図７（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ここで、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａは複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子２に複数のボンディングワイヤ２ａが接続されてもよく、ボンディングワイヤ２ａをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。

そして、図７（ｃ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。
透明樹脂層３０は平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。以上により、図６（ｂ）に示すように、多面付けされた光半導体装置１が形成される。
最後に、図７（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０とともに、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（個片化）された光半導体装置１（図１参照）を得る。

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、空隙部Ｓの延長上に連結部１３ｄを備えているので、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができ、光半導体装置１に外力等が加わった場合に、その空隙部Ｓで折れて破損してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム１０は、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部１１と端子部１２との間隔がずれたり、各端子部１１、１２がフレームＦに対して捩れたりして、適正に光半導体装置１を製造することができなくなるのを抑制することができる。

（２）リードフレーム１０は、端子部１１、１２の上端側及び下端側のそれぞれに連結部１３ｄが設けられているので、連結部が一箇所設けられる場合に比べ、光半導体装置１の空隙部Ｓの強度を向上し、かつ、均一にすることができる。
（３）連結部１３ｄは、端子部１２と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１とを連結し、また、端子部１１と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２とを連結している。これにより、連結部１３ｄは、端子部１１、１２と上下に隣接する他のリードフレームの端子部１２、１１とを接続する連結部としての役割と、端子部間の空隙部Ｓの延長上を横切って、空隙部Ｓの補強部としての役割とを果たすことができる。
（４）リードフレーム１０は、端子部１１、１２の上側及び下側に連結部１３ｄを設けているので、実質的には、連結部１３ｄを、端子部１１、１２間の空隙部を全域に渡って横切らせており、より効果的に空隙部Ｓの強度を向上させ、光半導体装置１の破損を抑制することができる。
（５）連結部１３は、端子部１１、１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されているので、端子部１１、１２と光反射樹脂層２０との接触面積を増やすことができる。また、リードフレーム１０の厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム１０と光反射樹脂層２０とを交互に噛み合わせることができる。これにより、リードフレーム１０から光反射樹脂層２０が剥離してしまうのを抑制することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態のリードフレーム２１０及び光半導体装置２０１の詳細を説明する図である。
図８（ａ）は、多面付けされたリードフレーム２１０を示す図であり、図８（ｂ）は、光半導体装置２０１の全体構成を示す図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

第２実施形態のリードフレーム２１０は、連結部２１３ｄの形状が第１実施形態のリードフレーム１０の連結部１３ｄの形状と相違する。
連結部２１３ｄは、図８に示すように、端子部２１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム２１０の端子部２１１の下側の辺とを接続し、また、端子部２１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム２１０の端子部２１２の上側の辺とを接続する。すなわち、連結部２１３ｄは、一の端子部（２１２、２１１）と、その端子部の空隙部Ｓを挟んで対向する側に位置し、上又は下に隣接する他のリードフレームの端子部（２１１、２１２）とを連結するために、クランク状に屈折した形状に形成される。

このように形成されることによって、連結部２１３ｄは、端子部２１１、２１２の上側の辺と平行する部位が、端子部２１１及び端子部２１２間の空隙部Ｓの上方向の延長上を、幅方向の全域に渡って横切るようにして形成される。
連結部２１３は、多面付けされた各リードフレーム２１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、多面付けの光半導体装置２０１が形成された場合に、図８（ａ）に示すリードフレーム２１０の外形線（図８（ａ）中の破線）で切断される。これにより、個片化された光半導体装置２０１は、図８（ｂ）に示すように、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域に渡って横切る連結部２１３ｄを、その上端に備えた状態となる。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。

以上より、本実施形態の発明は以下の効果を奏する。
（１）リードフレーム２１０は、光半導体装置２０１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができ、光半導体装置２０１に外力等が加わった場合に、その空隙部Ｓで折れて破損してしまうのを抑制することができる。
また、リードフレーム２１０は、光反射樹脂層２０を形成する工程において、端子部２１１と端子部２１２との間隔がずれたり、各端子部２１１、２１２がフレームＦに対して捩れたりして、適正に光半導体装置２０１を製造することができなくなるのを抑制することができる。
（２）連結部２１３ｄは、端子部２１１と他のリードフレームの端子部２１２とを接続する連結部としての役割と、端子部間の空隙部Ｓの延長上を横切って、空隙部Ｓの補強部としての役割とを果たすことができる。
（３）光半導体装置２０１は、連結部２１３ｄが、空隙部Ｓの延長上の幅方向全域に渡って横切るようにして形成されているので、上記効果をより効率よく奏することができる。
（４）連結部２１３は、端子部２１１、２１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部２１１、２１２の表面と同一平面内に形成されているので、リードフレーム２１０の厚み（Ｚ）方向において、リードフレーム２１０と光反射樹脂層２０とを交互に噛み合わせることができる。これにより、リードフレーム２１０から光反射樹脂層２０が剥離してしまうのを抑制することができる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態の光半導体装置５０１の全体構成を示す図である。
図９（ａ）は、光半導体装置５０１の平面図を示し、図９（ｂ）は、光半導体装置５０１の側面図を示し、図９（ｃ）は、光半導体装置５０１の裏面図を示す。図９（ｄ）は、図９（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図１０は、第３実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム５１０を示す図である。図１０（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１０（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
図１１は、第３実施形態の樹脂付きリードフレームの多面付け体を示す図である。図１１（ａ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体の平面図であり、図１１（ｂ）は、樹脂付きリードフレームの多面付け体の裏面図である。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。

第３実施形態のリードフレーム５１０は、空隙部Ｓの延長上を横切る連結部（１３ｄ）が形成されない代わりに、補強片Ｔが端子部１１、１２とは別体でその端子部の周囲に形成されている点で、第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。また、第３実施形態のリードフレーム５１０は、図９に示すように、ＬＥＤ素子２が接続される側の面にリフレクタ５２０ａが形成される、いわゆるカップ型の光半導体装置５０１用のリードフレームである点においても、第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
リードフレーム５１０は、図９及び図１０に示すように、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部５１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部５１２とから構成される。また、リードフレーム５１０は、その外形の範囲内（図１０（ａ）中の破線内）に、連結部５１３及び補強片Ｔが設けられている。

連結部５１３は、図１０に示すように、フレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の端子部５１１、５１２を、隣接する他のリードフレーム５１０の端子部や、フレームＦに連結している。具体的には、連結部５１３は、端子部５１１と、それに隣接する他のリードフレームの端子部５１２とを接続し、また、端子部５１２と、それに隣接する他のリードフレームの端子部５１１とを連結する。さらに、連結部５１３は、フレームＦに隣接する端子部に対しては、フレームＦと端子部５１１又は端子部５１２とを連結している。

補強片Ｔは、端子部５１１及び端子部５１２間の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして形成されており、リードフレーム５１０に樹脂が充填された場合に、空隙部Ｓの強度を向上させることができ、樹脂付きリードフレームが空隙部Ｓで破損してしまうのを抑制する。ここで、補強片Ｔは、各端子部とは連結されていない。
補強片Ｔは、端子部５１１、５１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦに接続する接続部Ｔ２とから構成されている。補強片Ｔは、補強部Ｔ１の中央部に接続部Ｔ２が形成され、Ｔ字状に形成されている。ここで、フレームＦは、多面付けされるリードフレームの外周を囲むようにして形成される外周枠体部Ｆ１と、上記配列方向とは直交する方向（Ｙ方向）に配列される各リードフレーム５１０間に形成される中間枠体部Ｆ２とを備える。

補強片Ｔの接続部Ｔ２のうち中間枠体部Ｆ２に隣接する接続部Ｔ２は、その中間枠体部Ｆ２に接続されており、また、外周枠体部Ｆ１に隣接する接続部Ｔ２は、その外周枠体部Ｆ１に接続されている。接続部Ｔ２は、多面付けされた各リードフレーム５１０上にＬＥＤ素子２等が搭載され、光半導体装置の多面付け体が形成された場合に、リードフレーム５１０を形成する外形線（図１０（ａ）中の破線）でダイシング（切断）される。
ここで、接続部Ｔ２は、補強部Ｔ１の長手（Ｘ）方向の幅寸法が、補強部Ｔ１に比べ十分に狭い寸法（例えば、１０分の１）で形成されている。そのため、リードフレーム５１０の外形でダイシングする場合に、切断する金属部の加工面積を極力減らすことができ、切断加工の効率が低減してしまうのを抑制することができる。また、図９（ｂ）に示すように、製造された光半導体装置５０１の側面から表出する補強片Ｔの接続部Ｔ２の断面が小さくなるので、補強片Ｔは、外部から浸入する水分等の浸入経路を最小限にすることができ、光半導体装置５０１の製品の信頼性を向上させることができる。

補強片Ｔは、光半導体装置５０１の外形（図１０（ａ）中の破線）の上下方向及び左右方向の中心線に対して線対称に形成されている。これにより、金属から形成されるリードフレームと、樹脂から形成される光反射樹脂層との線膨張率の差によって生じる樹脂付きリードフレームや、光半導体装置１の伸縮や歪みを外形寸法内で均一にすることができる。
なお、端子部５１１及び端子部５１２の形状の差が大きい場合（例えば、端子部５１１と端子部５１２の表面積の比が２：３以上大きい場合）、補強片Ｔの接続部Ｔ２は、各端子部の空隙部Ｓの延長上に設け、補強片Ｔが空隙部ＳのＸ方向及びＹ方向の中心線に対して線対称に設けられるようにしてもよい。このようにすることで、端子部の大きさが極端に相違する場合でも空隙部Ｓにおける光反射樹脂層５２０の強度を向上させることができ、補強片Ｔは、空隙部Ｓにおける破損をより効率よく抑制することができる。
また、接続部Ｔ２を形成する位置は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂の種類（樹脂の硬化後の硬さ）に応じて変更するようにしてもよい。例えば、樹脂の硬化後の硬さが所定の値（損失弾性率が１０^９Ｐａかつ貯蔵弾性率が１０^８Ｐａ）以上の場合、その樹脂は外力に対してクラックが入り易くなるため、接続部Ｔ２は、空隙部Ｓの延長上に設けられていることが望ましい。

補強片Ｔは、図１０に示すように、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄く形成されている。具体的には、補強片Ｔは、その表面が各端子部５１１、５１２の表面と同一平面内に形成され、また、その裏面が各端子部の裏面から窪むように形成されている。補強片Ｔの裏面は、各端子部５１１、５１２の凹部Ｍの底面と同一面内に形成されている。これにより、リードフレーム５１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏面にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層５２０の樹脂が充填された場合に、端子部の外周等に樹脂を流動させ易くすることができる。
また、図１１に示すように、補強片Ｔの裏面にも樹脂が流れ込むので、リードフレーム５１０と樹脂との密着面積が増え、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。さらに、製造された光半導体装置５０１の裏面から、補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができ、光半導体装置５０１の外観、基板への実装時のアライメント容易性、半田接合時のセルフアライメント性を向上させることができる（図１１（ｂ）参照）。

フレームＦの中間枠体部Ｆ２は、端子部５１１、５１２の厚みよりも薄く、かつ、その表面が端子部５１１、５１２の表面と同一平面内に形成されている。すなわち、中間枠体部Ｆ２は、その裏面が、補強片Ｔの裏面と同一平面内に形成されている。中間枠体部Ｆ２は、光反射樹脂層５２０を形成する樹脂がリードフレームの多面付け体に充填された場合に、その裏面にも樹脂が充填されることとなるので、光反射樹脂層５２０とリードフレームの多面付け体との密着面積を増やすことができる。これにより、光反射樹脂層５２０がリードフレームの多面付け体から剥離してしまうのを抑制することができる。

光反射樹脂層５２０は、図１１に示すように、各端子部５１１、５１２の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の空隙部Ｓ）と、各端子部に設けられた凹部Ｍと、連結部１３の裏面と、補強片Ｔの裏面とに充填された樹脂の層である。また、光反射樹脂層５２０には、リードフレーム５１０の表面（ＬＥＤ素子２が載置される側の面）に、ＬＥＤ素子２から発光する光の方向等を制御するリフレクタ５２０ａが形成されている。
リフレクタ５２０ａは、ＬＥＤ素子２が配置される部分（配置部）、すなわち、端子部５１１、５１２のＬＥＤ端子面５１１ａ、５１２ａを囲むようにして、リードフレーム５１０の表面側に突出している。これにより、リフレクタ５２０ａは、ＬＥＤ端子面５１１ａに接続されるＬＥＤ素子２から発光する光を反射させて、光半導体装置５０１から光を効率よく照射させる。
リフレクタ５２０ａは、その高さ寸法が、ＬＥＤ端子面５１１ａに接続されるＬＥＤ素子２の高さ寸法よりも大きい寸法で形成される。また、リフレクタ５２０ａが形成されることによって、リードフレーム５１０に設けられた補強部Ｔの表面が、光半導体装置５０１（樹脂付きリードフレーム）の表面から視認されてしまうのを防ぐことができ、光半導体装置５０１の外観を良好に保つことができる。また、ＬＥＤ端子部５１１が光反射樹脂層５２０から剥離してしまうのを抑制することができる。

以上より、本実施形態の発明は以下の効果を奏する。
（１）リードフレーム５１０は、空隙部Ｓの延長上に補強片Ｔを備えているので、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができ、光半導体装置１に外力等が加わった場合に、その空隙部Ｓで折れて破損してしまうのを抑制することができる。
（２）補強片Ｔが、端子部の裏面に対して窪むように形成されているので、樹脂との密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層５２０がリードフレーム５１０から剥離してしまうのを抑制することができる。また、樹脂が充填された場合に樹脂付きリードフレームの裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができ、樹脂付きリードフレームや光半導体装置の外観を良好に保つことができる。
（３）補強片Ｔが、光半導体装置５０１の外形の中心線に対して線対称に形成されているので、製造過程や、光半導体装置の実装時において加わる熱によって発生する樹脂付きリードフレームや光半導体装置１の伸縮や歪みを均一にすることができ、光半導体装置等が局所的に破損してしまうのを抑制することができる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
図１２は、第４実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム６１０を示す図である。図１２（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１２（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第４実施形態のリードフレーム６１０は、補強片Ｔの形状が相違する点で、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
本実施形態の補強片Ｔは、端子部６１１、６１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部のみから構成されており、その補強部が直接フレームＦ（外周枠体部Ｆ１又は中間枠体部Ｆ２）上に空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられる。

以上より、本実施形態のリードフレーム６１０は、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様の効果を奏することができる。
また、リードフレーム６１０の補強片Ｔは、接続部を有さないので、その外形を第３実施形態の補強片Ｔに比して大きくすることができる。そのため、補強片Ｔは、空隙部Ｓの強度をより向上させることができる。

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
図１３は、第５実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム７１０を示す図である。図１３（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１３（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１３（ｃ）は、図１３（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第５実施形態のリードフレーム７１０は、補強片Ｔの形状が相違する点と、各端子部の外形が相違する点とで、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
本実施形態のリードフレーム７１０の端子部７１１と端子部７１２とは、互いに同一の外形に形成されている。
補強片Ｔは、端子部の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられる。補強片Ｔは、端子部７１１、７１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦの中間枠体部Ｆ２に接続する接続部Ｔ２とから構成されている。補強片Ｔは、補強部Ｔ１の一端部に接続部Ｔ２が形成され、Ｌ字状に形成されており、リードフレーム７１０（光半導体装置）の外形の中心に対して点対称に配置されている。

以上より、本実施形態のリードフレームは、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様に、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができる。
また、補強片Ｔが、端子部の裏面に対して窪むように形成されているので、樹脂との密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層がリードフレーム１０１０から剥離してしまうのを抑制することができるとともに、樹脂付きリードフレームの裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができる。
さらに、各端子部が同じ形状に形成され、また、補強片Ｔがリードフレーム７１０の外形の中心に対して点対称に形成されているので、樹脂付きリードフレームや光半導体装置に発生する伸びや歪みを均一にすることができ、製造工程や光半導体装置駆動時に発生する熱ストレスなどによる樹脂付きリードフレームや光半導体装置の一部に歪等が集中して樹脂部の破壊が発生してしまうのを抑制することができる。

（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
図１４は、第６実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム８１０を示す図である。図１４（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１４（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１４（ｃ）は、図１４（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第６実施形態のリードフレーム８１０は、補強片Ｔの形状が相違する点で、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
補強片Ｔは、端子部の空隙部Ｓの延長上を横切るようにして設けられる。補強片Ｔは、端子部８１１、８１２の配列方向（Ｘ方向）に長い矩形状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦの中間枠体部Ｆ２に接続する接続部Ｔ２とから構成されている。補強片Ｔは、補強部Ｔ１の一端部に接続部Ｔ２が形成され、Ｌ字状に形成されており、リードフレーム８１０（光半導体装置）の外形の端子部の配列方向に平行な方向（Ｙ方向）の中心線に対して線対称に配置されている。
以上より、本実施形態のリードフレームは、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様の効果を奏することができる。特に、２つの端子の大きさが異なる場合に、光半導体装置全体での歪を調節することが容易となり、有益である。

（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。
図１５は、第７実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム９１０を示す図である。図１５（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１５（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１５（ｃ）は、図１５（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第７実施形態のリードフレーム９１０は、補強片Ｔの形状が相違する点で、第３実施形態のリードフレーム５１０と相違する。
補強片Ｔは、端子部の空隙部Ｓの延長上を横切り、また、各端子部９１１、９１２を囲むようにして形成されている。そのため、補強片Ｔは、端子部９１１、９１２を挟み込む用にして形成されたコの字状の補強部Ｔ１と、その補強部Ｔ１をフレームＦの中間枠体部Ｆ２に接続する接続部Ｔ２とから構成されている。
また、補強片Ｔは、リードフレーム９１０（光半導体装置）の外形の上下方向（Ｙ方向）及び左右方向（Ｘ方向）の中心線に対して線対称に配置されている。

以上より、本実施形態のリードフレームは、上述の第３実施形態のリードフレーム５１０と同様の効果を奏することができる。
また、コの字状の補強部Ｔ１を備えることによって、樹脂付きリードフレームや光半導体装置の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。

（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。
図１６は、第８実施形態のフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０１０を示す図である。図１６（ａ）は、リードフレームの多面付け体の平面図であり、図１６（ｂ）は、リードフレームの多面付け体の裏面図である。図１６（ｃ）は、図１６（ａ）のｃ−ｃ断面図である。
第８実施形態のリードフレーム１０１０は、１つのリードフレーム１０１０に対して補強片Ｔが３つ設けられている点と、端子部１０１１に連結部１０１３が２つ設けられている点で、第７実施形態のリードフレーム９１０と相違する。

連結部１０１３は、端子部１０１１を、隣接する他のリードフレームの端子部１０１２又はフレームＦに連結しており、また、端子部１０１２を隣接する他のリードフレームの端子部１０１１又はフレームＦに連結している。また、連結部１０１３は、端子部１０１１に対しては、Ｘ方向だけでなく、Ｙ方向からもフレームＦに連結している。これにより、連結部１０１３は、外形が大きく形成された端子部１０１１（ダイパッド）をフレームＦに対してより強固に連結することができる。

補強片Ｔは、各端子部１０１１、１０１２の外周を囲むようにして３つ設けられている。リードフレーム１０１０の上側（＋Ｙ側）の補強片Ｔは、Ｙ方向から端子部１０１１を連結する連結部１０１３を境にして２つに分離されている。その一方の補強片Ｔａは、端子部１０１１の左上側の角部を覆うようにして配置され、他方の補強片Ｔｂは、端子部間の空隙部Ｓの上側の延長上を横切り、かつ、端子部１０１２の右上側の角部を覆うようにして配置される。

リードフレーム１０１０の下側（−Ｙ側）の補強片Ｔｃは、各端子部を挟み込むようにコの字状に形成されており、空隙部Ｓの延長上を横切り、かつ、各端子部の下側の角部を覆うように配置される。
補強片Ｔａ及び補強片Ｔｂは、Ｌ字状に形成された補強部Ｔａ１、Ｔｂ１と、その補強部をフレームＦに接続する接続部Ｔａ２、Ｔｂ２とからそれぞれ構成されている。
補強片Ｔｃは、上述したように、コの字状に形成された補強部Ｔｃ１と、その補強部をフレームＦに接続する接続部Ｔｃ２とから構成される。

以上より、本実施形態のリードフレーム１０１０は、上述の第７実施形態と同様に、光半導体装置１の空隙部Ｓにおける強度を向上させることができる。
また、補強片Ｔが、端子部の裏面に対して窪むように形成されているので、樹脂との密着面積を増やすことができ、光反射樹脂層がリードフレーム１０１０から剥離してしまうのを抑制することができるとともに、樹脂付きリードフレームの裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができる。
さらに、コの字状及びＬ字状の補強部Ｔａ〜Ｔｃを備えることによって、樹脂付きリードフレームや光半導体装置の角部の強度を向上させることができ、角部の樹脂が欠けたり変形したりするのを防ぐことができる。
また、端子部１０１１が２つの連結部１０１３により連結されるので、外形が大きく形成された端子部１０１１の連結強度を向上させることができ、リードフレームの多面付け体のハンドリング時等において、端子部１０１１がフレームＦに対して変形したり、外れたりするのを抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。

図１７、図１８は、本発明の変形形態を示す図である。
（変形形態）
（１）第１実施形態、第２実施形態において、連結部１３ｄは、端子部を他のリードフレームの端子部やフレームＦに連結する連結部としての役割と、端子部間の強度を向上させる補強部としての役割を兼ねる形態としたが、これに限定されない。例えば、連結部１３ｄの代わりに、図１７に示すように、端子部３１１、３１２間の空隙部Ｓの延長上に補強部３１３ｄを形成し、光半導体装置３０１の空隙部Ｓにおける強度を向上させるようにしてもよい。

（２）第１実施形態、第２実施形態において、連結部１３ｄは、端子部の上側の辺に対して、傾斜した部位や、平行な部位を設けて、空隙部Ｓの延長上を横切るように形成したが、これに限定されず、他の形状によって、空隙部Ｓの延長上を横切るようにしてもよい。
（３）第１実施形態、第２実施形態においては、リードフレーム１０は、端子部１１及び端子部１２を備える例を示したが、リードフレームは、２以上の端子部を備えていてもよい。例えば、図１８に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（４１１）にはＬＥＤ素子を実装し、他の２つ（４１２ａ、４１２ｂ）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。この場合、補強部としての役割を有する連結部３１３ｄは、端子部４１１、４１２ａ間と、端子部４１１、４１２ｂ間との空隙部Ｓの延長上に設ける必要がある。

（４）第１実施形態、第２実施形態において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２を載置、接続するダイパッドとなる端子部１１と、ＬＥＤ素子２とボンディングワイヤ２ａを介して接続されるリード側端子部となる端子部１２とから構成する例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＬＥＤ素子２が２つの端子部を跨ぐようにして載置、接続されるようにしてもよい。この場合、２つの端子部のそれぞれの外形は、同等に形成されてもよい。
（５）第１実施形態、第２実施形態において、光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みと同等に形成される例で説明したが、これに限定されない。例えば、リードフレームのＬＥＤ素子の搭載部を囲むようにして、リードフレームの表面に凸状に光反射樹脂層を形成することも可能である。
（６）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。

（７）第３実施形態〜第８実施形態において、リードフレームは、カップ型の光半導体装置に適用される例を示したが、これに限定されるものでなく、リードフレームの厚みと光半導体装置の厚みとがほぼ同等となる、いわゆるフラット型の光半導体装置（図１参照）に適用してもよい。
（８）第３実施形態において、補強片Ｔは、補強部Ｔ１が１つの接続部Ｔ２によってフレームＦに接続される例を示したが、これに限定されるものでなく、補強部Ｔ１は、２以上の接続部Ｔ２によってフレームＦに接続されるようにしてもよい。例えば、補強部Ｔ１の両端のそれぞれに接続部Ｔ２を設けることも可能であり、この場合、フレームＦに対する補強部Ｔ１の接続強度を向上させることができる。

（９）第３実施形態〜第８実施形態において、補強片Ｔは、端子部の厚みよりも薄く、その表面が各端子部の表面と同一平面内に形成され、また、裏面が各端子部の裏面から窪むように形成される例を示したが、これに限定されるものでない。例えば、補強片Ｔは、端子部の厚みと同等の厚みに形成するようにしてもよい。この場合、補強片Ｔは、上述の実施形態の場合に比べ厚み寸法が厚くなるので、光半導体装置の強度をより向上させることができる。
また、補強片Ｔは、端子部の厚みより薄く形成し、その表面及び裏面のそれぞれが、各端子部の表面及び裏面のそれぞれから窪むようにしてもよい。この場合、補強片Ｔは、樹脂付きリードフレームの製造過程において、樹脂をリードフレームの各端子部間により効率よく充填することができる。また、この補強片を備えたリードフレームは、樹脂を充填した場合に、樹脂付きリードフレームの表裏面から補強片Ｔが表出してしまうのを防ぐことができるので、フラット型の光半導体装置に使用することも可能である。

１、２０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、２１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０、１０１０ リードフレーム
１１、２１１、５１１、６１１、７１１、８１１、９１１、１０１１ 端子部
１２、２１２、５１２、６１２、７１２、８１２、９１２、１０１２ 端子部
１３、２１３、５１３、６１３、７１３、８１３、９１３、１０１３ 連結部
２０、５２０ 光反射樹脂層
３０、５３０ 透明樹脂層
Ｍ 凹部
Ｓ 空隙部
Ｔ 補強片

Claims (14)

1. 互いに絶縁する複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体用リードフレームにおいて、
   前記端子部は、対向する他の端子部との間の空隙部の延長上に連結部を備え、
   前記連結部は、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域内において、前記パッケージ領域の辺に沿って一部が延在するクランク状に屈折した形状であること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
2. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   当該光半導体装置用リードフレームは、枠体に多面付けされており、
   前記連結部は、前記端子部と、多面付けされる他の光半導体装置用リードフレームの端子部とを接続する連結部材を兼ねること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
3. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記連結部は、前記空隙部の延長上の幅全域に渡って設けられること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記連結部は、少なくとも一部が、前記端子部の表面又は裏面に対して窪んだ状態に形成されること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
5. 互いに絶縁する複数の端子部を有し、前記端子部のうち少なくとも一つが光半導体素子と接続される光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記複数の端子部は、それぞれ前記複数の端子部間の空隙部の延長上に補強部を備え、
   一の前記端子部の前記補強部は、前記空隙部を介して隣接する他の前記端子部の方向に突出した形状であり、他の前記端子部の前記補強部は、前記空隙部を介して隣接する一の前記端子部の方向に突出した形状であり、
   一の前記端子の前記補強部及び他の前記端子部の前記補強部は、前記光半導体装置の外形を形成するパッケージ領域内において、前記パッケージ領域の辺に沿って延在する、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
6. 請求項５に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記補強部は、前記端子部の表面及び裏面のうち少なくとも一方の面に対して窪んでいること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
7. 請求項５又は請求項６に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記補強部は、前記光半導体装置の外形の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
8. 請求項５から請求項７までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記補強部は、前記空隙部の中心線のうち少なくとも１つの中心線に対して線対称に設けられること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
9. 請求項５から請求項８までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
   前記補強部は、前記光半導体装置の外形の中心に対して点対称に設けられること、
   を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
10. 請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
    前記光半導体装置用リードフレームの前記端子部の外周及び前記空隙部に形成される樹脂層とを備えること、
    を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
11. 請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
    を特徴とするリードフレームの多面付け体。
12. 請求項１０に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
    を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。
13. 請求項１０に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
    前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部のうち少なくとも一つに接続される光半導体素子と、
    前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
    を特徴とする光半導体装置。
14. 請求項１３に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
    を特徴とする光半導体装置の多面付け体。