JP6603982B2 - リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 - Google Patents
リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6603982B2 JP6603982B2 JP2014133120A JP2014133120A JP6603982B2 JP 6603982 B2 JP6603982 B2 JP 6603982B2 JP 2014133120 A JP2014133120 A JP 2014133120A JP 2014133120 A JP2014133120 A JP 2014133120A JP 6603982 B2 JP6603982 B2 JP 6603982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- lead frame
- unit
- unit region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 143
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 143
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
また、特許文献2の図22には、吊りの支柱となる補強リードを設けることが開示されている。
また、本発明は、樹脂成形体における亀裂の発生を防止できる樹脂パッケージと樹脂パッケージの製造方法を提供することを第2の目的とする。
前記第1の方向に隣り合う単位領域間において前記延伸部によって一方の単位領域の第1のリードが他方の単位領域の第1のリード又は第2のリードに接続されている。
(i) 第1と第2のリードをそれぞれ含む複数の単位領域が繰り返し第1の方向に配置されてなる列を少なくとも1つ含み、前記単位領域において、前記第1のリードと前記第2のリードとを分離する分離領域が前記第2のリードの端部で屈曲しており、前記第1のリードが前記第2のリードの端部に沿って延伸する延伸部を有し、前記第1の方向に隣り合う単位領域間において前記延伸部によって一方の単位領域の第1のリードが他方の単位領域の第1のリード又は第2のリードに接続されたリードフレームを準備することと、
(ii) 前記単位領域においてそれぞれ第1のリードの少なくとも一部と第2のリードの少なくとも一部とに対向する凸部を有する上金型と、下金型とを準備することと、
(iii) 前記リードフレームを、前記凸部と前記下金型とによってそれぞれ第1のリードの少なくとも一部と第2のリードの少なくとも一部とを挟んで保持した状態で、前記凸部の周りにできる空洞に樹脂を注入することと、
を含むことを特徴とする。
以上のように構成された本発明に係る樹脂パッケージ及び樹脂パッケージの製造方法によれば、樹脂成形体における亀裂の発生を防止できる樹脂パッケージを提供することができる。
実施形態1.
図1は、本発明に係る実施形態1のリードフレーム100の構成を示す平面図であり、それぞれ第1のリード11と第2のリード12を含む単位領域10が繰り返し配置されている。具体的には、図1の実施形態1のリードフレーム100において、単位領域10は縦方向(第1の方向)に配置されて列をなし、その列が横方向(第2の方向)に並んで設けられている(並置されている)。
各単位領域10において、第1のリード11と第2のリード12は分離領域13を介して分離されているが、隣接する単位領域の第1のリード11及び第2のリード12を介して支持されている。すなわち、第1のリード11と第2のリード12が、隣接する単位領域間において、第1のリード11間、第2のリード12間又は第1のリード11と第2のリード12間のいずれか一以上の間で連結されて1つのリードフレームが構成されている。
以下、実施形態1のリードフレーム100の構成を具体的に説明する。
尚、本実施形態1では、第1連結部11aを対角のかどに近い位置に設けたが、第1連結部11aを対角のかどに設けても良い。その際、2つの第1連結部11aの一方を主要部11bのかどから延伸するように設け、他方を主要部11bのかどに近い位置から延伸するように設けてもよい。ここで、主要部11bのかどに近い位置とは、主要部11bのかどからの距離が短辺の中心からの距離より短くなるような位置をいう。
また、凹部16は、例えば、底面から上面に向かって断面積が広くなるように構成されている。図2において、15aを付して示す部分は傾斜した凹部16の側壁である。また、リードフレーム100の分離領域13には樹脂が充填されており、充填された樹脂からなる樹脂分離部14が形成される。樹脂を硬化させた後、切断線17に沿って切断して、個々の樹脂パッケージごとに分離する。以上のようにして、実施形態1の樹脂パッケージが作製される。
なお、ダイシングストリート幅(切断部の幅)は、例えば0.1mm〜0.3mm程度である。樹脂パッケージの大きさは特に限定されないが、例えば、平面視の一辺が1mm〜5mm、厚みが0.2mm〜0.7mm程度である。
すなわち、第1のリード11と第2のリード12の間の樹脂分離部が一側面から他の側面に向かって直線的に延びていると、樹脂分離部の部分で亀裂が入るおそれがある。しかしながら、本実施形態1の樹脂パッケージでは、樹脂分離部14が第1のリード11の外形(主要部11bの側面と延伸部11cの側面)に沿って屈曲している。したがって、樹脂分離部14に外からの力が加わりにくく、また、樹脂分離部14に外力が加わったとしても主要部11bと延伸部11cとによって樹脂分離部14の変形が抑制され、樹脂部における亀裂の発生を防止できる。
また、実施形態1のリードフレーム100は、第1のリード11が延伸部11cと第1連結部とによって4カ所の対角角部でそれぞれ支持され、第2のリード12が延伸部11cによって第1のリード11に連結されている他、隣接する単位領域の第2のリード12と3カ所で連結されて支持されている。これにより、リードフレーム100の変形を抑制することができ、大判化が可能になる。
さらに、実施形態1のリードフレーム100は、補強リードを設けることなく、第1のリード11及び第2のリード12を保持しているので、ダイシングストリート幅(切断部の幅)を狭くでき、取り個数を多くすることができる。
また、補強リードごと切削する必要がないので、切断スピードを速くでき、製造コストを削減できる。
図3の発光装置において、樹脂パッケージの凹部16の底面に露出した第1のリード11上に発光素子18がダイボンディング(載置)され、発光素子18のn側電極とp側電極とがそれぞれワイヤ19を介して一方の第2のリード12と他方のリード12に接続される。
この図3に示す例では、例えば、一方の第2のリード12が正のリードであり、他方の第2のリード12が負のリードである。
ここで、樹脂パッケージ(樹脂成形体)の外側面には延伸部11cの切断面(端面)が露出し、同様に、第1連結部11a、第2連結部12c及び第3連結部12aの切断面も樹脂パッケージの外側面に露出している。また、延伸部11c、第1連結部11a、第2連結部12c及び第3連結部12aは、ハーフエッチングにより薄くなっており、図3において樹脂パッケージの外表面に露出した延伸部11c等の切断面は薄く描いている。
図3に示す樹脂パッケージにおいて、樹脂成形体は4つの外側面を有しているが、各外側面に延伸部11c、第1連結部11a、第2連結部12c及び第3連結部12aのいずれか1つ以上の端部が露出していることが好ましい。
例えば、第1のリード11の主要部11bと第2のリード12の主要部12bを厚くして、樹脂成形体の裏面から露出させて外部接続端子を形成するような場合、主要部11bの側面及び主要部12bの側面と樹脂成形体の境界が平坦であると、主要部11bの側面及び主要部12bと樹脂成形体との界面が剥離する恐れがある。しかしながら、延伸部11c、第1連結部11a、第2連結部12c及び第3連結部12aが外側面から露出するようにすることで、主要部11bの側面及び主要部12bの側面と樹脂成形体の境界に凸部が形成されることになり、主要部11bの側面及び主要部12bと樹脂成形体との界面剥離を防止することができる。
発光装置は、発光素子18が発する光の少なくとも一部について、その波長を変換(長波長側に変換)するための1種類以上の蛍光体を発光素子18の周りに配置してよい。図3に示す発光装置においては、1種類以上の蛍光体を含む封止樹脂を樹脂パッケージの凹部16に充填することにより、蛍光体を発光素子18の周囲に配置することが好ましい。
封止樹脂は、必要に応じて、発光素子18および蛍光体からの光を拡散させる拡散剤を含んでよい。
また、封止樹脂の表面形状を制御することによりレンズを形成し、光の取り出し効率を高めてもよい。または、封止樹脂の上にレンズを配置することにより光の取り出し効率を高めてもよい。
図4は、本発明に係る実施形態2のリードフレーム200の構成を示す平面図である。
実施形態2のリードフレーム200は、実施形態1と同様、それぞれ第1のリード21と第2のリード22を含む単位領域20が繰り返し配置されることで構成されているが、実施形態1とは異なり、各単位領域20が1つの第1のリード21と1つの第2のリード22とによって構成されている。
以下、実施形態2のリードフレーム200の構成を具体的に説明する。
すなわち、分離領域23は、第1のリード21の主要部21bの一辺と第2のリード22の主要部22bの長辺の間に直線的に形成された分離領域と当該分離領域の両端から第2のリード22の主要部22bの短辺に沿って形成された分離領域からなる。
第1のリード21の延伸部21cはそれぞれ縦方向に隣接する単位領域20の第1のリード21に連結されている。
第1のリード21は、主要部21bの一辺(分離領域23側の辺)の反対側の他辺の2カ所でそれぞれ連結部21aを介して縦方向に隣接する単位領域の第2のリード22に連結されている。尚、連結部21aは、縦方向に隣接する単位領域の第2のリード22の連結部22aに連結されている。
また、第1のリード21は、横方向に隣接する単位領域20の第1のリード21と連結部21dを介して連結されている。
具体的には、実施形態1と同様に、例えば、分離可能な2つ以上の金型の一方の上金型に凹部26に対応して凸部を設け、成形時には、その凸部の上面と他方の下金型の間にリードフレーム200とを挟み込んで凸部の周りに形成されるキャビティに樹脂を注入して硬化させる。このとき、好ましくは、延伸部21cが樹脂成形体25の中に埋設されるようにする。また、凹部26は、例えば、底面から上面に向かって断面積が広くなるように構成し、図5において、25aを付して示す部分は傾斜した凹部26の側壁である。
尚、リードフレーム200の分離領域23には樹脂が充填され、充填された樹脂からなる樹脂分離部24が形成される。樹脂を硬化させた後、切断線27に沿って切断して、個々の樹脂パッケージごとに分離する。以上のようにして、実施形態2の樹脂パッケージが作製される。
ここで、特に本実施形態2では、第1のリード21は主要部22bの両短辺に沿ってそれぞれ延伸する2つの延伸部21cを有しているので、樹脂分離部24の両側で樹脂成形体25が補強され、より効果的に樹脂成形部における亀裂の発生を防止できる。
また、実施形態2のリードフレーム200は、補強リードを設けることなく、第1のリード21及び第2のリード22を保持しているので、ダイシングストリート幅(切断部の幅)を狭くでき、取り個数を多くすることができる。
また、補強リードごと切削する必要がないので、切断スピードを速くでき、製造コストを削減できる。
図6は、本発明に係る実施形態3のリードフレーム300の構成を示す平面図である。
実施形態3のリードフレーム300は、実施形態1及び2と同様、それぞれ第1のリード31と第2のリード321〜323を含む単位領域30が繰り返し配置されることで構成されているが、実施形態1及び2とは異なり、各単位領域30が1つの第1のリード31と3つの第2のリード321〜323とによって構成されている。
以下、実施形態3のリードフレーム300の構成を具体的に説明する。
尚、リードフレーム300の分離領域33には樹脂が充填され、充填された樹脂からなる樹脂分離部34が形成される。樹脂を硬化させた後、切断線37に沿って切断して、個々の樹脂パッケージごとに分離する。以上のようにして、実施形態3の樹脂パッケージが作製される。
また、実施形態3のリードフレーム300は、第1のリード31の胴体部が延伸部31c,31d及び連結部31aとによって4カ所の対角角部でそれぞれ支持されている。これにより、リードフレーム300の変形を抑制することができ、大判化が可能になる。
さらに、実施形態3のリードフレーム300は、補強リードを設けることなく、第1のリード31及び第2のリード32を保持しているので、ダイシングストリート幅(切断部の幅)を狭くでき、取り個数を多くすることができる。
また、補強リードごと切削する必要がないので、切断スピードを速くでき、製造コストを削減できる。
また、リードフレームの厚みは、例えば、50μm〜1000μmであり、好ましくは、100μm〜500μmとする。また、リードフレームは、目的に応じて厚みを変化させることができる。このリードフレームの厚みは、エッチング(ハーフエッチング)又はプレス加工により変化させることが可能であり、厚みを変化させる場合、延伸部の厚みを薄くすることが好ましく、これにより個々の樹脂パッケージごとに分離する際の切断スピードをより速くでき、製造コストをさらに削減できる。
さらに、リードフレームの第1リードの主要部及び/又は第2リードの主要部に一部が薄くなった凹部又は一部が厚くなった凸部を形成して、その凹部に樹脂をくい込ましたり、凸部を樹脂成形体にくい込ましたり、リードフレームと樹脂成形体との密着面積を大きくしたりすることにより、密着性を向上させることができる。
また、凹部は、第1リードの主要部の外周及び/又は第2リードの主要部の外周に沿った薄肉部により形成することが好ましい。このように主要部の外周に沿って凹部を形成するようにすると、例えば、延伸部の厚みが薄くなるようにエッチングするときに、その延伸部と連続する薄肉部を主要部の外周に沿って形成することにより凹部を形成することができる。
10,20,30 単位領域
11,21,31 第1のリード
11a 第1連結部
11b,12b,21b,22b,31b,321b,322b,323b 主要部
11c,21c,31c,31d 延伸部
12,22,321,322,323 第2のリード
12a 第3連結部
12c 第2連結部
13,23,33 分離領域
14,24,34樹脂分離部
15,25,35樹脂成形体
15a,25a,35a 凹部の側壁
16,26,36 凹部
17,27,37 切断線
18 発光素子
19 ワイヤ
21a,31a,321a,322a,323a 連結部
Claims (9)
- 第1と第2のリードをそれぞれ含む複数の単位領域が繰り返し第1の方向に配置されてなる列を少なくとも1つ含むリードフレームであって、
前記単位領域において、前記第1のリードと前記第2のリードとを分離する分離領域は前記第2のリードの端部で屈曲しており、前記第1のリードは前記第2のリードの端部に沿って延伸する延伸部を有し、
前記第1の方向に隣り合う単位領域間において前記延伸部によって一方の単位領域の第1のリードが他方の単位領域の第1のリード又は第2のリードに接続され、
前記列を複数含み、該複数の列が前記第1の方向と異なる第2の方向に並置され、
前記第1のリード部が、矩形形状の主要部又は矩形形状の胴体部を有する主要部を有し、前記延伸部が前記主要部の一対の対角のかど又はそのかどに近い位置からそれぞれ反対方向に延伸する一方、
前記第2の方向に隣り合う単位領域間において、一方の単位領域の第1のリードと他方の単位領域の第1のリードとが、前記主要部の前記一対の角部とは異なる対角のかど又はそのかどに近い位置に設けられてそれぞれ反対方向に延伸する連結部を介して連結され、前記第2の方向に隣り合う単位領域および前記連結部が同一平面を形成するように配置されている、ことを特徴とするリードフレーム。 - 前記第2の方向に隣り合う単位領域間において一方の単位領域の第2のリードと他方の単位領域の第2のリードとが接続された請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記第1の方向に隣り合う単位領域間において一方の単位領域の第2のリードと他方の単位領域の第2のリードとが接続された請求項1または2に記載のリードフレーム。
- 前記第1のリードは、前記矩形形状の4つの角部で支持された請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載のリードフレーム。
- 前記第1のリードの主要部および/または前記第2のリードの主要部の外周に沿って凹部が形成されている請求項1〜4のうちのいずれか1つに記載のリードフレーム。
- 請求項1〜5のうちのいずれか1つに記載のリードフレームが樹脂成形体に埋設されてなる樹脂付きリードフレーム。
- (i)第1と第2のリードをそれぞれ含む複数の単位領域が繰り返し第1の方向に配置されてなる列を複数含み、該複数の列が前記第1の方向と異なる第2の方向に並置され、前記単位領域において、前記第1のリードと前記第2のリードとを分離する分離領域が前記第2のリードの端部で屈曲しており、前記第1のリードが前記第2のリードの端部に沿って延伸する延伸部を有し、前記第1のリード部が、矩形形状の主要部又は矩形形状の胴体部を有する主要部を有し、前記延伸部が前記主要部の一対の対角のかど又はそのかどに近い位置からそれぞれ反対方向に延伸し、前記第1の方向に隣り合う単位領域間において前記延伸部によって一方の単位領域の第1のリードが他方の単位領域の第1のリード又は第2のリードに接続され、前記第2の方向に隣り合う単位領域間において、一方の単位領域の第1のリードと他方の単位領域の第1のリードとが、前記主要部の前記一対の角部とは異なる対角のかど又はそのかどに近い位置に設けられてそれぞれ反対方向に延伸する連結部を介して連結され、前記第2の方向に隣り合う単位領域および前記連結部が同一平面を形成するように配置されている、リードフレームを準備することと、
(ii)前記単位領域においてそれぞれ第1のリードの少なくとも一部と第2のリードの少なくとも一部とに対向する凸部を有する上金型と、下金型とを準備することと、
(iii)前記リードフレームを、前記凸部と前記下金型とによってそれぞれ第1のリードの少なくとも一部と第2のリードの少なくとも一部とを挟んで保持した状態で、前記凸部の周りにできる空洞に樹脂を注入することと、
を含む樹脂パッケージの製造方法。 - 前記凸部を、前記延伸部を除いた位置で前記第1のリードの一部と対向するように形成する請求項7に記載の樹脂パッケージの製造方法。
- 前記第1のリードの主要部および/または前記第2のリードの主要部の外周に沿って凹部を形成する請求項7または8に記載の樹脂パッケージの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014133120A JP6603982B2 (ja) | 2013-07-31 | 2014-06-27 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
EP14178814.1A EP2833419B1 (en) | 2013-07-31 | 2014-07-28 | Lead frame, lead frame with resin attached thereto, resin package, light emitting device, and method for manufacturing a resin package |
CN201410367659.0A CN104347786B (zh) | 2013-07-31 | 2014-07-29 | 引线框、带树脂引线框、树脂封装体、发光装置以及树脂封装体的制造方法 |
US14/447,231 US9607934B2 (en) | 2013-07-31 | 2014-07-30 | Lead frame, lead frame with resin attached thereto, resin package, light emitting device, and method for manufacturing resin package |
US15/427,711 US10366945B2 (en) | 2013-07-31 | 2017-02-08 | Lead frame, lead frame with resin attached thereto, resin package, light emitting device, and method for manufacturing resin package |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013158442 | 2013-07-31 | ||
JP2013158442 | 2013-07-31 | ||
JP2014133120A JP6603982B2 (ja) | 2013-07-31 | 2014-06-27 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019148452A Division JP6825660B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-08-13 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015046578A JP2015046578A (ja) | 2015-03-12 |
JP6603982B2 true JP6603982B2 (ja) | 2019-11-13 |
Family
ID=51224875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014133120A Active JP6603982B2 (ja) | 2013-07-31 | 2014-06-27 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9607934B2 (ja) |
EP (1) | EP2833419B1 (ja) |
JP (1) | JP6603982B2 (ja) |
CN (1) | CN104347786B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6268793B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2018-01-31 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、光半導体装置 |
JP5884789B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2016-03-15 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6520022B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2019-05-29 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、これを用いた発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
KR20160028014A (ko) * | 2014-09-02 | 2016-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 패키지 제조방법 |
CN105742467A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-06 | 震扬集成科技股份有限公司 | 承载器阵列以及发光二极管封装结构 |
US10333752B2 (en) * | 2015-03-13 | 2019-06-25 | Qualcomm Incorporated | Guard-band for scaled numerology multiplexing |
JP1537979S (ja) * | 2015-04-20 | 2015-11-16 | ||
JP1537981S (ja) * | 2015-04-20 | 2015-11-16 | ||
JP1537980S (ja) * | 2015-04-20 | 2015-11-16 | ||
JP6354809B2 (ja) * | 2016-08-16 | 2018-07-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び複合基板 |
JP6850838B2 (ja) * | 2018-10-11 | 2021-03-31 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体素子 |
DE102019120523A1 (de) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leiterrahmenverbund, Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen und Bauteil |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2686568B2 (ja) * | 1991-04-05 | 1997-12-08 | シャープ株式会社 | 光学装置 |
US6373078B1 (en) * | 1999-09-28 | 2002-04-16 | International Rectifier Corp. | Microelectronic relay with upset and downset lead frames |
JP2003133501A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム構造体とその製造方法 |
TW523942B (en) * | 2002-03-05 | 2003-03-11 | Hsiu-Hen Chang | package socket and package legs structure for LED and manufacturing of the same |
US8816369B2 (en) * | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
JP2007134376A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
JP5038623B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 光半導体装置およびその製造方法 |
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
TWM312778U (en) | 2006-12-22 | 2007-05-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Improved LED |
JP5026848B2 (ja) * | 2007-04-19 | 2012-09-19 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP5180694B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-04-10 | アピックヤマダ株式会社 | Ledチップ実装用基板の製造方法、ledチップ実装用基板のモールド金型、ledチップ実装用基板、及び、led |
JP2010098227A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Yamaha Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2010153517A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Yamaha Corp | リードフレーム連続成形体、パッケージ本体連続成形体及び半導体装置の製造方法 |
JP2010153518A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Yamaha Corp | リードフレーム連続成形体、パッケージ本体連続成形体及び半導体装置の製造方法 |
JP5010716B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP2012028699A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法 |
US9831393B2 (en) * | 2010-07-30 | 2017-11-28 | Cree Hong Kong Limited | Water resistant surface mount device package |
JP5876645B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2016-03-02 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレームの製造方法 |
KR101890084B1 (ko) * | 2010-11-02 | 2018-08-20 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 리드 프레임 및 반도체 장치 |
JP5753446B2 (ja) | 2011-06-17 | 2015-07-22 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2013026411A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | Semiconductor Components Industries Llc | 半導体装置の製造方法 |
US8692282B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-04-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting module comprising the same |
JP5875848B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-03-02 | 株式会社東芝 | フォトカプラの製造方法及びフォトカプラ用リードフレームシート |
DE102011056700A1 (de) * | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102011056706B4 (de) * | 2011-12-20 | 2016-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Anordnung und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
JP5885493B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-03-15 | 住友化学株式会社 | 半導体用パッケージ及び半導体発光装置 |
JP6015004B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2016-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP5971552B2 (ja) * | 2012-05-01 | 2016-08-17 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
DE102012104882B4 (de) * | 2012-06-05 | 2017-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil |
KR101886157B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2018-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명시스템 |
JP6349648B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2018-07-04 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
JP6241238B2 (ja) * | 2013-01-11 | 2017-12-06 | 株式会社カネカ | 発光素子実装用リードフレーム、樹脂成型体及び表面実装型発光装置 |
US9748164B2 (en) * | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
-
2014
- 2014-06-27 JP JP2014133120A patent/JP6603982B2/ja active Active
- 2014-07-28 EP EP14178814.1A patent/EP2833419B1/en active Active
- 2014-07-29 CN CN201410367659.0A patent/CN104347786B/zh active Active
- 2014-07-30 US US14/447,231 patent/US9607934B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-08 US US15/427,711 patent/US10366945B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104347786B (zh) | 2018-11-23 |
JP2015046578A (ja) | 2015-03-12 |
US9607934B2 (en) | 2017-03-28 |
US20150034998A1 (en) | 2015-02-05 |
US20170213946A1 (en) | 2017-07-27 |
CN104347786A (zh) | 2015-02-11 |
US10366945B2 (en) | 2019-07-30 |
EP2833419B1 (en) | 2021-03-17 |
EP2833419A1 (en) | 2015-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6603982B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 | |
US7704761B2 (en) | Manufacturing method of light emitting diode | |
TW200931691A (en) | LED package and method for fabricating the same | |
TW201828508A (zh) | 發光二極體搭載用導線框、附有樹脂之導線框、半導體裝置之製造方法、及半導體元件搭載用導線框 | |
JP5741211B2 (ja) | リフレクタ付きled用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP6103409B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置 | |
JP5554691B2 (ja) | Ledチップ実装用基板の金型、及び、ledチップ実装用基板の製造方法 | |
JP2013251422A (ja) | Ledチップ実装用基板、ledパッケージ、金型、並びに、ledチップ実装用基板及びledパッケージの製造方法 | |
EP1473775A2 (en) | Method for producing solid-state imaging device | |
JP5658108B2 (ja) | 反射体付基板の製造方法及び製造装置 | |
JP6303457B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6825660B2 (ja) | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂パッケージ、発光装置及び樹脂パッケージの製造方法 | |
JP5180690B2 (ja) | Ledチップ実装用基板の製造方法、ledチップ実装用基板のモールド金型、ledチップ実装用基板、及び、led | |
JP6572938B2 (ja) | 発光装置と発光装置の製造方法 | |
JP3185996U (ja) | リードフレームアセンブリ | |
JP5684631B2 (ja) | Ledパッケージ用基板 | |
JP5684632B2 (ja) | Ledパッケージ用基板の製造方法 | |
JP2012227254A (ja) | Led素子用リードフレーム基板及びその製造方法 | |
JP6127660B2 (ja) | 発光素子実装用リードフレーム、発光素子実装用樹脂成型体及びその製造方法、並びにトランスファ成型用金型 | |
JP6458471B2 (ja) | 発光素子実装用リードフレーム、これを用いた発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置 | |
KR20060111937A (ko) | 반도체 패키지 제조용 몰드 구조 | |
JP5189062B2 (ja) | 半導体装置製造用金型、半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
JP2020009976A (ja) | 樹脂封止金型および半導体装置の製造方法 | |
KR20100032083A (ko) | 사이드뷰 led 패키지 및 그것의 몸체를 성형하기 위한 금형 세트 및 방법 | |
JP2019079937A (ja) | 発光装置、パッケージ及びそれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190813 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190917 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6603982 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |