JP5876645B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のＬＥＤチップを実装するために用いられるリードフレーム、リードフレームに複数のＬＥＤチップを実装して樹脂封止したＬＥＤパッケージ用基板、ＬＥＤパッケージ、及び、リードフレームの製造方法に関する。

従来から、所定の波長の光を発するＬＥＤチップを備えたＬＥＤパッケージがある。このようなＬＥＤパッケージは、リードフレームの上に複数のＬＥＤチップを実装してＬＥＤパッケージ用基板を形成し、このようなＬＥＤパッケージ用基板を切断して個片化することにより製造される。

リードフレームの上には、複数のＬＥＤチップの各々を取り囲むように、一次成形樹脂（白樹脂）で一括形成されたリフレクタが設けられている。また、リードフレーム上に実装された複数のＬＥＤチップは、レンズ部としての機能を備えた二次成形樹脂（透明樹脂）により封止される。

このようなリードフレーム（又はＬＥＤパッケージ用基板）には、個片化の際にダイサーブレードの磨耗を少なくしてリードフレームの切断を容易にするため、半抜き加工によりリードフレームに凹部を形成する場合がある。ところが、リードフレームをスタンピングにて半抜き加工を行うと、リードフレームに応力が生じてしまう。そこで特許文献１には、各々の半導体装置を製造する際に切断されるタイバーの半抜き領域にスリットを設け、半抜きの応力を効果的に緩和させるリードフレームが開示されている。また特許文献２には、半抜き加工部を形成する際に生じる応力を分散させるための応力分散部を設けたリードフレームが開示されている。

特開２０１０−４０５９５号公報 特開２００８−３００５０４号公報

ところが、特許文献１、２に開示されているようにリードフレームにスリットや応力分散部を設けると、応力を緩和又は分散させるための領域がリードフレームに余分に必要となり、１つリードフレームから製造されるＬＥＤパッケージの個数が制限されてしまい、生産性が落ち、ＬＥＤパッケージを低コストで製造することができない。半抜き加工の代わりにハーフエッチングにより凹溝を形成する場合でも、コストが高くなり、リードフレームを低コストで製造することができない。一方、このような凹溝をコイニングにより形成すると、リードフレームに応力歪による反りが生じやすくなり、高品質なリードフレームを製造することが困難となる。

そこで本発明は、低コストで反りの生じにくいリードフレーム及びＬＥＤパッケージ用基板を提供する。

本発明の一側面としてのリードフレームの製造方法は、複数のＬＥＤチップを実装するために用いられるリードフレームの製造方法であって、前記リードフレームに樹脂が成形されていない状態で、プレス装置を構成する、先端部が平面状のパンチが設けられたストリッパーを有する上型と、先端部が平面状であってスプリングの上に配置されたノックアウトが設けられたダイとの間に前記リードフレームを配置し、前記ストリッパーを下降させて、前記リードフレームを前記ストリッパーと前記ダイとでクランプし、前記上型の前記パンチを前記リードフレームの第２の面の表面位置より所定の深さまで下降させて前記リードフレームの複数のパッド部を個片化する際の切断部位に形成された吊りピンを押圧し、前記ダイに設けられた前記ノックアウトを前記スプリングの力に反して下降させることで、半抜き加工を行って該吊りピンのうち前記ＬＥＤチップが実装される第１の面側に凸部を形成し、該第１の面とは反対の前記第２の面側に凹部を形成し、前記上型を上昇させて該ストリッパーを前記リードフレームから離型し、前記吊りピンは、前記複数のパッド部のうち隣り合う二つのパッド部を繋げるために設けられており、前記吊りピンの前記凹部の幅は、前記切断部位を切断して前記複数のパッド部を個片化した際に、個片化後のＬＥＤパッケージに該凹部の一部が残るように、ダイサーによる切断幅よりも大きく、前記リードフレームには、前記切断部位を含む全ての部位において、スリットおよび応力分散部が設けられていない。

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。

本発明によれば、低コストで反りの生じにくいリードフレーム及びＬＥＤパッケージ用基板を提供することができる。

本実施例のおけるリードフレームの表面の全体構成図である。 本実施例におけるリードフレームの裏面の全体構成図である。 本実施例におけるリードフレームの拡大図である。 本実施例におけるリードフレームの製造工程を示す図である。 本実施例における一次成形後のリードフレームの全体構成図である。 本実施例における一次成形後のリードフレームの一個片の構成図である。 本実施例における一次成形後のリードフレームの裏面拡大図である。 本実施例における二次成形後のリードフレームの全体構成図である。 本実施例における二次成形後のリードフレームの一個片の構成図である。 本実施例における別のリードフレームの表面の全体構成図である。 本実施例における別のリードフレームの裏面の全体構成図である。 本実施例における一次成形後のリードフレームの一個片の構成図である。 本実施例における更に別のリードフレームの裏面の全体構成図である。 本実施例における更に別のリードフレームの裏面の全体構成図である。 本実施例における更に別のリードフレームの拡大図である。

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

まず、図１乃至図３を参照して、本実施例におけるリードフレームについて説明する。本実施例のリードフレームは、ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるリードフレームである。図１は、リードフレーム１０の表面（第１の面）の全体構成図である。図２は、リードフレーム１０の裏面（第２の面）の全体構成図である。図３は、リードフレーム１０の拡大図であり、図１中の領域１００を拡大したものである。図３（ａ）はリードフレーム１０の表面拡大図、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＢ−Ｂ線で切断した断面図、図３（ｃ）はＣ−Ｃ線で切断した断面図である。

リードフレーム１０は、例えば、銅合金又は鉄合金等の材料の表面にメッキ層を形成して構成され、短冊状に形成されている。後述のように、リードフレーム１０の上には複数のＬＥＤチップ（半導体チップ）が実装され、樹脂封止後にリードフレーム１０をダイシング（切断）することにより、複数のＬＥＤパッケージが完成する。

リードフレーム１０は、後述のＬＥＤチップの第１の電極（アノード電極）に電気的に接続されるように構成されたベース側リードフレーム１０ａ（第１のリードフレーム部）を備える。また、リードフレーム１０は、ＬＥＤチップの第１の電極とは異なる第２の電極（カソード電極）に電気的に接続されるように構成された端子側リードフレーム１０ｂ（第２のリードフレーム部）を備える。後述のように、ＬＥＤチップはベース側リードフレーム１０ａの表面上に実装される。ベース側リードフレーム１０ａと端子側リードフレーム１０ｂの間にはリード形成孔２５ａ（抜き孔）が設けられており、ベース側リードフレーム１０ａと端子側リードフレーム１０ｂは互いに分離されている。ベース側リードフレーム１０ａと端子側リードフレーム１０ｂによりパッド部が構成される。なお、本実施例はこれに限定されるものではなく、上述の構成とは逆に、ＬＥＤチップのカソード電極をベース側リードフレームに接続し、アノード電極を端子側リードフレームに接続するように構成してもよい。

図１及び図２に示されるように、本実施例のリードフレーム１０は、複数の（例えば縦５個、横６個の合計３０個の）パッド部（単位要素）から構成されており、１つのリードフレーム１０から合計３０個のＬＥＤパッケージが製造される。リードフレーム１０の各パッド部の間は、吊りピン１１を用いて接続されている。このように、隣接するパッド部の間は吊りピン１１で直接繋がっているため、隣接するパッド部の間のスペースをより小さくすることができる。このため、１つのリードフレーム１０に設けられるパッド部の密度（個数）を増加させることができ、その結果、多数のＬＥＤパッケージを効率的に製造することが可能となる。

リードフレーム１０のパッド部（ベース側リードフレーム１０ａ、端子側リードフレーム１０ｂ）の表面（ＬＥＤチップ実装面、第１の面）には、凹溝１２（第１の凹溝）が形成されている。凹溝１２は、以後の工程で実装されることになるＬＥＤチップの実装領域を取り囲むように溝が形成される。本実施例のＬＥＤパッケージは、後述のように、樹脂（白樹脂）をリードフレーム１０の表面のみ（片面）に形成するため、ＬＥＤパッケージとして個片化した後に、リードフレーム１０が樹脂から抜け落ちてしまうおそれがある。また、樹脂封止後に生じる樹脂バリを除去するために例えば薬液が使用されるが、この薬液がリードフレーム１０と樹脂との境界面の僅かな隙間から浸入すると、リードフレーム１０が樹脂から剥離し、樹脂が浸食されることによりリードフレームを変色してしまうおそれがある。

そこで、本実施例のようにリードフレーム１０の表面に凹溝１２を形成することにより、上述のようなリードフレーム１０と樹脂の密着性低下や剥離や、樹脂の変色を効果的に抑制することができ、更に密着性を向上させることができる。なお、本実施例において、凹溝１２はエッチング加工により形成されるが、これに限定されるものではなく、機械加工やプレス加工（コイニング）により形成してもよい。また、凹溝１２の断面はＲ形状を有するが、矩形状であってもよい。

また、リードフレーム１０の外周には、第１の面（表面）において、パッド部を取り囲むように凹溝１６（第２の凹溝）が形成されている。更に、凹溝１６の少なくとも一部には、第１の面（表面）と第１の面とは反対側の第２の面（裏面）との間を貫通する複数の貫通孔１５が形成されている。リードフレーム１０の外周に貫通孔１５及び凹溝１６を形成することにより、薬液による樹脂の密着性低下や剥離や、リードフレームの変色を効果的に抑制することができ、更に密着性を向上させることができる。

図２及び図３に示されるように、リードフレーム１０の裏面において、ベース側リードフレーム１０ａ及び端子側リードフレーム１０ｂの周囲（端部）には、段差部１７（ハーフエッジ）が形成されている。段差部１７は、後述の白樹脂２０（第１の樹脂）がリードフレーム１０から抜け落ちるのを防止するために、リードフレーム１０の縁部に設けられている。段差部１７を設けることにより、白樹脂２０をリードフレーム１０に確実に密着させ、白樹脂２０とリードフレーム１０との間の接合性を向上させることができる。なお、本実施例では、段差部１７がリードフレーム１０の裏面（ＬＥＤチップの実装面とは反対側の面）に形成されているが、これに限定されるものではなく、段差部１７をリードフレーム１０の表面（ＬＥＤチップの実装面）に形成してもよい。本実施例において、段差部１７は、例えばエッチングやコイニング（スタンピング）により形成されるが、後述のプレス装置による半抜き加工（スタンピング）で形成してもよい。

また、リードフレーム１０の吊りピン１１の裏面には凹部１８が形成されている。凹部１８は、ＬＥＤパッケージに個片化する際の切断部位に形成されている。リードフレーム１０の切断部位に凹部１８を形成することにより、ＬＥＤパッケージに個片化する際に、ダイサーブレードの磨耗を少なくし、リードフレーム１０の切断を容易にすることができる。本実施例において、凹部１８は後述のプレス装置による半抜き加工（スタンピング）で形成される。このため、凹部１８が形成された部位の反対側の面（表面）には、凸部１８ａが形成される。

本実施例によれば、エッチングにより凹部１８を形成する場合と比較して、低コストで凹部１８を形成することができる。また、凹部１８をコイニングにより形成するとリードフレーム１０に応力歪による反りが生じてしまうが、本実施例の半抜き加工によれば、このような反りの発生を抑制し、高品質なリードフレームを製造することが可能となる。なお、凹部１８の加工工程の詳細については後述する。

更に、リードフレーム１０のサイドレール上には、複数のアライメントマーク１９が形成されている。本実施例において、アライメントマーク１９の幅は０．５ｍｍであり、リードフレーム１０を切断するために用いられるダイサーブレードの幅（例えば、０．２〜０．３ｍｍ）よりも広い。このため、切断時におけるダイサーブレードの磨耗を少なくすることができる。

次に、図４を参照して、リードフレーム１０における凹部１８の半抜き（スタンピング）加工工程（リードフレームの製造方法）について説明する。図４（ａ）〜（ｅ）は、プレス装置によるリードフレーム１０の半抜き加工工程を示す図である。まず、図４（ａ）に示されるように、不図示の搬送手段を用いて、リードフレーム１０をストリッパー６１（上型）とダイ７１（下型）との間の位置まで搬送する。ストリッパー６１には、先端部（下面）が平面状のパンチ６２が設けられている。また、ダイ７１には先端部（上面）が平面状のノックアウト７２が設けられており、ノックアウト７２はスプリング７３の上に配置されている。

続いて、図４（ｂ）に示されるように、ストリッパー６１を下降させ、リードフレーム１０をストリッパー６１とダイ７１とでクランプする。次に、図４（ｃ）に示されるように、パンチ６２を下降させてリードフレーム１０を押圧し、リードフレーム１０の半抜きを行う。このとき、パンチ６２の下降に伴い、スプリング７３の力に反してノックアウト７２が下降する。図４（ｃ）は、パンチ６２が最も下降した位置（下死点）を示している。本実施例において、下死点におけるパンチ深さ、すなわち半抜き前におけるリードフレーム１０の表面位置と下死点におけるパンチ６２の先端位置との差ｄは、リードフレーム１０の板厚の２０〜７０％が良く、より好ましくは４０〜６０％だが、材質や板厚によってこの範囲より変わる場合がある。また、本実施例において、パンチ６２とダイ７１との間のクリアランスｃ（図４（ａ）中のリードフレーム１０の面内方向におけるパンチ６２の側面とダイ７１の側面との間隔）は、リードフレーム１０の板厚の３〜１０％に設定するのが好ましい。具体的には、例えば板厚が０．２ｍｍのリードフレーム１０を用いた場合、パンチ深さは０．０８〜０．１２ｍｍ、クリアランスは０．００６〜０．０２ｍｍに設定される。

次に、図４（ｄ）に示されるように、ストリッパー６１を上昇させる。このとき、ストリッパー６１の上昇とともに、スプリング７３の力によってノックアウト７２が上昇する。ストリッパー６１を更に上昇させると、図４（ｅ）に示されるように、リードフレーム１０はストリッパー６１から離れる（離型する）。このとき、リードフレーム１０には、第２の面（裏面）に凹部１８が形成されるとともに、第１の面（表面）に凸部１８ａが形成される。また、リードフレーム１０（凸部１８ａ）はノックアウト７２の上に置かれ、ダイ７１とリードフレーム１０との間には隙間が形成される。この状態で、リードフレーム１０は、次の工程に移るため搬送される。このように、図４（ａ）〜（ｅ）の工程を経て、リードフレーム１０の裏面における凹部１８が形成される。なお本実施例では、段差部１７についても、凹部１８と同様に半抜き加工（スタンピング加工）で形成してもよい。

次に、図５乃至図７を参照して、本実施例における一次成形後のリードフレーム（ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるＬＥＤパッケージ用基板）について説明する。図５は、一次成形後のリードフレーム（ＬＥＤパッケージ用基板）の全体構成図である。図５（ａ）はＬＥＤパッケージ用基板の平面図であり、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、図５（ａ）を正面側及び右側のそれぞれから見た場合の側面図である。図５（ａ）中の破線で表される領域１５０は、最終製品であるＬＥＤパッケージの外形である。

２０は、一次成形樹脂としての白樹脂（第１の樹脂）である。白樹脂２０は、例えば、シリカ及び酸化チタン等を含有したエポキシ又はシリコーン樹脂である。白樹脂２０は、熱硬化性樹脂であればその材質に限定されるものではない。白樹脂２０は、不図示の金型を用いてリードフレーム１０を両面からクランプし、トランスファ成形により樹脂を流し込んで硬化させることにより、リードフレーム１０のＬＥＤチップ実装面上に一体的に形成される。このように、本実施例におけるＬＥＤパッケージ用基板は、白樹脂２０で一括して成形されたマップ構造を有する。

白樹脂２０は、ＬＥＤチップから発せられた光を上方に反射させるリフレクタとして機能する。また、白樹脂２０は、ＬＥＤパッケージの強度を向上させるという機能も有する。図５（ａ）に示されるように、白樹脂２０は、ＬＥＤチップが搭載されることになるリードフレーム１０上の所定の領域には形成されない。この領域は、ＬＥＤチップを実装するためのＬＥＤチップ実装領域２５であり、一次成形後でもリードフレーム１０の表面が露出した領域である。

図６は、一次成形後のリードフレーム（ＬＥＤパッケージ用基板）の一個片の構成図である。図６は、図５（ａ）中の領域１５０を拡大し、リードフレーム１０上にＬＥＤチップ４０を実装した後の状態を示している。図６（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、図６（ａ）のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線のそれぞれの断面図である。

ＬＥＤチップ４０は、ＬＥＤチップ実装領域２５内のベース側リードフレーム１０ａの上に実装される。ＬＥＤチップ４０は、アノード電極（正極）及びカソード電極（負極) の一対の電極を備え、これらの電極の間に順バイアスの所定電圧を印加することにより光を放出する素子である。前述のように、リードフレーム１０は、ベース側リードフレーム１０ａ（アノード電極部）と端子側リードフレーム１０ｂ（カソード電極部）とに分離されており、各電極に電気的に接続される。

ボンディングワイヤ４３は、例えば金ワイヤであり、ＬＥＤチップ４０のアノード電極とベース側リードフレーム１０ａとの間を電気的に接続する。ボンディングワイヤ４５は、例えば金ワイヤであり、ＬＥＤチップ４０のカソード電極と端子側リードフレーム１０ｂとの間を電気的に接続する。なお、図６中にはボンディングワイヤ４３、４５がそれぞれ一本だけ示されているが、本実施例はこれに限定されるものではなく、搭載されるＬＥＤチップにより必要に応じてボンディングワイヤ４３、４５のそれぞれを複数本設けてもよい。また、ＬＥＤチップ４０として、フリップチップタイプのチップを用いてもよい。この場合には、リード形成孔２５ａ（抜き孔）を跨ぐようにＬＥＤチップを配置して、ＬＥＤチップの下面に形成された各電極をベース側リードフレーム１０ａ及び端子側リードフレーム１０ｂのそれぞれにボンディングして実装する。このため、ボンディングワイヤ４３、４５は不要となる。

図６に示されるように、リフレクタとしての白樹脂２０は、ＬＥＤチップ実装領域２５（ＬＥＤチップ４０）を取り囲むように、リードフレーム１０の上に環状に成形されている。また、リフレクタとしての白樹脂２０は、リードフレーム１０から離れるほど（上側に行くほど）ＬＥＤチップ実装領域２５の径が大きくなるすり鉢形状となっている。リフレクタとしての白樹脂２０は、このような形状を有することにより、ＬＥＤチップ４０から発せられた光を上方に効率よく反射させることが可能である。このように、ベース側リードフレーム１０ａ及び端子側リードフレーム１０ｂの表面（第１の面）の少なくとも一部を覆うように白樹脂２０が形成されている。また、パッド部に形成された凹溝１２には白樹脂２０が充填されている。

図７は、一次成形後のリードフレーム（ＬＥＤパッケージ用基板）の裏面拡大図である。図７に示されるように、リードフレーム１０の裏面に段差部１７を設けることにより、リード形成孔２５ａに充填された白樹脂２０をリードフレーム１０に確実に密着させ、白樹脂２０とリードフレーム１０との間の接合性を向上させることができる。なお、本実施例では、段差部１７がリードフレーム１０の裏面（ＬＥＤチップの実装面とは反対側の面）に形成されているが、これに限定されるものではなく、段差部１７をリードフレーム１０のＬＥＤチップの実装面に形成してもよい。また、リードフレーム１０には、ダイサーブレードによる個片化の際の切断部位（吊りピン１１）において、凹部１８が形成されている。このため、切断時におけるダイサーブレードの磨耗を少なくすることができる。

図８は、本実施例における二次成形後のリードフレーム（ＬＥＤパッケージ用基板）の全体構成図である。図８（ａ）はＬＥＤパッケージ用基板の平面図であり、図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、図８（ａ）を正面側及び右側のそれぞれから見た場合の側面図である。図８のＬＥＤパッケージ用基板は、図８に示される一次成形後のリードフレームに、さらに、二次成形樹脂としての透明樹脂３０（第２の樹脂）が形成されたものである。

透明樹脂３０としては、透光性を有するシリコーン樹脂が用いられる。シリコーン樹脂は、ＬＥＤチップ４０の発光波長が青色光等の短波長である場合や、ＬＥＤチップが高輝度ＬＥＤであり多量の熱を発生する場合に、その光や熱による変色や劣化に対する耐久性に優れている。ただし、本実施例の透明樹脂３０はシリコーン樹脂に限定されるものではなく、例えばエポキシ樹脂を採用してもよい。

透明樹脂３０は、例えば不図示の金型を用いてリードフレーム１０を両面からクランプし、トランスファ成形により樹脂を流し込んで硬化させることにより、リードフレーム１０のＬＥＤチップ実装領域２５の上に一体的に形成される。なお、ポッティングにて成形される場合もある。図８に示されるように、ＬＥＤチップ実装領域２５の上方には球状（半球状）のレンズ部３０ａが形成されている。レンズ部３０ａは、透明樹脂３０によりその他の部位と一体的に形成されている。図８（ａ）乃至図８（ｃ）に示されるように、透明樹脂３０は、白樹脂２０の上面の全てを覆うように形成され、ＬＥＤチップ４０を封止する。

図９は、本実施例における二次成形後のリードフレームの一個片（最終成形品であるＬＥＤパッケージ）の構成図である。図９は、図８（ａ）中の領域１５０を拡大した図を示している。図９（ａ）は平面図であり、図９（ｂ）及び図９（ｃ）は、図９（ａ）の下側及び右側から見た場合の側面図である。本実施例のＬＥＤパッケージは、複数のＬＥＤチップ４０を実装したリードフレーム１０を切断することにより形成され、少なくとも一つのＬＥＤチップ４０を有する。図９（ａ）乃至図９（ｃ）に示されるように、ＬＥＤチップ実装領域２５の全ては、透明樹脂３０で充填されている。また、ＬＥＤチップ実装領域２５の上方には、透明樹脂３０により球状のレンズ部３０ａが形成されている。

次に、図１０及び図１１を参照して、本実施例における別のリードフレームについて説明する。図１０は、リードフレーム１０ｃの表面（第１の面）の全体構成図である。図１１は、リードフレーム１０ｃの裏面（第２の面）の全体構成図である。リードフレーム１０ｃは、リードフレーム１０と比較して、凹溝１２、貫通孔１５、及び、凹溝１６が形成されていないという点のみが異なる。このように、凹溝１２などが形成されていないリードフレーム１０ｃに対しても、図４（ａ）〜（ｅ）に示される半抜き加工（スタンピング加工）により凹部１８を形成することができる。なお、リードフレーム１０ｃについても、段差部１７を凹部１８と同様にスタンピング加工により形成してもよい。

図１２は、リードフレーム１０ｃに対して一次成形した後のＬＥＤパッケージ用基板の一個片の構成図である。図１２は、リードフレーム１０上にＬＥＤチップ４０を実装した後の状態を示している。図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線のそれぞれの断面図である。また図１２（ｄ）は、比較例として、従来技術のようにエッチング又はコイニングで凹部１８を形成した場合の図１２（ｃ）に相当する断面図である。図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示されるように、リードフレーム１０ｃは、プレス装置による半抜き加工で形成された凹部１８を有する。凹部１８は、リードフレーム１０ｃの裏面（第２の面）に半抜き加工で形成されているため、リードフレーム１０ｃの表面（第１の面）に凸部１８ａが形成されている。一方、図１２（ｄ）に示されるように、凹部１８をエッチング加工又はコイニング加工で形成した場合、リードフレームの表面に凸部は形成されず、フラットな形状となる。

次に、図１３を参照して、本実施例における更に別のリードフレームについて説明する。図１３は、リードフレーム１０ｆの裏面（第２の面）の全体構成図である。リードフレーム１０ｆは、リードフレーム１０ｃと比較して、段差部１７が形成されていないという点のみが異なる。このように、段差部１７が形成されていないリードフレーム１０ｆに対しても、図４（ａ）〜（ｅ）に示される半抜き加工（スタンピング加工）により凹部１８を形成することができる。

本実施例によれば、低コストで反りの生じにくいリードフレーム及びＬＥＤパッケージ用基板を提供することができる。

以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。

１０、１０ｃ、１０ｆ、１０ｉ リードフレーム
１１ 吊りピン
１２ 凹溝
１５ 貫通孔
１６ 凹溝
１７ 段差部
１８ 凹部
２０ 白樹脂
２５ ＬＥＤチップ実装領域
３０ 透明樹脂
３０ａ レンズ部
４０ ＬＥＤチップ

Claims (2)

1. 複数のＬＥＤチップを実装するために用いられるリードフレームの製造方法であって、
   前記リードフレームに樹脂が成形されていない状態で、プレス装置を構成する、先端部が平面状のパンチが設けられたストリッパーを有する上型と、先端部が平面状であってスプリングの上に配置されたノックアウトが設けられたダイとの間に前記リードフレームを配置し、
   前記ストリッパーを下降させて、前記リードフレームを前記ストリッパーと前記ダイとでクランプし、
   前記上型の前記パンチを前記リードフレームの第２の面の表面位置より所定の深さまで下降させて前記リードフレームの複数のパッド部を個片化する際の切断部位に形成された吊りピンを押圧し、前記ダイに設けられた前記ノックアウトを前記スプリングの力に反して下降させることで、半抜き加工を行って該吊りピンのうち前記ＬＥＤチップが実装される第１の面側に凸部を形成し、該第１の面とは反対の前記第２の面側に凹部を形成し、
   前記上型を上昇させて該ストリッパーを前記リードフレームから離型し、
   前記吊りピンは、前記複数のパッド部のうち隣り合う二つのパッド部を繋げるために設けられており、
   前記吊りピンの前記凹部の幅は、前記切断部位を切断して前記複数のパッド部を個片化した際に、個片化後のＬＥＤパッケージに該凹部の一部が残るように、ダイサーによる切断幅よりも大きく、
   前記リードフレームには、前記切断部位を含む全ての部位において、スリットおよび応力分散部が設けられていないことを特徴とするリードフレームの製造方法。
2. 半抜き前における前記リードフレームの表面位置と前記パンチが最も下降した位置との差は、前記リードフレームの板厚の２０〜７０％であり、
   前記リードフレームの面内方向における前記パンチの側面と下型の前記ダイ側面との間隔は、前記リードフレームの板厚の３〜１０％であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。

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