JP6460390B2 - リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置に関する。

ＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）素子を搭載した光半導体装置は、一般照明やテレビ・携帯電話・ＯＡ機器等のディスプレイ等、様々な機器で使用されるようになってきた。これらの光半導体装置において、薄型化や量産化等の要請に応えるべく、リードフレームを用いてＬＥＤ素子を搭載し樹脂封止したパッケージが開発されてきた。

一般的に、リードフレームを用いた光半導体装置は、図９に示すような構造を有する（例えば、特許文献１参照）。即ち、リードフレーム２５０は、ＬＥＤ素子２８０を搭載するダイパッド部２１０と、ダイパッド部２１０の周辺に間隔を置いて配置されたリード部２２０を有し、ダイパッド部２１０とリード部２２０の全面又は一部に貴金属めっきを施し、めっき層２３０を形成して構成される。そして、ダイパッド部２１０にはＬＥＤ素子２８０を搭載し、ＬＥＤ素子２８０とリード部２２０とをボンディングワイヤー２９０等を用いて接合している。そして、ＬＥＤ素子２８０の周辺には、光を反射する樹脂で作製された外部樹脂部（リフレクター）２６０、２６１を配置し、ＬＥＤ素子２８０及びボンディングワイヤー２９０を含む周辺を透明な樹脂で充填された封止樹脂部３００とで構成されている。また、ダイパッド部２１０とリード部２２０に貴金属めっきを施したリードフレーム２５０に外部樹脂部（リフレクター）２６０、２６１を配置した状態を樹脂付きリードフレームと言う。

光半導体装置は、ＬＥＤ素子２８０からの自らの発光とともに、ＬＥＤ素子２８０からの光を効率よく反射させることが重要である。特に、上部に透明樹脂からなる封止樹脂部３００のあるダイパッド部２１０やリード部２２０の上面には、光の反射率が高い金属めっきを施すことによりＬＥＤ素子からの下方向の光を反射させている。貴金属めっき層２４０は、一般的には光反射率の高いＡｇめっきが用いられている。

特開２０１３−１４９８６６号公報

しかしながら、貴金属めっき層の最表面層がＡｇめっき層の場合、Ａｇめっきは柔らかく、Ａｇ面に軽く接触しただけでも傷や汚れが発生しやすい。圧力がかかった接触面は黒くくすむこともある。これらは、結果的に光反射率を低下させてしまい、場合によっては不良品になる場合もある。

これら不具合は、リードフレームに貴金属めっきを行った後から外部樹脂部を作製する工程までに発生しやすい。特にめっき処理後のリードフレームの搬送時、めっき装置部品との接触や、めっきされたリードフレームをシート状に切断する工程での切断装置部品との接触、検査工程、包装工程等の取り扱いの中でのリードフレームどうしの接触などが原因で発生すると考えられる。これら装置においていては、リードフレームに接触する部分については、当然傷がつかないような処理を行い、シート状に切断されたリードフレーム間には、層間紙を挿入する等対応を取っているものの改善には至っていない。これら不具合により、リードフレームの生産性を低下させている。また、光半導体装置は、めっき面の反射率を向上させるため、高光沢めっきを採用しており、傷や汚れが半導体装置に比べ発見しやすくなっているのも一因である。

そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームにおいて、光半導体装置の重要特性であるめっき面の光反射率を低下させず、リードフレームの貴金属めっき処理後、リードフレームの搬送・取扱い時のめっき面の傷や汚れ等、外観不良を低減させることのできるリードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るリードフレームは、光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームであって、
ＬＥＤ素子を所定箇所に搭載可能なダイパッド部と、
該ダイパッド部の周辺に配置され、前記ＬＥＤ素子を電気的に接続可能なリード部と、を備え、
前記ダイパッド部の前記所定箇所よりも外側にある第１の領域と、前記リード部の接続部分より外側にある第２の領域とに突起が形成され、
前記突起よりも外側の領域は、前記突起よりも内側の領域よりも表面の高さが低く、
少なくとも前記第１の領域よりも内側の前記ダイパッド部の表面及び少なくとも前記第２の領域よりも内側の前記リード部の表面には、めっき層が設けられた構成を有する。

本発明の他の態様に係る光半導体装置用樹脂付きリードフレームは、前記リードフレームと、
前記リードフレームの前記第１の領域上に形成された第１の外部樹脂部と、
前記第２の領域上に形成された第２の外部樹脂部と、を有する。

本発明の他の態様に係るリードフレームの製造方法は、光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームの製造方法であって、
金属板の不要部分を両面エッチングにより除去し、ＬＥＤ素子を所定箇所に搭載可能なダイパッド部と、該ＬＥＤ素子を電気的に接続可能な端子として機能し得るリード部とを形成するとともに、前記金属板の端部を含む外側の領域の表面にハーフエッチング加工を行い、凹部を形成する工程と、
前記ダイパッド部の前記所定箇所よりも外側にありモールド成形時に第１の外部樹脂部で覆われる第１の領域と、前記リード部の接続部分より外側にあり前記モールド成形時に第２の外部樹脂部で覆われる第２の領域とに突起を形成するとともに、前記凹部が更に深くなり、前記突起の外側の領域が内側の領域よりも低くなるように前記ダイパッド部及び前記リード部の表面にハーフエッチング加工を行う工程と、
前記ハーフエッチング加工が行われた面のうち、少なくとも前記第１の領域よりも内側の領域を含む第３の領域と、少なくとも前記第２の領域よりも内側の領域を含む第４の領域に平滑化処理を施す工程と、
該第３の領域及び該第４の領域に貴金属めっき処理を行うめっき工程と、を有する。

本発明の他の態様に係る光半導体装置用樹脂付きリードフレームの製造方法は、光半導体装置用樹脂付きリードフレームの製造方法であって、
前記リードフレームの製造方法を実施する工程と、
前記第１の領域に前記第１の外部樹脂部、前記第２の領域に前記第２の外部樹脂部を各々形成する工程と、を有する。

本発明によれば、貴金属めっき面の傷や汚れ、曇りなど外観不具合を改善することができるとともに、リードフレームと外部樹脂部との密着性を強化することができる。

本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を示した図である。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ’断面における断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の一例の構成を示した断面図である。 本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の前半の一連の工程を説明するための図である。図３（ａ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の金属板準備工程の一例を示した図である。図３（ｂ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。図３（ｃ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のエッチング工程及び第１のレジスト剥離工程の一例を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の後半の一連の工程を説明するための図である。図４（ａ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。図４（ｂ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のエッチング工程及び第２のレジスト剥離工程の一例を示した図である。図４（ｃ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の表面平滑化工程の一例を示した図である。図４（ｄ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法のめっき工程の一例を示した図である。 本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の一例について説明するための図である。図５（ａ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の樹脂付きリードフレーム製造工程の一例を示した図である。図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の光半導体素子搭載工程の一例を示した図である。図５（ｃ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法のワイヤーボンディング工程の一例を示した図である。図５（ｄ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法のモールド工程の一例を示した図である。 第２の実施形態に係るリードフレームの一例を示した図である。図６（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＹ−Ｙ’断面における断面図である。 第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例を示した図である。図７（ａ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。図７（ｂ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のエッチング工程及び第１のレジスト剥離工程の一例を示した図である。図７（ｃ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。図７（ｄ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のエッチング工程及び第２のレジスト剥離工程の一例を示した図である。 本発明の第３の実施形態に係るリードフレームの一例を示した図である。図８（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＺ−Ｚ’断面における断面図である。 従来のリードフレームを用いた光半導体装置の構成を示した図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。

〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を示した図である。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ’断面における断面図である。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の実施形態に係る光半導体装置用リードフレーム５０は、ダイパッド部１０と、リード部２０とを有する。また、ダイパッド部１０及びリード部２０の表面の外側寄りの箇所には、各々突起１１、２１が形成されている。また、突起１１、２１よりも内側にある内側領域１２、２２の中央側の領域には、めっき層３０が形成されている。図１（ａ）に示されるように、突起１１、２１は、めっき層３０を囲むように、枠状に形成されている。なお、図１（ｂ）に示されるように、突起１１、２１よりも外側にある外側領域１３、２３は、内側領域１２、２２と同様の平坦面を有している。

光半導体装置用リードフレーム５０は、金属板をエッチング加工して、ダイパッド部１０とリード部２０を形成することにより構成される。金属板の材質としては、一般的に銅系合金が用いられる。板厚は、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍのものが用いられることが多い。リード部２０は、ダイパッド部１０に対応して一つ或いは複数配置される。

ダイパッド部１０は、ＬＥＤ素子等の発光半導体素子を搭載するための領域である。リード部２０は、ダイパッド部１０に搭載された発光半導体素子の電極を電気的に接続するための端子を構成する領域であり、よって、ダイパッド部１０の周辺に配置される。

ダイパッド部１０及びリード部２０の周縁の一部或いは全周には、ＬＥＤ素子搭載面（図１（ｂ）における上面）の反対側の面（図１（ｂ）における下面）よりエッチング加工されて、ダイパッド部１０及びリード部２０の縁より内側へ向けて板厚よりも厚みの薄い薄肉部１７が形成されている。

ＬＥＤ素子を搭載するダイパッド部１０とダイパッド部１０の周辺に配置されたリード部２０のＬＥＤ素子搭載面側の外側寄りの領域には、突起１１、２１がそれぞれ形成されている。突起１１、２１が形成される領域は、モールド工程において、ダイパッド部１０及びリード部２０の上面に外部樹脂部が形成されることになっている領域であり、外部樹脂部に覆われることになっている領域である。

ここで、突起１１、２１と外部樹脂部との関係を説明するため、第１の実施形態に係るリードフレーム５０を用いた光半導体装置の一例の構成について説明する。

図２は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置１１０の一例の構成を示した断面図である。図２で用いられているリードフレーム５０は、図１で説明したように、ＬＥＤ素子８０を搭載するダイパッド部１０と、ダイパッド部１０の周辺に空間を隔てて配置されたリード部２０とで構成される。ダイパッド部１０の上面にはＬＥＤ素子８０が搭載され、ＬＥＤ素子８０の電極とリード部２０とはボンディングワイヤー９０等により電気的に接続されている。このＬＥＤ素子８０が搭載されたＬＥＤ搭載箇所１４とこれに電気的に接続されたリード部２０の接続部２４とを取り囲む形で、ダイパッド部１０とリード部２０からなるリードフレーム５０の表面上に外部樹脂部６０、６１が形成されている。また、ダイパッド部１０とリード部２０が対向する空間部分及びダイパッド部１０やリード部２０の縁より内側へ向けて形成された板厚よりも厚みの薄い薄肉部１７のそれぞれの下にも、同時に外部樹脂７０が充填される。外部樹脂部６０、６１が取り囲んだＬＥＤ素子８０と電気的接続部（端子部）の上方には、透明樹脂で充填された封止樹脂部１００が設けられる。なお、ダイパッド部１０の上面の外側の外部樹脂形成領域１６には外部樹脂部６０が設けられ、リード部２０の上面の外側の外部樹脂形成領域２６には外部樹脂部６１が設けられている。

続いて、図１及び図２の双方を参照しつつ第１の実施形態に係るリードフレーム５０の説明を続ける。

突起１１、２１の位置は、図２に示す外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５よりも外側に設定する。開口部下側位置１５、２５は、外部樹脂部６０、６１が形成するテーパー状の開口部の最も下側の位置であり、外部樹脂部６０とダイパッド部１０との境界面及び外部樹脂部６１とリード部２０との境界面の最も内側の位置となる。突起１１、２１は、図１（ａ）及び図２に示すように、外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５の形状に沿って、外部樹脂部６０、６１の開口部下面位置１５、２５を取り囲むように配置する。配置する位置は、突起１１、２１の形状にもよるが、樹脂密着性を向上させるようバランスを取って配置する。即ち、突起１１、２１を外部樹脂部６０、６１が形成される外部樹脂形成領域１６、２６に設けることにより、ダイパッド部１０及びリード部２０の表面の面積が増加し、それに伴って外部樹脂部６０、６１との接触面積も増加するので、ダイパッド部１０及びリード部２０の樹脂密着性を向上させることができる。また、突起１１、２１を設けることにより、突起１１、２１と外部樹脂部６０、６１との接触面に嵌合構造が形成されるので、かかる点からも、ダイパッド部１０及びリード部２０の樹脂密着性を向上させることができる。このような効果を踏まえ、ダイパッド部１０及びリード部２０の樹脂密着性を効率的に向上させるべく、突起１１、２１を、特定の領域に偏って形成するのではなく、バランス良く配置することが好ましい。

例えば、突起形状については、図１（ａ）に示すように、楕円状にラインを引くように配置してもよい。第１の実施形態において、突起１１、２１は、外部樹脂部６０、６１と同様、ＬＥＤ素子８０及びボンディングワイヤー９０が配置される中央部の周囲を連続的なラインで取り囲むように配置されている。外部樹脂部６０、６１が形成される外部樹脂形成領域１６、２６の略中心を貫くような配置であり、外部樹脂部６０、６１の周方向に亘り効果的に密着性を高めることができる。

また、突起１１、２１を設けることにより、突起１１、２１がめっき層３０に対するスペーサ的な役割を果たし、リードフレーム５０の搬送の際、めっき層３０が搬送ベルト、搬送アーム等装置部品に接触することが無くなる。また、検査工程、包装工程等の取り扱いの中でリードフレーム５０同士が接触しても、貴金属めっき面へ直接接触することは無くなる。本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム５０では、突起１１、２１をめっき層３０の形成面に設けることにより、めっき層３０に対するスペーサとして機能し、めっき層３０を保護することができ、反射性を保つことができる。

上述のような、外部樹脂部６０、６１の開口部下面内側の貴金属めっき層３０を保護する観点からは、図１（ａ）に示すように、外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５の内側のめっき層３０を突起１１、２１でほぼ囲むことができる楕円状にラインを引くように配置することが好ましい。なお、図１（ａ）に示す構成において、突起１１、２１がなす楕円状のラインの幅は０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度が好ましい。例えば、板厚が０．２ｍｍでれば、楕円形状のラインの幅は０．１〜０．１５ｍｍに設定できる。

また、突起１１、２１の平面形状は、図１（ａ）に示した曲線からなる枠状の形状以外にも、種々の形状とすることができるが、その他の態様については後述する。

突起１１、２１の高さは、０．００５ｍｍ〜０．０５ｍｍとすることが好ましい。突起１１、２１の高さが０．００５ｍｍ以下では、貴金属めっき層３０を突起１１、２１が保護できず、めっき装置やシート切断装置等の部品に接触してしまい、めっき層３０に傷、汚れ曇り等の不具合が発生する蓋然性が高い。逆に、突起１１、２１の高さが０．０５ｍｍを超えると、ダイパッド部１０やリード部２０にあるＬＥＤ素子搭載面の反対側の面に形成された薄肉部１７の厚さが薄くなり、リードフレーム５０の強度が維持できない。よって、突起１１、２１の高さは、０．００５ｍｍ〜０．０５ｍｍとすることが好ましく、０．００５ｍｍ〜０．０３ｍｍとすることが更に好ましい。

ダイパッド部１０とリード部２０の突起１１、２１以外の平坦面を形成する内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３は、エッチング加工によって形成される。一般に、エッチング加工された金属板の表面は、エッチング加工されていない金属板の表面に比較して、表面粗さが大きくなる。表面粗さが大きい状態で、貴金属めっきを行うと、加工面の表面粗さが大きい状態に倣い、めっき後のめっき表面も、表面粗さが大きい状態が引き継がれてしまう。これにより、エッチング加工されていない金属板の表面にめっきした状態と比較して、光の反射率が低下する。貴金属めっき層３０は、ＬＥＤ素子８０からの下方向の光を反射させる目的がある。そこで、ダイパッド部１０及びリード部２０のエッチング加工面である内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３に、表面平滑化作用を有する薬液を供給し、薬液で内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３の表面平滑処理を行う。表面平滑処理を行った後の表面粗さは、三次元中心面平均粗さ ＳＲａ０．０５μｍ以下が望ましい。表面粗さＳＲａ０．０５μｍ以下の滑らかさを有する表面上に貴金属めっきを施すことにより、エッチング加工されていない金属板の表面にめっきした状態とほぼ同等の光の反射率を得ることができる。即ち、ＳＲａ０．０５μｍを超えると反射率が低下してしまうため、エッチング加工面である内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３の表面をＳＲａ０．０５μｍ以下にし、その表面上にめっき層３０を形成することが好ましい。

なお、表面平滑化処理は、必ずしも内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３の総てについて行う必要は無く、最低限、内側領域１２、２２のめっき層３０が形成され、かつ外部樹脂部６０、６１に覆われない領域のみについて行うようにしてもよい。めっき層３０が形成されない領域は、光の反射率は要求されないので、表面平滑化処理無しでも何ら問題は無いからである。よって、表面平滑化処理は、少なくともめっき層３０が形成され、かつ外部樹脂部６０、６１に覆われない領域について行うようにし、他の領域は、用途及び必要性に応じて行うようにしてもよい。

また逆に、ダイパッド部１０及びリード部２０の全面に表面平滑化処理を行うようにしてもよい。全面に表面平滑化処理が行われていても何ら問題は生じないし、全面に薬液を供給する方が、製造工程自体は容易になる場合が多いからである。

表面平滑処理は、表面平滑化作用を有する薬液を、エッチング加工された内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３に供給することにより行うが、薬液の供給は、スプレー等を用いて噴霧供給してもよいし、シャワー等で供給してもよいし、薬液を満たした薬液槽にリードフレーム５０を浸漬させて薬液処理を行ってもよい。なお、表面平滑処理を行うための薬液は、リードフレーム５０に用いられている金属板の材料の表面を平滑化できる薬液であれば、種々の薬液を用いてよいが、例えば、メルテックス社製カッパー−５８等を用いてもよい。

また、貴金属からなるめっき層３０の厚さは、４．０μｍ以下に設定する。貴金属めっき層３０の厚さが４．０μｍを超えると金属板の表面の粗さの影響がなくなるが、貴金属めっき層３０自体の結晶粒径の影響を受け易くなり、金属表面に４．０μｍ以下で貴金属めっきした反射率より低下する。また、めっき層３０の厚さが２．５μｍ未満であると、エッチング加工面の表面粗さを修正する機能を全く果たさなくなるとともに、接合性が不足するおそれがある。よって、めっき層３０の厚さは、２．５μｍ以上４．０μｍ以下であることが好ましい。

めっき層３０は、ダイパッド部１０及びリード部２０の全面に形成してもよいし、めっき層３０の形成が必要な領域にのみ形成してもよい。めっき層３０の形成が必要な領域とは、外部樹脂部６０、６１には覆われずに、封止樹脂部１００に覆われる中央側の領域である。封止樹脂部１００は、透明な樹脂からなる領域であり、光を透過する領域であるので、封止樹脂部１００で覆われている領域は、光を反射可能に構成されるべき領域である。よって、かかる領域は、Ａｇ等の高い反射性を有するめっき層３０の形成が必要な領域であり、少なくともこの領域にはめっき層３０を形成する。また、めっき層３０は外部樹脂部６０、６１で覆われる外部樹脂形成領域１６、２６に形成しても何ら問題無いので、めっき層３０の形成が必要な領域を含む限り、任意の範囲で形成してよい。

なお、めっき層３０は、異なるめっき材料からなる複数層から構成されてもよい。即ち、少なくとも、ダイパッド部１０及びリード部２０のＬＥＤ素子８０の搭載面側には、ＬＥＤ素子の搭載及びＬＥＤ素子８０とリード部２０とのワイヤーボンディング等接続、並びにＬＥＤ素子８０からの光を効率的に反射させるために最表層（最上層）に施される。最表層のめっきは、ＡｇまたはＡｇ合金めっきが分光反射率の点から好適である。

一方、最表層よりも基材寄りの内装側のめっきは、一般にリードフレームに使用されるめっきであればよい。

なお、本実施形態においては、内側領域１２、２２及び外側領域１３、２３を含む金属板表面上に直接行われるめっきにより形成されるめっき層と、最表層に施されるめっき層とを特に区別せずに、全体としてめっき層３０として表現している。しかしながら、めっき層３０の断面構成としては、上述のような異なる複数のめっき金属材料からなる積層構造を有するめっき層３０であってもよい。

ダイパッド部１０及びリード部２０の裏面側は、基板との実装端子面となり、実装時のはんだ濡れ性を向上させるためのめっきが施される。めっきの種類としては、ＬＥＤ素子８０の搭載面側のめっき層３０と同様、最表層をＡgまたはＡｇ合金めっき、最表層よりも基材寄りの内層側のめっきは、一般にリードフレームに使用されるめっきであればよい。コスト面などを考慮して、はんだ実装面側のみをＮｉ/Ｐｄ/Ａｕめっき等としてもよい。

第１の実施形態に係るリードフレーム５０及び光半導体装置１１０においては、ダイパッド部１０及びリード部２０の外部樹脂部６０、６１が形成される外部樹脂形成領域１６、２６の上面に突起１１、２１を設けることにより、めっき層３０が形成される領域がこの突起１１、２１より低い位置になる。このため、従来めっき処理後のリードフレーム５０では、搬送時、めっき装置部品との接触や、めっきされたリードフレーム５０をシート状に切断する工程での切断装置部品との接触、検査工程、包装工程等の取り扱いの中でのリードフレーム５０同士の接触があったが、突起１１、２１を設けたことにより、貴金属めっき面の直接接触を防止することができる。これにより、貴金属めっき面の傷や汚れ、曇りなど外観不具合を改善することができる。また同時に、この突起１１、２１を外部樹脂部６０に覆われる外部樹脂形成領域１６、２６に形成することで、リードフレーム５０と外部樹脂部６０、６１との密着性を強化することができる。

次に、図３〜５を用いて、第１の実施形態に係るリードフレーム及びこれを用いた樹脂付きリードフレーム、光半導体装置の製造方法について説明する。

図３は、本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の前半の一連の工程を説明するための図である。

図３（ａ）は、第６の実施形態に係るリードフレームの製造方法の金属板準備工程の一例を示した図である。図３（ａ）に示すように、先ず、平板状の金属板５を準備する。金属板５の材質は、銅合金を用いることができる。準備したこの金属板５を脱脂洗浄し、不要なごみや有機物を取り除く。

図３（ｂ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。図３（ｂ）に示されるように、第１のレジストパターン形成工程では、エッチング用レジストを用いて、ダイパッド部１０及びリード部２０の所定のパターンが形成されるようにレジスト層１２０、１２３を作製する。より詳細には、金属板５の表面及び裏面に感光性レジストを塗布する。その後、所定のパターンを、フォトマスクを介して露光する。その後、現像して、開口１２１、１２４を有するレジスト層１２０、１２３を作製する。なお、図３（ｂ）において、金属板５の表面側には開口部１２１を有するレジスト層１２０が形成され、裏面側には開口部１２４を有するレジスト層１２３が形成されている。

図３（ｃ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のエッチング工程及び第１のレジスト剥離工程の一例を示した図である。図３（ｃ）に示されるように、第１のエッチング工程では、レジスト層１２０、１２３で覆われていない開口部１２１、１２４をエッチング液でエッチングする。これにより、ダイパッド部１０及びリード部２０が形成される。

次いで、第１のレジスト剥離工程において、レジスト層１２０、１２３を、剥離剤を用いて剥離する。

なお、ダイパッド部１０やリード部２０の薄肉部は、ダイパッド部１０及び又はリード部２０の周縁の一部或いは全周に設定する。本実施形態では、ダイパッド部１０のみに薄肉部１７を設定した例について説明する。

図４は、本発明の第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の後半の一連の工程を説明するための図である。

図４（ａ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。図４（ａ）に示されるように、第２のレジストパターン形成工程では、リードフレームのダイパッド部１０やリード部２０に突起１１、２１を形成すべく、突起１１、２１の形状に合わせたマスクパターンを有するレジスト層１２５、１２６を形成する。より詳細には、形状が形成されたダイパッド部１０及びリード部２０の表面及び裏面に、感光性レジストを塗布する。その後、突起１１、２１の平面形状に合致した所定のパターンを、フォトマスクを介して露光する。その後、現像してレジスト層１２５、１２６を作製する。また、ダイパッド部１０及びリード部２０の裏面には何ら処理を施さないので、裏面全体をレジスト層１２８で覆う。

図４（ｂ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のエッチング工程及び第２のレジスト剥離工程の一例を示した図である。図４（ｂ）に示されるように、第２のエッチング工程では、レジスト層１２５、１２６で覆われていない開口領域１２８をエッチング液でエッチングする。これにより、開口領域１２８全体がエッチングされて低くなり、相対的にレジスト層１２５、１２６で覆われた箇所に突起１１、２１が形成される。なお、第２のエッチング工程後は、第２のレジスト剥離工程が行われ、レジスト層１２５、１２６が剥離剤を用いて剥離される。

図４（ｃ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の表面平滑化工程の一例を示した図である。図４（ｃ）に示されるように、表面平滑化工程では、少なくともダイパッド部１０及びリード部２０の内側領域１２、２２内のめっき層３０が形成される領域に、表面平滑処理を行う。なお、表面平滑処理は、めっき層３０が形成される領域のみならず、内側領域１２、２２全体、又は外側領域１３、２３及び突起１１、２１を含む全面に処理を行ってもよい。

なお、平滑処理液には、メルテックス社製カッパー−５８等がある。表面粗さが、三次元中心面平均粗さＳＲａ０．０５μｍ以下になるように、濃度や浸漬時間、温度等を調正する。

図４（ｄ）は、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法のめっき工程の一例を示した図である。図４（ｄ）に示されるように、めっき工程では、リードフレーム５０のダイパッド部１０やリード部２０の少なくとも内側領域１２、２２内の所定領域にめっきが施され、めっき層３０が形成される。ここで、所定領域とは、光半導体装置の組み立て時に、封止樹脂部１００により覆われる領域を包含する領域であり、図２に示される外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５よりも外側を含む領域である。めっき層３０は、最低限、封止樹脂部１００に覆われる領域を含んでいればよく、それより広く形成することは何ら問題無いので、ダイパッド部１０及びリード部２０の全面にめっき層３０を形成してもよい。

上記所定の領域を含みＬＥＤ素子搭載面の一部の範囲に部分めっきする場合は、図４（ｃ）の表面平滑化処理の後に部分めっきをしない部分にレジスト層を形成して部分めっきを行い、その後レジストを剥離する。あるいは、レジストを使用しないで、図４（ｃ）の表面平滑化処理の後に機械的に部分めっきをしない所をマスク等で覆い、部分めっきする部分のみ開口してめっきを行う方法等を用いてもよい。また、全面めっきする場合は、図４（ｃ）の表面平滑化工程の後、全面めっきを行う。

また、めっきの範囲を、突起１１、２１を除く上面の全面にした場合、エッチング加工とめっきを施す領域が同じとなり、レジスト作製工程を同一にできる。図４（ｂ）の第２のエッチング工程の後、レジスト層１２５、１２６を剥離せず、その状態で、表面平滑処理及びめっき処理を順に施す。その後、レジスト層１２５、１２６を、剥離剤を用いて剥離し、めっき付きリードフレームを作製してもよい。突起１１、２１以外の領域に、めっき層３０を形成することができる。

また、ダイパッド部１０やリード部２０が形成され所定のめっき層３０が形成されたリードフレーム５０は、必要に応じて所定の数量毎にシート状に切断及び外部樹脂封止時の樹脂止め用の樹脂テープをＬＥＤ搭載面と反対面に貼り付けてもよい。

図５は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の一例について説明するための図である。図５（ａ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の樹脂付きリードフレーム製造工程の一例を示した図である。図５（ａ）に示されるように、樹脂付きリードフレーム製造工程では、製造したリードフレーム５０をトランスファーモールドや射出成形することにより、リードフレーム５０上に外部樹脂部６０、６１を形成する。外部樹脂としては、一般的には熱可塑性樹脂が使用される。外部樹脂部６０、６１は、ダイパッド部１０及びリード部２０上に形成されると共に、ダイパッド部１０とリード部２０が対向する空間部にも同時に充填され、外部樹脂部７０が形成される。外部樹脂部６０、６１は、ＬＥＤ素子８０及びワイヤーボンディング等でリード部２０と電気的に接続した接続部２４（図２参照）の周辺を囲うように形成される。また、その周辺部の面は、ＬＥＤ素子８０から発生した光が、外部樹脂部６０、６１により上方へ反射するようにテーパー形状に形成される。本工程により、樹脂付きリードフレーム５５が完成する。

図５（ｂ）〜（ｄ）は、樹脂付きリードフレーム５５を用いて、光半導体装置を製造する一連の工程を示した図である。

図５（ｂ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法の光半導体素子搭載工程の一例を示した図である。図５（ｂ）に示されるように、光半導体素子搭載工程では、得られた樹脂付きリードフレーム５５を用いて、ダイパッド部１０上にＬＥＤ素子８０を搭載する。予め、Ａｇペースト等をダイパッド部１０の表面に塗布し、ＬＥＤ素子８０をダイパッド部１０上に固定する。

図５（ｃ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法のワイヤーボンディング工程の一例を示した図である。図５（ｃ）に示されるように、ワイヤーボンディング工程では、ＬＥＤ素子８０の電極とリード部２０とをワイヤーボンディング等の接続方法により、ボンディングワイヤー９０等の接続手段を用いて電気的に接続する。

図５（ｄ）は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法のモールド工程の一例を示した図である。図５（ｄ）に示されるように、モールド工程では、外部樹脂部６０、６１で囲まれたＬＥＤ素子８０と、ボンディングワイヤー９０等でリード部２０と電気的に接続された接続部２４の周辺部を、透明樹脂からなる封止樹脂１００でモールドする。

最後に、所定のパッケージ寸法になるように複数個配列されている場合は、個片化する。一括でモールドされている場合は、ダイシング等により、個別モールドされている場合は、プレス等で打ち抜き、個片化する。

〔第２の実施形態〕
図６は、第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａの一例を示した図である。図６（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＹ−Ｙ’断面における断面図である。

第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａは、図６（ａ）に示す平面構成は図１（ａ）に示す第１の実施形態に係るリードフレーム５０の平面構成と同一であるが、図６（ｂ）に示す断面構成が、図１（ｂ）に示す第１の実施形態に係るリードフレーム５０の断面構成と異なっている。

図６（ｂ）において、第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａは、突起１１、２１の内側にある内側領域１２、２３の表面の高さと、突起１１、２１の外側にある外側領域１３ａ、２３ａの高さが異なっている点で、第１の実施形態に係るリードフレーム５０と異なっている。より詳細には、第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａにおいては、外側領域１３ａ、２３ａの表面の高さが内側領域１２、２３よりも低くなっており、より深い溝を形成している。突起１１、２１の内側にある内側領域１２、２２は、突起１１、２１により保護される程度の深さを有すれば十分であるので、突起１１、２１により他の物品と接触しない最低限度の深さを確保すれば十分であるが、外側領域１３ａ、２３ａは、外部樹脂部６０、６１との密着性を高める必要があるため、表面積及び嵌合構造をなるべく大きくし、密着性を高める構成とすることが好ましい。よって、第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａでは、突起１１、２１より内側であるダイパッド部１０のＬＥＤ素子８０を搭載するＬＥＤ搭載箇所１４（図２参照）の周辺及びリード部２０の接続部２４（図２参照）の周辺を含む内側領域１２、２２は浅く、突起１１、２１の外側である外部樹脂部６０、６１が形成される外部領域１３ａ、２３ａを深く構成している。例えば、突起１１、２１の内側の深さを０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍと浅くし、突起１１、２１の外側の深さを０．０２ｍｍ〜０．０５ｍｍと深く設定できる。

第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａによれば、突起１１、２１の外側を深くすることでより樹脂密着性をより向上させることができる。かつ、突起１１、２１の内側の深さを、０．００５ｍｍ〜０．０２ｍｍにすることで、外部樹脂部６０、６１の開口部下面内側の貴金属めっき層３０を保護でき、エッチング時の深さのばらつきを最小限に抑えることができる。これにより、外部樹脂部６０、６１を形成する時、開口部下側位置１５、２５付近に発生する樹脂バリを低減することができる。

次に、図７を用いて、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法について説明する。図７は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の一例を示した図である。なお、図７においては、第１の実施形態に係るリードフレーム５０の製造方法と異なる工程のみ示すこととする。

図７（ａ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。第１のレジストパターン形成工程では、エッチング用レジストを用いて、ダイパッド部１０及びリード部２０の所定のパターンが形成されるようにレジスト層１２０ａ、１２３を作製するが、その際、中央側の開口部１２１の他、外部領域１３ａ、２３ａに対応する領域にも開口部１２２を形成する。なお、裏面のレジスト層１２３及び開口部１２４は、第１の実施形態における図３（ｂ）と同様である。

図７（ｂ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第１のエッチング工程及び第１のレジスト剥離工程の一例を示した図である。図７（ｂ）に示されるように、第１のエッチング工程では、レジスト層１２０ａ、１２３で覆われていない開口部１２１、１２４をエッチング液でエッチングする。これにより、ダイパッド部１０ａ及びリード部２０ａが形成されるとともに、ハーフエッチングされた外側領域１３ａ、２３ａが形成される。金属板５は、両面からエッチング加工されるため、開口部１２１、１２４同士が重なる領域は金属板５を貫通するが、片面のみ開口部１２２、１２４が形成されている外側領域１３ａ、２３ａ及び薄肉部１７は、ハーフエッチングされて窪み（凹部）が形成される。

次いで、第１のレジスト剥離工程において、レジスト層１２０ａ、１２３を、剥離剤を用いて剥離する。

図７（ｃ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。第２のレジストパターン形成工程は、第１の実施形態で示した図４（ａ）の工程と同様であるので、その説明を省略する。

図７（ｄ）は、第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法の第２のエッチング工程及び第２のレジスト剥離工程の一例を示した図である。図７（ｄ）に示されるように、第２のエッチング工程では、レジスト層１２５、１２６で覆われていない開口領域１２７をエッチング液でエッチングする。これにより、開口領域１２７全体がエッチングされて低くなり、相対的にレジスト層１２５、１２６で覆われた箇所に突起１１、２１が形成される。その際、内側領域１２、２２も外側領域１３ａ、２３ａもエッチング量は同じであるので、同じ高さ分低くなる。よって、図７（ｃ）で示した段差がエッチング加工後も維持され、内側領域１２、２２と外側領域１３ａ、２３ａとで高さが異なる形状に加工することができる。また、第２のエッチング工程後は、第２のレジスト剥離工程が行われ、レジスト層１２５、１２６が剥離剤を用いて剥離される。

このように、図７（ａ）で示したように、第１のレジストパターン形成工程において、外側領域１３ａ、２３ａを形成する部分に開口部１２２を形成しておくことにより、その後は、第１の実施形態に係るリードフレーム５０の製造方法と同様の工程を行うことにより、第２の実施形態に係るリードフレーム５０ａを製造することができる。

〔第３の実施形態〕
図８は、本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム５０ｂの一例を示した図である。図８（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＺ−Ｚ’断面における断面図である。

第３の実施形態に係るリードフレーム５０ｂは、図８（ｂ）に示す断面構成は図１（ｂ）に示す第１の実施形態に係るリードフレーム５０の断面構成と同様であるが、図８（ａ）に示す平面構成が、図１（ａ）に示す第１の実施形態に係るリードフレーム５０の平面構成と異なっている。

図８（ａ）に示す第３の実施形態に係るリードフレーム５０ｂでは、突起１１ｂ、２１ｂが、複数の円柱状に形成されている点で、第１の実施形態に係るリードフレーム５０と異なっている。このように、連続したライン状の形状ではなく、複数の柱状の突起１１ｂ、２１ｂでめっき層３０が形成された中央領域を囲むようにしてもよい。また、図８においては、突起１１ｂ、２１ｂが円柱状の形状を有するが、突起１１ｂ、２１ｂの形状は、楕円柱、矩形を含む角柱等、種々の形状とすることができる。柱状の突起１１ｂ、２１ｂを複数配置することにより、全体として中央領域を囲むことができ、バランスよく突起１１ｂ、２１ｂを配置することができる。なお、円柱、楕円柱、矩形柱等の平面的な大きさは０．１〜０．５ｍｍ程度が好ましい。円柱を複数配置するのであれば円柱の上面の円形の大きさは、直径φ０．１ｍｍ〜０．１５ｍｍに設定できる。

第３の実施形態に係るリードフレーム５０ｂを製造する場合には、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法の図４（ａ）を用いて説明した第２のレジストパターン形成工程において、所望の形状パターンに適合したレジストパターンを形成し、エッチング工程を行えばよい。このように、第３の実施形態に係るリードフレーム５０ｂは、第１の実施形態に係るリードフレーム５０の製造方法とほぼ同様の製造方法で製造することができる。

〔実施例１〕
次に、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の実施例を説明する。なお、説明の便宜のため、今まで説明した構成要素に対応する構成要素には、同一の参照符号を付すものとする。

リードフレーム用の金属板５としては、厚さ０．２ｍｍ、幅１８０ｍｍの帯状の銅材（古河電工株式会社製：ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ）を用いた。まず、リードフレーム用の金属板５を、脱脂、洗浄した。その後、リードフレーム５０のパターンを形成するためのレジスト層を作製した。詳細には、先ず、金属板５の表面に感光性レジストを厚さ０．０２ｍｍ塗布した。レジストとしては、ネガ型感光性レジスト（旭化成イーマテリアルズ株式会社製）を使用した。次に、ダイパッド部１０及びリード部２０が所定のパターンになるようにガラスマスクを用いて、レジスト層を露光した。その後、現像してレジスト層１２０、１２３を作製した。

また、ダイパッド部１０とリード部２０の対向面のダイパッド側に薄肉部１７を形成した。薄肉部１７の厚さは０．１ｍｍ、幅は０．２ｍｍになるように設定した。

その後、エッチング液にてエッチングを行った。エッチング液としては、塩化第二鉄溶液を使用した。必要に応じて、エッチング液の吹き出し方向や、吹き付け圧力等を適宜調整した。

そして、エッチングが終了した後レジスト層１２０、１２３を剥離し、ダイパッド部１０及びリード部２０を形成した。

次に、ダイパッド部１０及びリード部２０に突起１１、２１を作製した。突起１１、２１は、外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５より外側に、外部樹脂部６０，６１の開口部下側位置１５、２５の形状に沿って、外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５を取り囲むように、図１（ａ）に示すように、楕円状にラインを引くように配置した。ラインの幅は０．１ｍｍに設定した。突起１１、２１の高さについては、表１に従い設定した。

まず、ダイパッド部１０及びリード部２０の表面に感光性レジストを厚さ０．０２ｍｍ塗布した。レジストとしては、ネガ型感光性レジスト（旭化成イーマテリアルズ株式会社製）を使用した。次に、ダイパッド部１０及びリード部２０が所定のパターンになるようにガラスマスクを用いて、レジスト層を露光した。その後、現像してレジスト層１２５、１２６を作製した。また、裏面の全面にレジスト層１２８を形成した。その後、エッチング液にてエッチングを行った。エッチング液としては、塩化第二鉄溶液を使用した。必要に応じて、エッチング液の吹き出し方向や、吹き付け圧力等を適宜調整した。その後、レジスト層１２５、１２６、１２８を剥離した。

次に、ダイパッド部１０及びリード部２０の全面に表面平滑処理を行った。表面平滑処理液は、メルテックス社製カッパー−５８を用いて行った。平滑化処理後のエッチング加工面の表面粗さについては、表１の値になるように、浸漬時間、濃度、温度等を調正した。

その後、貴金属めっきを行ってめっき層３０を形成した。貴金属めっきは、Ａｇめっき、めっき厚さ３．０μｍで行った。めっき範囲は、表１に示した通りである。

その後、各リードフレーム５０をシート状に切断した。

また、上記リードフレーム５０を使用して、外部樹脂をモールドして樹脂付きリードフレーム５５を作製した。その後、樹脂付きリードフレーム５５を使用して、ＬＥＤ素子８０を搭載した。ワイヤーボンディング後、透明封止してからダイシング加工を行い、個片化して光半導体装置１１０を完成させた。

〔実施例２〜８、比較例１〜２〕
表１に実施例２〜８、比較例１〜２の各設定を示す。

実施例２〜５では、突起１１、２１の高さと外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５より内側の領域のめっき前の表面粗さを表１に示した通りにした。その他は、実施例１と同じ方法で作製した。

実施例６では、めっきが部分めっきで、部分めっきの範囲を外部樹脂部の開口部下側位置１２、２２より０．１ｍｍ外側に設定した。その他は、実施例３と同じである。

実施例７では、めっき範囲は全面めっきとし、突起１１、２１は、外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５よりも外側に設定した。形状は、直径φ０．１５ｍｍの円柱を複数設定した。その他の条件は、実施例３と同じである。

実施例８では、めっき範囲は全面めっきとし、突起１１、２１よりも内側の内側領域１２、２２の深さを０．０１ｍｍ、突起１１、２１よりも外側の外側領域１３ａ、２３ａの深さを０．０３ｍｍに設定した。その他の条件は、実施例３と同じである。

比較例１は、突起１１、２１の加工及び表面平滑処理工程を行わず、その他は実施例１と同じ製造方法である。

比較例２は、突起１１、２１の加工後、表面平滑処理を行わず、その他は実施例１と同じ製造方法である。

また、めっき層３０の表面の状況を確認するため、リードフレームに貴金属めっき処理後、シート状に切断し、検査、包装されたリードフレームについて、リードフレームの搬送・取扱い時のめっき面の傷や汚れ曇り等の不具合があるか否かについて、リードフレーム１０枚の全ダイパッド部１０、及びリード部２０の内側領域１１、２１を顕微鏡により観察した。その結果も表１に示す。

反射率は、反射率測定器（日立製作所製Ｕ４１００）を用いて波長４５０ｎｍで測定を行った。比較例１の反射率を基準に ○：基準より５％以内の低下もしくは基準以上 △：基準より５％を超えて低下 ×：基準より１０％を超えて低下で評価した。その結果も表１に示す。

この結果、実施例１〜８にはダイパッド部１０及びリード部２０の外部樹脂部６０、６１の開口部下側位置１５、２５の内側近辺に傷や汚れ等の発生はなかった。また、反射率もほぼ、エッチング加工されていない金属板５の表面にめっきした状態を維持していることが確認できた。これにより、半導体装置１１０での反射面汚れや曇りによる輝度の低下も防止できた。

以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

５ 金属板
１０、１０ａ、１０ｂ ダイパッド部
２０、２０ａ、２０ｂ リード部
１１、２１ 突起
１２、２２ 内側領域
１３、１３ａ、２３、２３ａ 外側領域
１４ ＬＥＤ搭載箇所
１５、２５ 開口部下側位置
１６、２６ 外部樹脂形成領域
２４ 接続部
３０ めっき層
５０、５０ａ、５０ｂ リードフレーム
５５ 樹脂付きリードフレーム
６０、６１ 外部樹脂部
８０ ＬＥＤ素子
９０ ボンディングワイヤー
１００ 封止樹脂
１１０ 光半導体装置

Claims (13)

1. 光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームであって、
   ＬＥＤ素子を所定箇所に搭載可能なダイパッド部と、
   該ダイパッド部の周辺に配置され、前記ＬＥＤ素子を電気的に接続可能なリード部と、を備え、
   前記ダイパッド部の前記所定箇所よりも外側にある第１の領域と、前記リード部の接続部分より外側にある第２の領域とに突起が形成され、
   前記突起よりも外側の領域は、前記突起よりも内側の領域よりも表面の高さが低く、
   少なくとも前記第１の領域よりも内側の前記ダイパッド部の表面及び少なくとも前記第２の領域よりも内側の前記リード部の表面には、めっき層が設けられたリードフレーム。
2. 前記突起は、前記ダイパッド部の前記所定箇所及び前記リード部の前記接続部分を囲むように配置された請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記突起は、前記ダイパッド部内及び前記リード部内で連続する連続パターンとして形成された請求項２に記載のリードフレーム。
4. 前記突起は、柱状の形状を有し、前記ダイパッド部内及び前記リード部内で配列パターンをなすように複数形成された請求項２に記載のリードフレーム。
5. 前記突起の高さが０．００５〜０．０５ｍｍである請求項１乃至４のいずれか一項に記載のリードフレーム。
6. 前記突起以外の領域は、前記突起よりも表面粗さが大きい面である請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレーム。
7. 前記突起以外の領域のうち、少なくとも前記突起よりも内側の領域の表面粗さが三次元中心面平均粗さＳＲａ０．０５μｍ以下である請求項６に記載のリードフレーム。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレームと、
   該リードフレームの前記第１の領域上に形成された第１の外部樹脂部と、
   前記第２の領域上に形成された第２の外部樹脂部と、を有する光半導体装置用樹脂付きリードフレーム。
9. ＬＥＤ素子を搭載可能なダイパッド部と、
   該ダイパッド部の周辺に配置され、前記ＬＥＤ素子を電気的に接続可能なリード部と、
   前記ダイパッド部上に搭載されたＬＥＤ素子と、
   該ＬＥＤ素子と前記リード部とを電気的に接続する接続手段と、
   前記ダイパッド部の前記ＬＥＤ素子よりも外側に設けられ、前記ダイパッド部よりも高さが高い第１の突起と、
   前記リード部の前記接続手段が接続された接続点よりも外側に設けられ、前記リード部よりも高さが高い第２の突起と、
   前記ダイパッド部上の前記ＬＥＤ素子よりも外側に、前記第１の突起の全表面を覆うように設けられた第１の外部樹脂部と、
   前記リード部上の前記接続点よりも外側に、前記第２の突起の全表面を覆うように設けられた第２の外部樹脂部と、
   少なくとも前記第１の外部樹脂部よりも内側の前記ダイパッド部の表面及び少なくとも前記第２の外部樹脂部よりも内側の前記リード部の表面に設けられためっき層と、
   前記第１及び第２の外部樹脂部に囲まれた前記ダイパッド部及び前記リード部を含む中央領域を覆うように封止する透明樹脂部と、を有する光半導体装置。
10. 光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームの製造方法であって、
    金属板の不要部分を両面エッチングにより除去し、ＬＥＤ素子を所定箇所に搭載可能なダイパッド部と、該ＬＥＤ素子を電気的に接続可能な端子として機能し得るリード部とを形成するとともに、前記金属板の端部を含む外側の領域の表面にハーフエッチング加工を行い、凹部を形成する工程と、
    前記ダイパッド部の前記所定箇所よりも外側にありモールド成形時に第１の外部樹脂部で覆われる第１の領域と、前記リード部の接続部分より外側にあり前記モールド成形時に第２の外部樹脂部で覆われる第２の領域とに突起を形成するとともに、前記凹部が更に深くなり、前記突起の外側の領域が内側の領域よりも低くなるように前記ダイパッド部及び前記リード部の表面にハーフエッチング加工を行う工程と、
    前記ハーフエッチング加工が行われた面のうち、少なくとも前記第１の領域よりも内側の領域を含む第３の領域と、少なくとも前記第２の領域よりも内側の領域を含む第４の領域に平滑化処理を施す工程と、
    該第３の領域及び該第４の領域に貴金属めっき処理を行うめっき工程と、を有するリードフレームの製造方法。
11. 前記金属板の不要部分を除去し、前記ダイパッド部及び前記リード部を形成する工程は、エッチング加工により行われ、
    該エッチング加工を行う際、前記突起よりも外側の領域の上面にハーフエッチング加工を行い、凹部を形成する工程を更に有する請求項１０に記載のリードフレームの製造方法。
12. 前記平滑化処理は、前記第３の領域及び前記第４の領域の表面に薬品を供給することにより行われる請求項１０又は１１に記載のリードフレームの製造方法。
13. 光半導体装置用樹脂付きリードフレームの製造方法であって、
    請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法を実施する工程と、
    前記第１の領域に前記第１の外部樹脂部、前記第２の領域に前記第２の外部樹脂部を各々形成する工程と、を有する光半導体装置用樹脂付きリードフレームの製造方法。

Images