TW201828508A - 發光二極體搭載用導線框、附有樹脂之導線框、半導體裝置之製造方法、及半導體元件搭載用導線框 - Google Patents

發光二極體搭載用導線框、附有樹脂之導線框、半導體裝置之製造方法、及半導體元件搭載用導線框 Download PDF

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TW201828508A
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TW
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terminal portion
lead
area
package
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小田和範
矢崎雅樹
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日商大日本印刷股份有限公司
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Abstract

發光二極體搭載用導線框(10)，具備：框體領域(13)；和多列及多段配置在框體領域(13)內的多數個封裝領域(14)。多數個封裝領域(14)，分別包括：搭載著發光二極體元件(21)的晶片銲墊(25)；和鄰接於晶片銲墊(25)的導線部(26)，並且互相介設著切割領域(15)而連接。一個封裝領域(14)內的晶片銲墊(25)與鄰接於上下的另一個封裝領域(14)內的導線部(26)，是利用位在切割領域(15)的傾斜補強片(51)連結。

Description

發光二極體搭載用導線框、附有樹脂之導線框、半導體裝置之製造方法、及半導體元件搭載用導線框
本發明是有關發光二極體搭載用導線框、附有樹脂之導線框、半導體裝置之製造方法、及半導體元件搭載用導線框。
以往，樹脂密封型半導體裝置用之導線框，是例如：具有記載於日本特開2001-326316號公報的導線框。有關此種導線框，是在各晶片銲墊周圍配置有多數個端子部，連繫該些多數個端子部和吊掛導線的繫桿(tie bar)，是縱橫的配置成格子狀。
一方面，近年以發光二極體(LED)元件作為光源使用的照明裝置，是應用於各種家電、事務機器、車輛機器之顯示燈、一般照明、車輛照明、以及顯示器等。在此種照明裝置中，包括藉由在導線框搭載發光二極體元件所製作的半導體裝置。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開第2001-326316號公報
有關發光二極體元件用的半導體裝置或離散半導體元件用的半導體裝置，是一種在晶片銲墊的周圍，直線狀一列的配置著晶片銲墊和導線。應用於此種半導體裝置的導線框之情形，與上述之習知的導線框不同，並未設有縱橫格子狀的繫桿，互相鄰接的晶片銲墊彼此以及導線部連結彼此，就能夠增多一個導線框中之元件的安裝面數量，還能夠效率良好的製造導線框。
此情形下，晶片銲墊和導線部，必須以不會產生短路的方式分離而配置。因此，會產生所謂各晶片銲墊和各導線部之間的間隙相連繫，平行於導線框之一邊的複數個細長的空間之問題。因此，會有導線框變成竹簾狀，且於安裝之際在導線框產生變形之虞。
本發明是考慮此點而完成的發明，其目的是提供一種防止晶片銲墊和導線部之間的間隙相連繫，且在導線框產生細長的空間，藉此令導線框變成竹簾狀，還可防止安裝時產生變形的發光二極體搭載用導線框、附有樹脂之導線框、半導體裝置之製造方法、及半導體元件塔載用導線框。
〔發明概要〕
本發明是一種導線框，在發光二極體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著發光二極體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並且互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；一個封裝領域內的晶片銲墊與相鄰接的另一個封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的傾斜補強片連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的導線部，是利用導線連結部，與前記相鄰接的另一個封裝領域內的導線部連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊，是利用晶片銲墊連結部，與前記相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊與鄰接於前記一個封裝領域的第一封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的第一傾斜補強片被連結，且前記一個封裝領域內的晶片銲墊與鄰接於前記一個封裝領域，並且與前記一個封裝領域相關而位在與第一封裝領域相反側的第二封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的第二傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊與前記相鄰接的另一個封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的第一傾斜補強片被連結，且前記一個封裝領域內的導線部與前記相鄰接的另一個封裝領 域內的晶片銲墊，是利用位在切割領域的第二傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊，是在鄰接於晶片銲墊側的斜上方及斜下方的封裝領域內的導線部，利用位在切割領域的一對追加傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線桿，其特徵為：前記一個封裝領域內的導線部，是在鄰接於導線部側的斜上方及斜下方的封裝領域內的導線部，利用位在切割領域的一對追加傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，在發光二極體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著發光二極體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並且互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；至少一個封裝領域內的導線部，是利用導線連結部，與相鄰接的另一個封裝領域內的導線部連結，一個封裝領域內的導線部與相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊，是利用位在切割領域的傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：傾斜補強片，是由：本體；和形成在本體上的鍍層所形成。
本發明是一種附有樹脂之導線框，在附有樹脂之導線框中，其特徵為：具備：導線框；和配置在導線框之各封裝領域周緣上的反射樹脂。
本發明是一種半導體裝置之製造方法，在半導體裝置之製造方法中，其特徵為：具備：準備附有樹脂之導線框的製程；在附有樹脂之導線框的各反射樹脂內，在各晶片銲墊上搭載發光二極體元件的製程；利用導電部來連接發光二極體元件與各導線部的製程；在附有樹脂之導線框的各反射樹脂內填充密封樹脂的製程；和切斷反射樹脂及導線框，藉此將反射樹脂及導線框分離成每一個發光二極體元件的製程。
本發明是一種導線框，在半導體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著半導體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並且互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；一個封裝領域內的晶片銲墊與相鄰接的另一個封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的導線部，是利用導線連結部，與前記相鄰接的另一個封裝領域內的導線部連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊，是利用晶片銲墊連結部，與前記相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊與鄰接在前記一個封裝領域的第一封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的第一傾斜補強片被連 結，且前記一個封裝領域內的晶片銲墊與鄰接在前記一個封裝領域，並且與前記一個封裝領域相關而位在與第一封裝領域相反側的第二封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的第二傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊與前記相鄰接的另一個封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的第一傾斜補強片被連結，且前記一個封裝領域內的導線部與前記相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊，是利用位在切割領域的第二傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線桿，其特徵為：前記一個封裝領域內的晶片銲墊，是在鄰接於晶片銲墊側的斜上方及斜下方的封裝領域內的導線部，利用位在切割領域的一對追加傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：前記一個封裝領域內的導線部，是在鄰接於導線部側的斜上方及斜下方的封裝領域內的導線部，利用位在切割領域的一對追加傾斜補強片被連結。
本發明是一種導線框，在半導體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著半導體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並且互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；至少一個封裝領域內的導線部，是利用導線連結部，與相鄰接的另一個封裝領域內的導線部連 結，且一個封裝領域內的導線部與相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊，是利用位在切割領域的傾斜補強片被連結。
藉由本發明，因為一個封裝領域內的晶片銲墊和相鄰接的另一個封裝領域內的導線部，是利用位在切割領域的傾斜補強片被連結，所以不會產生各晶片銲墊和各導線部之間的間隙相連繫，對導線框之一邊而平行的複數個細長的空間。因而，可防止安裝時導線框產生變形。
本發明是一種導線框，在發光二極體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著發光二極體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部，是利用各晶片銲墊連結部及導線連結部，與相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部連結，晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位在切割領域的補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：補強片，是跨越框體領域內側之全長而延伸，並連結晶片銲墊連結部及導線連結部。
本發明是一種導線框，其特徵為：分別連結前記一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部和鄰接於前記一個封裝領域的第一封裝領域內的晶片銲墊及導線部的晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位於切割領域的補強片被連結， 分別連結前記一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部和鄰接於前記一個封裝領域，並且與前記一個封裝領域相關而位在與第一封裝領域相反側的第二封裝領域內的晶片銲墊及導線部的晶片銲墊連結部及導線連結部，並未利用補強片連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：補強片，是分別連結在前記一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部的晶片銲墊連結部以及僅在導線連結部間延伸而連結晶片銲墊連結部及導線連結部。
本發明是一種導線框，其特徵為：各封裝領域，包含：一個晶片銲墊；和位在該晶片銲墊之兩側的第一導線部及第二導線部；一個封裝領域內的晶片銲墊、第一導線部、及第二導線部，是分別利用晶片銲墊連結部、第一導線連結部、及第二導線連結部，與相鄰隣的另一個封裝領域內的晶片銲墊、第一導線部、及第二導線部連結，在前記一個封裝領域和鄰接於前記一個封裝領域的第一封裝領域之間，補強片，是只在晶片銲墊連結部及第一導線連結部之間延伸而連結晶片銲墊連結部及第一導線連結部，在前記一個封裝領域和鄰接於前記一個封裝領域，並且有關於前記一個封裝領域而位在與第一封裝領域相反側的第二封裝領域之間，補強片，是只在晶片銲墊連結部及第二導線連結部之間延伸而連結晶片銲墊連結部及第二導線連結部。
本發明是一種導線框，在發光二極體元件搭載用導線 框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著發光二極體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部，是利用各晶片銲墊連結部及導線連結部，與鄰接於縱方向的另一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部連結，且朝橫方向延伸的複數個切割領域之中，位在部分切割領域的晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位在該切割領域的補強片連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：朝橫方向延伸的複數個切割領域之中，設有補強片的切割領域，是隔著既定數量周期性設置。
本發明是一種導線框，其特徵為：朝橫方向延伸的複數個切割領域之中，設有補強片的切割領域，是不規則的設置。
本發明是一種導線框，其特徵為：補強片，是由：本體；和形成在本體上的鍍層所形成。
本發明是一種附有樹脂之導線框，在附有樹脂之導線框中，其特徵為：具備：導線框；和配置在導線框之各封裝領域周緣上的反射樹脂。
本發明是一種半導體裝置之製造方法，在半導體裝置之製造方法中，其特徵為：具備：準備附有樹脂之導線框的製程；在附有樹脂之導線框的各反射樹脂內，在各晶片銲墊上搭載發光二極體元件的製程；利用導電部來連接發 光二極體元件與各導線部的製程；在附有樹脂之導線框的各反射樹脂內填充密封樹脂的製程；和切斷反射樹脂及導線框，藉此將反射樹脂及導線框分離成每一個發光二極體元件的製程。
本發明是一種導線框，在半導體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著半導體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部，是利用各晶片銲墊連結部及導線連結部，與相鄰接的另一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部連結，晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位在切割領域的補強片被連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：補強片，是跨越框體領域內側之全長而延伸，並連結晶片銲墊連結部及導線連結部。
本發明是一種導線框，其特徵為：分別連結前記一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部和鄰接於前記一個封裝領域的第一封裝領域內的晶片銲墊及導線部的晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位於切割領域的補強片被連結，分別連結前記一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部和鄰接於前記一個封裝領域，並且與前記一個封裝領域相關而位在與第一封裝領域相反側的第二封裝領域內的晶片銲墊及導線部的晶片銲墊連結部及導線連結部，並未利用補強片連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：補強片，是分別連結在前記一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部的晶片銲墊連結部以及僅在導線連結部間延伸而連結晶片銲墊連結部及導線連結部。
本發明是一種導線框，其特徵為：各封裝領域，包含：一個晶片銲墊；和位在該晶片銲墊之兩側的第一導線部及第二導線部；一個封裝領域內的晶片銲墊、第一導線部、及第二導線部，是分別利用晶片銲墊連結部、第一導線連結部、及第二導線連結部，與相鄰隣的另一個封裝領域內的晶片銲墊、第一導線部、及第二導線部連結，在前記一個封裝領域和鄰接於前記一個封裝領域的第一封裝領域之間，補強片，是只在晶片銲墊連結部及第一導線連結部之間延伸而連結晶片銲墊連結部及第一導線連結部，在前記一個封裝領域和鄰接於前記一個封裝領域，並且有關於前記一個封裝領域而位在與第一封裝領域相反側的第二封裝領域之間，補強片，是只在晶片銲墊連結部及第二導線連結部之間延伸而連結晶片銲墊連結部及第二導線連結部。
本發明是一種導線框，在半導體元件搭載用導線框中，其特徵為：具備：框體領域；和包含多列及多段被配置在框體領域內，各別搭載著半導體元件的晶片銲墊與鄰接在晶片銲墊的導線部，並互相介設切割領域而連接的多數個封裝領域；一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部，是利用各晶片銲墊連結部及導線連結部，與鄰接於縱方向的 另一個封裝領域內的晶片銲墊及導線部連結，且朝橫方向延伸的複數個切割領域之中，位在部分切割領域的晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位在該切割領域的補強片連結。
本發明是一種導線框，其特徵為：朝橫方向延伸的複數個切割領域之中，設有補強片的切割領域，是隔著既定數量周期性設置。
本發明是一種導線框，其特徵為：朝橫方向延伸的複數個切割領域之中，設有補強片的切割領域，是不規則的設置。
藉由本發明，因為晶片銲墊連結部及導線連結部，是利用位在切割領域的補強片連結，所以不會產生各晶片銲墊和各導線部之間的間隙相連繫，對導線框之一邊而平行的複數個細長的空間。因而，可防止安裝時導線框產生變形。
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、70、 70A、70B、70C、70D、70E、70F、70G、70H、70I、70J‧‧‧導線框
11‧‧‧導線框本體
12‧‧‧鍍層
13‧‧‧框體領域
14、14a、14b、14c‧‧‧封裝領域
15‧‧‧切割領域
16L、16R‧‧‧導線配置領域
18‧‧‧溝槽
20、20A、20B、20C、65、80‧‧‧半導體裝置
21‧‧‧發光二極體元件
21a‧‧‧端子部
22‧‧‧接合線(導電部)
23‧‧‧反射樹脂
23a‧‧‧凹部
24‧‧‧密封樹脂
25‧‧‧晶片銲墊
26、26a、26b、26c、26d‧‧‧導線部(第一導線部26a、第二導線部26b、26c、第三導線部26d)
27‧‧‧第一外導線部
28‧‧‧第二外導線部
31‧‧‧金屬基板
32a、33a‧‧‧感光性光阻劑
32b、33b‧‧‧開口部
35‧‧‧模具
35a‧‧‧空間
37‧‧‧切割膠帶
38‧‧‧刀片
41a、41b‧‧‧銲球(導電部)
45‧‧‧半導體元件
51‧‧‧傾斜補強片
51a‧‧‧第一傾斜補強片
51b‧‧‧第二傾斜補強片
51c‧‧‧第三傾斜補強片
51d‧‧‧第四傾斜補強片
52‧‧‧導線連結部
52a‧‧‧第一導線連結部
52b、52c‧‧‧第二導線連結部
53‧‧‧晶片銲墊連結部
54‧‧‧封裝領域連結部
55a、55b‧‧‧追加傾斜補強片
57‧‧‧補強片
61‧‧‧透鏡
90‧‧‧附樹脂導線框
第1圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框的全體俯視圖。
第2圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框的部分放大俯視圖(第1圖之A部放大圖)。
第3圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框的剖視圖(第2圖之B-B線剖視圖)。
第4圖是表示利用藉由本發明之第1實施形態的導線 框製作的半導體裝置的剖視圖(第5圖之C-C線剖視圖)。
第5圖是表示利用藉由本發明之第1實施形態的導線框製作的半導體裝置的俯視圖。
第6圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之製造方法的圖。
第7圖是表示使用藉由本發明之第1實施形態的導線框來製造半導體裝置之方法的圖。
第8圖是表示使用藉由本發明之第1實施形態的導線框來製造半導體裝置之方法的圖。
第9圖是表示製造半導體裝置之方法中的切割製程之圖。
第10圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-1)的部分放大俯視圖。
第11圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-2)的部分放大俯視圖。
第12圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-3)的部分放大俯視圖。
第13圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-4)的部分放大俯視圖。
第14圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-5)的部分放大俯視圖。
第15圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-6)的部分放大俯視圖。
第16圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-7)的部分放大俯視圖。
第17圖是表示藉由本發明之第1實施形態的導線框之變形例(變形例1-8)的部分放大俯視圖。
第18圖是表示半導體裝置之變形例(變形例A)的剖視圖。
第19圖是表示半導體裝置之變形例(變形例B)的剖視圖。
第20圖是表示半導體裝置之變形例(變形例C)的剖視圖。
第21圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框的全體俯視圖。
第22圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框的部分放大俯視圖(第21圖之D部放大圖)。
第23圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框的剖視圖(第22圖之E-E線剖視圖)。
第24圖是表示利用藉由本發明之第2實施形態的導線框製作的半導體裝置的剖視圖(第25圖之F-F線剖視圖)。
第25圖是表示利用藉由本發明之第2實施形態的導線框製作的半導體裝置的俯視圖。
第26圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之製造方法的圖。
第27圖是表示使用藉由本發明之第2實施形態的導 線框來製造半導體裝置之方法的圖。
第28圖是表示使用藉由本發明之第2實施形態的導線框來製造半導體裝置之方法的圖。
第29圖是表示製造半導體裝置之方法中的切割製程之圖。
第30圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-1)的部分放大俯視圖。
第31圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-2)的部分放大俯視圖。
第32圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-3)的部分放大俯視圖。
第33圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-4)的部分放大俯視圖。
第34圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-5)的部分放大俯視圖。
第35圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-6)的部分放大俯視圖。
第36圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-7)的部分放大俯視圖。
第37圖是表示使用藉由變形例2-7(第36圖)的導線框製作的半導體裝置的概略俯視圖。
第38圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-8)的部分放大俯視圖。
第39圖是表示使用藉由變形例2-8(第38圖)的導 線框製作的半導體裝置的概略俯視圖。
第40圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-9)的部分放大俯視圖。
第41圖是表示藉由本發明之第2實施形態的導線框之變形例(變形例2-10)的部分放大俯視圖。
第42圖是表示藉由本發明之第3實施形態的導線框的剖視圖。
第43圖是表示利用藉由本發明之第3實施形態的導線框製作的半導體裝置的剖視圖。
第44圖是表示使用藉由本發明之第3實施形態的導線框來製造半導體裝置之方法的剖視圖。
(第1實施形態)
以下參照圖面針對本發明之第1實施形態做說明。第1圖至第6圖是表示本發明之第1實施形態的圖。
以下，針對本發明之第1實施形態，參照第1圖至第20圖做說明。
導線框之構成
首先，根據第1圖至第3圖，針對利用本實施形態的發光二極體元件搭載用導線框的概略做說明。第1圖是利用本實施形態的導線框之整體平面圖，第2圖是第1圖的A部放大圖，第3圖是第2圖的B-B線剖視圖。
第1圖所示的導線框10，是製作搭載發光二極體元件21的半導體裝置20(第4圖及第5圖)之際使用的導線框。此種導線框10，具備：具有矩形狀外形的框體領域13；和多列及多段(矩陣狀)配置在框體領域13內的多數個封裝領域14。
如第2圖所示，複數個封裝領域14，分別包括：搭載著發光二極體元件21的晶片銲墊25；和鄰接於晶片銲墊25的導線部26。又，複數個封裝領域14，是互相介設切割(dicing)領域15而連接。
在一個封裝領域14內的晶片銲墊25與導線部26之間，形成間隙，且被切割(dicing)後，晶片銲墊25與導線部26就會互相電性絕緣。再者，各封裝領域14，是分別對應各個半導體裝置20的領域。又，於第2圖中，以假想線(二點鎖線)來表示各封裝領域14。
一方面，切割領域15，是朝著各封裝領域14之間縱橫的延伸。該切割領域15，是如後述般，在製造半導體裝置20的製程中，將導線框10分離成每個封裝領域14之際，成為讓刀片38通過的領域。再者，於第2圖中，以網點來表示切割領域15。
再者，於本詳細說明書中，如第2圖所示，朝左右排列配置各封裝領域14內的導線部26與晶片銲墊25之情形的橫方向是對應X方向，縱方向是對應Y方向。又，此情形，Y方向正極側、Y方向負極側，分別稱為上方、下方，X方向正極側、X方向負極側，分別稱為右方、左 方。
如第2圖所示，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於該上方的另一個封裝領域14內的導線部26，是利用傾斜補強片51互相的連結。又，各封裝領域14內的導線部26與鄰接於該下方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用傾斜補強片51互相的連結。各傾斜補強片51，是位於切割領域15，且對著第2圖的X方向及Y方向的任一方向成為傾斜地被配置。
又，各封裝領域14內的導線部26，是分別利用導線連結部52，與鄰接於該上方及下方的另一個封裝領域14內的導線部26連結。進而，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是分別利用晶片銲墊連結部53，與鄰接於該上方及下方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。該些各導線連結部52及各晶片銲墊連結部53，均是位在切割領域15，且平行配置在Y方向。
進而，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是分別利用封裝領域連結部54，與鄰接於該右方的另一個封裝領域14內的導線部26連結。進而又，各封裝領域14內的導線部26，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該左方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。各封裝領域連結部54，是位在切割領域15，且平行配置在X方向。
再者，位在最外周的封裝領域14內的導線部26及晶片銲墊25，是利用傾斜補強片51、導線連結部52、晶片銲墊連結部53、以及封裝領域連結部54之中的一個或複 數個，連結在框體領域13。
一方面，如第3圖的剖視圖所示，導線框10，是由：導線框本體11；和形成在導線框本體11上的鍍層12所形成。
當中導線框本體部11是由金屬板形成。作為構成導線框本體11的金屬板之材料，例如：可列舉銅、銅合金、42合金(Ni 42%之Fe合金)等。該導線框本體11的厚度，雖亦是根據半導體裝置的構成，但0.05mm~0.5mm為佳。
又，鍍層12，是設置在導線框本體11的表面及裏面的全體。表面側的鍍層12，是作為反射來自發光二極體元件21之光的反射層功能。另一方面，裏面側的鍍層12，是完成提高與銲料的密著性之作用。該鍍層12，是例如由：銀(Ag)的電解電鍍層形成。鍍層12，是其厚度形成極薄，具體而言是0.005μm~0.2μm為佳。再者，鍍層12，未必要設置在導線框本體11的表面及裏面的全體，也可以在導線框本體11的表面及裏面之中，只設置一部分。
又，在晶片銲墊25的裏面，形成有第一外導線部27，在導線部26的底面，形成有第二外導線部28。第一外導線部27及第二外導線部28，是分別在連接半導體裝置20與外部的配線基板之際使用。
更在導線框10的表面，形成有為了提高與導線框10和反射樹脂23(後述)之密著性的溝槽18。再者，於第 2圖中，是省略溝槽18的表示。
半導體裝置之構成
接著，根據第4圖及第5圖，針對使用第1圖至第3圖所示的導線框所製作成的半導體裝置之一實施形態做說明。第4圖及第5圖是分別表示半導體裝置(SON型)的剖視圖及俯視圖。
如第4圖及第5圖所示，半導體裝置20，是具備：(單片化)導線框10；載置在導線框10之晶片銲墊25的發光二極體元件21；和電性連接發光二極體元件21與導線框10之導線部26的接合線(導電部)22。
又，如包圍發光二極體元件21地設置具有凹部23a的反射樹脂23。該反射樹脂23是與導線框10一體化。進而，發光二極體元件21和接合線22，是利用透光性的密封樹脂24而密封。該密封樹脂24是填充在反射樹脂23的凹部23a內。
以下，針對構成此種的半導體裝置20之各構成構件，依序做說明。
發光二極體元件21，是作為發光層例如藉由適當選擇由GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP或InGaN等之化合物半導體單結晶所形成的材料，就能選擇從紫外光涵蓋到紅外光的發光波長。作為此種的發光二極體元件21，可使用以往一般所採用的元件。
又，發光二極體元件21，是利用銲錫或晶粒接合膏 (die bonding paste)，在反射樹脂23的凹部23a內而固定安裝在晶片銲墊25上。再者，利用晶粒接合膏的情形下，可選擇由具有耐光性的環氧樹脂、矽膠樹脂所製成的晶粒接合膏。
接合線22是例如由金等之導電性良好的材料所製成，其一端是連接在發光二極體元件21的端子部21a，並且其另一端是連接在導線部26上。
反射樹脂23，是例如在導線框10上將熱可塑性樹脂，例如加以射出成型或移轉成型，藉此所形成的。反射樹脂部23的形狀，可藉由使用於射出成型或移轉成型之模具的設計，來實現各種形狀。例如：反射樹脂23的全體形狀，如第4圖及第5圖所示，可為矩形體，或者也可為圓筒形或錐形等的形狀。又凹部23a的底面，可為矩形、圓形、橢圓形或多角形等。凹部23a之側壁的斷面形狀，如第4圖可以由直線所構成，或者也可以由曲線所構成。
有關使用於反射樹脂23的熱可塑性樹脂，特別希望能選擇耐熱性、耐候性以及機械性強度優的。作為熱可塑性樹脂的種類，可使用：聚醯胺、聚鄰苯二甲醯胺、聚二苯硫化物、液晶聚合物、聚醚、矽、環氧、聚醚醯亞胺、聚氨酯、以及聚對苯二甲酸二丁酯等。更又，在該些樹脂中作為光反射劑而添加二氧化鈦、二氧化鋯、鈦酸鉀、氮化鋁、以及氮化硼之中的任一種，藉此在凹部23a的底面及側面，使得來自發光元件之光的反射率增大，且可使得 半導體裝置20全體的光輸出效率增大。
作為密封樹脂24，為了提昇光的輸出效率，希望選擇在半導體裝置20的發光波長中，可提高光透射率，還有折射率高的材料。因而，作為滿足耐熱性、耐候性、以及機械性強度高之特性的樹脂，可選擇環氧樹脂和矽樹脂。尤其在作為發光二極體元件21而使用高亮度發光二極體的情形下，為了使密封樹脂24成為強光，密封樹脂24以具有高耐候性的矽樹脂所形成為佳。
再者，因為有關導線框10的構成，已採用第1圖至第3圖做說明，所以在此省略詳細的說明。
發光二極體元件搭載用導線框之製造方法
接著，針對第1圖至第3圖所示的導線框10之製造方法，使用第6圖(a)-(f)做說明。
首先，如第6圖(a)所示，準備平板狀的金屬基板31。作為該金屬基板31，如上述所可使用由：銅、銅合金、42合金(Ni 42%之Fe合金)等製成的金屬基板。再者，金屬基板31，是使用對該兩面進行脫脂等，且施行洗淨處理者為佳。
接著，在金屬基板31的表裏全體分別塗佈感光性光阻劑32a、33a，且將此乾燥(第6圖(b))。再者，作為感光性光阻劑32a、33a，可使用以往公知的。
接著，對該金屬基板31介設光罩而曝光，且加以顯像，藉此形成具有所要的開口部32b、33b的蝕刻用光阻 劑層32、33(第6圖(c))。
接著，以蝕刻用光阻劑層32、33作為耐腐蝕膜，以腐蝕液對金屬基板31施行蝕刻(第6圖(d))。腐蝕液可配合所使用的金屬基板31之材質做適當選擇，例如：作為金屬基板31而使用銅的情形下，通常是使用三氯化鐵溶液，從金屬基板31的兩面利用噴塗式蝕刻(Spray Etching)而進行。
接著，剝離除去蝕刻用光阻劑層32、33，藉此得到導線框本體11(第6圖(e))。又，此時，第2圖所示的傾斜補強片51、導線連結部52、晶片銲墊連結部53、以及封裝領域連結部54是利用蝕刻形成。
接著，對導線框本體11的表面及裏面施行電解電鍍，藉此使金屬(銀)析出到導線框本體11上，在導線框本體11的表面及裏面形成鍍層12(第6圖(f))。此情形，因傾斜補強片51、導線連結部52、晶片銲墊連結部53及封裝領域連結部54，均為由：本體(導線框本體11)；和形成在本體上的鍍層12製成，故可提高該些傾斜補強片51、導線連結部52、晶片銲墊連結部53及封裝領域連結部54的強度。
此期間，具體是例如：依序經過電解脫脂製程、酸洗製程、化學研磨製程、銅打底製程、水洗製程、中性脫脂製程、氰洗製程、以及鍍銀製程，藉此在導線框本體11形成鍍層12。此情形下，作為在鍍銀製程使用的電解電鍍用的電鍍液，例如：可列舉以氰化銀為主成份的鍍銀 液。在實際的製程中，在各製程間配合需要適當加入水洗製程。又，在上記製程的途中，介設圖案化製程，藉此在導線框本體11的一部分形成鍍層12亦可。
如此一來，就可得到第1圖至第3圖所示的導線框10(第6圖(f))。
再者，在第6圖(a)-(f)中，表示藉由蝕刻來製造導線框10的方法，但也可使用利用沖壓的製造方法。
半導體裝置之製造方法
接著，針對第4圖及第5圖所示的半導體裝置20之製造方法，使用第7圖(a)-(d)、第8圖(a)-(e)、及第9圖(a)-(b)做說明。
首先藉由上述的製程(第6圖(a)-(f))，來製作導線框10(第7圖(a))。
接著，將該導線框10，安裝在射出成型機或轉印成型機(圖未表示)的模具35內(第7圖(b))。在模具35內，形成有對應反射樹脂23之形狀的空間35a。
接著，從射出成型機或轉印成型機的樹脂供給部(圖未表示)對模具35內流入熱可塑性樹脂，然後使其硬化，藉此在導線框10的鍍層12上形成反射樹脂23(第7圖(c))。
接著，將形成有反射樹脂23的導線框10從模具35內取出。如此一來，就可得到反射樹脂23與導線框10為形成一體的附有樹脂之導線框30(第7圖(d))。在本 實施形態中，像這樣地也提供具備：導線框10；和配置在導線框10的各封裝領域14的周緣上的反射樹脂23的附有樹脂之導線框30。
其次，在附有樹脂之導線框30的各反射樹脂23內，在導線框10的晶片銲墊25上搭載發光二極體元件21。此情形下，使用銲錫或晶粒接合膏，而將發光二極體元件21載置在晶片銲墊25上加以固定(晶粒接合製程)(第8圖(a))。
其次，將發光二極體元件21的端子部21a和導線部26表面，利用接合線22互相地電性連接(打線接合製程)(第8圖(b))。
然後，在反射樹脂部23的凹部23a內填充密封樹脂24，利用密封樹脂24來密封發光二極體元件21和接合線22(第8圖(c))。
其次，切斷對應於反射樹脂23及導線框10之中的切割領域15的部分，藉此將反射樹脂23及導線框10分離成每個發光二極體元件21(晶片銲墊製程)(第8圖(d))。此時，先將導線框10載置在切割膠帶37上而予固定，然後例如利用由鑽石磨石等所製成的刀片38，來切斷各發光二極體元件21間的反射樹脂23、以及導線框10的傾斜補強片51、導線連結部52、晶片銲墊連結部53以及封裝領域連結部54。
此時，如第9圖(a)所示，利用對應於切割領域15之寬度的相對性較厚的刀片38，來切斷導線框10亦可。 此時，能夠以一次的切斷作業，效率良好的將彼此相鄰接的封裝領域14予以分離。或者，如第9圖(b)所示，使用比切割領域15之寬度還狹小的相對性較薄的刀片38，藉由二次的切斷作業來切斷導線框10亦可。此時，可加快一次切斷作業期時之刀片38的進刀速度，還可增長刀片38的壽命。
如此一來，就可得到第4圖及第5圖所示的半導體裝置20(第8圖(e))。
如以上說明，藉由本實施形態，各封裝領域14內的晶片銲墊25與相鄰接的另一個封裝領域14內的導線部26，是利用位在切割領域15的傾斜補強片51連結。又，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用封裝領域連結部54，與相鄰接的另一個封裝領域14內的導線部26連結。因而，並未有沿著導線框10之上下方向而產生細長的空間，且導線框10並未有朝上下方向的竹簾狀。藉此，可防止安裝時導線框10產生變形。
又，各封裝領域14內的導線部26，是利用導線連結部52，與相鄰接的另一個封裝領域14內的導線部26連結，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用晶片銲墊連結部53，與相鄰接的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。因而，並未有沿著導線框10之左右方向而產生細長的空間，且導線框10並未有朝左右方向的竹簾狀。藉此，可防止安裝時導線框10產生變形。
如此一來，防止導線框10的變形，藉此在導線框10 形成反射樹脂23之際(第7圖(b)(c))，對於導線框10的反射樹脂23的形成位置並未有錯移。因而，對小的封裝領域14搭載大面積的發光二極體元件21，或搭載複數個發光二極體元件21，或者除了發光二極體元件21之外，也很容易搭載靜電破壞元件。
又，藉由本實施形態，各封裝領域14的周圍不必設置縱橫的繫桿，所以各封裝領域14彼此可接近配置，還可增加導線框10周邊之封裝領域14的取得數量(形成高密度安裝面)。
再者，藉由本實施形態，各封裝領域14的角部並不存在著吊掛導線等的連接桿(connecting bar)，所以在半導體裝置20的角部，並未有反射樹脂23自導線框10剝離之虞，更能提高半導體裝置20的可靠性。
導線框之變形例
以下，針對藉由本實施形態之導線框的各種變形例(變形例1-1~變形例1-8)，參照第10圖至第17圖做說明。第10圖至第17圖是分別表示導線框之變形例的部分放大俯視圖(對應第2圖之圖)。在第10圖至第17圖中，在與第1圖至第9圖所示的實施形態相同的部分附上相同的符號，詳細的說明予以省略。
變形例1-1
第10圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例 1-1)的導線框10A。在第10圖所示的導線框10A中，與第1圖至第9圖所示的實施形態不同，並未設置有將晶片銲墊25彼此連結的晶片銲墊連結部53。
亦即，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用傾斜補強片51，與相鄰於上方的另一個封裝領域14內的導線部26連結，利用封裝領域連結部54，與鄰接於右方的另一個封裝領域14內的導線部26連結，但並未直接與鄰接於上方及下方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。
像這樣不設置晶片銲墊連結部53，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第1圖至第9圖所示的實施形態相同。
變形例1-2
第11圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例1-2)的導線框10B。在第11圖所示的導線框10B中，與第1圖至第9圖所示的實施形態不同，並未設置有將導線部26彼此連結的導線連結部52。
亦即，各封裝領域14內的導線部26，是利用傾斜補強片51，與相鄰於下方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結，利用封裝領域連結部54，與鄰接於左方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結，但並未直接與鄰接於上方及下方的另一個封裝領域14內的導線部26連結。
像這樣不設置導線連結部52，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第1圖至第9圖所示的實施形態相同。
變形例1-3
第12圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例1-3)的導線框10C。於第12圖所示的導線框10C中，與第1圖至第9圖所示的實施形態不同，各封裝領域14，具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)(3針腳型)。
此情形，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之上方的封裝領域14(第一封裝領域)內的第一導線部26a，是利用第一傾斜補強片51a連結。又，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之下方的封裝領域14(有關各封裝領域14，位在於第一封裝領域相反側的第二封裝領域)內的第二導線部26b，是利用第二傾斜補強片51b連結。再者，第一傾斜補強片51a及第二傾斜補強片51b，是一同位在切割領域15。
又，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是分別利用晶片銲墊連結部53，與鄰接於該上方及下方的封裝領域14(第一封裝領域及第二封裝領域)內的晶片銲墊25連結。再者，各封裝領域14內的第一導線部26a，是分別利用第一導線連結部52a，與鄰接於該上方及下方的封裝 領域14(第一封裝領域及第二封裝領域)內的第一導線部26a連結。更又，各封裝領域14內的第二導線部26b，是分別利用第二導線連結部52b，與鄰接於該上方及下方的封裝領域14(第一封裝領域及第二封裝領域)內的第二導線部26b連結。
又，各封裝領域14內的第二導線部26b，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該右方的另一個封裝領域14內的第一導線部26a連結。再者，各封裝領域14內的第一導線部26a，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該左方的另一個封裝領域14內的第二導線部26b連結。
像這樣各封裝領域14具有：晶片銲墊25和一對導線部26a、26b的情形下，防止導線框10C形成竹簾狀，且能防止安裝時產生變形。
變形例1-4
第13圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例1-4)的導線框10D。在第13圖所示的導線框10D中，與第12圖的變形例1-3不同，並未設置有將晶片銲墊25彼此連結的晶片銲墊連結部53。
亦即，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用第一傾斜補強片51a，與相鄰於上方的另一個封裝領域14(第一封裝領域)內的第一導線部26a連結，利用第二傾斜補強片51b，與鄰接於下方的另一個封裝領域14(第二封裝領域)內的第二導線部26b連結。另一方面，各封裝領域 14內的晶片銲墊25，並未直接與鄰接於該上方及下方的另一個封裝領域14(第一封裝領域及第二封裝領域)內的晶片銲墊25連結。
像這樣不設置晶片銲墊連結部53，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第12圖所示的變形例1-3相同。
變形例1-5
第14圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例1-5)的導線框10E。於第14圖所示的導線框10E中，與第12圖所示的變形例1-3不同，連結有第一傾斜補斜片51a及第二傾斜補強片51b的晶片銲墊25和未連結第一傾斜補斜片51a及第二傾斜補強片51b的晶片銲墊25，是隔一個設置在上下方向。
例如，於第14圖中，封裝領域14(14b)的晶片銲墊25，均未連結有第一傾斜補強片51a及第二傾斜補強片51b。對此，鄰接於封裝領域14(14b)之上方的封裝領域14(14a)和鄰接於封裝領域14(14b)之下方的封裝領域14(14c)，分別連結著第一傾斜補強片51a及第二傾斜補強片51b。
像這樣減少第一傾斜補強片51a及第二傾斜補強片51b的數量，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第12圖所示的變形例1-3相同。
變形例1-6
第15圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例1-6)的導線框10F。在第15圖所示的導線框10F中，與第1圖至第9圖所示的實施形態不同，並未設置有晶片銲墊連結部53及導線連結部52。
此情形，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之上方的封裝領域14內的導線部26，是利用第一傾斜補強片51a連結。又，各封裝領域14內的導線部26與鄰接於各封裝領域14之上方的封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用第二傾斜補強片51b連結。再者，第一傾斜補強片51a及第二傾斜補強片51b，是一同位在切割領域15。又，第一傾斜補強片51a及第二傾斜補強片51b，是藉由互相交叉形成X字形。
又，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之下方的封裝領域14內的導線部26，是利用第二傾斜補強片51b連結。再者，各封裝領域14內的導線部26與鄰接於各封裝領域14之下方的封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用第一傾斜補強片51a連結。
像這樣不設置晶片銲墊連結部53及導線連結部52，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第1圖至第9圖所示的實施形態相同。
變形例1-7
第16圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例1-7)的導線框10G。在第16圖所示的導線框10G中，與第15圖的變形例1-6不同，並未設置有封裝領域連結部54。
此情形，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是在鄰接於晶片銲墊25側(右側)之斜上方及斜下方的封裝領域14內的導線部26，利用位在切割領域15的一對追加傾斜補強片55a、55b被連結。亦即，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用追加傾斜補強片55a被連結在鄰接於右斜上方的封裝領域14內的導線部26，利用追加傾斜補強片55b被連結在鄰接於右斜下方的封裝領域14內的導線部26。
又，各封裝領域14內的導線部26，是在鄰接於導線部26側(左側)之斜上方及斜下方的封裝領域14內的晶片銲墊25，利用位在切割領域15的一對追加傾斜補強片55b、55a被連結。亦即，各封裝領域14內的導線部26，是利用追加傾斜補強片55b被連結在鄰接於左斜上方的封裝領域14內的晶片銲墊25，利用追加傾斜補強片55a被連結在鄰接於左斜下方的封裝領域14內的導線部26。除此之外的構成，是大致與第15圖所示的變形例1-6相同。
變形例1-8
第17圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例 1-8)的導線框10H。於第17圖所示的導線框10H中，與第16圖所示的變形例1-7不同，各封裝領域14，具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(第一導線部26a、第二導線部26b)。
此情形，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之上方的封裝領域14內的第一導線部26a，是利用位在切割領域15的第一傾斜補強片51a連結。又，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之下方的封裝領域14內的第一導線部26a，是利用位在切割領域15的第二傾斜補強片51b連結。
又，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之上方的封裝領域14內的第二導線部26b，是利用位在切割領域15的第三傾斜補強片51c連結。又，各封裝領域14內的晶片銲墊25與鄰接於各封裝領域14之下方的封裝領域14內的第二導線部26b，是利用位在切割領域15的第四傾斜補強片51d連結。
又，各封裝領域14內的第一導線部26a，是在鄰接於第一導線部26a側(左側)之斜上方及斜下方的封裝領域14內的第二導線部26b，分別利用位在切割領域15的一對追加傾斜補強片55b、55a被連結。又，各封裝領域14內的第一導線部26a與鄰接於各封裝領域14之上方及下方的封裝領域14內的晶片銲墊25，分別利用第二傾斜補強片51b及第一傾斜補強片51a被連結。
各封裝領域14內的第二導線部26b，是在鄰接於第 二導線部26b側(右側)之斜上方及斜下方的封裝領域14內的第一導線部26a，分別利用位在切割領域15的一對追加傾斜補強片55a、55b被連結。又，各封裝領域14內的第二導線部26b，是在鄰接於上方及下方的封裝領域14內的晶片銲墊25，分別利用第四傾斜補強片51d及第三傾斜補強片51c被連結。
以上，連有關第10圖至第17圖所示的導線框(變形例1-1~變形例1-8)，也可得到大致與上述之第1圖至第9圖所示的實施形態之效果相同的效果。
半導體裝置之變形例
其次，針對藉由本實施形態之半導體裝置的變形例(變形例A~變形例C)，參照第18圖至第20圖做說明。第18圖至第20圖是分別表示半導體裝置之變形例的剖視圖(對應第4圖之圖)。在第18圖至第20圖中，在與第4圖至第5圖所示的實施形態相同的部分附上相同的符號，詳細的說明予以省略。
變形例A
第18圖是表示藉由本實施形態之一變形例(3針腳型)的半導體裝置20A。於第18圖所示的半導體裝置20A中，導線框10，具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(第一導線部26a、第二導線部26b)。
又，發光二極體元件21具有一對端子部21a，該一對端子部21a，是分別經由接合線22而連接在第一導線部26a及第二導線部26b。此情形下，導線框10，例如：可使用第12圖、第13圖、第14圖、或第17圖所示的導線框(導線框10C、10D、10E、10H)。除此之外的構成，是大致與上述之第4圖及第5圖所示的半導體裝置20相同。
變形例B
第19圖是表示藉由本實施形態之一變形例(附透鏡整批模製型)的半導體裝置20B。在第19圖所示的半導體裝置20B中，反射樹脂23是填充在晶片銲墊25和導線部26之間。另一方面，與第4圖及第5圖所示的半導體裝置20不同，並未在導線框10上設置反射樹脂23。
又在第19圖中，發光二極體元件21是利用銲球(導電部)41a、41b取代接合線22而連接在導線框10。亦即，銲球41a、41b之中，一方的銲球41a是連接在晶片銲墊25，另一方的銲球41b是連接在導線部26。再者，在第19圖中，在密封樹脂24的表面，形成有控制來自發光二極體元件21之光的照射方向的圓拱狀透鏡61。
變形例C
第20圖是表示藉由本實施形態之一變形例(附透鏡整批模製型)的半導體裝置20C。在第20圖所示的半導 體裝置20C中，不使用反射樹脂23，只利用密封樹脂24而整批密封發光二極體元件21和接合線22。又，在晶片銲墊25和導線部26之間，填充有密封樹脂24。
(第2實施形態)
接著，參照第21圖至第41圖，針對本發明之第2實施形態做說明。第21圖至第41圖是表示本發明之第2實施形態的圖。在第21圖至第41圖中，在與第1實施形態相同的部分附上相同的符號，詳細的說明予以省略。
導線框之構成
首先，根據第21圖至第23圖，針對利用本實施形態的發光二極體元件搭載用導線框的概略做說明。第21圖是利用本實施形態的導線框之整體俯視圖，第22圖是第21圖的D部放大圖，第23圖是第22圖的E-E線剖視圖。
第21圖至第23圖所示的導線框70，是製作搭載發光二極體元件21的半導體裝置80(第24圖及第25圖)之際使用的導線框。此種導線框70，具備：具有矩形狀外形的框體領域13；和多列及多段(矩陣狀)配置在框體領域13內的多數個封裝領域14。
如第22圖所示，複數個封裝領域14，分別包括：搭載著發光二極體元件21的晶片銲墊25；和鄰接於晶片銲墊25的導線部26。又，複數個封裝領域14，是互相介設 切割領域15而連接。
在一個封裝領域14內的晶片銲墊25與導線部26之間，形成間隙，且被切割後，晶片銲墊25與導線部26就會互相電性絕緣。再者，各封裝領域14，是分别對應各個半導體裝置80的領域。又，於第22圖中，以假想線(二點鎖線)來表示各封裝領域14。
一方面，切割領域15，是朝著各封裝領域14之間縱橫的延伸。該切割領域15，是如後述般，在製造半導體裝置80的製程中，將導線框70分離成每個封裝領域14之際，成為讓刀片38通過的領域。再者，於第22圖中，以網點來表示切割領域15。
如第22圖所示，各封裝領域14內的導線部26，是分別利用導線連結部52越過切割領域15，而與鄰接於該上方及下方的另一個封裝領域14內的導線部26連結。進而，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是分別利用晶片銲墊連結部53越過切割領域15，而與鄰接於該上方及下方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。該些各導線連結部52及各晶片銲墊連結部53，是對Y方向平行配置。
又，各晶片銲墊連結部53及各導線連結部52，是利用位在切割領域15的補強片57連結。此情形下，補強片57是對X方向平行配置，在框體領域13內側的全長，一直線狀的延伸，連結複數個晶片銲墊連結部53及複數個導線連結部52。
進而，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該右方的另一個封裝領域14內的導線部26連結。進而又，各封裝領域14內的導線部26，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該左方的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。各封裝領域連結部54，是對X方向平行配置。
再者，位在最外周的封裝領域14內的導線部26及晶片銲墊25，是利用導線連結部52、晶片銲墊連結部53、以及封裝領域連結部54之中的一個或複數個，連結在框體領域13。
再者，在第21圖至第23圖中，導線框本體11及鍍層12的構成，因與第1實施形態的構成相同，所以在此省略說明。
半導體裝置之構成
接著，根據第24圖及第25圖，針對使用第21圖至第23圖所示的導線框所製作成的半導體裝置之第2實施形態做說明。第24圖及第25圖是分別表示半導體裝置(SON型)的剖視圖及俯視圖。
如第24圖及第25圖所示，半導體裝置80，是具備：(單片化)導線框70；載置在導線框70之晶片銲墊25的發光二極體元件21；和電性連接發光二極體元件21與導線框70之導線部26的接合線(導電部)22。
又，如包圍發光二極體元件21地設置具有凹部23a 的反射樹脂23。該反射樹脂23是與導線框70一體化。進而，發光二極體元件21和接合線22，是利用透光性的密封樹脂24而密封。該密封樹脂24是填充在反射樹脂23的凹部23a內。
構成此種半導體裝置80的發光二極體元件21、接合線22、反射樹脂23、以及密封樹脂24的構成，因與第1實施形態的構成相同，所以在此省略說明。
發光二極體元件搭載用導線框及半導體裝置之製造方法
接著，針對第21圖至第23圖所示的導線框70及第24圖及第25圖所示的半導體裝置80之製造方法，使用第26圖至第29圖做說明。再者，第26圖至第28圖所示的製造方法，因大致與第6圖至第8圖的製造方法相同，所以在以下中省略部分說明。
首先，準備平板狀的金屬基板31(第26圖(a))。接著，在金屬基板31的表裏全體分別塗佈感光性光阻劑32a、33a，且將此乾燥(第26圖(b))。
接著，對該金屬基板31介設光罩而曝光，且加以顯像，藉此形成具有所要的開口部32b、33b的蝕刻用光阻劑層32、33(第26圖(c))。接著，以蝕刻用光阻劑層32、33作為耐腐蝕膜，以腐蝕液對金屬基板31施行蝕刻(第26圖(d))。
接著，剝離除去蝕刻用光阻劑層32、33，藉此得到導線框本體11(第26圖(e))。又，此時，第22圖所 示的補強片57、導線連結部52、晶片銲墊連結部53、以及封裝領域連結部54是利用蝕刻形成。
接著，對導線框本體11的表面及裏面施行電解電鍍，藉此使金屬(銀)析出到導線框本體11上，在導線框本體11的表面及裏面形成鍍層12(第26圖(f))。此情形，因補強片57、導線連結部52、晶片銲墊連結部53及封裝領域連結部54，均為由：本體(導線框本體11)；和形成在本體上的鍍層12製成，故可提高該些補強片57、導線連結部52、晶片銲墊連結部53及封裝領域連結部54的強度。
如此一來，就可得到第21圖至第23圖所示的導線框70(第26圖(f))。
接著，將依此所得到的導線框70(第27圖(a))，安裝在射出成型機或轉印成型機(圖未表示)的模具35內(第27圖(b))。然後，對模具35內流入熱可塑性樹脂，使其硬化，藉此在導線框70的鍍層12上形成反射樹脂23(第27圖(c))。
接著，將形成有反射樹脂23的導線框70從模具35內取出，藉此得到附有樹脂之導線框(第27圖(d))。在本實施形態中，像這樣地也提供具備：導線框10；和配置在導線框10的各封裝領域14的周緣上的反射樹脂23的附有樹脂之導線框90。
其次，在附有樹脂之導線框90的各反射樹脂23內，在導線框70的晶片銲墊25上搭載發光二極體元件21 (第28圖(a))。
其次，將發光二極體元件21的端子部21a和導線部26表面，利用接合線22互相地電性連接(第28圖(b))。
然後，在反射樹脂部23的凹部23a內填充密封樹脂24，利用密封樹脂24來密封發光二極體元件21和接合線22(第28圖(c))。
其次，切斷對應於反射樹脂23及導線框70之中的切割領域15的部分，藉此將反射樹脂23及導線框70分離成每個發光二極體元件21(第28圖(d))。此時，先將導線框70載置在切割膠帶37上而予固定。然後例如利用由鑽石磨石等所製成的刀片38，分別來切斷位在各發光二極體元件21間的反射樹脂23、以及導線框70的補強片57、導線連結部52、晶片銲墊連結部53以及封裝領域連結部54。
此時，如第29圖(a)所示，利用對應於切割領域15之寬度的相對性較厚的刀片38，來切斷導線框70亦可。亦即，將刀片38沿著導線框70的補強片57移動，整理切斷補強片57、位置在補強片57周圍的各導線連結部52、以及晶片銲墊連結部53。此時，能夠以一次的切斷作業，效率良好的將彼此相鄰接的封裝領域14予以分離。
或者，如第29圖(b)所示，使用比切割領域15之寬度還狹小的相對性較薄的刀片38，藉由二次的切斷作 業來切斷導線框70亦可。亦即，將刀片38對導線框70的補強片57平行移動，不直接切斷補強片57，來切斷位置在補強片57周圍的各導線連結部52、以及晶片銲墊連結部53。此時，可加快一次切斷作業期時之刀片38的進刀速度，還可增長刀片38的壽命。
如此一來，就可得到第24圖及第25圖所示的半導體裝置80(第28圖(e))。
如以上說明藉由本實施形態，晶片銲墊連結部53及導線連結部52，是利用位在切割領域15的補強片57連結。又，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用封裝領域連結部54，與相鄰接的另一個封裝領域14內的導線部26連結。因而，並未有沿著導線框70之上下方向而產生細長的空間，且導線框70並未有朝上下方向的竹簾狀。藉此，可防止安裝時導線框70產生變形。
又，各封裝領域14內的導線部26，是利用導線連結部52，與相鄰接的另一個封裝領域14內的導線部26連結，且各封裝領域14內的晶片銲墊25，是利用晶片銲墊連結部53，與相鄰接的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25連結。因而，並未有沿著導線框70之左右方向而產生細長的空間，且導線框70並未有朝左右方向的竹簾狀。藉此，可防止安裝時導線框70產生變形。
如此一來，防止導線框70的變形，藉此在導線框70形成反射樹脂23之際(第27圖(b)(c))，對於導線框70的反射樹脂23的形成位置並未有錯移。因而，對小 的封裝領域14搭載大面積的發光二極體元件21，或搭載複數個發光二極體元件21，或者除了發光二極體元件21之外，搭載靜電破壞元件也很容易。
又，藉由本實施形態，各封裝領域14的周圍不必設置縱橫的繫桿，所以各封裝領域14彼此可接近配置，還可增加導線框70周邊之封裝領域14的取得數量(形成高密度安裝面)。
再者，藉由本實施形態，各封裝領域14的角部並不存在著吊掛導線等的連接桿，所以在半導體裝置80的角部，並未有反射樹脂23自導線框70剝離之虞，更能提高半導體裝置80的可靠性。
導線框之變形例
以下，針對藉由本實施形態之導線框的各種變形例(變形例2-1~變形例2-6)，參照第30圖至第35圖做說明。第30圖至第35圖是分別表示導線框之變形例的部分放大俯視圖(對應第2圖之圖)。在第30圖至第35圖中，在與第21圖至第29圖所示的實施形態相同的部分附上相同的符號，詳細的說明予以省略。
變形例2-1
第30圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-1)的導線框70A。於第30圖所示的導線框70A中，與第21圖至第29圖所示的實施形態不同，各封裝領域 14，具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)(3針腳型)。
此情形下，各封裝領域14內的第一導線部26a與鄰接於各封裝領域14之上方及下方的封裝領域14內的第一導線部26a，是分別利用第一導線連結部52a越過切割領域15連結。又，各封裝領域14內的第二導線部26b與鄰接於各封裝領域14之上方及下方的封裝領域14內的第二導線部26b，是分別利用第二導線連結部52b越過切割領域15連結。
進而，各封裝領域14內的晶片銲墊25，是分別利用晶片銲墊連結部53越過切割領域15，而與鄰接於該上方及下方的封裝領域14內的晶片銲墊25連結。進而，各晶片銲墊連結部53、第一導線連結部52a、及第二導線連結部52b，是利用位在切割領域15的補強片57連結。此情形下，補強片57是在框體領域13內側的全長，一直線狀的延伸，連結複數個晶片銲墊連結部53、複數個第一導線連結部52a、及複數個第二導線連結部52b。
又，各封裝領域14內的第二導線部26b，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該右方的另一個封裝領域14內的第一導線部26a連結。再者，各封裝領域14內的第一導線部26a，是利用封裝領域連結部54，與鄰接於該左方的另一個封裝領域14內的第二導線部26b連結。
像這樣各封裝領域14具有：晶片銲墊25和一對導線 部26a、26b的情形下，藉由設有補強片57，就不會沿著導線框70A的上下方向產生細長的空間，防止導線框70A形成竹簾狀，且能防止安裝時導線框70A產生變形。
變形例2-2
第31圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-2)的導線框70B。在第31圖所示的導線框70B中，與第21圖至第29圖所示的實施形態不同，朝橫向延伸的複數個切割領域15之中，設有補強片57的切割領域15和未設有補強片57的切割領域15，是上下方向交互配置。
亦即，第31圖中，由封裝領域14(14b)觀看，鄰接於上方的封裝領域14(14a)為第一封裝領域14a，由封裝領域14(14b)觀看，鄰接於下方的封裝領域14(14c)為第二封裝領域14c。
此情形下，分別連結封裝領域14b內的晶片銲墊25及導線部26和第一封裝領域14a內的晶片銲墊25及導線部26的晶片銲墊連結部53及導線連結部52，是利用位在切割領域15的補強片57連結。另一方面，分別連結封裝領域14b內的晶片銲墊25及導線部26和第二封裝領域14c內的晶片銲墊25及導線部26的晶片銲墊連結部53及導線連結部52，並未利用補強片57連結。
像這樣藉由減少補強片57的數量，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第21圖至第29圖所示的實施形態相同。
再者，朝橫方向延伸的複數個切割領域15之中，未設有補強片57的切割領域15的寬度(Wa)，較設有補強片57的切割領域15的寬度(Wb)稍窄為佳(Wa<Wb)。此情形下，可增加一個導線框70周邊的封裝領域14的取得數量。又，使用相對性薄的刀片38來切斷切割領域15的情形(第29圖(b))，因未設有補強片57的切割領域15可在一次切斷作業切斷，所以可減少切斷作業的次數。
變形例2-3
第32圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-3)的導線框70C。第32圖所示的導線框70C，是組合第30圖所示的變形例2-1和第31圖所示的變形例2-2的導線框。
於第32圖中，各封裝領域14，是具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)(3針腳型)。
又，在第32圖中，朝橫向延伸的複數個切割領域15之中，設有補強片57的切割領域15和未設有補強片57的切割領域15，是上下方向交互存在。
亦即，在第32圖中，分別連結一個封裝領域14(14b)內的晶片銲墊25及導線部26a、26b和鄰接於該封裝領域14(14b)之上方的第一封裝領域14(14a)內 的晶片銲墊25及導線部26a、26b的晶片銲墊連結部53、第一導線連結部52a、以及第二導線連結部52b，是利用位在切割領域15的補強片57連結。
另一方面，分別連結一個封裝領域14(14b)內的晶片銲墊25及導線部26a、26b和鄰接於該封裝領域14(14b)之下方的第二封裝領域14(14c)內的晶片銲墊25及導線部26a、26b的晶片銲墊連結部53、第一導線連結部52a、以及第二導線連結部52b，並未利用補強片57連結。
除此之外的構成，是大致與第30圖所示的變形例2-1及第31圖所示的變形例2-2相同。
變形例2-4
第33圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-4)的導線框70D。於第33圖所示的導線框70D中，與第21圖至第29圖所示的實施形態不同，補強片57，是只朝向分別連結各封裝領域14內的晶片銲墊25及導線部26的晶片銲墊連結部53及導線連結部52間延伸，而連結該些晶片銲墊連結部53及導線部連結部52。
亦即，一個封裝領域14內的晶片銲墊25及導線部26與鄰接於該封裝領域14之上方(或下方)的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25及導線部26，是分別利用導線連結部52及晶片銲墊連結部53連結。此情形下，補強片57，是只朝向該些導線連結部52晶片銲墊連結部53 之間延伸，而連結導線連結部52及晶片銲墊連結部53。另一方面，補強片57，並未分別朝向導線連結部52的左方和晶片銲墊連結部53的右方延伸。
像這樣藉由減少切割領域15的補強片57之全體的長度，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第21圖至第29圖所示的實施形態相同。
變形例2-5
第34圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-5)的導線框70E。第34圖所示的導線框70E，是組合第30圖所示的變形例2-1和第33圖所示的變形例2-4的導線框。
於第34圖中，各封裝領域14，是具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)(3針腳型)。
又，於第34圖中，補強片57，是只朝向分別連結在各封裝領域14內的晶片銲墊25及導線部26a及26b的第一導線連結部52a、晶片銲墊連結部53、以及第二導線連結部52b之間延伸，而連結該些第一導線連結部52a、晶片銲墊連結部53、以及第二導線連結部52b。
像這樣藉由減少切割領域15的補強片57之全體的長度，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第30圖所示的變形例2-1及第33圖所示 的變形例2-4相同。
變形例2-6
第35圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-6)的導線框70F。於第35圖所示的導線框70F中，各封裝領域14，是具有：一個晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線部26a、26b(第一導線部26a、第二導線部26b)(3針腳型)。
又，各封裝領域14內的晶片銲墊25及第一導線部26a、及第二導線部26b，是分別利用晶片銲墊連結部53、第一導線連結部52a、以及第二導線連結部52b，與鄰接於上下的另一個封裝領域14內的晶片銲墊25、第一導線部26a、以及第二導線部26b連結。
如第35圖所示，只連結晶片銲墊連結部53及第一導線連結部52a的補強片57和只連結晶片銲墊連結部53、第二導線連結部52b的補強片57，是隔一個設置在上下方向。
亦即，在第35圖中，由封裝領域14(14b)觀看，鄰接於上方的封裝領域14(14a)為第一封裝領域14a，由封裝領域14(14b)觀看，鄰接於下方的封裝領域14(14c)為第二封裝領域14c。
此情形下，在封裝領域14b和第一封裝領域14a之間的切割領域15中，補強片57，是只朝向晶片銲墊連結部53及第一導線連結部52a之間延伸，而只連結晶片銲墊 連結部53及第一導線連結部52a。
另一方面，在封裝領域14b和第二封裝領域14c之間的切割領域15中，補強片57，是只朝向晶片銲墊連結部53及第二導線連結部52b之間延伸，而只連結晶片銲墊連結部53及第二導線連結部52b。
像這樣藉由減少補強片57的數量，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第34圖所示的變形例2-5相同。
適用本實施形態之補強片的導線框之其他例，可舉例顯示：如第36圖所示的導線框70G(變形例2-7)，在各封裝領域14內具有兩個晶片銲墊25a、25b(以下也稱第一晶片銲墊部25a、第二晶片銲墊部25b)；和鄰接而位在晶片銲墊25a、25b之兩側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)的4針腳型的形態，或是如第38圖所示的導線框70H(變形例2-8)，在各封裝領域14內具有一個晶片銲墊25；鄰接而位在晶片銲墊25之一方側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)；和鄰接而位在晶片銲墊25之另一方側的一個導線部26c的4針腳型的形態。
該些例示共通的課題，是具有：由於各封裝領域14的晶片銲墊25(25a、25b)和導線部26(26a、26b、26c)是直線狀配置成一列，因此晶片銲墊25和導線部26以不會短路的方式來配置連結各封裝領域14間的導線連結部52及晶片銲墊連結部53的話，各晶片銲墊25和 各導線部26之間的間隙會連繋，且會產生平行於導線框70之一邊的複數個細長的空間，構造上易產生變形的問題。該些課題是如已述般，可藉由本實施形態的補強片57有效的解決。再者，在以下所示的變形例2-7~2-10(第36圖至第41圖)中，在與第21圖至第29圖所示的實施形態相同的部分亦附上相同的符號，詳細的說明予以省略。
變形例2-7
第36圖是表示藉由本實施形態之一變形例2-7的導線框70G。於第36圖所示的導線框70G中，與第21圖至第29圖所示的實施形態不同，各封裝領域14，具有：兩個晶片銲墊25a、25b(以下也稱第一晶片銲墊25a、第二晶片銲墊25b)；和鄰接而位在晶片銲墊25a、25b之兩側的一對導線部26a、26b(以下也稱第一導線部26a、第二導線部26b)(4pin型)。使用此種導線框70G的話，就可實現在一個封裝收納兩個發光二極體元件21的半導體裝置80(第37圖)。
在該變形例2-7，各封裝領域14內的第一導線部26a與鄰接於各封裝領域14之上方及下方的封裝領域14內的第一導線部26a，是分別利用第一導線連結部52a越過切割領域15連結。又，各封裝領域14內的第二導線部26b與鄰接於各封裝領域14之上方及下方的封裝領域14內的第二導線部26b，是分別利用第二導線連結部52b越過切 割領域15連結。
再者，各封裝領域14內的第一晶片銲墊25a和第二晶片銲墊25b，是分別利用第一晶片銲墊連結部53a、第二晶片銲墊連結部53b越過切割領域15，而與鄰接於該上方及下方的封裝領域14內之對應的晶片銲墊25a、25b連結。進而，第一晶片銲墊連結部53a、第二晶片銲墊連結部53b、第一導線連結部52a、及第二導線連結部52b，是利用位在切割領域15的補強片57連結。此情形下，補強片57是在框體領域13內側的全長，一直線狀的延伸，連結複數個第一晶片銲墊連結部53a、複數個第二晶片銲墊連結部53b、複數個第一導線連結部52a、及複數個第二導線連結部52b。
再者，在第36圖所示的導線框70G中，朝橫方向延伸的複數個切割領域15之中，設有補強片57的切割領域15和未設有補強片57的切割領域，是上下方向交互配置。
像這樣各封裝領域14具有：兩個晶片銲墊25a、225b和一對導線部26a、26b的情形下，藉由補強片57，就不會沿著導線框70G的上下方向產生細長的空間，防止導線框70G形成竹簾狀，且能防止安裝時導線框70G產生變形。又，複數個切割領域15之中，由於只有部分的切割領域15具有補強片57，因此可減輕切割器(dicer)之齒輪的磨耗。
變形例2-8
第38圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-8)的導線框70H。於第38圖所示的導線框70H中，各封裝領域14，是具有：晶片銲墊25；和位在晶片銲墊25之兩側的一對導線配置領域16L、導線配置領域16R。在導線配置領域16L配置導線部26a，在導線配置領域16R沿著晶片銲墊25配置一列兩個導線部26c和26d(以下導線部26a、26c、26d也分別稱為第一導線部26a、第二導線部26c、第三導線部26d)。使用此種導線框70H的話，就可實現在一個封裝收納三個發光二極體元件21的半導體裝置80(第39圖)。
變形例2-1(第30圖)或變形例2-3(第32圖)，是在具有第二導線部26c、第三導線部26d的點有所不同，但在第38圖所示的導線框70H中，設置連結第二導線部26c和第三導線部26d的部分導線連結部55，且介設著位在切割領域15的第二導線連結部52c而與第二導線部26c和第三導線部26d連結。再者，第二導線連結部52c，是在切割領域15內，跨越框體領域13之內側的全長朝縱方向延伸。
在導線框10H的各封裝領域14間，各封裝領域14內的第一導線部26a與鄰接於各封裝領域14之上方及下方的封裝領域14內的第一導線部26a，是分別利用第一導線連結部52a越過切割領域15連結。又，各封裝領域14內的第二導線部26c及第三導線部26d，是分別介設著部 分導線連結部55而利用第二導線連結部52c越過切割領域15，與鄰接在各封裝領域14的上方及下方的封裝領域14內的第二導線部26c及第三導線部26d連結。如在該變形例所示，第二導線部26c及第三導線部26d，可利用部分導線連結部55成為一體的導線而安裝的情形下，成為一體而處理的第二導線部26c及第三導線部26d(就是導線配置領域16R)、晶片銲墊25、第一導線部26a為在一直線上配置成一列的話，使用本發明的補強片57就能防止導線框產生變形。
再者，在第38圖所示的導線框70H中，朝橫方向延伸的複數個切割領域15之中，設有補強片57的切割領域15和未設有補強片57的切割領域，是上下方向交互配置。
變形例2-9
第40圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-9)的導線框70I。在第40圖所示的導線框70I中，與第31圖所示的變形例2-2不同，朝橫方向延伸的複數個切割領域15之中，設有補強片57的切割領域15，是上下方向隔著既定數量周期性配置。於第40圖中，設有補強片57的切割領域15，是隔兩個設置，但不限於此，例如：可以隔著三個或四個等的間隔設置。
像這樣藉由減少補強片57的數量，就能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第31 圖所示的變形例2相同。
變形例2-10
第41圖是表示藉由本實施形態之一變形例(變形例2-10)的導線框70J。在第41圖所示的導線框70J中，與第40圖所示的變形例2-9不同，朝橫方向延伸的複數個切割領域15之中，設有補強片57的切割領域15，並不是周期性配置，是不規則的配置在上下方向。
在此情形下藉由減少補強片57的數量，也能減輕切割時施加在刀片38的負荷。除此之外的構成，是大致與第31圖所示的變形例2-2相同。
以上，連有關第30圖至第41圖所示的導線框(變形例2-1~變形例2-10)，也可得到大致與上述之第21圖至第29圖所示的實施形態之效果相同的效果。
再者，使用第21圖至第23圖、第31圖、第33圖、第40圖、第41圖所示的導線框70、70B、70D、70I、70J製作的半導體裝置，並不限於第24圖及第25圖所示的導線框，也可為第19圖(變形例B)或第20圖(變形例C)所示的半導體裝置。又，使用第30圖、第32圖、第34圖、第35圖所示的導線框70A、70C、70E、70F製作的半導體裝置，也可為第18圖(變形例A)所示的半導體裝置。
(第3實施形態)
接著，參照第42圖至第44圖，針對本發明之第3實施形態做說明。第42圖至第44圖是表示本發明之第3實施形態的圖。第42圖至第44圖所示的第3實施形態，主要是使用二極體等的半導體元件45取代發光二極體元件21的這點有所不同，其他構成大致與上述之第1實施形態及第2實施形態相同。在第42圖至第44圖中，在與第1實施形態及第2實施形態相同的部分附上相同的符號，詳細的說明予以省略。
導線框之構成
第42圖是表示藉由本實施形態之導線框60的剖視圖。本實施形態的導線框60，是作為搭載二極體等的半導體元件45(參照第42圖)取代發光二極體元件21的導線框，鍍層12只形成在導線部26的一部分(連接著接合線22的部分)。除此之外的構成，是與第1圖至第3圖所示的導線框10或第21圖至第23圖所示的導線框70相同。
再者，在本實施形態中，導線框60的平面形狀，並不限於第1圖至第3圖所示的導線框10的形狀或是第21圖至第23圖所示的導線框70的形狀，也可以是由第10圖至第17圖所示的導線框的形狀或是第30圖至第41圖所示的導線框的形狀所成。
半導體裝置之構成
第43圖是表示本實施形態的半導體裝置65。半導體裝置65，是使用第42圖所示的導線框60製成的導線框(單片化)，具備：導線框60；和載置在導線框60的晶片銲墊25的半導體元件45。半導體元件45，是例如：也可以由二極體等的離散半導體元件所成。又半導體元件45的端子部45a和設在導線部26上的鍍層12，是利用接合線22而電性連接。進而，半導體元件45和接合線22，是利用密封樹脂24密封。
再者，密封樹脂24可選擇由：環氧樹脂或矽樹脂所成的樹脂，但與第1實施形態及第2實施形態不同，不一定是透明，也可以是由黑色等不透明的樹脂所成。
半導體裝置之製造方法
接著，針對第43圖所示的半導體裝置65之製造方法，使用第44圖(a)-(f)做說明。第44圖(a)-(f)是表示藉由本實施形態的半導體裝置之製造方法的圖。
首先，大致與上述的製程(第6圖(a)-(f))及第26圖(a)-(f))相同，來製作導線框60(第44圖(a))。再者，此時，在形成鍍層12的製程(第6圖(f)及第26圖(f))中，鍍層12並不是形成在導線框11的全面，而是只形成在導線部26的一部分。
其次，在導線框60的晶片銲墊25上搭載半導體元件45。此情形下，使用銲錫或晶粒接合膏，而將半導體元件 45載置在晶片銲墊25上加以固定(第44圖(b))。
其次，將半導體元件45的端子部45a和導線部26上的鍍層12，利用接合線22互相地電性連接(第44圖(c))。
然後，利用密封樹脂24，一併密封半導體元件45和接合線22(第44圖(d))。再者，此時，在導線框60的裏面，貼上背光膠帶(圖未表示)，藉此可以防止密封樹脂24反回到第一外導線部27及/或第二外導線部28的裏面。
其次，切斷對應於密封樹脂24及導線框60之中的切割領域15的部分，藉此將密封樹脂24及導線框60分離成一個個半導體元件45(第44圖(e))。此時，先將導線框60載置在切割膠帶37上而予固定，然後例如利用由鑽石磨石等所製成的刀片38，來切斷各半導體元件45間的密封樹脂24、以及導線框60的傾斜補強片51(或補強片57)、導線連結部52、晶片銲墊連結部53以及封裝領域連結部54。再者，利用刀片38來切斷導線框60之際，也可使用上述之第9圖(a)、(b)或第29圖(a)、(b)所示的方法。
如此一來，就可得到第43圖所示的半導體裝置65(第44圖(e))。
像這樣在本實施形態中，是載置二極體等的半導體元件45取代發光二極體元件21，並未在導線框60上設置反射樹脂23。此情形下，在製造半導體裝置65的製程中 (第44圖(a)-(f))，在其中途，導線框60並未因反射樹脂23而受到補強，因此產生了被封密樹脂24密封前的期間，須要防止導線框60(第44圖(e))變形。具體而言，搭載半導體元件45之際，導線框60具有介設其端面利用軌道被搬送的情形，此時必須不讓導線框60變形。又，在利用共晶接合來接合半導體元件45的情形下，由於導線框60被加熱(例如：以400℃加熱十分鐘等)，因此必須防止導線框60的強度因加熱而下降。再者，在線接合(wire bonding)之際，由於也受到熱及衝擊，因此也必須防止導線框60的強度因熱而下降。因而，與設置反射樹脂23的情形相比，更進一步要求提高導線框60的強度。
對此藉由本實施形態，各封裝領域14內的晶片銲墊25與相鄰接的另一個封裝領域14內的導線部26，是利用位在切割領域15的傾斜補強片51連結。或者，晶片銲墊連結部53及導線連結部52，是利用位在切割領域15的補強片57連結。藉此，並未有沿著導線框60之上下方向而產生細長的空間，且導線框60並未有朝上下方向的竹簾狀。藉此，可防止安裝時導線框60產生變形。
除此之外，在本實施形態中，可得到與上述之第1實施形態及第2實施形態相同的作用效果。

Claims (9)

  1. 一種導線框，其特徵係具備：第1之端子部、和鄰接於前述第1之端子部之第2之端子部；於前述第1之端子部與第2之端子部間，形成間隙，前述間隙係相較於表面側，背面側者較大；前述第1之端子部係具有向前述第2之端子部延伸之薄層部；前述第2之端子部係具有朝向前述第1之端子部側之對向面，於剖面中，前述第2之端子部之前述對向面係具有彎曲之曲線部。
  2. 如申請專利範圍第1項之導線框，其中，前述第1之端子部係具有朝向前述第2之端子部側之對向面，於剖面中，前述第1之端子部之前述對向面與前述第2之端子部之前述對向面係相互成為非對稱之形狀。
  3. 一種半導體裝置，其特徵係具備：第1之端子部、和鄰接於前述第1之端子部之第2之端子部、和載置於前述第1之端子部或前述第2之端子部之發光二極體元件或半導體元件、和連接前述第2之端子部或前述第1之端子部以及前述發光二極體元件或前述半導體元件的導電部、和封閉前述發光二極體元件或半導體元件以及前述導電部的封閉樹脂； 於前述第1之端子部與第2之端子部間，形成間隙，前述間隙係相較於表面側，背面側者較大；前述第1之端子部係具有向前述第2之端子部延伸之薄層部；前述第2之端子部係具有朝向前述第1之端子部側之對向面，於剖面中，前述第2之端子部之前述對向面係具有彎曲之曲線部。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中，前述第1之端子部係具有朝向前述第2之端子部側之對向面，於剖面中，前述第1之端子部之前述對向面與前述第2之端子部之前述對向面係相互成為非對稱之形狀。
  5. 如申請專利範圍第5項之導線框，其中，導線框中，具備：第1之端子部、和鄰接於前述第1之端子部之第2之端子部、和連結於前述第1之端子部或前述第2之端子部之連結部；於剖面中，在前述導線框之表面，於前述連結部之兩側，各別形成溝槽。係具有彎曲之曲線部
  6. 如申請專利範圍第5項之導線框，其中，前述連結部係於背面側具有凹部。
  7. 一種半導體裝置，其特徵係具備：第1之端子部、 和鄰接於前述第1之端子部之第2之端子部、和連結於前述第1之端子部或前述第2之端子部之連結部、和載置於前述第1之端子部或前述第2之端子部之發光二極體元件或半導體元件、和連接前述第2之端子部或前述第1之端子部以及前述發光二極體元件或前述半導體元件的導電部、和封閉前述發光二極體元件或半導體元件以及前述導電部的封閉樹脂；前述連結部係露出於前述半導體裝置之外部，於剖面中，在前述第1之端子部或前述第2之端子部之表面，於連結側之一方側，形成溝槽，前述溝槽係埋設於前述半導體裝置內。
  8. 如申請專利範圍第7項之導線框，其中，前述連結部係於背面側具有凹部。
  9. 一種半導體裝置，其特徵係具備：第1之端子部、和鄰接於前述第1之端子部之第2之端子部、和連結於前述第1之端子部或前述第2之端子部之連結部、和載置於前述第1之端子部或前述第2之端子部之發光二極體元件或半導體元件、和連接前述第2之端子部或前述第1之端子部以及前述發光二極體元件或前述半導體元件的導電部、 和封閉前述發光二極體元件或半導體元件以及前述導電部的封閉樹脂；前述連結部係露出於前述半導體裝置之外部，於剖面中，在前述第1之端子部或前述第2之端子部之表面或背面，形成鍍敷層，前述鍍敷層係不形成於露出在前述連結部中之前述半導體裝置之外部的部分。
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