CN104993041B - 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 - Google Patents
一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104993041B CN104993041B CN201510304576.1A CN201510304576A CN104993041B CN 104993041 B CN104993041 B CN 104993041B CN 201510304576 A CN201510304576 A CN 201510304576A CN 104993041 B CN104993041 B CN 104993041B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flip chip
- led flip
- circuit board
- die bond
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 32
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- -1 organosilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 claims 1
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 claims 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 8
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 4
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种LED倒装芯片固晶导电粘接结构,包括LED倒装芯片以及电子电路板,LED倒装芯片下表面从左到右依次设置有LED倒装芯片负极、LED倒装芯片非金属区域以及LED倒装芯片正极,电子电路板上表面设置从左到右依次设置有电路板负极、电路板非金属区域以及电路板正极,LED倒装芯片以及电子电路板通过粘接在LED倒装芯片非金属区域以及电路板非金属区域间的热固型固晶绝缘粘接胶固定连接,LED倒装芯片正、负极分别与所述电子电路板正、负极直接金属与金属接触导电连接,本发明提供了一种具有工艺简单、操作工序少,设备投入低,生产加工成本低廉,生产效率高,易于实现大规模、自动化生产的LED倒装芯片固晶导电粘接结构安装方法。
Description
技术领域
本发明涉及半导体元件导电粘接领域,尤其涉及一种LED倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法。
背景技术
在本技术领域中,LED倒装芯片固晶导电连接,通常采用低温锡金合金共晶导电与ACA(各向异性导电胶)导电粘接两种方式。而ACA根据胶体状态不同又分为,膜状各向异性导电胶称为ACF(Anisotropic Conductive Films);膏状各向异性导电胶称为ACP(Anisotropic Conductive Pastes)。两者主要区别在于,ACF在工艺实施前就具有各向异性导电性,ACP则需要通过一定的工艺过程才能体现出各向异性导电性。与本实施例最接近技术为ACP各向异性导电胶。
各向异性导电胶ACP:简单的讲就是在X、Y轴方向不导电,Z轴上导电。各向异性导电胶ACP的导电原理,“在合成树脂胶粘剂中,加入导电和绝缘2种粒子(导电粒子的平均粒径要大于绝缘粒子的)混合均匀,将胶分别涂在被粘接导体的表面,加压加热,使胶液流动,使2导体间的距离接近导电粒子的直径并固化。固化后的胶层,在垂直方向(加压方向)由于导电粒子和被粘导体间的互相接触而导电,在水平方向上则由于绝缘粒子的作用而绝缘。”[1]。导电粒子掺入比例一般5%~25%[2]。
[1]《各向异性导电胶的研究与应用现状》向昊 曾黎明 胡传群 武汉理工大学材料学与工程学院
[2]《新型各项异性导电胶的研究》雷芝红上海大学高分子化学与物理专业ACP导电粒子:
“导电填料分金属、无机填料和混合填料。金属有金粉、银粉、铜粉、镍粉、羰基镍、钯粉、钼粉、锆粉、钴粉,还有镀银金属粉、镀铜铝粉等合金填料;无机填料常用的有石墨、炭黑或石墨、炭黑混合物;混合填料就是金属和无机填料经过导电处理如镀银玻璃微珠、镀银二氧化硅粉、银的硅化物、碳化硅、碳化钨、碳化镍、碳化钯等”[1]。
ACP实施工艺[2]:
导电胶连接的工艺流程:在基片上丝网印刷导电胶→电涂非导电胶粘剂→在基片上表面安装元件→固化导电胶→检测。ACP固晶安装装配倒装LED芯片结构可参见图1。
ACP存在的问题:
“导电填料是导电胶的关键组分,它赋予导电胶以导电性能,常用的导电填料有金、银、铜、镍和碳。在各类导电胶中,由于金系导电胶成本高,一般很少使用,主要用在航天业等比较高端的领域。银系导电胶虽然已被应用在电子产品中,但由于在直流电场和潮湿条件下,银分子易产生电解运动即银迁移,使导电胶电性能不稳定而受到应用上的限制。铜系导电胶由于铜粉的化学性质活泼,容易被空气中的氧气、水蒸汽氧化,使铜系导电胶的使用寿命下降。炭黑、石墨系导电胶由于其电阻较高而不宜作为微电子封装材料使用。”[2]
“ACA新型导电填充粒子由两部分组成,粒子核芯为环氧树脂粉粒,外镀银/铜金属层,这种新型导电填充粒子兼具了银粉和柔性导电颗粒的优点,……。外镀银/铜环氧树脂基复合导电颗粒的密度和热膨胀系数与基体环氧树脂接近,长期使用不会发生沉降,可以提高导电胶的耐环境老化性能。此类颗粒在压力作用下可以发生塑性变形,从而增大导电粒子与电极有效接触面积,提高导电胶的电性能。”[2]
“但现在的ACA材料仍旧有着导电率低、韧性差、对不同基材的粘接效果不稳定和固化时间较长等缺点。今后对ACA的改良应从以下几个方面进行着手。
(1)开发新的基材类型,EP作为最为常用的基材具有固化温度高、储存温度低和耐热性差
等缺点。开发新的基体有利于拓宽ACA的应用范围。
(2)新型导电填料的开发,减少贵重金属离子的使用,有利于降低成本、提高效率。
(3)提高热稳定性是重要的改性趋势。
(4)导电粒子的分散技术,分散越均匀,团聚越少,越有利于将导电效率最大化。”。[3]
[3]《各向异性导电胶研究进展》徐睿杰雷彩红李善良黄伟良广东工业大学材料与能源学院
“对此,欧司朗陈文成博士补充表示,csp目前的瓶颈问题是工艺问题,如果目前传统的材料设备不能直接用的话,即使csp能够最大程度的降低产品自身的成本,但是却提升了生产加工成本。如果csp不能方便终端的照明企业,他个人觉得还是很难推广。”[4]
[4]“聚焦OFweek大佬圆桌峰会360度解读LED免封装与倒装技术”。文章来源于ofweek半导体照明网2014-11-22
由此可见,ACP各向异性导电胶用于固晶导电粘接存在的问题在于:ACP中必须加入金属导电粒子,且金属粒子的制造工艺复杂造成成本高。金属粒子在胶体中分散性差、导电率低,接触电阻大。ACP在实施固晶导电粘接过程中,操作工艺复杂,加工成本高,由于ACP胶体中有金属粒子存在,金属粒子在胶体中易沉淀。
上述诸多问题必然带来设备投入大,生产工艺问题突出、生产效率低、成本高、电性能及产品可靠性差、胶体不易于保存等问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种生产加工成本低廉,生产效率高,易于实现大规模、自动化生产的LED倒装芯片固晶导电粘接结构。
所述LED倒装芯片固晶导电粘接结构,其特征在于,包括LED倒装芯片以及电子电路板,所述LED倒装芯片下表面从左到右依次设置有LED倒装芯片负极、LED倒装芯片非金属区域以及LED倒装芯片正极,所述电子电路板上表面设置从左到右依次设置有电路板负极、电路板非金属区域以及电路板正极,所述LED倒装芯片以及电子电路板通过粘接在所述LED倒装芯片非金属区域以及电路板非金属区域间的热固型固晶绝缘粘接胶固定连接,所述LED倒装芯片正、负极分别与所述电子电路板正、负极直接金属与金属接触导电连接。
所述热固型固晶绝缘粘接胶为酚醛、氨基、环氧、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅、丙烯酸树脂中的一种或以上述材料中的一种为母体改性的热固型固晶绝缘粘接胶。
所述的电子电路板上金属电极焊盘表面为粗糙表面。
本发明实施例还提供了一种具有工艺简单、操作工序少,设备投入低,生产加工成本低廉,生产效率高,易于实现大规模、自动化生产的LED倒装芯片固晶导电粘接结构安装方法。
所述LED倒装芯片固晶导电粘接结构的安装方法,包括如下步骤:
(1)在自动固晶机上,对电子电路板上电路板正极区域与电路板负极区域之间的电路板正负极间非金属区域的中心位置区域,点热固型固晶绝缘粘接胶;
(2)然后再将LED倒装芯片与电子电路板实施固晶导电粘接,并使LED倒装芯片正负极间非金属区域与电路板正负极间非金属区域的两个中心位置区域重合;
(3)加热重合后的部件,待冷却后热固型固晶绝缘粘接胶体积收缩,使LED倒装芯片正极区域与电路板正极区域、LED倒装芯片负极区域与电路板负极区域实现金属-金属接触型导电连接。
所述步骤3中加热温度为:150℃,时间为90分钟。
实施本发明实施例,具有如下有益效果:
本发明实施例本实施例倒装LED芯片正负电极与电子电路上正负电极实现金属——金属接触导电连接,能够提高导电率,减小接触电阻。
本发明实施例金属——金属接触导电连接能够迅速地传导出芯片产生的热量,能够保障芯片正常工作,提高芯片的光效,延长芯片的使用寿命。
本发明实施例通用性佳,能满足陶瓷电路板、金属基电路板、环氧玻纤电路板、柔性电路板、玻璃电路板上固晶安装装配LED倒装芯片,也能满足其它电子元器件的安装装配。
本发明实施例能满足小间距芯片安装装配需要,能大幅度提高芯片固晶安装装配的密度,实现小体积紧凑型固晶安装装配。
本发明实施例胶体选择范围广泛,通用性强,且具有胶体成本低,易于储藏保存等优点。
本发明实施例大幅度简化了LED倒装芯片固晶工艺,能够在现有设备装备上实施小间距固晶,突破了现有LED倒装芯片固晶的工艺瓶颈。因此具有工艺简单、操作工序少,设备投入低,生产加工成本低廉,生产效率高,易于实现大规模、自动化生产。
附图说明
图1现有技术LED倒装芯片固晶结构示意图
图2本实施例LED倒装芯片固晶结构示意图
图3本实施例在电子电路板非金属区域施胶示意图
图4粘度低的固晶绝缘粘接胶在未喷油电子电路板上固晶、固化后的结构示意图
图5为表面未喷油电子电路板俯视示意图
图6为表面喷油电子电路板俯视示意图
图7粘度低的固晶绝缘粘接胶固化后胶体在金属——金属界面铺展情况示意图
图8粘接对象为电子元器件时结构示意图
图9金属电极表面平面度(或平整度)对导电性能影响的结构示意图
图10电路板电极焊盘变化举例示意图
图11新型导电颗粒的结构示意图
图12热管理图;
图13为特制电镀银铝基实验板电镀银焊盘表面粗糙度Ra检测样品图;
图14为陶瓷基沉银电路板糙度Ra检测样品图。
图中1、LED倒装芯片 2、热固型固晶绝缘粘接胶 3、电子电路板 4、LED倒装芯片正极区域 5、LED倒装芯片负极区域 6、电路板正极区域 7、电路板负极区域 8、LED倒装芯片正负极间非金属区域 9、电路板正负电极间非金属区域 10、ACP各向异性导电胶 11、电子电路板电极焊盘 12、喷油电子电路板 13、镀银层 14、镀铜层 15、环氧树脂粉粒 16、DX20C热固型绝缘粘接胶 17、T15陶瓷基电子电路板 18、Au/Ag接触界面 19、3014LED倒装芯片20、电子元器件 21、电子元件金属电极 A局部放大图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
本发明实施例LED倒装芯片固晶导电粘接结构,包括LED倒装芯片以及电子电路板,LED倒装芯片下表面从左到右依次设置有LED倒装芯片负极、LED倒装芯片非金属区域以及LED倒装芯片正极,电子电路板上表面设置从左到右依次设置有电路板负极、电路板非金属区域以及电路板正极,LED倒装芯片以及电子电路板通过粘接在LED倒装芯片非金属区域以及电路板非金属区域间的热固型固晶绝缘粘接胶固定连接,LED倒装芯片正、负极分别与所述电子电路板正、负极直接金属与金属接触导电连接,热固型固晶绝缘粘接胶为酚醛、氨基、环氧、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅、丙烯酸树脂中的一种或以上述材料中的一种为母体改性的热固型固晶绝缘粘接胶,电子电路板上金属电极焊盘表面为粗糙表面。
本实施例导电机理:
金属材料表面粗糙度表现为微观粗糙度、宏观粗糙度、纹理、缺陷或划伤形成的粗糙面或点。本实施例将电子电路板金属电极焊盘表面优化为粗糙表面,该粗糙表面形成的粗糙面或点,与具有相对较小平均粗糙度的LED倒装芯片金属电极表面,经热固型固晶绝缘粘接胶固晶导电粘接,加热固化后的热固型固晶绝缘粘接胶体积收缩,从而使电子电路板金属电极与LED倒装芯片金属电极实现金属——金属接触型导电连接。(参见图2、图4、图7)。
热固性绝缘粘接胶是低分子量的高聚物或预聚物,通过加热或加入固化剂,或两者均有的条件下,固化成不熔不溶的网状结构的胶黏剂。其特点是施胶时胶液易扩散渗透,固化后的胶黏剂强度高、韧性好、耐蠕变性及耐热性好。但热固性树脂胶黏剂固化中易产生体积收缩和内应力,使粘接强度下降,所述的热固性高分子胶黏剂可加入改性剂加以弥补。热固性树脂胶黏剂的主要品种有酚醛、氨基、环氧、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅、丙烯酸等。
在电子行业中,常用的热固性绝缘粘接胶为环氧树脂及环氧树脂改性、丙烯酸树脂剂及丙烯酸酯树脂改性、改性聚氨酯以及改性的有机硅等合成树脂为基材。
金属电极焊盘表面粗糙度与LED倒装芯片电参数之间的关系:
本实施例中,金属电极焊盘表面平均粗糙度大小与本实施例电参数的关系为:在恒流条件下,金属焊盘表面平均粗糙度越大,则LED倒装芯片工作电压具有较小值。
在我们所做的对比实验中。分别在表面平均粗糙度Ra为0.0141um的金属焊盘(参见表1),在表面平均粗糙度Ra为0.5103um的金属焊盘(参见表2)上,按照本实施例固晶导电粘接方式,固晶导电粘接德豪润达SIRIUS-KIK3014LED倒装芯片。在工作电流150mA条件下,表面平均粗糙度Ra为0.0141um测得的工作电压范围值为3.0~3.2V,而表面平均粗糙度Ra为0.5103um测得的工作电压范围值为2.8~3.0V。
本实施例材料表面分析检测实验报告
表1粗糙度Ra(um)(样品见图13):
样品 | 测点1 | 测点2 | 测点3 | 测点4 | 测点5 | 平均 |
特制电镀银铝基实验板电镀银焊盘表面粗糙度 | 0.0136 | 0.0124 | 0.0165 | 0.0139 | 0.0139 | 0.0141 |
表2粗糙度Ra(um)(样品见图14):
样品 | 测点1 | 测点2 | 测点3 | 测点4 | 测点5 | 平均 |
陶瓷基沉银电路板 | 0.5167 | 0.4653 | 0.4628 | 0.5382 | 0.5685 | 0.5103 |
金属电极焊盘的平面度与导电性能之间的关系:
本实施例中,电子电路板上金属电极之正负极焊盘构成的平面,该平面的表面平面度(或平整度),也是影响本实施例导电性能的主要因素之一。依据本实施例导电机理,电子电路板上金属电极焊盘与LED倒装芯片金属电极接触面积越大,导电效率越高。电子电路板上金属电极之正负极焊盘构成的平面,该平面表面具有良好的平面度(或平整度),能充分地保障LED倒装芯片金属电极与电子电路板上金属电极焊盘之间实现金属——金属接触型导电的接触面积,故,良好的表面平面度(或平整度),有利于本实施例得到良好的导电性能,反之出现较差的平面度(或平整度),则会降低固晶后金属——金属接触型导电的接触面积,从而影响本实施例的导电性能(参见图9)。
本实施例的热管理分析(参见图12):
1)材料数据:
德豪润达SIRIUS-KIK 3014LED倒装芯片19结构尺寸:
Au电极(正或负极)尺寸:长272um*宽294um,两电极间隙的非金属区尺寸:间隙150um*宽294um。
3014芯片总长780um*总宽380um。
T15陶瓷基电子电路板17:
电路板正负极间隙尺寸:0.25mm、
电极焊盘(正或负极)烧银层厚度:为10~12um。计算时取中间值11um。(该数据由上海土生源新型材料科技有限公司提供)ECCOBOND DX20C热固型绝缘粘接胶16技术参数:
表面电阻系数:3.5E14ohms体积电阻系数:1.2E15ohms
导热系数 0.9W/m.K
固化条件 150℃-160℃ 90分钟(该资料依据ECCOBOND DX20C代理商雷德机电(深圳)有限公司提供的资料)
2)3014芯片解决方案热管理分析:
3014LED倒装芯片19产生的热源Q,我们大致可将Q可分解为Q1、Q2、Q3三个主要的热传导路径。
Q1、Q2的热传导界面为Au——Ag接触界面18,其中可近似将Q1≈Q2。
Q3的热传导路径,Q3的传热介质为ECCOBOND DX20C热固型绝缘粘接胶16,该胶体的导热系数0.9W/mK,因此该处为3014LED倒装芯片19热传导的辅助路径。需要补充说明的是,Q3的传热路径中,其中一部分热量是经DX-20C热固型绝缘粘接胶16与T15陶瓷基电子电路板17上的Ag电极焊盘形成的胶体——Ag界面方向传导,该部分热量传热路径为Q3→DX20C→Ag焊盘→陶瓷基板。由于Ag的导热系数为421.5W/mK,为DX20C热固型绝缘粘接胶16导热系数的468倍,因此通过该路径的导热速率高于Q3→DX20C→陶瓷基板的传热路径。
故,热传导速率Q1或Q2>Q3→DX20C→陶瓷基板>Q3
3)绝缘胶热阻计算:
DX20C热固型绝缘粘接胶的热阻:
Rj=d/(λ*S)
3014芯片非金属区的面积:S=0.25mm*380um=0.25*10-3*380*10-6=95*10-9米2
T15陶瓷烧结银电路板银层厚度10~12um。取d=11um=11*10-6米
λ=0.9W/mK
则Rj=d/(λ*S)
=11*10-6/(0.9*95*10-9)
=1.29*10∧2℃/W
故,绝缘胶在本实施例中的热阻Rj为129℃/W。
3014芯片与T15陶瓷基电路板的热阻:
3014芯片与T15陶瓷基电路板上电路板电极焊盘固晶接触,为金属(Au)——金属(Ag)接触,因此属于高导热的热传导。
4)从热传导路径的面积比分析:
芯片金焊盘总面积为:2(272um*294um)=15.99*10∧4um2
绝缘胶覆盖的面积大约为:0.25mm*380um=0.25*10∧3*380=9.5*10∧4um2金属电极总面积与绝缘胶覆盖的面积比=(2*15.99*10∧4)/9.5*10∧4=3.37:1即,LED芯片电极金属面积为非金属区域面积接近3.5倍。
通过以上计算分析可知:本实施例热传导的主要路径为金属——金属接触型热传导,属于高热传导体。故本解决方案具有良好的热传导性能。
本发明实施例还提供了一种具有工艺简单、操作工序少,设备投入低,生产加工成本低廉,生产效率高,易于实现大规模、自动化生产的LED倒装芯片固晶导电粘接结构安装方法。
设备:大族激光3201固晶机,深圳市怡和兴机械设备有限公司LED-2A LED光电烤箱。
电子电路板:上海土生源新型材料有限公司T15陶瓷电子电路板。
电源:北京汉晟普源HSPY-200-01数字恒流源。
热固型固晶绝缘粘接胶:ECCOBOND DX20C
LED倒装芯片:德豪润达SIRIUS-KIK 3014。
LED倒装芯片固晶导电粘接结构的安装方法,包括如下步骤:
(1)在自动固晶机上,对电子电路板上电路板正极区域与电路板负极区域之间的电路板正负极间非金属区域的中心位置区域,点热固型固晶绝缘粘接胶;
(2)然后再将LED倒装芯片与电子电路板实施固晶导电粘接,并使LED倒装芯片正负极间非金属区域与电路板正负极间非金属区域的两个中心位置区域重合;
(3)在150℃/90分钟条件下加热重合后的部件;待冷却后热固型固晶绝缘粘接胶体积收缩,使LED倒装芯片正极区域与电路板正极区域、LED倒装芯片负极区域与电路板负极区域实现金属-金属接触型导电连接,如此就完成了本专利典型实施例(参见图4、图7)。
其它实施例举例说明:
在生产实践中,因各种电子电路板的情况不同,导致热固型固晶绝缘粘接胶在本专利的状态不同。
例1:图5为电子电路板表面未喷油的结构俯视图。在图5上采用粘度低的热固型固晶绝缘粘接胶2固晶导电粘接时,粘度低的热固型固晶绝缘粘接胶2受热后,铺展性更好,则会出现图4的结构(参见图4、图7)。
例2:在例1基础上,将图5更换为图6(电子电路板表面喷油的结构俯视图),其它条件不变时,则会出现图2的结构(参见图2)。
例3:粘度低的热固型固晶绝缘粘接胶2受压力及受热后具有良好的铺展性及成膜性,固化后,它会在金属——金属接触界面的空隙部分形成胶膜,形成面积的大小与胶体——固体界面的润湿角、固晶时压力、加热固化过程中的温度等因素有关。在金属——金属接触界面的空隙部分形成的胶膜,其有益之处在于,可排除界面间间隙内的空气,如此则可有效解决空气对粘接体热膨胀系数的影响,能阻隔空气对表面金属的浸蚀,提高导电性能及固晶粘接的抗剥离强度,还能辅以增大导热面积(参见图4图7)。
例4:粘度高的热固型固晶绝缘粘接胶2因其粘度大,在液——固界面的润湿角大,即便受压力及受热后它的铺展性均差,固化后,它形成的结构状态如图2(参见图2)
例5:当热固型固晶绝缘粘接胶2粘接对象变更为电子元器件20时,电子电路板3上电路板电极焊盘11构成的金属电极表面、电子元器件20下电子元件金属电极21构成的金属电极表面,两个金属电极表面均具有较高的平面度,且至少有一个面为粗糙表面,图8为该情形下的结构示意图(参见图8)
本专利还有许多变化,例如表面微观粗糙度、宏观粗糙度、纹理的变化,芯片金属电极、金属焊盘形状变化(例如图10所列举的其中一种变化)等等。
对本专利的进一步挖掘及应用展望,本专利的进一步挖掘在于对热固型固晶绝缘粘接胶的改良,改良方向将向加热固化温度在120℃,耐高温,与有色金属(例如铜、银、金、铝)热膨胀系数接近、胶体铺展性能佳、抗剥离强度高、韧性好方向挖掘。应用将向普通电子元器件方向发展。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (5)
1.一种LED倒装芯片固晶导电粘接结构,其特征在于,包括LED倒装芯片以及电子电路板,所述LED倒装芯片下表面从左到右依次设置有LED倒装芯片负极、LED倒装芯片非金属区域以及LED倒装芯片正极,所述电子电路板上表面设置从左到右依次设置有电路板负极、电路板非金属区域以及电路板正极,所述LED倒装芯片以及电子电路板通过粘接在所述LED倒装芯片非金属区域以及电路板非金属区域间的热固型固晶绝缘粘接胶固定连接,所述LED倒装芯片正、负极分别与所述电子电路板正、负极直接金属与金属粘接导电连接,在所述的粘接导电连接的金属与金属接触界面的空隙部分形成有热固型固晶绝缘粘接胶胶膜。
2.如权利要求1所述的LED倒装芯片固晶导电粘接结构,其特征在于:所述热固型固晶绝缘粘接胶为酚醛树脂、氨基树脂、环氧树脂、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅、丙烯酸树脂中的一种或以上述材料中的一种为母体改性而成的热固型固晶绝缘粘接胶。
3.如权利要求1所述的LED倒装芯片固晶导电粘接结构,其特征在于:所述的电子电路板上金属电极焊盘表面为粗糙表面。
4.如权利要求1中一种LED倒装芯片固晶导电粘接结构的安装方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在自动固晶机上,对电子电路板上电路板正极区域与电子板负极区域之间的电路板正负极间非金属区域的中心位置区域,点热固型固晶绝缘粘接胶;
(2)然后再将LED倒装芯片与电子电路板实施固晶导电粘接,并使LED倒装芯片正负极间非金属区域与电路板正负极间非金属区域的两个中心位置区域重合;
(3)加热重合后的部件,待冷却后热固型固晶绝缘粘接胶体积收缩,使LED倒装芯片正极区域与电路板正极区域、LED倒装芯片负极区域与电路板负极区域实现金属—金属接触型导电连接。
5.如权利要求4所述的一种LED倒装芯片固晶导电粘接结构的安装方法,其特征在于,所述步骤3中加热温度为:150℃,时间为90分钟。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510304576.1A CN104993041B (zh) | 2015-06-04 | 2015-06-04 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
PCT/CN2015/097649 WO2016192376A1 (zh) | 2015-06-04 | 2015-12-17 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
DE112015006583.0T DE112015006583T5 (de) | 2015-06-04 | 2015-12-17 | Leitfähige Klebstruktur des Festkörperkristalls des LED-Flip-Chips und ihr Montageverfahren |
US15/718,042 US10424706B2 (en) | 2015-06-04 | 2017-09-28 | LED flip chip die-bond conductive adhesive structure and mounting method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510304576.1A CN104993041B (zh) | 2015-06-04 | 2015-06-04 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104993041A CN104993041A (zh) | 2015-10-21 |
CN104993041B true CN104993041B (zh) | 2019-06-11 |
Family
ID=54304824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510304576.1A Active CN104993041B (zh) | 2015-06-04 | 2015-06-04 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10424706B2 (zh) |
CN (1) | CN104993041B (zh) |
DE (1) | DE112015006583T5 (zh) |
WO (1) | WO2016192376A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104993041B (zh) | 2015-06-04 | 2019-06-11 | 陈建伟 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
CN105336275A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-02-17 | 江苏新广联半导体有限公司 | 高密rgb倒装led显示屏封装结构及制造方法 |
CN105449087A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-03-30 | 广州市雷腾照明科技有限公司 | 一种倒装led芯片的固晶方法 |
DE102017118076A1 (de) | 2017-08-09 | 2019-02-14 | Graphene Security Limited. | Bond-Anordnung und Verfahren zum Bonden eines Chips an einem elektronischen Schaltkreis |
KR102415812B1 (ko) | 2017-09-22 | 2022-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
CN108034934A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-05-15 | 山东电盾科技股份有限公司 | 化学镀铜法制备氧化硅粉末导电填料的方法 |
CN110707198A (zh) * | 2019-09-20 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
CN111192946A (zh) * | 2020-01-10 | 2020-05-22 | 深圳市隆利科技股份有限公司 | 一种led点胶方法 |
CN113451480A (zh) * | 2021-06-18 | 2021-09-28 | 深圳市炫鼎光电科技有限公司 | Csp led固晶贴片工艺 |
CN114007342A (zh) * | 2021-10-09 | 2022-02-01 | 惠州视维新技术有限公司 | 一种背光源的制备方法 |
CN117276452A (zh) * | 2022-03-24 | 2023-12-22 | 深圳市广社照明科技有限公司 | 一种绝缘胶基础导电装置及其制造方法 |
CN115318565B (zh) * | 2022-10-14 | 2022-12-09 | 高能瑞泰(山东)电子科技有限公司 | 一种倒装芯片封装设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1532251A (zh) * | 2001-11-16 | 2004-09-29 | 日立化成工业株式会社 | 电路连接用粘结剂 |
CN202067790U (zh) * | 2011-03-17 | 2011-12-07 | 江阴长电先进封装有限公司 | 圆片级玻璃型腔的硅通孔led封装结构 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3825948B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2006-09-27 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
US7719099B2 (en) * | 2005-10-21 | 2010-05-18 | Advanced Optoelectronic Technology Inc. | Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same |
JP4811927B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-11-09 | ローム株式会社 | Led発光装置およびその製造方法 |
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
WO2008081794A1 (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Nichia Corporation | 発光装置およびその製造方法 |
US20080179618A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Ching-Tai Cheng | Ceramic led package |
US8426740B2 (en) * | 2008-05-29 | 2013-04-23 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal base circuit board |
KR101235489B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2013-02-20 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
US8836130B2 (en) * | 2009-01-23 | 2014-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting semiconductor element bonded to a base by a silver coating |
JP4980455B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2012-07-18 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁層付金属基板の製造方法、半導体装置の製造方法、太陽電池の製造方法、電子回路の製造方法、および発光素子の製造方法 |
JP5640632B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-12-17 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
CN106067511A (zh) * | 2010-03-30 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法 |
JP2012033855A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | Ledモジュール、ledパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法 |
US8933548B2 (en) * | 2010-11-02 | 2015-01-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US8652860B2 (en) * | 2011-01-09 | 2014-02-18 | Bridgelux, Inc. | Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure |
US9343641B2 (en) * | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
US8853726B2 (en) * | 2011-08-25 | 2014-10-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system having the same |
WO2014073039A1 (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-15 | 日本碍子株式会社 | 発光ダイオード用基板 |
CN103296184A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-11 | 左洪波 | 一种以蓝宝石做芯片支架的led灯条的制作方法 |
CN104031578B (zh) * | 2014-06-13 | 2016-03-16 | 河北大旗光电科技有限公司 | 采用导电、增强、填充三种不同功能粒子的异向性导电胶 |
CN204289508U (zh) * | 2014-11-23 | 2015-04-22 | 东莞市态阳照明科技有限公司 | 一种新式led覆晶倒装支架 |
CN104993041B (zh) * | 2015-06-04 | 2019-06-11 | 陈建伟 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 |
CN204760379U (zh) * | 2015-06-04 | 2015-11-11 | 陈建伟 | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构 |
-
2015
- 2015-06-04 CN CN201510304576.1A patent/CN104993041B/zh active Active
- 2015-12-17 WO PCT/CN2015/097649 patent/WO2016192376A1/zh active Application Filing
- 2015-12-17 DE DE112015006583.0T patent/DE112015006583T5/de active Pending
-
2017
- 2017-09-28 US US15/718,042 patent/US10424706B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1532251A (zh) * | 2001-11-16 | 2004-09-29 | 日立化成工业株式会社 | 电路连接用粘结剂 |
CN202067790U (zh) * | 2011-03-17 | 2011-12-07 | 江阴长电先进封装有限公司 | 圆片级玻璃型腔的硅通孔led封装结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112015006583T5 (de) | 2018-08-23 |
WO2016192376A1 (zh) | 2016-12-08 |
CN104993041A (zh) | 2015-10-21 |
US10424706B2 (en) | 2019-09-24 |
US20180019385A1 (en) | 2018-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104993041B (zh) | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法 | |
CN102856219B (zh) | 用于把金属表面附着到载体的方法以及包装模块 | |
CN104520398B (zh) | 各向异性导电粘合剂及连接结构体 | |
Maruyama et al. | Silver nanosintering: a lead-free alternative to soldering | |
CN1266766C (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
CN110160385B (zh) | 一种传热组件内部低温烧结的毛细结构及其制造方法 | |
US9666751B2 (en) | Method for producing an electrically conductive contact on a solar cell | |
CN204760379U (zh) | 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构 | |
CN110498384B (zh) | 包括热延伸层的微电子模块和其制造方法 | |
US20030020159A1 (en) | Heat-conducting adhesive compound and a method for producing a heat-conducting adhesive compound | |
CN103681564A (zh) | 电子装置和制造电子装置的方法 | |
JP2014003339A (ja) | 半導体装置と接続構造及びその製造方法 | |
CN202736904U (zh) | 一种覆铜硅基板 | |
Tao et al. | Novel isotropical conductive adhesives for electronic packaging application | |
JP2011508449A (ja) | ヒートシンクを形成する方法 | |
TWI669721B (zh) | Anisotropic conductive adhesive | |
WO2016147736A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5832731B2 (ja) | 半導体素子 | |
Suppiah et al. | A review: Application of adhesive bonding on semiconductor interconnection joints | |
CN114752800A (zh) | 一种石墨烯金属基复合材料及制备方法 | |
JP2014060281A (ja) | 導電性部材と回路電極との接続構造、及び、導電性部材と回路電極との接続方法 | |
Pietrikova et al. | Pressureless Silver Sintering in Power Application | |
CN105593947A (zh) | 背接触式的太阳能电池模块用导电性粒子、导电材料及太阳能电池模块 | |
JP5859046B2 (ja) | 半導体素子 | |
Eom et al. | Isotropic conductive paste based on epoxy with Ag coated Cu and SAC305 solder |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |