JP6772087B2 - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

リードフレーム及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6772087B2
JP6772087B2 JP2017028221A JP2017028221A JP6772087B2 JP 6772087 B2 JP6772087 B2 JP 6772087B2 JP 2017028221 A JP2017028221 A JP 2017028221A JP 2017028221 A JP2017028221 A JP 2017028221A JP 6772087 B2 JP6772087 B2 JP 6772087B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
outer frame
lead frame
lead
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017028221A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018133532A (ja
Inventor
金子 健太郎
健太郎 金子
小林 剛
剛 小林
吉雄 古畑
吉雄 古畑
滋吏 中村
滋吏 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2017028221A priority Critical patent/JP6772087B2/ja
Priority to US15/880,011 priority patent/US10201917B2/en
Priority to TW107103839A priority patent/TWI733981B/zh
Priority to CN201810135204.4A priority patent/CN108461470B/zh
Publication of JP2018133532A publication Critical patent/JP2018133532A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6772087B2 publication Critical patent/JP6772087B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • H10W70/424Cross-sectional shapes
    • H10W70/427Bent parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C37/00Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
    • B29C37/02Deburring or deflashing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0418Apparatus for fluid treatment for etching
    • H10P72/0422Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H10P72/0424Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/042Etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/048Mechanical treatments, e.g. punching, cutting, deforming or cold welding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/20Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
    • H10W70/24Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates characterised by materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/411Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H10W70/417Bonding materials between chips and die pads
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • H10W70/424Cross-sectional shapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/451Multilayered leadframes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/0198Manufacture or treatment batch processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • H10W72/351Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • H10W74/142Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations exposing the passive side of the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Geometry (AREA)

Description

本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関する。
従来、半導体チップなどの電子部品を実装するためのリードフレームがある。そのようなリードフレームでは、ダイパッドの上に搭載された半導体チップが周囲のリードにワイヤによって接続され、半導体チップ及びワイヤが封止樹脂で封止される。
特開2004−319816号公報 特開2013−58693号公報
後述する予備的事項で説明するように、長手状の外枠を備えたリードフレームをフレームストッカに保管する際に、外枠の長手方向の側面の直角部分がフレームストッカの内壁に接触して擦れてバリが発生する課題がある。
外枠の側面からのバリの発生を防止できる新規な構造のリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、矩形状の外枠と、前記外枠の一方の面から側面にかけて形成された凹部と、前記外枠の他方の面から側面にかけて形成された切欠段差部とを有し、前記凹部の側壁と前記側面とが接する部分が曲面状であるリードフレームが提供される。
また、その開示の他の観点によれば、複数のフレーム領域が区画された金属板を用意する工程と、前記金属板の両面側の前記フレーム領域に、フレーム部材を得るためのレジスト層をそれぞれパターニングする工程と、前記レジスト層をマスクにして前記金属板を両面側からウェットエッチングすることにより、矩形状の外枠と、前記外枠の一方の面から側面にかけて形成される凹部と、前記外枠の他方の面から側面にかけて形成される切欠段差部とを含むフレーム部材を前記複数のフレーム領域に形成する工程と、前記レジスト層を除去する工程と、前記複数のフレーム領域に配置された前記フレーム部材を分離して、個々のリードフレームを得る工程とを有し、前記凹部の側壁と前記側面とが接する部分が曲面状に形成されるリードフレームの製造方法が提供される。
以下の開示によれば、リードフレームは、矩形状の外枠を備えている。外枠の一方の面から側面にかけて複数の凹部が形成されている。また、外枠の他方の面から側面にかけて切欠段差部が一体的に形成され、外端部の側面の一部が内側に後退している。そして、凹部の側壁と外端部の側面とが接する部分が曲面状になっている。
これにより、リードフレームの外枠の側面の面積が減少すると共に、外枠の側面の直角部分を少なくすることができる。よって、リードフレームをフレームストッカに入れたり出したりする際に、リードフレームの外枠の側面からのバリの発生を低減させることができる。
また、リードフレームの外枠の外端部の側面端部に複数の凹部が所定の間隔を空けて並んで配置されるため、外枠の側面端部の直角部分の長さを小さくすることができる。
これにより、リードフレームのダイパッドとリード及びリード同士が飛散したバリを介して電気ショートすることが防止される。
図1(a)及び()は予備的事項のリードフレームを説明するための平面図及び斜視図である。 図2は実施形態のリードフレームを示す平面図である。 図3は図2のリードフレームの長手方向の外枠の側面を示す部分拡大斜視図である。 図4(a)及び(b)は図2のリードフレームの長手方向の外枠の側面を示す部分平面図である。 図5は図4(a)の凹部の変形例を示す部分平面図である。 図6(a)は図3のI−Iに沿った断面図、図6(b)は図3のII−IIに沿った断面図、図6(c)は図3のIII−IIIIに沿った断面図である。 図7は図2のリードフレームの長手方向の外枠の側面を示す部分拡大斜視図(変形例)である。 図8はフレームストッカに図2のリードフレームが保管される様子を示す断面図及び部分斜視図である。 図9は実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図(その1)である。 図10(a)及び(b)は実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図(その2)である。 図11(a)及び(b)は実施形態のリードフレームの製造方法を示す断面図(その3)である。 図12(a)及び(b)は実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図(その4)である。 図13は実施形態のリードフレームの製造方法を示す平面図(その5)である。 図14は実施形態の電子部品装置を示す断面図である。 図15は実施形態の変形例のリードフレームを示す断面図である。 図16は実施形態の変形例の電子部品装置を示す断面図である。 図17は実施形態のリードフレーム内の複数の製品領域の配置のバリエーションを示す平面図である。
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
実施形態を説明する前に、基礎となる予備的事項について説明する。
図1は、予備的事項に係るリードフレームを説明するための図である。予備的事項の記載は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない技術内容を含む。
図1(a)に示すように、予備的事項に係るリードフレームは、外形が長方形状の外枠100を備えている。外枠100の内側には複数の製品領域Rが区画されており、各製品領域Rには、外枠100に連結されたダイパッド及びリード(不図示)が配置されている。
リードフレームは、半導体装置を構築する製造工程や搬送の間に金属製のフレームストッカ(不図示)に保管される。
フレームストッカの対向する側板の内壁には、上下方向に複数のレールが並んで設けられている。そして、フレームストッカの両側のレールの上にリードフレームの長手方向の外枠100の両端部が配置されて、複数のリードフレームがフレームストッカに保管される。
リードフレームをフレームストッカに入れたり出したりする際に、リードフレームの長手方向の外枠100の側面がフレームストッカの側板の内壁に接触して擦れる。
このため、リードフレームの外枠100の側面及びフレームストッカの側板の内壁からバリが発生しやすい。リードフレームから発生するバリが分離すると、リードフレームのダイパッドやリードが配置された領域に飛散しやすい。
バリの長さが、ダイパッドとリードとの間隔及びリード間の間隔よりも長いと、ダイパッドとリード及びリード同士がバリを介して接続されるため、電気ショートが発生する。
この対策として、図1(b)の部分斜視図に示すように、図1(a)のリードフレームの外枠100の外端部の上面側及び下面側に厚みの途中まで第1凹部C1及び第2凹部C2を形成する。
これにより、リードフレームの外枠100の側面の直角部分の長さが短くなるため、バリが発生するとしてもバリの長さが小さくなる。その結果、ダイパッドとリード及びリード同士がバリを介して接続されるリスクを低減させることができる。
しかし、第1凹部C1及び第2凹部C2の各内壁と外枠100の側面とが接する部分(図1(b)のAで示される部分)が直角で尖って形成されるため、その部分からバリが発生しやすい。このため、図1(b)のリードフレームの外枠100の外端部の側面の構造よりもさらにバリの発生を抑制できる構造が望まれる。
以下に説明する実施形態のリードフレームでは、前述した課題を解消することができる。
(実施の形態)
図2〜図8は実施形態のリードフレームを説明するための図、図9〜図13は実施形態のリードフレームの製造方法を説明するための図である。
図2に示すように、実施形態のリードフレーム1は、外形が長方形状(矩形状)の外枠10と、外枠10に連結する内枠12とによって形成された枠構造を有している。外枠10は、横方向に延びる一対の枠部の長さが縦方向に延びる一対の枠部の長さよりも長い長手形状を有する。
外枠10と内枠12とによって区画された各四角領域が一つの製品領域Rとなっている。各製品領域Rの中央部には四角状のダイパッド20が配置されている。また、ダイパッド20の四隅にサポートバー22がそれぞれ繋がっており、サポートバー22は外枠10及び内枠12に連結されている。
このようして、ダイパッド20は、4本のサポートバー22によって外枠10及び内枠12に支持されている。
さらに、各製品領域Rのダイパッド20の四辺に対向する外枠10及び内枠12には4本のリード24がそれぞれ連結されている。各製品領域Rにおいて、リード24は外枠10及び内枠12の内壁から内側のダイパッド20側に向かって延在している。
図2のリードフレーム1の例では、製品領域Rが2×4個で設けられているが、一つのリードフレーム1に設けられる製品領域Rの数や配置は任意に設定することができる。
実施形態のリードフレーム1は、金属板が両面側からウェットエッチングされてパターン化されて製造される。リードフレーム1は、銅、銅合金、又は鉄・ニッケル合金などの金属板から形成される。好適には、リードフレーム1の上面、下面及び側面を含む全体に、電解めっきにより、下から順に、ニッケル(Ni)層/パラジウム(Pd)層/金層(Au)が形成されている。
あるいは、ワイヤボンディングされるリード24の上面のみに、下から順に、ニッケル(Ni)層/パラジウム(Pd)層/金層(Au)が形成されるようにしてもよい。
また、ニッケル(Ni)層/パラジウム(Pd)層/金層(Au)の代わりに、単層の銀(Ag)層を電解めっきにより形成してもよい。
図3は、図2のリードフレーム1の外枠10の外端部10aの側面(Bで示される部分)を拡大して示す部分拡大斜視図である。
本実施形態では、リードフレーム1の外枠10の一方の面を上面とし、外枠10の他方の面を下面として説明する。あるいは、逆に、外枠の10の一方の面を下面とし、外枠10の他方の面を上面としてもよい。
図3に示すように、リードフレーム1の外枠10は、上面S1、下面S2及び側面S3を備えている。そして、リードフレーム1の外枠10の外端部10aの上面S1から側面S3にかけて複数の凹部Cが形成されている。
凹部Cは、外枠10の外端部10aの上面S1から厚みの途中まで形成され、水平方向の開口端が外枠10の側面S3から露出している。複数の凹部Cが外枠10の外端部10aの側面S3に沿って所定の間隔を空けて並んで配置されている。
また、リードフレーム1の外枠10の外端部10aの下面S2から側面S3にかけて切欠段差部Gが形成されている。切欠段差部Gは、図2のリードフレーム1の外枠10の長手方向の一端E1から他端E2までの全体に一体的に形成されている。
図3の切欠段差部Gを横方向からみると、切欠段差部Gは逆L字状に形成されている。切欠段差部Gは、外枠10の側面S3より内側に後退した切欠側面G1と、切欠側面G1の上端に接する切欠上面G2とにより形成される。
切欠段差部Gは、外枠10の側面S3の下部から幅方向の途中まで形成され、外枠10の側面S3から露出している。
外枠10の側面S3の下部に切欠段差部Gが形成されることで、外枠の10の外端部10aの側面S3の下端が内側に後退している。
図4(a)は図3を上面側からみた部分平面図であり、図4(b)は図3を下面側からみた部分平面図である。図4(a)及び(b)に示すように、凹部Cは、平面視で曲面状の凹部に形成され、一例として平面視で半円状の凹部が示されている。
図3に図4(a)を加えて参照すると、凹部Cの側壁と外枠10の外端部10aの側面とが接する部分が丸みを帯びたR形状面Csとなって曲面状に形成されている。このように、凹部Cの水平方向の開口端の側壁部分が丸みを帯びたR形状面Csになっている。図4(a)では、図示を簡易にするため、凹部Cの底面のラインが省略されている。
また、図3に図4(b)を加えて参照すると、切欠段差部Gは、図2の外枠10の側面下部の長手方向の一端E1から他端E2まで一括して繋がって形成されている。あるいは、図2の外枠10の側面下部の長手方向の一端E1から他端E2までの領域に、切欠段差部Gを複数に分割して配置してもよい。
凹部CのR形状面Csの丸みは、R0.01mm〜R0.1mmに設定される。R0.01mmとは、半径が0.01mmの円の円弧の形状に相当し、R0.1mmとは、半径が0.1mmの円の円弧の形状に相当する。
また、図4(a)に示すように、隣り合う凹部C同士の間の外枠10の側面の上端が平面視で直線状の平坦部Exとなっており、平坦部Exの幅W1は、例えば、0.01mm〜0.1mmである。外枠10の側面の上端は、側面と上面とが接する部分である。凹部Cの幅W2は、例えば、0.1mm〜0.2mmに設定される。
また、凹部Cの奥行の長さL1は、例えば、0.1mm〜0.2mmに設定される。また、切欠段差部Gの奥行の長さL2は、例えば、0.05mm〜0.2mmに設定される。
ここで、本実施形態と違って、凹部C同士の間の外枠10の側面の上端を平面視でR形状面Csに繋がる半円状に形成する場合について言及する。この場合、金属板をウェットエッチングしてリードフレームを得る際に、外枠10の側面の先端の位置が内部に後退してばらつきやすく、設計スペックの幅が安定して得られない。
さらには、画像認識でリードフレームの幅を測定する際に、外枠10の外端ラインの認識が不鮮明になり、精度よく幅を測定できないことがある。
本実施形態では、凹部C同士の間の外枠10の側面の上端が平面視で直線状の平坦部Exとなっている。このため、金属板をウェットエッチングしてリードフレーム1を得る際に、平面視でリードフレーム1の外枠10の両側の側面に直線部分が多くなるため、安定した幅を有するリードフレームが得られる。
また、リードフレーム1の外枠10の外端ラインを鮮明に画像認識できるため、信頼性よく幅の測定を行うことができる。
図5は図4(a)の凹部Cの変形例を示す部分平面図である。図5に示すように、凹部Cを平面視で曲面状の凹部に形成すると共に、凹部Cの奥行の長さL1よりも幅W2を長くすることによってR形状面Csを穏やか曲面状としやすい。このため、バリ発生を抑制する観点からより好適な構造となる。
また、図6(a)は図3の凹部Cの奥行の途中位置のI−Iに沿った断面図である。図6(a)に示すように、凹部Cを断面視すると、外枠10の厚みの途中までU字状に形成され、凹部C同士が連通しないように独立して形成される。
また、図6(b)は図3のII−IIに沿った断面図、図6(c)は図3のIII−IIIに沿った断面図である。後述するように、多面取り用の大型の金属板が両面側からウェットエッチングされて複数のリードフレームが得られる。
このため、図6(b)に示すように、凹部C及びその下の切欠段差部Gの各内面は凹状曲面になって形成される。
また同様に、図6(c)に示すように、凹部C同士の間の側面及びその下の切欠段差部Gの内面が凹状曲面になって形成される。
また、図2のリードフレーム1の上側の外枠10の側面にも同様な凹部C及び切欠段差部Gが形成されている。このように、凹部C及び切欠段差部Gは、外枠10の長手方向の両側の一対の外端部10aにそれぞれ形成されている。
あるいは、図7の変形例に示すように、図3の構造と逆に、外枠10の下面から側面にかけて凹部Cを形成し、外枠10の上面から側面にかけて一括した切欠段差部Gを形成してもよい。図7の変形例では、切欠段差部Gは切欠側面G1と切欠下面G3とにより形成される。
図7の変形例では、前述した図3の凹部Cと切欠段差部Gとが上下の配置位置が逆になって形成されている。よって、図7の変形例の凹部C及び切欠段差部Gの各形状は、上下反転させると、前述した図3の凹部C及び切欠段差部Gの各形状と同じであるため、詳しい説明は省略する。
図8には、本実施形態のリードフレーム1が保管されるフレームストッカ30が示されている。フレームストッカ30は、底板32、天板34及び側板36から構築される箱体38を備えている。箱体38は正面が開口されており、箱体38の対向する側板36の内壁に複数のレール36aが設けられている。
フレームストッカ30の箱体38及びレール36aは、ステンレス鋼などの金属から形成される。
そして、図2のリードフレーム1がフレームストッカ30に保管される。リードフレーム1の長手方向の外枠10の両側の外端部10aがフレームストッカ30の両側のレール36aの上に配置される。
図8の部分斜視図に示すように、リードフレーム1をフレームストッカ30に入れたり出したりする際に、リードフレーム1の外枠10の外端部10aの側面がフレームストッカ30の側板36の内壁に接触して擦れる。
このとき、本実施形態のリードフレーム1では、前述したように、リードフレーム1の外枠10の外端部10aの上面側に凹部Cを形成し、下面側に切欠段差部Gを一体的に形成している。さらに、凹部Cの内壁と外枠10の側面とが接する部分が丸みを帯びたR形状面Csになっている。
これにより、凹部Cの水平方向の開口端の各側壁部分からバリが発生することが防止される。また、外枠10の側面下部に切欠段差部Gを一体的に形成することで、外枠10の側面下部が内側の位置に後退して配置される。
これにより、フレームストッカ30の側板36の内壁に接触する外枠10の側面の面積が半分以下に減少する。さらには、外枠10の側面の下端の直角部分がフレームストッカ30の側板36の内壁に接触しなくなる、このため、リードフレーム1の外枠10の側面からのバリの発生が抑制される。
また、リードフレーム1の外枠10の外端部10aの上面側に凹部Cを形成しているため、リードフレーム1の外枠10の側面の上端に直角部分が少なくなる。
これにより、リードフレーム1から発生するバリの量を低減させることができる。また、リードフレーム1からバリが生じるとしても、凹部C同士の間に配置される外枠10の側面の上端の直角部分から発生するだけである。凹部C同士の間隔を小さくすることにより、バリの長さを小さくすることができる。
好適には、図4(a)及び(b)の平坦部Exの幅W1が、図2のリードフレーム1のダイパッド20とリード24との間隔、及びリード24同士の間隔よりも小さく設定される。
これにより、リードフレーム1の平坦部Exからバリが発生してリードフレーム1の内部に飛散するとしても、ダイパッド20とリード24との間隔、及びリード24同士の間隔よりもバリの長さが小さくなる。これにより、ダイパッド20とリード24との電気ショート、及びリード24同士の電気ショートの発生が防止される。
また、リードフレーム1の外枠10の側面の面積が減少すると共に、外枠10の側面の直角部分が少なくなるため、フレームストッカ30の側板36の内壁からのバリの発生も抑制することができる。
図2のリードフレーム1をフレームストッカ30に保管する際には、リードフレーム1の短手方向の一対の外枠10の側面は、フレームストッカの内壁と擦れないため、凹部C及び切欠段差部Gを形成しなくてもよい。
あるいは、後述するように、リードフレーム1を用いた電子部品装置のアセンブリ工程において、外枠10の長手方向の側面だけではなく短手方向の側面にも各種の製造装置の搬送機構が接触することがある。この際、リードフレーム1の外枠10の短手方向からもバリが発生する場合がある。
このため、必要に応じて、外枠10の短手方向にも凹部C及び切欠段差部Gを形成してもよい。これにより、リードフレーム1の短手方向からのバリの発生を防止することができる。
次に、前述した図2のリードフレーム1の製造方法について説明する。
図9に示すように、まず、多面取り用の大型の金属板5を用意する。金属板5は銅、銅合金、又は鉄・ニッケル合金などから形成され、厚みは0.1mm〜0.25mmである。
金属板5には複数のフレーム領域Fが区画されており、各フレーム領域Fから前述した図2のリードフレーム1が得られる。
そして、金属板5の各フレーム領域Fの両面側に、前述した図2のリードフレーム(フレーム部材)を得るためのレジスト層のパターン(不図示)をフォトリソグラフィに基づいてパターニングする。
図10(a)及び(b)は、図9の縦方向で隣り合う2つのフレーム領域Fの境界領域(Cで示される部分)のレジスト層の外枠パターンの外端部を示す部分拡大平面図である。図10(a)は金属板5の上面側の第1レジスト層15を示す部分拡大平面図であり、図10(b)は金属板5の下面側の第2レジスト層17を示す部分拡大平面図である。
図10(a)に示すように、金属板5の上面側の各フレーム領域Fに図2のリードフレーム1のパターンを得るための第1レジスト層15がパターン化される。
第1レジスト層15は、外形が長方形状の外枠パターンと、外枠パターンの開口部15aの側面に配置された複数の半円状の切欠部Nとを含む。複数の切欠部Nが所定の間隔を空けて長手方向に並んで配置される。
第1レジスト層15の切欠部Nの間の開口部15aの側面が平坦部Eyになっている。第1レジスト層15の外枠パターンの全体は図示しないが、前述した図2のリードフレーム1の外枠に対応する形状で形成される。
また同様に、図10(b)に示すように、金属板5の下面側の各フレーム領域Fに図2のリードフレーム1のパターンを得るための第2レジスト層17がパターン化される。第2レジスト層17は、図2のリードフレーム1の外枠10の側面下部に一体的な切欠段差部Gが形成されるようにパターン化される。
図9の各フレーム領域Fにおいて、図10(a)の第1レジスト層15の切欠部Nの奥行の先端に対応する位置に、第2レジスト層17の開口部17aの側面が直線状に配置される。
第1レジスト層15の切欠部Nは、前述したリードフレーム1の外枠10に凹部Cを形成するために配置される。
ここで、図10(a)に示すように、前述した図4(a)のように、凹部Cの開口端の側壁部分を十分なR形状面Csにするため、切欠部Nの側壁と第1レジスト層15の開口部15aの側面とが接する角度θが90°を超え、135°以下の範囲に設定される。
また、第1レジスト層15の隣り合う切欠部Nの間の開口部15aの側面は平面視で平坦部Eyとなっている。
あるいは、図10(a)の変形例のように、切欠部Nの側壁と第1レジスト層15の開口部15aの側面とが接する部分が丸みを帯びた曲面Cxになるように、第1レジスト層15をパターニングしてもよい。
特に図示しないが、図9の金属板5の各フレーム領域Fの内部では、前述したリードフレーム1の外枠10、内枠12、ダイパッド20、サポートバー22及びリード24が得られるように、金属板5の両面に第1、第2レジスト層15,17がパターン化される。
次いで、金属板5の両面側の第1、第2レジスト層15,17をマスクにして、それらの開口部15a,17aを通して、金属板を両側からウェットエッチングする。
金属板5として銅を使用する場合は、エッチング液として、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、又は塩化アンモニウム銅溶液などが使用される。エッチング装置としては、スプレーエッチング装置が好適に使用される。
このとき、図11(a)に示すように、金属板5の上面側の第1レジスト層15の切欠部N(図10(a))からのエッチング面と、下面側の第2レジスト層17の開口部17aの側面(図10(b))からのエッチング面とが連通して、金属板5が貫通加工される。
図11(a)は、図10(a)の第1レジスト層15の切欠部Nから内部の領域の金属板5のエッチング断面である。
また同時に、図11(b)に示すように、金属板5の上面側の第1レジスト層15の平坦部Ey(図10(a))からのエッチング面と、下面側の第2レジスト層17の開口部17aの側面(図10(b))からのエッチング面とが連通して、金属板5が貫通加工される。
図11(b)は、図10(a)の第1レジスト層15の平坦部Eyから内部の領域の金属板5のエッチング断面である。
これにより、矩形状の外枠10が形成されると同時に、外枠10の外端部10aの上面から側面にかけて凹部Cが形成され、外端部10aの下面から側面にかけて切欠段差部Gが形成される。
図12(a)及び(b)では、金属板5を両側からウェットエッチングして貫通加工し、第1、第2レジスト層15,17を除去した後の様子が示されている。
図12(a)はフレーム部材1xの外枠10の外端部10aの上面側を示す部分拡大平面図であり、図12(b)はフレーム部材1xの外枠10の外端部10aの下面側を示す部分拡大平面図である。
図12(a)に示すように、金属板5がパターニングされて、図9の各フレーム領域Fに外枠10を含むフレーム部材1xがそれぞれ得られる。
図12(a)に示すように、外枠10の外端部10aの上面側に複数の凹部Cが並んで形成される。このとき、上記した図10(a)を参照すると、第1レジスト層15の切欠部Nの側壁と開口部15aの側面とが接する角度θが90°より大きく設定されている。そして、図10(a)の第1レジスト層15の切欠部Nの開口端の下端から金属板5が等方的にエッチングされる。
これにより、図12(a)に示すように、凹部Cの水平方向の開口端の側壁部分が面取りされるようにエッチングされて、丸みを帯びたR形状面Csとなって曲面状に形成される。
図10(a)の第1レジスト層15の切欠部Nの開口端の角度θを90°以下に設定すると、面取りされにくく丸みの小さいR形状面となるため、十分な丸みのR形状面を得るために角度θが90°を超えるように設定されることが好ましい。
あるいは、前述した図10(a)の変形例の第1レジスト層15のパターンを使用する場合は、第1レジスト層15の切欠部Nの開口端の曲面Cxに対応して、凹部Cの開口端の側壁部分が十分な丸みを帯びたR形状面Csで形成される。
また、図12(b)に示すように、外枠10の外端部10aの下面側には一体的な切欠段差部Gが形成される。切欠段差部Gは外枠10の長手方向の外端部10aの一端E1から他端E2(図2)まで一体的に形成される。
また、図12(a)に示すように、凹部C同士の間の外枠10の側面の上端は、第1レジスト層15の側面の平坦部Eyに対応して平面視で直線状の平坦部Exとなって形成される。これにより、前述したように、所望の幅を有するリードフレームを安定して形成することができる。
また、凹部Cは、第1レジスト層15の切欠部Nから金属板5が厚みの途中まで等方的にエッチングされて外枠10の側面に配置される。このため、凹部Cの開口端側(外枠10の側面側)の深さが奥側(外枠10の内部側)の深さよりも深くなって形成される(図11(a)を参照)。
特に図示しないが、図9の金属板5の各フレーム領域Fの内部では、両面側の第1、第2レジスト層15,17のパターンをマスクにして金属板5が両面側からウェットエッチングされて同時に貫通加工される。
これにより、金属板5の各フレーム領域Fの内部に、内枠12、ダイパッド20、サポートバー22、及びリード24が外枠10に連結されて形成される。
このようにして、図13に示すように、図9の金属板5の各フレーム領域Fに図2のリードフレーム1と同じ構造のフレーム部材1xがそれぞれ形成される。この時点では、各フレーム領域Fに配置された各フレーム部材1xは連結部14によって相互に繋がった状態で外周枠11に連結されている。
図13のフレーム部材1xでは、外枠10、内枠12、ダイパッド20、サポートバー22及びリード24の各パターンが省略されている。
その後に、図13の金属板5の連結部14を切断して、複数のフレーム領域Fに配置されたフレーム部材1xを分離して、個々のリードフレーム1を得る。
以上により、前述した図2の実施形態のリードフレーム1が製造される。
次に、前述した図2のリードフレームを使用して電子部品装置を構築する方法について説明する。図14に示すように、表面に接続端子42を備えた半導体チップ40を用意する。そして、図2のリードフレーム1の各製品領域Rのダイパッド20の上に接着剤44により半導体チップ40の背面を接着する。
次いで、ワイヤボンディング法により、金や銅などの金属ワイヤ46で半導体チップ40の接続端子42とリード24とを接続する。
さらに、リードフレーム1の全体に、各製品領域Rのダイパッド20、半導体チップ40、金属ワイヤ46及びリード24などを封止する封止樹脂50を形成する。封止樹脂50はリードフレーム1の上面側を被覆し、リードフレーム1の下面側が露出するように形成される。
その後に、各製品領域Rが得られるように、封止樹脂50及びリードフレーム1を切断して、サポートバー22及びリード24から外枠10及び内枠12を分離する。
これにより、実施形態の電子部品装置2が得られる。半導体チップ40としては、例えば、メモリ、電源コントローラ、又はCPUなどのLSIチップが使用されるが、各種の電子部品を搭載してもよい。
図15には、実施形態の変形例のリードフレーム1aが示されている。変形例のリードフレーム1aのように、図2のリードフレーム1においてダイパッド20を省略してもよい。
図16には、図15の変形例のリードフレーム1aを使用した変形例の電子部品装置2aが示されている。図16に示すように、変形例の電子部品装置2aでは、図14の電子部品装置2において、ダイパッド20が省略されており、半導体チップ40の背面が封止樹脂50の下面から露出している。半導体チップ40の背面に絶縁シートが設けられていてもよい。
図17(a)〜(c)は、リードフレーム1内の複数の製品領域Rの配置のバリエーションを示す平面図である。
図17(a)の例では、複数の製品領域Rがリードフレーム1内に分散して配置される。製品領域R同士の間の内枠12が幅広に設定される。そして、図17(a)のリードフレーム1から図14の電子部品装置2を構築する際に、各製品領域Rが個別に封止樹脂50で封止される。さらに、封止樹脂50から露出する内枠12に切断加工及び打ち抜き加工などを施して、個々の電子部品装置が得られる。
また、図17(b)では、複数の製品領域Rが隣接して設けられたブロックが複数で配置される。図17(b)の例では、リードフレーム1内に3つのブロックA,B,Cが配置されている。各ブロックA,B,C内の内枠12は幅狭に設定され、各ブロックA,B,C間の内枠12は幅広に設定される。
そして、図17(b)のリードフレーム1から図14の電子部品装置2を構築する際に、各ブロックA,B,Cがそれぞれ一括して封止樹脂50で封止される。さらに、各ブロックA,B,Cにおいて、封止樹脂50及びリードフレーム1を各製品領域Rの境界で切断して、個々の電子部品装置が得られる。
また、図17(c)では、複数の全ての製品領域Rがリードフレーム1内に隣接して配置される。そして、図17(c)のリードフレーム1から図14の電子部品装置2を構築する際に、全ての製品領域Rが一括して封止樹脂50で封止される。さらに、封止樹脂50及びリードフレーム1を各製品領域Rの境界で切断して、個々の電子部品装置が得られる。
前述した図14の構造の電子部品装置2は、図17(b)及び(c)のリードフレーム1の内部の製品領域Rから得られる。
前述した実施形態では、リードフレーム1,1a及び電子部品装置2,2aは、QFN(Quad Flat Non-Leaded Package)の構造に適用された形態が例示されている。
この他に、QFP(Quad Flat Package)やSOP(Small Outline Package)などに使用される各種のリードフレームの外枠に適用することができる。
1,1a…リードフレーム、1x…フレーム部材、2,2a…電子部品装置、5…金属板、10…外枠、10a…外端部、11…外周枠、12…内枠、14…連結部、15…第1レジスト層、15a,17a…開口部、17…第2レジスト層、20…ダイパッド、22…サポートバー、24…リード、30…フレームストッカ、32…底板、34…天板、36…側板、36a…レール、38…箱体、40…半導体チップ、42…接続端子、44…接着剤、46…金属ワイヤ、50…封止樹脂、C…凹部、G…切欠段差部、Cs…R形状面、Cx…曲面、F…フレーム領域、Ex,Ey…平坦部、N…切欠部、R…製品領域、S1…上面、S2…下面、S3…側面。

Claims (10)

  1. 矩形状の外枠と、
    前記外枠の一方の面から側面にかけて形成された凹部と、
    前記外枠の他方の面から側面にかけて形成された切欠段差部と
    を有し、
    前記凹部の側壁と前記側面とが接する部分が曲面状であることを特徴とするリードフレーム。
  2. 前記切欠段差部は、前記外枠の長手方向の前記側面の一端から他端まで一体的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
  3. 前記凹部は所定の間隔を空けて並んで配置されており、
    前記凹部同士の間の前記側面の端は、平面視で平坦部となっていることを特徴とする請求項又はに記載のリードフレーム。
  4. 前記凹部及び前記切欠段差部は、前記外枠の長手方向の両側の前記側面にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム。
  5. 前記凹部及び前記切欠段差部の各内面は、凹状曲面となっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のリードフレーム。
  6. 複数のフレーム領域が区画された金属板を用意する工程と、
    前記金属板の両面側の前記フレーム領域に、フレーム部材を得るためのレジスト層をそれぞれパターニングする工程と、
    前記レジスト層をマスクにして前記金属板を両面側からウェットエッチングすることにより、矩形状の外枠と、前記外枠の一方の面から側面にかけて形成される凹部と、前記外枠の他方の面から側面にかけて形成される切欠段差部とを含むフレーム部材を前記複数のフレーム領域に形成する工程と、
    前記レジスト層を除去する工程と、
    前記複数のフレーム領域に配置された前記フレーム部材を分離して、個々のリードフレームを得る工程とを有し、
    前記凹部の側壁と前記側面とが接する部分が曲面状に形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法。
  7. 前記レジスト層を形成する工程において、
    前記金属板の一方の面に形成される前記レジスト層は、外枠パターンと、前記外枠パターンの側面に配置された切欠部とを含み、前記凹部は前記レジスト層の切欠部に対応して形成され、
    平面視で前記切欠部の側壁と前記外枠パターンの側面とが接する角度が90°を超えて135°以下に設定されることを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。
  8. 前記フレーム部材を形成する工程において、
    前記切欠段差部は、前記外枠の長手方向の前記側面の一端から他端まで一体的に形成されることを特徴とする請求項6又は7に記載のリードフレームの製造方法。
  9. 前記フレーム部材を形成する工程において、
    前記凹部同士の間の側面の端が平面視で平坦部となって形成されることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
  10. 前記フレーム部材を形成する工程において、
    前記凹部及び前記切欠段差部は、前記外枠の長手方向の両側の前記側面にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法。
JP2017028221A 2017-02-17 2017-02-17 リードフレーム及びその製造方法 Active JP6772087B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017028221A JP6772087B2 (ja) 2017-02-17 2017-02-17 リードフレーム及びその製造方法
US15/880,011 US10201917B2 (en) 2017-02-17 2018-01-25 Lead frame
TW107103839A TWI733981B (zh) 2017-02-17 2018-02-02 導線架
CN201810135204.4A CN108461470B (zh) 2017-02-17 2018-02-09 引线框架

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017028221A JP6772087B2 (ja) 2017-02-17 2017-02-17 リードフレーム及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018133532A JP2018133532A (ja) 2018-08-23
JP6772087B2 true JP6772087B2 (ja) 2020-10-21

Family

ID=63166344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017028221A Active JP6772087B2 (ja) 2017-02-17 2017-02-17 リードフレーム及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10201917B2 (ja)
JP (1) JP6772087B2 (ja)
CN (1) CN108461470B (ja)
TW (1) TWI733981B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI676252B (zh) * 2018-07-23 2019-11-01 長華科技股份有限公司 導線架及其製造方法
US11393774B2 (en) 2019-08-21 2022-07-19 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor device having cavities at an interface of an encapsulant and a die pad or leads
US11211320B2 (en) * 2019-12-31 2021-12-28 Texas Instruments Incorporated Package with shifted lead neck
JP7292776B2 (ja) * 2020-01-30 2023-06-19 大口マテリアル株式会社 リードフレーム
CN114062076A (zh) * 2021-11-04 2022-02-18 九江德福科技股份有限公司 一种用于铜箔晶体分析的样品制备方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4862246A (en) * 1984-09-26 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor device lead frame with etched through holes
US6949816B2 (en) * 2003-04-21 2005-09-27 Motorola, Inc. Semiconductor component having first surface area for electrically coupling to a semiconductor chip and second surface area for electrically coupling to a substrate, and method of manufacturing same
JP3062192B1 (ja) * 1999-09-01 2000-07-10 松下電子工業株式会社 リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
US7042068B2 (en) * 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
AU2002228773A1 (en) * 2000-10-31 2002-05-15 Motorola, Inc. A leadframe and semiconductor package
KR20040037575A (ko) * 2002-10-29 2004-05-07 한국시그네틱스 주식회사 사선형 에칭부를 갖는 엠.엘.피(mlp)형 반도체 패키지
TW200418149A (en) * 2003-03-11 2004-09-16 Siliconware Precision Industries Co Ltd Surface-mount-enhanced lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same
JP2004319816A (ja) 2003-04-17 2004-11-11 Fujitsu Ltd リードフレーム及びその製造方法
US7087462B1 (en) * 2005-06-07 2006-08-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for forming leadless semiconductor packages
US7683463B2 (en) * 2007-04-19 2010-03-23 Fairchild Semiconductor Corporation Etched leadframe structure including recesses
US9263315B2 (en) * 2010-03-30 2016-02-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate
US8519518B2 (en) * 2010-09-24 2013-08-27 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with lead encapsulation and method of manufacture thereof
KR101778832B1 (ko) * 2010-11-02 2017-09-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Led 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임
US20120126378A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Unisem (Mauritius ) Holdings Limited Semiconductor device package with electromagnetic shielding
JP5762078B2 (ja) * 2011-03-28 2015-08-12 新光電気工業株式会社 リードフレーム
JP5762081B2 (ja) * 2011-03-29 2015-08-12 新光電気工業株式会社 リードフレーム及び半導体装置
JP5804369B2 (ja) * 2011-09-09 2015-11-04 大日本印刷株式会社 半導体素子用リードフレーム、樹脂付半導体素子用リードフレームおよび半導体装置、並びに、半導体素子用リードフレームの製造方法、樹脂付半導体素子用リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法
JP5953703B2 (ja) * 2011-10-31 2016-07-20 ソニー株式会社 リードフレームおよび半導体装置
JP6291713B2 (ja) * 2013-03-14 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム
JP6319644B2 (ja) * 2013-10-01 2018-05-09 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
WO2015145651A1 (ja) * 2014-03-27 2015-10-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
TWI549323B (zh) * 2014-06-04 2016-09-11 日月光半導體製造股份有限公司 半導體導線架封裝及發光二極體封裝
JP6617955B2 (ja) * 2014-09-16 2019-12-11 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP6390011B2 (ja) * 2014-12-25 2018-09-19 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180236696A1 (en) 2018-08-23
CN108461470A (zh) 2018-08-28
TWI733981B (zh) 2021-07-21
CN108461470B (zh) 2022-07-01
US10201917B2 (en) 2019-02-12
TW201842641A (zh) 2018-12-01
JP2018133532A (ja) 2018-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6772087B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP6757274B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
US9779966B2 (en) Lead frame and semiconductor device
JP7044142B2 (ja) リードフレームおよびその製造方法
CN103021993A (zh) 引线框架及其制造方法、半导体器件及其制造方法
JP2014039067A (ja) 半導体装置
JP7193284B2 (ja) リードフレーム及びリードフレームの製造方法
JP6841550B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP2020053420A5 (ja)
JP2011142337A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008113021A (ja) 半導体装置の製造方法
US12581964B2 (en) Lead frame, semiconductor device, and lead frame manufacturing method
JP5997964B2 (ja) リードフレーム
JP4451298B2 (ja) Icカードモジュール体
JP6738676B2 (ja) リードフレーム
JP5884506B2 (ja) 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置の製造方法
JP6705654B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP5574297B2 (ja) リードフレームの製造方法
US20180166368A1 (en) Lead frame
JP6150469B2 (ja) リードフレームの製造方法
CN119108368A (zh) 封装半导体器件和制造方法
JP2004031775A (ja) リードフレーム及びその製造方法
TW201841271A (zh) 引線框架的製造方法及引線框架

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20180209

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180215

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190925

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200828

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200915

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200930

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6772087

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150