JP2014039067A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】メタルシールド板の切断バリによって半導体チップが傷付けられることを防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置５０は、半導体チップ５１と、半導体チップ５１の回路面５１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。メタルシールド板４０は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂを半導体チップ５１の回路面５１Ａ側に向けて配置され、バリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。バリ４２の先端に他方の面４１Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。切断バリ４３は半導体チップ５１の反対側に向かって突出しているので、切断バリ４３により半導体チップ５１の回路面５１Ａが傷付くことがない。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体チップを磁気から保護するメタルシールド板を備えた半導体装置に係り、とりわけメタルシールド板の切断バリによって半導体チップが傷付くことを防止することが可能な半導体装置に関する。

ＭＲＡＭ等の半導体チップを有する半導体装置は、その内部にメタルシールド板が設けられている。このようなメタルシールド板は、半導体装置の半導体チップを半導体装置外部の磁気（磁場）から保護するため、磁気シールド効果のある金属素材から作製される。

このようなメタルシールド板を作製する場合、金属素材をプレス加工することによりメタルシールド板を作製することも考えられる。しかしながら、この場合完成したメタルシールド板に抜きバリと歪みが発生し、このバリが半導体チップの回路面に接し、半導体チップの回路を傷付ける場合があった。このため、プレス加工によりメタルシールド板を作製することは問題があった。

このため、メタルシールド板はエッチング加工法により作製されるのが一般的である。このようなエッチング加工法の一つとして、まず一面にテープ素材を貼着した金属素材を準備し、次にこの金属素材に対して当該一面と反対の面側からエッチング加工を施すことにより個々のメタルシールド板を作製することが考えられる（片面エッチング）。しかしながら、この方法を用いる場合、金属素材両面をエッチングしてメタルシールド板を作製する場合と比較してエッチング加工時間が約２倍となるため、加工時間が長いという問題がある。また、エッチング形状が片側へテーパーした形状となるため、メタルシールド板端部におけるシールド効果が低減するという問題もある。

あるいは、図２４に示すように、メタルシールド用シート１００を用いてメタルシールド板１０１を作製する方法も考えられる。すなわち、まず金属素材の両面からエッチング加工を行ない、次に必要によりアニール処理を施すことにより、メタルシールド用シート１００を作製する。このメタルシールド用シート１００は、メタルシールド板１０１と、メタルシールド板１０１に連結されたブリッジ１０２とを有する。次に、ブリッジ１０２を手作業で切断し、各メタルシールド板１０１を単体毎に分離して専用トレー１０３に載置する。その後、メタルシールド板１０１は、専用トレー１０３に載置された状態で半導体装置の組立て工程に搬送され、半導体装置に組込まれる。

この場合、メタルシールド用シート１００がブリッジ１０２を有しているため、エッチング加工およびアニール処理を容易に行なうことができるという利点がある。しかしながら、メタルシールド板１０１のサイズが比較的小さく、またメタルシールド板１０１を分離して専用トレー１０３に並べる作業は手作業で行なわれるため、この作業に高いコストがかかっている。今後さらにメタルシールド板１０１のサイズが小さくなることも予想されるため、メタルシールド板１０１を専用トレー１０３に並べる作業はますます困難となると考えられる。

特開平９−１３００８２号公報

これに対して、複数のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートを作製し、各メタルシールド板を連結する連結部をブレードによって切断することにより、個々のメタルシールド板に分離することが試みられている。しかしながら、半導体装置の製造工程において、メタルシールド板の連結部に切断バリが生じ、この切断バリが半導体チップや基板に接触した場合、傷等が発生するおそれがある。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、メタルシールド板の切断バリによって半導体チップが傷付けられることを防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。

本発明は、回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備えた半導体装置において、メタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、メタルシールド板は、他方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは半導体チップの反対側に向かって突出していることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、メタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備えた半導体装置において、メタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、メタルシールド板は、一方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成されていることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、メタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、半導体装置において、基板と、基板上に設けられた第１のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板上に設けられ回路面を有する半導体チップと、半導体チップの回路面に設けられた第２のメタルシールド板とを備え、第１のメタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、第１のメタルシールド板は、他方の面を基板側に向けて配置され、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは基板の反対側に向かって突出していることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、第１のメタルシールド板および第２のメタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板は、側面部を介して互いに一体に連結されていることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、半導体装置において、基板と、基板上に設けられた第１のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板上に設けられ回路面を有する半導体チップと、半導体チップの回路面に設けられた第２のメタルシールド板とを備え、第１のメタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、第１のメタルシールド板は、一方の面を基板側に向けて配置され、バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成されていることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、第１のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板との間に半導体チップの載置空間を形成する第２のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板とを連結する側面部とを備えたことを特徴とするシールド部材である。

本発明は、第１のメタルシールド板と、第２のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板とを互いに一体に連結する側面部とにより、横向きの略Ｕ字形状を形成することを特徴とするシールド部材である。

本発明は、第１のメタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、第１のメタルシールド板は、一方の面を半導体チップの載置空間側に向けて配置され、バリは、第１のメタルシールド板のシールド板本体の他方の面側に位置し、バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは半導体チップの載置空間側に向かって突出していることを特徴とするシールド部材である。

本発明は、第２のメタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、第２のメタルシールド板は、一方の面を半導体チップの載置空間側に向けて配置され、バリは、第２のメタルシールド板のシールド板本体の他方の面側に位置し、バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは半導体チップの載置空間側に向かって突出していることを特徴とするシールド部材である。

本発明は、シールド部材と、シールド部材の第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板との間に形成された半導体チップの載置空間に配置された半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置である。

以上のように本発明によれば、半導体装置の製造工程においてバリの先端に形成された切断バリが半導体チップまたは基板に接触することがないので、メタルシールド板の切断バリによって半導体チップが傷付けられることを防止することができる。

図１は、メタルシールド用シートを示す平面図。 図２は、図１のＩ部を拡大して示す斜視図。 図３（ａ）（ｂ）は、それぞれメタルシールド用シートの連結部の変形例を示す図、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図３（ｄ）は、図３（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図。 図４（ａ）（ｂ）は、それぞれメタルシールド板を示す斜視図。 図５（ａ）−（ｄ）は、それぞれ本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略図（１つのメタルシールド板を含む場合）。 図６（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図７（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図５（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図８（ａ）−（ｄ）は、それぞれ本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略図（２つのメタルシールド板を含む場合）。 図９（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１０（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１１（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１２（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１３（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１４（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１５（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１６（ａ）−（ｄ）は、それぞれ図８（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置の変形例を示す概略図。 図１７（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シートの製造方法を示す図。 図１８（ａ）（ｂ）は、メタルシールド板の製造方法を示す断面図。 図１９（ａ）（ｂ）は、メタルシールド板の製造方法を示す断面図。 図２０（ａ）−（ｅ）は、本発明による半導体装置の製造方法を示す概略図。 図２１は、本発明による半導体装置の変形例を示す平面図。 図２２は、本発明による半導体装置の変形例を示す長手方向断面図。 図２３は、本発明による半導体装置の変形例を示す幅方向断面図。 図２４は、従来のメタルシールド板の製造方法を示す図。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。図１乃至図２３は、本発明の一実施の形態を示す図である。

（メタルシールド用シートの構成）
まず図１乃至図３により、メタルシールド用シートの概略について説明する。

図１に示すように、メタルシールド用シート１０は、複数の矩形状の開口２１を有する枠体２０と、枠体２０の開口２１内に配置され、枠体２０に連結部３０を介して連結された複数のメタルシールド板４０とを備えている。このうち枠体２０は、複数の開口２１全体を取り囲む外枠部２２と、隣接する各開口２１間に形成され、互いに平行に配置された複数の細長いステー部２３とを有している。これら枠体２０の外枠部２２、ステー部２３、およびメタルシールド板４０は、互いに同一の厚さからなっている。

図１に示すように、連結部３０は、各メタルシールド板４０の側部にそれぞれ設けられている。すなわち各連結部３０は、メタルシールド板４０の側部と枠体２０のステー部２３（または外枠部２２）とを連結するものである。

また図２に示すように、連結部３０は、その全域にわたりその厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄く形成され、一方の面（図２の下面）３０Ａから他方の面（図２の上面）３０Ｂに向って形成されたエッチング空間３１を有している。

メタルシールド用シート１０は、後述するように一枚の金属板（メタル基板７０）をエッチング加工することにより作製されたものである。すなわちメタルシールド用シート１０の枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０は互いに一体に形成されている。このメタルシールド用シート１０は、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含む材料等、透磁率の高い材料からなることが好ましい。

なお連結部３０の厚みは、メタルシールド板４０の厚みの約１／２程度とすることが好ましい。また、図２において、連結部３０はその全域にわたりその厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄く形成されているが、これに限らず、連結部３０のうち少なくともメタルシールド板４０に隣接する部分においてその厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄ければ良い。例えば、エッチング空間３１の幅は、連結部３０の幅の約１／２程度であっても良く（図３（ａ）（ｃ））、あるいはエッチング空間３１の幅が連結部３０の幅の約３／４程度であっても良い（図３（ｂ）（ｄ））。

（メタルシールド板の構成）
次に図４（ａ）（ｂ）により、メタルシールド板の概略について説明する。

図４（ａ）（ｂ）に示す半導体装置用のメタルシールド板４０は、上述したメタルシールド用シート１０に含まれるものである。すなわちメタルシールド板４０は、後述するようにメタルシールド用シート１０の連結部３０を切断して、枠体２０から分離することにより作製されたものである。

このような構成からなるメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含む矩形状のシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ、具体的には接続部を切断した残り４２とを備えている。

このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置するとともに、一方の面４２Ａと他方の面４２Ｂとを有している。すなわちバリ４２の他方の面４２Ｂは、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂと同一平面上に設けられている。他方、バリ４２の一方の面４２Ａは、シールド板本体４１の一方の面４１Ａより他方の面４１Ｂ側に位置している。すなわちバリ４２の厚さはシールド板本体４１の厚さより薄い。なおバリ４２は、上述したメタルシールド用シート１０の連結部３０の一部に相当する。

ところで図４（ａ）は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側から連結部３０を切断した場合（図１８（ａ）（ｂ）参照）のメタルシールド板４０を示している。図４（ａ）において、各バリ４２の先端には、他方の面４１Ｂ、４２Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。この場合、切断バリ４３は、連結部３０を切断する方向と反対の方向、すなわちシールド板本体４１の一方の面４１Ａ方向（図４（ａ）の下方）に突出している。

一方、図４（ｂ）は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａ側から連結部３０を切断した場合（図１９（ａ）（ｂ）参照）のメタルシールド板４０を示している。図４（ｂ）において、各バリ４２の先端には、他方の面４１Ｂ、４２Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。この場合、切断バリ４３は、連結部３０を切断する方向と反対の方向、すなわちシールド板本体４１の他方の面４１Ｂ方向（図４（ｂ）の上方）に突出している。

なお、図４（ａ）（ｂ）において、切断バリ４３の高さは、２０μｍ乃至３０μｍ程度である。

メタルシールド板４０の大きさは問わないが、後述するように半導体装置を製造する工程の前にメタルシールド板４０を手作業で専用トレーへ載置する必要がないので、メタルシールド板４０の一辺を例えば１ｍｍ乃至３ｍｍ程度まで小さくすることもできる。またメタルシールド板４０の厚みは５０μｍ乃至２００μｍとすることが好ましく、１００μｍ乃至１５０μｍとすることが更に好ましい。メタルシールド板４０の厚みが５０μｍ未満となると外部の磁気から半導体チップを十分に保護できない。他方、メタルシールド板４０の厚みが２００μｍ超となると半導体装置全体の厚さが厚くなるので好ましくない。

（半導体装置の構成）
次に図５乃至図１６により、本発明による半導体装置の概略について説明する。まず図５乃至図７により、１つのメタルシールド板を含む半導体装置の概略について説明する。

なお図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は、半導体装置がＳＯＰ（Small Outline Packageの略）からなる場合を示す図であり、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は、半導体装置がＢＧＡ（Ball GridArray Packageの略）からなる場合を示す図であり、図５（ｃ）、図６（ｃ）、図７（ｃ）、図５（ｄ）、図６（ｄ）、図７（ｄ）は、半導体装置がＤＦＮ（Dual Flat No-lead Packageの略）からなる場合を示す図である。

このうち図５（ａ）に示すＳＯＰからなる半導体装置５０は、ダイパッド（基板）５２と、ダイパッド５２に載置され、回路面５１Ａを有する半導体チップ５１と、半導体チップ５１の回路面５１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ５１は、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。

メタルシールド板４０は、上述したように、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またメタルシールド板４０は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂを半導体チップ５１の回路面５１Ａ側に向けるように配置されている。

また半導体チップ５１の回路面５１Ａとリードフレーム５４とは、金製のボンディングワイヤ５５により電気的に接続されている。さらにダイパッド５２、半導体チップ５１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ５５は、封止樹脂５６により封止されている。

ところで図５（ａ）に示すように、メタルシールド板４０は、バリ４２が半導体チップ５１の回路面５１Ａに当接するように半導体チップ５１上に載置されている。この場合、メタルシールド板４０としては、切断バリ４３が一方の面４１Ａ側に突出するものが用いられる（図４（ａ）参照）。この結果、切断バリ４３は半導体チップ５１の反対側に向かって突出する。したがって、半導体装置５０の製造工程において、メタルシールド板４０の切断バリ４３によって半導体チップ５１の回路面５１Ａが傷付けられるおそれがない。

一方、図５（ｂ）に示すＢＧＡからなる半導体装置６０は、パッケージ基板６７と、パッケージ基板６７上に設けられたダイパッド（基板）６２と、ダイパッド６２に載置され、回路面６１Ａを有する半導体チップ６１と、半導体チップ６１の回路面６１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ６１は、上述した半導体チップ５１と同様、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。

メタルシールド板４０は、上述したように、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またメタルシールド板４０は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂを半導体チップ６１の回路面６１Ａ側に向けるように配置されている。

またパッケージ基板６７上に端子部６４が設けられ、端子部６４にはんだボール６８が電気的に接続されている。このはんだボール６８は、パッケージ基板６７から外方に突出している。また端子部６４と半導体チップ６１の回路面６１Ａとは、金製のボンディングワイヤ６５により電気的に接続されている。さらにダイパッド６２、半導体チップ６１、メタルシールド板４０、端子部６４、およびボンディングワイヤ６５は、封止樹脂６６により封止されている。

図５（ｂ）に示すように、メタルシールド板４０は、バリ４２が半導体チップ６１の回路面６１Ａに当接するように半導体チップ６１上に載置されている。この場合、メタルシールド板４０としては、切断バリ４３が一方の面４１Ａ側に突出するものが用いられる（図４（ａ）参照）。この結果、切断バリ４３は半導体チップ６１の反対側に向かって突出する。したがって、半導体装置６０の製造工程において、メタルシールド板４０の切断バリ４３によって半導体チップ６１の回路面６１Ａが傷付けられるおそれがない。

また、図５（ｃ）に示すＤＦＮからなる半導体装置９０は、ダイパッド（基板）９２と、ダイパッド９２に載置され、回路面９１Ａを有する半導体チップ９１と、半導体チップ９１の回路面９１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ９１は、上述した半導体チップ５１、６１と同様、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。

メタルシールド板４０は、上述したように、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またメタルシールド板４０は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂを半導体チップ９１の回路面９１Ａ側に向けるように配置されている。

また半導体チップ９１の回路面９１Ａとリードフレーム９４とは、金製のボンディングワイヤ９５により電気的に接続されている。さらにダイパッド９２の一部、リードフレーム９４の一部、半導体チップ９１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ９５は、封止樹脂９６により封止されている。

図５（ｃ）に示すように、メタルシールド板４０は、バリ４２が半導体チップ９１の回路面９１Ａに当接するように半導体チップ９１上に載置されている。この場合、メタルシールド板４０としては、切断バリ４３が一方の面４１Ａ側に突出するものが用いられる（図４（ａ）参照）。この結果、切断バリ４３は半導体チップ９１の反対側に向かって突出する。したがって、半導体装置９０の製造工程において、メタルシールド板４０の切断バリ４３によって半導体チップ９１の回路面９１Ａが傷付けられるおそれがない。

なお、図５（ｄ）に示すように、ダイパッド９２およびリードフレーム９４の下面と、封止樹脂９６の下面とが、同一平面上に位置するようにしても良い。このほか、図５（ｄ）に示す半導体装置９０の構成は、図５（ｃ）に示す半導体装置９０の構成と同一である。

図５（ａ）−（ｄ）において、メタルシールド板４０は、他方の面４１Ｂを半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に向けるように配置されている。しかしながら、これに限らず、図６（ａ）−（ｄ）および図７（ａ）−（ｄ）に示すように、メタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に向けて配置されていてもよい。

この場合、メタルシールド板４０の切断バリ４３の向きは問わない。すなわち図６（ａ）−（ｄ）に示すように、切断バリ４３が半導体チップ５１、６１、９１側に向かって突出していても良い。この場合、切断バリ４３がメタルシールド板４０の他方の面４１Ｂより上方に突出しないため、メタルシールド板４０の上方に形成する封止樹脂５６、６６、９６を薄くすることができ、半導体装置５０、６０、９０全体の厚みを薄くすることができる。さらに図６（ｂ）−（ｄ）のように、パッケージ基板６７またはダイパッド９２の一方の面にのみ樹脂モールドするパッケージ構造の場合は、封止樹脂６６、９６の密着性が向上し、封止樹脂６６、９６がパッケージ基板６７またはダイパッド９２からはがれることを防止する効果もある。

あるいは図７（ａ）−（ｄ）に示すように、切断バリ４３が半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出していても良い。この場合、切断バリ４３が上方を向くように形成されているので、半導体チップ５１、６１、９１の端子部がバリ４２に近接している場合であっても、ワイヤボンディングがしやすく、ワイヤボンディング時の接続信頼性が向上する。

いずれの場合であっても、切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａから離れて位置している。したがって、切断バリ４３によって半導体チップ９１の回路面９１Ａが傷付けられるおそれがない。なお、図６（ａ）−（ｄ）および図７（ａ）−（ｄ）において、図５（ａ）−（ｄ）に示す実施の形態と同一部分は同一符号を付してある。

なお図５乃至図７において、メタルシールド板４０と封止樹脂５６、６６、９６との密着性を向上させるために、メタルシールド板４０のシールド板本体４１の面４１Ａ、４１Ｂのうち、半導体チップ５１、６１、９１の反対側を向く面（すなわち図５（ａ）−（ｄ）における一方の面４１Ａ、ならびに図６（ａ）−（ｄ）および図７（ａ）−（ｄ）における他方の面４１Ｂ）にのみ、粗化処理（エッチング粗化もしくは粗化めっき）またはエッチングによるディンプル加工もしくはダブルディンプル加工を施しても良い。

図５乃至図７において、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に１つのメタルシールド板４０が設けられている。しかしながらこれに限らず、図８乃至図１６に示すように、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ上のメタルシールド板４０に加え、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａと反対側の面５１Ｂ、６１Ｂ、９１Ｂにも追加のメタルシールド板４０Ａが設けられていても良い。なお以下において、回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａと反対側の面５１Ｂ、６１Ｂ、９１Ｂに設けられた追加のメタルシールド板４０Ａを第１のメタルシールド板４０Ａといい、回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に設けられたメタルシールド板４０を第２のメタルシールド板４０という。

図８乃至図１６に示す半導体装置５０、６０、９０は、２つのメタルシールド板４０、４０Ａを設けた点が異なるものであり、他の構成は図５乃至図７に示す半導体装置５０、６０、９０と略同一である。図８乃至図１６において、図５乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

すなわち図８乃至図１６に示すように、半導体装置５０、６０、９０は、基板（もしくはダイパッド）５２、６２、９２と、基板５２、６２、９２上に設けられた第１のメタルシールド板４０Ａと、第１のメタルシールド板４０Ａ上に設けられ回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａを有する半導体チップ５１、６１、９１を備えている。半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ上には、第２のメタルシールド板４０が設けられている。

なお図８乃至図１６に示す第１のメタルシールド板４０Ａおよび第２のメタルシールド板４０の構成は、図４（ａ）（ｂ）を用いて既に説明したメタルシールド板４０の構成と同様である。

すなわち、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１から側方に向って突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またバリ４２の先端に他方の面４１Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。

同様に、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１から側方に向って突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側に位置している。またバリ４２の先端に他方の面４１Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。

次に、図８乃至図１６に示す実施の形態それぞれについて、とりわけ第１のメタルシールド板４０Ａおよび第２のメタルシールド板４０の位置関係を中心に説明する。

図８（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、他方の面４１Ｂを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、他方の面４１Ｂを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。

図９（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、他方の面４１Ｂを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している（図４（ｂ）参照）。この場合、切断バリ４３が上方を向くように形成されているので、半導体チップ５１、６１、９１の端子部がバリ４２に近接している場合であっても、ワイヤボンディングがしやすく、ワイヤボンディング時の接続信頼性が向上する。

図１０（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、他方の面４１Ｂを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。この場合、切断バリ４３がメタルシールド板４０の他方の面４１Ｂより上方に突出しないため、メタルシールド板４０の上方に形成する封止樹脂５６、６６、９６を薄くすることができ、半導体装置５０、６０、９０全体の厚みを薄くすることができる。さらに図１０（ｂ）−（ｄ）のように、パッケージ基板６７またはダイパッド９２の一方の面にのみ樹脂モールドするパッケージ構造の場合は、封止樹脂６６、９６の密着性が向上し、封止樹脂６６、９６がパッケージ基板６７またはダイパッド９２からはがれることを防止する効果もある。

図１１（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、他方の面４１Ｂを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。

図１２（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している（図４（ｂ）参照）。この場合、切断バリ４３が上方を向くように形成されているので、半導体チップ５１、６１、９１の端子部がバリ４２に近接している場合であっても、ワイヤボンディングがしやすく、ワイヤボンディング時の接続信頼性が向上する。

図１３（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。この場合、切断バリ４３がメタルシールド板４０の他方の面４１Ｂより上方に突出しないため、メタルシールド板４０の上方に形成する封止樹脂５６、６６、９６を薄くすることができ、半導体装置５０、６０、９０全体の厚みを薄くすることができる。さらに図１３（ｂ）−（ｄ）のように、パッケージ基板６７またはダイパッド９２の一方の面にのみ樹脂モールドするパッケージ構造の場合は、封止樹脂６６、９６の密着性が向上し、封止樹脂６６、９６がパッケージ基板６７またはダイパッド９２からはがれることを防止する効果もある。

図１４（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している（図４（ｂ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、他方の面４１Ｂを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。

図１５（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している（図４（ｂ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している（図４（ｂ）参照）。この場合、切断バリ４３が上方を向くように形成されているので、半導体チップ５１、６１、９１の端子部がバリ４２に近接している場合であっても、ワイヤボンディングがしやすく、ワイヤボンディング時の接続信頼性が向上する。

図１６（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、一方の面４１Ａを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している（図４（ｂ）参照）。一方、第２のメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１側に向かって突出している（図４（ａ）参照）。この場合、切断バリ４３がメタルシールド板４０の他方の面４１Ｂより上方に突出しないため、メタルシールド板４０の上方に形成する封止樹脂５６、６６、９６を薄くすることができ、半導体装置５０、６０、９０全体の厚みを薄くすることができる。さらに図１６（ｂ）−（ｄ）のように、パッケージ基板６７またはダイパッド９２の一方の面にのみ樹脂モールドするパッケージ構造の場合は、封止樹脂６６、９６の密着性が向上し、封止樹脂６６、９６がパッケージ基板６７またはダイパッド９２からはがれることを防止する効果もある。

なお図８乃至図１６において、第２のメタルシールド板４０より半導体チップ５１、６１、９１の方が大きく、かつ半導体チップ５１、６１、９１より第１のメタルシールド板４０Ａの方が大きい。しかしながら、第２のメタルシールド板４０、半導体チップ５１、６１、９１、および第１のメタルシールド板４０Ａの大小関係はこれに限らない。

例えば、半導体チップ５１、６１、９１より第１のメタルシールド板４０Ａが小さくても良い。この場合、図８乃至図１３のように構成することにより、第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３が半導体チップ５１、６１、９１に接触しない。このため、切断バリ４３によって半導体チップ５１、６１、９１が傷付けられることはない。

他方、図１４乃至図１６のように構成する場合には、半導体チップ５１、６１、９１より第１のメタルシールド板４０Ａを大きくする。これにより、第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３が半導体チップ５１、６１、９１に接触することを防止し、半導体チップ５１、６１、９１が傷付くことを防止することができる。

また図８乃至図１６において、第２のメタルシールド板４０と封止樹脂５６、６６、９６との密着性を向上させるために、第２のメタルシールド板４０のシールド板本体４１の面４１Ａ、４１Ｂのうち、半導体チップ５１、６１、９１の反対側を向く面（すなわち図８（ａ）−（ｄ）、図１１（ａ）−（ｄ）、および図１４（ａ）−（ｄ）における一方の面４１Ａ、ならびに図９（ａ）−（ｄ）、図１０（ａ）−（ｄ）、図１２（ａ）−（ｄ）、図１３（ａ）−（ｄ）、図１５（ａ）−（ｄ）、および図１６（ａ）−（ｄ）における他方の面４１Ｂ）にのみ、粗化処理（エッチング粗化もしくは粗化めっき）またはエッチングによるディンプル加工もしくはダブルディンプル加工を施しても良い。

次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。

（メタルシールド用シートの製造方法）
まず、半導体装置用のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートを製造する方法について、図１７（ａ）−（ｅ）により説明する。なお図１７（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シート１０の連結部３０周辺を拡大して示す図である。

図１７（ａ）に示すように、まずメタルシールド用シート１０を製造するためのメタル基板７０を準備する。このメタル基板７０は、上述したように透磁率の高い金属からなることが好ましく、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含んでいる。

次に、メタル基板７０の一方の面７０Ａ全体にレジスト層７１を設けるととともに、他方の面７０Ｂ全体にレジスト層７２を設ける（図１７（ｂ））。

次いで、レジスト層７１、７２に各々所定形状からなるパターンを形成する（図１７（ｃ））。この場合、例えば露光用マスクを介してレジスト層７１、７２を露光し、硬化させ、次いでレジスト層７１、７２を現像し、その後レジスト層７１、７２の不要部分を除去することにより、各レジスト層７１、７２に所定のパターンを形成することができる。

この際、メタル基板７０の一方の面７０Ａ側に設けられたレジスト層７１のうち、メタルシールド用シート１０の連結部３０に対応する部分７１Ａのレジスト層７１を除去し、メタル基板７０を露出させる。これに対して、メタル基板７０の他方の面７０Ｂ側に設けられたレジスト層７２のうち、連結部３０に対応する部分７２Ａのレジスト層７２を残存させる。

次に、メタル基板７０の両面７０Ａ、７０Ｂにエッチング加工を施し、メタル基板７０のうちレジスト層７１、７２が設けられていない部分を除去する（図１７（ｄ））。メタル基板７０のうちこのようにして除去された部分は、主にメタルシールド用シート１０の枠体２０の開口２１に対応する。一方、メタル基板７０のうち除去されなかった部分は、メタルシールド用シート１０の枠体２０、連結部３０、およびメタルシールド板４０に対応する。なお、このエッチング加工で用いられるエッチング液としては、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液、および銅アンモニウム錯イオンを含むアルカリ水溶液などが挙げられる。

メタル基板７０にエッチング加工を施す際、連結部３０に対応する部分には、メタル基板７０の一方の面７０Ａから他方の面７０Ｂにハーフエッチング加工が施される。このハーフエッチング加工により、メタルシールド用シート１０の連結部３０は、その厚みがメタルシールド板４０の厚さより薄く形成され、一方の面３０Ａから他方の面３０Ｂに向ってエッチング空間３１が形成される。

その後、レジスト層７１、７２を除去することにより、上述したメタルシールド用シート１０が得られる（図１７（ｅ））。

なお、その後メタルシールド用シート１０を５００℃乃至１１００℃の温度で熱処理し、メタルシールド用シート１０の磁気シールド効果を更に高めても良い。またレジスト層７１、７２を除去した後、洗浄工程、検査工程、およびアニール処理工程が適宜設けられていても良い。

（メタルシールド板および半導体装置の製造方法）
次に、メタルシールド用シートを用いてメタルシールド板を製造する方法、および半導体装置を製造する方法について、図１７乃至図２０を用いて説明する。

まず上述した工程により、図１に示すメタルシールド用シート１０を作製する（図１７（ａ）−（ｅ））。次に、このようにして作製されたメタルシールド用シート１０を半導体装置５０、６０、９０の組立て工程に搬送する。

この半導体装置５０、６０、９０の組立て工程において、まずメタルシールド用シート１０をソーイング用固定テープ８１上に載置して固定する（図１８参照）。なお図１８は、メタルシールド用シート１０の連結部３０周辺における断面図である。

次に、ダイヤモンド砥石等からなるブレード８０によって、他方の面３０Ｂ側から連結部３０を切断する。これによりメタルシールド板４０が枠体２０から分離される（ソーイング（sawing）工程）。このようにして、メタルシールド用シート１０からメタルシールド板４０（図４（ａ）参照）を製造することができる。

この際、連結部３０の一方の面３０Ａから他方の面３０Ｂに向ってエッチング空間３１が形成されているので、連結部３０を切断する際のブレード８０の切断負荷を約半分に減少させることができる。

なお、メタルシールド板４０を枠体２０から分離する工程において、図１８（ｂ）に示すようにブレード８０により連結部３０を各々切断しても良いが、図１８（ａ）に示すように、ステー部２３より幅広のブレード８０を用いて、ステー部２３および連結部３０を一体として切断することが好ましい。すなわちブレード８０をステー部２３の長手方向に沿って移動させることにより（図１の線分Ｌ参照）、ステー部２３と、このステー部２３の両側に位置する連結部３０、３０とを一度に連続して切断することが作業の効率化を図るうえで好ましい。

図１８（ａ）（ｂ）に示すように、ブレード８０を用いてシールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側から連結部３０を切断した場合、切断バリ４３は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａ方向に突出するように形成される（図４（ａ）参照）。

他方、図１９（ａ）（ｂ）に示すように、ブレード８０を用いてシールド板本体４１の一方の面４１Ａ側から連結部３０を切断しても良い。この場合、切断バリ４３は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂ方向に突出するように形成される（図４（ｂ）参照）。

その後、半導体装置５０、６０、９０の組立て工程において、このようにして製造されたメタルシールド板４０を用いて、上述した半導体装置５０、６０、９０が製造される。

以下、ＳＯＰからなる半導体装置５０（図５（ａ））の場合を例にとって、半導体装置の製造方法について説明する。なお、このほかの半導体装置５０、６０、９０（図５（ｂ）（ｃ）、図６乃至図１６）についても、略同様の方法で製造することができる。

まず、図２０（ａ）に示すように、ダイパッド５２とリードフレーム５４を準備する。次に、ダイパッド５２上面に、両面接着テープまたはＡｇペースト等のダイボンド材を介して半導体チップ５１を固着して搭載する（図２０（ｂ））。続いて、各半導体チップ５１の回路面５１Ａとリードフレーム５４とを金製のボンディングワイヤ５５により電気的に接続する（図２０（ｃ））。

次に、半導体チップ５１上にメタルシールド板４０を載置して固着する（図２０（ｄ））。この場合、メタルシールド板４０としては、切断バリ４３が一方の面４１Ａ側に向かって突出するものを用いる（図４（ａ）参照）。また、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂが半導体チップ５１の回路面５１Ａ側にくるように、メタルシールド板４０を半導体チップ５１上に載置する。この結果、切断バリ４３は半導体チップ５１の反対側に向かって突出する。したがって、切断バリ４３が半導体チップ５１に接触することがなく、切断バリ４３によって半導体チップ５１の回路面５１Ａが傷付けられるおそれがない。

その後、封止樹脂５６によりダイパッド５２、半導体チップ５１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ５５を封止することにより、図５（ａ）に示す半導体装置５０が得られる（図２０（ｅ））。

このように本実施の形態によれば、メタルシールド板４０（第１のメタルシールド板４０Ａ、第２のメタルシールド板４０）を半導体装置５０、６０、９０内に組込んだ際、切断バリ４３が半導体チップ５１、６１、９１や基板５２、６２、９２に接触することがない。このことにより、切断バリ４３によって半導体チップ５１、６１、９１や基板５２、６２、９２が傷付けられることを防止することができる。

また本実施の形態によれば、メタルシールド板４０は、半導体装置５０、６０、９０の組立て工程においてブレード８０により枠体２０から分離される。したがって、従来のように半導体装置５０、６０、９０を製造する工程の前にメタルシールド板４０を手作業で専用トレーへ載置する必要がない。これにより、専用トレーが必要なくなるとともに、作業時間を短縮することができ、かつ製造コストを削減することができる。

（変形例）
次に図２１乃至図２３を用いて、本実施の形態による半導体装置の変形例について説明する。図２１乃至図２３は、本実施の形態による半導体装置の変形例を示す図である。

図２１乃至図２３において、半導体装置１２０は、基板（ダイパッド）１２２と、基板１２２上に設けられた第１のメタルシールド板１２３と、第１のメタルシールド板１２３上に設けられ回路面１２１Ａを有する半導体チップ１２１とを備えている。半導体チップ１２１の回路面１２１Ａ上には、第２のメタルシールド板１３３が設けられている。すなわち、第１のメタルシールド板１２３と第２のメタルシールド板１３３との間に半導体チップ１２１の載置空間１３８が形成されており、半導体チップ１２１はこの載置空間１３８に配置されている。

第１のメタルシールド板１２３は、一方の面１２４Ａと他方の面１２４Ｂとを含むシールド板本体１２４と、シールド板本体１２４から側方に向って突出するバリ１２５とを有している。第１のメタルシールド板１２３は、他方の面１２４Ｂを基板１２２側に向けるとともに、一方の面１２４Ａを半導体チップ１２１（載置空間１３８）側に向けて配置されている。バリ１２５は、シールド板本体１２４の他方の面１２４Ｂ側に位置している。またバリ１２５の先端に他方の面１２４Ｂに対して直交する方向に切断バリ１２６が形成され、切断バリ１２６は基板１２２の反対側、すなわち半導体チップ１２１（載置空間１３８）側に向かって突出している。

第２のメタルシールド板１３３は、一方の面１３４Ａと他方の面１３４Ｂとを含むシールド板本体１３４と、シールド板本体１３４から側方に向って突出するバリ１３５とを有している。第２のメタルシールド板１３３は、一方の面１３４Ａを半導体チップ１２１（載置空間１３８）側に向けて配置され、バリ１３５は、シールド板本体１３４の他方の面１３４Ｂ側に位置している。またバリ１３５の先端に他方の面１３４Ｂに対して直交する方向に切断バリ１３６が形成され、切断バリ１３６は半導体チップ１２１（載置空間１３８）側に向かって突出している。

また半導体チップ１２１の回路面１２１Ａとリードフレーム（リード部）１４１とは、金製のボンディングワイヤ１４２により電気的に接続されている。さらに基板１２２、半導体チップ１２１、第１のメタルシールド板１２３、第２のメタルシールド板１３３、およびボンディングワイヤ１４２は、封止樹脂１４３により封止されている。

図２１乃至図２３において、第１のメタルシールド板１２３と第２のメタルシールド板１３３は、側面部１２７を介して互いに一体に連結され、横向きの略Ｕ字形状のシールド部材１３０を構成している。この場合、略Ｕ字形状のシールド部材１３０により、垂直方向および水平方向のいずれからの磁界も効果的に吸収することができる。

図２１に示すように、第１のメタルシールド板１２３は、第２のメタルシールド板１３３より大きく構成されている。また第２のメタルシールド板１３３は、幅方向（図２１の上下方向）において半導体チップ１２１より小さく構成され、長手方向（図２１の横方向）において半導体チップ１２１より若干大きく構成されている。さらに側面部１２７の高さ（図２２の上下方向）は、半導体チップ１２１の厚みと略同等である。

なお、第２のメタルシールド板１３３と封止樹脂１４３との密着性を向上させるために、第２のメタルシールド板１３３のシールド板本体１３４の面１３４Ａ、１３４Ｂのうち、半導体チップ１２１の反対側を向く面である他方の面１３４Ｂにのみ、粗化処理（エッチング粗化もしくは粗化めっき）またはエッチングによるディンプル加工もしくはダブルディンプル加工を施しても良い。

このようなシールド部材１３０を作製する場合、まず第１のメタルシールド板１２３と、側面部１２７と、第２のメタルシールド板１３３とを含む平面基板（図示せず）を準備する。この平面基板は、透磁率の高い金属、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含んでいる。次いで、この平面基板を略Ｕ字形状に折り曲げることにより、図２１乃至図２３に示すシールド部材１３０を作製することができる。なお、平面基板において、第１のメタルシールド板１２３と側面部１２７との間、および側面部１２７と第２のメタルシールド板１３３との間に、それぞれ折り曲げを容易にするための折り曲げ筋を、予めハーフエッチングにより形成しておくことが好ましい。

なお、図２１乃至図２３において、第１のメタルシールド板１２３は、シールド板本体１２４から側方に向って突出するバリ１２５を有し、第２のメタルシールド板１３３は、シールド板本体１３４から側方に向って突出するバリ１３５を有しているが、これに限られるものではない。すなわちシールド部材１３０の製法によっては、第１のメタルシールド板１２３がバリ１２５を有さず、第２のメタルシールド板１３３がバリ１３５を有さなくてもよい。

Claims (14)

1. 回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備えた半導体装置において、
   メタルシールド板は、
   一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
   シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
   メタルシールド板は、他方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、
   バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
   バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは半導体チップの反対側に向かって突出していることを特徴とする半導体装置。
2. メタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備えた半導体装置において、
   メタルシールド板は、
   一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
   シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
   メタルシールド板は、一方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、
   バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
   バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. メタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
5. 半導体装置において、
   基板と、
   基板上に設けられた第１のメタルシールド板と、
   第１のメタルシールド板上に設けられ回路面を有する半導体チップと、
   半導体チップの回路面に設けられた第２のメタルシールド板とを備え、
   第１のメタルシールド板は、
   一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
   シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
   第１のメタルシールド板は、他方の面を基板側に向けて配置され、
   バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
   バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは基板の反対側に向かって突出していることを特徴とする半導体装置。
6. 第１のメタルシールド板および第２のメタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
7. 第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板は、側面部を介して互いに一体に連結されていることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。
8. 半導体装置において、
   基板と、
   基板上に設けられた第１のメタルシールド板と、
   第１のメタルシールド板上に設けられ回路面を有する半導体チップと、
   半導体チップの回路面に設けられた第２のメタルシールド板とを備え、
   第１のメタルシールド板は、
   一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、
   シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
   第１のメタルシールド板は、一方の面を基板側に向けて配置され、
   バリは、シールド板本体の他方の面側に位置し、
   バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成されていることを特徴とする半導体装置。
9. 第１のメタルシールド板および第２のメタルシールド板は、Ｆｅ−Ｎｉ合金を含む材料からなることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
10. 第１のメタルシールド板と、
    第１のメタルシールド板との間に半導体チップの載置空間を形成する第２のメタルシールド板と、
    第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板とを連結する側面部とを備えたことを特徴とするシールド部材。
11. 第１のメタルシールド板と、第２のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板とを互いに一体に連結する側面部とにより、横向きの略Ｕ字形状を形成することを特徴とする請求項１０記載のシールド部材。
12. 第１のメタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
    第１のメタルシールド板は、一方の面を半導体チップの載置空間側に向けて配置され、
    バリは、第１のメタルシールド板のシールド板本体の他方の面側に位置し、
    バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは半導体チップの載置空間側に向かって突出していることを特徴とする請求項１０または１１記載のシールド部材。
13. 第２のメタルシールド板は、一方の面と他方の面とを含むシールド板本体と、シールド板本体から側方に向って突出するバリとを有し、
    第２のメタルシールド板は、一方の面を半導体チップの載置空間側に向けて配置され、
    バリは、第２のメタルシールド板のシールド板本体の他方の面側に位置し、
    バリの先端に他方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは半導体チップの載置空間側に向かって突出していることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項記載のシールド部材。
14. 請求項１０乃至１３のいずれか一項記載のシールド部材と、
    シールド部材の第１のメタルシールド板と第２のメタルシールド板との間に形成された半導体チップの載置空間に配置された半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。

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