JP2004228264A - リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】インナーリードが短い場合であってもテーピングを可能にする。
【解決手段】平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体形成領域の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されているリードフレーム或いは半導体装置において、前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。また、平面形状が略長方形形状の封止体の各辺に沿って複数のリードが配置されている場合に、前記封止体の長辺側に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記封止体の短辺側に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。上述した構成によれば、封止体のサイズが小さな半導体装置であってもテーピングが可能となる。
【選択図】 図１
【解決手段】平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体形成領域の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されているリードフレーム或いは半導体装置において、前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。また、平面形状が略長方形形状の封止体の各辺に沿って複数のリードが配置されている場合に、前記封止体の長辺側に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記封止体の短辺側に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。上述した構成によれば、封止体のサイズが小さな半導体装置であってもテーピングが可能となる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置のリードの変形防止に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造では、単結晶シリコン等のウェハに設けられた複数の素子形成領域に、半導体素子或いは配線パターンを一括して形成して所定の回路を構成し、隣接する素子形成領域間のスクライビング領域にてウェハを切断して、夫々の素子形成領域を個々の半導体チップとして分離するダイシングを行い、こうして分離された個々の半導体チップが、例えばベース基板或いはリードフレームに固定するダイボンディング及びワイヤボンディング等の実装工程及び樹脂封止等の封止工程を経て半導体装置として完成する。
【０００３】
半導体装置では、同一の半導体チップであっても、その目的用途に応じて種々の実装形態が採用されており、半導体装置として、樹脂を用いた封止体によって半導体チップを覆い、封止体から四方に延在するリードを外部端子とするＱＦＰ型等の半導体装置が、外部端子数が多く、製造が比較的容易で低コストであることから広く用いられている。
【０００４】
ＬＳＩ等の半導体装置は、集積度の向上に伴って、より複雑な回路が搭載されその機能も高度なものとなっている。このような高機能化によって、半導体装置にはより多くの外部端子が必要となり、半導体チップに設けられるパッド電極及び半導体装置のリードの数もそれに対応して増加している。このような多リード化に適した半導体装置として、半導体チップを封止する封止体の四側面に夫々複数のリードを設けるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が知られている。
【０００５】
半導体装置では、微細化の進展に伴い、半導体チップ面積に対して搭載する回路の規模を拡大する高集積化が行なわれており、こうした高集積化によって搭載されるより多くの回路のために、より多くの接続端子が半導体装置に求められている。例えば半導体記憶装置では、微細化の進展により大容量化が進み、大容量のデータを高速で処理するためにバス幅が拡大され、より多くの外部端子が必要となっている。
【０００６】
こうした接続端子の増加に対応するために、ＱＦＰ型の半導体装置ではインナーリードの微細化が進められており、インナーリードの幅がより細くされ、このためインナーリードの強度が低下し容易に変形してしまう。加えて、インナーリードのピッチも狭められているため、前記変形によって他のインナーリードとの接触による短絡等の不良が発生する。例えば、樹脂モールド時に、金型に付着したレジンバリがインナーリードに接触し、インナーリードをシフトさせて短絡させることがある。
【０００７】
こうした不良を防止するために、複数のインナーリードを絶縁性のテープに接着させて一体化し、変形を防止するテーピングが行なわれている。
【０００８】
【特許文献】
特開２００１−７７２８９号公報
例えば前記特許文献には、こうした絶縁性のテープをインナーリードの固定とともにインナーリードをメッキする際のマスクとしても活用する技術が記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
こうしたテーピングを行なうためにはテープの幅に加えてボンディングのためのスペース、ボンディングの際にインナーリードを押えるフレーム押えのためのスペースが必要となる。しかしながら、半導体装置の外形寸法を小さくするために、封止体のサイズは縮小されており、これに伴いインナーリードの長さが縮小されてテーピングに必要な長さを確保することができずに、テーピングを行なうことができない場合がある。
【００１０】
本発明の課題は、こうした問題を解決し、インナーリードが短い場合であってもテーピングを可能にする技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体形成領域の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されているリードフレームにおいて、前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。
【００１２】
また、平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置において、前記封止体の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。
【００１３】
また、平面形状が略長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置において、前記封止体の長辺側に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記封止体の短辺側に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。
【００１４】
また、平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置の製造方法において、前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭いリードフレームを用意し、前記リードフレームに半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップのパッドと前記インナーリードとを接続する工程と、前記半導体チップ及びインナーリードを樹脂封止する工程とを有する。
【００１５】
上述した本発明によれば、封止体のサイズが小さな半導体装置であってもテーピングが可能となり、インナーリードの変形による不良の発生を防止することができる。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームを示す平面図である。
このリードフレームでは、平面形状が略正方形形状の封止体形成領域ａ（図中二点鎖線にて示す）の周囲にダムバー１が配置されており、封止体形成領域ａの各辺に沿って配置された複数のリード２が、ダムバー１によって一体化されている。夫々のリード２は封止体内部で半導体チップと接続されるインナーリード２ａと、封止体から延在し実装基板等との接続に用いられるアウターリード２ｂとからなっている。
【００１８】
このリードフレームでは、半導体チップを固定するタブ３が封止体形成領域ａの中央に設けられており、タブ３は封止体形成領域ａの四隅でダムバー１と一体化されるタブ吊りリード４によって支持されている。リードフレームは、例えばＦｅ‐Ｎｉ系合金或いはＣｕ系合金の板材からプレス加工或いはエッチング加工によって形成される。
【００１９】
リード２のインナーリード２ａは封止体形成領域ａ内にて絶縁性のテープ５に夫々が接続されており、本実施の形態では封止体形成領域ａの各辺の中央に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅が、前記各辺の端に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅よりも狭くしてある。即ち、インナーリード２ａの長さに対応させてテープ５の幅を変化させてある。
【００２０】
インナーリード２ａは、先端からアウターリード２ｂ接続部へ向かってその幅及び間隔を拡大させてあるため、ダムバー１に対して垂直に延びる前記各辺の中央に位置するインナーリード２ａは、ダムバー１に対して斜めに延びる前記各辺の端に位置するインナーリード２ａよりも長さが短くなる。インナーリード２ａは、その長さが長くなる程、ダムバー１からの距離が大きくなり強度が低下し、加えて樹脂封止の際に流入する樹脂により加えられる力も大きくなり、その結果として変形が生じやすくなる。
【００２１】
テープ５によってインナーリード２ａを固定する場合に、インナーリード２ａとテープ５との接着面積を広くすることによって強度を増加させることができるので、各辺の中央に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅が、前記各辺の端に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅よりも狭くすることによって、強度が必要となる端に位置するインナーリード２ａの強度を維持したままで、中央に位置する短いインナーリード２ａのテープ５への接着を可能にすることができる。
【００２２】
従来はこれらの点に無関係に、すべてのインナーリード２ａを同じ幅のテープ５に接続していた。このため、中央に位置する短いインナーリード２ａでは、テーピングに必要な長さを確保することができないため、リードフレームとしてはテーピングを断念せざるを得なかった。
【００２３】
図２は、本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
このリードフレームでは、平面形状が略長方形形状の封止体形成領域ａ（図中二点鎖線にて示す）となっているために、短辺側に位置するインナーリード２ａと比較して長辺側に位置するインナーリード２ａが短くなっている。このため、封止体形成領域ａの長辺側に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅を、封止体形成領域ａの短辺側に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅よりも狭くしてある。
【００２４】
図３及び図４に示す例は、リードフレームのリード配置及び基本的なテープ形状は前述したものと同一であるが、これらの例ではテープ５を各辺ごとに分割した四分割になっており、夫々のテープ５の端が強度の大きなタブ吊りリード４に接着されている。
【００２５】
絶縁性のテープ５は、図５に示すように、シート材６から打ち抜き加工によって成形したものをリードに貼り付けている。このため枠状に一体となったテープ５では打ち抜く中央部分等の使用されない部分が大きくなるが、本例ではテープ５を分割してあるため、夫々のテープ５の形状が直線状になり、図６に示すように、その配置を変えてシート材６から加工することにより、シート材６を有効に利用することが可能になる。
【００２６】
続いて、この半導体装置の製造方法について、図７乃至図１１を用いて工程毎に説明する。
本実施の形態の半導体装置の製造では、先ず図７に示すように、単結晶シリコン等の半導体基板に素子を形成した半導体チップ７をタブ吊りリード４によって支持されたタブ３に接着剤等によって固定する。次に、図８に示すように、搭載される半導体チップ７の周囲に配置された複数のインナーリード２ａの先端と半導体チップ７の外部電極であるパッド電極とを、例えば金を主としたボンディングワイヤ８によって電気的に接続する。
【００２７】
続いて、図９に示すように、半導体チップ７、タブ３、ボンディングワイヤ８及びインナーリード２ａを例えばエポキシ樹脂からなる封止体９によって封止し、次に図１０に示すように、ダムバー１等のリードフレームの不要部分を切断して各リード２を分離して夫々独立したリード２とし、図１１に示すように、封止体９から延在するリード２のアウターリード２ｂを、ガルウイング形状或いはＪベント形状等の所定形状に成形する。
【００２８】
本実施の形態の半導体装置では、封止体のサイズが小さな半導体装置であっても、インナーリード２ａをテープ５に接続することができるため、ワイヤボンディング或いは樹脂封止等の際にインナーリード２ａが変形してしまうのを防止することができる。
【００２９】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明によれば、封止体サイズが小さくインナーリードが短い半導体装置であってもテーピングすることができるという効果がある。
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、インナーリードの変形を防止することができるという効果がある。
（３）本発明によれば、上記効果（１）により、インナーリードの接触等による不良の発生を防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームを示す平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態であるリードフレームに用いられるテープの加工状態を示す平面図である。
【図６】本発明の一実施の形態であるリードフレームに用いられるテープの加工状態を示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【符号の説明】
１…ダムバー、２…リード、２ａ…インナーリード、２ｂ…アウターリード、３…タブ、４…タブ吊りリードフィルム、５…テープ、６…シート材、７…半導体チップ、８…ボンディングワイヤ、９…封止体。
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置のリードの変形防止に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造では、単結晶シリコン等のウェハに設けられた複数の素子形成領域に、半導体素子或いは配線パターンを一括して形成して所定の回路を構成し、隣接する素子形成領域間のスクライビング領域にてウェハを切断して、夫々の素子形成領域を個々の半導体チップとして分離するダイシングを行い、こうして分離された個々の半導体チップが、例えばベース基板或いはリードフレームに固定するダイボンディング及びワイヤボンディング等の実装工程及び樹脂封止等の封止工程を経て半導体装置として完成する。
【０００３】
半導体装置では、同一の半導体チップであっても、その目的用途に応じて種々の実装形態が採用されており、半導体装置として、樹脂を用いた封止体によって半導体チップを覆い、封止体から四方に延在するリードを外部端子とするＱＦＰ型等の半導体装置が、外部端子数が多く、製造が比較的容易で低コストであることから広く用いられている。
【０００４】
ＬＳＩ等の半導体装置は、集積度の向上に伴って、より複雑な回路が搭載されその機能も高度なものとなっている。このような高機能化によって、半導体装置にはより多くの外部端子が必要となり、半導体チップに設けられるパッド電極及び半導体装置のリードの数もそれに対応して増加している。このような多リード化に適した半導体装置として、半導体チップを封止する封止体の四側面に夫々複数のリードを設けるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が知られている。
【０００５】
半導体装置では、微細化の進展に伴い、半導体チップ面積に対して搭載する回路の規模を拡大する高集積化が行なわれており、こうした高集積化によって搭載されるより多くの回路のために、より多くの接続端子が半導体装置に求められている。例えば半導体記憶装置では、微細化の進展により大容量化が進み、大容量のデータを高速で処理するためにバス幅が拡大され、より多くの外部端子が必要となっている。
【０００６】
こうした接続端子の増加に対応するために、ＱＦＰ型の半導体装置ではインナーリードの微細化が進められており、インナーリードの幅がより細くされ、このためインナーリードの強度が低下し容易に変形してしまう。加えて、インナーリードのピッチも狭められているため、前記変形によって他のインナーリードとの接触による短絡等の不良が発生する。例えば、樹脂モールド時に、金型に付着したレジンバリがインナーリードに接触し、インナーリードをシフトさせて短絡させることがある。
【０００７】
こうした不良を防止するために、複数のインナーリードを絶縁性のテープに接着させて一体化し、変形を防止するテーピングが行なわれている。
【０００８】
【特許文献】
特開２００１−７７２８９号公報
例えば前記特許文献には、こうした絶縁性のテープをインナーリードの固定とともにインナーリードをメッキする際のマスクとしても活用する技術が記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
こうしたテーピングを行なうためにはテープの幅に加えてボンディングのためのスペース、ボンディングの際にインナーリードを押えるフレーム押えのためのスペースが必要となる。しかしながら、半導体装置の外形寸法を小さくするために、封止体のサイズは縮小されており、これに伴いインナーリードの長さが縮小されてテーピングに必要な長さを確保することができずに、テーピングを行なうことができない場合がある。
【００１０】
本発明の課題は、こうした問題を解決し、インナーリードが短い場合であってもテーピングを可能にする技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体形成領域の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されているリードフレームにおいて、前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。
【００１２】
また、平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置において、前記封止体の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。
【００１３】
また、平面形状が略長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置において、前記封止体の長辺側に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記封止体の短辺側に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭くする。
【００１４】
また、平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置の製造方法において、前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭いリードフレームを用意し、前記リードフレームに半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップのパッドと前記インナーリードとを接続する工程と、前記半導体チップ及びインナーリードを樹脂封止する工程とを有する。
【００１５】
上述した本発明によれば、封止体のサイズが小さな半導体装置であってもテーピングが可能となり、インナーリードの変形による不良の発生を防止することができる。
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームを示す平面図である。
このリードフレームでは、平面形状が略正方形形状の封止体形成領域ａ（図中二点鎖線にて示す）の周囲にダムバー１が配置されており、封止体形成領域ａの各辺に沿って配置された複数のリード２が、ダムバー１によって一体化されている。夫々のリード２は封止体内部で半導体チップと接続されるインナーリード２ａと、封止体から延在し実装基板等との接続に用いられるアウターリード２ｂとからなっている。
【００１８】
このリードフレームでは、半導体チップを固定するタブ３が封止体形成領域ａの中央に設けられており、タブ３は封止体形成領域ａの四隅でダムバー１と一体化されるタブ吊りリード４によって支持されている。リードフレームは、例えばＦｅ‐Ｎｉ系合金或いはＣｕ系合金の板材からプレス加工或いはエッチング加工によって形成される。
【００１９】
リード２のインナーリード２ａは封止体形成領域ａ内にて絶縁性のテープ５に夫々が接続されており、本実施の形態では封止体形成領域ａの各辺の中央に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅が、前記各辺の端に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅よりも狭くしてある。即ち、インナーリード２ａの長さに対応させてテープ５の幅を変化させてある。
【００２０】
インナーリード２ａは、先端からアウターリード２ｂ接続部へ向かってその幅及び間隔を拡大させてあるため、ダムバー１に対して垂直に延びる前記各辺の中央に位置するインナーリード２ａは、ダムバー１に対して斜めに延びる前記各辺の端に位置するインナーリード２ａよりも長さが短くなる。インナーリード２ａは、その長さが長くなる程、ダムバー１からの距離が大きくなり強度が低下し、加えて樹脂封止の際に流入する樹脂により加えられる力も大きくなり、その結果として変形が生じやすくなる。
【００２１】
テープ５によってインナーリード２ａを固定する場合に、インナーリード２ａとテープ５との接着面積を広くすることによって強度を増加させることができるので、各辺の中央に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅が、前記各辺の端に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅よりも狭くすることによって、強度が必要となる端に位置するインナーリード２ａの強度を維持したままで、中央に位置する短いインナーリード２ａのテープ５への接着を可能にすることができる。
【００２２】
従来はこれらの点に無関係に、すべてのインナーリード２ａを同じ幅のテープ５に接続していた。このため、中央に位置する短いインナーリード２ａでは、テーピングに必要な長さを確保することができないため、リードフレームとしてはテーピングを断念せざるを得なかった。
【００２３】
図２は、本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
このリードフレームでは、平面形状が略長方形形状の封止体形成領域ａ（図中二点鎖線にて示す）となっているために、短辺側に位置するインナーリード２ａと比較して長辺側に位置するインナーリード２ａが短くなっている。このため、封止体形成領域ａの長辺側に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅を、封止体形成領域ａの短辺側に位置するリード２のインナーリード２ａと接続するテープ５の幅よりも狭くしてある。
【００２４】
図３及び図４に示す例は、リードフレームのリード配置及び基本的なテープ形状は前述したものと同一であるが、これらの例ではテープ５を各辺ごとに分割した四分割になっており、夫々のテープ５の端が強度の大きなタブ吊りリード４に接着されている。
【００２５】
絶縁性のテープ５は、図５に示すように、シート材６から打ち抜き加工によって成形したものをリードに貼り付けている。このため枠状に一体となったテープ５では打ち抜く中央部分等の使用されない部分が大きくなるが、本例ではテープ５を分割してあるため、夫々のテープ５の形状が直線状になり、図６に示すように、その配置を変えてシート材６から加工することにより、シート材６を有効に利用することが可能になる。
【００２６】
続いて、この半導体装置の製造方法について、図７乃至図１１を用いて工程毎に説明する。
本実施の形態の半導体装置の製造では、先ず図７に示すように、単結晶シリコン等の半導体基板に素子を形成した半導体チップ７をタブ吊りリード４によって支持されたタブ３に接着剤等によって固定する。次に、図８に示すように、搭載される半導体チップ７の周囲に配置された複数のインナーリード２ａの先端と半導体チップ７の外部電極であるパッド電極とを、例えば金を主としたボンディングワイヤ８によって電気的に接続する。
【００２７】
続いて、図９に示すように、半導体チップ７、タブ３、ボンディングワイヤ８及びインナーリード２ａを例えばエポキシ樹脂からなる封止体９によって封止し、次に図１０に示すように、ダムバー１等のリードフレームの不要部分を切断して各リード２を分離して夫々独立したリード２とし、図１１に示すように、封止体９から延在するリード２のアウターリード２ｂを、ガルウイング形状或いはＪベント形状等の所定形状に成形する。
【００２８】
本実施の形態の半導体装置では、封止体のサイズが小さな半導体装置であっても、インナーリード２ａをテープ５に接続することができるため、ワイヤボンディング或いは樹脂封止等の際にインナーリード２ａが変形してしまうのを防止することができる。
【００２９】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）本発明によれば、封止体サイズが小さくインナーリードが短い半導体装置であってもテーピングすることができるという効果がある。
（２）本発明によれば、上記効果（１）により、インナーリードの変形を防止することができるという効果がある。
（３）本発明によれば、上記効果（１）により、インナーリードの接触等による不良の発生を防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームを示す平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置に用いられるリードフレームの変形例を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態であるリードフレームに用いられるテープの加工状態を示す平面図である。
【図６】本発明の一実施の形態であるリードフレームに用いられるテープの加工状態を示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図８】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図９】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態である半導体装置を工程毎に示す平面図である。
【符号の説明】
１…ダムバー、２…リード、２ａ…インナーリード、２ｂ…アウターリード、３…タブ、４…タブ吊りリードフィルム、５…テープ、６…シート材、７…半導体チップ、８…ボンディングワイヤ、９…封止体。
Claims (5)
- 平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体形成領域の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されているリードフレームにおいて、
前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭いことを特徴とするリードフレーム。 - 平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置において、
前記封止体の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。 - 平面形状が略長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置において、
前記封止体の長辺側に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記封止体の短辺側に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置。 - 前記テープが各辺ごとに分割されていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
- 平面形状が略正方形形状若しくは長方形形状の封止体の各辺に沿って配置された複数のリードのインナーリードが、絶縁性のテープに接続されている半導体装置の製造方法において、
前記封止体形成領域の各辺の中央に位置するリードのインナーリードと接続する前記テープの幅が、前記各辺の端に位置するリードのインナーリードと接続するテープの幅よりも狭いリードフレームを用意し、
前記リードフレームに半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップのパッドと前記インナーリードとを接続する工程と、
前記半導体チップ及びインナーリードを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP2003013002A JP2004228264A (ja) | 2003-01-22 | 2003-01-22 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278308A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2015082572A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
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- 2003-01-22 JP JP2003013002A patent/JP2004228264A/ja active Pending
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