JPH04181761A - リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームおよびそれを用いた半導体集
積回路装置の製造技術に関し、特に多ピンのＬＳＩパッ
ケージに適用して有効な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

コンピュータを始めとする各種電子機器の高機能化に伴
い、マイクロコンピュータやケ−）７Ｌ。

イなどの集積回路を形成した半導体チップを封止するＬ
ＳＩパッケージの多ビン化が急速に進行している。

多ピン化に好適なＬＳＪパッケージの代表的なものに、
Ｑ　Ｆ　Ｐ　（ｑｕａｄ　ｆｌａｔ　ｐａｃｋａｇｅ）
がある。ＱＦＰは、パッケージ本体がら四方向にリード
を延在し、リードの先端部分（半田接合部）を外側に向
かって平坦にした表面実装形パッケージで、その詳細に
ついては、日本電子機械工業会（ＥＩＡＪ）規格、ＩＣ
−７４−４で規定されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

現在、ＱＦＰのリードピッチは、最小のもので０．５■
程度であり、今後さらに０．３　Ｍ、０．１５ｍｍと微
細化されるものと予想されている。ところが、リードピ
ッチがこのように微細化されてくると、パッケージ本体
をモールドした後、リードフレームを切断する際に、タ
イバー（ダム）の切断が困難となり、これがリード曲が
りなとの不良を引き起こすことが本発明者の検討によっ
て明らかとなった。

本発明は上記した問題点に着目してなされたものであり
、その目的はＬＳＩパッケージのリードピッチの微細化
を促進する技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本願の一発明は、リード同士を繋いているタイバーを廃
したリードフレーム構造とするものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、リードフレームのタイバーを廃
することにより、パッケージ本体のモールド後のタイバ
ー切断工程か不要となるので、タイバー切断に伴うリー
ド曲がりなとの不良か解消される。

以下、実施例により本発明を説明する。

〔実施例〕

第１図に示す本実施例のリードフレーム１は、例えば表
面実装形ＬＳＩパッケージの一種であるＱＦＰの組立て
に用いるものである。このリードフレーム１の中央部に
は、半導体チップを搭載する矩形のダイパッド（タブ）
２か配置されている。

上記ダイパッド２の外側には、複数本のリード３かダイ
パッド２の周囲を囲むように配置されている。また、ダ
イパッド２の四隅には、ダイパッド２を支持する吊りリ
ード４が架設されている。リード３は、パッケージ本体
の内部に封止される領域と外部に露出する領域との境界
となるモールドライン（Ｍ）の内側をインナーリード部
３ａ、外側をアウターリード部３ｂとそれぞれ称してお
り、上記アウターリード部３ｂのピッチは、例えば０゜
３■程度である。従来、ＱＦＰ用のり一トフレームには
、上記リード３の中途部にリード３の支持とモールド時
における樹脂の溢出防止とを兼ねたタイバー（ダム）が
設けられているが、本実施例のリードフレームｌは、こ
のタイバーを有していない。

リードフレーム】の最外周部は、外枠５および内枠６か
らなる。上記外枠５には、リードフレームｌをモールド
金型の所定箇所に位置決めする際のガイドとなるガイド
孔７が設けられている。リードフレームｌを構成する上
記ダイパッド２、リード３、吊りリード４、外枠５およ
び内枠６は、例えば４２７０イ、銅なとの導電材料から
なるフープ材をプレス加工して形成したもので、フープ
材の板厚は、１５０〜２５０μｍ程度である。リードフ
レーム１は上記した各部によって構成される単位フレー
ムを一方向に複数個連設してなる。

次に、上記リードフレーム１を用いたＱＦＰの組立て方
法を説明する。

まず、常法に従ってリードフレーム１のダイパッド２上
に半導体チップを接着し、次いて上記半導体チップのポ
ンディングパッドとインナーリード部３ａとの間にＡｕ
、ＡＩまたはＣｕなとの導電体からなるワイヤをボンデ
ィングした後、このリードフレームｌをモールド金型に
装着してパッケージ本体を成形する。

第２図は、パッケージ本体成形後、モールド金型から取
り出された直後のリードフレームＩを示している。

図中、８はエポキシ系樹脂なとの耐熱性合成樹脂からな
るノ（ツケージ本体である。上記パッケージ本体８の内
部には、半導体チップ、ダイパット２、インナーリード
部３ａおよび吊りリード４の一部が封止されており、パ
ッケージ本体８の外部には、一端が外枠５または内枠６
に支持されたアウターリード部３ｂおよび吊りリード４
の一部が延在している。このリードフレームｌは、リー
ド３の中途部にタイバーを設けていないので、パッケー
ジ本体８の外部に延在するアウターリード部３ｂ同士の
隙間や、アウターリード部３ｂと吊りリード４との隙間
には、モールド金型の隙間から溢れ出た樹脂９かパッケ
ージ本体８と一体になったまま付着している。この樹脂
９は、リードフレーム１と同じ１５０〜２５０μｍ程度
の膜厚を有している。

次に、常法に従ってリードフレームｌの不要箇所、すな
わちパッケージ本体８の外部に延在する吊すリード４の
一部や外枠５、内枠６をブレスて切断除去する。第３図
は、上記切断工程直後のＱＦＰを示している。

次に、本実施例では、この状態てアウターリード部３ｂ
にプローブを当接して電気試験を行い、その後、アウタ
ーリード部３ｂを所定の形状に成形してＱＦＰを完成さ
せる。アウターリード部３ｂの隙間に付着した樹脂９は
、その膜厚が１５０〜２５０μｍ程度と極めて薄いため
、その殆どは上記アウターリード部３ｂの成形時に自然
に剥離して除去される。パッケージ本体８の周囲や、ア
ウターリード部３ｂの隙間に残留したパリ状の樹脂９は
、通常のパリ取り方法によって除去してもよいか、上記
樹脂９は、耐熱性合成樹脂からなる絶縁体であるため、
これを残したままＱＦＰを基板に実装しても何ら支障は
ない。

このように、本実施例によれば、下記の効果を得ること
ができる。

（１）９　　リードフレームのタイバーを廃することに
より、パッケージ本体のモールド後のタイバー切断工程
が不要となるので、タイバー切断に伴うリード曲がりな
どの不良を回避することができる。これにより、リード
ピッチを微細化することができるので、ＱＦＰの多ピン
化を促進することができる。

（２）３　アウターリード部の隙間に樹脂か付着した状
態で電気試験を行うことにより、アウターリード部が樹
脂で固定されているので、プローブ当接時のリード曲が
りを防止することができる。

（２）、アウターリード部の隙間に樹脂が付着した状態
でアウターリード部の成形を行うことにより、パッケー
ジ本体の成形後からアウターリード部の成形工程までの
各工程ではアウターリード部が樹脂で固定されているの
で、搬送時のリード曲がりを防止することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定される
ものではな（、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。

すなわち、本発明はＱＦＰに限定されるものではなく、
微細なリードピッチを有する樹脂封止形ＬＳＩパッケー
ジに広く適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

それぞれの一端を枠部で支持した複数本のリードがタイ
バーによって互いに支持されることなく延在しているリ
ードフレームを用いてパッケージ本体をモールドするこ
とにより、リードピッチ微細化の隘路となっていたモー
ルド後のタイバー切断工程が不要となるため、樹脂封止
形ＬＳＩパッケージの多ピン化を促進することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例であるリードフレームを示
す平面図、 第２図は、パッケージ本体成形後のリードフレームを示
す平面図、 第３図は、リードフレーム切断工程後の樹脂封止形ＬＳ
Ｉパッケージを示す平面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ダイパッド、３・・
・リード、３ａ・・　・インナーリード部、３ｂ・・・
アウターリード部、４・・・吊りリード、５・・・外枠
、６・・・内枠、７・・・ガイド孔、８・・・パッケー
ジ本体、９・・・樹脂、Ｍ・・・モールドライン。 代理人　弁理士　筒　井　大　和

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、それぞれの一端を枠部で支持した複数本のリードが
   タイバーによって互いに支持されることなく延在してい
   ることを特徴とするリードフレーム。 ２、請求項１記載のリードフレームを用いてパッケージ
   本体をモールドすることを特徴とする半導体集積回路装
   置の製造方法。 ３、パッケージ本体をモールドした後、リードフレーム
   の不要箇所を切断除去し、次いで前記パッケージの外部
   に溢出した樹脂を除去することなく、電気テストを行う
   ことを特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置の
   製造方法。 ４、パッケージ本体をモールドした後、リードフレーム
   の不要箇所を切断除去し、次いで前記パッケージの外部
   に溢出した樹脂を除去することなく、リードの成形を行
   うことを特徴とする請求項２または３記載の半導体集積
   回路装置の製造方法。