JP4917112B2 - 半導体装置 - Google Patents

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    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/48106—Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
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    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
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    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
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Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、半導体装置の小型化、薄型化、低コスト化および信頼性の向上に適用して有効な技術に関する。
従来の樹脂封止表面実装型半導体装置では、内部導出リードとダイパッドが同一平面にあるリードフレームを用い、半導体チップとボンディングワイヤあるいはバンプにより電気的に接続されている内部導出リードの裏面を、半導体装置の外部との電気的接続部分として機能する外部電極としている（例えば、特許文献１参照）。
また、従来の薄型の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの吊りリードがアップセット処理され、段差部を有しているので、ダイパッド部の下方にも封止樹脂を存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである（例えば、特許文献２参照）。
さらに、従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの支持部に搭載された半導体素子と、この半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部とを接続した金属細線と、封止樹脂とを備え、支持部がインナーリード部より上方に位置するようにリードフレームをアップセット処理したので、支持部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させることができる（例えば、特許文献３参照）。
特開平５−１２９４７３号公報（図１） 特開平１０−１８９８３０号公報（図１） 特開平１１−７４４４０号公報（図１）
小型・軽量化が進む電子機器の市場は急激に成長している。こうした状況の中、このような小型電子機器分野では、ＬＳＩの実装技術の向上、すなわち、高密度実装可能なパッケージ技術の開発が重要な課題となっている。
また、市場の成長が進むにつれて、生産性の向上、製造コストの低減が求められるようになっている。
このような技術課題に対処しうる第１の技術として、特開平５−１２９４７３号公報（特許文献１）に開示される技術がある。この技術は、図２９に示すように、内部導出リード３３とタブ３４が同一平面にあるリードフレーム３５を用い、半導体チップ３６とボンディングワイヤ３７により電気的に接続されている内部導出リード３３の下面を、半導体装置の外部との電気的接続部分として機能する外部電極とすることを特徴とする樹脂封止表面実装型半導体装置である。
しかしながら、図２９に示した第１の技術の場合、タブ３４の実装基板側が半導体装置の下面より露出する構造であるため、半導体装置を実装基板に実装した際、タブ３４と実装基板上の配線とが接触する可能性があり、対応する実装基板部分には配線を形成することができなく、基板設計の自由度が低下するという問題があった。また、タブ３４の片面のみを封止材３８で封止した構造であるため、タブ３４と封止材３８との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、半導体装置の信頼性が低下するという問題もあった。
第２の技術として、特開平１０−１８９８３０号公報（特許文献２）に開示される技術がある。この技術は、図３０に示すようにリードフレーム３９の吊りリード４０で支持されたタブ４１上に搭載された半導体素子４２と、前記半導体素子４２の上面の電極４３とインナーリード部４４とを電気的に接続した金属細線４５と、前記半導体素子４２の上面の金属細線領域を含む半導体素子４２の外囲領域を封止した封止樹脂４６と、前記封止樹脂４６の底面領域に配列され、前記インナーリード部４４と接続した外部端子４７とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記吊りリード４０はアップセット処理され、段差部４８を有し、前記タブ４１の下方にも封止樹脂４６が前記アップセット分の厚みで形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
この第２の技術は、リードフレーム３９の吊りリード４０がアップセット処理され、段差部４８を有しているので、タブ４１の下方にも封止樹脂４６を存在させることができ、実質的にリードフレーム３９に対して両面封止型の半導体装置であり、前記第１の技術よりも、信頼性が向上されるというメリットがある。
また、タブ４１の実装基板側が半導体装置の下面より露出する構造でないため、半導体装置を実装基板に実装した際、タブ４１と実装基板上の配線とが接触することはなく、実装基板の設計が自由に行えるというメリットもある。
なお、タブがアップセット処理（タブ上げ加工）された半導体装置のその他の例としては、特開平１１−７４４４０号公報（特許文献３）にその技術が開示されている。
ところが、前記第１の技術では、薄型化を向上させるためにタブの片面のみを封止材で封止した構造であるため、封止材とタブとの接触面積の低下により、密着性が損なわれ、半導体装置の信頼性が低下するという問題がある。
また、前記第２の技術および特開平１１−７４４４０号公報に記載された技術では、リードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、前記第１の技術よりも、信頼性が向上されるというメリットはあるが、段差部をアップセット処理で形成するので、第１の技術ほど半導体装置の薄型化を向上させることはできないという問題やアップセット処理時に発生するタブロケーションの問題などがある。
すなわち、従来の第１、第２の技術でも、薄型化と信頼性の向上とを両立することに成功していないことが本発明者により明らかにされた。
本発明の目的は、半導体装置の薄型化と高信頼性を両立することができる技術を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、半導体装置の生産性の向上および製造コストの低減を実現することができる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体装置の実装時のショート防止およびリード脱落防止を図ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、本発明は、上面、前記上面とは反対側の下面を有するタブと、前記タブとそれぞれ一体に形成された複数の吊りリードと、主面、前記主面に形成された複数のパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記タブの前記上面と対向するように、前記タブの前記上面上に搭載された半導体チップと、前記タブの周囲に位置し、かつ前記複数の吊りリードの間に配置された複数のリードと、前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止部と、を含み、前記封止部の平面形状は、四角形からなり、前記複数のリードは、前記吊りリードと隣接する第１リードを有し、前記第１リードは、前記封止部の辺に対して交差する第１方向に延在する第１部分と、前記第１部分よりも前記タブ側に位置し、前記第１部分から前記タブに向かう第２方向に延在する第２部分とを有し、前記第１リードの前記第１部分は、前記封止部の前記裏面から露出され、前記第１リードの前記第２部分は、前記封止部内に位置しているものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
（１）．折り曲げ加工（アップセット加工）により段差部を形成するのではなく、ハーフエッチング加工により段差部を形成し、そこに封止用樹脂を存在させることができるので、薄型構造を実現しながら、タブ、タブ吊りリードを封止用樹脂により封止することが可能となり、封止用樹脂とタブとの接触面積の低下により、密着性が低下し信頼性が損なわれる課題は解消される。
（２）．半導体装置の下面からリードの下面を露出させ、それを外部接続用の端子とするので、搬送時や実装時等のリードの変形が防止可能となり、信頼性が向上される。
（３）．リードが、封止部の側面よりほんのわずかしか突出していないので、半導体装置の平面寸法の小型化が可能となる。
（４）．リードは、露出されている下面よりも封止されている上面の面積が広く形成されているので、封止用樹脂との接着面は上面と側面のみであるが、密着性が十分に確保することができ、信頼性を保つことができる。
（５）．マトリクスリードフレームの段差部は、従来のように金属板を打ち抜き加工又はエッチングによってパターンニングした後に後加工で形成するものではなく、パターンニングとハーフエッチング加工とを同時に行うものであるためマトリクスリードフレームの製造コストが低減される。
（６）．マトリクスリードフレームは、従来のようにパターンニング後のマトリクスリードフレームに対して折り曲げ加工を行うが必要がないため、曲げ加工に起因するタブロケーション等の問題の発生を防止することが可能となる。
（７）．従来のように半導体装置の外部端子に対して曲げ加工を行う必要がないため工程数が低減され、工程管理が容易になり生産性を向上することができる。
（８）．すべての工程において、既存の半導体製造装置の転用が可能であり新規設備投資をほとんど行う必要がないという利点がある。
（９）．リードの内端部の下面にハーフエッチング加工によって段差部を形成し、その段差部を封止用樹脂により封止するので、その形状やリードピッチを半導体チップの大きさやそのパッド数に応じて最適な形状に設計することができる。
（１０）．タブ吊りリードにおけるタブの支持部が露出部より薄く形成されていることにより、支持部を封止部に埋め込むことができ、したがって、封止部の裏面のコーナ部の端部のみに露出部を露出させた構造にすることができる。これにより、封止部の裏面においてタブ吊りリードの露出部と、これに隣接するリードとのクリアランスを大きく形成することができ、かつ、タブが封止部に埋め込まれているため、半導体装置を実装基板などに実装した際のショートを防止することができる。
（１１）．タブ吊りリードにおいて露出部が支持部より厚いことにより、露出部には封止用樹脂が配置されないため、タブ吊りリードの切断時に封止用樹脂を含まない露出部の金属のみを切断することになり、その結果、タブ吊りリード切断における切断性を向上できる。
（１２）．タブを介して複数のタブ吊りリードが連結されていることにより、タブとタブ吊りリードとが一体に繋がり、かつそのチップ支持側の面が繋がった平坦な面によって形成されるため、タブ自体の平面度を向上できる。その結果、半導体チップのタブへのボンディング時の搭載を容易にできるとともに、チップ接合性を向上できる。
（１３）．タブと半導体チップとが半導体チップの表面電極より内側の箇所で接合されていることにより、ワイヤボンディング時に、ボンディングステージによって半導体チップの裏面の端部付近を支持することができる。したがって、ワイヤボンディング時に適切な超音波や熱をボンディングワイヤに印加することができ、これにより、ワイヤボンディングの信頼性や接合性を向上できる。
本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す外観斜視図である。 図１に示す半導体装置の底面図である。 本発明の実施の形態１の単位リード部の構造の一例を示す平面図である。 図３に示す単位リード部のＡ−Ａ切断線における断面図である。 図３に示す単位リード部のＢ−Ｂ切断線における断面図である。 図１に示す半導体装置の構造の一部を破断してその内部構造を示す平面図である。 図６に示す半導体装置のＣ−Ｃ切断線における断面図である。 図６に示す半導体装置のＤ−Ｄ切断線における断面図である。 図６に示す半導体装置のＥ−Ｅ切断線における断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ)は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法の一例を示す断面フロー図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造に用いられるマトリクスリードフレームの構造の一例を示す平面図である。 図１１に示すマトリクスリードフレームの単位リードフレームの構造を示す要部拡大平面図である。 図１１に示すマトリクスリードフレームの単位リードフレームの構造を示す要部拡大裏面図である。 図１２に示す単位リードフレームのＦ−Ｆ切断線における断面図である。 図１２に示す単位リードフレームのＧ−Ｇ切断線における断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置のダイボンディング工程においてタブに接着剤を塗布する方法を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置のダイボンディング工程においてタブ上に半導体チップを搭載する方法を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置のワイヤボンディング方法を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の樹脂封止工程において金型とマトリクスリードフレームとを位置合わせした状態を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の樹脂封止工程において金型を型締めした状態を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置の樹脂封止工程において金型を型開きした状態を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態１の半導体装置を実装基板へ実装した状態を示す外観斜視図である。 図２２のＨ−Ｈ切断線における断面図である。 本発明の実施の形態２の単位リード部の構造の一例を示す平面図である。 図２４に示す単位リード部のＩ−Ｉ切断線における断面図である。 図２４に示す単位リード部のＪ−Ｊ切断線における断面図である。 本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一部を破断してその内部構造を示す平面図である。 図２７に示す半導体装置のＫ−Ｋ切断線における断面図である。 第１の従来技術の半導体装置の断面図である。 第２の従来技術の半導体装置の断面図である。 本発明の実施の形態３における半導体装置の一例を封止部を破断してその内部構造を示す平面図である。 図３１に示す半導体装置のＬ−Ｌ切断線における断面図である。 図３１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ),（ｅ)は図３１に示す半導体装置の組み立てにおける主要工程ごとの構造の一例を示す断面フロー図である。 本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す外観斜視図である。 図３５に示す半導体装置の構造を示す底面図である。 図３５に示す半導体装置のＭ−Ｍ切断線における断面図である。 図３５に示す半導体装置のＮ−Ｎ切断線における断面図である。 図３５に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の状態の一例を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態５の半導体装置におけるモールド終了時の構造の一例を封止部を透過してその内部を示す部分平面図である。 図４０に示す半導体装置のＰ−Ｐ切断線における断面図である。 図４０に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図である。 図４１のＴ部の構造を示す拡大部分断面図である。 図４１のＴ部におけるリード切断方法の一例を示す拡大部分断面図である。 図４０のＱ部のリード構造を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は溝部断面図、（ｄ）は（ｂ）のＵ−Ｕ切断線における断面図、（ｅ）は（ｂ）のＶ−Ｖ切断線における断面図である。 図４０のＱ部のリード構造の変形例を示す平面図である。 図４０のＲ部の構造を示す拡大部分平面図である。 図４０のＳ部の構造を示す図であり、（ａ）は拡大部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ切断線における断面図である。 図４８（ａ）のＷ部の構造を示す図であり、（ａ）は拡大部分底面図、（ｂ）は（ａ）の溝部断面図である。 本発明の実施の形態８の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。 図５０（ｃ）のＹ部の構造を示す拡大部分底面図である。 本発明の実施の形態９の半導体装置におけるモールド終了時の構造の一例を封止部を透過してその内部を示す部分平面図である。 図５２に示す半導体装置のＺ−Ｚ切断線における断面図である。 図５３のＡＢ部の構造を示す拡大部分断面図である。 図５３のＡＢ部のリード切断方法の一例を示す拡大部分断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるエッチング方法を示す部分断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるエッチング方法を示す部分断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるエッチング方法を示す部分断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるプレス方法を示す部分断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるプレス方法を示す部分断面図である。 （ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるプレス方法を示す部分断面図である。 本発明の変形例の半導体装置におけるモールド終了時の構造を封止部を透過してその内部を示す部分平面図である。 図６２の変形例の半導体装置のＣＣ−ＣＣ切断線における断面図である。 本発明の変形例の半導体装置におけるモールド終了時の構造を封止部を透過してその内部を示す部分平面図である。
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
図１は本実施の形態１の半導体装置の外観斜視図、図２はその半導体装置の底面図（下面側）、図３は実施の形態１の単位リード部（詳細は後述する）の平面図であり、図３では破線が封止領域を示している。図４は図３の単位リード部のＡ−Ａ切断線における断面図、図５は図３の単位リード部のＢ−Ｂ切断線における断面図、図６は図１の半導体装置の構造の一部を破断してその内部構造を示す平面図、図７は図６の半導体装置のＣ−Ｃ切断線における断面図、図８は図６の半導体装置のＤ−Ｄ切断線における断面図、図９は図６の半導体装置のＥ−Ｅ切断線における断面図である。
本実施の形態１の半導体装置１は、図１、図２に示すように、外部接続用の端子としてリード２の一部が半導体装置の下面側周縁に露出する構造を有する面実装型の半導体装置である。その半導体装置１は、銅系や鉄系からなり任意の形状に加工された薄板を備えている。この薄板は、図３、図４、図５に示すように中央部に４本の吊りリード（以下、タブ吊りリード４と称する。）により支持（タブ吊りリード４と一体に形成）されるタブ（チップ支持部）５と、そのタブ５の周縁近傍に、前記タブ５を囲むように複数のリード２とを有する。以下、この薄板を単位リード部３と称する。
前記タブ吊りリード４（外端部は除く）およびタブ５の下面側は、エッチング加工が施され単位リード部３の他の部分の約半分の厚さとなっている。この加工は、一般的にハーフエッチング加工と称されている。このように本実施の形態１の単位リード部３は、下面側にハーフエッチング加工による段差部６を有する。前記単位リード部３のタブ５の上面（一主面）には、図６、図７、図８に示すようにマイコン、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit)、ゲートアレイ、システムＬＳＩ（Large Scale Integration)、メモリなどの所定の集積回路およびこれら集積回路の外部端子となるＡｌ等からなる複数のパッド７が形成された半導体チップ８が、集積回路を上にした状態で非導電性ペースト又は非導電性フィルム等の接着剤９により固定されている。
この半導体チップ８の各パッド７は、ＡｕやＡｌ等からなる導電性のワイヤ１０を介して前記リード２の一主面と電気的に接続されている。前記半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４、リード２（上面部および側面部）は、保護、耐湿性の向上を目的にエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封止用樹脂１１により封止されている。ただし、リード２の下面部（他の主面）は、外部接続用の端子として半導体装置の下面側に露出されている。
以下、封止用樹脂１１で封止されている部分を封止部１２と称する。前記リード２は、図９に示すように、封止部１２からの抜け防止のため、露出されている下面よりも封止されている上面の面積が広くなるように形成されている。
また、耐湿性の向上および半導体装置１を実装基板へ実装する際の実装性の向上を目的に半導体装置から露出されるリード２にはＰｂ−Ｓｎ系半田による半田メッキ処理などの外装処理が施されている。
以下、外装処理により形成された薄膜をメッキ部１３と称する。前記外装処理は、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等のＰｂフリー半田によるメッキ処理でも良い。前記メッキ部の厚さは１０μｍ程度とすることで、半導体装置１は、封止部１２の下面よりメッキ部１３の厚さ分のスタンドオフが確保される。図２、図４において、メッキ部１３は便宜上省略する。
このように本実施の形態の半導体装置１は、従来のように、折り曲げ加工（アップセット加工）により段差部６を形成したのではなく、ハーフエッチング加工により段差部６を形成し、そこに封止用樹脂１１を存在させることができるので、薄型構造を実現しながら、タブ５、タブ吊りリード４を封止用樹脂１１により封止することが可能となり、封止用樹脂１１とタブ５との接触面積の低下により、密着性が低下し信頼性が損なわれる課題は解消される。
また、半導体装置１の封止部１２の下面からリード２の下面を露出させ、それを外部接続用の端子とするので、搬送時や実装時等のリードの変形が防止可能となり、信頼性が向上される。また、リード２が、封止部１２の側面よりほんのわずかしか突出していないので、半導体装置１の平面寸法の小型化が可能となる。また、前記リード２は、露出されている下面よりも封止されている上面の面積が広く形成されているので、封止用樹脂１１との接着面は上面と側面のみであるが、密着性が十分に確保することができ、信頼性を保つことができる。
次に、上述した本実施の形態１の半導体装置１の製造方法の一例を図１０の断面フロー図および図１１〜図２１を用いて説明する。
図１１は前記実施の形態１の半導体装置１の製造に用いられるマトリクスリードフレームの平面図、図１２は図１１のマトリクスリードフレームの単位リードフレーム（詳細は後述する。）の要部拡大平面図（上面側）、図１３は図１１のマトリクスリードフレームの単位リードフレームの要部拡大裏面図（下面側）、図１４は図１２のＦ−Ｆ切断線における断面図、図１５は図１２のＧ−Ｇ切断線における断面図である。
マトリクスリードフレーム１４は、銅系や鉄系からなる金属板をエッチングによってパターンニングすることによって形成される。図１１に示すようにマトリクスリードフレーム１４には、半導体装置１個分に対応する領域（以下、単位リードフレーム１５と称する）が一定の間隔で例えば長辺方向に５列、短辺方向に２列の合計１０個づつ形成されている。
また、各単位リードフレーム１５の周縁には、製造工程内でマトリクスリードフレーム１４に加わる応力を緩和するためのスリット（以下、応力緩和スリット１６と称する。）が形成され、また、マトリクスリードフレーム１４の長辺には、製造工程で保持や位置合わせ用のピンとして使用されるガイドピン１７が形成されている。
図１２、図１３に示すように、単位リードフレーム１５の中央部には、４本のタブ吊りリード４により支持されたタブ５があり、タブ５の周縁近傍にタブ５を囲むように複数のリード２が存在し、これらは枠により支持されている。前記タブ吊りリード４（外端部は除く）およびタブ５の下面側は、ハーフエッチング加工が施され、単位リードフレーム１５の他の部分の約半分の厚さとなっている。 このように実施の形態１の単位リードフレーム１５は、図１４、図１５に示すように下面側に段差部６を有する。この段差部６は、従来のように打ち抜き又はエッチングによってパターンニングした後に別工程で形成するもの（以下、後加工と称する）でなく、パターンニングとハーフエッチング加工とを同時に行うものであるためマトリクスリードフレーム１４の製造コストが低減される。また、実施の形態１のマトリクスリードフレーム１４は、従来のようにパターンニング後のマトリクスリードフレームに対して折り曲げ加工を行う必要がないため、曲げ加工に起因するタブロケーション等の問題の発生を防止することが可能となる。
次に、図１１〜図１５に示されるマトリクスリードフレーム１４を用いた製造工程を説明する。
図１６はタブに接着剤を塗布する方法を示す部分断面図、図１７はタブ上に半導体チップを搭載する方法を示す部分断面図、図１８はワイヤボンディング方法を示す部分断面図、図１９は樹脂封止工程において金型とマトリクスリードフレームとを位置合わせした状態を示す部分断面図、図２０は樹脂封止工程において金型を型締めした状態を示す部分断面図、図２１は樹脂封止工程において金型を型開きした状態を示す部分断面図である。
始めに、図１０の（ａ）に示すように、マトリクスリードフレーム１４の各タブ５に導電性ペースト、非導電性ペーストまたは非導電性フィルム等の接着剤９により半導体チップ８を固着する。まず、図１６に示すように、シリンジ１８により各タブ５上に接着剤９を塗布し、その後、図１７に示すようにコレット１９により接着剤９が塗布された各タブ５上に半導体チップ８を搭載する。以下、この工程をダイボンディング工程と称する。
次に、図１０の（ｂ）に示すように、半導体チップ８の各パッド７とそれに対応するリード２とをＡｕ等からなる導電性のワイヤ１０で電気的に接続する。まず、図１８に示すように、半導体チップ８が搭載されたマトリクスリードフレーム１４を高温に加熱したボンディングステージ２０上に固定する。次に、固定した状態でＡｕ等からなるワイヤ１０で、半導体チップ８の各パッド７とそれに対応する単位リードフレーム１５の各リード２とをキャピラリ２１を用いて電気的に接続する。以下、この工程をワイヤボンディング工程と称する。
次に、図１０の（ｃ）に示すように、半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４（図示せず）およびリード２の上面および側面領域をトランスファーモールド法によりエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封止用樹脂１１で封止する。まず、図１９に示すように、ワイヤボンディング後のマトリクスリードフレーム１４をトランスファーモールド装置の下金型２２の所定の位置に搭載し、上金型２３と下金型２２とを型締めする。型締めした両金型の合わせ面には、各単位リードフレーム１５毎に半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４（図示せず）、リード２（上面部および側面部）が封止
用樹脂１１で封止されるような空間（以下、キャビティ２４と称する。）が形成される。
次に、図２０に示すように、金型を型締めした状態で、樹脂流路であるランナ２５およびゲート２６を介して前記各キャビティ２４に封止用樹脂１１を充填する。充填された封止用樹脂１１は、ハーフエッチング加工されたタブ５およびタブ吊りリード４（図示せず）の下面の段差部６に回り込み半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４（図示せず）、リード２（上面部および側面部）を確実に気密封止する。この時、前記リード２の下面と封止部１２の下面とは同一平面となり、リード２の下面は封止部１２の下面から露出される。
また、前記リード２の外端部は、切断工程で切断し易いように封止部１２の側面から突出させておくことが望ましい。その後、図２１に示すように、金型を型開きする。以下、この工程を樹脂封止工程と称する。また、上述の樹脂封止工程ではトランスファーモールド方法による封止方法を説明したが、耐熱性のシートを上金型２３と下金型２２の表面に均一に延ばした状態を維持しながら樹脂封止するシートモールド方法で行っても良い。この場合、リード２は、前記シートにめり込んだ分だけ封止部１２より突出する。
次に、図１０の（ｄ）に示すように、耐湿性の向上および半導体装置を実装基板へ実装する際の実装性の向上を目的に封止部１２から露出されるリード２の外装処理を行う。前記外装処理は、Ｐｂ−Ｓｎ系半田による半田メッキ処理が望ましいが、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等のＰｂフリー半田によるメッキ処理でも良い。前記メッキ部１３の厚さは１０μｍ程度とすることで、半導体装置１は、メッキ部１３の厚さ分のスタンドオフが確保される。以下、この工程を外装処理工程と称する。
次に、図１０の（ｅ）に示すように、マトリクスリードフレーム１４を各封止部１２よりやや外側の位置で切断金型（図示せず）を使用し、切断して複数の単位リード部３（単位リードフレーム１５から枠を除いた部分）に分割することで図１に示すような半導体装置１が得られる。以下、この工程を切断工程と称する。
上記のように製造された半導体装置１は、所定の検査により良品と不良品とに選別され出荷される。このように、上述の製造方法は、従来のように半導体装置の外部端子に対して曲げ加工を行う必要がないため工程数が低減され、工程管理が容易になり生産性を向上することができる。また、すべての工程において、既存の半導体製造装置の転用が可能であり新規設備投資をほとんど行う必要がないという利点がある。
なお、上記した製造方法では、半田メッキ処理による外装処理を説明したが、これに限定されるものではなく、予め、半導体装置から露出されるリード領域にＰｄメッキ処理等の外装処理を行ったマトリクスリードフレーム１４を用意しても良い。この場合、半導体
装置１の製造工程で外装処理を行う必要がないため工程数が減少し生産性が向上される。
また、上述の切断工程では、切断金型による切断方法を説明したが、半導体チップをウエハから分割すると同様、マトリクスリードフレーム１４の下面にダイシングテープを貼り付けた後、ダイシングブレードを使って、各単位リード部３に切断しても良い。この場合、切断金型で切断する場合と比べて装置の構造上制約がないため封止部１２の近傍で切断することが可能となり、単位リードフレーム１５同士の隙間を狭くすることができ、マトリクスリードフレーム１４の利用効率を向上することができる。また、この場合、リード２は、封止部１２の側面より突出していないため、切断金型で切断する場合と比べて半導体装置の平面寸法の小形化が可能になる。
また、上記した製造方法では、ハーフエッチング加工により段差部６が形成されたマトリクスリードフレーム１４を用意したが、必ずしもこれに限定されるものではなくコイニング加工によって段差部６が形成されたマトリクスリードフレーム１４を用意しても良い。
図２２は本実施の形態１の半導体装置を実装基板へ実装した状態を示す外観斜視図、図２３は図２２のＨ−Ｈ切断線における断面図である。この半導体装置１を実装基板２７に実装するには、半導体装置１の封止部１２の下面のリード２と対応する実装基板２７の配線２８上にクリーム半田等の接合材２９を塗布し、半導体装置１を接合材２９が塗布され
た実装基板２７の配線２８に仮付けした後、加熱炉（図示せず）でリフローすれば良い。
実施の形態１の半導体装置１は、図２３に示すように、実装時の高さは１ｍｍ前後と大変薄く、しかも平面寸法はＱＦＰ（Quad Flat Package)に代表される封止部の側面からリードが突出しているパッケージに比べて遥かに小さいことから、高密度実装が実現可能となる。また、従来のようにタブが半導体装置の下面から露出していないため、タブと実装基板上の配線とのショートを防止することが可能となる。
（実施の形態２）
図２４は実施の形態２の単位リード部の平面図である。なお、図２４においては、破線が封止領域を示している。図２５は図２４の単位リード部のＩ−Ｉ切断線における断面図、図２６は図２４の単位リード部のＪ−Ｊ切断線における断面図、図２７は、実施の形態２の半導体装置の構造の一部を破断してその内部構造を示す平面図、図２８は図２７の半導体装置のＫ−Ｋ切断線における断面図である。
実施の形態１と実施の形態２との違いは、実施の形態１では、タブ吊りリード４（ただし、外端部は除く）およびタブ５の下面側に段差部６を有するので、そのタブ５およびタブ吊りリード４を封止用樹脂１１により封止することが可能な構造であったが、本実施の形態２では、タブ吊りリード４（ただし、外端部は除く）、タブ５の下面側に加え、リード２のタブ５側の先端部（以下、内端部３１と称する。）にも段差部６を有するので、そのタブ５、タブ吊りリード４に加え、リード２の内端部３１も封止用樹脂１１により封止することが可能である。この点以外は実施の形態１とほぼ同様であるため、相違する点のみ説明し、同様の点については説明を省略する。
図２４、図２５、図２６に示すように、実施の形態２の単位リード部３は、中央部に４本のタブ吊りリード４により支持されているタブ５を有し、そのタブ５の周縁近傍に、前記タブ５を囲むように複数のリード２が存在する。前記タブ吊りリード４（ただし、外端部は除く）、タブ５、複数のリード２の内端部３１の下面は、ハーフエッチング加工が施され、単位リード部３の他の部分の約半分の厚さとなっている。
また、リード２とタブ吊りリード４との接触防止のため、タブ吊りリード４に最も近接する各リード２のタブ吊りリード４と対面する角部３２は面取り加工が施されている。図２７、図２８に示すように、前記単位リード部３のタブ５上には半導体チップ８が非導電性ペースト又は非導電性フィルム等の接着剤９により固定されている。この半導体チップ８の各パッド７は、ＡｕやＡｌ等からなる導電性のワイヤ１０を介して前記複数のリード２と電気的に接続されている。
なお、半導体チップ８、ワイヤ１０、タブ５、タブ吊りリード４、リード２（上面部および側面部および内端部の下面）は、保護、耐湿性の向上を目的にエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封止用樹脂１１により封止されている。ただし、リード２の外端部３０の下面は、外部接続用の端子として半導体装置１の下面側に露出されている。このように実施の形態２の半導体装置１は、リード２の内端部３１の下面にハーフエッチング加工により段差部６を形成し、その段差部６を封止用樹脂１１により封止するので、リード２の内端部３１が比較的自由な形状をとることが可能となった。
すなわち、封止部１２より露出されるリード２の下面は、日本電子機械工業会（Electronic Industries Association of Japan: EIAJ）などにより規格化されており、その形状は限定されてしまうが、封止部１２内のリード２に関しては、規格化されておらずその形状やリードピッチを、半導体チップ８の大きさ、そのパッド数に応じて最適な形状に設計することができる。
本実施の形態２は、ハーフエッチング加工により形成された段差部６を有する点、そこに封止用樹脂１１を存在させることができる点、半導体装置１の下面からリード２の下面を露出させ、それを外部接続用の端子とする点、リード２が封止部１２の側面よりほんのわずかしか突出していない点で実施の形態１と同様の効果が得られる他に、リード２の内端部３１の下面にハーフエッチング加工により段差部６を形成し、その段差部６を封止用樹脂１１により封止するので、リード２の内端部３１はその形状やリードピッチを、半導体チップ８の大きさ、そのパッド数に応じて最適な形状に設計することができる。
（実施の形態３）
図３１は本発明の実施の形態３における半導体装置の一例を封止部を破断してその内部構造を示す平面図、図３２は図３１に示す半導体装置のＬ−Ｌ切断線における断面図、図３３は図３１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図、図３４（ａ）〜（ｅ）は図３１に示す半導体装置の組み立てにおける主要工程ごとの構造の一例を示す断面フロー図である。
本実施の形態３の半導体装置は、実施の形態２で説明した半導体装置と同様のものであり、封止部１２の裏面（半導体装置実装側の面）１２ａの周縁部に複数のリード２が配置されたペリフェラル形のＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) ４９である。
したがって、ここでは、ＱＦＮ４９の特徴部分のみについて説明し、実施の形態２との重複部分の説明については省略する。
ＱＦＮ４９の構造は、半導体チップ８を支持するタブ５と、半導体チップ８が樹脂封止されて形成された封止部１２と、タブ５を支持するタブ吊りリード４と、タブ５の周囲に配置されるとともに封止部１２の裏面１２ａに露出し、かつ厚さ方向に対して段差を形成する肉厚部２ａとこれより薄い肉薄部２ｂとを備えた複数のリード２と、半導体チップ８のパッド（表面電極）７とこれに対応するリード２とを接続する接続部材であるワイヤ１０と、半導体チップ８とタブ５とを接合する銀ペーストなどの接着剤９とからなる。
すなわち、図３１および図３２に示すＱＦＮ４９において、その封止部１２の裏面１２ａの周縁部に配置される各リード２に、肉厚部２ａと肉薄部２ｂとが設けられ、かつリード２の肉厚部２ａが封止部１２の裏面１２ａの周縁部に露出するとともに、肉薄部２ｂが封止用樹脂１１によって覆われている。
つまり、リード２には、肉厚部２ａに比べて厚さの薄い肉薄部２ｂが形成されており、そのうち、ワイヤ１０が接続される肉薄部２ｂは、封止部１２に埋め込まれてインナリードの役割を成し、一方、肉厚部２ａは、その封止部１２の裏面１２ａに露出する面が被接続部２ｃとなってアウタリードの役割を成す。
また、ＱＦＮ４９においては、タブ５が複数のタブ吊りリード４によって支持されるとともに、後述する実施の形態４の図３７に示すように、タブ吊りリード４が、タブ５を支持する支持部４ａと、これに連結しかつ封止部１２の裏面１２ａに露出する露出部４ｂとを備え、さらに、露出部４ｂより支持部４ａが薄く形成されている。
また、これら複数のタブ吊りリード４がタブ５を介して連結されているとともに、タブ吊りリード４の露出部４ｂとリード２の肉厚部２ａとが同じ厚さに形成されている。
すなわち、複数のタブ吊りリード４のそれぞれが、タブ５に繋がりかつこのタブ５とほぼ同じ厚さの支持部４ａと、この支持部４ａと連結しかつ支持部４ａより厚い露出部４ｂとからなり、複数のタブ吊りリード４がタブ５を介して一体となって繋がっている。したがって、タブ吊りリード４には厚い箇所（露出部４ｂ）と、薄い箇所（支持部４ａ）とによる段差が設けられており、複数のタブ吊りリード４がタブ５を介して繋がった状態となっている。
これにより、タブ吊りリード４における支持部４ａは、封止部１２内に埋め込まれ、露出部４ｂは、封止部１２の裏面１２ａのコーナ部の端部に露出している。
なお、ＱＦＮ４９のリード２における肉厚部２ａと肉薄部２ｂとによる段差の加工（肉薄部２ｂを形成する加工）、およびタブ吊りリード４における支持部４ａと露出部４ｂとによる段差の加工（支持部４ａを形成する加工）は、例えば、後述する実施の形態１１のエッチング加工（ハーフエッチング加工）あるいは実施の形態１１のコイニング加工などのプレス加工によって行うことができる。
次に、ＱＦＮ４９の組み立て方法を図３３に示すプロセスフロー図および図３４に示す断面フロー図にしたがって説明する。
まず、半導体チップ８を支持可能なタブ５と、タブ５を支持する支持部４ａおよびこれに連結するとともに支持部４ａより厚い露出部４ｂを備えたタブ吊りリード４と、タブ５の周囲に配置されるとともに厚さ方向に対して段差を形成する肉厚部２ａおよびこれより薄い肉薄部２ｂを備えた複数のリード２とを有するリードフレームであるマトリクスリードフレーム１４（図１１参照）を準備する（ステップＳ１）。
続いて、タブ５に接着剤９を塗布した後、図３４（ａ）に示すように、タブ５と半導体チップ８とを接合する。すなわち、タブ５上に塗布した接着剤９を介してタブ５に半導体チップ８を固定するダイボンディングを行う（ステップＳ２）。
さらに、図３４（ｂ）に示すように、半導体チップ８のパッド７とこれに対応するリード２とを接続部材であるワイヤ１０によって接続するステップＳ３に示すワイヤボンディングを行う。
ここでは、半導体チップ８のパッド７とこれに対応するリード２の肉薄部２ｂとを金線などのワイヤ１０を用いたワイヤボンディングによって接続する。
その後、ステップＳ4 に示すモールドを行って図３４（ｃ）に示すように、封止部１２を形成する。
前記モールドの際には、タブ５のチップ支持面５ａと反対側の面（以降、裏面５ｂという）に封止用樹脂１１を回り込ませるとともにリード２の肉薄部２ｂおよびタブ吊りリード４の支持部４ａを封止用樹脂１１によって覆い、かつ裏面１２ａに複数のリード２の肉厚部２ａおよびタブ吊りリード４の露出部４ｂを周縁部に配置して半導体チップ８を樹脂モールドする。
これにより、半導体チップ８およびワイヤ１０、さらに、タブ５、かつ、タブ５を支持する支持部４ａおよびリード２の肉薄部２ｂが封止部１２に埋め込まれる。
その後、図３４（ｄ）に示すように、ＱＦＮ４９の実装基板２７（図２３参照）への実装時の実装性の向上を目的として封止部１２の裏面１２ａに露出するリード２の外装処理を行う。これにより、メッキ部１３の厚さ分のスタンドオフを確保できる。なお、前記外装処理は、Ｐｂ−Ｓｎ系半田による半田メッキ処理が望ましいが、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系等のＰｂフリー半田によるメッキ処理でも良い。
その後、ステップＳ５に示す切断を行う。
ここでは、タブ吊りリード４の露出部４ｂにおいてタブ吊りリード４を分割するとともに、複数のリード２をマトリクスリードフレーム１４（リードフレーム）の枠部１４ａから分離して、図３４（ｅ）に示すＱＦＮ４９を完成させる（ステップＳ６）。
本実施の形態３のＱＦＮ４９およびその製造方法によれば、リード２に段差すなわち肉薄部２ｂと肉厚部２ａとが設けられ、そのうち肉薄部２ｂが封止部１２に埋め込まれることにより、リード２のＱＦＮ高さ方向における封止部１２からの脱落を防ぐことができ、したがって、リード２の封止部１２からの引き抜き防止を図ることができる。
また、タブ吊りリード４の露出する箇所である露出部４ｂと、リード２の露出する箇所である肉厚部２ａとが同じ厚さに形成されていることにより、モールド時の金型クランプ面を同一面にすることができる。
すなわち、タブ吊りリード４の露出する箇所（露出部４ｂ）と、リード２の露出する箇所（肉厚部２ａ）とが異なった厚さである場合、その薄い側に封止用樹脂１１が入り込み、リード切断時に金属とレジン（封止用樹脂１１）とを一緒に切断しなければならず、この場合、不具合が発生し易いが、タブ吊りリード４の露出部４ｂとリード２の肉厚部２ａとが同じ厚さに形成されていれば、切断箇所に封止用樹脂１１が配置されることはなく、リード切断をスムーズに行うことができる。
これにより、リード切断時の不具合の発生を抑えることができる。
（実施の形態４）
図３５は本発明の実施の形態４の半導体装置の構造の一例を示す外観斜視図、図３６は図３５に示す半導体装置の構造を示す底面図、図３７は図３５に示す半導体装置のＭ−Ｍ切断線における断面図、図３８は図３５に示す半導体装置のＮ−Ｎ切断線における断面図、図３９は図３５に示す半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の状態の一例を示す部分断面図である。
本実施の形態４の半導体装置は、実施の形態３で説明した半導体装置とほぼ同様のＱＦＮ５０である。
図３５〜図３８に示すＱＦＮ５０の特徴は、複数のタブ吊りリード４が、タブ５を支持する支持部４ａと、これに連結しかつ封止部１２の裏面１２ａに露出する露出部４ｂとを備え、この露出部４ｂと支持部４ａにおいて露出部４ｂより支持部４ａが薄く形成されて
おり、かつ、タブ５を介して前記複数のタブ吊りリード４が連結されていることである。
すなわち、図３７に示すように、複数のタブ吊りリード４が相互にタブ５を介して繋がった一体の状態のものであり、かつタブ吊りリード４に厚さの薄い箇所である支持部４ａと、厚い箇所である露出部４ｂとが形成されており、その際、図３６に示すように、タブ吊りリード４における厚い箇所である露出部４ｂが封止部１２の裏面１２ａの４つのコーナ部の端部に配置されている。
これにより、タブ吊りリード４における支持部４ａが封止用樹脂１１によって覆われて
いるとともに露出部４ｂが封止部１２の裏面１２ａのコーナ部の端部に配置されている。
また、図３７に示すように、タブ５のチップ支持面５ａとタブ吊りリード４のチップ配置側の面４ｃとが同一の平坦な面に形成されている。
つまり、本実施の形態４のＱＦＮ５０は、タブ吊りリード４の封止部１２の裏面１２ａへの露出を極力少なくして、タブ吊りリード４とこれに隣接するリード２とにおける実装基板実装時の電気的ショートを防ぐものであり、したがって、タブ吊りリード４の封止部１２のコーナ部の端部に露出する露出部４ｂ以外の箇所（支持部４ａ）を封止部１２内に埋め込むものである。
したがって、タブ吊りリード４における厚い箇所である露出部４ｂは、封止用樹脂１１が配置されずに金属のみからなる箇所を有しており、ここでタブ吊りリード４のリード切断が行われる。
なお、タブ５のチップ支持面５ａとタブ吊りリード４のチップ配置側の面４ｃとが同一の平坦な面に形成されるように、曲げ加工によるタブ上げ加工ではなく、エッチング加工（ハーフエッチング加工）やコイニングなどのプレス加工によってタブ吊りリード４の支持部４ａを露出部４ｂより薄く形成したものであり、したがって、タブ５とタブ吊りリード４の支持部４ａとが、図３７に示すように、同じ厚さで形成されている。
例えば、タブ吊りリード４の露出部４ｂの厚さが０.2ｍｍ程度の場合、タブ５およびこれと同じ厚さの支持部４ａの厚さは、０.0８〜０.1ｍｍ程度（削り量０.1〜０.1２ｍｍ）である。
また、半導体チップ８を支持するタブ５は、図３８に示すように、その大きさが半導体
チップ８より小さく形成されている。すなわち、ＱＦＮ５０は小タブ構造のものである。
したがって、ＱＦＮ５０では、タブ５と半導体チップ８とが銀ペーストなどの接着剤９を介して半導体チップ８のパッド７より内側の箇所（位置）で接合（ダイボンド）されている。
これにより、図３９に示すように、ワイヤボンディング時に、半導体チップ８の裏面８ｂ（半導体集積回路が形成される主面８ａと反対側の面）の周縁部をボンディングステージ２０によって確実に支持することができる。
なお、本実施の形態４のＱＦＮ５０の製造方法は、実施の形態３のＱＦＮ４９とほぼ同じであるが、ダイボンディング工程において半導体チップ８とタブ５とを接合する際に、半導体チップ８をそのパッド７より内側の箇所（領域）でタブ５と接合させる。
さらに、リード切断工程においてタブ吊りリード４の破断（切断）を行う際に、タブ吊りリード４の露出部４ｂにおいて封止用樹脂１１を含まない金属のみを破断することになる。
本実施の形態４のＱＦＮ５０によれば、タブ吊りリード４におけるタブ５の支持部４ａが露出部４ｂより薄く形成されていることにより、支持部４ａを封止用樹脂１１によって覆って封止部１２に埋め込むことができ、したがって、封止部１２の裏面１２ａのコーナ部の端部のみに露出部４ｂを露出させた構造にすることができる。
これにより、封止部１２の裏面１２ａにおいてタブ吊りリード４の露出部４ｂと、これに隣接するリード２とのクリアランスを大きく形成することができ、かつ、タブ５が封止部１２に埋め込まれているため、ＱＦＮ５０（半導体装置）を実装基板２７（図２３参照）などに実装した際の電気的ショートを防止することができる。
また、タブ吊りリード４において露出部４ｂが支持部４ａより厚いことにより、露出部４ｂには封止用樹脂１１が配置されないため、タブ吊りリード４の切断時に封止用樹脂１１を含まない露出部４ｂの金属のみを切断することになり、打痕不良の発生などを防ぐことができ、これにより、タブ吊りリード切断における切断性を向上できる。
また、タブ５を介して複数のタブ吊りリード４が連結されていることにより、タブ５とタブ吊りリード４とが一体に繋がり、かつそのチップ支持側の面が繋がった平坦な面によって形成されるため、タブ５自体の平面度を向上できる。
その結果、半導体チップ８のタブ５へのボンディング時の搭載を容易にできるとともに、チップ接合性を向上できる。
また、タブ５と半導体チップ８とが半導体チップ８のパッド７より内側の箇所で接合されていることにより、ワイヤボンディング時に、ボンディングステージ２０によって半導体チップ８の裏面８ｂの端部付近を支持することができる。
したがって、ワイヤボンディング時に適切な超音波や熱をボンディング用のワイヤ１０に印加することができ、これにより、ワイヤボンディングの信頼性や接合性を向上できる。
（実施の形態５）
図４０は本発明の実施の形態５の半導体装置におけるモールド終了時の構造の一例を封止部を透過してその内部を示す部分平面図、図４１は図４０に示す半導体装置のＰ−Ｐ切断線における断面図、図４２は図４０に示す半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの構造の一例を示す部分平面図、図４３は図４１のＴ部の構造を示す拡大部分断面図、図４４は図４１のＴ部におけるリード切断方法の一例を示す拡大部分断面図、図４５は図４０のＱ部のリード構造を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は溝部断面図、（ｄ）は（ｂ）のＵ−Ｕ切断線における断面図、（ｅ）は（ｂ）のＶ−Ｖ切断線における断面図、図４６は図４０のＱ部のリード構造の変形例を示す平面図である。
本実施の形態５では、実施の形態４で説明したＱＦＮ５０などにおけるリード２の形状についてその効果と合わせて説明する。
なお、図４０は、モールド終了時の封止部１２内の構造を封止部１２および半導体チップ８をそれぞれ透過して示したものである。
また、図４０に示すタブ５は、十字形の小タブ構造（タブ５が半導体チップ８より小さい構造）のものである。
本実施の形態５の半導体装置では、複数のリード２のそれぞれが、封止部１２の裏面１２ａの周縁部に露出する被接続部２ｃと、タブ５側の端部に被接続部２ｃより薄く形成された鍔状の肉薄部２ｂとを備えるとともに、それぞれのリード２にその被接続部２ｃの封止部１２内に配置される露出側と反対側の面（以降、この面をワイヤ接合面２ｄという）に内側溝部（溝部）２ｅおよび外側溝部（溝部）２ｆが設けられている。
なお、半導体チップ８のパッド７とこれに対応するリード２の被接続部２ｃのワイヤ接合面２ｄとがワイヤ１０によって接続され、さらに、リード２の肉薄部２ｂが封止用樹脂１１によって覆われているとともに、ワイヤ１０が被接続部２ｃに対して外側溝部２ｆと内側溝部２ｅとの間で接合されている。
ここで、本実施の形態５のリード２の肉薄部２ｂは、そのタブ側の端部がタブ５に向かって僅かに突出するように鍔状に形成されたものであり、エッチング加工（ハーフエッチング加工）やコイニングなどのプレス加工によって形成される。その際の突出量は、例えば、５０〜１５０μｍ程度であり、この肉薄部２ｂによって、リード２のＱＦＮ高さ方向に対する脱落を防止することができる。
つまり、リード２のＱＦＮ高さ方向への引き抜き防止を図ることができる。
また、リード２のワイヤ接合面２ｄに設けられた内側溝部２ｅは、ワイヤボンディング時のボンディングポイントの目印である。すなわち、リード２のワイヤ接合面２ｄにおいて肉薄部２ｂより外側の領域に内側溝部２ｅを形成しておくことにより、ワイヤ１０が肉薄部２ｂで接合されることを防止できる。
なお、内側溝部２ｅは、ボンディングポイントの目印となる溝であるため、図４５に示すように外側溝部２ｆと比べてその大きさは小さい。
一方、外側溝部２ｆは、リード２の切断時の切断応力を受ける箇所であり、図４４に示すリード切断時に、ワイヤ１０の接合部に応力がかからないようにこの外側溝部２ｆに切断応力を集中させる。
さらに、外側溝部２ｆは、リード２のワイヤ接合面２ｄに、図４３に示すワイヤ接合用の銀メッキなどのメッキ層２ｌを形成する際にメッキ流れを阻止するものでもある。
すなわち、外側溝部２ｆによる溝形状の方が平坦面より絶対距離を長くすることができるため、前記メッキを形成する際のリークパス長さを長くしてメッキ流れを防ぐことができる。
さらに、外側溝部２ｆによる溝形状の方が平坦面より絶対距離を長くすることができるため、封止部１２内への水分の浸入も防ぐことができる。
なお、図４５（ｂ）に示すように、外側溝部２ｆは、内側溝部２ｅよりもその大きさが大きく形成されている。これにより、リード切断時の応力の集中とメッキ層形成時のメッキ流れ阻止とを確実に行うことができる。
ただし、外側溝部２ｆと内側溝部２ｅの大きさや形状は、特に限定されるものではなく
、例えば、図４６に示すように、両者ともほぼ同じ大きさの長円形の溝であってもよい。
また、図４５（ｄ),（ｅ）に示すようにリード２の側面には、その幅方向に僅かに突出する鍔部２ｇが設けられている。
この鍔部２ｇにより、リード２のＱＦＮ高さ方向に対する脱落を防止することができる。すなわち、リード２のＱＦＮ高さ方向への引き抜き防止を図ることができる。
さらに、リード２のワイヤ接合面２ｄに内側溝部２ｅと外側溝部２ｆが設けられていることにより、両溝部に封止用樹脂１１が入り込むため、リード２のその延在方向（ＱＦＮ高さ方向と直角なＱＦＮ水平方向）に対する脱落を防止することができる。すなわち、リード２のその延在方向への引き抜き防止を図ることができる。
なお、本実施の形態５の半導体装置の製造方法では、ワイヤボンディング工程において半導体チップ８のパッド７とこれに対応するリード２の被接続部２ｃとをワイヤボンディングによって接続する際に、図４１に示すように、半導体チップ８のパッド７と、リード２の被接続部２ｃにおける内側溝部２ｅおよび外側溝部２ｆの間の箇所とをワイヤ１０によって接続する。
また、内側溝部２ｅと外側溝部２ｆについては、必ずしも両者が設けられている必要はなく、何れか一方の溝であっもよい。
例えば、リード２のワイヤ接合面２ｄに１つの溝である外側溝部２ｆのみが設けられていてもよく、その場合、ワイヤ１０が被接続部２ｃに対して外側溝部２ｆより内側で接合されていることになる。
これにより、前記同様、リード切断時の応力の集中とメッキ層形成時のメッキ流れ阻止との効果を得ることができる。
また、リード２のワイヤ接合面２ｄに１つの溝である内側溝部２ｅのみが設けられていてもよく、その場合、ワイヤ１０が被接続部２ｃに対して内側溝部２ｅより外側で接合されていることになる。
これにより、内側溝部２ｅをワイヤボンディング時のボンディングポイントの目印として的確な箇所にワイヤボンディングすることができる。
（実施の形態６）
図４７は、実施の形態５で説明した図４０のＲ部の構造を示す拡大部分平面図である。
本実施の形態６では、実施の形態５と同様に、実施の形態４で説明したＱＦＮ５０などにおけるリード２の形状についてその効果と合わせて説明する。
本実施の形態６は、複数のリード２のうち、タブ吊りリード４に隣接してその両側に配置されるリード２を取り上げ、このリード２のタブ吊りリード側の先端に、タブ吊りリード４との間にこれに沿った間隙部２ｉを形成するテーパ部（切り欠き部）２ｈが設けられている場合である。
このテーパ部２ｈは、エッチング加工やプレス加工などによってリードパターンを形成する際の加工上必要な間隙部２ｉを形成するための切り欠きであり、加工上、例えば、リード板厚の８０％程度の間隙が必要となる。
特に、ピン数が増えてタブ吊りリード間に配置されるリード２の密度が増えると、タブ吊りリード４に隣接するリード２のタブ吊りリード側の先端がタブ吊りリード４に近接するため、タブ吊りリード４またはこれに隣接するリード２のパターン加工ができなくなる。
したがって、タブ吊りリード４に隣接するリード２のタブ吊りリード側の先端に、間隙部２ｉを形成するテーパ部（切り欠き部）２ｈを設けたことにより、タブ吊りリード４に隣接して配置されるリード２のリードパターンを形成できるとともに、ピン数の増加にも対応することができる。
（実施の形態７）
図４８は、実施の形態５で説明した図４０のＳ部の構造を示す図であり、（ａ）は拡大部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ切断線における断面図、図４９は、図４８（ａ）のＷ部の構造を示す図であり、（ａ）は拡大部分底面図、（ｂ）は（ａ）の溝部断面図である。
本実施の形態７では、実施の形態４で説明したＱＦＮ５０などにおけるタブ吊りリード４の形状についてその効果と合わせて説明する。
本実施の形態７は、タブ５を支持する複数（４つ）のタブ吊りリード４に関し、それぞれのタブ吊りリード４が、封止部１２の裏面１２ａの端部に露出する露出部４ｂと、封止部１２のモールドライン１２ｂ（外周部）の内側および外側にまたがる肉薄部である溝部４ｄとを備えている場合である。
なお、タブ吊りリード４のモールドライン１２ｂに対応した付近には、モールド金型のゲート２６（図１９参照）が形成されており、したがって、この付近には封止用樹脂１１が厚く形成されるため、リード切断工程においてタブ吊りリード４は破断（引きちぎり）に近い切断となる。
したがって、この溝部４ｄは、リード切断工程におけるタブ吊りリード４の破断（切断）が容易に行われるように応力を集中させるためのノッチ（切り欠き）であり、タブ吊りリード４の封止部１２のモールドライン１２ｂに対応した箇所（モールドライン１２ｂの内側および外側にまたがる領域）に形成して、タブ吊りリード破断時のきっかけを与えるものである。
さらに、溝部４ｄは、図４８（ａ),（ｂ）に示すように、タブ吊りリード４のチップ配置側の面４ｃと反対側の露出側の面に形成されている。
すなわち、溝部４ｄが、タブ吊りリード４の封止部１２の裏面１２ａ側（裏側）に相当する面に形成されている。
これにより、封止用樹脂１１が溝部４ｄの中に入り込むことを防止でき、その結果、レジン（封止用樹脂１１）屑浮遊による打痕不良の発生や、レジンカットによるパンチ摩耗を防ぐことができる。
したがって、リード切断用のパンチ５４（図４４参照）の長寿命化を図ることができる。
また、溝部４ｄは、図４９（ａ),（ｂ）に示すように、タブ吊りリード４の延在方向に長い長円形に形成され、さらに、側壁４ｅによって囲まれている。
これは、モールド時の封止部１２の形成位置のずれを考慮したものであり、溝部４ｄをタブ吊りリード４の延在方向に長い長円形（図４９（ａ）に示すようにＣＤ＞ＥＦとしてリード延在方向に細長い円形とする）に形成することによって、確実にモールドライン１２ｂ上に溝部４ｄを配置するものである。
さらに、長円形の溝部４ｄのリード幅方向の両側部に、図４９（ａ）に示す側壁４ｅ（ＪＫ）が形成されていることにより、溝部４ｄにレジン屑が入り込んだことによるリード切断時のきっかけ妨害の発生を防ぐことができる。
さらに、側壁４ｅによって溝部４ｄへのレジン屑の侵入を防ぐことができるため、前記同様、レジン屑浮遊による打痕不良の発生や、レジンカットによるパンチ摩耗を防ぐことができる。
なお、本実施の形態７の半導体装置の製造方法では、モールド工程において、タブ吊りリード４の溝部４ｄと、封止部１２のモールドライン１２ｂ（外周部）とを対応させて樹脂モールドして封止部１２を形成する。
すなわち、タブ吊りリード４における長円形の溝部４ｄがモールドライン１２ｂの内側と外側とにまたがって配置されるように封止部１２を形成する。
これにより、リード切断（破断）時に、溝部４ｄによってその破断のきっかけを与えることができる。
（実施の形態８）
図５０は本発明の実施の形態８の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図、図５１は図５０（ｃ）のＹ部の構造を示す拡大部分底面図である。
本実施の形態８では、実施の形態４で説明したＱＦＮ５０と同様の図５０（ａ),（ｂ),（ｃ) に示すＱＦＮ５１におけるリード２の封止部１２の裏面１２ａの周縁部に露出する被接続部２ｃの長さと、タブ吊りリード４の封止部１２の裏面１２ａのコーナ部の端部に露出する露出部４ｂの長さとの関係についてその効果と合わせて説明する。
本実施の形態８は、タブ吊りリード４の露出部４ｂの延在方向の長さが、リード２の被接続部２ｃの延在方向の長さより短く形成されている場合である。
すなわち、図５１に示すように、タブ吊りリード４の露出部４ｂの長さ（ＬＸ）を極力短くする。これは、同パッケージサイズにおいてリード数を増やすと、タブ吊りリード４の露出部４ｂとこれの両側に隣接して配置されるリード２との距離が接近して実装基板実
装時の電気的ショートを引き起こす可能性が高くなるため、これを防止するものである。
したがって、タブ吊りリード４の露出部４ｂの長さ（ＬＸ）をリード２の被接続部２ｃの長さ（ＬＰ）より短く形成する（ＬＸ＜ＬＰ）。さらに、好ましくは、タブ吊りリード４に隣接するリード２の被接続部２ｃとタブ吊りリード４の露出部４ｂとの距離（ＬＹ）と、隣り合ったリード間の距離（ＬＺ）との関係を（ＬＹ）≧（ＬＺ）とする。
これにより、ＱＦＮ５１の実装基板実装時の半田などによる電気的ショート（ブリッジ）の発生を防ぐことができる。
（実施の形態９）
図５２は本発明の実施の形態９の半導体装置におけるモールド終了時の構造の一例を封止部を透過してその内部を示す部分平面図、図５３は図５２に示す半導体装置のＺ−Ｚ切断線における断面図、図５４は図５３のＡＢ部の構造を示す拡大部分断面図、図５５は図５３のＡＢ部のリード切断方法の一例を示す拡大部分断面図である。
本実施の形態９では、タブ５の中心付近に向かってこれに接近して配置された延在部２ｊを有した複数のリード２を備える半導体装置におけるリード２の形状についてその効果と合わせて説明する。
なお、図５２は、モールド終了時の封止部１２内の構造を封止部１２および半導体チップ８をそれぞれ透過して示したものである。
本実施の形態９の半導体装置では、タブ５の周囲に配置された複数のリード２のそれぞれが、タブ５の中心付近に向かってタブ５に接近して配置された延在部２ｊと、封止部１２の裏面１２ａの周縁部に露出する被接続部２ｃとを備えており、さらに、各リード２における延在部２ｊが被接続部２ｃより薄く形成されて封止用樹脂１１によって覆われているとともに、被接続部２ｃの封止部１２内に配置される露出側と反対側の面であるワイヤ接合面２ｄにリード溝部（溝部）２ｋが形成されている。
なお、本実施の形態９の半導体装置は、ピン数の増加によるパッケージの拡大化や半導体チップ８の縮小化などによってリード２と半導体チップ８との距離が長くなった際に、各リード２のタブ側の端部にこれを延長させる延在部２ｊを設け、リード２と半導体チップ８との距離が長くならないようにする構造のものである。
したがって、各リード２には、ワイヤ１０が接合し易いように、それぞれのタブ側の端部にタブ５の中心付近に向かって（それぞれに対応するパッド７に向かって）延在部２ｊが設けられている。
すなわち、各リード２は、図５２に示すように、タブ５の近傍周囲から外方に向かって放射状に延在した形状を成している。
これにより、パッケージの大きさが大きくなったり、半導体チップ８の縮小化が図られてもワイヤ長を長くすることがないため、コストアップを抑えることができる。
なお、EIAJ規格により、図５４に示すように、封止部１２の裏面１２ａに露出する被接続部２ｃの長さ（ＬＰ）が定められているため、リード２に延在部２ｊを設けた場合、延在部２ｊを封止部１２に埋め込まなければならず、本実施の形態９の半導体装置では、延在部２ｊの位置を高めることなく（リード上げ加工を行うことなく）、延在部２ｊを被接続部２ｃより薄く形成して封止部１２内に埋め込んだ構造としている。
すなわち、図５３、図５４に示すように、各リード２における延在部２ｊが、封止部１２の裏面１２ａに露出する被接続部２ｃより薄く形成され、かつこの延在部２ｊはタブ５とともに封止用樹脂１１によって覆われている。
なお、延在部２ｊが被接続部２ｃより薄く形成されたことにより、封止部１２の厚さ方向へのリード２の脱落を防止することができる。
さらに、延在部２ｊは、図４１に示す鍔状の肉薄部２ｂと比較してこれより延在方向に長い距離であるため、ワイヤボンディング時に延在部２ｊの下部にボンディングステージ２０（図３９参照）を配置することも可能であり、ワイヤボンディング時に適正な超音波や熱をワイヤ１０とリード２とに印加できる。
なお、延在部２ｊはエッチング加工（ハーフエッチング加工）や、あるいはコイニングなどのプレス加工によって薄く形成することが可能である。
また、各リード２の被接続部２ｃの封止部１２内に配置されるワイヤ接合面２ｄ（露出側と反対側の面）の外側寄りの箇所には、図５４に示すように、リード溝部（溝部）２ｋが形成されている。
このリード溝部２ｋは、実施の形態５で説明した外側溝部２ｆ（図４３参照）と同じ機能を有し、したがって、図５５に示すパンチ５４を用いたリード切断時に、ワイヤ１０の接合部に応力がかからないようにこのリード溝部２ｋに切断応力を集中させることができる。
さらに、リード溝部２ｋは、リード２のワイヤ接合面２ｄに、図５４に示すワイヤ接合用の銀メッキなどのメッキ層２ｌを形成する際にメッキ流れを阻止することもできる。
さらに、リード溝部２ｋによる溝形状の方が平坦面より絶対距離を長くすることができるため、封止部１２内への水分の浸入も防ぐことができる。
また、モールドによってリード溝部２ｋに封止用樹脂１１が入り込むため、リード２のその延在方向に対するリード２の脱落を防止することができる。すなわち、リード２のその延在方向への引き抜き防止を図ることができる。
（実施の形態１０）
図５６（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) 、図５７（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) および図５８（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるエッチングによる加工方法を示す部分断面図である。
本実施の形態１０は、実施の形態１〜９で説明した半導体装置のリード２およびタブ５の加工方法の一例について説明したものであり、ここでは、エッチング加工（ハーフエッチング加工）について説明する。
なお、本実施の形態１０のエッチング加工に用いるエッチング液５２は、例えば、塩化第二鉄溶液などであるが、これに限定されるものではない。
図５６（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は、例えば、図４５（ｅ）に示すようなリード２の断面形状を形成する際の方法（手順）であり、また、図５７（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は、例えば、図４５（ｄ）に示すようなリード２の断面形状を形成する際の方法（手順）である。
すなわち、図５６、図５７では、フォトレジスト膜５３が形成されていない箇所（図５６、図５７に示すＡ箇所およびＢ箇所）の開口幅（開口面積）を変えることにより、リード２の表裏面のエッチング量を調整し、これによって、それぞれの断面形状を得ることが可能になる。
図５６に示す加工においては、Ａ≒ＢおよびＧ≒Ｈであるため、Ｃ≒Ｄ、Ｅ≒Ｆとなる。
一方、図５７に示す加工においては、Ａ＜ＢおよびＩ＞Ｊであるため、Ｃ＜Ｄ、Ｅ＞Ｆとなる。
また、図５８（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ) は、例えば、図５３に示すようなタブ５の裏面加工やリード２の延在部２ｊの薄肉化加工などを行う際の方法（手順）である。
すなわち、図５８（ａ) に示すように、タブ５などの加工面側のみを細かいピッチ（Ｂ）でフォトレジスト膜５３を形成し、図５８（ｂ）に示すように、前記加工面側のみにエッチング液５２を塗布することにより、図５３に示すようなタブ５の裏面加工やリード２の延在部２ｊの薄肉化加工を実現できる。
（実施の形態１１）
図５９（ａ),（ｂ),（ｃ) 、図６０（ａ),（ｂ),（ｃ) および図６１（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームの加工方法の一例であるプレス方法を示す部分断面図である。
本実施の形態１１は、実施の形態１〜９で説明した半導体装置のリード２およびタブ５の加工方法の一例について説明したものであり、ここでは、コイニングなどのプレス加工について説明する。
図５９（ａ),（ｂ),（ｃ) は、例えば、図５３に示すようなタブ５の裏面加工などを行う際のプレス加工による方法（手順）であり、また、図６０（ａ),（ｂ),（ｃ) は、図５３に示すようなリード２の延在部２ｊの薄肉化加工などを行う際のプレス加工による方法（手順）である。
すなわち、両者とも、受け台５５によって支持されたタブ５あるいはリード２などをパンチ５４によってコイニングして薄肉化加工するものである。
なお、この加工方法においては、素材加工の始めに前記コイニングを行ってもよいし、あるいは、リードフレームパターン形成完了後に必要な箇所のみに対して前記コイニングを行ってもよい。
また、図６１（ａ),（ｂ),（ｃ) は、例えば、図４５（ｄ）に示すようなリード断面形状を形成する際のプレス加工による方法（手順）である。
すなわち、図６１（ａ）に示すように、受け台５５によって支持されたリード２などをパンチ５４によりコイニングして薄肉化した後、図６１（ｂ),（ｃ）に示すように、不要箇所を切断加工して必要なリード２の断面形状を取得することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、前記実施の形態１〜１１では、タブ５の形として円形や十字形のものを説明したが、タブ５の形状は、特に限定されるものではなく、図６２や図６４に示す変形例の半導体装置に用いられる形状のものなどであってもよい。
図６２、図６３に示すタブ５は、４分割による小タブ構造を示しており、この場合、各タブ５の水平方向（タブ吊りリード４に水平な方向）への伸縮性を向上できるため、その結果、半導体装置の温度サイクル性を向上でき、したがって、チップクラックやパッケージクラックなども低減できる。
また、図６４に示すタブ５は、枠状の小タブ構造を示しており、この場合、封止用樹脂１１と半導体チップ８の裏面８ｂとの接合面積を増やすことができるため、半導体チップ８の剥離などを低減できる。
なお、前記実施の形態１〜１１では、リードフレームがマトリクスリードフレーム１４の場合について説明したが、前記リードフレームは、単位リードフレーム１５を１列に配置した多連のものであってもよい。 また、前記実施の形態１〜１１では、半導体装置が小形のＱＦＮの場合について説明したが、前記半導体装置は、モールドによる樹脂封止形で、かつリードフレームを用いて組み立てるペリフェラル形のものであれば、ＱＦＮ以外の半導体装置であってもよい。
本発明は、電子装置および半導体装置に好適である。
１ 半導体装置
２ リード
２ａ 肉厚部
２ｂ 肉薄部
２ｃ 被接続部
２ｄ ワイヤ接合面
２ｅ 内側溝部
２ｆ 外側溝部
２ｇ 鍔部
２ｈ テーパ部
２ｉ 間隙部
２ｊ 延在部
２ｋ リード溝部
２ｌ メッキ層
３ 単位リード部
４ タブ吊りリード
４ａ 支持部
４ｂ 露出部
４ｃ チップ配置側の面
４ｄ 溝部
４ｅ 側壁
５ タブ
５ａ チップ支持面
５ｂ 裏面
６ 段差部
７ パッド
８ 半導体チップ
８ａ 主面
８ｂ 裏面
９ 接着剤
１０ ワイヤ
１１ 封止用樹脂
１２ 封止部
１２ａ 裏面
１２ｂ モールドライン
１３ メッキ部
１４ マトリクスリードフレーム
１４ａ 枠部
１５ 単位リードフレーム
１６ 応力緩和スリット
１７ ガイドピン
１８ シリンジ
１９ コレット
２０ ボンディングステージ
２１ キャピラリ
２２ 下金型
２３ 上金型
２４ キャビティ
２５ ランナ
２６ ゲート
２７ 実装基板
２８ 配線
２９ 接合材
３０ 外端部
３１ 内端部
３２ 角部
３３ 内部導出リード
３４ タブ
３５ リードフレーム
３６ 半導体チップ
３７ ボンディングワイヤ
３８ 封止材
３９ リードフレーム
４０ 吊りリード
４１ タブ
４２ 半導体素子
４３ 電極
４４ インナーリード部
４５ 金属配線
４６ 封止樹脂
４７ 外部端子
４８ 段差部
４９，５０，５１ ＱＦＮ（半導体装置）
５２ エッチング液
５３ フォトレジスト膜
５４ パンチ
５５ 受け台

Claims (9)

  1. 上面、前記上面とは反対側の下面を有するタブと、
    前記タブとそれぞれ一体に形成された複数の吊りリードと、
    主面、前記主面に形成された複数のパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記タブの前記上面と対向するように、前記タブの前記上面上に搭載された半導体チップと、
    平面視において前記タブの周囲に位置し、かつ前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う吊りリード間にそれぞれ配置された複数のリードと、
    前記半導体チップの前記複数のパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
    表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止部と、
    を含み、
    前記封止部の平面形状は、四辺形からなり、
    前記複数のリードは、前記吊りリードと隣接する第１リードを有し、
    前記第１リードは、平面視において前記封止部の辺に対して交差する第１方向に延在する第１部分と、前記第１部分よりも前記タブ側に位置し、かつ平面視において前記第１部分から前記タブに向かう第２方向に延在する第２部分とを有し、
    前記第１リードの前記第１部分は、前記封止部の前記裏面から露出され、
    前記第１リードの前記第２部分は、前記封止部内に位置していることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記封止部内において、前記封止部の中央部から前記封止部の角部に向かって延在していることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１リードの前記第２部分は、前記第１部分の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第１部分は、平面視において、前記封止部の前記辺に対して直交していることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記第２方向は、平面視において、前記第１方向に対して鋭角を成していることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項５記載の半導体装置において、
    前記第２部分は、平面視において、前記吊りリードに沿って延在していることを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記半導体装置は、ＱＦＮ構造であることを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記封止部の前記表面は、前記半導体チップの前記主面側に位置し、
    前記封止部の前記裏面は、前記タブの前記下面側に位置していることを特徴とする半導体装置。
  9. 請求項１記載の半導体装置において、
    前記封止部の角部は、面取りされていることを特徴とする半導体装置。
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