JP2010166100A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダイパッド106と、信号用リード102と、ダイパッド106に接続された接地用接続リード103と、接地用の電極パッドを有する半導体チップ201と、金属細線202と、ダイパッド106,半導体チップ201を封止すると共に信号用リード102及び接地用接続リード103の下部を外部端子として露出させて封止する封止樹脂203とを備えている。接地用接続リード103は接地用の電極パッドに接続されているため、樹脂封止型半導体装置は電気的に安定化される。また、ダイパッド106と接地用接続リードによって信号用リード102を通過する高周波信号間の干渉が抑制される。
【選択図】図10
Description
本発明の第1の実施形態として、リードフレームと、該リードフレームを用いて製造されるQFNである樹脂封止型半導体装置を説明する。
はじめに、本発明の第1の実施形態に係るQFN型の樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレーム(以下、「本実施形態のリードフレーム」と称する)について説明する。
図10(a)〜(c)は、それぞれ上述のリードフレームを用いて製造された本実施形態の樹脂封止型半導体装置の、底面から見たときの平面図,Xb−Xb線における断面図及び外観を示す斜視図である。なお、本明細書中では、外部端子104が露出した面を樹脂封止型半導体装置の底面あるいは下面とし、それに対向する面を上面と称する。
次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の高周波特性について調べた結果について説明する。
このとき、導通道程1mm当たりのインダクタンスが1nHとすると、上記信号の導通道程におけるインダクタンスは、本実施形態の樹脂封止型半導体装置で0.80nHであるのに対し、QFPでは2.40nHとなる。このインダクタンスの差は、図21で検討された範囲を遙かに越える差である。
次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一例について説明する。
本発明の第2の実施形態として、QFNの一変形例であるHQFN(ヒートシンク付きQuad Flat Non-leaded Package)を説明する。
また、図27(c)に示すように、樹脂封止型半導体装置の底面の四隅に露出する吊りリード125は、ダイパッド126に接続されると共に半導体チップ221の接地用電極パッドに電気的に接続されており、接地用接続リード123を兼ねている。
本発明の第3の実施形態として、SONである樹脂封止型半導体装置の説明を図を用いて行なう。
図37(a)は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の第1の変形例を底面から見たときの平面図であり、図37(b)は、段差加工を施したリードフレームを用いた場合の第1の変形例の断面図であり、図37(c)は、段差加工とテーパー段差加工とを施した場合の第1の変形例の断面図である。なお、図37(b),(c)は、ダイパッド136を通り、長手方向に切った断面を示している。
本発明の第4の実施形態として、LGAである樹脂封止型半導体装置の説明を以下に行なう。
次に、外部端子が3列になっている本実施形態の樹脂封止型半導体装置の変形例について説明する。
101b,101c 位置決め穴
102,122,132,142 信号用リード
103,123,133,143 接地用接続リード
104,124,134,144 外部端子
105,125,135,145 吊りリード
106,126,136,146 ダイパッド
107 外形ライン
108 モールドライン
111 封止テープ
112 回路
116 基板配線
117 溝
151 装置分離用ブレード
151a 装置分離ライン
152 装置貼付用テープ
201,231,221,241 半導体チップ
202,222,232,242 金属細線
203,223,233,243 封止樹脂
204 ゲート
205 ランナー
206a,206b 樹脂封止金型
207 プランジャー
208 ポッド
209 エアベント
210 空気逃げ溝
Claims (14)
- ダイパッドと、
上記ダイパッドの上面に搭載された半導体チップと、
上記ダイパッドの周囲に配置された複数本の第1のリードと、
上記ダイパッドを支持する少なくとも1本の第2のリードと、
上記第1のリードの上面に接続され、上記第1のリードと上記半導体チップとを接続する金属細線と、
上記第1のリードの下面の一部を第1の外部端子、上記第2のリードの下面の一部を第2の外部端子として露出させるように、上記半導体チップ、上記ダイパッド、上記第1のリード、及び上記第2のリードを封止する封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、
上記第1の外部端子及び上記第2の外部端子は上記樹脂封止型半導体装置の底面と同一面内に露出しており、
上記第2のリードのうち、上記第2の外部端子となる第1部分と上記ダイパッドとの間に位置する第2部分の厚みは上記第1部分より薄く、上記第2部分には段差部が形成され、上記段差部は上記封止樹脂内に封止され、
上記第1の外部端子の上記ダイパッドに対向する第1端辺と、上記第2の外部端子の上記ダイパッドに対向する第2端辺とが一直線上に形成され、
上記第1の外部端子と上記第2の外部端子との距離は一定であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 上記第2のリードは複数本設けられており、
上記第2のリードは、少なくとも一つの上記第1のリードを挟むように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 上記第2の外部端子の幅は、互いに隣接する二本の上記第1のリードの幅と、上記二本の第1のリード間の隙間とを合わせた幅であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 高周波半導体装置であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記第1のリードの側面と上記第2のリードの側面とは上記樹脂封止型半導体装置の側面と同一面内にあることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記第2のリードのうち、上記第2の外部端子となる上記第1部分とダイパッドとの間の上記第1部分は上方に向かって曲げられていることを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記ダイパッドは上記第1のリードよりも高い位置に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記ダイパッドの上面は、上記第1のリードの上面と比べて少なくとも0.03mmより高い位置、又は上記第1のリードの厚みの3/4以上高い位置にあることを特徴とする請求項6に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 少なくとも上記ダイパッドの一部は露出していることを特徴とする請求項1〜6のうちいずれか1つに記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記第2のリードのうち、上方に向かって曲げられた立ち上げ部の裏面には溝が設けられていることを特徴とする請求項6に記載の樹脂封止型半導体装置。
- ダイパッドと、
上記ダイパッドの上面に搭載された半導体チップと、
上記ダイパッドの周囲に配置された複数本の第1のリードと、
上記ダイパッドを支持する少なくとも1本の第2のリードと、
上記第1のリード又は上記第2のリードと上記半導体チップとを接続する金属細線と、
上記第1のリードの下面の一部を第1の外部端子、上記第2のリードの下面の一部を第2の外部端子として露出させるように、上記半導体チップ、上記ダイパッド、上記第1のリード、及び上記第2のリードを封止する封止樹脂とを備えた樹脂封止型半導体装置であって、
上記第1の外部端子と上記第2の外部端子とは上記樹脂封止型半導体装置の底面と同一面内に露出しており、
上記第2のリードの下面のうち上記第2の外部端子となる部分と上記ダイパッドとの間に位置する部分は、上記第1のリードの上記ダイパッドに対向する端辺と上記第2のリードの上記ダイパッドに対向する端辺とが直線を形成するように封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 上記第1のリードの側面と上記第2のリードの側面とは上記樹脂封止型半導体装置の側面と同一面内にあることを特徴とする請求項11に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記第2のリードのうち、上記第2の外部端子となる部分と上記ダイパッドとの間に位置する部分の厚みは上記第2の外部端子となる部分より薄いことを特徴とする請求項11に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 上記第2のリードのうち、上記第2の外部端子となる部分と上記ダイパッドとの間の部分は上方に向かって曲げられていることを特徴とする請求項11に記載の樹脂封止型半導体装置。
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