JP2000196005A - 半導体装置 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】封止樹脂底面からリードを露出させた構造の樹
脂封止型半導体装置において、リード１０の外部端子部
１３と封止樹脂２０との境界部Ｐ部での外部端子部の下
面１３ｂ上への薄バリの発生を抑制する。 【解決手段】リ−ド１０の連結部１２が外部端子部１３
と接続する第１の端部の外部端子部の下面１３ｂ側の面
に連結部１２の幅全体を横断する凹部を形成する。
脂封止型半導体装置において、リード１０の外部端子部
１３と封止樹脂２０との境界部Ｐ部での外部端子部の下
面１３ｂ上への薄バリの発生を抑制する。 【解決手段】リ−ド１０の連結部１２が外部端子部１３
と接続する第１の端部の外部端子部の下面１３ｂ側の面
に連結部１２の幅全体を横断する凹部を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関し、特に薄型の半導体装置を実現するＳＯＮ
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ‐ｌｅａｄ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）構造のように、リードの外部端子部の一
部が下面が露出しながら封止樹脂に埋め込まれ且つ外部
端子部の下面と封止樹脂底面とがほぼ平坦になっている
構造の樹脂封止型半導体装置のリードの構造に関する。
装置に関し、特に薄型の半導体装置を実現するＳＯＮ
（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ‐ｌｅａｄ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）構造のように、リードの外部端子部の一
部が下面が露出しながら封止樹脂に埋め込まれ且つ外部
端子部の下面と封止樹脂底面とがほぼ平坦になっている
構造の樹脂封止型半導体装置のリードの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の小型化、薄型化に対
する要求はますます強まっている。この要求への一つの
対応策として、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｎｏｎ‐ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造のように、封
止樹脂底面からリードを露出させた構造の樹脂封止型半
導体装置が提案されている。
する要求はますます強まっている。この要求への一つの
対応策として、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ
Ｎｏｎ‐ｌｅａｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造のように、封
止樹脂底面からリードを露出させた構造の樹脂封止型半
導体装置が提案されている。
【０００３】図８は、この種の樹脂封止型半導体装置の
第１の従来例を模式的に示す図であり、図８（ａ）は、
図１のＡ−Ａ’部断面に相当する第１の従来例の断面
図、図８（ｂ）は、第１の従来例の樹脂封止半導体装置
１００を裏面から見た平面図である。
第１の従来例を模式的に示す図であり、図８（ａ）は、
図１のＡ−Ａ’部断面に相当する第１の従来例の断面
図、図８（ｂ）は、第１の従来例の樹脂封止半導体装置
１００を裏面から見た平面図である。
【０００４】図８を参照すると、樹脂封止型半導体装置
１００のデプレス曲げ加工されたリード１１０は、半導
体チップ１４０と例えばボンディング線１５０で電気的
に接続される内部端子部１１１，連結部１１２及び外部
端子部１１３を含んでなり、内部端子部１１１と連結部
１１２との接続部及び連結部１１２と外部端子部１１３
との接続部でそれぞれ曲げ加工が施されている。また半
導体チップ１４０はアイランド１３０に図示されていな
い導電性接着剤等を介して搭載・固着され、内部端子部
１１１，連結部１１２，外部端子部１１３の一部，アイ
ランド１３０及び半導体チップ１４０が封止樹脂１２０
で封止されている。更に、外部端子部１１３の下面は封
止樹脂１２０の底面とほぼ平坦になっており且つ封止樹
脂１２０で被覆されず、露出している。
１００のデプレス曲げ加工されたリード１１０は、半導
体チップ１４０と例えばボンディング線１５０で電気的
に接続される内部端子部１１１，連結部１１２及び外部
端子部１１３を含んでなり、内部端子部１１１と連結部
１１２との接続部及び連結部１１２と外部端子部１１３
との接続部でそれぞれ曲げ加工が施されている。また半
導体チップ１４０はアイランド１３０に図示されていな
い導電性接着剤等を介して搭載・固着され、内部端子部
１１１，連結部１１２，外部端子部１１３の一部，アイ
ランド１３０及び半導体チップ１４０が封止樹脂１２０
で封止されている。更に、外部端子部１１３の下面は封
止樹脂１２０の底面とほぼ平坦になっており且つ封止樹
脂１２０で被覆されず、露出している。
【０００５】また、第２の従来例として、特開平２−２
４０９４０号公報には、この種の樹脂封止型半導体装置
が、そのの製造方法と共に開示されている。
４０９４０号公報には、この種の樹脂封止型半導体装置
が、そのの製造方法と共に開示されている。
【０００６】図９は、特開平２−２４０９４０号公報に
開示されている製造方法を示す断面図である。図９を参
照すると、第２の従来例の半導体装置２００では、平板
状の支持部２７１の一方の面に凸状の電極２１０，２３
０が設けられたリードフレーム２７０を用い、この電極
２３０上に接着剤２３１を塗布して集積回路素子２４０
を搭載し、電極２１０と集積回路素子２４０とを接続体
２５０によって接続し、少なくとも集積回路素子２４０
と接続体２５０とを封止樹脂２２０で覆った後に、支持
部２７１の他方の面を電極２１０が露出するまで除去す
る（例えば、砥石２９０を備えた平面研削盤による研削
による）ことにより、外部接続用端子が形成されてい
る。
開示されている製造方法を示す断面図である。図９を参
照すると、第２の従来例の半導体装置２００では、平板
状の支持部２７１の一方の面に凸状の電極２１０，２３
０が設けられたリードフレーム２７０を用い、この電極
２３０上に接着剤２３１を塗布して集積回路素子２４０
を搭載し、電極２１０と集積回路素子２４０とを接続体
２５０によって接続し、少なくとも集積回路素子２４０
と接続体２５０とを封止樹脂２２０で覆った後に、支持
部２７１の他方の面を電極２１０が露出するまで除去す
る（例えば、砥石２９０を備えた平面研削盤による研削
による）ことにより、外部接続用端子が形成されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】まず、第１の従来例に
おいては、図８（ａ）に示すようにリードのデプレス加
工の際、連結部１１２と外部端子部１１３との接続部で
の曲げ加工ではエッジ（角部）が得られず、Ｒ部（丸
み）がついてしまう。このため、樹脂封止の際に、図８
（ｂ）に示すようにリードと封止樹脂の境界部（図８
（ｂ）のＱ部）に薄い樹脂バリが不規則に発生し、外部
端子部の露出面の形状が安定しないという欠点が有り、
この樹脂バリを低減することが求められていた。
おいては、図８（ａ）に示すようにリードのデプレス加
工の際、連結部１１２と外部端子部１１３との接続部で
の曲げ加工ではエッジ（角部）が得られず、Ｒ部（丸
み）がついてしまう。このため、樹脂封止の際に、図８
（ｂ）に示すようにリードと封止樹脂の境界部（図８
（ｂ）のＱ部）に薄い樹脂バリが不規則に発生し、外部
端子部の露出面の形状が安定しないという欠点が有り、
この樹脂バリを低減することが求められていた。
【０００８】また、第２の従来例のような製造方法を用
いると、電極２１０（リード）と封止樹脂２２０の境界
部での薄い樹脂バリの不規則な発生は抑制されるが、通
常の組立工程の他に裏面研磨加工という追加工程が必要
であり、組立加工費が上がってしまうという問題があっ
た。
いると、電極２１０（リード）と封止樹脂２２０の境界
部での薄い樹脂バリの不規則な発生は抑制されるが、通
常の組立工程の他に裏面研磨加工という追加工程が必要
であり、組立加工費が上がってしまうという問題があっ
た。
【０００９】本発明は、ＳＯＮ構造のように、封止樹脂
底面からリードを露出させた構造の樹脂封止型半導体装
置において、リードの外部端子部と封止樹脂との境界部
での外部端子部上への薄い樹脂バリの発生を抑制して外
部端子部露出面の形状を安定化させた封止型半導体装置
を、樹脂封止後の裏面研磨加工のような工程追加をする
ことなく、安価に提供することを目的とするものであ
る。
底面からリードを露出させた構造の樹脂封止型半導体装
置において、リードの外部端子部と封止樹脂との境界部
での外部端子部上への薄い樹脂バリの発生を抑制して外
部端子部露出面の形状を安定化させた封止型半導体装置
を、樹脂封止後の裏面研磨加工のような工程追加をする
ことなく、安価に提供することを目的とするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップと、この半導体チップと電気的に接続され
ているリードと、前記半導体チップ及び少なくとも前記
リードの一部を封止する封止樹脂とを含む半導体装置に
おいて、前記リードは少なくとも、前記半導体チップと
電気的に接続される内部端子部と、前記半導体装置を回
路基板に実装する際にこの回路基板上の導体に接続され
る外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを
連結する連結部とを含んでなり、この連結部の前記外部
端子部と接続している第１の端部に前記連結部を幅方向
に横断する凹部を有し、少なくとも前記半導体チップと
前記リードの前記内部端子部と前記凹部を含む前記連結
部と前記外部端子部の一部が前記封止樹脂に封止され且
つ前記外部端子部の下面は前記封止樹脂の底面に露出し
ていることを特徴としている。
半導体チップと、この半導体チップと電気的に接続され
ているリードと、前記半導体チップ及び少なくとも前記
リードの一部を封止する封止樹脂とを含む半導体装置に
おいて、前記リードは少なくとも、前記半導体チップと
電気的に接続される内部端子部と、前記半導体装置を回
路基板に実装する際にこの回路基板上の導体に接続され
る外部端子部と、前記内部端子部と前記外部端子部とを
連結する連結部とを含んでなり、この連結部の前記外部
端子部と接続している第１の端部に前記連結部を幅方向
に横断する凹部を有し、少なくとも前記半導体チップと
前記リードの前記内部端子部と前記凹部を含む前記連結
部と前記外部端子部の一部が前記封止樹脂に封止され且
つ前記外部端子部の下面は前記封止樹脂の底面に露出し
ていることを特徴としている。
【００１１】又、本発明の半導体装置は、そのリードが
少なくとも凹部でデプレス曲げ加工されており、また凹
部形成面はこの曲げ方向に対して反対側が好ましい。
少なくとも凹部でデプレス曲げ加工されており、また凹
部形成面はこの曲げ方向に対して反対側が好ましい。
【００１２】又、本発明の半導体装置のリード凹部は、
化学的なエッチング或いはコイニング処理により形成す
ることができる。
化学的なエッチング或いはコイニング処理により形成す
ることができる。
【００１３】この時、凹部の深さは、リード強度を保持
しながら良好なデプレス曲げ加工形状を得るために、リ
ード厚さの１／４〜２／３程度であることが好ましい。
しながら良好なデプレス曲げ加工形状を得るために、リ
ード厚さの１／４〜２／３程度であることが好ましい。
【００１４】更に、本発明の半導体装置は、この半導体
装置を回路基板に実装する際に回路基板上の導体と当接
する外部端子部の面が、封止樹脂の底面と平坦になるよ
うに、或いは連結部に形成されている凹部の深さを超え
ない範囲で封止樹脂の底面から突出させることができ
る。
装置を回路基板に実装する際に回路基板上の導体と当接
する外部端子部の面が、封止樹脂の底面と平坦になるよ
うに、或いは連結部に形成されている凹部の深さを超え
ない範囲で封止樹脂の底面から突出させることができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１６】尚、以下の説明では、半導体装置の４辺に
リードを具備している例を用いるが、向かい合う２辺の
みに具備した場合でも同様に適用できることはいうまで
もない。
リードを具備している例を用いるが、向かい合う２辺の
みに具備した場合でも同様に適用できることはいうまで
もない。
【００１７】図１，２，３は、本発明の半導体装置の第
１の実施形態を模式的に示す図であり、図１は外観斜視
図、図２（ａ）は図１におけるＡ−Ａ’部の断面図、図
２（ｂ）はリード１０の要部を示すための拡大断面図、
図３は図１の半導体装置を底面側から（図中Ｂ方向か
ら）見た平面図である。
１の実施形態を模式的に示す図であり、図１は外観斜視
図、図２（ａ）は図１におけるＡ−Ａ’部の断面図、図
２（ｂ）はリード１０の要部を示すための拡大断面図、
図３は図１の半導体装置を底面側から（図中Ｂ方向か
ら）見た平面図である。
【００１８】図１〜３を参照すると、本実施形態の半導
体装置は、内端子部１１，連結部１２，外部端子部１３
からなりデプレス曲げ加工されたリード１０と、アイラ
ンド３０に搭載された半導体チップ４０と、半導体チッ
プ４０とリード１０を電気的に接続するボンディング線
５０とを備え、リード１０の内部端子部１１，連結部１
２及び外部端子部１３の一部，アイランド３０，半導体
チップ４０並びにボンディング線５０が封止樹脂２０で
封止されている。リード１０のデプレス曲げ加工は、第
１の端部１５及び第２の端部１６でそれぞれ曲げ加工が
施されている。また、第１の端部１５には、この第１の
端部１５での曲げ方向と反対側の面（外部端子部の下面
１３ｂ側の面）に凹部１４が連結部１２の幅方向全体に
渡って形成されており、この凹部１４も封止樹脂２０で
封止されている。
体装置は、内端子部１１，連結部１２，外部端子部１３
からなりデプレス曲げ加工されたリード１０と、アイラ
ンド３０に搭載された半導体チップ４０と、半導体チッ
プ４０とリード１０を電気的に接続するボンディング線
５０とを備え、リード１０の内部端子部１１，連結部１
２及び外部端子部１３の一部，アイランド３０，半導体
チップ４０並びにボンディング線５０が封止樹脂２０で
封止されている。リード１０のデプレス曲げ加工は、第
１の端部１５及び第２の端部１６でそれぞれ曲げ加工が
施されている。また、第１の端部１５には、この第１の
端部１５での曲げ方向と反対側の面（外部端子部の下面
１３ｂ側の面）に凹部１４が連結部１２の幅方向全体に
渡って形成されており、この凹部１４も封止樹脂２０で
封止されている。
【００１９】外部端子部１３の上面１３ａ及び両側面の
一部は封止樹脂２０で封止されているが、下面１３ｂは
封止樹脂２０の底面とほぼ平坦になっておりかつ封止樹
脂２０で被覆されないで露出して外部電極となってい
る。
一部は封止樹脂２０で封止されているが、下面１３ｂは
封止樹脂２０の底面とほぼ平坦になっておりかつ封止樹
脂２０で被覆されないで露出して外部電極となってい
る。
【００２０】ここで、本発明の半導体装置のリードを実
現するためのリードフレームについて簡単に説明する。
現するためのリードフレームについて簡単に説明する。
【００２１】図４は本発明の半導体装置の製造に用いら
れるリードフレーム７０の模式的な平面図、図５は図４
のリードを中心とした部分を拡大した図であり、図５
（ａ）はリードを中心とした部分の拡大平面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ’部の断面図であり、図５
（ｃ）は図５（ｂ）を上方から見た模式的な平面図であ
る。
れるリードフレーム７０の模式的な平面図、図５は図４
のリードを中心とした部分を拡大した図であり、図５
（ａ）はリードを中心とした部分の拡大平面図、図５
（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ’部の断面図であり、図５
（ｃ）は図５（ｂ）を上方から見た模式的な平面図であ
る。
【００２２】図４，５に示されるリードフレームの製造
法の一例は次の如くである。
法の一例は次の如くである。
【００２３】まず、公知のプレス技術或いはエッチング
技術を用いてリード１０、アイランド３０等の形成した
後、各リード１０の外部端子部１３の部分と連結部１２
の部分との境界部の連結部側（第１の端部１５）に所定
の開口幅ｈの凹部１４をあらかじめ形成する。この時ア
イランド３０を支持している吊りリード３１について
も、凹部３２を形成しても良い。その後、所定のエリア
にメッキ等の表面処理を施した後、公知の曲げ加工技術
を用いてリード１０のデプレス曲げ加工を行う。必要に
応じてアイランドの吊りリード３１にもデプレス曲げ加
工を施す。
技術を用いてリード１０、アイランド３０等の形成した
後、各リード１０の外部端子部１３の部分と連結部１２
の部分との境界部の連結部側（第１の端部１５）に所定
の開口幅ｈの凹部１４をあらかじめ形成する。この時ア
イランド３０を支持している吊りリード３１について
も、凹部３２を形成しても良い。その後、所定のエリア
にメッキ等の表面処理を施した後、公知の曲げ加工技術
を用いてリード１０のデプレス曲げ加工を行う。必要に
応じてアイランドの吊りリード３１にもデプレス曲げ加
工を施す。
【００２４】以上により、本発明の半導体装置の製造に
用いられるリードフレーム７０が完成する。
用いられるリードフレーム７０が完成する。
【００２５】尚、凹部１４を形成する面は、第１の端部
１５でのデプレス曲げ加工方向と反対側の面、言い換え
ると外部端子部の下面１３ｂに連続する面である。
１５でのデプレス曲げ加工方向と反対側の面、言い換え
ると外部端子部の下面１３ｂに連続する面である。
【００２６】また、凹部１４の形成手段としては、化学
的なエッチングの他に、コイニング技術による方法も可
能である。凹部１４の深さｄ（図５（ｂ）参照）は、曲
げ加工時の立ち上がりの急峻さとリード強度とを考慮す
ると、連結部１２のリード厚さＤの１／４〜２／３が好
ましい。また、凹部１４の開口幅ｈは、０．２mm程度以
上有れば十分であり、連結部１２全体の厚さを薄くし
て、凹部１４とすることもできる。
的なエッチングの他に、コイニング技術による方法も可
能である。凹部１４の深さｄ（図５（ｂ）参照）は、曲
げ加工時の立ち上がりの急峻さとリード強度とを考慮す
ると、連結部１２のリード厚さＤの１／４〜２／３が好
ましい。また、凹部１４の開口幅ｈは、０．２mm程度以
上有れば十分であり、連結部１２全体の厚さを薄くし
て、凹部１４とすることもできる。
【００２７】本発明の半導体装置１の製造は、このリー
ドフレーム７０を用いて次のように行われる。
ドフレーム７０を用いて次のように行われる。
【００２８】まず、半導体チップ４０を、リードフレー
ム７０のアイランド３０に不図示の導電性接着剤（例え
ば銀ペースト）等を介して搭載・固着（ダイボンド）し
た後、この半導体チップ４０と内部端子部１１とを金線
等の金属細線によるボンディング線５０にてワイヤーボ
ンディングし、封止樹脂２０にてトランスファーモール
ド封止することによって、本発明の半導体装置１が製造
できる。
ム７０のアイランド３０に不図示の導電性接着剤（例え
ば銀ペースト）等を介して搭載・固着（ダイボンド）し
た後、この半導体チップ４０と内部端子部１１とを金線
等の金属細線によるボンディング線５０にてワイヤーボ
ンディングし、封止樹脂２０にてトランスファーモール
ド封止することによって、本発明の半導体装置１が製造
できる。
【００２９】尚、この半導体装置１の製造においては、
ダイボンド，ワイヤーボンディング，トランスファーモ
ールド封止等いずれの工程においても使用する製造装置
は従来から使用されているもので対応可能であり、特別
な新規製造装置の準備或いは既存製造装置の改造等は不
要である。
ダイボンド，ワイヤーボンディング，トランスファーモ
ールド封止等いずれの工程においても使用する製造装置
は従来から使用されているもので対応可能であり、特別
な新規製造装置の準備或いは既存製造装置の改造等は不
要である。
【００３０】次に、本発明の半導体装置の第２，第３の
実施形態について説明する。これらの実施形態において
も、使用されるリードフレームに対する凹部の加工は、
第１の実施形態のものと同様にして施されたものが用い
られるのでその説明は省略する。
実施形態について説明する。これらの実施形態において
も、使用されるリードフレームに対する凹部の加工は、
第１の実施形態のものと同様にして施されたものが用い
られるのでその説明は省略する。
【００３１】図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ、第２，
第３の実施形態の半導体装置の図１におけるＡ−Ａ’部
の断面を模式的に示す断面図である。これら第２，第３
の実施形態においては、いずれも内部端子部１１と半導
体チップ４０とがバンプ６０を介して接続されている。
第３の実施形態の半導体装置の図１におけるＡ−Ａ’部
の断面を模式的に示す断面図である。これら第２，第３
の実施形態においては、いずれも内部端子部１１と半導
体チップ４０とがバンプ６０を介して接続されている。
【００３２】図６（ａ）を参照すると、第２の実施形態
の半導体装置１では、半導体チップ４０はフェイスダウ
ンで樹脂封止されており、その裏面には金属等の高熱伝
導率材料で形成された放熱板８０が不図示の熱伝導性接
着剤（銀ペースト等）により固着され、且つこの放熱板
８０の半導体チップ４０搭載面と反対側の面は、封止樹
脂２０から露出しながら且つ封止樹脂２０とほぼ平坦に
なっている。従って、本実施形態の半導体装置は熱放散
に優れており、消費電力が大きく発熱量の多い半導体チ
ップにより効果的である。
の半導体装置１では、半導体チップ４０はフェイスダウ
ンで樹脂封止されており、その裏面には金属等の高熱伝
導率材料で形成された放熱板８０が不図示の熱伝導性接
着剤（銀ペースト等）により固着され、且つこの放熱板
８０の半導体チップ４０搭載面と反対側の面は、封止樹
脂２０から露出しながら且つ封止樹脂２０とほぼ平坦に
なっている。従って、本実施形態の半導体装置は熱放散
に優れており、消費電力が大きく発熱量の多い半導体チ
ップにより効果的である。
【００３３】また、図６（ｂ）を参照すると、第３の実
施形態の半導体装置１では、デプレス曲げ加工された内
部端子部１１の下面側に半導体チップ４０がバンプ６０
を介して接続されており、半導体装置１をよりいっそう
薄型にする場合に適用してより効果的である。
施形態の半導体装置１では、デプレス曲げ加工された内
部端子部１１の下面側に半導体チップ４０がバンプ６０
を介して接続されており、半導体装置１をよりいっそう
薄型にする場合に適用してより効果的である。
【００３４】次に、本発明の半導体装置の第４の実施形
態について説明する。
態について説明する。
【００３５】図７は、第４の実施形態の半導体装置の図
１におけるＡ−Ａ’部の断面を模式的に示す断面図であ
る。
１におけるＡ−Ａ’部の断面を模式的に示す断面図であ
る。
【００３６】図７を参照すると、第４の実施形態の半導
体装置１では、この半導体装置１が回路基板に実装され
る際に、当該回路基板上の導体と当接する外部端子部３
の下面３ｂが、封止樹脂２０の底面よりｔだけ（但し、
０＜ｔ＜凹部１４の深さｄ）突出している。このように
することで、半導体装置１を回路基板に実装する際に、
回路基板上に多少の凹凸が存在しても、安定して実装す
ることが可能となる。
体装置１では、この半導体装置１が回路基板に実装され
る際に、当該回路基板上の導体と当接する外部端子部３
の下面３ｂが、封止樹脂２０の底面よりｔだけ（但し、
０＜ｔ＜凹部１４の深さｄ）突出している。このように
することで、半導体装置１を回路基板に実装する際に、
回路基板上に多少の凹凸が存在しても、安定して実装す
ることが可能となる。
【００３７】
【発明の効果】本発明の半導体装置１は、上述の通り、
リード１０のデプレス曲げ加工が施される連結部１２の
第１の端部１５の曲げ方向に対して反対側の面に凹部１
４が形成されているので、連結部１２の立ち上がりが凹
部１４のない従来例に比べて極めて急峻になっている。
リード１０のデプレス曲げ加工が施される連結部１２の
第１の端部１５の曲げ方向に対して反対側の面に凹部１
４が形成されているので、連結部１２の立ち上がりが凹
部１４のない従来例に比べて極めて急峻になっている。
【００３８】これにより、本発明の半導体装置１は、外
部端子部１３の端部と封止樹脂２０の境界部（図２
（ａ），図３のＰ部）が明瞭になり、封止樹脂２０でト
ランスファーモールド封止する際の外部端子部１３での
薄バリ発生を大幅に抑制することができるという大きな
効果が得られた。
部端子部１３の端部と封止樹脂２０の境界部（図２
（ａ），図３のＰ部）が明瞭になり、封止樹脂２０でト
ランスファーモールド封止する際の外部端子部１３での
薄バリ発生を大幅に抑制することができるという大きな
効果が得られた。
【００３９】更に、この薄バリ発生を抑制できたことに
より、外部端子部の下面１３ｂを安定した形状で確実に
露出させることができ、バリ取り工程を簡易化できて余
分なストレスを加えることもないのでパッケージクラッ
クを回避でき、更に実装性が向上すると云った大きな効
果が得られた。
より、外部端子部の下面１３ｂを安定した形状で確実に
露出させることができ、バリ取り工程を簡易化できて余
分なストレスを加えることもないのでパッケージクラッ
クを回避でき、更に実装性が向上すると云った大きな効
果が得られた。
【００４０】また、リードフレームの製造に際しては、
凹部を形成したことにより応力が緩和され、デプレス曲
げ加工の再現性が向上するという効果も得られた。
凹部を形成したことにより応力が緩和され、デプレス曲
げ加工の再現性が向上するという効果も得られた。
【００４１】本発明の半導体装置は、リードフレームの
製造時に凹部を設けるという追加加工を施すのみで、従
来からの組立工程で実現可能であり、新規製造装置のた
めの設備投資或いは既存の製造装置の改造等を要するこ
となく実現できることも大きな効果である。
製造時に凹部を設けるという追加加工を施すのみで、従
来からの組立工程で実現可能であり、新規製造装置のた
めの設備投資或いは既存の製造装置の改造等を要するこ
となく実現できることも大きな効果である。
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体装置を模式的
に示す外観斜視図である。
に示す外観斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ’部の断面図であり、
（ａ）はＡ−Ａ’部全体の断面図、（ｂ）はリード要部
を示すための拡大断面図である。
（ａ）はＡ−Ａ’部全体の断面図、（ｂ）はリード要部
を示すための拡大断面図である。
【図３】図１の半導体装置を底面側（図中Ｂ方向から）
見た平面図である。
見た平面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造に用いられるリード
フレームの模式的な平面図である。
フレームの模式的な平面図である。
【図５】図５は図４のリードを中心とした部分を拡大し
た図であり、（ａ）はリードを中心とした部分の拡大平
面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’部断面図、（ｃ）は
（ｂ）を上方から見た模式的な平面図である。
た図であり、（ａ）はリードを中心とした部分の拡大平
面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’部断面図、（ｃ）は
（ｂ）を上方から見た模式的な平面図である。
【図６】図６は、本発明の第２，第３の実施形態を説明
する図であり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ、第２，第３
の実施形態の半導体装置の図１におけるＡ−Ａ’部断面
を模式的に示す断面図である。
する図であり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ、第２，第３
の実施形態の半導体装置の図１におけるＡ−Ａ’部断面
を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態の半導体装置の図１に
おけるＡ−Ａ’部断面を模式的に示す断面図である。
おけるＡ−Ａ’部断面を模式的に示す断面図である。
【図８】第１の従来例を模式的に示す図であり、（ａ）
は相当する第１の従来例の断面図、（ｂ）は第１の従来
例の樹脂封止半導体装置を裏面から見た平面図である。
は相当する第１の従来例の断面図、（ｂ）は第１の従来
例の樹脂封止半導体装置を裏面から見た平面図である。
【図９】第２の従来例の製造方法を示す断面図である。
１，１００，２００ 半導体装置 １０，１１０ リード １１，１１１ 内部端子部 １２，１１２ 連結部 １３，１１３ 外部端子部 １３ａ 外部端子部の上面 １３ｂ 外部端子部の下面 １４ 凹部 １５ 第１の端部 １６ 第２の端部 ２０，１２０，２２０ 封止樹脂 ３０，１３０ アイランド ３１ 吊りリード ３２ 吊りリードの凹部 ４０，１４０ 半導体チップ ５０，１５０ ボンディング線 ６０ バンプ ７０，２７０ リードフレーム ８０ 放熱板 ２１０，２３０ 電極 ２３１ 接着剤 ２４０ 集積回路素子 ２５０ 接続体 ２７１ 支持部 ２９０ 砥石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千田 昌男 東京都港区芝浦三丁目18番21号 日本電気 エンジニアリング株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA02 CA21 FA04 5F061 AA01 BA02 CA21 DD12 DD13 EA03 5F067 AA01 AA09 AB04 BA08 DE01
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体チップと、この半導体チップと電
気的に接続されているリードと、前記半導体チップ及び
少なくとも前記リードの一部を封止する封止樹脂とを含
む半導体装置において、前記リードは少なくとも、前記
半導体チップと電気的に接続される内部端子部と、前記
半導体装置を回路基板に実装する際にこの回路基板上の
導体に接続される外部端子部と、前記内部端子部と前記
外部端子部とを連結する連結部とを含んでなり、この連
結部の前記外部端子部と接続している第１の端部に前記
連結部を幅方向に横断する凹部を有し、少なくとも前記
半導体チップと前記リードの前記内部端子部と前記凹部
を含む前記連結部と前記外部端子部の一部が前記封止樹
脂に封止され且つ前記外部端子部の下面は前記封止樹脂
の底面に露出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 リードが、少なくとも凹部でデプレス曲
げ加工されている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 リードの凹部形成面が、このリードのデ
プレス曲げ加工の曲げ方向と反対側の前記リードの面で
ある請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 凹部が、化学的なエッチングにより形成
された請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 凹部が、コイニング処理により形成され
た請求項１乃至３いずれか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 凹部の深さが、リードの連結部の厚さの
１／４〜２／３である請求項１乃至５いずれか１項に記
載の半導体装置。 - 【請求項７】 リードが、少なくとも連結部の第１の端
部でデプレス曲げ加工されている請求項１乃至６いずれ
か１項に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 半導体チップと、この半導体チップと電
気的に接続されているリードと、前記半導体チップ及び
少なくとも前記リードの一部を封止する封止樹脂とを含
む半導体装置において、前記リードは少なくとも、前記
半導体チップと電気的に接続される内部端子部と、前記
半導体装置を回路基板に実装する際にこの回路基板上の
導体に接続される外部端子部と、前記内部端子部と前記
外部端子部とを連結する連結部とを含んでなり、この連
結部の厚さが前記外部端子部の厚さの１／３〜３／４で
あり、少なくとも前記半導体チップと前記リードの前記
内部端子部と前記連結部と前記外部端子部の一部が前記
封止樹脂に封止され且つ前記外部端子部の下面は前記封
止樹脂の底面に露出しているていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項９】 リードの外部端子部と連結部との第１の
接続部において、デプレス曲げ加工の曲げ方向に対して
反対側の前記リードの表面が段差を有している請求項８
記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 外部端子部の下面が、封止樹脂の底面
と平坦である請求項１乃至９いずれか１項に記載の半導
体装置。 - 【請求項１１】 外部端子部の下面が、封止樹脂の底面
より突出しており、且つその突出量が連結部に形成され
ている凹部の深さを超えない請求項１乃至７いずれか１
項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36787498A JP3153197B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36787498A JP3153197B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000196005A true JP2000196005A (ja) | 2000-07-14 |
| JP3153197B2 JP3153197B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=18490424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36787498A Expired - Fee Related JP3153197B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 半導体装置 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3153197B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191240A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2008088291A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Infineon Technologies Ag | Method of semiconductor packaging and/or a semiconductor package |
| JP2010166100A (ja) * | 2010-05-06 | 2010-07-29 | Panasonic Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN111279471A (zh) * | 2017-11-10 | 2020-06-12 | 新电元工业株式会社 | 电子模块 |
| JP7425581B2 (ja) | 2019-11-14 | 2024-01-31 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP36787498A patent/JP3153197B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2005191240A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2008088291A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Infineon Technologies Ag | Method of semiconductor packaging and/or a semiconductor package |
| US7939381B2 (en) | 2007-01-16 | 2011-05-10 | Infineon Technologies Ag | Method of semiconductor packaging and/or a semiconductor package |
| DE112007003268B4 (de) * | 2007-01-16 | 2015-09-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Halbleiterpacken und/oder Halbleiterpackung |
| JP2010166100A (ja) * | 2010-05-06 | 2010-07-29 | Panasonic Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| CN111279471A (zh) * | 2017-11-10 | 2020-06-12 | 新电元工业株式会社 | 电子模块 |
| CN111279471B (zh) * | 2017-11-10 | 2023-09-15 | 新电元工业株式会社 | 电子模块 |
| JP7425581B2 (ja) | 2019-11-14 | 2024-01-31 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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