JPH11340405A - リードフレーム、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

リードフレーム、半導体装置およびその製造方法

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JPH11340405A
JPH11340405A JP10141319A JP14131998A JPH11340405A JP H11340405 A JPH11340405 A JP H11340405A JP 10141319 A JP10141319 A JP 10141319A JP 14131998 A JP14131998 A JP 14131998A JP H11340405 A JPH11340405 A JP H11340405A
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lead
semiconductor chip
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die bonding
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Yoshiaki Sano
義昭 佐野
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Fujitsu Quantum Devices Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 隣り合うリード間をシールドすることによっ
てクロストークを抑制した高周波用半導体装置を得る。 【解決手段】 ダイボンディングエリアとタイバとで支
持される専用のシールドリードを設けたリードフレーム
を採用し、当該シールドリードが、高周波半導体装置の
樹脂端面で切断されており、かつその切断面以外は封止
樹脂で覆われているような高周波半導体装置の構造とそ
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、リードフレー
ム、およびこれを用いた半導体装置、特に高周波半導体
装置、ならびにこの製造方法に関するものである。高周
波半導体装置は、携帯電話システム等に広く使用されて
いる。近年の携帯電話システム等の高周波化や端末機器
の小型化に伴い、高周波半導体素子を搭載した高周波半
導体装置に対して、小型化や低コスト化は勿論のこと、
高い放熱性や高周波特性が要求されている。このため、
放熱性を考慮した樹脂封止技術を採用し、リード間隔を
短縮した安価で小型の高周波半導体装置に高周波半導体
素子を搭載するための技術開発が進められている。
【０００２】
【従来の技術】 図６は、従来の高周波半導体装置にお
いて、樹脂封止する前のリードフレームにチップが搭載
され、ボンディングされた状態を示している。図中５５
は半導体チップを載せるためのダイボンディングエリ
ア、５６はタイバー、５７はアウターリード、５８はイ
ンナーリード、６０は半導体チップ、６１は半導体チッ
プをダイボンディングエリアに固定するためのダイ付け
材料、６２はインナーリードと半導体チップのボンディ
ングパッドとを接続するボンディングワイヤである。実
線で示した６３は封止樹脂が形成される領域であり、破
線で示した７０は切断されて各高周波半導体装置に分離
される部分である。このときタイバー５６も切断されて
各リードに分離される。
【０００３】図７は、樹脂封止された図６の高周波半導
体装置の斜視図であり、図中５４はヒートシンク、５７
は外部導出リード、６３は封止樹脂である。なお、６３
の封止樹脂で一部がへこんでいるのは高周波半導体装置
を基板ボードのアース電極に装着するためである。次
に、図６をもとに図７に示した高周波半導体装置のチッ
プのボンディング方法について説明する。
【０００４】図中でインナーリード５８のうち、たとえ
ば５８ａと５８ｂのように隣り合うインナーリードを信
号用リードとして用いた場合などには、リード間で高周
波信号のクロストークやノイズの影響を受ける危険性が
ある。これを避けるため、従来の高周波半導体装置にお
いては、たとえばクロストークを防止したいリード５８
ｃと５８ｄを隣り合わせにせず、ボンディングワイヤ６
４を介してダイボンディングエリア５５と接続されアー
ス電位に接地されたリード５８ｅを間に設け、これをシ
ールドリードとして用いている。これによってシールド
リード５８ｅを挟んだリード５８ｃと５８ｄとの間での
クロストークやノイズを防ぐことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】 図８をもとに、上記
従来技術の問題点を説明する。図８は図６と同じく樹脂
封止する前のリードフレームにチップが搭載され、ボン
ディングされた状態を示している。図中の記号で図６に
相当するものには、同じ記号を用いている。本図のよう
に半導体チップ６０が大きくなった場合には、ダイボン
ディングエリア５５にはボンディングする領域がなくな
ってしまい、シールドリード５８ｅをボンディングワイ
ヤ６４を介してダイボンディングエリア５５に接続する
ことができない。したがって、隣り合うリード５８ｃと
５８ｄとの間のクロストークやノイズの影響を防ぐこと
ができない。
【０００６】この対処法として、半導体チップ６０の大
きさに合わせてダイボンディングエリアを大きくするこ
とも考えられるが、この場合には高周波半導体装置その
ものが大きくなってしまうこと、リードフレームの種類
が増えてしまうことなどの問題がある。また、仮に半導
体チップ６０の大きさに合わせてダイボンディングエリ
アを大きくすることができたとしても、ダイ付け材料６
１としてＡｕ−Ｓｕ合金や半田等を用いた場合には、ダ
イボンディング時に溶融して半導体チップ６０の外側に
大きく広がり、シールドリードをダイボンディングエリ
ア５５に接続する余裕がなくなるという問題もあった。
【０００７】本発明の目的は、上記問題点を解決し、ク
ロスークを抑制した良好な電気特性を有する高周波半導
体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 前記課題は、リード間
にダイボンディングエリアから延びるシールドリードを
有することを特徴とするリードフレームによって解決さ
れる。また、前記シールドリードは、タイバーとダイボ
ンディングエリアとを接続していることを特徴とするリ
ードフレームによって解決される。
【０００９】また、前記シールドリードは、他のリード
よりも幅が小さいことを特徴とするリードフレームによ
って解決される。また、ダイボンディングエリアに接着
された半導体チップと、前記半導体チップ上の電極と電
気的に接続され、封止樹脂の外部に導出された複数のリ
ードと、隣り合う前記リード間に存在し、かつ、ダイボ
ンディングエリアと一体化したシールドリードとを有す
ることを特徴とする高周波半導体装置によって解決され
る。また、前記シールドリードは、封止樹脂端面より外
部に導出されていないことを特徴とする高周波半導体装
置によって解決される。
【００１０】また、前記シールドリードは、他のリード
よりも幅が小さいことを特徴とする高周波半導体装置に
よって解決される。また、ダイボンディングエリアに接
着された半導体チップと、前記半導体チップ上の電極と
電気的に接続され、封止樹脂の外部に導出された複数の
リードと、前記半導体チップを突き抜けて前記ダイボン
ディングエリアと電気的に接続した接続電極と、前記接
続電極と電気的に接続されたシールドリードとを有する
ことを特徴とする高周波半導体装置によって解決され
る。
【００１１】また、ダイボンディングエリアに接着され
た半導体チップと、前記半導体チップ上の電極と電気的
に接続され、封止樹脂の外部に導出された複数のリード
と、前記半導体チップを突き抜けて前記ダイボンディン
グエリアと電気的に接続した接続電極と、隣り合うリー
ド間に前記接続電極と電気的に接続されたボンディング
ワイヤとを有することを特徴とする高周波半導体装置に
よって解決される。また、前記ボンディングワイヤは封
止樹脂端面より外部に導出されていないことを特徴とす
る高周波半導体装置によって解決される。
【００１２】また、前記シールドリードまたはボンディ
ングワイヤは、信号を供給する隣り合うふたつのリード
の間にあることを特徴とする高周波半導体装置によって
解決される。また、リード間にダイボンディングエリア
から延びるシールドリードを有するリードフレームのダ
イボンディングエリア上に半導体チップを接着する工程
と、前記半導体チップを含む前記ダイボンディングエリ
アを樹脂封止する工程と、前記リードフレームのタイバ
を切断して複数のリードに分離するときに、前記シール
ドリードを前記樹脂の端面で切断する工程とを有するこ
とを特徴とする高周波半導体装置の製造方法によって解
決される。
【００１３】また、リードフレームのダイボンディング
エリア上に半導体チップを接着する工程と、前記半導体
チップ上に形成された前記半導体チップを突き抜けて前
記ダイボンディングエリアと電気的に接続した接続電極
と、前記リードフレームのリードとを電気的に接続する
工程と、前記半導体チップを含む前記ダイボンディング
エリアを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする
高周波半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１４】また、リードフレームのダイボンディング
エリア上に半導体チップを接着する工程と、前記半導体
チップ上に形成された前記半導体チップを突き抜けて前
記ダイボンディングエリアと電気的に接続した接続電極
と、前記リードフレームのリード間のタイバとをボンデ
ィングワイヤで接続する工程と、前記半導体チップを含
む前記ダイボンディングエリアを樹脂封止する工程と、
前記リードフレームのタイバを切断して複数のリードに
分離するときに、前記ボンディングワイヤを前記樹脂の
端面で切断する工程とを有することを特徴とする高周波
半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１５】本願発明では、隣り合うリード間にダイボ
ンディングエリアから延びるシールド専用リードを有す
るリードフレームを用いている。したがって、ダイボン
ディングエリアにワイヤをボンディングする必要はなく
なり、半導体チップが大きくなってボンディングエリア
内にワイヤボンディング領域が得られなかったとして
も、シールド効果を有するシールドリードを設けること
ができ、クロストークやノイズを防ぐことができる。
【００１６】また、シールドリードの幅を他のリードよ
りも小さくして、リードフレームの加工上の最小寸法に
設定しても、樹脂の端面から外部には出さないことによ
って変形を防ぐことができるし、シールドリードを設け
ることによって生じるリード間隔の増加を最小限にする
ことができる。さらに、シールドリードの幅を小さくす
ることで従来用いているタイバー切断用の切断切刃に格
別の構造上の変更を加えることなく、樹脂封止完了後に
樹脂側面から突き出ているシールドリードを容易に切断
除去できる。
【００１７】本願の他の発明では、ビアホール等によっ
て半導体チップの裏面と電気的に導通した電極を半導体
チップ上に設け、リードとこの電極とを接続することで
ダイボンディングエリアと電気的に導通することが可能
となる。このリードをシールドリードとして用いること
により、シールドリードを挟む隣り合ったリード間のク
ロストークやノイズの発生を防ぐことができる。
【００１８】本願の他の発明では、ビアホール等によっ
て半導体チップの裏面と電気的に導通した電極を半導体
チップ上に設け、タイバーとこの電極とをボンディング
ワイヤで接続することでダイボンディングエリアと電気
的に導通することが可能となる。タイバー切断時にボン
ディングワイヤも樹脂端面で切断することで、シールド
リードの代わりに用いることができる。そして、このボ
ンディングワイヤを挟む隣り合ったリード間のクロスト
ークやノイズの発生を防ぐことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】 図１〜図５をもとに、本願発明
の第１〜第３の実施の形態を説明する。図１は、本願発
明の第１の実施の形態を示した図である。図中１はリー
ドフレーム、２はサイドフレーム、３は横バー、４はサ
ポートリード、５はダイボンディングエリア、６はタイ
バー、７はアウターリード、８はインナーリード、９は
シールドリード、１０は半導体チップ、１１はダイ付け
材料、１２は半導体チップ１１上のボンディングパッド
とインナーリードを接続するボンディングワイヤであ
る。さらに、図中の樹脂封止領域１３は、リードフレー
ム１とともに一体的に樹脂で封止される。
【００２０】リードフレーム１は、縦方向に延びるサイ
ドフレーム２と、これらのサイドフレーム２の間を掛け
渡されるようにして設けられる横バー３と、隣り合う上
記横バー３の中間部から縦方向に連結するようにして設
けられたサポートリード４に支持され、かつ半導体チッ
プが搭載されるダイボンディングエリア５とで大略構成
されている。また、外部導出用のリード部分は、隣り合
う上記横バー３の間を等間隔に区画するようにして設け
られ、かつ一端が縦方向に延びるタイバー６に支持さ
れ、他の一端が上記サイドフレーム２に支持されている
ように形成されたアウターリード７と、上記タイバー６
から上記アウターリード７を延長するようにして延出さ
せられたインナーリード８とで構成されている。さら
に、リードフレーム１は、上記隣り合うインナーリード
８の間に設けられ、かつ一端が上記ダイボンディングエ
リア５に支持され、他の一端が上記タイバー６に支持さ
れているように形成されたシールドリード９を備えてい
る。
【００２１】上記シールドリード９は隣り合うインナー
リード８に挟まれて存在するから、ダイボンディングエ
リア５がアースに接地されることによってアース電位と
なったシールドリード９がこれらの隣り合うインナーリ
ード間でシールド効果を発揮し、クロストークやノイズ
の発生を防ぐことができる。また、シールドリード９の
幅は、アウターリード７やインナリード８の幅より狭く
なるように形成し、その形状が保たれる加工上の最小寸
法でも良い。これによって、シールドリードを形成する
ことに起因する高周波半導体装置のサイズ増大を抑える
ことができる。そして、シールドリード９はダイボンデ
ィングエリア５とタイバー６で支持されているから、リ
ードフレーム１の加工工程、ダイボンディング工程、ワ
イヤボンディング工程、樹脂封止工程等において、シー
ルドリード９がその幅が狭く機械的に強くない場合であ
っても変形しないという効果がある。
【００２２】さらに、タイバー６切断用の切断切刃は、
タイバー６と高周波半導体装置の樹脂側面との隙間に残
留する樹脂バリを除去する目的で樹脂側面に近接するよ
うに取り付けられているため、樹脂側面から突き出てい
るシールドリード９はタイバー６を切断除去する際に同
時に樹脂側面で切断され、封止樹脂領域１３の外部に延
在することはない。切断されたシールドリード９の一端
が高周波半導体装置の外部に延在することになれば、幅
が狭く機械的に強くないために変形してしまい、高周波
半導体装置外部に突き出ている隣接したインナーリード
８やアウターリード７に接触して短絡回路を形成する危
険がある。したがって、上記のように樹脂側面で切断し
てしまえば、短絡を避けることができる。
【００２３】図２は、上記半導体装置の斜視図を示して
いる。シールドリード９は、その切断面のみが高周波半
導体装置の樹脂側面に表出している。アウターリード７
およびサポートリード４は、封止樹脂領域１３内でベン
ディングされ、高周波半導体装置の底面にその先端部を
表出することによって、高周波半導体装置が搭載される
基板ボード上の配線パターンとの接続を容易にし、さら
にサポートリード４はヒートシンクの役割を果たすこと
ができる。また、サポートリード４を接地電位に接続す
ることにより、シールドリード９に接地電位を提供する
ことができる。これにより、シールドリード９は、高い
シールド効果を得て、隣り合うインナリード間の信号ク
ロストークを抑制できる。
【００２４】図３は、本願発明の第２の実施の形態を示
す図である。図３は、半導体チップ背面に電気的に導通
した表面電極と接続したリードをシールドリードとして
用いた例であり、図中２１はビアホール等を介して半導
体チップ背面と電気的に導通した半導体チップ表面電極
である。図中の他の番号は図１と同じ意味で使われてい
る。
【００２５】インナーリード８のうち、リード８ａと８
ｂに挟まれるリード８ｃをボンディングワイヤ２２で表
面電極２１に接続し、これをシールドリードとして用い
ている。これによってシールドリード８を挟んだ信号用
リード８ａと８ｂとの間でのクロストークやノイズ等を
防ぐことができる。ダイボンディング時に溶融したダイ
付け材料１１が半導体チップ１０の外側に大きく広がっ
たり、半導体チップが大きくなったりしてボンディング
エリア内にワイヤボンディング領域が得られなかったと
しても、半導体チップ１０の表面電極２１を介してダイ
ボンディングエリア５と電気的に導通したインナーリー
ドにシールド効果を持たせることができる。
【００２６】また、高周波半導体装置が小さくてインナ
ーリード８の間隔が狭くなってしまったために、図１に
示すような専用のシールドリードを設けることが困難で
あったとしても、図８に示すような従来のリードフレー
ムを用いたままで容易にシールドリードを設定できる。
図４は、本願発明の第３の実施の形態を示す図である。
図４は、ボンディングワイヤにシールド効果を持たせた
例であり、図中２２がシールド効果を持つボンディング
ワイヤである。図中の他の番号は図３と同じ意味で使わ
れている。
【００２７】インナーリード８ａと８ｂに挟まれるタイ
バ６ａをボンディングワイヤ２３で半導体チップの表面
電極２１に接続し、このボンディングワイヤ２３をシー
ルド用ワイヤとして用いている。これによってシールド
用ボンディングワイヤ２３を挟んだ信号用リード８ａと
８ｂとの間でのクロストークやノイズ等を防ぐことがで
きる。
【００２８】ダイボンディング時に溶融したダイ付け材
料１１が半導体チップ１０の外側に大きく広がったり、
半導体チップが大きくなったりしてボンディングエリア
内にワイヤボンディング領域が得られなかったとして
も、半導体チップ１０の表面電極２１を介してダイボン
ディングエリア５と電気的に導通したボンディングワイ
ヤ２３にシールド効果を持たせることができる。
【００２９】また、高周波半導体装置が小さくてインナ
ーリード８の間隔が狭くなってしまったために、図１に
示すような専用のシールドリードを設けることが困難で
あったとしても、図８に示すような従来のリードフレー
ムを用いたままで容易にシールド用のボンディングワイ
ヤを設定できる。これによって、信号や電源用に割り当
てるためのリード数を減少させずにすますことができ
る。
【００３０】タイバー６切断用の切断切刃は、タイバー
６と高周波半導体装置の樹脂側面との隙間に残留する樹
脂バリを除去する目的で樹脂側面に近接するように取り
付けられているため、樹脂側面から突き出ているボンデ
ィングワイヤ２３はタイバー６を切断除去する際に同時
に樹脂側面で切断され、封止樹脂領域１３の外部に延在
することはない。切断されたボンディングワイヤ２３の
一端が高周波半導体装置の外部に延在することになれ
ば、簡単に変形してしまい、高周波半導体装置外部に突
き出ている隣接したインナーリード８やアウターリード
７に接触して短絡回路を形成する危険がある。したがっ
て、上記のように樹脂側面で切断してしまえば、短絡を
避けることができる。
【００３１】図５は、上記高周波半導体装置の斜視図を
示している。ボンディングワイヤ２３は、その切断面の
みが高周波半導体装置の樹脂側面に表出している。アウ
ターリード７およびサポートリード４は、封止樹脂領域
１３内でベンディングされ、高周波半導体装置の底面に
その先端部を表出することによって、高周波半導体装置
が搭載される基板ボード上の配線パターンとの接続を容
易にし、さらにサポートリード４はヒートシンクの役割
を果たすことができる。また、サポートリード４を接地
電位に接続することにより、ボンディングワイヤ２３に
接地電位を提供することができる。これにより、ボンデ
ィングワイヤ２３は、高いシールド効果を得て、隣り合
うインナリード間の信号クロストークを抑制できる。
【００３２】
【発明の効果】 本願発明によれば、ダイボンディング
エリアとタイバとで支持される専用のシールドリードを
設けたリードフレームを採用し、当該シールドリード
が、高周波半導体装置の樹脂端面で切断されており、か
つその切断面以外は封止樹脂で覆われているような高周
波半導体装置を構成することによって隣り合う信号用リ
ード間のクロストークを抑制できる。
【００３３】また、ビアホール等によって半導体チップ
の裏面と電気的に導通している半導体チップ上の電極
と、リード間とを、高周波半導体装置内部においてボン
ディングワイヤで接続し、当該リードをシールドリード
として使用するような高周波半導体装置を構成すること
によって、当該シールドリードを挟む２本の信号用リー
ド間のクロストークを抑制できる。
【００３４】さらに、ビアホール等によって半導体チッ
プの裏面と電気的に導通している半導体チップ上の電極
と、タイバー部の間とを、パッケージ内部においてボン
ディングワイヤで接続し、当該ボンディングワイヤが、
高周波半導体装置内部において、隣り合う２本のリード
に挟まれているような高周波半導体装置を構成すること
によって当該隣り合う信号用リード間のクロストークを
抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１の実施の形態を説明する図であ
る。
【図２】本願発明の第１の実施の形態の斜視図を説明す
る図である。
【図３】本願発明の第２の実施の形態を説明する図であ
る。
【図４】本願発明の第３の実施の形態を説明する図であ
る。
【図５】本願発明の第３の実施の形態の斜視図を説明す
る図である。
【図６】従来例の形態を説明する図である。
【図７】従来例の形態の斜視図を説明する図である。
【図８】半導体チップが大きい場合の従来例の形態を説
明する図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ サイドフレーム ３ 横バー ４ サポートリード ５ ダイボンディングエリア ６ タイバー ７ アウターリード ８ インナーリード ９ シールドリード １０ 半導体チップ １１ ダイ付け材料 １２ 半導体チップ上のボンディングパッドとインナー
リードを接続するボンディングワイヤ １３ 樹脂封止領域 ２１ ビアホール等を介して半導体チップ背面と電気的
に導通した表面電極 ２２ 表面電極２１とインナーリードを接続するボンデ
ィングワイヤ ２３ 表面電極２１とタイバとを接続するボンディング
ワイヤ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リード間にダイボンディングエリアから
    延びるシールドリードを有することを特徴とするリード
    フレーム。
  2. 【請求項２】 前記シールドリードは、タイバーとダイ
    ボンディングエリアとを接続していることを特徴とする
    請求項１記載のリードフレーム。
  3. 【請求項３】 前記シールドリードは、他のリードより
    も幅が小さいことを特徴とする請求項１記載のリードフ
    レーム。
  4. 【請求項４】 ダイボンディングエリアに接着された半
    導体チップと、 前記半導体チップ上の電極と電気的に接続され、封止樹
    脂の外部に導出された複数のリードと、 隣り合う前記リード間に存在し、かつ、ダイボンディン
    グエリアと一体化したシールドリードとを有することを
    特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記シールドリードは、封止樹脂端面よ
    り外部に導出されていないことを特徴とする請求項４記
    載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記シールドリードは、他のリードより
    も幅が小さいことを特徴とする請求項４または５記載の
    半導体装置。
  7. 【請求項７】 ダイボンディングエリアに接着された半
    導体チップと、 前記半導体チップ上の電極と電気的に接続され、封止樹
    脂の外部に導出された複数のリードと、 前記半導体チップを突き抜けて前記ダイボンディングエ
    リアと電気的に接続した接続電極と、 前記接続電極と電気的に接続されたシールドリードとを
    有することを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 ダイボンディングエリアに接着された半
    導体チップと、 前記半導体チップ上の電極と電気的に接続され、封止樹
    脂の外部に導出された複数のリードと、 前記半導体チップを突き抜けて前記ダイボンディングエ
    リアと電気的に接続した接続電極と、 隣り合うリード間に前記接続電極と電気的に接続された
    ボンディングワイヤとを有することを特徴とする半導体
    装置。
  9. 【請求項９】 前記ボンディングワイヤは封止樹脂端面
    より外部に導出されていないことを特徴とする請求項８
    記載の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 前記シールドリードまたはボンディン
    グワイヤは、信号または電源を供給する隣り合うふたつ
    のリードの間にあることを特徴とする請求項４から９記
    載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 リード間にダイボンディングエリアか
    ら延びるシールドリードを有するリードフレームのダイ
    ボンディングエリア上に半導体チップを接着する工程
    と、 前記半導体チップを含む前記ダイボンディングエリアを
    樹脂封止する工程と、 前記リードフレームのタイバを切断して複数のリードに
    分離するときに、前記シールドリードを前記樹脂の端面
    で切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  12. 【請求項１２】 リードフレームのダイボンディングエ
    リア上に半導体チップを接着する工程と、 前記半導体チップ上に形成された前記半導体チップを突
    き抜けて前記ダイボンディングエリアと電気的に接続し
    た接続電極と、前記リードフレームのリードとを電気的
    に接続する工程と、 前記半導体チップを含む前記ダイボンディングエリアを
    樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 リードフレームのダイボンディングエ
    リア上に半導体チップを接着する工程と、 前記半導体チップ上に形成された前記半導体チップを突
    き抜けて前記ダイボンディングエリアと電気的に接続し
    た接続電極と、前記リードフレームのリード間のタイバ
    とをボンディングワイヤで接続する工程と、 前記半導体チップを含む前記ダイボンディングエリアを
    樹脂封止する工程と、 前記リードフレームのタイバを切断して複数のリードに
    分離するときに、前記ボンディングワイヤを前記樹脂の
    端面で切断する工程とを有することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
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Cited By (5)

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