WO2011122665A1 - Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法 - Google Patents

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和範 小田
坂本　章
村田　佳則
川合　研三郎
綱一 鈴木
恵 大石
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大日本印刷株式会社
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    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
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    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
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    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
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Definitions

  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted and a manufacturing method thereof, a semiconductor device having such an LED lead frame or substrate, and a manufacturing method thereof.
  • LED light emitting diode
  • Some of such lighting devices include a semiconductor device having an LED substrate and LED elements.
  • LED elements that emit light in the visible region typified by red, green, and blue, and the ultraviolet region, but the wavelength distribution is basically small, and it can be said to be one color in appearance.
  • white LEDs that are in practical use, white is synthesized using an LED element that emits light with high energy such as ultraviolet or blue and a phosphor that converts part of the light into longer wavelength light.
  • synthesize white using elements of a plurality of colors.
  • a concave portion is formed on one surface side of a Cu substrate, an LED element is mounted on the concave portion, and a connection is provided on an insulating layer disposed on the concave portion side. It is described that a Cu wiring layer is formed, LED terminal portions and Cu wiring layers are connected by wire bonding, and resin-sealed. Moreover, in patent document 1, Ag plating is given to the Cu wiring layer surface.
  • the present invention has been made in consideration of such points, and can efficiently reflect the light from the LED element and maintain the reflection characteristics of the light from the LED element by suppressing corrosion caused by gas.
  • An object is to provide an LED lead frame or substrate and a manufacturing method thereof, and a semiconductor device and a manufacturing method thereof.
  • the present invention provides an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted, a main body having a mounting surface on which the LED element is mounted, and a mounting surface of the main body, and reflects light from the LED element. And a reflective metal layer functioning as a reflective layer.
  • the reflective metal layer is a lead frame or substrate made of an alloy of gold and silver.
  • the present invention is the LED lead frame or substrate characterized in that the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate having a main body portion including a mounting surface on which an LED element is mounted, an LED element mounted on the mounting surface of the lead frame or the main body portion of the substrate, and a lead frame.
  • a conductive portion that electrically connects the substrate and the LED element, and a sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion, the LED lead frame or the mounting surface of the main body portion of the substrate, the LED
  • a reflection metal layer functioning as a reflection layer for reflecting light from the element is provided, and the reflection metal layer is made of an alloy of gold and silver.
  • the present invention is the semiconductor device characterized in that the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the present invention is a semiconductor device characterized in that the sealing resin portion is made of a silicone resin.
  • the present invention is a semiconductor device characterized by further comprising an outer resin portion surrounding the LED element and having a recess, and the sealing resin portion is filled in the recess of the outer resin portion.
  • the present invention relates to a method for manufacturing an LED lead frame or substrate for manufacturing an LED lead frame or substrate for mounting an LED element, and a step of preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element; And a step of forming a reflective metal layer functioning as a reflective layer on the mounting surface side of the portion, wherein the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver. It is a manufacturing method.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising: a step of connecting an element and a lead frame or a substrate with a conductive portion; and a step of resin-sealing the LED element and the conductive portion with a sealing resin.
  • the present invention provides an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted, a main body having a mounting surface on which the LED element is mounted, and a mounting surface of the main body, and reflects light from the LED element.
  • a reflective metal layer that functions as a reflective layer the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body is made of copper or a copper alloy, the reflective metal layer and the main body are
  • An intermediate intervening layer is provided between the two, and the intermediate intervening layer is a lead frame or substrate having a nickel layer and a gold layer arranged in order from the main body side.
  • the present invention is the lead frame or substrate characterized in that the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the intermediate intervening layer further includes a copper layer provided on the main body side of the nickel layer.
  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate having a main body portion including a mounting surface on which an LED element is mounted, an LED element mounted on the mounting surface of the lead frame or the main body portion of the substrate, and a lead frame.
  • a conductive portion that electrically connects the substrate and the LED element, and a sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion, the LED lead frame or the mounting surface of the main body portion of the substrate, the LED
  • a reflective metal layer that functions as a reflective layer for reflecting light from the element is provided, the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body is made of copper or a copper alloy, and the reflective metal
  • An intermediate intervening layer is provided between the layer and the main body, and the intermediate intervening layer includes a nickel layer and a gold layer arranged in this order from the main body.
  • the present invention is the semiconductor device characterized in that the reflective metal layer contains 5 to 50% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the present invention is the semiconductor device characterized in that the intermediate intervening layer further includes a copper layer provided on the main body side of the nickel layer.
  • the present invention is a semiconductor device characterized in that the sealing resin portion is made of a silicone resin.
  • the present invention is a semiconductor device characterized by further comprising an outer resin portion surrounding the LED element and having a recess, and the sealing resin portion is filled in the recess of the outer resin portion.
  • the present invention relates to a method for manufacturing an LED lead frame or substrate for manufacturing an LED lead frame or substrate for mounting an LED element, and a step of preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element; A step of forming an intermediate intervening layer on the part and a step of forming a reflecting metal layer functioning as a reflecting layer on the intermediate intervening layer, the reflecting metal layer comprising an alloy of gold and silver.
  • the body part is made of copper or a copper alloy, and the intermediate intervening layer has a nickel layer and a gold layer arranged in this order from the body part side.
  • the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, a step of preparing a main body having a mounting surface on which an LED element is mounted, a step of forming an intermediate intervening layer on the main body, and an intermediate intervening layer.
  • a step of sealing with a translucent sealing resin part the reflective metal layer is made of an alloy of gold and silver, the main body part is made of copper or a copper alloy, and the intermediate intervening layer is
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising: a nickel layer and a gold layer arranged in order from the main body side.
  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate on which an LED element is placed, a main body portion having a die pad on which the LED element is placed, and a lead portion provided apart from the die pad, and the die pad and lead of the main body portion
  • a lead frame comprising: a silver plating layer provided on both of the parts; and an indium plating layer provided on the silver plating layer and functioning as a reflection layer for reflecting light from the LED element; It is a substrate.
  • the present invention is a lead frame or substrate characterized in that a base plating layer is provided between the main body portion and the silver plating layer to enhance the bondability between the main body portion and the silver plating layer.
  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate having a main body portion including a die pad on which an LED element is placed, and a lead portion spaced apart from the die pad, and the lead frame or the substrate on the die pad of the main body portion.
  • An LED element a conductive part that electrically connects the lead frame or substrate and the LED element, and a sealing resin part that seals the LED element and the conductive part.
  • a silver plating layer is provided on both the die pad and the lead portion of the main body, and an indium plating layer that functions as a reflection layer for reflecting light from the LED element is provided on the silver plating layer. It is a semiconductor device.
  • the present invention is a semiconductor device characterized in that a base plating layer is provided between the main body portion and the silver plating layer to enhance the bondability between the main body portion and the silver plating layer.
  • the present invention is a semiconductor device characterized in that the sealing resin portion is made of a silicone resin.
  • the present invention is a semiconductor device characterized by further comprising an outer resin portion surrounding the LED element and having a recess, and the sealing resin portion is filled in the recess of the outer resin portion.
  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate manufacturing method for manufacturing an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted, a die pad on which the LED element is mounted, and a lead portion provided apart from the die pad.
  • a step of preparing a main body having a step, a step of forming a silver plating layer on both the die pad and the lead portion of the main body, and a step of forming an indium plating layer functioning as a reflective layer on the silver plating layer A method of manufacturing an LED lead frame or substrate.
  • the present invention is characterized in that a step of providing a base plating layer for improving the bondability between the main body and the silver plating layer is provided on the main body before the step of forming the silver plating layer.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the lead frame or the substrate is manufactured by the LED lead frame or substrate manufacturing method according to claim 25, and the LED element is formed on the die pad of the main body of the lead frame or the substrate.
  • a semiconductor device comprising: a step of placing; a step of connecting an LED element and a lead frame or a substrate by a conductive portion; and a step of resin-sealing the LED element and the conductive portion with a sealing resin. It is a manufacturing method.
  • the present invention provides an LED lead frame or substrate on which an LED element is mounted, a main body having a mounting surface on which the LED element is mounted, and a mounting surface of the main body, and reflects light from the LED element. And a reflective plating layer functioning as a reflective layer.
  • the reflective plating layer is a lead frame or substrate made of an alloy of tin and silver.
  • the present invention is the lead frame or substrate characterized in that the reflective plating layer contains 10 to 50% by weight of tin and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the present invention relates to an LED lead frame or substrate having a main body portion including a mounting surface on which an LED element is mounted, an LED element mounted on the mounting surface of the lead frame or the main body portion of the substrate, and a lead frame.
  • a conductive portion that electrically connects the substrate and the LED element, and a sealing resin portion that seals the LED element and the conductive portion, the LED lead frame or the mounting surface of the main body portion of the substrate, the LED
  • a reflection plating layer functioning as a reflection layer for reflecting light from the element is provided, and the reflection plating layer is made of an alloy of tin and silver.
  • the present invention is the semiconductor device characterized in that the reflective plating layer contains 10 to 50% by weight of tin and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the present invention is a semiconductor device characterized in that the sealing resin portion is made of a silicone resin.
  • the present invention is a semiconductor device characterized by further comprising an outer resin portion surrounding the LED element and having a recess, and the sealing resin portion is filled in the recess of the outer resin portion.
  • the present invention relates to a method for manufacturing an LED lead frame or substrate for manufacturing an LED lead frame or substrate for mounting an LED element, and a step of preparing a main body having a mounting surface for mounting the LED element; And a step of forming a reflective plating layer functioning as a reflective layer on the mounting surface side of the part, wherein the reflective plating layer is made of an alloy of tin and silver. It is a manufacturing method.
  • the present invention is a method for producing an LED lead frame or substrate, wherein the reflective plating layer contains 10 to 50% by weight of tin and the balance is composed of silver and inevitable impurities.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, a step of manufacturing a lead frame or a substrate by a method of manufacturing a lead frame for an LED or a substrate, and mounting an LED element on a mounting surface of a main body portion of the lead frame or the substrate.
  • a method of manufacturing a semiconductor device comprising: a step; a step of connecting an LED element and a lead frame or a substrate with a conductive portion; and a step of sealing the LED element and the conductive portion with a sealing resin. is there.
  • the reflection metal layer can efficiently reflect light from the LED element, and the reflection metal layer (reflection plating layer) can be oxygen or hydrogen sulfide in the air.
  • a corrosive gas such as a gas, it is possible to maintain a high reflection characteristic in the entire visible light region, the entire ultraviolet to visible light region, or at least part of the visible light region.
  • Example 1-A the graph which shows the change of a reflectance. 6 is a graph showing a change in reflectance in Comparative Example 1-A (Comparative Example 3-A). Sectional drawing which shows the lead frame or board
  • FIG. 19 is a sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention (a sectional view taken along line AA in FIG. 18).
  • the top view which shows the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 2nd Embodiment of this invention. The figure which shows the change of each board
  • substrate by the 3rd Embodiment of this invention Sectional drawing which shows the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention (BB sectional view taken on the line of FIG. 33).
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention. Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 3rd Embodiment of this invention. The figure which shows the change of each board
  • Example 3-A the graph which shows the change of a reflectance.
  • Example 3-B the graph which shows the change of a reflectance.
  • Sectional drawing which shows the semiconductor device by the 4th Embodiment of this invention (CC sectional view taken on the line of FIG. 50).
  • Sectional drawing which shows the effect
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 4th Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 4th Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 4th Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 4th Embodiment of this invention.
  • Sectional drawing which shows the modification of the semiconductor device by the 4th Embodiment of this invention.
  • the graph which compares the change of a reflectance between Example 4-A and Comparative Example 4-A.
  • FIG. 1 and FIG. 2 for the sake of convenience, the LED lead frame or the substrate is shown in a rectangular shape in order to explain the layer structure of the LED lead frame or the substrate.
  • the LED lead frame or substrate 10 (hereinafter also referred to as the lead frame 10 or the substrate 10) according to the present embodiment is used for mounting an LED element 21 (described later). And a main body 11 having a mounting surface 11a on which the LED element 21 is mounted, and a reflective metal layer 12 provided on the mounting surface 11a of the main body 11.
  • the main body 11 is made of a metal plate.
  • the material of the metal plate constituting the main body 11 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy), and the like.
  • the thickness of the main body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm in the case of the lead frame 10 and 0.005 mm to 0.03 mm in the case of the substrate 10 although it depends on the configuration of the semiconductor device.
  • the reflective metal layer 12 functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21 and is located on the outermost surface side of the LED lead frame or the substrate 10.
  • This reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag), or an alloy of gold (Au) and silver (Ag), and has a high visible light reflectivity, and oxygen and sulfide. High corrosion resistance against hydrogen gas.
  • the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag)
  • the alloy preferably contains 10 to 40% by weight of platinum and the balance is made of silver and inevitable impurities.
  • the reflective metal layer 12 is made of an alloy of gold (Au) and silver (Ag), this alloy may contain 5 to 50% by weight of gold, with the balance being composed of silver and inevitable impurities. It is more preferable to have a composition comprising, in particular, 20% by weight of gold and the balance of silver and inevitable impurities.
  • the reflective metal layer 12 is formed to be extremely thin, and specifically, 0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m is preferable.
  • a copper plating layer 13 and a silver plating layer 14 are laminated in this order from the main body 11 side between the main body 11 and the reflective metal layer 12.
  • the copper plating layer 13 is used as a base layer for the silver plating layer 14 and has a function of improving the bonding property between the silver plating layer 14 and the main body 11.
  • the thickness of the copper plating layer 13 is preferably 0.005 ⁇ m to 0.1 ⁇ m.
  • the silver plating layer 14 is used as an underlayer for the reflective metal layer 12 and has a function of improving the bonding property between the copper plating layer 13 and the reflective metal layer 12.
  • the thickness of the silver plating layer 14 is preferably larger than that of the reflective metal layer 12, for example, 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the silver plating layer 14 may be made of either matte silver plating or bright silver plating. As described above, since the thickness of the reflective metal layer 12 is extremely thin, the profile of the silver plating layer 14 can be exposed. For example, when the silver plating layer 14 is made of matte plating, the surface of the reflective metal layer 12 can be made matte, and when the silver plating layer 14 is made of glossy plating, the reflective metal layer 12 is made. The surface of can also be glossy.
  • the LED lead frame or substrate 10 includes a main body 11, a silver plating layer 14 provided on the mounting surface 11 a of the main body 11, and a reflective metal layer 12 provided on the silver plating layer 14. have.
  • the LED lead frame or substrate 10 includes a main body 11, a copper plating layer 13 provided on the mounting surface 11 a of the main body 11, and a reflective metal layer 12 provided on the copper plating layer 13. have.
  • the LED lead frame or substrate 10 includes a main body 11 and a reflective metal layer 12 provided directly on the mounting surface 11 a of the main body 11.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor device (SON type) according to the first embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 20 includes an LED lead frame 10, an LED element 21 placed on the placement surface 11 a of the main body 11 of the lead frame 10, the lead frame 10 and the LED element 21. And a bonding wire (conductive portion) 22 for electrically connecting the two.
  • an outer resin portion 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21.
  • the outer resin portion 23 is integrated with the lead frame 10. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a light-transmitting sealing resin portion 24.
  • the sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23 a of the outer resin portion 23.
  • the lead frame 10 includes a main body portion 11 having a mounting surface 11a, a copper plating layer 13 provided on the main body portion 11, a silver plating layer 14 provided on the copper plating layer 13, and a silver plating layer 14 And a reflective metal layer 12 that functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21.
  • a groove 19 is formed on the surface (upper surface) of the lead frame 10. Since the layer configuration of the lead frame 10 is the same as the configuration already described with reference to FIG. 1, detailed description thereof is omitted here.
  • the layer structure of the lead frame 10 the structure shown in FIGS. 2A to 2C may be used.
  • the main body portion 11 of the lead frame 10 includes a first portion 25 (die pad) on the LED element 21 side and a second portion 26 (lead portion) spaced from the first portion 25. is doing.
  • An outer side resin portion 23 is filled between the first portion 25 and the second portion 26, and the first portion 25 and the second portion 26 are electrically insulated from each other.
  • a first outer lead portion 27 is formed on the bottom surface of the first portion 25, and a second outer lead portion 28 is formed on the bottom surface of the second portion 26. The first outer lead portion 27 and the second outer lead portion 28 are exposed outward from the outer resin portion 23, respectively.
  • the LED element 21 selects an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light by appropriately selecting a material made of a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP, or InGaN as a light emitting layer. Can do. As such an LED element 21, those conventionally used in general can be used.
  • the LED element 21 is fixed on the mounting surface 11a of the main body 11 (strictly on the reflective metal layer 12) in the recess 23a of the outer resin portion 23 by solder or die bonding paste.
  • solder or die bonding paste it is possible to select a die bonding paste made of an epoxy resin or a silicone resin having light resistance.
  • the bonding wire 22 is made of a material having good conductivity such as gold, and one end thereof is connected to the terminal portion 21 a of the LED element 21, and the other end is the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 of the lead frame 10. Connected on top.
  • the outer resin portion 23 is formed by, for example, injection molding or transfer molding of a thermoplastic resin or a thermosetting resin on the lead frame 10.
  • the shape of the outer resin portion 23 can be variously realized by designing a mold used for injection molding or transfer molding.
  • the overall shape of the outer resin portion 23 can be a rectangular parallelepiped shape, a cylindrical shape, a cone shape, or the like.
  • the bottom surface of the recess 23a can be circular, elliptical, polygonal, or the like.
  • the cross-sectional shape of the side wall of the recess 23a may be constituted by a straight line as shown in FIG. 3, or may be constituted by a curve.
  • thermoplastic resin or thermosetting resin used for the outer resin portion 23 it is desirable to select a resin having excellent heat resistance, weather resistance and mechanical strength.
  • the types of thermoplastic resins polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyetherimide, etc.
  • the types of thermosetting resins are silicone resins, epoxy resins, And polyurethane can be used.
  • titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride and boron nitride as a light reflecting agent in these resins, the bottom surface of the recess 23a (the first portion 25 and the first portion). 2) and the side surface, the reflectance of the light from the LED element 21 can be increased, and the light extraction efficiency of the entire semiconductor device 20 can be increased.
  • the sealing resin portion 24 it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the semiconductor device 20 in order to improve the light extraction efficiency. Therefore, it is possible to select an epoxy resin or a silicone resin as a resin that satisfies the characteristics of high heat resistance, weather resistance, and mechanical strength.
  • the sealing resin portion 24 is preferably made of a silicone resin having high weather resistance because the sealing resin portion 24 is exposed to strong light.
  • a main body 11 made of a metal substrate is prepared.
  • a metal substrate made of copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy) or the like can be used as described above.
  • a photosensitive resist is applied to the front and back of the main body part 11, dried, exposed through a desired photomask, and then developed to form etching resist layers 32 and 33 (FIG. 4B).
  • etching resist layers 32 and 33 FIG. 4B
  • a conventionally well-known thing can be used as a photosensitive resist.
  • the main body 11 is etched with a corrosive solution using the etching resist layers 32 and 33 as corrosion resistant films (FIG. 4C).
  • the corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the main body 11 to be used. For example, when copper is used as the main body 11, an aqueous ferric chloride solution is usually used and sprayed from both surfaces of the main body 11. It can be performed by etching.
  • the etching resist layers 32 and 33 are peeled off and removed.
  • the main body 11 having the first portion 25 and the second portion 26 spaced from the first portion 25 is obtained (FIG. 4D).
  • a groove 19 is formed on the surface (upper surface) of the main body 11 by half etching.
  • plating resist layers 30 and 31 each having a desired pattern are provided on the front and back surfaces of the main body 11 (FIG. 4E).
  • the plating resist layer 30 on the front side has an opening 30a formed at a location corresponding to the formation site of the reflective metal layer 12, and the mounting surface 11a of the main body 11 is exposed from the opening 30a.
  • the resist layer 31 for plating on the back surface covers the entire back surface of the main body 11.
  • electrolytic plating is performed on the surface side of the main body 11 covered with the resist layers 30 and 31 for plating.
  • metal copper
  • a copper plating solution for electrolytic plating for forming the copper plating layer 13 a copper plating solution mainly composed of copper cyanide and potassium cyanide can be used.
  • a metal is deposited on the copper plating layer 13 by electrolytic plating to form a silver plating layer 14.
  • a metal silver
  • a plating solution for electrolytic plating for forming the silver plating layer 14 a silver plating solution mainly composed of silver cyanide and potassium cyanide can be used.
  • a metal is deposited on the silver plating layer 14 to form the reflective metal layer 12 (FIG. 4 (f)).
  • the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag) or an alloy of gold (Au) and silver (Ag).
  • the reflective metal layer 12 when the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver, the reflective metal layer 12 can be formed by sputtering, ion plating, vapor deposition, or the like of the alloy.
  • the reflective metal layer 12 when the reflective metal layer 12 is made of an alloy of gold and silver, the reflective metal layer 12 can be formed by electrolytic plating.
  • the plating solution for electrolytic plating a silver plating solution mainly composed of silver cyanide, gold cyanide and potassium cyanide can be used as the plating solution for electrolytic plating.
  • the lead frame 10 used in the semiconductor device 20 shown in FIG. 3 can be obtained by peeling off the resist layers 30 and 31 for plating (FIG. 4G).
  • the main body 11 is made into a predetermined shape by etching (FIGS. 4A to 4D), and then the copper plating layer 13 and silver are formed on the main body 11.
  • a plating layer 14 and a reflective metal layer 12 are formed (FIGS. 4E to 4G).
  • the present invention is not limited to this.
  • the copper plating layer 13, the silver plating layer 14, and the reflective metal layer 12 may be formed on the main body 11, and then the main body 11 may be processed into a predetermined shape by etching.
  • the main body 11 having the mounting surface 11a and the reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21.
  • the lead frame 10 provided with is created (FIG. 5A).
  • the outer resin portion 23 is formed by injection molding or transfer molding of the thermoplastic resin or thermosetting resin to the lead frame 10 (FIG. 5B). Thereby, the outer side resin part 23 and the lead frame 10 are integrally formed. At this time, by appropriately designing a mold used for injection molding or transfer molding, a concave portion 23a is formed in the outer resin portion 23, and the reflective metal layer 12 is exposed to the outside on the bottom surface of the concave portion 23a. To.
  • the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11 a of the main body 11 of the lead frame 10.
  • the LED element 21 is mounted and fixed on the mounting surface 11a (on the reflective metal layer 12) of the main body 11 using solder or die bonding paste (die attach process) (FIG. 5 (c). )).
  • the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 5D).
  • the sealing resin portion 24 is filled in the recess 23a of the outer resin portion 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed by the sealing resin portion 24, thereby obtaining the semiconductor device 20 shown in FIG. (FIG. 5E).
  • each semiconductor device 20 may be manufactured by mounting a plurality of LED elements 21 on the lead frame 10 in advance and dicing the outer resin portion 23 between the LED elements 21 (described later). (Refer to 2nd Embodiment-4th Embodiment).
  • the reflective metal layer 12 that functions as a reflective layer is provided on the mounting surface 11 a of the main body 11.
  • the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver. As a result, the following effects can be obtained.
  • the reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer is provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the reflective metal layer 12 is an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver. It is made up of.
  • the reflective layer is less likely to be discolored or corroded, and the reflectance may be reduced. Absent.
  • the reflective layer is composed only of a silver plating layer, discoloration or corrosion may occur in the reflective layer when corrosive gas penetrates.
  • the reflection layer is made of the reflection metal layer 12 and has high reflection characteristics, so that the light from the LED element 21 can be efficiently reflected.
  • the reflective metal layer 12 is made of an extremely thin film (0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m) as described above. Therefore, the reflective metal layer 12 is partially broken by the energy applied during die attachment or wire bonding. Accordingly, it is possible to obtain substantially the same bonding strength as when direct die attachment or wire bonding is performed on the silver plating.
  • the reflective metal layer 12 is formed extremely thin, the increase in cost is small even when relatively expensive platinum or gold is used. Furthermore, since the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where only the platinum or gold is used as the material of the reflective metal layer 12. Can be suppressed.
  • the reflective metal layer 12 is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver, as in the embodiment shown in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modified example (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 6 is different from the embodiment shown in FIG. 3 in that solder balls 41a and 41b are used as the conductive portions, and the other configuration is substantially the same as the embodiment shown in FIG.
  • the LED element 21 is placed on the placement surface 11 a of the main body 11 of the lead frame 10. In this case, the LED element 21 is placed across the first portion 25 (die pad) and the second portion 26 (lead portion) of the main body 11.
  • the LED element 21 is connected to the reflective metal layer 12 of the lead frame 10 by solder balls (conductive portions) 41a and 41b instead of the bonding wires 22 (flip chip method). As shown in FIG. 6, one of the solder balls 41 a and 41 b is connected to the first portion 25, and the other solder ball 41 b is connected to the second portion 26.
  • solder balls 41a and 41b may replace with the solder balls 41a and 41b, and may use the electroconductive part which consists of gold bumps.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modified example (LGA type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 7 is different from the embodiment shown in FIG.
  • the substrate 10 reflects the light from the LED element 21 provided on the mounting surface 11 a having the mounting surface 11 a on which the LED element 21 is mounted and the mounting surface 11 a of the main body unit 11. And a reflective metal layer 12 that functions as a reflective layer.
  • the main body 11 has a first part (die pad) 51 on which the LED element 21 is placed and a second part (terminal part) 52 spaced from the first part 51.
  • the sealing resin portion 24 is filled between the first portion 51 and the second portion 52, and the first portion 51 and the second portion 52 are electrically insulated from each other.
  • a first external terminal 53 is formed on the bottom surface of the first portion 51, and a second external terminal 54 is formed on the bottom surface of the second portion 52. The first external terminal 53 and the second external terminal 54 are respectively exposed outward from the sealing resin portion 24.
  • the main-body part 11 may consist of a structure which laminated
  • the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11 a of the main body 11 in the first portion 51. Further, the second portion 52 of the substrate 10 and the LED element 21 are electrically connected by a bonding wire (conductive portion) 22. That is, one end of the bonding wire 22 is connected to the terminal portion 21 a of the LED element 21, and the other end of the bonding wire 22 is connected to the surface of the second portion 52.
  • the translucent sealing resin portion 24 seals the upper portion of the substrate 10, the LED element 21, and the bonding wire 22.
  • outer side resin part 23 is not provided in FIG. 7, it is not restricted to this, You may provide the outer side resin part 23 so that the LED element 21 may be enclosed similarly to FIG.
  • FIG. 8 is a sectional view showing a modified example (PLCC type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 8 is different from the embodiment shown in FIG. 3 in the configuration of the lead frame 10.
  • the lead frame 10 is provided on the main body 11 having the mounting surface 11 a on which the LED element 21 is mounted, and the mounting surface 11 a of the main body 11, and the light from the LED element 21.
  • a reflective metal layer 12 functioning as a reflective layer for reflecting the light.
  • the main body 11 includes a first part (die pad) 61 on which the LED element 21 is placed, a second part (terminal part) 62 and a third part (terminal part) spaced from the first part 61. 63).
  • the outer resin portion 23 is filled between the first portion 61 and the second portion 62 and between the first portion 61 and the third portion 63.
  • the first portion 61 and the second portion 62 are electrically insulated from each other
  • the first portion 61 and the third portion 63 are electrically insulated from each other.
  • the second portion 62 and the third portion 63 are each curved in a substantially J-shaped cross section. Furthermore, a first outer lead portion 64 is formed at the end of the second portion 62, and a second outer lead portion 65 is formed at the end of the third portion 63. The first outer lead portion 64 and the second outer lead portion 65 are exposed outward from the outer resin portion 23, respectively.
  • the LED element 21 is placed on the placement surface 11 a of the main body 11 in the first portion 61.
  • the LED element 21 is electrically connected to the second portion 62 and the third portion 63 of the main body 11 of the lead frame 10 via bonding wires (conductive portions) 22, respectively.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a modification (substrate type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 9 is different from the embodiment shown in FIG. 3 in that the substrate 10 is arranged on a non-conductive substrate 74.
  • the substrate 10 is provided on the main body portion 11 having the placement surface 11 a on which the LED element 21 is placed, and the placement surface 11 a of the main body portion 11, and transmits light from the LED element 21.
  • a reflective metal layer 12 that functions as a reflective layer for reflection.
  • the main body 11 has a first portion 71 and a second portion 72 spaced from the first portion 71.
  • the sealing resin portion 24 is filled between the first portion 71 and the second portion 72, and the first portion 71 and the second portion 72 are electrically insulated from each other.
  • the LED element 21 is placed across the first portion 71 and the second portion 72.
  • the LED element 21 is connected to the reflective metal layer 12 of the lead frame 10 by solder balls (conductive portions) 73a and 73b instead of the bonding wires 22 (flip chip method). As shown in FIG. 9, of the solder balls 73 a and 73 b, the solder ball 73 a is connected to the first portion 71, and the solder ball 73 b is connected to the second portion 72.
  • the electroconductive part which consists of gold bumps.
  • the substrate 10 is disposed on the non-conductive substrate 74.
  • the non-conductive substrate 74 may be an organic substrate or an inorganic substrate.
  • organic substrates include polyethersulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polyamide, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, liquid crystal polymer, fluororesin, polycarbonate, and polynorbornene.
  • An organic substrate made of resin, polysulfone, polyarylate, polyamideimide, polyetherimide, thermoplastic polyimide, or the like, or a composite substrate thereof can be given.
  • an inorganic substrate a glass substrate, a silicon substrate, a ceramic substrate etc. can be mentioned, for example.
  • a plurality of through holes 75 are formed in the non-conductive substrate 74.
  • Each through hole 75 is filled with a conductive material 76.
  • the first portion 71 and the second portion 72 of the main body 11 are electrically connected to the first external terminal 77 and the second external terminal 78 via the conductive material 76 in each through hole 75, respectively. It is connected.
  • the conductive material 76 include a conductive metal such as copper formed in the through hole 75 by plating, or a conductive paste containing conductive particles such as copper particles and silver particles.
  • outer resin portion 23 is not provided in FIG. 9, the present invention is not limited to this, and the outer resin portion 23 may be provided so as to surround the LED element 21 as in the embodiment shown in FIG. 3. .
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example (module type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 10 is different in that a plurality of substrates 10 are arranged on one non-conductive substrate 74, and the other configuration is substantially the same as the embodiment shown in FIG. 9 described above. .
  • a plurality of substrates 10 are arranged on one nonconductive substrate 74.
  • Each substrate 10 is provided on the main body 11 having a mounting surface 11a on which the LED elements 21 are mounted, and on the mounting surface 11a of the main body 11, and functions as a reflective layer for reflecting light from the LED elements 21. And a reflective metal layer 12.
  • FIG. 10 the same parts as those in the embodiment shown in FIG. 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 11 is different in that two lead parts (second part 92 and third part 93) are provided around the first part (die pad) 91 of the main body part 11.
  • the other configurations are substantially the same as those of the embodiment shown in FIG.
  • the main body 11 includes a first portion (die pad) 91 on which the LED element 21 is placed and a periphery of the first portion (die pad) 91. And a pair of lead portions (second portion 92 and third portion 93) provided at positions facing each other across 91.
  • the LED element 21 has a pair of terminal portions 21 a, and the pair of terminal portions 21 a are connected to the second portion 92 and the third portion 93 via the bonding wires 22, respectively. Yes.
  • Example 1-A The following three types of substrates (Example 1-A, Example 1-B, and Comparative Example 1-A) were produced.
  • Example 1-A A copper plating layer 13 (thickness 0.05 ⁇ m) was formed on the main body 11 made of a copper plate, and a silver plating layer 14 (thickness 3 ⁇ m) was applied on the copper plating layer 13. Next, a reflective metal layer 12 (thickness 0.1 ⁇ m) made of an alloy of gold (Au) and silver (Ag) is formed on the silver plating layer 14 by plating to form the substrate 10 (Example 1- A) was prepared. In this case, the reflective metal layer 12 has a composition containing 50% by weight of gold and the balance of silver and inevitable impurities.
  • Example 1-B Substrate 10 (Example 1-B) in the same manner as in Example 1-A, except that the reflective metal layer 12 contains 30% by weight of gold and the balance is composed of silver and inevitable impurities. ) was produced.
  • Example 1-A A copper plating layer (thickness 0.05 ⁇ m) was formed on a main body portion made of a copper plate, and a silver plating layer was formed on the copper plating layer to produce a substrate (Comparative Example 1-A).
  • Example 1-A The surface reflectance (initial reflectance) of these three types of substrates (Example 1-A, Example 1-B, and Comparative Example 1-A) was measured. The reflectance was measured using a spectrophotometer, MPC-2200, UV-2550 manufactured by Shimadzu Corporation.
  • Example 1-A ⁇ Reflectance after solution test>
  • a solution test was performed on each substrate. Specifically, each substrate was immersed in a 0.25% aqueous ammonium sulfide solution (RT) for 5 minutes. Thereafter, the reflectance (the reflectance after the solution test) was measured in the same manner as in the case of the initial reflectance.
  • RT aqueous ammonium sulfide solution
  • Example 1-A ⁇ Reflectance after gas test>
  • Example 1-B ⁇ Reflectance after gas test>
  • a gas test was performed on each substrate. Specifically, each substrate was exposed to a gas containing 3 ppm of H 2 S at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 80% Rh for 1 hour. Thereafter, the reflectance (the reflectance after the gas test) was measured in the same manner as in the case of the initial reflectance.
  • FIG. 12 and FIG. 12 and 13 show the initial reflectance, the reflectance after the solution test, and the reflectance after the gas test for Example 1-A (50% by weight of gold) and Comparative Example 1-A (silver), respectively. It is a graph.
  • the substrate of Example 1-A (50% by weight of gold) has a small decrease from the initial reflectance in both the reflectance after the solution test and the reflectance after the gas test over the entire ultraviolet / visible region.
  • the reflection metal layer 12 was found to be less likely to be corroded by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas.
  • Example 1-B gold 30% by weight
  • the substrate of Example 1-B has a high initial reflectance equivalent to that of silver (Comparative Example 1-A) over the entire visible region, and the reflectance and gas test after the solution test In both of the subsequent reflectivities, the reflectivity slightly decreased from the initial reflectivity, but the decrease in the long wavelength region was slight, and the reflectivity value in the blue region (for example, wavelength 460 nm) was the same as in Example 1 above.
  • -A (50% by weight of gold) was maintained at the same level.
  • the reflectance after the solution test and the reflectance after the gas test are greatly decreased from the initial reflectance over the entire visible region, and particularly in the blue region (for example, wavelength 460 nm). Also, the reflectance value in was lower than in the case of Example 1-A (50% by weight of gold) and Example 1-B (30% by weight of gold). Therefore, it can be said that the silver plating layer may be corroded by corrosive gas such as hydrogen sulfide gas.
  • solder wettability The solder wettability of the above three types of substrates (Example 1-A, Example 1-B, Comparative Example 1-A) was investigated. Specifically, the solder wettability of the board was measured by a menisograph method using a solder checker (SAT-5200, manufactured by Reska). At this time, the soldering temperature was 240 ° C., the immersion time was 10 sec, the immersion depth was 2 mm, and the speed was 2 mm / sec. In the meniscograph method, a test piece (substrate) is immersed in molten solder, and the time for the solder repelling force without getting wet to the test piece to change to the force for pulling the test piece after getting wet is measured. The wettability is evaluated. In this case, the time “zero cross time” until the vector of the wetting force at which the solder wets the test piece changes was measured.
  • SAT-5200 solder checker
  • Example 1-A As a result, all of the above three types of substrates (Example 1-A, Example 1-B, and Comparative Example 1-A) showed continuity of wire bonding (W / B) and wire bonding (W / B) strength. , And solder wettability were all good.
  • Table 1 The above results are summarized in Table 1.
  • FIGS. 14 to 29 The second embodiment shown in FIGS. 14 to 29 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are different from those of the first embodiment described above. It is almost the same. 14 to 29, the same portions as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIGS. 14 and 15 an outline of an LED lead frame or substrate will be described with reference to FIGS. 14 and 15, for the sake of convenience, the cross section of the LED lead frame or substrate is shown as a rectangular shape in order to explain the layer structure of the LED lead frame or substrate.
  • the LED lead frame or substrate 10 ⁇ / b> A (hereinafter also referred to as lead frame 10 ⁇ / b> A or substrate 10 ⁇ / b> A) according to the present embodiment has a main body 11 having a mounting surface 11 a on which the LED element 21 is mounted. And a reflective plating layer 12A provided on the mounting surface 11a of the main body 11.
  • the main body 11 is made of a metal plate.
  • the material of the metal plate constituting the main body 11 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy), and the like.
  • the thickness of the main body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm in the case of the lead frame 10A and 0.005 mm to 0.03 mm in the case of the substrate 10A, although it depends on the configuration of the semiconductor device.
  • the reflective plating layer 12A functions as a reflective layer for reflecting light from the LED element 21, and is located on the outermost surface side of the LED lead frame or the substrate 10A.
  • the reflective plating layer 12A is made of an alloy of tin (Sn) and silver (Ag), has a high visible light reflectivity, and has high corrosion resistance against oxygen and hydrogen sulfide gas. .
  • the reflective plating layer 12A preferably has a composition containing 10 to 50% by weight of tin and the balance being composed of silver and unavoidable impurities, and in particular, a composition containing 10 to 25% by weight of tin and the balance being composed of silver and unavoidable impurities. It is further preferable to have
  • FIG. 16 shows a phase diagram of the Ag—Sn alloy (Source: edited by Seizo Nagasaki and Satoshi Hirabayashi, “Binary Alloy Phase Diagrams” published by Agne Technology Center).
  • the LED lead frame or the substrate 10A may be heated to, for example, about 400 ° C.
  • the proportion of tin constituting the reflective plating layer 12A exceeds 25% by weight, the reflective plating layer 12A is recrystallized when the LED lead frame or the substrate 10A is heated. Will change easily.
  • the tin ratio is less than 10% by weight, the tin ratio decreases, and therefore the reflective plating layer 12A may be easily corroded by corrosive gas such as oxygen or hydrogen sulfide gas in the air.
  • the proportion of tin constituting the reflective plating layer 12A exceeds 70% by weight, the melting point of the reflective plating layer 12A is lowered (see FIG. 16), so that the LED lead frame or the substrate 10A is, for example, about 400 ° C.
  • the reflective plating layer 12 ⁇ / b> A may melt.
  • the proportion of tin constituting the reflective plating layer 12A exceeds 50% by weight, the reflective properties and bonding properties of the reflective plating layer 12A may be degraded.
  • the LED lead frame or the substrate 10A may not necessarily be heated to a high temperature (for example, up to about 400 ° C.). In this case, there is no possibility that the reflective plating layer 12A is recrystallized or melted by the action of heat. Therefore, the ratio of tin constituting the reflective plating layer 12A is not limited to the above-described range.
  • the reflective plating layer 12A is formed to be extremely thin, and specifically, it is preferably 0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m.
  • a base plating layer 13A is interposed between the main body 11 and the reflective plating layer 12A.
  • the metal plating constituting the base plating layer 13A include copper plating and nickel plating.
  • the base plating layer 13A is used as a base layer for the reflective plating layer 12A, and has a function of improving the bonding property between the reflective plating layer 12A and the main body 11.
  • the thickness of the underlying plating layer 13A is preferably 0.005 ⁇ m to 0.1 ⁇ m.
  • the LED lead frame or substrate 10 ⁇ / b> A includes a main body 11 and a reflective plating layer 12 ⁇ / b> A provided directly on the mounting surface 11 a of the main body 11.
  • FIGS. 17 and 18 are diagrams showing a semiconductor device (SON type) according to the second embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 20 ⁇ / b> A includes an LED lead frame 10 ⁇ / b> A, an LED element 21 placed on the placement surface 11 a of the main body 11 of the lead frame 10 ⁇ / b> A, A bonding wire (conductive portion) 22 that electrically connects the lead frame 10A and the LED element 21 is provided.
  • an outer resin portion 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21.
  • the outer resin portion 23 is integrated with the lead frame 10A. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a light-transmitting sealing resin portion 24.
  • the sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23 a of the outer resin portion 23.
  • the lead frame 10 ⁇ / b> A is provided on the main body 11 having the mounting surface 11 a, the base plating layer 13 ⁇ / b> A provided on the main body 11, and the base plating layer 13 ⁇ / b> A for reflecting light from the LED element 21.
  • a reflective plating layer 12A that functions as a reflective layer.
  • a groove 19 is formed on the surface (upper surface) of the lead frame 10 ⁇ / b> A to improve the adhesion between the lead frame 10 ⁇ / b> A and the outer resin portion 23. Since the layer configuration of the lead frame 10A is the same as the configuration already described with reference to FIG. 14, detailed description thereof is omitted here. As the layer configuration of the lead frame 10A, the structure shown in FIG. 15 may be used.
  • each constituent member constituting the semiconductor device 20A is the same as that of the first embodiment described above, the same parts as those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals. Detailed description is omitted.
  • a main body having a first portion 25 and a second portion 26 spaced from the first portion 25. 11 is produced (FIGS. 19A to 19D).
  • plating resist layers 30 and 31 each having a desired pattern are provided on the front and back surfaces of the main body 11 (FIG. 19E), and the front surface of the main body 11 covered with the plating resist layers 30 and 31 is provided.
  • metal (copper) is deposited on the main body portion 11 to form the base plating layer 13 ⁇ / b> A on the main body portion 11.
  • a copper plating solution mainly composed of copper cyanide and potassium cyanide can be used as the plating solution for electrolytic plating.
  • a metal is deposited on the underlying plating layer 13A by electrolytic plating to form a reflective plating layer 12A (FIG. 19 (f)).
  • the reflective plating layer 12A is made of an alloy of tin (Sn) and silver (Ag).
  • a plating solution for electrolytic plating for forming the reflective plating layer 12A a non-cyanic acid plating solution containing silver and tin salts can be used.
  • the lead frame 10A used in the semiconductor device 20A can be obtained by peeling off the plating resist layers 30 and 31 (FIG. 19G).
  • the main body portion 11 is formed into a predetermined shape by etching (FIGS. 19A to 19D), and then the base plating layer 13A and the reflection are formed on the main body portion 11.
  • a plating layer 12A is formed (FIGS. 19E to 19G).
  • the present invention is not limited thereto, and first, the base plating layer 13A and the reflective plating layer 12A may be formed on the main body 11, and then the main body 11 may be processed into a predetermined shape by etching.
  • FIGS. 20A to 20G the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • the lead frame 10A is manufactured by the steps shown in FIGS. 19A to 19G (FIG. 20A), and a thermoplastic resin or a thermosetting resin is injection-molded or transferred to the lead frame 10A.
  • the outer resin part 23 is formed by molding (FIG. 20B).
  • the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11a of the main body 11 of the lead frame 10A.
  • the LED element 21 is mounted and fixed on the mounting surface 11a (on the reflective plating layer 12A) of the main body 11 using solder or die bonding paste (die attach step) (FIG. 20 (c). )).
  • the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 20 (d)).
  • sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23a of the outer resin portion 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed by the sealing resin portion 24 (FIG. 20E).
  • the outer resin portion 23 between the LED elements 21 is diced to separate the lead frame 10A for each LED element 21 (FIG. 20 (f)).
  • the lead frame 10A is first placed and fixed on the dicing tape 37, and then the outer resin portion 23 between the LED elements 21 is cut in the vertical direction by a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone.
  • the reflective plating layer 12A that functions as a reflective layer is provided on the mounting surface 11a of the main body 11.
  • This reflective plating layer 12A is made of an alloy of tin and silver.
  • the reflective plating layer 12A is made of an alloy of tin and silver and has high reflection characteristics, so that the light from the LED element 21 can be efficiently reflected.
  • the reflection plating layer 12A is made of an extremely thin film (0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m) as described above. Therefore, at the time of die attachment or wire bonding, the reflective plating layer 12A is partially broken by the energy applied at that time. Accordingly, it is possible to obtain substantially the same bonding strength as when direct die attachment or wire bonding is performed on the silver plating.
  • the reflective plating layer 12A is made of an alloy of tin and silver, as in the embodiment shown in FIGS. 21 to 28, the reflective plating layer 12A is made of an alloy of tin and silver, as in the embodiment shown in FIGS.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a modified example (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 40A shown in FIG. 21 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 40 shown in FIG. is there.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a modified example (LGA type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 50A shown in FIG. 22 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 50 shown in FIG. is there.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a modification (PLCC type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 60A shown in FIG. 23 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 60 shown in FIG. is there.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a modification (substrate type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 70A shown in FIG. 24 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 70 shown in FIG. is there.
  • FIG. 25 is a sectional view showing a modification (module type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 80A shown in FIG. 25 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 80 shown in FIG. is there.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing a modified example (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 90A shown in FIG. 26 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 90 shown in FIG. is there.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view showing a modified example (collective mold type with a lens) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the embodiment shown in FIG. 27 is different in that the outer resin portion 23 is not provided around the LED element 21 and the lens 101 is provided in the sealing resin portion 24. Is substantially the same as the embodiment shown in FIG.
  • the outer resin portion 23 is filled between the first portion 25 and the second portion 26 of the main body portion 11.
  • the outer resin portion 23 is not provided on the lead frame 10A.
  • a dome-shaped lens 101 that controls the direction of light irradiation from the LED element 21 is formed on the surface (upper surface) of the sealing resin portion 24.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a modification (collective molding) of a semiconductor device.
  • the embodiment shown in FIG. 28 is different in that the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed only by the sealing resin portion 24, and other configurations are shown in FIGS. 17 and 18 described above. This is substantially the same as the embodiment.
  • the LED element 21 and the bonding wire 22 are collectively sealed only by the sealing resin portion 24 without using the outer resin portion 23.
  • a sealing resin portion 24 is filled between the first portion 25 and the second portion 26 of the main body portion 11.
  • Example 2-1 The following three types of substrates (Example 2-1, Example 2-2, and Comparative Example 2-1) were produced.
  • Example 2-1 Nickel plating was applied as a base plating layer 13 ⁇ / b> A on the main body 11 made of a rectangular copper plate. Next, a reflective plating layer 12A made of an alloy of tin (Sn) and silver (Ag) was formed on the base plating layer 13A, thereby producing a substrate 10A (Example 2-1). In this case, the reflective plating layer 12A has a composition containing 20% by weight of tin and the balance of silver and inevitable impurities.
  • Example 2-2 The substrate 10A (Example 2-2) was prepared in the same manner as in Example 2-1, except that the reflective plating layer 12A contained 35% by weight of tin and the balance was composed of silver and inevitable impurities. ) was produced.
  • Example 2-1 A substrate (Comparative Example 2-1) was produced in the same manner as in Example 2-1, except that the reflective plating layer was a silver plating layer.
  • Example 2-1 the glossiness of the surface of these three types of substrates (Example 2-1, Example 2-2, Comparative Example 2-1) was measured.
  • the glossiness was measured using a micro-surface spectral color difference meter (VSR300 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. (NIPPON) DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.)).
  • VSR300 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. (NIPPON) DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.
  • the substrate 10A of Example 2-1 had a glossiness of 0.32, and had a semi-gloss (milky white) appearance.
  • the substrate 10A of Example 2-2 had a glossiness of 1.25 to 0.47, which was higher than that of the substrate 10A of Example 2-1.
  • the gloss of the substrate of Comparative Example 2-1 was 1.28.
  • the glossiness of the three types of substrates is sufficient to be used as a reflective layer that reflects the light from the LED element. Value.
  • Example 2-1 Example 2-1, Example 2-2, and Comparative Example 2-1
  • the three types of substrates were directly left in a mixed gas containing SO 2 (10 ppm) and H 2 S (3 ppm).
  • the temperature around the substrate was maintained at 40 ° C., and the humidity was maintained at 75% Rh.
  • the surface condition of the substrate after 2 hours, 5 hours, and 10 hours after the start of standing was visually observed, and the superiority and inferiority were compared (FIG. 29).
  • Example 2-1 As a result, the substrate of Comparative Example 2-1 started to discolor after 2 hours and completely discolored after 10 hours. In contrast, the substrates of Example 2-1 and Example 2-2 showed almost no discoloration even after 10 hours.
  • FIGS. 30 to 46 The third embodiment shown in FIGS. 30 to 46 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the same as those in the first embodiment described above. This is substantially the same as in the second embodiment. 30 to 46, the same parts as those in the first embodiment and the second embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIGS. 30 and 31 an outline of an LED lead frame or substrate will be described with reference to FIGS. 30 and 31.
  • FIG. 30 and 31 for the sake of convenience, the cross section of the LED lead frame or substrate is shown as a rectangular shape in order to explain the layer structure of the LED lead frame or substrate.
  • an LED lead frame or substrate 10B (hereinafter also referred to as lead frame 10B or substrate 10B) is used to place an LED element 21 (described later). Is provided with a main body part 11 having a mounting surface 11a and an indium plating layer 12B provided on the mounting surface 11a side of the main body part 11.
  • the main body 11 is made of a metal plate.
  • the material of the metal plate constituting the main body 11 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy), and the like.
  • the thickness of the main body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm in the case of the lead frame 10B and 0.005 mm to 0.03 mm in the case of the substrate 10B, although it depends on the configuration of the semiconductor device.
  • the indium plating layer 12B functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21, and is located on the outermost surface side of the LED lead frame or the substrate 10B.
  • the indium plating layer 12B is made of an indium (In) plating layer, has a high visible light reflectivity, and has high corrosion resistance against oxygen and hydrogen sulfide gases. Further, the indium plating layer 12B is formed to be extremely thin, and specifically, it is preferably 0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m.
  • a base plating layer 13B and a silver plating layer 14 are interposed between the main body 11 and the indium plating layer 12B in this order from the main body 11 side.
  • the base plating layer 13B is used as a base layer for the silver plating layer 14, and has a function of improving the bondability between the silver plating layer 14 and the main body 11.
  • the metal plating constituting the base plating layer 13B include copper plating and nickel plating.
  • the thickness of the base plating layer 13B is preferably 0.005 ⁇ m to 0.1 ⁇ m.
  • the silver plating layer 14 is used as a base layer for the indium plating layer 12B, and has a function of improving the bonding property between the base plating layer 13B and the indium plating layer 12B.
  • the silver plating layer 14 is preferably thicker than the indium plating layer 12B, for example, 1 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the silver plating layer 14 may be made of either matte silver plating or bright silver plating. As described above, since the thickness of the indium plating layer 12B is extremely thin, the profile of the silver plating layer 14 can be exposed. For example, when the silver plating layer 14 is made of matte plating, the surface of the indium plating layer 12B can be made matte, and when the silver plating layer 14 is made of glossy plating, the surface of the indium plating layer 12B Can also be glossy.
  • the LED lead frame or substrate 10B includes a main body part 11, a silver plating layer 14 provided on the mounting surface 11a of the main body part 11, and an indium plating layer 12B provided on the silver plating layer 14. Have.
  • FIG. 32 and 33 are views showing a semiconductor device (SON type) according to the third embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 20B includes an LED lead frame 10B, an LED element 21 mounted on the mounting surface 11a of the main body 11 of the lead frame 10B, A bonding wire (conductive portion) 22 that electrically connects the lead frame 10B and the LED element 21 is provided.
  • an outer resin portion 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21.
  • the outer resin portion 23 is integrated with the lead frame 10B. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a light-transmitting sealing resin portion 24.
  • the sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23 a of the outer resin portion 23.
  • the lead frame 10B includes a main body part 11 having a mounting surface 11a, a base plating layer 13B provided on the main body part 11, a silver plating layer 14 provided on the base plating layer 13B, and a silver plating layer 14 And an indium plating layer 12B that functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21.
  • a groove 19 for improving the adhesion between the lead frame 10B and the outer resin portion 23 is formed on the surface (upper surface) of the lead frame 10B. Since the layer configuration of the lead frame 10B is the same as the configuration already described with reference to FIG. 30, detailed description thereof is omitted here. As the layer structure of the lead frame 10B, the structure shown in FIG. 31 may be used.
  • each component member constituting the semiconductor device 20B is the same as that of the first embodiment and the second embodiment described above, the first embodiment and the second embodiment described above.
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the embodiment, and the detailed description is omitted.
  • the first portion 25 As in the case of the first embodiment and the second embodiment (FIGS. 4A to 4D and FIGS. 19A to 19D), the first portion 25, the first portion, The main body 11 having the second portion 26 separated from the first portion 25 is produced (FIGS. 34A to 34D).
  • plating resist layers 30 and 31 each having a desired pattern are provided on the front and back surfaces of the main body 11 (FIG. 34 (e)), and the surface of the main body 11 covered with the plating resist layers 30 and 31 is provided.
  • a metal is deposited on the main body portion 11 to form a base plating layer 13 ⁇ / b> B on the main body portion 11.
  • the base plating layer 13B is made of copper
  • a copper plating solution containing copper cyanide and potassium cyanide as main components can be used as a plating solution for electrolytic plating that forms the base plating layer 13B.
  • metal is deposited on the base plating layer 13B by electrolytic plating to form the silver plating layer.
  • a silver plating solution for electrolytic plating for forming the silver plating layer 14 a silver plating solution mainly composed of silver cyanide and potassium cyanide can be used.
  • a metal (indium) is deposited on the silver plating layer 14 by electrolytic plating to form an indium plating layer 12B (FIG. 34 (f)).
  • a plating solution for electrolytic plating for forming the indium plating layer 12B a flash plating solution containing an organic acid indium salt as a main component can be used.
  • the lead frame 10B used in the semiconductor device 20B can be obtained by peeling off the plating resist layers 30 and 31 (FIG. 34G).
  • the main body 11 is made into a predetermined shape by etching (FIGS. 34 (a)-(d)), and then the base plating layer 13B, silver A plating layer 14 and an indium plating layer 12B are formed (FIGS. 34E to 34G).
  • the present invention is not limited thereto, and first, the base plating layer 13B, the silver plating layer 14, and the indium plating layer 12B may be sequentially formed on the main body 11, and then the main body 11 may be processed into a predetermined shape by etching.
  • the lead frame 10B is manufactured by the steps shown in FIGS. 34A to 34G (FIG. 35A), and a thermoplastic resin or a thermosetting resin is injection-molded or transferred to the lead frame 10B.
  • the outer resin portion 23 is formed by molding (FIG. 35B).
  • the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11a of the main body 11 of the lead frame 10B.
  • the LED element 21 is mounted and fixed on the mounting surface 11a (on the indium plating layer 12B) of the main body 11 using a solder or a die bonding paste (die attachment process) (FIG. 35C). ).
  • the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 35 (d)).
  • the sealing resin portion 24 is filled in the recess 23a of the outer resin portion 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed by the sealing resin portion 24 (FIG. 35 (e)).
  • the indium plating layer 12B that functions as a reflective layer is provided on the mounting surface 11a side of the main body 11.
  • the corrosive gas has permeated into the semiconductor device 20B after a certain time has elapsed since the semiconductor device 20B was manufactured.
  • the reflective layer indium plating layer 12B
  • the reflectance is not lowered.
  • the indium plating layer 12B has high reflection characteristics, the light from the LED element 21 can be efficiently reflected.
  • the indium plating layer 12B is made of an extremely thin film (0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m) as described above. Therefore, at the time of die attachment or wire bonding, the indium plating layer 12B is partially broken by the energy applied at that time. Accordingly, it is possible to obtain substantially the same bonding strength as when direct die attachment or wire bonding is performed on the silver plating.
  • a silver plating layer 14 is provided on the mounting surface 11a side of the main body 11 as in the embodiment shown in FIGS. 32 and 33, and the silver plating layer 14 is provided on the silver plating layer 14.
  • An indium plating layer 12B that functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21 is provided.
  • FIG. 36 is a cross-sectional view showing a modified example (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 40B shown in FIG. 36 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 40 shown in FIG. 6 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 40A.
  • FIG. 37 is a cross-sectional view showing a modification (LGA type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 50B shown in FIG. 37 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 50 shown in FIG. 7 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 50A.
  • FIG. 38 is a cross-sectional view showing a modification (PLCC type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 60B shown in FIG. 38 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 60 shown in FIG. 8 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 60A.
  • FIG. 39 is a cross-sectional view showing a modification (substrate type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 70B shown in FIG. 39 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 70 shown in FIG. 9 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 70A.
  • FIG. 40 is a cross-sectional view showing a modification (module type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 80B shown in FIG. 40 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 80 shown in FIG. 10 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 80A.
  • FIG. 41 is a cross-sectional view showing a modification (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 90B shown in FIG. 41 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 90 shown in FIG. 11 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 90A.
  • FIG. 42 is a cross-sectional view showing a modified example (collective mold type with a lens) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 100B shown in FIG. 42 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 100A shown in FIG. is there.
  • FIG. 43 is a cross-sectional view showing a modification (collective molding) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 110B shown in FIG. 43 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configuration is substantially the same as the configuration of the semiconductor device 110A shown in FIG. is there.
  • Example 3-1 First, nickel plating was applied as a base plating layer 13B on the main body 11 made of a rectangular copper plate. Next, a glossy silver plating layer 14 was formed on the base plating layer 13B by electrolytic plating. Thereafter, an indium plating layer 12B was formed on the silver plating layer 14 by electrolytic plating (flash plating) to produce a substrate 10B (Example 3-1).
  • a substrate (Comparative Example 3-1) was prepared by applying nickel plating as a base plating layer on a rectangular copper plate and then forming a silver plating layer on the base plating layer.
  • the silver plating layer functions as a reflective layer that reflects light from the LED element.
  • Example 3-1 and Comparative Example 3-1 The glossiness was measured by using a micro-surface spectral color difference meter (VSR300 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.). As a result, the gloss level of the substrate 10B according to Example 3-1 was 1.33. On the other hand, the gloss of the substrate according to Comparative Example 3-1 was 1.28. As a result, the glossiness of these two substrates (Example 3-1 and Comparative Example 3-1) was a value sufficient to be used as a reflective layer that reflects light from the LED element.
  • VSR300 micro-surface spectral color difference meter
  • Example 3-1 and Comparative Example 3-1 a corrosion resistance test was performed on the above-described two substrates (Example 3-1 and Comparative Example 3-1). Specifically, these substrates were directly left in a mixed gas containing SO 2 (10 ppm) and H 2 S (3 ppm), respectively. During this period, the temperature around the substrate was maintained at 40 ° C., and the humidity was maintained at 75% Rh. Thereafter, the surface condition of the substrate after 2 hours, 5 hours, and 10 hours after the start of standing was visually observed, and the superiority and inferiority were compared (FIG. 44).
  • the substrate according to Comparative Example 3-1 already started to change color after 2 hours, and completely changed color after 10 hours.
  • the substrate 10B according to Example 3-1 showed almost no discoloration even after 10 hours. From this, it was found that the indium plating layer 12B provided on the silver plating layer 14 of the substrate 10B has high corrosion resistance.
  • Example 3-A Example 3-A, Example 3-B, and Comparative Example 3-A were produced.
  • Example 3-A A base plating layer 13B (thickness 0.1 ⁇ m) made of nickel plating was formed on the main body 11 made of copper plate, and a silver plating layer 14 (thickness 3 ⁇ m) was applied on the base plating layer 13B. Next, a substrate 10B (Example 3-A) was produced by forming an indium plating layer 12B (thickness of about 50 nm) on the silver plating layer 14 by electrolytic plating (flash plating).
  • Example 3-B A substrate 10B (Example 3-B) was produced in the same manner as Example 3-A, except that the thickness of the indium plating layer 12B was about 10 nm.
  • a copper plating layer (thickness: 0.1 ⁇ m) is formed on the main body 11 made of a copper plate, and a silver plating layer (thickness: 3 ⁇ m) is formed on the copper plating layer, whereby a substrate (Comparative Example 3-A ) Was produced.
  • This substrate (Comparative Example 3-A) is the same as the substrate according to Comparative Example 1-A described above.
  • Example 3-A The surface reflectance (initial reflectance) of these three types of substrates (Example 3-A, Example 3-B, and Comparative Example 3-A) was measured.
  • Example 1-A The initial reflectivity, the reflectivity after the solution test, and the reflectivity after the gas test are measured using the above-described first embodiment (Example 1-A, Example 1-B, Comparative Example 1). The same as in the case of A).
  • FIG. 45, FIG. 46 and FIG. 45, 46, and 13 show the initial reflectance, the reflectance after the solution test, and the reflectance after the gas test for Example 3-A, Example 3-B, and Comparative Example 3-A, respectively.
  • FIG. 13 is a graph (Comparative Example 3-A shown in FIG. 13 is the same as Comparative Example 1-A).
  • the substrate of Example 3-A (In about 50 nm) has a higher initial reflectance than that of Comparative Example 1-A (silver), and the initial reflectance solution test is good. Both the subsequent reflectance and the reflectance after the gas test hardly change from the initial reflectance over the entire ultraviolet / visible region, and the indium plating layer 12B is less likely to be corroded by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas. I understood that.
  • Example 3-B In about 10 nm
  • the substrate of Example 3-B has good initial reflectivity that is comparable to that of Comparative Example 1-A (silver) in the entire visible region, and the reflectivity after the gas test is the initial reflectivity.
  • the decrease from was small in the entire UV-visible region.
  • the reflectance after the solution test the decrease in the long wavelength region was slight, and the blue region was slightly decreased from the initial reflectance, but it was a value with no problem.
  • both the reflectivity after the solution test and the reflectivity after the gas test are greatly reduced from the initial reflectivity.
  • solder wettability The solder wettability of the above three types of substrates (Example 3-A, Example 3-B, Comparative Example 3-A) was investigated.
  • Example 3-A As a result, among the above three types of substrates (Example 3-A, Example 3-B, Comparative Example 3-A), the substrates according to Example 3-B and Comparative Example 3-A were bonded by wire bonding (W / B) continuity, wire bonding (W / B) strength, and solder wettability were all good.
  • the substrate according to Example 3-A was lower in the continuity of wire bonding (W / B), wire bonding (W / B) strength, and solder wettability than the substrate according to Example 3-B. There was no problem depending on the location.
  • Table 2 The above results are summarized in Table 2.
  • FIGS. 47 and 48 an outline of an LED lead frame or substrate will be described with reference to FIGS. 47 and 48, for the sake of convenience, the cross section of the LED lead frame or substrate is shown as a rectangular shape in order to explain the layer structure of the LED lead frame or substrate.
  • an LED lead frame or substrate 10C (hereinafter also referred to as a lead frame 10C or a substrate 10C) is used to place an LED element 21 (described later).
  • a main body part 11 having a mounting surface 11a for mounting the light source and a reflective metal layer 12C provided on the mounting surface 11a of the main body part 11.
  • the main body 11 is made of a metal plate.
  • the material of the metal plate constituting the main body 11 include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy), and the like.
  • the thickness of the main body 11 is preferably 0.05 mm to 0.5 mm in the case of the lead frame 10C and 0.005 mm to 0.03 mm in the case of the substrate 10C, although it depends on the configuration of the semiconductor device.
  • the reflective metal layer 12C functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21, and is located on the outermost surface side of the LED lead frame or the substrate 10C.
  • This reflective metal layer 12C is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag), or an alloy of gold (Au) and silver (Ag), has a high visible light reflectivity, and oxygen and sulfide. High corrosion resistance against hydrogen gas.
  • the reflective metal layer 12C is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag), this alloy preferably contains 10 to 40% by weight of platinum, with the balance being composed of silver and inevitable impurities. In particular, it is more preferable to have a composition containing 20% by weight of platinum and the balance of silver and inevitable impurities.
  • the reflective metal layer 12C is made of an alloy of gold (Au) and silver (Ag), this alloy may contain 5 to 50% by weight of gold, with the balance being composed of silver and inevitable impurities. It is more preferable to have a composition comprising, in particular, 20% by weight of gold and the balance of silver and inevitable impurities.
  • the reflective metal layer 12C is formed to be extremely thin, and specifically, it is preferably 0.005 ⁇ m to 0.2 ⁇ m.
  • An intermediate interposed layer 15 is provided between the main body 11 and the reflective metal layer 12C.
  • the intermediate intervening layer 15 has a copper layer 16 (Cu), a nickel layer 17 (Ni), and a gold layer 18 (Au) arranged in this order from the main body 11 side.
  • the copper layer 16 is used as an underlayer for the nickel layer 17 and has a function of improving the bonding property between the nickel layer 17 and the main body 11.
  • the copper layer 16 can be formed by, for example, electrolytic plating.
  • the thickness of the copper layer 16 is preferably 0.005 ⁇ m to 0.8 ⁇ m.
  • the nickel layer 17 is formed on the copper layer 16 by using, for example, an electrolytic plating method, and has a thickness of, for example, 0.5 ⁇ m to 1 ⁇ m.
  • the gold layer 18 is formed on the nickel layer 17 by using, for example, an electrolytic plating method, and is made of an extremely thin layer, and has a thickness of 0.002 ⁇ m to 0.1 ⁇ m, for example.
  • the intermediate intervening layer 15 has a nickel layer 17 provided on the main body 11 and a gold layer 18 provided on the nickel layer 17.
  • FIG. 49 is a sectional view showing a semiconductor device (SON type) according to the fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 50 is a plan view showing the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 20C includes an LED lead frame 10C, an LED element 21 mounted on the mounting surface 11a of the main body 11 of the lead frame 10C, the lead frame 10C and the LED.
  • a bonding wire (conductive portion) 22 that electrically connects the element 21 is provided.
  • an outer resin portion 23 having a recess 23 a is provided so as to surround the LED element 21.
  • the outer resin portion 23 is integrated with the lead frame 10C. Furthermore, the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed with a light-transmitting sealing resin portion 24.
  • the sealing resin portion 24 is filled in the concave portion 23 a of the outer resin portion 23.
  • the lead frame 10 ⁇ / b> C is provided on the main body part 11 having the mounting surface 11 a, the intermediate intermediate layer 15 provided on the main body part 11, and the intermediate intermediate layer 15, and for reflecting light from the LED element 21.
  • a reflective metal layer 12C functioning as a reflective layer.
  • the intermediate intervening layer 15 includes a copper layer 16, a nickel layer 17, and a gold layer 18 in order from the main body 11 side.
  • a groove 19 is formed on the surface (upper surface) of the lead frame 10 ⁇ / b> C for enhancing the adhesion between the lead frame 10 ⁇ / b> C and the outer resin portion 23. Since the layer configuration of the lead frame 10C is the same as the configuration already described with reference to FIG. 47, the detailed description is omitted here. Note that the layer structure of the lead frame 10C may be as shown in FIG.
  • each constituent member constituting the semiconductor device 20C is the same as that of the first to third embodiments described above, the first to third embodiments described above.
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the embodiment, and the detailed description is omitted.
  • plating resist layers 30 and 31 each having a desired pattern are provided on the front and back surfaces of the main body 11 (FIG. 51E).
  • the plating resist layer 30 on the surface side has an opening 30a at a location corresponding to the formation site of the reflective metal layer 12C, and the mounting surface 11a of the main body 11 is exposed from the opening 30a.
  • the resist layer 31 for plating on the back surface covers the entire back surface of the main body 11.
  • the intermediate intervening layer 15 and the reflective metal layer 12C are formed on the surface side of the main body 11 (FIG. 51 (f)).
  • electrolytic plating is performed on the surface side of the main body 11 covered with the resist layers 30 and 31 for plating.
  • metal copper
  • a plating solution for electrolytic plating for forming the copper layer 16 a copper plating solution mainly composed of copper cyanide and potassium cyanide can be used.
  • a metal (nickel) is deposited on the copper layer 16 by electrolytic plating to form the nickel layer 17.
  • a plating solution for electroplating for forming the nickel layer 17 a nickel sulfamate plating solution having a high nickel concentration can be used.
  • metal is deposited on the nickel layer 17 by electrolytic plating to form a gold layer 18.
  • a gold plating solution mainly composed of gold cyanide and potassium cyanide can be used as a plating solution for electrolytic plating for forming the gold layer 18.
  • the intermediate layer 15 is constituted by the copper layer 16, the nickel layer 17, and the gold layer 18.
  • a metal is deposited on the gold layer 18 of the intermediate intervening layer 15 to form a reflective metal layer 12C (FIG. 51 (f)).
  • the reflective metal layer 12C is made of an alloy of platinum (Pt) and silver (Ag) or an alloy of gold (Au) and silver (Ag).
  • the reflective metal layer 12C can be formed by sputtering, ion plating, vapor deposition, or the like of the alloy.
  • the reflective metal layer 12C is made of an alloy of gold and silver
  • the reflective metal layer 12C can be formed by electrolytic plating in addition to sputtering, ion plating, and vapor deposition of the alloy.
  • the plating solution for electrolytic plating a silver plating solution mainly composed of silver cyanide, gold cyanide and potassium cyanide can be used.
  • the main body 11 is formed into a predetermined shape by etching (FIGS. 51A to 51D), and then a copper layer 16 and a nickel layer are formed on the main body 11. 17, the gold layer 18 and the reflective metal layer 12C are formed (FIGS. 51E to 51G).
  • the present invention is not limited to this.
  • the copper layer 16, the nickel layer 17, the gold layer 18 and the reflective metal layer 12C are formed on the main body 11, and then the main body 11 is processed into a predetermined shape by etching. Good.
  • each of the copper layer 16, the nickel layer 17, the gold layer 18 and the reflective metal layer 12C may be formed in order by plating.
  • FIGS. 52A to 52G the same parts as those in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals.
  • a lead frame 10C is manufactured by the steps shown in FIGS. 51A to 51G (FIG. 52A), and a thermoplastic resin or a thermosetting resin is injection-molded or transferred to the lead frame 10C.
  • the outer resin part 23 is formed by molding (FIG. 52B).
  • the LED element 21 is mounted on the mounting surface 11a of the main body 11 of the lead frame 10C.
  • the LED element 21 is mounted and fixed on the mounting surface 11a (on the reflective metal layer 12C) of the main body 11 using solder or die bonding paste (die attach step) (FIG. 52 (c). )).
  • the terminal portion 21a of the LED element 21 and the surface of the second portion 26 of the main body portion 11 are electrically connected to each other by the bonding wire 22 (wire bonding step) (FIG. 52 (d)).
  • the sealing resin portion 24 is filled in the recess 23a of the outer resin portion 23, and the LED element 21 and the bonding wire 22 are sealed by the sealing resin portion 24 (FIG. 52 (e)).
  • the semiconductor device 20C shown in FIGS. 49 and 50 can be obtained (FIG. 52 (g)).
  • the intermediate intervening layer 15 is provided between the reflective metal layer 12C and the main body 11, and the intermediate intervening layer 15 is disposed in order from the main body 11 side.
  • heat may be applied to the lead frame 10C, for example, during die bonding (FIG. 52 (c)) or wire bonding (FIG. 52 (d)).
  • heat of about 300 ° C. to 400 ° C. may be applied in the case of solder bonding, for example, and heat of about 150 ° C. to 200 ° C. may be applied in the case of paste connection, for example.
  • heat of about 150 ° C. to 250 ° C. may be applied.
  • the copper (Cu) from the main body 11 or the copper layer 16 forms an alloy with the upper nickel layer.
  • copper (Cu) from the main body 11 or the copper layer 16 becomes an alloy with nickel and is stabilized with a concentration gradient. As a result, the diffusion is stopped by the nickel layer 17 and does not go upward from the gold layer 18.
  • the main body portion is a copper alloy and the copper layer 16 is not provided, diffusion due to components other than copper of the copper alloy may be hindered during the formation of the nickel alloy, which may cause a Kirkendall void. By providing 16, this void can be prevented.
  • the copper (Cu) from the main body 11 or the copper layer 16 is prevented from diffusing to the surface of the reflective metal layer 12C, the solder on the surface of the reflective metal layer 12C is diffused by the diffusion of copper (Cu). It is possible to prevent wettability and bonding performance from being deteriorated.
  • Ni nickel (Ni) from the nickel layer 17 diffuses (pile-up) toward the upper Au.
  • pile-up refers to the movement of crystals between Au crystals caused by thermal vibrations (recrystallization) between Au crystals, so that a few Ni atoms move, and Ni appears on the surface of Au in the local region. To do. This diffusion is stopped at the interface between the gold layer 18 and the reflective metal layer 12C, and does not go toward the reflective metal layer 12C. It is possible to prevent the bonding property from being lowered.
  • silver and silver alloys transmit oxygen in the air, oxidize the underlying metal and reduce adhesion, but gold does not transmit oxygen, so oxygen (O 2 ) from the air is the gold layer. It stopped at 18, since no towards the main body portion 11 and the nickel layer 17, the oxygen toward the surface of the reflective metal layer 12C to the main body portion 11 (O 2) can be prevented from penetrating. As a result, the nickel layer 17 is oxidized by oxygen (O 2 ) from the air, the adhesive strength between the nickel layer 17 and the reflective metal layer 12C is reduced, and the reflective metal layer 12C is removed from the nickel layer 17. Peeling can be prevented.
  • copper (Cu) contained in the main body 11 or the copper layer 16 can be prevented from diffusing to the surface of the reflective metal layer 12C, and the surface of the reflective metal layer 12C.
  • Oxygen (O 2 ) can be prevented from permeating toward the main body portion 11.
  • the reflective metal layer 12C functioning as a reflective layer is provided on the mounting surface 11a of the main body 11.
  • the reflective metal layer 12C is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver.
  • the reflection layer is made of the reflective metal layer 12C and has high reflection characteristics, so that the light from the LED element 21 can be efficiently reflected.
  • the reflecting metal layer 12C is formed extremely thin, even if a relatively expensive platinum or gold is used, the cost increase is small. Furthermore, since the reflective metal layer 12C is made of an alloy of platinum and silver or an alloy of gold and silver, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where only platinum or gold is used as the material of the reflective metal layer 12C. Can be suppressed.
  • the thickness of the intermediate intervening layer 15 can be reduced (for example, about 1 ⁇ m to 2 ⁇ m). Can be reduced.
  • the manufacturing cost can be reduced as compared with the case of performing the metal treatment on the entire surface.
  • the reflective metal layer 12C and the intermediate intervening layer 15 are thin, the variation in thickness can inevitably be reduced. Scratches generated by pressing against the surface can be reduced, and burrs caused by resin leakage in the gap between the mold and the metal surface can be reduced.
  • the semiconductor device 20C can be thinned.
  • an intermediate intervening layer 15 is provided on the mounting surface 11a side of the main body 11 as in the embodiment shown in FIGS. 49 and 50.
  • a reflective metal layer 12C that functions as a reflective layer for reflecting the light from the LED element 21 is provided.
  • FIG. 54 is a cross-sectional view showing a modified example (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 40C shown in FIG. 54 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 40 shown in FIG. 6 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of device 40A and semiconductor device 40B shown in FIG.
  • FIG. 55 is a cross-sectional view showing a modification (LGA type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 50C shown in FIG. 55 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 50 shown in FIG. 7 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of device 50A and semiconductor device 50B shown in FIG.
  • FIG. 56 is a cross-sectional view showing a modification (PLCC type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 60C shown in FIG. 56 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 60 shown in FIG. 8 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of device 60A and semiconductor device 60B shown in FIG.
  • FIG. 57 is a cross-sectional view showing a modification (substrate type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 70C shown in FIG. 57 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 70 shown in FIG. 9 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of the device 70A and the semiconductor device 70B shown in FIG.
  • FIG. 58 is a cross-sectional view showing a modification (module type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 80C shown in FIG. 58 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 80 shown in FIG. 10 and the semiconductor shown in FIG. The configuration is almost the same as that of device 80A and semiconductor device 80B shown in FIG.
  • FIG. 59 is a cross-sectional view showing a modification (SON type) of the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the semiconductor device 90C shown in FIG. 59 is different in the configuration of each layer provided on the mounting surface 11a of the main body 11, and the other configurations are the semiconductor device 90 shown in FIG. 11 and the semiconductor shown in FIG.
  • the configuration is substantially the same as that of device 90A and semiconductor device 90B shown in FIG.
  • the semiconductor devices 40C, 50C, 60C, 70C, 80C, and 90C (FIGS. 54 to 59) according to the modifications of the present embodiment described above also have substantially the same operation as the semiconductor device 20C shown in FIGS. An effect can be obtained.
  • Example 4-1 A substrate 10C (Example 4-1) having the structure shown in FIG. 47 was produced.
  • the substrate 10C has a copper layer 16 (Cu), a nickel layer 17 (Ni), a gold layer 18 (Au), and a reflective metal layer 12C (gold (Au) and silver) on the main body 11 (copper base material). (Alloy with (Ag)) are sequentially laminated.
  • main body (copper base material) / copper layer (Cu) / nickel layer (Ni) / gold layer (Au) / reflection metal layer (alloy)”.
  • Example 4-2 A substrate 10C (Example 4-2) having the structure shown in FIG. 48 was produced.
  • the substrate 10C (Example 4-2) has a layer structure of a main body (copper base material) / nickel layer (Ni) / gold layer (Au) / reflection metal layer (alloy).
  • This substrate (Comparative Example 4-1) A substrate (Comparative Example 4-1) in which the intermediate metal layer 15 was not provided and the reflective metal layer 12C was directly laminated on the main body 11 was produced.
  • This substrate (Comparative Example 4-1) has a layer structure of main body (copper base material) / reflection metal layer (alloy).
  • a substrate (Comparative Example 4-2) was produced in which only the copper layer 16 was interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12C.
  • This substrate (Comparative Example 4-2) has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / reflection metal layer (alloy).
  • a substrate (Comparative Example 4-3) in which only the silver layer (Ag) was interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12C was produced.
  • This substrate (Comparative Example 4-3) has a layer structure of main body (copper base material) / silver layer (Ag) / reflection metal layer (alloy).
  • This substrate (Comparative Example 4-4) has a layer structure of main body portion (copper base material) / copper layer (Cu) / silver layer (Ag) / reflection metal layer (alloy).
  • a substrate (Comparative Example 4-5) in which only the nickel layer 17 was interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12C was produced.
  • This substrate (Comparative Example 4-5) has a layer structure of main body (copper base material) / nickel layer (Ni) / reflection metal layer (alloy).
  • a substrate (Comparative Example 4-6) in which the copper layer 16 and the nickel layer 17 were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12C was produced.
  • This substrate (Comparative Example 4-6) has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / nickel layer (Ni) / reflection metal layer (alloy).
  • a substrate (Comparative Example 4-7) in which the nickel layer 17 and the copper layer were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12C was produced.
  • This substrate has a layer structure of main body (copper base material) / nickel layer (Ni) / copper layer (Cu) / reflection metal layer (alloy).
  • a substrate (Comparative Example 4-8) in which the copper layer 16, the nickel layer 17 and the copper layer were interposed between the main body 11 and the reflective metal layer 12C was produced.
  • This substrate has a layer structure of main body (copper base material) / copper layer (Cu) / nickel layer (Ni) / copper layer (Cu) / reflection metal layer (alloy). Yes.
  • the substrate 10C according to Examples 4-1 and 4-2 has good adhesion strength between the metals constituting each layer, and copper diffuses on the surface of the reflective metal layer 12C during heating. I didn't.
  • the substrates according to Comparative Examples 4-3 and 4-4 have good adhesion strength between the metals constituting each layer, and when the thickness of the silver layer (Ag) exceeds 1 ⁇ m, the reflective metal layer during heating Copper did not diffuse on the surface of 12C. However, when the thickness of the silver layer (Ag) was 1 ⁇ m or less, a phenomenon that copper diffused on the surface of the reflective metal layer 12C during heating was observed.
  • Example 4-A the following two types of substrates (Example 4-A and Comparative Example 4-A) were produced.
  • Example 4-A A copper layer 16 (thickness 0.1 ⁇ m), a nickel layer 17 (thickness 1 ⁇ m), and a gold layer 18 (thickness 0.01 ⁇ m) are sequentially laminated on the main body 11 made of a copper base material.
  • a reflective metal layer 12C made of an alloy of gold and silver was formed thereon to produce a substrate 10C (Example 4-A).
  • the reflective metal layer 12C has a composition containing 50% by weight of gold and the balance of silver and inevitable impurities.
  • FIG. 60 is a graph showing a comparison between the initial reflectance and the reflectance after the heat test for Example 4-A and Comparative Example 4-A.
  • Example 4-A nickel / gold / gold / silver alloy
  • the reflectivity after the heat test does not change significantly from the initial reflectivity, and the heat resistance of the reflective metal layer 12C is enhanced.
  • the reflectance is lowered by heat.
  • the reflectance after the heat resistance test was greatly reduced from the initial reflectance. Therefore, it can be said that the reflectance of the silver plating layer may be reduced by heat.
  • solder wettability The solder wettability of the above two types of substrates (Example 4-A and Comparative Example 4-A) was investigated.
  • the initial reflectivity, reflectivity after solution test, reflectivity after gas test, continuity of wire bonding (W / B), wire bonding (W / B) strength, and solder wettability measuring methods are This is the same as in the case of the first embodiment (Example 1-A, Example 1-B, Comparative Example 1-A) described above.
  • Example 4-A nickel / gold / gold-silver alloy
  • the reflectivity after the solution test and the reflectivity after the gas test hardly changed from the initial reflectivity, and the reflective metal layer It was found that 12C is less likely to be corroded by corrosive gas such as hydrogen sulfide gas.
  • both the reflectivity after the solution test and the reflectivity after the gas test are greatly reduced from the initial reflectivity, and the silver plating layer is formed by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas. It can be said that there is a risk of corrosion.
  • Example 4-A and Comparative Example 4-A are all excellent in wire bonding (W / B) continuity, wire bonding (W / B) strength, and solder wettability. It became.

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Abstract

　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１を備えている。本体部１１の載置面１１ａには、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２が設けられている。反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。反射用金属層１２により、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子２１からの光の反射特性を維持することが可能である。

Description

ＬＥＤ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、このようなＬＥＤ用リードフレームまたは基板を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
　従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ用基板とＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある。
　ＬＥＤ素子には、赤、緑、青に代表される可視領域や、紫外領域の発光をするものなどがあるが、基本的に波長分布は小さく、見かけ上は、ひとつの色といえる。実用化されている白色のＬＥＤにおいては、紫外や青色のようなエネルギーの高い光を発するＬＥＤ素子と、その光の一部をより長波長の光に変換する蛍光体を用い、白色を合成するものや、複数の色の素子を用いて白色を合成するものがある。
　このような半導体装置として、例えば特許文献１には、Ｃｕ基板の一面側に凹部を形成して、ＬＥＤ素子をこの凹部に搭載し、該凹部側に配設された絶縁層上に接続用のＣｕ配線層を形成し、ＬＥＤの端子部とＣｕ配線層とをワイヤボンディング接続し、樹脂封止したものが記載されている。また特許文献１において、Ｃｕ配線層表面にはＡｇめっきが施されている。
特開２００６－２４５０３２号公報
　ところで、とりわけ高輝度ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤ用半導体装置を封止する樹脂が強い光にさらされる。このため近年、樹脂に対して耐候性が要求されるようになってきており、このような樹脂としてシリコーン樹脂を使用する要求が高まっている。しかしながら、シリコーン樹脂を用いた場合、ガスバリア性が劣る傾向があるため、半導体装置内部のＡｇ層にまで空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透してしまう。Ａｇは容易に硫化水素ガスなどと反応し硫化銀などの生成物を得るため、この結果、外観上はＡｇ層が変色し、Ａｇ層の反射率を可視領域全域において著しく低下させるという問題が生じている。
　本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射するとともに、ガスによる腐食を抑えてＬＥＤ素子からの光の反射特性を維持することが可能なＬＥＤ用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなることを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、反射用金属層は、金と銀との合金からなることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部の載置面側に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。
　半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置する工程と、ＬＥＤ素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、ＬＥＤ素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。
　本発明は、半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部上に、中間介在層を形成する工程と、中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、反射用金属層は、金と銀との合金からなり、本体部は、銅または銅合金からなり、中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドから離間して設けられたリード部とを有する本体部と、本体部のダイパッドおよびリード部の双方に設けられた銀めっき層と、銀めっき層上に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能するインジウムめっき層とを備えたことを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、本体部と銀めっき層との間に、本体部と銀めっき層との接合性を高める下地めっき層を設けたことを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドから離間して設けられたリード部とを含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部のダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部のダイパッドおよびリード部の双方に銀めっき層が設けられ、銀めっき層上に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能するインジウムめっき層が設けられていることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、本体部と銀めっき層との間に、本体部と銀めっき層との接合性を高める下地めっき層を設けたことを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドから離間して設けられたリード部とを有する本体部を準備する工程と、本体部のダイパッドおよびリード部の双方に銀めっき層を形成する工程と、銀めっき層上に、反射層として機能するインジウムめっき層を形成する工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。
　本発明は、銀めっき層を形成する工程の前に、本体部上に、本体部と銀めっき層との接合性を高める下地めっき層を設ける工程が設けられていることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。
　本発明は、半導体装置の製造方法において、請求項２５記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、リードフレームまたは基板の本体部のダイパッド上にＬＥＤ素子を載置する工程と、ＬＥＤ素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、ＬＥＤ素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層とを備え、反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、反射用めっき層は、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするリードフレームまたは基板である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層が設けられ、反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、反射用めっき層は、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする半導体装置である。
　本発明は、ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、本体部の載置面側に、反射層として機能する反射用めっき層を形成する工程とを備え、反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。
　本発明は、反射用めっき層は、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法である。
　本発明は、半導体装置の製造方法において、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、リードフレームまたは基板の本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置する工程と、ＬＥＤ素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、ＬＥＤ素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
　本発明によれば、反射用金属層（反射用めっき層）においてＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができるとともに、反射用金属層（反射用めっき層）が空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食することがなく、可視光領域全般または、紫外～可視光領域全般、または少なくとも可視光領域の一部のその反射特性を高く維持することができる。
本発明の第１の実施の形態によるリードフレームまたは基板を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームまたは基板の変形例を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 実施例１－Ａにおいて、反射率の変化を示すグラフ。 比較例１－Ａ（比較例３－Ａ）において、反射率の変化を示すグラフ。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームまたは基板を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームまたは基板の変形例を示す断面図。 Ａｇ－Ｓｎ合金の相図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図１８のＡ－Ａ線断面図）。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態において、耐蝕試験を行った際の各基板の変化を示す図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレームまたは基板を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレームまたは基板の変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図３３のＢ－Ｂ線断面図）。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第３の実施の形態において、耐蝕試験を行った際の各基板の変化を示す図。 実施例３－Ａにおいて、反射率の変化を示すグラフ。 実施例３－Ｂにおいて、反射率の変化を示すグラフ。 本発明の第４の実施の形態によるリードフレームまたは基板を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態によるリードフレームまたは基板の変形例を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５０のＣ－Ｃ線断面図）。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 本発明の第４の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。 本発明の第４の実施の形態によるリードフレームの作用を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 本発明の第４の実施の形態による半導体装置の一変形例を示す断面図。 実施例４－Ａと比較例４－Ａとの間で、反射率の変化を比較するグラフ。
　（第１の実施の形態）
　本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図１３を参照して説明する。
　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の構成
　まず、図１および図２により、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図１および図２においては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。
　図１に示すように、本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０（以下、リードフレーム１０、あるいは基板１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものであり、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた反射用金属層１２とを備えている。
　このうち本体部１１は金属板からなっている。本体部１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。この本体部１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、リードフレーム１０の場合で０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ、基板１０の場合で０．００５ｍｍ～０．０３ｍｍとすることが好ましい。
　反射用金属層１２は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０の最表面側に位置している。この反射用金属層１２は白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金、または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっており、可視光の反射率が高く、かつ酸素および硫化水素ガスに対する高い耐腐食性を有している。
　反射用金属層１２が白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、白金１０～４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ白金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。
　一方、反射用金属層１２が金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。
　反射用金属層１２は、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ～０．２μｍとされることが好ましい。
　また、本体部１１と反射用金属層１２との間には、本体部１１側から順に、銅めっき層１３および銀めっき層１４が積層されている。
　このうち銅めっき層１３は、銀めっき層１４のための下地層として用いられるものであり、銀めっき層１４と本体部１１との接合性を高める機能を有している。この銅めっき層１３の厚みは、０.００５μｍ～０．１μｍとすることが好ましい。
　また銀めっき層１４は、反射用金属層１２のための下地層として用いられるものであり、銅めっき層１３と反射用金属層１２との接合性を高める機能を有している。なお銀めっき層１４の厚みは、反射用金属層１２より厚く、例えば１μｍ～５μｍとすることが好ましい。
　銀めっき層１４は、無光沢銀めっきまたは光沢銀めっきのいずれからなっていても良い。上述したように、反射用金属層１２の厚みは極めて薄いので、銀めっき層１４のプロファイルを表出させることができる。例えば、銀めっき層１４が無光沢めっきからなる場合には、反射用金属層１２の表面も無光沢とすることができ、銀めっき層１４が光沢めっきからなる場合には、反射用金属層１２の表面も光沢を帯びさせることができる。
　なお、図２（ａ）に示すように、銅めっき層１３を設けない構成も可能である。この場合、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた銀めっき層１４と、銀めっき層１４上に設けられた反射用金属層１２とを有している。
　また、図２（ｂ）に示すように、銀めっき層１４を設けない構成も可能である。この場合、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた銅めっき層１３と、銅めっき層１３上に設けられた反射用金属層１２とを有している。
　さらにまた、図２（ｃ）に示すように、銅めっき層１３および銀めっき層１４を設けない構成も可能である。この場合、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０は、本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに直接設けられた反射用金属層１２とを有している。
　半導体装置の構成
　次に、図３により、図１に示すＬＥＤ用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の第１の実施の形態について説明する。図３は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。
　図３に示すように、半導体装置２０は、ＬＥＤ用リードフレーム１０と、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
　また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する外側樹脂部２３が設けられている。この外側樹脂部２３は、リードフレーム１０と一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。
　以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
　リードフレーム１０は、載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられた銅めっき層１３と、銅めっき層１３上に設けられた銀めっき層１４と、銀めっき層１４上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。リードフレーム１０の表面（上面）には、リードフレーム１０と外側樹脂部２３との密着性を高めるための溝１９が形成されている。このリードフレーム１０の層構成については、図１を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。なお、リードフレーム１０の層構成としては、図２（ａ）－（ｃ）に示すものを用いても良い。
　本実施の形態において、リードフレーム１０の本体部１１は、ＬＥＤ素子２１側の第１の部分２５（ダイパッド）と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６（リード部）とを有している。これら第１の部分２５と第２の部分２６との間には、外側樹脂部２３が充填されており、第１の部分２５と第２の部分２６とは互いに電気的に絶縁されている。また第１の部分２５の底面に第１のアウターリード部２７が形成され、第２の部分２６の底面に第２のアウターリード部２８が形成されている。第１のアウターリード部２７および第２のアウターリード部２８は、それぞれ外側樹脂部２３から外方に露出している。
　ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。
　またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内において本体部１１の載置面１１ａ上（厳密には反射用金属層１２上）に固定されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。
　ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０の本体部１１の第２の部分２６表面上に接続されている。
　外側樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。外側樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、外側樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。凹部２３ａの底面は、円形、楕円形または多角形等とすることができる。凹部２３ａの側壁の断面形状は、図３のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
　外側樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ａの底面（第１の部分２５と第２の部分２６との間）及び側面において、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
　封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。
　ＬＥＤ用リードフレームの製造方法
　次に、図３に示す半導体装置２０に用いられるＬＥＤ用リードフレーム１０の製造方法について、図４（ａ）－（ｇ）により説明する。
　まず図４（ａ）に示すように、金属基板からなる本体部１１を準備する。この本体部１１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお本体部１１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
　次に、本体部１１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。
　次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として本体部１１に腐蝕液でエッチングを施す（図４（ｃ））。腐蝕液は、使用する本体部１１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、本体部１１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、本体部１１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
　次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、第１の部分２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６とを有する本体部１１が得られる（図４（ｄ））。またこの際、ハーフエッチングにより本体部１１の表面（上面）に溝１９が形成される。
　次に、本体部１１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３０、３１を設ける（図４（ｅ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３０は、反射用金属層１２の形成部位に相当する箇所に開口部３０ａが形成され、この開口部３０ａからは本体部１１の載置面１１ａが露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３１は、本体部１１の裏面全体を覆っている。
　次に、めっき用レジスト層３０、３１に覆われた本体部１１の表面側に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（銅）を析出させて、本体部１１上に銅めっき層１３を形成する。この場合、銅めっき層１３を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。
　続いて同様にして、電解めっきにより銅めっき層１３上に金属（銀）を析出させて、銀めっき層１４を形成する。この場合、銀めっき層１４を形成する電解めっき用めっき液のとしては、シアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。
　さらに銀めっき層１４上に金属を析出させて、反射用金属層１２を形成する（図４（ｆ））。
　上述したように、反射用金属層１２は、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっている。ここで反射用金属層１２が白金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２は、合金のスパッタ、イオンプレーティングまたは蒸着などにより形成することができる。一方、反射用金属層１２が金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２は、電解めっきにより形成することができる。この場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。
　次いでめっき用レジスト層３０、３１を剥離することにより、図３に示す半導体装置２０に用いられるリードフレーム１０を得ることができる（図４（ｇ））。
　なお、図４（ａ）－（ｇ）において、エッチングを施すことにより本体部１１を所定形状とした後（図４（ａ）－（ｄ））、本体部１１上に銅めっき層１３、銀めっき層１４、および反射用金属層１２を形成している（図４（ｅ）－（ｇ））。しかしながらこれに限らず、まず本体部１１上に銅めっき層１３、銀めっき層１４、および反射用金属層１２を形成し、その後、エッチングにより本体部１１を所定の形状に加工してもよい。
　半導体装置の製造方法
　次に、図３に示す半導体装置２０の製造方法について、図５（ａ）－（ｅ）により説明する。
　まず、上述した工程により（図４（ａ）－（ｇ））、載置面１１ａを有する本体部１１と、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを備えたリードフレーム１０を作成する（図５（ａ））。
　次に、このリードフレーム１０に対して熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する（図５（ｂ））。これにより、外側樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に形成される。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、外側樹脂部２３に凹部２３ａを形成するとともに、この凹部２３ａ底面において反射用金属層１２が外方に露出するようにする。
　次に、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を本体部１１の載置面１１ａ上（反射用金属層１２上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図５（ｃ））。
　次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、本体部１１の第２の部分２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図５（ｄ））。
　その後、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を充填し、封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止することにより、図３に示す半導体装置２０を得ることができる（図５（ｅ））。
　この場合、予めリードフレーム１０上に複数のＬＥＤ素子２１を搭載しておき、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をそれぞれダイシングすることにより、各半導体装置２０を作製しても良い（後述する第２の実施の形態乃至第４の実施の形態を参照）。
　本実施の形態の作用効果
　次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２が設けられている。この反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。このことにより、以下のような作用効果が得られる。
　すなわち半導体装置２０を製造してから一定時間が経過した後、例えば外側樹脂部２３と封止樹脂部２４との間から、半導体装置２０内部に空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透する場合がある。本実施の形態によれば、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２を設け、この反射用金属層１２が白金と銀との合金または金と銀との合金からなっている。このことにより、半導体装置２０内部に腐食性ガスが浸透した場合であっても、反射層（反射用金属層１２）が変色したり腐食したりすることが少なく、その反射率が低下することがない。他方、比較例として、反射層が銀めっき層のみからなる場合、腐食性ガスが浸透した際、反射層に変色や腐食が生じるおそれがある。
　また本実施の形態によれば、反射層は反射用金属層１２からなり、高い反射特性を有しているので、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
　さらに本実施の形態によれば、反射用金属層１２は、上述したように極めて薄い（０．００５μｍ～０．２μｍ）膜からなっている。したがって、ダイアタッチ時あるいはワイヤボンディングに、その際に加えられるエネルギーにより反射用金属層１２が部分的に破かれる。したがって、銀めっき上に直接ダイアタッチあるいはワイヤボンディングを行う場合とほぼ同等の接合強度を得ることができる。
　さらに本実施の形態によれば、反射用金属層１２を極めて薄く形成したことにより、比較的高価な白金または金を用いる場合であってもコストの上昇幅が少ない。さらに、反射用金属層１２が白金と銀との合金または金と銀との合金からなることにより、反射用金属層１２の材料として白金または金のみを使用する場合と比較して、製造コストを抑制することができる。
　変形例
　以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図６乃至図１１を参照して説明する。図６乃至図１１において、図３に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　なお、図６乃至図１１に示す各変形例において、図３に示す実施の形態と同様、反射用金属層１２は、白金と銀との合金または金と銀との合金からなっている。
　図６は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図６に示す実施の形態は、導電部としてはんだボール４１ａ、４１ｂを用いる点が異なるものであり、他の構成は上述した図３に示す実施の形態と略同一である。
　図６に示す半導体装置４０において、リードフレーム１０の本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１が載置されている。この場合、ＬＥＤ素子２１は、本体部１１の第１の部分２５（ダイパッド）と第２の部分２６（リード部）とに跨って載置されている。
　またＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボール（導電部）４１ａ、４１ｂによってリードフレーム１０の反射用金属層１２に接続されている（フリップチップ方式）。なお図６に示すように、はんだボール４１ａ、４１ｂのうち、一方のはんだボール４１ａは第１の部分２５に接続され、他方のはんだボール４１ｂは第２の部分２６に接続されている。
　なお、はんだボール４１ａ、４１ｂに代えて、金バンプからなる導電部を用いても良い。
　図７は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＬＧＡタイプ）を示す断面図である。図７に示す実施の形態は、基板１０の構成等が図３に示す実施の形態と異なるものである。
　図７に示す半導体装置５０において、基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。
　このうち本体部１１は、ＬＥＤ素子２１が載置される第１の部分（ダイパッド）５１と、第１の部分５１から離間した第２の部分（端子部）５２とを有している。これら第１の部分５１と第２の部分５２との間には封止樹脂部２４が充填されており、第１の部分５１と第２の部分５２とは互いに電気的に絶縁されている。また第１の部分５１の底面に第１の外部端子５３が形成され、第２の部分５２の底面に第２の外部端子５４が形成されている。第１の外部端子５３および第２の外部端子５４は、それぞれ封止樹脂部２４から外方に露出している。
　なお図７において、本体部１１は、１つのめっき層または複数のめっき層を積層した構成からなっていても良い。
　この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分５１において本体部１１の載置面１１ａ上に載置されている。また基板１０の第２の部分５２とＬＥＤ素子２１とは、ボンディングワイヤ（導電部）２２によって電気的に接続されている。すなわちボンディングワイヤ２２の一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続され、ボンディングワイヤ２２の他端が第２の部分５２の表面上に接続されている。
　他方、透光性の封止樹脂部２４は、基板１０の上側部分、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止している。
　なお図７において外側樹脂部２３は設けられていないが、これに限られるものではなく、図３と同様にＬＥＤ素子２１を取り囲むように外側樹脂部２３を設けても良い。
　図８は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＰＬＣＣタイプ）を示す断面図である。図８に示す実施の形態は、リードフレーム１０の構成が図３に示す実施の形態と異なるものである。
　図８に示す半導体装置６０において、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。
　このうち本体部１１は、ＬＥＤ素子２１が載置される第１の部分（ダイパッド）６１と、第１の部分６１から離間した第２の部分（端子部）６２および第３の部分（端子部）６３とを有している。これら第１の部分６１と第２の部分６２の間、および第１の部分６１と第３の部分６３の間には、それぞれ外側樹脂部２３が充填されている。これにより、第１の部分６１と第２の部分６２とは互いに電気的に絶縁され、かつ第１の部分６１と第３の部分６３とは互いに電気的に絶縁されている。
　また第２の部分６２および第３の部分６３は、それぞれ断面略Ｊ字状に湾曲されている。さらに第２の部分６２の端部には第１のアウターリード部６４が形成され、第３の部分６３の端部には第２のアウターリード部６５が形成されている。これら第１のアウターリード部６４および第２のアウターリード部６５は、それぞれ外側樹脂部２３から外方に露出している。
　この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分６１において本体部１１の載置面１１ａ上に載置されている。またＬＥＤ素子２１は、リードフレーム１０の本体部１１の第２の部分６２および第３の部分６３に、それぞれボンディングワイヤ（導電部）２２を介して電気的に接続されている。
　図９は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（基板タイプ）を示す断面図である。図９に示す実施の形態は、基板１０が非導電性基板７４上に配置されている点等が図３に示す実施の形態と異なるものである。
　図９に示す半導体装置７０において、基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。
　このうち本体部１１は、第１の部分７１と、この第１の部分７１から離間した第２の部分７２とを有している。これら第１の部分７１と第２の部分７２との間には封止樹脂部２４が充填されており、第１の部分７１と第２の部分７２とは互いに電気的に絶縁されている。この場合、ＬＥＤ素子２１は、第１の部分７１と第２の部分７２とに跨って載置されている。
　またＬＥＤ素子２１は、ボンディングワイヤ２２に代えて、はんだボール（導電部）７３ａ、７３ｂによってリードフレーム１０の反射用金属層１２に接続されている（フリップチップ方式）。なお図９に示すように、はんだボール７３ａ、７３ｂのうち、はんだボール７３ａは第１の部分７１に接続され、はんだボール７３ｂは第２の部分７２に接続されている。
　なお、はんだボール７３ａ、７３ｂに代えて、金バンプからなる導電部を用いても良い。
　ところで図９において、基板１０は非導電性基板７４上に配置されている。非導電性基板７４は、有機基板であっても無機基板であってもよい。有機基板としては、例えば、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等からなる有機基板、又はそれらの複合基板を挙げることができる。また、無機基板としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、セラミックス基板等を挙げることができる。
　非導電性基板７４には複数のスルーホール７５が形成されている。また各スルーホール７５内にはそれぞれ導電性物質７６が充填されている。そして本体部１１の第１の部分７１および第２の部分７２は、それぞれ各スルーホール７５内の導電性物質７６を介して、第１の外部端子７７および第２の外部端子７８に電気的に接続されている。なお、導電性物質７６としては、めっきによりスルーホール７５内に形成された銅等の導電性金属、あるいは銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を含有した導電性ペースト等が挙げられる。
　なお図９において外側樹脂部２３は設けられていないが、これに限られるものではなく、図３に示す実施の形態と同様に、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように外側樹脂部２３を設けても良い。
　図１０は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（モジュールタイプ）を示す断面図である。図１０に示す実施の形態は、１つの非導電性基板７４上に複数の基板１０を配置した点が異なるものであり、他の構成は上述した図９に示す実施の形態と略同一である。
　図１０に示す半導体装置８０において、１つの非導電性基板７４上に複数の基板１０が配置されている。各基板１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２とを有している。
　このほか、図１０において、図９に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　図１１は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図１１に示す実施の形態は、本体部１１の第１の部分（ダイパッド）９１の周囲に、２つのリード部（第２の部分９２および第３の部分９３）が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図３に示す実施の形態と略同一である。
　すなわち図１１に示す半導体装置９０において、本体部１１は、ＬＥＤ素子２１を載置する第１の部分（ダイパッド）９１と、第１の部分（ダイパッド）９１の周囲であって、第１の部分９１を挟んで互いに対向する位置に設けられた、一対のリード部（第２の部分９２および第３の部分９３）とを有している。
　図１１において、ＬＥＤ素子２１は一対の端子部２１ａを有しており、この一対の端子部２１ａは、それぞれボンディングワイヤ２２を介して、第２の部分９２および第３の部分９３に接続されている。
　以上説明した本実施の形態の各変形例による半導体装置４０、５０、６０、７０、８０、９０（図６乃至図１１）においても、図３に示す半導体装置２０と略同一の作用効果を得ることができる。
［実施例］
　次に、本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板の具体的実施例について説明する。
　以下に示す３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）を作製した。
　（実施例１－Ａ）
　銅板からなる本体部１１上に、銅めっき層１３（厚さ０．０５μｍ）を形成し、この銅めっき層１３上に銀めっき層１４（厚さ３μｍ）を施した。次に、銀めっき層１４上に、金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなる反射用金属層１２（厚さ０．１μｍ）をめっき形成することにより、基板１０（実施例１－Ａ）を作製した。この場合、反射用金属層１２は、金５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有している。
　（実施例１－Ｂ）
　反射用金属層１２が金３０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有していること、以外は、実施例１－Ａと同様にして、基板１０（実施例１－Ｂ）を作製した。
　（比較例１－Ａ）
　銅板からなる本体部上に、銅めっき層（厚さ０．０５μｍ）を形成し、この銅めっき層上に銀めっき層を形成することにより、基板（比較例１－Ａ）を作製した。
　＜初期反射率＞
　これら３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の表面の反射率（初期反射率）を測定した。なお、反射率の測定には、島津製作所製、分光光度計、ＭＰＣ－２２００、ＵＶ－２５５０を用いた。
　＜溶液試験後の反射率＞
　上記３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の耐硫化性を調査するために、各基板に対して溶液試験を行った。具体的には、各基板を０．２５％硫化アンモニウム水溶液（Ｒ．Ｔ）に５分間浸漬した。その後、上記初期反射率の場合と同様の方法で反射率（溶液試験後の反射率）を測定した。
　＜ガス試験後の反射率＞
　上記３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の耐硫化性を調査するために、各基板に対してガス試験を行った。具体的には、各基板を３ｐｐｍのＨ２Ｓを含む、温度４０℃、湿度８０％Ｒｈのガス中に１時間曝露した。その後、上記初期反射率の場合と同様の方法で反射率（ガス試験後の反射率）を測定した。
　この結果を図１２および図１３に示す。図１２および図１３は、それぞれ実施例１－Ａ（金５０重量％）および比較例１－Ａ（銀）について、初期反射率、溶液試験後の反射率、およびガス試験後の反射率を示すグラフである。
　この結果、実施例１－Ａ（金５０重量％）の基板は、溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率のいずれも、紫外・可視領域全般にわたって、初期反射率からの低下が小さく、反射用金属層１２が硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食するおそれが小さいことが分かった。
　実施例１－Ｂ（金３０重量％）の基板は、可視領域全般にわたって、銀(比較例１-Ａ)と同等の高い初期反射率を有しており、溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率の両方とも、反射率が初期反射率からやや低下したが、長波長領域での低下はわずかであり、かつ青色領域（例えば波長４６０ｎｍ）における反射率の値は、上記実施例１－Ａ（金５０重量％）の場合と同等を維持していた。
　比較例１－Ａ（銀）の基板は、可視領域全般にわたって、溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率のいずれも初期反射率からの低下が大きく、特に青色領域（例えば波長４６０ｎｍ）における反射率の値も、上記実施例１－Ａ（金５０重量％）や実施例１－Ｂ（金３０重量％）の場合より下回った。したがって、銀めっき層は硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食するおそれがあるといえる。
　＜ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性＞
　上記３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の表面に連続的にワイヤボンディングを行うことが可能であるか調査した。具体的には、ワイヤーボンディング試験装置（パナソニックファクトリーソリューションズ社製、ＨＷ２７Ｕ－ＨＦ）を用い、基板に対して連続的に２０回ワイヤボンディングを行い、このときボンディングワイヤが切断したか否かを調査した。
　＜ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度＞
　上記３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の表面にワイヤボンディングを行った場合のワイヤボンディング強度について調査した。具体的には、プル試験機（ＤＡＧＥ社製ボンドテスター４０００）を用い、０．２ｍｍ／ｓｅｃでボンディングワイヤを引っ張ったとき、ボンディングワイヤが切断した荷重を測定した。
　＜はんだ濡れ性＞
　上記３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）のはんだ濡れ性について調査した。具体的には、ソルダーチェッカー（レスカ社製、ＳＡＴ－５２００）を用い、メニスコグラフ法により基板のはんだ濡れ性を測定した。このとき、はんだ温度：２４０℃、浸漬時間：１０ｓｅｃ、浸漬深さ：２ｍｍ、速度：２ｍｍ／ｓｅｃという条件とした。なお、メニスコグラフ法とは、溶融したはんだ中へ試験片（基板）を浸漬し、はんだが試験片に濡れずに反発する力が、濡れた後に試験片を引っ張る力へ変わる時間を測定し、はんだ濡れ性の評価を行うものである。この場合、はんだが試験片に濡れる濡れ力のベクトルが変わるまでの時間「ゼロクロスタイム」を測定した。
　この結果、上記３種類の基板（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）のいずれも、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度、およびはんだ濡れ性の全てが良好となった。以上の結果をまとめて表１に示す。
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　（第２の実施の形態）
　次に、本発明の第２の実施の形態について、図１４乃至図２９を参照して説明する。図１４乃至図２９に示す第２の実施の形態は、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１４乃至図２９において、上述した第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の構成
　まず、図１４乃至図１６により、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図１４および図１５においては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。
　図１４に示すように、本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａ（以下、リードフレーム１０Ａ、あるいは基板１０Ａともいう）は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた反射用めっき層１２Ａとを備えている。
　このうち本体部１１は金属板からなっている。本体部１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。この本体部１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、リードフレーム１０Ａの場合で０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ、基板１０Ａの場合で０．００５ｍｍ～０．０３ｍｍとすることが好ましい。
　反射用めっき層１２Ａは、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａの最表面側に位置している。この場合、反射用めっき層１２Ａは錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）との合金からなっており、可視光の反射率が高く、かつ酸素および硫化水素ガスに対する高い耐腐食性を有している。
　反射用めっき層１２Ａは、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ錫１０～２５重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。
　図１６は、Ａｇ－Ｓｎ合金の相図を示している（出典：長崎誠三、平林眞　編著、「二元合金状態図集」、アグネ技術センター　刊）。一般に、半導体装置を製造する際のボンディング工程やダイアタッチ工程において、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａが、例えば４００℃程度まで加熱される場合がある。このため、反射用めっき層１２Ａを構成する錫の割合が２５重量％を上回ると、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａが加熱された際、反射用めっき層１２Ａが再結晶化してしまうので、その性能が変わりやすくなってしまう。また、錫の割合が１０重量％を下回ると、錫の割合が少なくなるため、反射用めっき層１２Ａが空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食され易くなるおそれがある。
　さらに、反射用めっき層１２Ａを構成する錫の割合が７０重量％を上回ると、反射用めっき層１２Ａの融点が下がるため（図１６参照）、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａが、例えば４００℃程度まで加熱された際、反射用めっき層１２Ａが溶融してしまうおそれがある。また、反射用めっき層１２Ａを構成する錫の割合が５０重量％を上回る場合、反射用めっき層１２Ａの反射特性やボンディング性が低下するおそれがある。
　なお、半導体装置を製造する方法によっては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａが、必ずしも高温まで（例えば４００℃程度まで）加熱されない場合もある。この場合、反射用めっき層１２Ａが、熱の作用で再結晶化したり、または溶融したりするおそれはない。したがって、反射用めっき層１２Ａを構成する錫の割合は、上述した範囲に限定されるものではない。
　また、反射用めっき層１２Ａは、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ～０．２μｍとされることが好ましい。
　一方、本体部１１と反射用めっき層１２Ａとの間には、下地めっき層１３Ａが介在されている。下地めっき層１３Ａを構成する金属めっきとしては、例えば銅めっきまたはニッケルめっきを挙げることができる。
　この下地めっき層１３Ａは、反射用めっき層１２Ａのための下地層として用いられるものであり、反射用めっき層１２Ａと本体部１１との接合性を高める機能を有している。この下地めっき層１３Ａの厚みは、０.００５μｍ～０．１μｍとすることが好ましい。
　なお、図１５に示すように、下地めっき層１３Ａを設けない構成も可能である。この場合、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ａは、本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに直接設けられた反射用めっき層１２Ａとを有している。
　半導体装置の構成
　次に、図１７および図１８により、図１４に示すＬＥＤ用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の第２の実施の形態について説明する。図１７および図１８は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す図である。
　図１７および図１８に示すように、本実施の形態による半導体装置２０Ａは、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ａと、リードフレーム１０Ａの本体部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０ＡとＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
　また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する外側樹脂部２３が設けられている。この外側樹脂部２３は、リードフレーム１０Ａと一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。この封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。
　リードフレーム１０Ａは、載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられた下地めっき層１３Ａと、下地めっき層１３Ａ上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層１２Ａとを有している。リードフレーム１０Ａの表面（上面）には、リードフレーム１０Ａと外側樹脂部２３との密着性を高めるための溝１９が形成されている。このリードフレーム１０Ａの層構成については、図１４を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。なお、リードフレーム１０Ａの層構成としては、図１５に示すものを用いても良い。
　このほか、半導体装置２０Ａを構成する各構成部材の構成は、上述した第１の実施の形態と同一であるので、上述した第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　ＬＥＤ用リードフレームの製造方法
　次に、図１７および図１８に示す半導体装置２０Ａに用いられるＬＥＤ用リードフレーム１０Ａの製造方法について、図１９（ａ）－（ｇ）により説明する。なお、以下においては、上述した第１の実施の形態との共通部分については一部説明を省略する。
　まず、第１の実施の形態の場合と同様に（図４（ａ）－（ｄ））、第１の部分２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６とを有する本体部１１を作製する（図１９（ａ）－（ｄ））。
　次に、本体部１１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３０、３１を設け（図１９（ｅ））、めっき用レジスト層３０、３１に覆われた本体部１１の表面側に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（銅）を析出させて、本体部１１上に下地めっき層１３Ａを形成する。下地めっき層１３Ａが銅めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。
　続いて、電解めっきにより下地めっき層１３Ａ上に金属を析出させて、反射用めっき層１２Ａを形成する（図１９（ｆ））。
　上述したように、反射用めっき層１２Ａは、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）との合金からなっている。反射用めっき層１２Ａを形成するための電解めっき用のめっき液としては、銀およびスズの塩を含むノンシアン酸性めっき液を用いることができる。
　次いでめっき用レジスト層３０、３１を剥離することにより、半導体装置２０Ａに用いられるリードフレーム１０Ａを得ることができる（図１９（ｇ））。
　なお、図１９（ａ）－（ｇ）において、エッチングを施すことにより本体部１１を所定形状とした後（図１９（ａ）－（ｄ））、本体部１１上に下地めっき層１３Ａおよび反射用めっき層１２Ａを形成している（図１９（ｅ）－（ｇ））。しかしながらこれに限らず、まず本体部１１上に下地めっき層１３Ａおよび反射用めっき層１２Ａを形成し、その後、エッチングにより本体部１１を所定の形状に加工してもよい。
　半導体装置の製造方法
　次に、図１７および図１８に示す半導体装置２０Ａの製造方法について、図２０（ａ）－（ｇ）により説明する。なお、図２０（ａ）－（ｇ）において、上述した第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。
　まず、図１９（ａ）－（ｇ）に示す工程により、リードフレーム１０Ａを作製し（図２０（ａ））、このリードフレーム１０Ａに対して熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する（図２０（ｂ））。
　次に、リードフレーム１０Ａの本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を本体部１１の載置面１１ａ上（反射用めっき層１２Ａ上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図２０（ｃ））。
　次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、本体部１１の第２の部分２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図２０（ｄ））。
　その後、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を充填し、封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図２０（ｅ））。
　次に、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０Ａを各ＬＥＤ素子２１毎に分離する（図２０（ｆ））。この際、まずリードフレーム１０Ａをダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８によって、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３を垂直方向に切断する。
　このようにして、図１７および図１８に示す半導体装置２０Ａを得ることができる（図２０（ｇ））。
　本実施の形態の作用効果
　次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置２０Ａにおいては、上述したように、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用めっき層１２Ａが設けられている。この反射用めっき層１２Ａは、錫と銀との合金からなっている。このことにより、上述した第１の実施の形態の場合と同様、半導体装置２０Ａを製造してから一定時間が経過した後、半導体装置２０Ａ内部に腐食性ガスが浸透した場合であっても、反射層（反射用めっき層１２Ａ）が変色したり腐食したりすることが少なく、その反射率が低下することがない。
　また本実施の形態によれば、反射用めっき層１２Ａは、錫と銀との合金からなり、高い反射特性を有しているので、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
　さらに本実施の形態によれば、反射用めっき層１２Ａは、上述したように極めて薄い（０．００５μｍ～０．２μｍ）膜からなっている。したがって、ダイアタッチ時あるいはワイヤボンディング時に、その際に加えられるエネルギーにより反射用めっき層１２Ａが部分的に破かれる。したがって、銀めっき上に直接ダイアタッチあるいはワイヤボンディングを行う場合とほぼ同等の接合強度を得ることができる。
　変形例
　以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図２１乃至図２８を参照して説明する。図２１乃至図２８において、図６乃至図１１に示す形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　図２１乃至図２８に示す各変形例において、図１７および図１８に示す実施の形態と同様、反射用めっき層１２Ａは、錫と銀との合金からなっている。
　図２１は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図２１に示す半導体装置４０Ａは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図６に示す半導体装置４０の構成と略同一である。
　図２２は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＬＧＡタイプ）を示す断面図である。図２２に示す半導体装置５０Ａは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図７に示す半導体装置５０の構成と略同一である。
　図２３は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＰＬＣＣタイプ）を示す断面図である。図２３に示す半導体装置６０Ａは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図８に示す半導体装置６０の構成と略同一である。
　図２４は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（基板タイプ）を示す断面図である。図２４に示す半導体装置７０Ａは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図９に示す半導体装置７０の構成と略同一である。
　図２５は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（モジュールタイプ）を示す断面図である。図２５に示す半導体装置８０Ａは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図１０に示す半導体装置８０の構成と略同一である。
　図２６は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図２６に示す半導体装置９０Ａは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図１１に示す半導体装置９０の構成と略同一である。
　図２７は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（レンズ付一括モールドタイプ）を示す断面図である。図２７に示す実施の形態は、ＬＥＤ素子２１の周囲には外側樹脂部２３が設けられていない点、封止樹脂部２４にレンズ１０１が設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図２１に示す実施の形態と略同一である。
　すなわち図２７に示す半導体装置１００Ａにおいて、外側樹脂部２３は、本体部１１の第１の部分２５と第２の部分２６との間に充填されている。他方、図２１に示す実施の形態と異なり、リードフレーム１０Ａ上には外側樹脂部２３が設けられていない。
　また図２７において、封止樹脂部２４の表面（上面）に、ＬＥＤ素子２１からの光の照射方向を制御するドーム状のレンズ１０１が形成されている。
　図２８は、半導体装置の一変形例（一括モールド）を示す断面図である。図２８に示す実施の形態は、封止樹脂部２４のみによってＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止している点が異なるものであり、他の構成は上述した図１７および図１８に示す実施の形態と略同一である。
　すなわち図２８に示す半導体装置１１０Ａにおいて、外側樹脂部２３を用いることなく、封止樹脂部２４のみによってＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とが一括封止されている。本体部１１の第１の部分２５と第２の部分２６との間には、封止樹脂部２４が充填されている。
　以上説明した本実施の形態の各変形例による半導体装置４０Ａ、５０Ａ、６０Ａ、７０Ａ、８０Ａ、９０Ａ、１００Ａ、１１０Ａ（図２１乃至図２８）においても、図１７および図１８に示す半導体装置２０Ａと略同一の作用効果を得ることができる。
［実施例］
　次に、図２９を用いて本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板の具体的実施例について説明する。
　以下に示す３種類の基板（実施例２－１、実施例２－２、比較例２－１）を作製した。
　（実施例２－１）
　矩形状の銅板からなる本体部１１上に、下地めっき層１３Ａとしてニッケルめっきを施した。次にこの下地めっき層１３Ａ上に、錫（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）との合金からなる反射用めっき層１２Ａを形成することにより、基板１０Ａ（実施例２－１）を作製した。この場合、反射用めっき層１２Ａは、錫２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有している。
　（実施例２－２）
　反射用めっき層１２Ａが錫３５重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有していること、以外は、実施例２－１と同様にして、基板１０Ａ（実施例２－２）を作製した。
　（比較例２－１）
　反射用めっき層が銀めっき層からなること、以外は、実施例２－１と同様にして、基板（比較例２－１）を作製した。
　次に、これら３種類の基板（実施例２－１、実施例２－２、比較例２－１）の表面の光沢度を測定した。なお、光沢度の測定には、微小面分光色差計(日本電色工業株式会社（NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.）製VSR300）を用いた。この結果、実施例２－１の基板１０Ａについては、光沢度が０．３２となり、半光沢（乳白色）の外観を呈していた。また、実施例２－２の基板１０Ａについては、光沢度が１．２５～０．４７となり、実施例２－１の基板１０Ａと比較して光沢が高かった。他方、比較例２－１の基板の光沢は、１．２８であった。結果として、３種類の基板（実施例２－１、実施例２－２、比較例２－１）の光沢度は、いずれも、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射層として用いるのに十分な値であった。
　続いて、上述した３種類の基板（実施例２－１、実施例２－２、比較例２－１）に対して耐蝕試験を行った。具体的には、３種類の基板を直に、それぞれＳＯ２（１０ｐｐｍ）およびＨ２Ｓ（３ｐｐｍ）を含む混合ガス中に放置した。なお、この間、基板周囲の温度を４０℃に維持し、湿度を７５％Ｒｈに維持した。その後、放置を開始してから２時間後、５時間後、および１０時間後の基板の表面状態を目視で観察し、その優劣を比較検討した（図２９）。
　この結果、比較例２－１の基板は、２時間後にはすでに変色が生じ始めており、１０時間後には完全に変色してしまった。これに対して、実施例２－１および実施例２－２の基板は、１０時間経過後にもほとんど変色が見られなかった。
　（第３の実施の形態）
　次に、本発明の第３の実施の形態について、図３０乃至図４６を参照して説明する。図３０乃至図４６に示す第３の実施の形態は、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と略同一である。図３０乃至図４６において、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の構成
　まず、図３０および図３１により、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図３０および図３１においては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。
　図３０に示すように、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ｂ（以下、リードフレーム１０Ｂ、あるいは基板１０Ｂともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものであり、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａ側に設けられたインジウムめっき層１２Ｂとを備えている。
　このうち本体部１１は金属板からなっている。本体部１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。この本体部１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、リードフレーム１０Ｂの場合で０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ、基板１０Ｂの場合で０．００５ｍｍ～０．０３ｍｍとすることが好ましい。
　インジウムめっき層１２Ｂは、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ｂの最表面側に位置している。このインジウムめっき層１２Ｂは、インジウム（Ｉｎ）のめっき層からなっており、可視光の反射率が高く、かつ酸素および硫化水素ガスに対する高い耐腐食性を有している。また、インジウムめっき層１２Ｂは、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ～０．２μｍとされることが好ましい。
　一方、本体部１１とインジウムめっき層１２Ｂとの間には、本体部１１側から順に、下地めっき層１３Ｂおよび銀めっき層１４が介在されている。
　このうち下地めっき層１３Ｂは、銀めっき層１４のための下地層として用いられるものであり、銀めっき層１４と本体部１１との接合性を高める機能を有している。下地めっき層１３Ｂを構成する金属めっきとしては、例えば銅めっきまたはニッケルめっきを挙げることができる。この下地めっき層１３Ｂの厚みは、０.００５μｍ～０．１μｍとすることが好ましい。
　また銀めっき層１４は、インジウムめっき層１２Ｂのための下地層として用いられるものであり、下地めっき層１３Ｂとインジウムめっき層１２Ｂとの接合性を高める機能を有している。なお銀めっき層１４の厚みは、インジウムめっき層１２Ｂより厚く、例えば１μｍ～５μｍとすることが好ましい。
　銀めっき層１４は、無光沢銀めっきまたは光沢銀めっきのいずれからなっていても良い。上述したように、インジウムめっき層１２Ｂの厚みは極めて薄いので、銀めっき層１４のプロファイルを表出させることができる。例えば、銀めっき層１４が無光沢めっきからなる場合には、インジウムめっき層１２Ｂの表面も無光沢とすることができ、銀めっき層１４が光沢めっきからなる場合には、インジウムめっき層１２Ｂの表面も光沢を帯びさせることができる。
　なお、図３１に示すように、下地めっき層１３Ｂを設けない構成も可能である。この場合、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ｂは、本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた銀めっき層１４と、銀めっき層１４上に設けられたインジウムめっき層１２Ｂとを有している。
　半導体装置の構成
　次に、図３２および図３３により、図３０に示すＬＥＤ用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の第３の実施の形態について説明する。図３２および図３３は、本発明の第３の実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す図である。
　図３２および図３３に示すように、本実施の形態による半導体装置２０Ｂは、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂと、リードフレーム１０Ｂの本体部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０ＢとＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
　また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する外側樹脂部２３が設けられている。この外側樹脂部２３は、リードフレーム１０Ｂと一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。この封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。
　リードフレーム１０Ｂは、載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられた下地めっき層１３Ｂと、下地めっき層１３Ｂ上に設けられた銀めっき層１４と、銀めっき層１４上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するインジウムめっき層１２Ｂとを有している。リードフレーム１０Ｂの表面（上面）には、リードフレーム１０Ｂと外側樹脂部２３との密着性を高めるための溝１９が形成されている。このリードフレーム１０Ｂの層構成については、図３０を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。なお、リードフレーム１０Ｂの層構成としては、図３１に示すものを用いても良い。
　このほか、半導体装置２０Ｂを構成する各構成部材の構成は、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と同一であるので、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　ＬＥＤ用リードフレームの製造方法
　次に、図３２および図３３に示す半導体装置２０Ｂに用いられるＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂの製造方法について、図３４（ａ）－（ｇ）により説明する。なお、以下においては、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態との共通部分については一部説明を省略する。
　まず、第１の実施の形態および第２の実施の形態の場合と同様に（図４（ａ）－（ｄ）および図１９（ａ）－（ｄ））、第１の部分２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６とを有する本体部１１を作製する（図３４（ａ）－（ｄ））。
　次に、本体部１１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３０、３１を設け（図３４（ｅ））、めっき用レジスト層３０、３１に覆われた本体部１１の表面側に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属を析出させて、本体部１１上に下地めっき層１３Ｂを形成する。下地めっき層１３Ｂが銅からなる場合、下地めっき層１３Ｂを形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。
　続いて同様にして、電解めっきにより下地めっき層１３Ｂ上に金属（銀）を析出させて、銀めっき層１４を形成する。この場合、銀めっき層１４を形成する電解めっき用めっき液のとしては、シアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。
　さらに同様にして、電解めっきにより銀めっき層１４上に金属（インジウム）を析出させて、インジウムめっき層１２Ｂを形成する（図３４（ｆ））。インジウムめっき層１２Ｂを形成するための電解めっき用のめっき液としては、有機酸インジウム塩を主成分としたフラッシュめっき液を用いることができる。
　次いでめっき用レジスト層３０、３１を剥離することにより、半導体装置２０Ｂに用いられるリードフレーム１０Ｂを得ることができる（図３４（ｇ））。
　なお、図３４（ａ）－（ｇ）において、エッチングを施すことにより本体部１１を所定形状とした後（図３４（ａ）－（ｄ））、本体部１１上に下地めっき層１３Ｂ、銀めっき層１４、およびインジウムめっき層１２Ｂを形成している（図３４（ｅ）－（ｇ））。しかしながらこれに限らず、まず本体部１１上に下地めっき層１３Ｂ、銀めっき層１４、およびインジウムめっき層１２Ｂを順次形成し、その後、エッチングにより本体部１１を所定の形状に加工してもよい。
　半導体装置の製造方法
　次に、図３２および図３３に示す半導体装置２０Ｂの製造方法について、図３５（ａ）－（ｇ）により説明する。なお、図３５（ａ）－（ｇ）において、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。
　まず、図３４（ａ）－（ｇ）に示す工程により、リードフレーム１０Ｂを作製し（図３５（ａ））、このリードフレーム１０Ｂに対して熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する（図３５（ｂ））。
　次に、リードフレーム１０Ｂの本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を本体部１１の載置面１１ａ上（インジウムめっき層１２Ｂ上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図３５（ｃ））。
　次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、本体部１１の第２の部分２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図３５（ｄ））。
　その後、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を充填し、封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図３５（ｅ））。
　次に、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０Ｂを各ＬＥＤ素子２１毎に分離する（図３５（ｆ））。
　このようにして、図３２および図３３に示す半導体装置２０Ｂを得ることができる（図３５（ｇ））。
　本実施の形態の作用効果
　次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置２０Ｂにおいては、上述したように、本体部１１の載置面１１ａ側に、反射層として機能するインジウムめっき層１２Ｂが設けられている。このことにより、上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態の場合と同様、半導体装置２０Ｂを製造してから一定時間が経過した後、半導体装置２０Ｂ内部に腐食性ガスが浸透した場合であっても、反射層（インジウムめっき層１２Ｂ）が変色したり腐食したりすることが少なく、その反射率が低下することがない。
　また本実施の形態によれば、インジウムめっき層１２Ｂは高い反射特性を有しているので、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
　さらに本実施の形態によれば、インジウムめっき層１２Ｂは、上述したように極めて薄い（０．００５μｍ～０．２μｍ）膜からなっている。したがって、ダイアタッチ時あるいはワイヤボンディング時に、その際に加えられるエネルギーによりインジウムめっき層１２Ｂが部分的に破かれる。したがって、銀めっき上に直接ダイアタッチあるいはワイヤボンディングを行う場合とほぼ同等の接合強度を得ることができる。
　変形例
　以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図３６乃至図４３を参照して説明する。図３６乃至図４３において、図６乃至図１１および図２１乃至図２８に示す形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　図３６乃至図４３に示す各変形例において、図３２および図３３に示す実施の形態と同様、本体部１１の載置面１１ａ側に銀めっき層１４が設けられ、この銀めっき層１４上に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するインジウムめっき層１２Ｂが設けられている。
　図３６は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図３６に示す半導体装置４０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図６に示す半導体装置４０および図２１に示す半導体装置４０Ａの構成と略同一である。
　図３７は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＬＧＡタイプ）を示す断面図である。図３７に示す半導体装置５０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図７に示す半導体装置５０および図２２に示す半導体装置５０Ａの構成と略同一である。
　図３８は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＰＬＣＣタイプ）を示す断面図である。図３８に示す半導体装置６０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図８に示す半導体装置６０および図２３に示す半導体装置６０Ａの構成と略同一である。
　図３９は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（基板タイプ）を示す断面図である。図３９に示す半導体装置７０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図９に示す半導体装置７０および図２４に示す半導体装置７０Ａの構成と略同一である。
　図４０は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（モジュールタイプ）を示す断面図である。図４０に示す半導体装置８０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図１０に示す半導体装置８０および図２５に示す半導体装置８０Ａの構成と略同一である。
　図４１は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図４１に示す半導体装置９０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図１１に示す半導体装置９０および図２６に示す半導体装置９０Ａの構成と略同一である。
　図４２は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（レンズ付一括モールドタイプ）を示す断面図である。図４２に示す半導体装置１００Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図２７に示す半導体装置１００Ａの構成と略同一である。
　図４３は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（一括モールド）を示す断面図である。図４３に示す半導体装置１１０Ｂは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図２８に示す半導体装置１１０Ａの構成と略同一である。
　以上説明した本実施の形態の各変形例による半導体装置４０Ｂ、５０Ｂ、６０Ｂ、７０Ｂ、８０Ｂ、９０Ｂ、１００Ｂ、１１０Ｂ（図３６乃至図４３）においても、図３２および図３３に示す半導体装置２０Ｂと略同一の作用効果を得ることができる。
［実施例］
　次に、図４４乃至図４６を用いて本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板の具体的実施例について説明する。
　（実施例３－１）
　まず矩形状の銅板からなる本体部１１上に、下地めっき層１３Ｂとしてニッケルめっきを施した。次にこの下地めっき層１３Ｂ上に、電解めっきにより光沢性の銀めっき層１４を形成した。その後、銀めっき層１４上に、電解めっき（フラッシュめっき）によりインジウムめっき層１２Ｂを形成することにより、基板１０Ｂ（実施例３－１）を作製した。
　（比較例３－１）
　矩形状の銅板上に、下地めっき層としてニッケルめっきを施し、次いでこの下地めっき層上に銀めっき層を形成することにより、基板（比較例３－１）を作製した。この場合、銀めっき層が、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射層として機能する。
　次に、これら２つの基板（実施例３－１および比較例３－１）の表面の光沢度を測定した。なお、光沢度の測定には、微小面分光色差計（日本電色工業株式会社製VSR300）を用いた。この結果、実施例３－１に係る基板１０Ｂについては、光沢度が１．３３となった。他方、比較例３－１に係る基板の光沢は、１．２８であった。結果として、これら２つの基板（実施例３－１および比較例３－１）の光沢度は、いずれも、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射層として用いるのに十分な値であった。
　続いて、上述した２つの基板（実施例３－１および比較例３－１）に対して耐蝕試験を行った。具体的には、これらの基板を直に、それぞれＳＯ２（１０ｐｐｍ）およびＨ２Ｓ（３ｐｐｍ）を含む混合ガス中に放置した。なお、この間、基板周囲の温度を４０℃に維持し、湿度を７５％Ｒｈに維持した。その後、放置を開始してから２時間後、５時間後、および１０時間後の基板の表面状態を目視で観察し、その優劣を比較検討した（図４４）。
　この結果、比較例３－１に係る基板は、２時間後にはすでに変色が生じ始めており、１０時間後には完全に変色してしまった。これに対して、実施例３－１に係る基板１０Ｂは、１０時間経過後にもほとんど変色が見られなかった。このことから、基板１０Ｂの銀めっき層１４上に設けられたインジウムめっき層１２Ｂが、高い耐食性を有していることが分かった。
　次に、以下に示す３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）を作製した。
　（実施例３－Ａ）
　銅板からなる本体部１１上に、ニッケルめっきからなる下地めっき層１３Ｂ（厚さ０．１μｍ）を形成し、この下地めっき層１３Ｂ上に銀めっき層１４（厚さ３μｍ）を施した。次に、銀めっき層１４上に、電解めっき（フラッシュめっき）によりインジウムめっき層１２Ｂ（厚さ約５０ｎｍ）を形成することにより、基板１０Ｂ（実施例３－Ａ）を作製した。
　（実施例３－Ｂ）
　インジウムめっき層１２Ｂの厚みを約１０ｎｍとしたこと、以外は、実施例３－Ａと同様にして、基板１０Ｂ（実施例３－Ｂ）を作製した。
　（比較例３－Ａ）
　銅板からなる本体部１１上に、銅めっき層（厚さ０．１μｍ）を形成し、この銅めっき層上に銀めっき層（厚さ３μｍ）を形成することにより、基板（比較例３－Ａ）を作製した。なお、この基板（比較例３－Ａ）は、上述した比較例１－Ａに係る基板と同様のものである。
　＜初期反射率＞
　これら３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）の表面の反射率（初期反射率）を測定した。
　＜溶液試験後の反射率＞
　また、上記３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）の耐硫化性を調査するために、各基板に対して溶液試験を行い、溶液試験後の反射率を測定した。
　＜ガス試験後の反射率＞
　さらに、上記３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）の耐硫化性を調査するために、各基板に対してガス試験を行い、溶液試験後の反射率を測定した。
　なお、初期反射率、溶液試験後の反射率、およびガス試験後の反射率の測定方法は、上述した第１の実施の形態（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の場合と同様である。
　この結果を図４５、図４６および図１３に示す。図４５、図４６および図１３は、それぞれ実施例３－Ａ、実施例３－Ｂおよび比較例３－Ａについて、初期反射率、溶液試験後の反射率、およびガス試験後の反射率を示すグラフである（図１３に示す比較例３－Ａについては比較例１－Ａの場合と同様である）。
　この結果、実施例３－Ａ（Ｉｎ約５０ｎｍ）の基板は、初期反射率が比較例１－Ａ（銀）と比べ、紫外領域での反射率が高く良好である上、初期反射の溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率のいずれも、紫外・可視領域全般にわたって、初期反射率からほとんど変化せず、インジウムめっき層１２Ｂが硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食するおそれが小さいことが分かった。
　実施例３－Ｂ（Ｉｎ約１０ｎｍ）の基板は、初期反射率が可視領域全般で比較例１－Ａ（銀）と同等で良好である上、ガス試験後の反射率については、初期反射率からの低下が紫外可視領域全般で小さかった。一方、溶液試験後の反射率については、長波長領域での低下はわずかであり、かつ青色領域についても初期反射率からやや低下したが、問題のない値であった。
　比較例３－Ａ（銀）（比較例１－Ａ（銀））の基板は、溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率のいずれも初期反射率からの低下が大きく、銀めっき層が硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食するおそれがあるといえる。
　＜ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性＞
　上記３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）の表面に連続的にワイヤボンディングを行うことが可能であるか調査した。
　＜ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度＞
　上記３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）の表面にワイヤボンディングを行った場合のワイヤボンディング強度について調査した。
　＜はんだ濡れ性＞
　上記３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）のはんだ濡れ性について調査した。
　なお、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度、およびはんだ濡れ性の測定方法は、上述した第１の実施の形態（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の場合と同様である。
　この結果、上記３種類の基板（実施例３－Ａ、実施例３－Ｂ、比較例３－Ａ）のうち、実施例３－Ｂおよび比較例３－Ａに係る基板は、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度、およびはんだ濡れ性の全てが良好となった。実施例３－Ａに係る基板は、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度、およびはんだ濡れ性について、実施例３－Ｂに係る基板より低下したが、使用される箇所によっては問題のないレベルであった。以上の結果をまとめて表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　（第４の実施の形態）
　次に、本発明の第４の実施の形態について、図４７乃至図６０を参照して説明する。
　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の構成
　まず、図４７および図４８により、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の概略について説明する。なお図４７および図４８においては、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の層構成を説明するため、便宜上、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の断面を矩形形状として表示している。
　図４７に示すように、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ｃ（以下、リードフレーム１０Ｃ、あるいは基板１０Ｃともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものであり、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１の載置面１１ａに設けられた反射用金属層１２Ｃとを備えている。
　このうち本体部１１は金属板からなっている。本体部１１を構成する金属板の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。この本体部１１の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、リードフレーム１０Ｃの場合で０．０５ｍｍ～０．５ｍｍ、基板１０Ｃの場合で０．００５ｍｍ～０．０３ｍｍとすることが好ましい。
　反射用金属層１２Ｃは、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものであり、ＬＥＤ用リードフレームまたは基板１０Ｃの最表面側に位置している。この反射用金属層１２Ｃは白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金、または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっており、可視光の反射率が高く、かつ酸素および硫化水素ガスに対する高い耐腐食性を有している。
　反射用金属層１２Ｃが白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、白金１０～４０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ白金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。
　一方、反射用金属層１２Ｃが金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなる場合、この合金は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが好ましく、とりわけ金２０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することが更に好ましい。
　反射用金属層１２Ｃは、その厚みが極薄く形成されており、具体的には０．００５μｍ～０．２μｍとされることが好ましい。
　また、本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間には、中間介在層１５が設けられている。
　中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された銅層１６（Ｃｕ）と、ニッケル層１７（Ｎｉ）と、金層１８（Ａｕ）とを有している。
　このうち銅層１６は、ニッケル層１７のための下地層として用いられるものであり、ニッケル層１７と本体部１１との接合性を高める機能を有している。この銅層１６は、例えば電解めっきにより形成することができる。この銅層１６の厚みは、０．００５μｍ～０．８μｍとすることが好ましい。
　またニッケル層１７は、銅層１６上に例えば電解めっき法を用いて形成されたものであり、例えば０．５μｍ～１μｍの厚みを有している。
　また金層１８は、ニッケル層１７上に例えば電解めっき法を用いて形成されたものであり、極めて薄い層からなっており、例えば０．００２μｍ～０．１μｍの厚みを有している。
　また、図４８に示すように、銅層１６を設けない構成も可能である。この場合、中間介在層１５は、本体部１１上に設けられたニッケル層１７と、ニッケル層１７上に設けられた金層１８とを有している。
　半導体装置の構成
　次に、図４９および図５０により、図４７に示すＬＥＤ用リードフレームまたは基板を用いた半導体装置の第４の実施の形態について説明する。図４９は、本発明の第４の実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図であり、図５０は、本発明の第４の実施の形態による半導体装置を示す平面図である。
　図４９および図５０に示すように、半導体装置２０Ｃは、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃと、リードフレーム１０Ｃの本体部１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０ＣとＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。
　また、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように、凹部２３ａを有する外側樹脂部２３が設けられている。この外側樹脂部２３は、リードフレーム１０Ｃと一体化されている。さらに、ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に充填されている。
　リードフレーム１０Ｃは、載置面１１ａを有する本体部１１と、本体部１１上に設けられた中間介在層１５と、中間介在層１５上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２Ｃとを有している。中間介在層１５は、本体部１１側から順に、銅層１６と、ニッケル層１７と、金層１８とを有している。また、リードフレーム１０Ｃの表面（上面）には、リードフレーム１０Ｃと外側樹脂部２３との密着性を高めるための溝１９が形成されている。このリードフレーム１０Ｃの層構成については、図４７を用いて既に説明した構成と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。なお、リードフレーム１０Ｃの層構成としては、図４８に示すものを用いても良い。
　このほか、半導体装置２０Ｃを構成する各構成部材の構成は、上述した第１の実施の形態乃至第３の実施の形態と同一であるので、上述した第１の実施の形態乃至第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
　ＬＥＤ用リードフレームの製造方法
　次に、図４９および図５０に示す半導体装置２０Ｃに用いられるＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃの製造方法について、図５１（ａ）－（ｇ）により説明する。なお、以下においては、上述した第１の実施の形態乃至第３の実施の形態との共通部分については一部説明を省略する。
　まず、第１の実施の形態乃至第３の実施の形態の場合と同様に（図４（ａ）－（ｄ）、図１９（ａ）－（ｄ）および図３４（ａ）－（ｄ））、第１の部分２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分２６とを有する本体部１１を作製する（図５１（ａ）－（ｄ））。
　次に、本体部１１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３０、３１を設ける（図５１（ｅ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３０は、反射用金属層１２Ｃの形成部位に相当する箇所に開口部３０ａが形成され、この開口部３０ａからは本体部１１の載置面１１ａが露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３１は、本体部１１の裏面全体を覆っている。
　次に、本体部１１の表面側に、中間介在層１５と反射用金属層１２Ｃとを形成する（図５１（ｆ））。
　この際、まずめっき用レジスト層３０、３１に覆われた本体部１１の表面側に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（銅）を析出させて、本体部１１上に銅層１６を形成する。銅層１６を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化銅およびシアン化カリウムを主成分とした銅めっき液を用いることができる。
　続いて、同様にして、電解めっきにより銅層１６上に金属（ニッケル）を析出させて、ニッケル層１７を形成する。ニッケル層１７を形成する電解めっき用めっき液としては、高ニッケル濃度のスルファミン酸ニッケルめっき液を用いることができる。
　次いで、電解めっきによりニッケル層１７上に金属（金）を析出させて、金層１８を形成する。金層１８を形成する電解めっき用めっき液としては、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした金めっき液を用いることができる。
　これら銅層１６、ニッケル層１７および金層１８により、中間介在層１５が構成される。
　さらに中間介在層１５の金層１８上に金属を析出させて、反射用金属層１２Ｃを形成する（図５１（ｆ））。
　上述したように、反射用金属層１２Ｃは、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金または金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金からなっている。ここで反射用金属層１２Ｃが白金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２Ｃは、合金のスパッタ、イオンプレーティングまたは蒸着などにより形成することができる。
　一方、反射用金属層１２Ｃが金と銀との合金からなる場合、反射用金属層１２Ｃは、合金のスパッタ、イオンプレーティング、蒸着に加えて、電解めっきにより形成することができる。この場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀、シアン化金およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。
　次いでめっき用レジスト層３０、３１を剥離することにより、図４９および図５０に示す半導体装置２０Ｃに用いられるリードフレーム１０Ｃを得ることができる（図５１（ｇ））。
　なお、図５１（ａ）－（ｇ）において、エッチングを施すことにより本体部１１を所定形状とした後（図５１（ａ）－（ｄ））、本体部１１上に銅層１６、ニッケル層１７、金層１８および反射用金属層１２Ｃを形成している（図５１（ｅ）－（ｇ））。しかしながら、これに限らず、まず本体部１１上に銅層１６、ニッケル層１７、金層１８および反射用金属層１２Ｃを形成し、その後、エッチングにより本体部１１を所定の形状に加工してもよい。
　あるいは、図５１（ａ）－（ｄ）の工程でエッチングにより本体部１１を所定の形状に加工した後、図５１（ｅ）－（ｇ）の部分めっきの工程に代えて、本体部の全面に銅層１６、ニッケル層１７、金層１８および反射用金属層１２Ｃの各層を、順にめっきにより形成してもよい。
　半導体装置の製造方法
　次に、図４９および図５０に示す半導体装置２０Ｃの製造方法について、図５２（ａ）－（ｇ）により説明する。なお、図５２（ａ）－（ｇ）において、上述した第１の実施の形態乃至第３の実施の形態と同一部分には同一の符号を付してある。
　まず、図５１（ａ）－（ｇ）に示す工程により、リードフレーム１０Ｃを作製し（図５２（ａ））、このリードフレーム１０Ｃに対して熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する（図５２（ｂ））。
　次に、リードフレーム１０Ｃの本体部１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を本体部１１の載置面１１ａ上（反射用金属層１２Ｃ上）に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図５２（ｃ））。
　次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、本体部１１の第２の部分２６表面とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図５２（ｄ））。
　その後、外側樹脂部２３の凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を充填し、封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する（図５２（ｅ））。
　次に、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０Ｃを各ＬＥＤ素子２１毎に分離する（図５２（ｆ））。
　このようにして、図４９および図５０に示す半導体装置２０Ｃを得ることができる（図５２（ｇ））。
　本実施の形態の作用効果
　次に、本実施の形態による作用効果について説明する。本実施の形態による半導体装置２０Ｃにおいては、上述したように、反射用金属層１２Ｃと本体部１１との間に中間介在層１５を設け、この中間介在層１５は、本体部１１側から順に配置された銅層１６とニッケル層１７と金層１８とを有している。このことにより、以下のような作用効果が得られる。
　半導体装置２０Ｃを製造する際、例えばダイボンディング時（図５２（ｃ））、あるいはワイヤボンディング時（図５２（ｄ））に、リードフレーム１０Ｃに対して熱が加えられる場合がある。具体的には、ダイボンディング時には、例えばはんだ接合の場合に３００℃～４００℃程度の熱が加えられる場合があり、例えばペースト接続の場合に１５０℃～２００℃程度の熱が加えられる場合がある。また、ワイヤボンディング時には、例えば１５０℃～２５０℃程度の熱が加えられる場合がある。
　この場合、図５３に示すように、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）が、上層のニッケルと合金を形成する。本実施の形態においては、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）はニッケルとの合金となり、濃度勾配を伴い安定化する。結果として、ニッケル層１７によってその拡散が止められ、金層１８より上方に向かうことがない。
　ここで、本体部が銅合金であり、かつ銅層１６を設けない場合、ニッケルの合金形成時に銅合金の銅以外の成分による拡散が阻害され、カーケンダルボイドを生じる場合があるが、銅層１６を設けることで、このボイドを防止できる。
　したがって、本体部１１または銅層１６からの銅（Ｃｕ）が、反射用金属層１２Ｃの表面へ拡散することが防止されるので、銅（Ｃｕ）の拡散によって反射用金属層１２Ｃの表面のはんだ濡れ性やボンディング性が低下することを防止することができる。
　また、ニッケル層１７からのニッケル（Ｎｉ）は、上方のＡｕに向けて拡散（パイルアップ）する。ここで、パイルアップとはＡｕ結晶の転位の間を、Ａｕの熱的な振動による結晶間の動き（再結晶）により、わずかなＮｉ原子が移動し、Ａｕの表面に極局部にＮｉが出現することをいう。この拡散は金層１８と反射用金属層１２Ｃとの界面で止められ、反射用金属層１２Ｃに向かうことがないので、ニッケル（Ｎｉ）の拡散によって反射用金属層１２Ｃの表面のはんだ濡れ性やボンディング性が低下することを防止することができる。
　さらにまた、銀および銀合金は空気中の酸素を透過し、下地の金属を酸化させ、接着性を低下させるが、金は酸素を透過しないため、空気中からの酸素（Ｏ２）は金層１８で止められ、本体部１１およびニッケル層１７に向かうことがないので、反射用金属層１２Ｃの表面から本体部１１へ向けて酸素（Ｏ２）が浸透することを防止することができる。これにより、空気中からの酸素（Ｏ２）によってニッケル層１７が酸化し、ニッケル層１７と反射用金属層１２Ｃとの間の接着強度が低下して、反射用金属層１２Ｃがニッケル層１７から剥離することを防止することができる。
　このように、本実施の形態によれば、本体部１１または銅層１６に含まれる銅（Ｃｕ）が反射用金属層１２Ｃの表面へ拡散することを防止できるとともに、反射用金属層１２Ｃの表面から本体部１１へ向けて酸素（Ｏ２）が透過することを防止できる。このことにより、半導体装置２０Ｃの耐熱性が高められるとともに、反射用金属層１２Ｃと本体部１１との間の中間介在層１５の厚みを薄くすることができる。
　ところで、本実施の形態による半導体装置２０Ｃにおいては、上述したように、本体部１１の載置面１１ａに反射層として機能する反射用金属層１２Ｃが設けられている。この反射用金属層１２Ｃは、白金と銀との合金または金と銀との合金からなる。このことにより、上述した第１の実施の形態乃至第３の実施の形態の場合と同様、半導体装置２０Ｃを製造してから一定時間が経過した後、半導体装置２０Ｃ内部に腐食性ガスが浸透した場合であっても、反射層（反射用金属層１２Ｃ）が変色したり腐食したりすることが少なく、その反射率が低下することがない。
　また本実施の形態によれば、反射層は反射用金属層１２Ｃからなり、高い反射特性を有しているので、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
　さらに本実施の形態によれば、反射用金属層１２Ｃを極めて薄く形成したことにより、比較的高価な白金または金を用いる場合であってもコストの上昇幅が少ない。さらに、反射用金属層１２Ｃが白金と銀との合金または金と銀との合金からなることにより、反射用金属層１２Ｃの材料として白金または金のみを使用する場合と比較して、製造コストを抑制することができる。
　さらに本実施の形態によれば、中間介在層１５の厚みを薄く（例えば約１μｍ～２μｍ）することができるので、相対的に厚い銀層（Ａｇ層）を用いる場合と比較して、製造コストを低減することができる。
　さらに、本実施の形態によれば、図５１（ｇ）に示すように部分的な金属処理を行なうことにより、全面に金属処理を行なう場合と比較して、製造コストを低減することが出来る。
　さらに、本実施の形態によれば、反射用金属層１２Ｃ、中間介在層１５が薄いため、必然的に厚みのばらつきを減少できるため、外側樹脂部２３の成型を行うときに、金型を金属面に押し当てることにより発生するキズを低減することができ、金型と金属面とのギャップへ樹脂もれが生じることによるバリを低減することができる。
　さらに、本実施の形態によれば、反射用金属層１２Ｃ、中間介在層１５が薄いため、半導体装置２０Ｃを薄くすることができる。
　以下、本実施の形態による半導体装置の各変形例について、図５４乃至図５９を参照して説明する。図５４乃至図５９において、図６乃至図１１、図２１乃至図２８および図３６乃至図４３に示す形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
　図５４乃至図５９に示す各変形例において、図４９および図５０に示す実施の形態と同様、本体部１１の載置面１１ａ側に中間介在層１５が設けられ、この中間介在層１５上に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層１２Ｃが設けられている。
　図５４は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図５４に示す半導体装置４０Ｃは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図６に示す半導体装置４０、図２１に示す半導体装置４０Ａおよび図３６に示す半導体装置４０Ｂの構成と略同一である。
　図５５は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＬＧＡタイプ）を示す断面図である。図５５に示す半導体装置５０Ｃは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図７に示す半導体装置５０、図２２に示す半導体装置５０Ａおよび図３７に示す半導体装置５０Ｂの構成と略同一である。
　図５６は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＰＬＣＣタイプ）を示す断面図である。図５６に示す半導体装置６０Ｃは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図８に示す半導体装置６０、図２３に示す半導体装置６０Ａおよび図３８に示す半導体装置６０Ｂの構成と略同一である。
　図５７は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（基板タイプ）を示す断面図である。図５７に示す半導体装置７０Ｃは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図９に示す半導体装置７０、図２４に示す半導体装置７０Ａおよび図３９に示す半導体装置７０Ｂの構成と略同一である。
　図５８は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（モジュールタイプ）を示す断面図である。図５８に示す半導体装置８０Ｃは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図１０に示す半導体装置８０、図２５に示す半導体装置８０Ａおよび図４０に示す半導体装置８０Ｂの構成と略同一である。
　図５９は、本実施の形態による半導体装置の一変形例（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図５９に示す半導体装置９０Ｃは、本体部１１の載置面１１ａ上に設けられた各層の構成が異なるものであり、他の構成は上述した図１１に示す半導体装置９０、図２６に示す半導体装置９０Ａおよび図４１に示す半導体装置９０Ｂの構成と略同一である。
　以上説明した本実施の形態の各変形例による半導体装置４０Ｃ、５０Ｃ、６０Ｃ、７０Ｃ、８０Ｃ、９０Ｃ（図５４乃至図５９）においても、図４９および図５０に示す半導体装置２０Ｃと略同一の作用効果を得ることができる。
［実施例］
　次に、本実施の形態によるＬＥＤ用リードフレームまたは基板の具体的実施例について説明する。
　（実施例４－１）
　図４７に示す構成からなる基板１０Ｃ（実施例４－１）を作製した。この基板１０Ｃは、本体部１１（銅基材）上に、銅層１６（Ｃｕ）、ニッケル層１７（Ｎｉ）、金層１８（Ａｕ）、および反射用金属層１２Ｃ（金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金）を順次積層したものである。以下、このような層構成を「本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／金層（Ａｕ）／反射用金属層（合金）」と表記する。
　（実施例４－２）
　図４８に示す構成からなる基板１０Ｃ（実施例４－２）を作製した。この基板１０Ｃ（実施例４－２）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／金層（Ａｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－１）
　中間介在層１５を設けず、本体部１１上に反射用金属層１２Ｃを直接積層した基板（比較例４－１）を作製した。この基板（比較例４－１）は、本体部（銅基材）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－２）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間に銅層１６のみが介在された基板（比較例４－２）を作製した。この基板（比較例４－２）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－３）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間に銀層（Ａｇ）のみが介在された基板（比較例４－３）を作製した。この基板（比較例４－３）は、本体部（銅基材）／銀層（Ａｇ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－４）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間に銅層１６および銀層（Ａｇ）が介在された基板（比較例４－４）を作製した。この基板（比較例４－４）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／銀層（Ａｇ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－５）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間にニッケル層１７のみが介在された基板（比較例４－５）を作製した。この基板（比較例４－５）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－６）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間に銅層１６およびニッケル層１７が介在された基板（比較例４－６）を作製した。この基板（比較例４－６）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－７）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間にニッケル層１７および銅層が介在された基板（比較例４－７）を作製した。この基板（比較例４－７）は、本体部（銅基材）／ニッケル層（Ｎｉ）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　（比較例４－８）
　本体部１１と反射用金属層１２Ｃとの間に銅層１６、ニッケル層１７および銅層が介在された基板（比較例４－８）を作製した。この基板（比較例４－８）は、本体部（銅基材）／銅層（Ｃｕ）／ニッケル層（Ｎｉ）／銅層（Ｃｕ）／反射用金属層（合金）という層構成からなっている。
　次に、これら各基板（実施例４－１、４－２および比較例４－１～４－８）について、各層を構成する金属間の接着強度を調査した。また、各基板を加熱した時に本体部１１に含まれる銅が反射用金属層１２Ｃの表面に拡散するか否かを検証した。この結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、実施例４－１、４－２に係る基板１０Ｃは、各層を構成する金属間の接着強度が良好であり、かつ加熱時に反射用金属層１２Ｃの表面に銅が拡散することもなかった。
　比較例４－３、４－４に係る基板は、各層を構成する金属間の接着強度が良好であり、銀層（Ａｇ）の厚みを１μｍ超とした場合には、加熱時に反射用金属層１２Ｃの表面に銅が拡散することがなかった。ただし、銀層（Ａｇ）の厚みを１μｍ以下とした場合には、加熱時に反射用金属層１２Ｃの表面に銅が拡散する現象が見られた。
　他の比較例（比較例４－１、４－２、４－５～４－８）に係る基板は、各層を構成する金属間の接着強度が部分的に低いか（比較例４－３、４－５、４－６、４－７）、あるいは加熱時に反射用金属層１２Ｃの表面に銅の拡散が生じた（比較例４－３、４－４、４－７、４－８）。
　なお、これら各基板（実施例４－１、４－２および比較例４－１～４－８）において、反射用金属層としては、金（Ａｕ）と銀（Ａｇ）との合金を用いているが、白金（Ｐｔ）と銀（Ａｇ）との合金を用いた場合であっても同様の結果が得られる。
　次に、以下に示す２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）を作製した。
　（実施例４－Ａ）
　銅基材からなる本体部１１上に、銅層１６（厚さ０．１μｍ）、ニッケル層１７（厚さ１μｍ）、金層１８（厚さ０．０１μｍ）を順次積層し、この金層１８上に金と銀との合金からなる反射用金属層１２Ｃを形成することにより、基板１０Ｃ（実施例４－Ａ）を作製した。この場合、反射用金属層１２Ｃは、金５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有している。
　（比較例４－Ａ）
　銅板からなる本体部１１上に、銅めっき層（厚さ０．１μｍ）を形成し、この銅めっき層上に銀めっき層（厚さ３μｍ）を形成することにより、基板（比較例４－Ａ）を作製した。なお、この基板（比較例４－Ａ）は、上述した比較例１－Ａに係る基板と同様のものである。
　＜初期反射率＞
　これら２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）の表面の反射率（初期反射率）を測定した。
　＜耐熱試験後の反射率＞
　また、上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）の耐熱性を評価するために、各基板に対して耐熱試験を行った。具体的には、各基板を１５０℃の雰囲気下に１００８時間（４２日間）放置した。その後、上記初期反射率の場合と同様の方法で反射率（耐熱試験後の反射率）を測定した。
　この結果を図６０に示す。図６０は、実施例４－Ａおよび比較例４－Ａについて、初期反射率と耐熱試験後の反射率とを比較して示すグラフである。
　この結果、実施例４－Ａ（ニッケル／金／金銀合金）の基板は、耐熱試験後の反射率が初期反射率から大きく変化することがなく、反射用金属層１２Ｃの耐熱性が高められており、熱によって反射率が低下するおそれが小さいことが分かった。
　比較例１－Ａ（銀）の基板は、耐熱試験後の反射率が初期反射率から大幅に低下した。したがって、銀めっき層は熱によって反射率が低下するおそれがあるといえる。
　＜溶液試験後の反射率＞
　次に、上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）の耐硫化性を調査するために、各基板に対して溶液試験を行い、溶液試験後の反射率を測定した。
　＜ガス試験後の反射率＞
　さらに、上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）の耐硫化性を調査するために、各基板に対してガス試験を行い、ガス試験後の反射率を測定した。
　＜ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性＞
　上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）の表面に連続的にワイヤボンディングを行うことが可能であるか調査した。
　＜ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度＞
　上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）の表面にワイヤボンディングを行った場合のワイヤボンディング強度について調査した。
　＜はんだ濡れ性＞
　上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）のはんだ濡れ性について調査した。
　なお、これら初期反射率、溶液試験後の反射率、ガス試験後の反射率、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度、およびはんだ濡れ性の測定方法は、上述した第１の実施の形態（実施例１－Ａ、実施例１－Ｂ、比較例１－Ａ）の場合と同様である。
　以上の結果をまとめて表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　この結果、実施例４－Ａ（ニッケル／金／金銀合金）の基板は、溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率のいずれも、初期反射率からほとんど変化せず、反射用金属層１２Ｃが硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食するおそれが小さいことが分かった。
　比較例４－Ａ（銀）の基板は、溶液試験後の反射率およびガス試験後の反射率のいずれも初期反射率からの低下が大きく、銀めっき層が硫化水素ガス等の腐食性ガスによって腐食するおそれがあるといえる。
　また、上記２種類の基板（実施例４－Ａおよび比較例４－Ａ）は、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の連続性、ワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）強度、およびはんだ濡れ性の全てが良好となった。

Claims (36)

  1. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
    　本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなることを特徴とするリードフレームまたは基板。
  2. 　反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
  3. 　ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
    　リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
    　リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
    　ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
    　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなることを特徴とする半導体装置。
  4. 　反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  5. 　封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  6. 　ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  7. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    　本体部の載置面側に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
  8. 　半導体装置の製造方法において、
    　請求項７記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、
    　リードフレームまたは基板の本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置する工程と、
    　ＬＥＤ素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、
    　ＬＥＤ素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
    　本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層とを備え、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    　本体部は、銅または銅合金からなり、
    　反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
    　中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするリードフレームまたは基板。
  10. 　反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項９記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
  11. 　中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする請求項９記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
  12. 　ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
    　リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
    　リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
    　ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
    　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を設け、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    　本体部は、銅または銅合金からなり、
    　反射用金属層と本体部との間に、中間介在層を設け、
    　中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置。
  13. 　反射用金属層は、金５～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
  14. 　中間介在層は、ニッケル層の本体部側に設けられた銅層を更に有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
  15. 　封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
  16. 　ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
  17. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    　本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
    　中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程とを備え、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    　本体部は、銅または銅合金からなり、
    　中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
  18. 　半導体装置の製造方法において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    　本体部上に、中間介在層を形成する工程と、
    　中間介在層上に、反射層として機能する反射用金属層を形成する工程と、
    　本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置し、ＬＥＤ素子と本体部とを導電部によって接続する工程と、
    　ＬＥＤ素子と導電部とを透光性の封止樹脂部で封止する工程とを備え、
    　反射用金属層は、金と銀との合金からなり、
    　本体部は、銅または銅合金からなり、
    　中間介在層は、本体部側から順に配置されたニッケル層と金層とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
    　ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドから離間して設けられたリード部とを有する本体部と、
    　本体部のダイパッドおよびリード部の双方に設けられた銀めっき層と、
    　銀めっき層上に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能するインジウムめっき層とを備えたことを特徴とするリードフレームまたは基板。
  20. 　本体部と銀めっき層との間に、本体部と銀めっき層との接合性を高める下地めっき層を設けたことを特徴とする請求項１９記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
  21. 　ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドから離間して設けられたリード部とを含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
    　リードフレームまたは基板の本体部のダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、
    　リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
    　ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
    　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部のダイパッドおよびリード部の双方に銀めっき層が設けられ、
    　銀めっき層上に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能するインジウムめっき層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
  22. 　本体部と銀めっき層との間に、本体部と銀めっき層との接合性を高める下地めっき層を設けたことを特徴とする請求項２１記載の半導体装置。
  23. 　封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置。
  24. 　ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置。
  25. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
    　ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドから離間して設けられたリード部とを有する本体部を準備する工程と、
    　本体部のダイパッドおよびリード部の双方に銀めっき層を形成する工程と、
    　銀めっき層上に、反射層として機能するインジウムめっき層を形成する工程とを備えたことを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
  26. 　銀めっき層を形成する工程の前に、本体部上に、本体部と銀めっき層との接合性を高める下地めっき層を設ける工程が設けられていることを特徴とする請求項２５記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
  27. 　半導体装置の製造方法において、
    　請求項２５記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、
    　リードフレームまたは基板の本体部のダイパッド上にＬＥＤ素子を載置する工程と、
    　ＬＥＤ素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、
    　ＬＥＤ素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  28. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部と、
    　本体部の載置面に設けられ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層とを備え、
    　反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とするリードフレームまたは基板。
  29. 　反射用めっき層は、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項２８記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板。
  30. 　ＬＥＤ素子を載置する載置面を含む本体部を有するＬＥＤ用リードフレームまたは基板と、
    　リードフレームまたは基板の本体部の載置面上に載置されたＬＥＤ素子と、
    　リードフレームまたは基板とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
    　ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
    　ＬＥＤ用リードフレームまたは基板の本体部の載置面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用めっき層が設けられ、
    　反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とする半導体装置。
  31. 　反射用めっき層は、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項３０記載の半導体装置。
  32. 　封止樹脂部はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項３０記載の半導体装置。
  33. 　ＬＥＤ素子を取り囲むとともに凹部を有する外側樹脂部を更に備え、封止樹脂部は、この外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項３０記載の半導体装置。
  34. 　ＬＥＤ素子を載置するＬＥＤ用リードフレームまたは基板を製造するＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法において、
    　ＬＥＤ素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
    　本体部の載置面側に、反射層として機能する反射用めっき層を形成する工程とを備え、
    　反射用めっき層は、錫と銀との合金からなることを特徴とするＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
  35. 　反射用めっき層は、錫１０～５０重量％を含み、残部が銀および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項３４記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法。
  36. 　半導体装置の製造方法において、
    　請求項３４記載のＬＥＤ用リードフレームまたは基板の製造方法によりリードフレームまたは基板を作製する工程と、
    　リードフレームまたは基板の本体部の載置面上にＬＥＤ素子を載置する工程と、
    　ＬＥＤ素子とリードフレームまたは基板とを導電部により接続する工程と、
    　ＬＥＤ素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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