KR20120089567A - 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
도전성 기체(1)상의 최표면에 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층(2)이 형성된 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상기 반사층의 두께가 0.2∼5.0㎛이며, 또한, 상기 반사층의 은 또는 은합금을 X선회절법으로 측정했을 때에, (200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상인, 광반도체 장치용 리드 프레임과 그 제조방법, 및 그것을 이용한 광반도체 장치.
Description
본 발명은, 광반도체 장치용 리드 프레임과 그 제조방법, 및 광반도체 장치에 관한 것이다.
광반도체 장치용 리드 프레임은, 예를 들면 LED(Light Emitting Diode) 소자 등의 광반도체소자인 발광소자를 광원으로 이용한 각종 표시용·조명용 광원의 구성 부재로서 넓게 이용되고 있다. 그 광반도체 장치는, 예를 들면 기판에 리드 프레임을 배치하고, 그 리드 프레임상에 발광소자를 탑재한 후, 열, 습기, 산화 등의 외부 요인에 의한 발광소자나 그 주변 부위의 열화를 방지하기 위해, 발광소자와 그 주위를 수지로 밀봉하고 있다.
그런데, LED 소자를 조명용 광원으로서 이용하는 경우, 리드 프레임의 반사재에는 가시광선 파장(400∼700nm)의 전체 영역에 있어서 반사율이 높은(예를 들면 반사율 80% 이상) 것이 요구된다. 또한 최근, 자외선을 이용하는 측정·분석 기기의 광원으로서도 LED 소자가 이용되게 되고, 그 반사재에는, 근자외역(파장 340∼400nm)에 있어서 반사율이 높은 것이 요구되어 오고 있다. 따라서, 조명용 광원으로서 혹은 상기 측정·분석기기의 광원으로서 이용하는 경우의 광반도체 장치에서는, 반사재의 반사 특성이 제품 성능을 좌우하는 극히 중요한 요소가 된다.
또한, 백색광을 방사하는 LED를 실현하는 수법으로서는, 적(R), 녹(G), 청(B)의 모든 색을 나오게 하는 칩을 3개 나열하는 수법, 청색 LED 칩에 황색의 형광체를 분산한 밀봉 수지를 이용하는 수법, 나아가서는 근자외역의 LED 칩에 각각 R, G, B의 형광체를 분산한 밀봉 수지를 이용하는 수법의, 주로 3가지로 크게 나뉜다. 종래는 청색 칩에 황색의 형광체를 분산한 밀봉 수지를 이용하는 수법이 주류였지만, 최근은 연색성(演色性)의 문제로부터 발광 파장대에 근자외역을 포함한 LED 칩을 이용하는 수법이 주목을 끌고 있다.
이러한 요구에 따라서, LED 소자가 실장(實裝)되는 리드 프레임상에는, 특히 가시광선역의 광반사율(이하, 반사율이라고 한다)의 향상을 목적으로 하여, 은 또는 은합금으로 이루어지는 층(피막)이 형성되어 있는 것이 많다. 은의 피막은, 가시광선역에서의 반사율이 높은 것이 알려져 있고, 구체적으로는, 은도금층을 반사면에 형성하는 것(특허문헌 1)이나, 은 또는 은합금 피막 형성 후에 200℃ 이상에서 30초 이상의 열처리를 실시하고, 상기 피막의 결정립 지름을 0.5㎛∼30㎛로 하는 것(특허문헌 2) 등이 알려져 있다.
그러나, 특허문헌 1과 같이, 은 또는 그 합금 피막을 단순하게 형성했을 뿐인 경우, 특히 근자외역(파장 340∼400nm)에서의 반사율의 저하가 크고, 가시광선역의 약 400nm부근으로부터 근자외역의 300nm부근에서의 반사율 저하를 피할 수 없는 것을 알 수 있었다.
또한, 특허문헌 2와 같이, 은 또는 은합금의 피막의 결정립 지름을 0.5㎛∼30㎛로 하면, 가시광선역의 반사율은 양호하지만, 근자외역(340∼400nm)의 반사율 개선의 효과를 얻을 수 없는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 이것은, 상세한 것은 불분명하지만, 단순히 결정립 지름의 조정만으로는 반사율 개선의 효과는 보지 못하고, 결정립 지름과는 다른 특성이 반사율 개선에 기여하고 있는 것은 아닌가 생각할 수 있다. 또한, 열처리에 의해 상기 결정립 지름에 조정하면, 잔류 산소의 영향에 의해 은이 산화하고, 반대로 반사율이 저하해버려 반사율 개선에 충분한 효과를 얻을 수 없을 가능성이 있다.
게다가, 특허문헌 2에 있어서는, 하지(下地)의 표면조도(粗度)로서, 일본공업규격(JISB 0601)에 규정된 최대 높이 Ry가 0.5㎛ 이상이라는 기재가 있지만, 도금법에 있어서는 하지의 조도가 최표면의 조도에 주는 영향이 크고, 하지의 표면조도(최대 높이) Ry가 0.5㎛ 이상이면, 하지의 표면에 피복된 은 또는 은합금 표면의 조도(최대 높이)도 0.5㎛ 이상이 되는 경향이 극히 강하다. 그 경우, 도금으로 요철을 완전하게 피복하기 위해서는, 피복을 두껍게 하는 등의 대책이 필요하게 되어, 양산성이 저하하여, 비용상승으로 연결되기 쉽다. 또한, 빛의 반사에는 반사층의 조도가 정반사나 확산 반사에 크게 영향을 준다. 한편, 광반도체용 리드 프레임의 광학 특성에 중요한 것은, 반사층의 표면조도를 위해, 단순히 하지의 조도를 규정한다 하여도, 반사층의 광학 특성까지 규정할 수 있는 것은 아니다.
게다가, 최근 조명 용도에 적극적으로 LED가 채택되어 사용되기 시작하고 있어, 빛의 지향성이 중요해지고 있다. 반사층의 표면조도가 적절하지 않은 경우, 지향성에 편차가 생기기 때문에, 특히 조명 용도에서는 지향성의 적정한 제어가 요구되고 있었지만, 특허문헌 1 및 특허문헌 2의 기술 내용에서는, 이 요망에 응하는 기술은 개시되어 있지 않다.
따라서, 본 발명은, LED·포토 커플러·포토 인터럽터 등에 사용되는 광반도체 장치용 리드 프레임에 있어서, 근자외역(파장 340∼400nm)에서의 반사율이 양호하고, 또한 확산 반사율이 적절히 조정되어 있는 것에 의해, 특히 조명 용도나 근자외역을 포함한 측정·분석 용도에서의 광원에 양호한 빛의 지향 특성을 실현할 수 있는 광반도체 장치용 리드 프레임 및 그 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 문제를 감안하여 열심히 검토를 진행시킨 결과, 도전성 기체(基體)상의 최표면에 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층이 형성된 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 그 반사층의 두께가 0.2∼5.0㎛이며, 또한, 그 반사층의 은 또는 은합금을 X선회절법으로 측정했을 때에, (200)면의 강도비를 총카운트수의 20% 이상으로 하는 것에 의해, 파장 340∼400nm의 근자외역의 빛의 반사율이 우수한 반도체 장치용 리드 프레임을 얻을 수 있는 것을 발견하여, 이 지견에 기초하여 본 발명을 이루기에 이르렀다. 또한, 빛의 지향성의 밸런스를 더 고려했을 때에는, 반사층의 표면조도를, 산술 평균높이 Ra로 0.05∼0.30㎛로 하는 것에 의해서, 특히 조명 용도에서의 지향 특성의 밸런스가 양호한 리드 프레임을 얻을 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 이루기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 의하면 이하의 수단이 제공된다.
(1) 도전성 기체상의 최표면에 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층이 형성된 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상기 반사층의 두께가 0.2∼5.0㎛이며, 또한, 상기 반사층의 은 또는 은합금을 X선회절법으로 측정했을 때에, (200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상인 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
(2) 또한 상기 반사층의 표면조도가, 산술 평균높이 Ra로 0.05∼0.30㎛인 것을 특징으로 하는, (1)에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임.
(3) 상기 도전성 기체는, 구리, 구리합금, 철, 철합금, 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, (1) 또는 (2)에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임.
(4) 상기 도전성 기체의 도전율이 IACS(International Annealed Copper Standard)로 10% 이상인 것을 특징으로 하는, (3)에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임.
(5) 상기 반사층을 형성하는 은 또는 은합금은, 은, 은-주석합금, 은-인듐합금, 은-로듐합금, 은-루테늄합금, 은-금합금, 은-팔라듐합금, 은-니켈합금, 은-셀렌합금, 은-안티몬합금, 및 은-백금합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는, (1)∼(4)의 어느 한 항에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임.
(6) 상기 도전성 기체와 상기 반사층과의 사이에, 니켈, 니켈합금, 코발트, 코발트합금, 구리 및 구리합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지는 중간층이, 적어도 1층 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, (1)∼(5)의 어느 한 항에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임.
(7) 상기 중간층의 두께는, 총 두께로 0.2∼2.0㎛인 것을 특징으로 하는, (6)에 기재된 광반도체용 리드 프레임.
(8) 상기 (1)∼(7)의 어느 한 항에 기재된 반도체 장치용 리드 프레임을 제조하는 방법으로서, 적어도 상기 반사층을 전기도금법으로 형성하는 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법.
(9) 상기 반사층을, 상기 전기도금법으로 형성할 때의 전류밀도가 0.005∼1A/dm2인 것을 특징으로 하는, (8)에 기재된 광반도체용 리드 프레임의 제조방법.
(10) 상기 (1)∼(7)의 어느 한 항에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임과 광반도체소자를 구비한 광반도체장치로서, 적어도 상기 광반도체소자가 탑재되는 개소에 상기 반사층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임에 의하면, 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층을 두께 0.2∼5.0㎛로 형성하고, 또한, X선회절법으로 측정한, 상기 반사층에서의 (200)면의 강도비를 총카운트수의 20% 이상으로 하는 것에 의해, 근자외역인 340∼400nm에서의 반사율이 향상되고, 특히 발광 파장에 근자외역의 파장을 포함한 광반도체칩 탑재의 LED에 있어서 양호한 반사율을 얻을 수 있다. 또한, 반사층의 표면조도 Ra를 바람직하게는 0.05∼0.30㎛로 함으로써, 특히 조명 용도에서의 지향 특성의 밸런스가 양호하게 되는 리드 프레임을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 의하면, 근자외광으로부터 가시광선역까지의 광범위하게 걸쳐 반사 특성이 양호하고, 조명 용도나 근자외역을 포함한 측정·분석 용도에서의 지향 특성도 우수한 광반도체 장치용 리드 프레임을 제공할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부한 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 분명해질 것이다.
도 1은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 1의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 2는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 2의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 3은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 3의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 4는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 4의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 5는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 5의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 6은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 6의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 7은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 상기의 각 실시형태에서의 산술 평균높이 Ra를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 2는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 2의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 3은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 3의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 4는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 4의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 5는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 5의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 6은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 6의 실시형태의 개략 단면도이다.
도 7은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 상기의 각 실시형태에서의 산술 평균높이 Ra를 설명하기 위한 개략 단면도이다.
본 발명의 리드 프레임은, 도전성 기체상의 최표면에 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층을 가지고 이루어지고, 그 반사층의 두께가 0.2∼5.0㎛이며, 또한, 상기 반사층의 은 또는 은합금을, 일본공업규격인 JIS K 0131의 'X선회절 분석 통칙'에 기초하여 X선회절법으로 측정했을 때에, (200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상이다. 이러한 구성으로 하는 것에 의해, 근자외역(파장 340∼400nm)의 반사율을 충분히 향상시킬 수 있고, 특히 발광 파장에 근자외역의 파장을 포함한 광반도체칩 탑재의 LED에 있어서 양호한 반사율을 얻을 수 있다. (200)면의 배향이 20% 미만이 되면, 우선적으로 (111)면의 배향이 강해져, 그 결과, 파장 340∼400nm의 반사율이 60% 미만이 되어 특성이 악화된다. 한편, 총카운트수란, X선회절법에 있어서 박막법으로 측정했을 때의 전체 카운트수를 의미한다. 여기서, (200)면의 카운트수의 비율을 산출하기 위해서는,
｛(200)면의 카운트수｝/(전체 카운트수)×100(%)
로 산출한 값이 된다. 한편, (200)면의 배향의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 전기도금법으로 형성한 경우는, 최대치가 대략 40%가 된다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임에 있어서는, 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층의 두께가 0.2㎛ 이상인 것이, 예를 들면 전기도금법으로 제조할 때에는, 하층의 배향성의 영향을 받지 않고 (200)면의 강도비를 조정하기 위해서는 최소한 필요한 두께이며, 이것에 의해 신뢰성이 높고 안정된 반사율을 얻을 수 있고, 또한 장기 신뢰성을 확보할 수 있다. 한편, 반사층의 두께를 5.0㎛ 이하로 하는 것에 의해, 필요 이상으로 귀금속을 사용하는 일 없이 비용저감을 도모할 수 있어, 환경에 친숙한 리드 프레임을 제공할 수 있다. 또한, 장기 신뢰성이라고 하는 효과는, 반사층의 두께가 5.0㎛를 넘으면 포화하게 된다.
또한, 반사층의 최표면의 표면조도에 관해서, 일본공업규격(JIS B 0601: 2001)에 규정된 산술 평균높이 Ra를 0.05∼0.30㎛로 제어하는 것에 의해, 조명 용도나 측정·분석 용도로서 사용하는데 양호한 지향 특성을 달성할 수 있어, 넓은 범위를 균일하게 밝게 비추는 것이 가능해진다. 이것은, Ra를 제어하는 것에 의해서, 전반사율에 대한 확산 반사율의 비율을 제어하고, 특히 조명 용도에서의 지향성의 밸런스를 양호하게 할 수 있다. 한편, Ra가 너무 작으면 정반사(正反射) 성분이 너무 강해져서 LED에 탑재했을 때에 전체를 균일하게 비추는 것이 어려워지고, 반대로 Ra가 너무 크면 확산 반사성분이 강하기 때문에 추출할 수 있는 광량이 저하하여 조명으로서의 효율이 나빠진다. 바람직하게는 Ra=0.10∼0.25㎛, 더 바람직하게는 Ra=0.10∼0.15㎛이다. 이 결과, 전반사율에 대한 확산 반사율의 비율이, 파장 340∼400nm에서 45∼85%로 조정되어, 조명 용도에 양호한 지향 특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임은, 기체를 구리 또는 구리합금, 철 또는 철합금, 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 함으로써, 반사율 특성이 좋고 또한 피막을 형성하는 것이 용이하고, 비용저감에도 기여할 수 있는 리드 프레임을 제공할 수 있다. 또한, 이러한 금속을 기체(基體)로 하는 리드 프레임은 방열 특성이 우수하고, 발광체가 발광할 때에 발생하는 열에너지를, 리드 프레임을 통하여 원활하게 외부로 방출할 수 있어, 발광소자의 장수명화 및 장기에 걸친 반사율특성의 안정화가 전망된다. 이것은, 기체의 도전율 IACS(International Annealed Copper Standard)에 의존하는 것이고, 도전율이 높을수록 방열성이 우수하다. 이 때문에, 도전율은 적어도 10% 이상인 것이 바람직하고, 50% 이상인 것이 더 바람직하다. 이 도전율은, 통상 얻을 수 있는 값이면, 그 상한치는 특별히 제한되지 않는다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임에서의 반사층을 형성하는 은 또는 은합금은, 은, 은-주석합금, 은-인듐합금, 은-로듐합금, 은-루테늄합금, 은-금합금, 은-팔라듐합금, 은-니켈합금, 은-셀렌합금, 은-안티몬합금, 은-백금합금의 군으로부터 선택된 재료로 이루어지는 것에 의해, 반사율이 양호하고 생산성이 좋은 리드 프레임을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임은, 도전성 기체와 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층과의 사이에, 니켈, 니켈합금, 코발트, 코발트합금, 구리, 및 구리합금의 군으로부터 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지는 중간층이 적어도 1층 형성되어 있는 것에 의해, 발광소자가 발광할 때에 발생하는 발열에 의해서 도전성 기체를 구성하는 재료가 반사층으로 확산하는 것에 의한 반사율 특성의 열화를 막고, 반사율 특성이 장기에 걸쳐서 안정된 것이 되고, 또한, 기체와 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층과의 밀착성도 향상된다. 여기서, 상기 중간층의 두께는, 프레스성, 비용, 생산성, 내열성 등을 고려하여 결정된다. 통상, 상기 중간층의 총 두께는, 0.2∼2.0㎛인 것이 바람직하고, 또 0.5∼2.0㎛가 바람직하다. 또한, 중간층을 복수의 층으로 형성하는 것도 가능하지만, 통상은 생산성을 고려하여, 2층 이하로 하는 것이 바람직하다. 중간층을 2층 이상 형성하는 경우, 각 층을 각각 상기 금속 또는 합금(중간층 구성재료)으로 형성하고, 합계의 층 두께를 상기의 범위로 하면, 각 층은 서로 동일한 재료로 형성해도 다른 재료로 형성해도 좋고, 그 두께도 서로 동일해도 달라도 좋다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임은, 전기도금법으로 형성되는 것이 바람직하다. 다른 형성 방법으로서는 클래드법이나 스퍼터법이 있지만, 이러한 방법에서는, 두께의 제어가 어렵고 또한 비용이 높아진다. 두께를 마이크로미터 오더로 적절히 제어하는 제조방법으로서는, 전기도금법이 우수하다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법으로서 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층을 전기도금법으로 형성하는 경우, 그 도금 전류밀도를 0.005∼1.0A/dm2로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 전류밀도를 1.0A/dm2 이하의 범위로 제조함으로써, 반사층의 (200)면의 배향성이 총카운트수의 20% 이상으로 용이하게 조정할 수 있고, 표면조도도 적절한 범위로 조정 가능하기 때문이다. 이보다도 전류밀도를 올리면, 반사층의 은 또는 은합금이 (111)면에 우선 배향되어 버리기 때문에, 근자외역(파장 340∼400nm)에서의 반사율 저하로 연결된다. 한편, 생산성의 관점으로부터, 바람직하게는 0.05∼1.0A/dm2, 더 바람직하게는 0.05∼0.5A/dm2의 전류밀도로 제조하는 것이 좋다.
또한, 이러한 전류밀도로 제조하면, 석출 속도는 매우 늦어진다. 이 때문에, 필요한 도금두께를 얻기 위해서는 처리시간이나 도금조 길이를 조정할 필요가 있지만, 그 외에도 예를 들면 상기 전류밀도로 반사층의 최표면으로부터 적어도 0.2㎛ 이상까지의 깊이의 부분을 형성하는 것으로도 목적으로 하는 배향성을 얻을 수 있어, 반사율이 향상된다. 최표면으로부터 0.2㎛ 이상의 두께를 상기 전류밀도로 형성하는 것은, 하층의 배향성의 영향을 받지 않고 (200)면의 강도비를 조정하기 위해서는 최소한 필요한 두께이기 때문이다. 최표면으로부터 상기전류밀도로 형성한 두께가 너무 얇으면, 하층에 형성된 중간층 내지는 반사층의 하층에 의한 배향의 영향을 받게 되기 때문에, 근자외역(340∼400nm)의 반사율이 60%를 밑돌 가능성이 높아진다.
또한, 본 발명의 광반도체 장치는, 적어도 광반도체소자를 탑재하는 개소에 본 발명의 리드 프레임을 이용한 것에 의해, 저비용으로 효과적으로 양호한 반사율 특성을 얻을 수 있다. 이것은, 광반도체소자의 탑재부에만 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층을 형성함으로써, 반사율 특성은 충분히 효과를 올릴 수 있기 때문이다. 이 경우, 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층은 부분적으로 형성되어 있어도 좋고, 예를 들면 스트라이프 도금이나 스포트 도금 등의 부분 도금으로 형성해도 좋다. 반사층이 부분적으로 형성되는 리드 프레임을 제조하는 것은, 반사층이 형성되지 않은 부분의 금속 사용량을 삭감할 수 있으므로, 환경에의 영향이 적고, 저비용인 광반도체 장치로 할 수 있다.
이하, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임의 실시형태를, 도면을 이용하여 설명한다. 각 도면에 있어서, 리드 프레임에 광반도체소자가 탑재되어 있는 상태를 나타낸다. 한편, 각 실시형태는 어디까지나 일례이며, 본 발명의 범위는 각 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
도 1은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 1의 실시형태의 개략 단면도이다. 본 실시형태의 리드 프레임은, 도전성 기체(1)상에 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층(2)이 형성되고, 반사층(2)의 일부의 표면상에 광반도체소자(3)가 탑재되어 있다. 본 발명에 있어서, 본 실시형태의 리드 프레임은, 반사층(2)의 X선회절법으로 측정된 (200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상이 되어 있고, 근자외로부터 가시광선역까지의 반사 특성이 우수한 광반도체 장치용 리드 프레임이 된다. 더 바람직하게는, 반사층(2)의 표면조도가 산술 평균높이 Ra로 0.05∼0.30㎛로 형성되어 있고, 빛의 지향 특성의 밸런스가 우수한 광반도체용 리드 프레임이 된다.
도 2는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 2의 실시형태의 개략 단면도이다. 도 2에 도시하는 실시형태의 리드 프레임이, 도 1에 도시하는 리드 프레임과 다른 점은, 도전성 기체(1)와 반사층(2)과의 사이에, 중간층(4)이 형성되어 있는 것이다. 그 외의 점에 대해서는, 도 1에 도시하는 리드 프레임과 같다.
도 3은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 3의 실시형태의 개략 단면도이다. 도 3에 도시한 리드 프레임에서는, 광반도체소자(3)가 탑재되는 부분과 그 근방에만 반사층(2)이 형성되어 있다. 이 영역 이외는 빛의 반사에는 기여하지 않고, 예를 들면 몰드 수지로 덮여져 버리는 부분이 된다. 본 발명에 있어서는, 이와 같이, 광반사에 기여하는 부분에만 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층(2)을 형성하는 것도 가능하다.
본 실시형태에 있어서, 중간층(4)은 도전성 기체(1)의 전체면에 형성되어 있지만, 도전성 기체(1)와 반사층(2)과의 사이에 개재하는 형태이면, 부분적으로 형성되어 있어도 좋다.
도 4는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 4의 실시형태의 개략 단면도이다. 도 4에 도시한 리드 프레임에서는, 도 3과 같이 광반도체소자(3)가 탑재되는 부분과 그 근방에만 반사층(2)이 형성되어 있지만, 반사층(2)은 하층(2-1)과 상층(표층)(2-2)의 2층 구조가 되어 있다. 여기서, 반사층의 상층(2-2)이 (200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상으로 형성된 층이며, 그 두께는 적어도 0.2㎛ 이상이다. 이와 같이, 예를 들면 반사층(2)을 도금법으로 형성하는 경우, 반사층의 1층째(하층)(2-1)를 정법(定法)의 비교적 높은 전류밀도, 예를 들면 1.5A/dm2로 형성하고, 그 후에 반사층 표면으로부터 적어도 0.2㎛ 이상의 깊이까지의 반사층의 2층째(상층)(2-2)에 대해서, (200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상으로 조정하기 쉽게 하기 위해서, 도금의 전류밀도를 0.005∼1.0A/dm2로 형성할 수 있다. 이와 같이, 도금시의 전류밀도를 바꾸면서 상하 2층의 반사층을 형성하는 것에 의해서, 반사층 전체 두께를 0.005∼1.0A/dm2로 형성하는 것보다도, 제조시간의 단축을 도모할 수 있으므로, 유효하다.
도 5는, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 5의 실시형태의 개략 단면도이다. 도 5는, 도전성 기체(1)에 오목부를 형성하고 그 오목부 내측에 광반도체소자(3)를 탑재하는 것이다. 이 실시형태와 같이, 본 발명의 광반도체 장치용 리드 프레임은, 오목부를 형성하고 집광성을 향상시키도록 한 리드 프레임 형상에도 적응할 수 있다.
도 6은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 제 6의 실시형태의 개략 단면도이다. 도 6은, 도전성 기체(1)에 오목부를 형성하고 그 오목부 내측에 광반도체소자(3)를 탑재하는 것이고, 또한 그 오목부에만 반사층(2)이 형성되어 있다. 오목부를 갖는 리드 프레임에 있어서도, 광반도체소자가 발광하는 빛의 반사에 기여하는 부분에만 반사층(2)을 형성할 수 있다.
도 7은, 본 발명에 관한 광반도체 장치용 리드 프레임의 실시형태에서의 산술 평균높이 Ra를 설명하기 위한 개략 단면도이다. 도 7은, 도전성 기체(1), 중간층(4), 반사층(2)이 형성되어 있는 리드 프레임에 있어서, 반사층(2)의 산술 평균높이 Ra가 0.05∼0.30㎛가 되어 있는 모양을 표시하고 있다. 이와 같이 Ra를 제어하는 것에 의해서 전반사율에 대한 확산 반사율의 비율을 제어하는 것에 의해 상술한 우수한 효과를 얻을 수 있는 것이고, 특히 조명 용도에서의 지향성의 밸런스가 양호해진다. 한편, Ra의 제어방법으로서는, 상술의 전류밀도의 조정 외에, 도금 처리에 부착하는 처리시간의 장단을 조정하는 것이나, 도금액 성분의 첨가제의 종류·함유량 등을 조정하는 것에 의해서, Ra치를 적정하게 제어할 수 있다. 예를 들면, 도금액에 이용하는 첨가제의 종류에 따라서 최적농도나 전류밀도가 다르지만, 제어수단으로서, 첨가제의 농도를 낮게 하거나 전류밀도를 높게 하는 것에 의해서, 표면조도로서 보다 큰 Ra치를 갖는 반사층을 얻을 수 있다. 한편, 예를 들면, 첨가제의 농도를 높게 하거나 전류밀도를 낮게 하는 것에 의해서, 표면조도로서 보다 작은 Ra치를 갖는 반사층을 얻을 수 있다.
본 발명의 반도체 장치용 리드 프레임의 제조에는 임의의 방법을 이용할 수 있지만, 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층(2)(단층이라도 복수층의 각 층이라도) 및 중간층(4)은, 각각 전기도금법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
실시예
(실시예 1)
실시예 1로서, 두께 0.3mm, 폭 50mm의 표 1에 나타내는 도전성 기체에 이하에 나타내는 전처리를 실시한 후, 이하에 나타내는 전기도금 처리를 실시하는 것에 의해, 표 1에 나타내는 구성의 발명예 1∼25, 참고예 1, 종래예 1, 및 비교예 1의 리드 프레임을 작성하였다. 한편, 반사층을 형성하기 전에, 은스트라이크 도금을 두께 0.01㎛ 실시하였다.
도전성 기체로서 이용된 재료 중, 'C19400(Cu-Fe계 합금재료: Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn)', 'C52100(인청동: Cu-8Sn-P)', 'C26000(황동: Cu-30Zn)', 및 'C72500(Cu-Ni-Sn계 합금재료: Cu-9Ni-2.4Sn)'는 구리합금의 기체를 표시하고, C의 뒤의 수치는 CDA(Copper Development Association) 규격에 의한 종류를 나타낸다. 한편, 각 원소의 앞의 수치의 단위는 질량%이다.
또한, 'A1100', 'A2014', 'A3003', 및 'A5052'는 알루미늄 또는 알루미늄합금의 기체를 표시하고, 각각 일본공업규격(JIS H 4000: 2006 등)에 그 성분이 규정되어 있다.
또한, 'SPCC', 및 'SUS304'는 철계 기체를 표시하고, 'SUS304'는 일본공업규격(JIS G 4305: 2005) 규정의 스테인리스강(크롬을 18질량%, 니켈을 8질량% 함유하고, 잔부가 철과 불가피한 불순물로 이루어지는 철기(鐵基) 합금), 'SPCC'는 일본공업규격(JIS G 3141:2009) 규정의 냉간 압연 강판을 표시한다.
(전처리조건)
［전해 탈지］
탈지액: NaOH 60g/ℓ
탈지조건 : 2.5A/dm2, 온도 60℃, 탈지시간 60초, 음극 탈지
［산세］
산세액: 10% 황산
산세조건: 30초 침지, 실온
［아연 치환］ 기체가 알루미늄일 때에 사용
아연치환액:NaOH 500g/ℓ, ZnO 100g/ℓ, 주석산(C4H6O6) 10g/ℓ, FeCl2 2g/ℓ
처리조건: 30초 침지, 실온
［Ag스트라이크 도금］ 피복두께 0.01㎛
도금액: KAg(CN)2 5g/ℓ, KCN 60g/ℓ,
도금조건: 전류밀도 2A/dm2, 도금시간 4초, 온도 25℃
실시예 1에서 사용한 각 도금의 도금액 조성 및 도금조건을 이하에 나타낸다. 한편, 발명예 1∼25 및 본 발명보다 은도금두께가 얇은 비교예 1에서는, 전류밀도를 0.008∼1.0A/dm2로 적절히 조정하여 배향을 조정하였다. 한편, 종래예 1에서는, 전류밀도는 정법의 도금조건인 1.5A/dm2로서 제작하였다. 이러한 전류밀도 조건을, 표 1에 나타내었다.
(도금조건)
［Ag도금］
발명예 1∼15와 18~25, 참고예 1 및 비교예 1에서의 반사층 형성조건
도금액: AgCN 50g/ℓ, KCN 100g/ℓ, K2CO3 30g/ℓ
도금조건: 전류밀도 0.008∼1.0A/dm2, 온도 30℃
［Ag도금］ 종래예 1에서의 반사층 형성조건
도금액: AgCN 50g/ℓ, KCN 100g/ℓ, K2CO3 30g/ℓ
도금조건: 전류밀도 1.5A/dm2, 온도 30℃
［Ag-Sn합금 도금］ 발명예 16에서의 반사층 형성조건
도금액: KCN 100g/ℓ, NaOH 50g/ℓ, AgCN 10g/ℓ, K2Sn(OH)6 80g/ℓ
도금조건: 전류밀도 1A/dm2, 온도 40℃
［Ag-Pd합금 도금］ 발명예 17에서의 반사층 형성조건
도금액: KAg(CN)2 20g/ℓ, PdCl2 25g/ℓ, K4O7P2 60g/ℓ, KSCN 150g/ℓ
도금조건: 전류밀도 0.25A/dm2, 온도40℃
［Ni도금］ 중간층 형성조건
도금액: Ni(SO3NH2)2·4H2O 500g/ℓ, NiCl2 30g/ℓ, H3BO3 30g/ℓ
도금조건: 전류밀도 5A/dm2, 온도 50℃
［Co도금］ 중간층 형성조건
도금액: Co(SO3NH2)2·4H2O 500g/ℓ, CoCl2 30g/ℓ, H3BO3 30g/ℓ
도금조건: 전류밀도 5A/dm2, 온도 50℃
［Cu도금］ 중간층 형성조건
도금액: CuSO4·5H2O 250g/ℓ, H2SO4 50g/ℓ, NaCl 0.1g/ℓ
도금조건: 전류밀도 6A/dm2, 온도40℃
또한, 반사층의 은 또는 은합금의 (200)면 강도비는, 다음과 같은 강도비측정 방법에 의해 구하였다. 즉, X선회절법에 있어서, X선 해석장치(RAD-A: 가부시키가이샤 리가쿠제)를 이용하여 박막법으로 측정각도 2θ=20∼100°, X선의 입사각을 1°로 측정했을 때의 (200)면 방위강도와 총강도수(총카운트수)의 비를 산출하고, 이 비를(200)면 강도비로 하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
한편, 본 실시예에서 얻어진 시료의 반사층은 모두 1층이며, 이러한 표면조도를 접촉식 표면거칠기 합계(SE-30H: 제품명, (주)고사카겐큐쇼(小坂硏究所)제)를 이용하여, 측정거리 4mm에서 임의의 3개소의 평균치를 측정한 바, 모든 샘플에 있어서 Ra는 0.13∼0.15㎛였다.
[표 1]
(평가방법)
상기와 같이 하여 얻어진, 표 1의 발명예, 참고예, 종래예 및 비교예의 리드 프레임에 대해서, 하기 시험 및 기준에 의해 평가를 행하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(1A) 반사율 측정: 분광 광도계(U-4100(상품명, (주)히타치 하이테크놀로지즈제))에 있어서, 전반사율을 300nm∼800nm에 걸쳐 연속 측정을 실시하였다. 이 중, 340nm, 및 400nm에서의 전반사율(%)을 표 2에 나타낸다. 여기서, 340nm에서의 반사율을 60% 이상, 및 400nm에서의 반사율이 70% 이상의 것이, 근자외역을 포함한 광반도체 장치용의 리드 프레임으로서 적합한 것이라고 판단하였다.
(1B) 방열성(열전도성): 도전성 기체의 도전율이 IACS(International Annealed Copper Standard)로 10% 이상인 것을 방열성(열전도성)이 높고, '우수'라고 하여 '○'표시로 하고, 10% 미만인 것을 방열성(열전도성)이 낮고, '불량'이라고 하여 '×'표시로 하고, 표 2에 나타내었다. 이것은, 도전율과 열전도성은 거의 비례 관계에 있어, IACS로 10% 이상의 도전율이 있는 것은 열전도성이 좋고 방열성도 높다고 판단되기 때문이다.
(1C) 생산성 검토: 참고로, 생산성을 검토하기 위해서 각 도금 피복 두께 형성시에 걸리는 시간(분)을 전류 효율이 95%로서 산출하여, 표 2에 나타내었다.
[표 2]
이러한 결과로부터 분명하듯이, 반사층 두께가 얇은 비교예 1 및 (200)면의 강도비가 낮은 종래예 1에서는, 원하는 반사율이 340nm에서도 400nm에서도 얻을 수 없었다. 이것에 대해서, 반사층의 두께가 0.2∼5㎛로서, 또한, 반사층의 X선회절법으로 측정된(200)면의 강도비가 총카운트수의 20% 이상인 발명예 1∼25에서는, 파장 340nm 및 파장 400nm에서의 반사율이 양호하고, 340nm에서 60% 이상, 400nm에서 70% 이상의 합격 기준을 만족하였다. 이것은, 근자외역의 반사율 향상에 의해 이러한 파장을 이용한 광반도체에 적합하게 적용할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 전기전도율이 양호한 기체에 있어서는 방열성도 양호하기 때문에, LED를 점등했을 때에 생기는 열을 광반도체 장치의 외부에 원활하게 배출할 수 있어, 장기 신뢰성이 높아진다.
게다가, 전류밀도를 0.005∼1.0A/dm2, 생산성의 관점으로부터 바람직하게는 0.05∼1.0A/dm2로 제조함으로써, 용이하게 배향의 비율을 제어할 수 있는 것을 알 수 있고, 유효한 제조 수단인 것을 알 수 있다.
한편, 참고예 1은, 기체의 도전율이 2%이기 때문에 방열성이 우수하지 않지만, 광반도체용 리드 프레임에 방열성을 필요로 하지 않는 광반도체 장치이면, 반사율은 우수하므로 적합하게 사용할 수 있는 것은 용이하게 상정되는 것이다.
또한, 본 발명예는, 근자외역 뿐만이 아니라 가시광선역에 있어서도, 모든 발명예에서 반사율 70% 이상, 및 확산 반사율 45∼85%를 유지하고 있어, 고휘도가 우수하고, 지향성의 밸런스가 우수한 광반도체용 리드 프레임에 적합하게 사용할 수 있다.
(실시예 2)
실시예 2로서, 두께 0.3mm, 폭 50mm의 C19400 구리합금으로 이루어지는 도전성 기체에 실시예 1과 같은 전처리 및 니켈 하지도금 0.5㎛, 은스트라이크 도금을 0.01㎛ 형성한 후, 반사층으로서 전기은도금 2.0㎛를 더 형성하고, 발명예 26∼32, 참고예 2 및 3의 리드 프레임을 작성하였다. 한편, 반사층의 표면조도의 조정을 위해서, 도금액 첨가제의 농도를 바꾸거나, 또는 도금시의 전류밀도의 대소를 적절히 조정하였다. 참고예 2와 3의 리드 프레임에서는, 본 발명에서 규정하는 소정의 표면조도치를 벗어난 값을 갖는 반사층을 형성하였다. 참고예 2에서는, 첨가제로서 이하의 티오황산나트륨의 농도를 5g/ℓ, 전류밀도를 0.1A/dm2로 하는 것에 의해서, 표면조도로서 작은 Ra치를 갖는 반사층을 얻었다. 또한, 참고예 3에서는, 첨가제로서 이하의 티오황산나트륨의 농도를 0.1g/ℓ, 전류밀도를 1A/dm2로 하는 것에 의해서, 표면조도로서 큰 Ra치를 갖는 반사층을 얻었다.
전기은도금의 도금액 조성은, 이하와 같다.
［Ag도금］
도금액: AgCN 50g/ℓ, KCN 100g/ℓ, K2CO3 30g/ℓ, 첨가제(티오황산나트륨 0∼10g/ℓ)
도금조건: 전류밀도 0.01∼1.0A/dm2, 온도 30℃
(평가방법)
상기와 같이 하여 얻어진, 발명예 및 참고예의 리드 프레임에 대해서, 하기 시험 및 기준에 의해 평가를 행하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
(2A) 표면조도 측정: 접촉식 표면조도계(SE-30H(상품명, (주)고사카겐큐쇼제))에 의해, 임의의 3점에 대해 산술 평균높이 Ra를 측정하여, 그 평균치를 표 3에 나타내었다.
(2B) 확산 반사율 비율 측정: 분광 광도계(U-4100(상품명, (주)히타치하이테크놀로지즈제))에 의해, 전반사율 및 확산 반사율을 300nm∼800nm에 걸쳐 연속 측정을 실시하였다. 이 중, 파장 340nm 및 400nm에서의 확산 반사율의 전반사율에 대한 비율(확산 반사율 비율: ％)을 산출하여, 표 3에 나타내었다.
[표 3]
이러한 결과로부터 분명한 바와 같이, 반사층을 형성할 때의 도금조건(전류밀도 등)을 제어하여 반사층의 산술 표면 높이 Ra가 0.05∼0.30㎛로 조정되면, 파장 340 및 400nm에서의 확산 반사율 비율이 45∼85%로 제어되어, 밸런스가 좋은 지향 특성을 얻을 수 있는 것이 기대된다. 이 결과, 조명 용도에 사용하는 LED 리드 프레임에 있어서, 근자외역에서의 반사율도 우수하고, 지향성의 밸런스가 양호해지는 광반도체용 리드 프레임을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명예는, 근자외역 뿐만이 아니라 가시광선역에 있어서도, 전체 발명예에서 반사율 70% 이상, 및 확산 반사율 45∼85%를 유지하고 있고, 고휘도가 우수하고, 지향성의 밸런스가 우수한 광반도체용 리드 프레임에 적합하게 사용할 수 있다.
(실시예 3)
실시예 3으로서, 두께 0.3mm, 폭 50mm의 C19400 구리합금으로 이루어지는 도전성 기체에, 실시예 1의 발명예 13과 같은 두께로 전처리 및 니켈 하지 도금, 은스트라이크 도금을 형성한 후, 또한 반사층으로서 1층째의 전기은도금을 1.84㎛, 1.5A/dm2로 형성 후, 2층째의 전기은도금을 0.21㎛, 0.49A/dm2로 형성하고, 2층의 반사층의 합계 두께로서는 2.05㎛의 발명예 33의 리드 프레임을 제작하였다. 또한, 1층째의 전기은도금을 1.84㎛, 1.5A/dm2로 형성 후, 2층째를 0.18㎛, 0.49A/dm2로 형성하고, 2층의 반사층의 합계 두께로서는 2.02㎛의 비교예 2의 리드 프레임을 제작하였다. 비교예 2에 있어서는, 상기 발명예 33에서의 반사층의 2층째를 형성했을 때의 도금시간을 짧게, 구체적으로는, 발명예 33에서의 반사층 2층째(표층) 형성시의 도금시간 0.7분을 비교예 2에서는 0.6분으로 변경하였다. 이러한 리드 프레임 시료에서의 반사층의 표면조도 Ra에 대해 상기와 같이 하여 측정한 바, 양쪽 모두 Ra≒0.15㎛였다.
한편, (200)면 강도비, 전반사율, 방열성, 생산성의 평가방법은, 실시예 1과 같은 수법으로 평가를 행하였다. 그 결과를 표 4에 나타내었다.
[표 4]
이 결과로부터, 발명예 33과 같이, 반사층이 복수층으로 형성되어 있을 때, 표면으로부터 적어도 0.2㎛의 표층을 0.005∼1.0A/dm2의 범위내, 발명예 33에서는 0.49A/dm2로 형성하는 것에 의해서, 하층의 전류밀도 1.5A/dm2로 형성된 반사층의 1층째의 영향을 받으면서도 (200)면의 강도비를 20% 이상으로 높일 수 있고, 그 결과 전반사율이 근자외역의 340∼400nm에서 60% 이상을 유지할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 생산성에 있어서, 발명예 13보다 시간이 대략 6할이나 단축되어 있어, 생산성이 우수한 수법으로서 유효하다는 것을 알 수 있다.
이것에 대해서, 반사층의 2층째가 0.2㎛에 못 미친 비교예 2에서는, (200)면의 강도비가 20% 미만이고, 반사율도 340nm에서 60% 이하로 뒤떨어진 결과가 된 것을 알 수 있다.
이와 같이, 반사층의 표면으로부터 적어도 0.2㎛ 이상을 소정의 전류밀도인 0.005∼1.0A/dm2로 피복 형성함으로써, 반사층 2층 중의 하층의 배향의 영향을 받지 않고 표층에 기초하여, 반사층 전체적으로는 (200)면의 배향 강도비를 유효하게 높일 수 있어, 반사율이 우수하고 또한 생산성이 향상된 광반도체용 리드 프레임의 제조방법으로서 유용하다는 것을 알 수 있다.
또한, 본 발명예는, 근자외역 뿐만이 아니라 가시광선역에 있어서도, 모든 발명예에서 반사율 70% 이상, 및 확산 반사율 45∼85%를 유지하고 있고, 고휘도가 우수하고, 지향성의 밸런스가 우수한 광반도체용 리드 프레임에 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명을 그 실시형태와 함께 설명했지만, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 자세한 부분으로 한정하려고 하는 것이 아니라, 첨부된 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.
본원은, 2009년 6월 24일에 일본에서 특허 출원된 특원 2009-150082에 기초하는 우선권을 주장하는 것이고, 이것은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재된 일부로서 수록한다.
1 : 도전성 기체
2 : 반사층
2-1 : 반사층의 하층
2-2 : 반사층의 표층
3 : 광반도체소자
4 : 중간층
2 : 반사층
2-1 : 반사층의 하층
2-2 : 반사층의 표층
3 : 광반도체소자
4 : 중간층
Claims (10)
- 도전성 기체(基體)상의 최표면에 은 또는 은합금으로 이루어지는 반사층이 형성된 광반도체 장치용 리드 프레임으로서, 상기 반사층의 두께가 0.2∼5.0㎛이며, 또한, 상기 반사층의 은 또는 은합금을 X선회절법으로 측정했을 때에, (200)면의 강도비가 총카운트수의 20%이상인 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
- 제 1 항에 있어서, 또한 상기 반사층의 표면조도가, 산술 평균높이 Ra로 0.05∼0.30㎛인 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 도전성 기체는, 구리, 구리합금, 철, 철합금, 알루미늄 또는 알루미늄합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
- 제 3 항에 있어서, 상기 도전성 기체의 도전율이 IACS(International Annealed Copper Standard)로 10% 이상인 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 반사층을 형성하는 은 또는 은합금은, 은, 은-주석합금, 은-인듐합금, 은-로듐합금, 은-루테늄합금, 은-금합금, 은-팔라듐합금, 은-니켈합금, 은-셀렌합금, 은-안티몬합금, 및 은-백금합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 기체와 상기 반사층과의 사이에, 니켈, 니켈합금, 코발트, 코발트합금, 구리 및 구리합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 금속 또는 합금으로 이루어지는 중간층이, 적어도 1층 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임.
- 제 6 항에 있어서, 상기 중간층의 두께는, 총 두께로 0.2∼2.0㎛인 것을 특징으로 하는, 광반도체용 리드 프레임.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 기재된 반도체 장치용 리드 프레임을 제조하는 방법으로서, 적어도 상기 반사층을 전기도금법으로 형성하는 것을 특징으로 하는, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 반사층을, 상기 전기도금법으로 형성할 때의 전류밀도가 0.005∼1A/dm2인 것을 특징으로 하는, 광반도체용 리드 프레임의 제조방법.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 기재된 광반도체 장치용 리드 프레임과, 광반도체소자를 구비한 광반도체장치로서, 적어도 상기 광반도체소자가 탑재되는 개소에 상기 반사층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광반도체 장치.
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