JPWO2010150824A1 - 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010150824A1 JPWO2010150824A1 JP2010539085A JP2010539085A JPWO2010150824A1 JP WO2010150824 A1 JPWO2010150824 A1 JP WO2010150824A1 JP 2010539085 A JP2010539085 A JP 2010539085A JP 2010539085 A JP2010539085 A JP 2010539085A JP WO2010150824 A1 JPWO2010150824 A1 JP WO2010150824A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- alloy
- optical semiconductor
- lead frame
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 131
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IOBIJTFWSZQXPN-UHFFFAOYSA-N [Rh].[Ag] Chemical compound [Rh].[Ag] IOBIJTFWSZQXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JMGVPAUIBBRNCO-UHFFFAOYSA-N [Ru].[Ag] Chemical compound [Ru].[Ag] JMGVPAUIBBRNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 claims description 5
- LGFYIAWZICUNLK-UHFFFAOYSA-N antimony silver Chemical compound [Ag].[Sb] LGFYIAWZICUNLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 5
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical class [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 206
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 15
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 14
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 8
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- KRRRBSZQCHDZMP-UHFFFAOYSA-N selanylidenesilver Chemical compound [Ag]=[Se] KRRRBSZQCHDZMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910017980 Ag—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc Chemical group [Al].[Zn] FJMNNXLGOUYVHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
導電性基体１上の最表面に銀または銀合金からなる反射層２が形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上である、光半導体装置用リードフレームとその製造方法、およびそれを用いた光半導体装置。
Description
本発明は、光半導体装置用リードフレームとその製造方法、および光半導体装置に関する。
光半導体装置用リードフレームは、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子等の光半導体素子である発光素子を光源に利用した各種表示用・照明用光源の構成部材として広く利用されている。その光半導体装置は、例えば基板にリードフレームを配し、そのリードフレーム上に発光素子を搭載した後、熱、湿気、酸化等の外部要因による発光素子やその周辺部位の劣化を防止するため、発光素子とその周囲を樹脂で封止している。
ところで、ＬＥＤ素子を照明用光源として用いる場合、リードフレームの反射材には可視光波長（４００〜７００ｎｍ）の全領域において反射率が高い（例えば反射率８０％以上）ことが求められる。さらに近年、紫外線を用いる測定・分析機器の光源としてもＬＥＤ素子が用いられるようになり、その反射材には、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）において反射率が高いことが求められてきている。したがって、照明用光源としてあるいは前記測定・分析機器の光源として用いる場合の光半導体装置では、反射材の反射特性が製品性能を左右する極めて重要な要素となる。
また、白色光を放射するＬＥＤを実現する手法としては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のすべての色を出すチップを３個並べる手法、青色ＬＥＤチップに黄色の蛍光体を分散した封止樹脂を用いる手法、さらには近紫外域のＬＥＤチップにそれぞれＲ、Ｇ、Ｂの蛍光体を分散した封止樹脂を用いる手法の、主に３つに大別される。従来は青色チップに黄色の蛍光体を分散した封止樹脂を用いる手法が主流であったが、近年は演色性の問題から発光波長帯に近紫外域を含むＬＥＤチップを用いる手法が注目を集めつつある。
このような要求に応じて、ＬＥＤ素子が実装されるリードフレーム上には、特に可視光域の光反射率（以下、反射率という）の向上を目的として、銀または銀合金からなる層（皮膜）が形成されているものが多い。銀の皮膜は、可視光域における反射率が高いことが知られており、具体的には、銀めっき層を反射面に形成すること（特許文献１）や、銀または銀合金皮膜形成後に２００℃以上で３０秒以上の熱処理を施し、当該皮膜の結晶粒径を０．５μｍ〜３０μｍとすること（特許文献２）等が知られている。
しかしながら、特許文献１のように、銀またはその合金皮膜を単純に形成しただけの場合、特に近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）における反射率の低下が大きく、可視光域の約４００ｎｍ付近から近紫外域の３００ｎｍ付近での反射率低下が避けられないことが分かった。
また、特許文献２のように、銀または銀合金の皮膜の結晶粒径を０．５μｍ〜３０μｍとすると、可視光域の反射率は良好であるが、近紫外域（３４０〜４００ｎｍ）の反射率改善の効果が得られない場合があることが分かった。これは、詳細に関しては不明であるが、単に結晶粒径の調整だけでは反射率改善の効果は見られず、結晶粒径とは別の特性が反射率改善に寄与しているのではないかと考えられる。また、熱処理により上記結晶粒径に調整すると、残留酸素の影響により銀が酸化し、逆に反射率が低下してしまい反射率改善に十分な効果が得られない可能性がある。
さらに、特許文献２においては、下地の表面粗度として、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ ０６０１）に規定された最大高さＲｙが０．５μｍ以上との記載があるが、めっき法においては下地の粗度が最表面の粗度に与える影響が大きく、下地の表面粗度（最大高さ）Ｒｙが０．５μｍ以上であれば、下地の表面に被覆された銀または銀合金表面の粗度（最大高さ）も０．５μｍ以上になる傾向がきわめて強い。その場合、めっきで凹凸を完全に被覆するためには、被覆を厚くするなどの対策が必要となり、量産性が低下し、コストアップにつながりやすい。また、光の反射には反射層の粗度が正反射や拡散反射に大きく影響を与える。一方、光半導体用リードフレームの光学特性に重要なのは、反射層の表面粗度のため、単に下地の粗度を規定しても、反射層の光学特性まで規定できるわけではない。
さらに、近年照明用途に積極的にＬＥＤが採用され始めており、光の指向性が重要となってきている。反射層の表面粗度が適切でない場合、指向性に偏りが生じるため、特に照明用途では指向性の適正な制御が望まれていたが、特許文献１および特許文献２の技術内容では、この要望に応えるような技術は開示されていない。
そこで、本発明は、ＬＥＤ・フォトカプラ・フォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）における反射率が良好で、かつ拡散反射率が適切に調整されていることにより、特に照明用途や近紫外域を含む測定・分析用途における光源に良好な光の指向特性が実現できる光半導体装置用リードフレームおよびその製造方法を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記問題に鑑み誠意検討を進めた結果、導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、その反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、その反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比を総カウント数の２０％以上とすることで、波長３４０〜４００ｎｍの近紫外域の光の反射率に優れた半導体装置用リードフレームが得られることを見出し、この知見に基づき本発明をなすに至った。また、さらに光の指向性のバランスを考慮したときには、反射層の表面粗度を、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍとすることによって、特に照明用途における指向特性のバランスが良好なリードフレームが得られることを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明によれば以下の手段が提供される。
（１）導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
（２）さらに前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであることを特徴とする、（１）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（３）前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、（１）または（２）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（４）前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、（３）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（５）前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（６）前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（７）前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、（６）記載の光半導体用リードフレーム。
（８）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
（９）前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、（８）記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
（１０）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
（１）導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
（２）さらに前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであることを特徴とする、（１）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（３）前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、（１）または（２）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（４）前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、（３）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（５）前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（６）前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（７）前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、（６）記載の光半導体用リードフレーム。
（８）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
（９）前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、（８）記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
（１０）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
本発明の光半導体装置用リードフレームによれば、銀または銀合金からなる反射層を厚さ０．２〜５．０μｍで形成し、かつ、Ｘ線回折法で測定した、該反射層における（２００）面の強度比を総カウント数の２０％以上とすることにより、近紫外域である３４０〜４００ｎｍにおける反射率が向上され、特に発光波長に近紫外域の波長を含む光半導体チップ搭載のＬＥＤにおいて良好な反射率が得られる。また、反射層の表面粗度Ｒａを好ましくは０．０５〜０．３０μｍとすることで、特に照明用途における指向特性のバランスが良好となるリードフレームが得られる。すなわち、本発明によれば、近紫外光から可視光域までの広範囲にわたって反射特性が良好で、照明用途や近紫外域を含む測定・分析用途における指向特性にも優れた光半導体装置用リードフレームを提供することができる。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
本発明のリードフレームは、導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層を有してなり、その反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、該反射層の銀または銀合金を、日本工業規格であるＪＩＳ Ｋ ０１３１の「Ｘ線回折分析通則」に基づいてＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上である。このような構成とすることにより、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）の反射率を十分に向上させることができ、特に発光波長に近紫外域の波長を含む光半導体チップ搭載のＬＥＤにおいて良好な反射率が得られる。（２００）面の配向が２０％未満になると、優先的に（１１１）面の配向が強くなり、その結果、波長３４０〜４００ｎｍの反射率が６０％未満となって特性が悪化する。なお、総カウント数とは、Ｘ線回折法において薄膜法で測定した際の全カウント数のことを意味する。ここで、（２００）面のカウント数の割合を算出するには、
｛（２００）面のカウント数｝／（全カウント数）×１００ （％）
で算出した値となる。なお、（２００）面の配向の上限は特に制限されるものではないが、例えば電気めっき法で形成した場合は、最大値がおよそ４０％となる。
｛（２００）面のカウント数｝／（全カウント数）×１００ （％）
で算出した値となる。なお、（２００）面の配向の上限は特に制限されるものではないが、例えば電気めっき法で形成した場合は、最大値がおよそ４０％となる。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームにおいては、銀または銀合金からなる反射層の厚さが０．２μｍ以上であることが、例えば電気めっき法で製造する際には、下層の配向性の影響を受けずに（２００）面の強度比を調整するためには最小限必要な厚さであり、これにより信頼性が高く安定した反射率が得られ、かつ長期信頼性を確保することができる。一方、反射層の厚さを５．０μｍ以下とすることにより、必要以上に貴金属を使用することなくコストダウンを図ることができ、環境にやさしいリードフレームを提供できる。また、長期信頼性という効果は、反射層の厚さが５．０μｍを超えると飽和することによる。
また、反射層の最表面の表面粗度に関して、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１）に規定された算術平均高さＲａを０．０５〜０．３０μｍに制御することにより、照明用途や測定・分析用途として使用するのに良好な指向特性を達成することができ、広範囲を均一に明るく照らすことが可能となる。これは、Ｒａを制御することによって、全反射率に対する拡散反射率の比率を制御し、特に照明用途における指向性のバランスを良好とすることができる。なお、Ｒａが小さすぎると正反射成分が強くなりすぎてＬＥＤに搭載した際に全体的を均一に照らすことが難しくなり、逆にＲａが大きすぎると拡散反射成分が強いために取り出せる光量が低下して照明としての効率が悪くなる。好ましくはＲａ＝０．１０〜０．２５μｍ、さらに好ましくはＲａ＝０．１０〜０．１５μｍである。この結果、全反射率に対する拡散反射率の比率が、波長３４０〜４００ｎｍにおいて４５〜８５％に調整され、照明用途に良好な指向特性が得られる。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームは、基体を銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金とすることで、反射率特性がよくかつ皮膜を形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与できるリードフレームが提供できる。また、これらの金属を基体とするリードフレームは放熱特性に優れており、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、リードフレームを介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射率特性の安定化が見込まれる。これは、基体の導電率ＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）に依存するものであり、導電率が高いものほど放熱性に優れる。このため、導電率は少なくとも１０％以上あるものが好ましく、５０％以上であるものがさらに好ましい。この導電率は、通常得られる値であれば、その上限値は特に制限されない。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームにおける反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、銀−白金合金の群から選ばれた材料からなることにより、反射率が良好で生産性の良いリードフレームが得られる。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームは、導電性基体と銀または銀合金からなる反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金の群から選ばれた金属または合金からなる中間層が少なくとも１層形成されていることにより、発光素子が発光する際に発生する発熱によって導電性基体を構成する材料が反射層へ拡散することによる反射率特性の劣化を防ぎ、反射率特性が長期にわたって安定したものとなり、また、基体と銀または銀合金からなる反射層との密着性も向上する。ここで、当該中間層の厚さは、プレス性、コスト、生産性、耐熱性等を考慮して決定される。通常、当該中間層の総厚は、０．２〜２．０μｍであることが好ましく、さらには０．５〜２．０μｍが好ましい。また、中間層を複数の層で形成することも可能であるが、通常は生産性を考慮し、２層以下とすることが好ましい。中間層を２層以上形成する場合、各層をそれぞれ前記金属または合金（中間層構成材料）から形成し、合計の層厚を前記の範囲内とすれば、各層は互いに同一の材料から形成しても異なった材料から形成してもよく、その厚さも互いに同一であっても異なっていてもよい。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームは、電気めっき法で形成されることが好ましい。他の形成方法としてはクラッド法やスパッタ法があるが、これらの方法では、厚さの制御が難しくかつコストが高くなる。厚さをマイクロメートルオーダーで適切に制御する製造方法としては、電気めっき法が優れている。
また、本発明の光半導体装置用リードフレームの製造方法として、銀または銀合金からなる反射層を電気めっき法で形成する場合、そのめっき電流密度を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２とすることが好ましい。これは、電流密度を１．０Ａ／ｄｍ２以下の範囲で製造することで、反射層の（２００）面の配向性が総カウント数の２０％以上に容易に調整でき、表面粗度も適切な範囲に調整可能であるためである。これよりも電流密度を上げると、反射層の銀または銀合金が（１１１）面に優先配向してしまうため、近紫外域（波長３４０〜４００ｎｍ）での反射率低下につながる。なお、生産性の観点から、好ましくは０．０５〜１．０Ａ／ｄｍ２、さらに好ましくは０．０５〜０．５Ａ／ｄｍ２の電流密度で製造するのが良い。
また、これらの電流密度で製造すると、析出速度は非常に遅くなる。このため、必要なめっき厚を得るためには処理時間やめっき槽長を調整する必要があるが、他にも例えば当該電流密度で反射層の最表面から少なくとも０．２μｍ以上までの深さの部分を形成することでも目的とする配向性が得られ、反射率が向上する。最表面から０．２μｍ以上の厚さを当該電流密度で形成することは、下層の配向性の影響を受けずに（２００）面の強度比を調整するためには最小限必要な厚さであるためである。最表面から当該電流密度で形成した厚さが薄すぎると、下層に形成された中間層ないしは反射層の下層による配向の影響を受けてしまうため、近紫外域（３４０〜４００ｎｍ）の反射率が６０％を下回る可能性が高くなる。
また、本発明の光半導体装置は、少なくとも光半導体素子を搭載する箇所に本発明のリードフレームを用いたことにより、低コストで効果的に良好な反射率特性を得ることができる。これは、光半導体素子の搭載部にのみ銀または銀合金からなる反射層を形成することで、反射率特性は十分効果が上げられるためである。この場合、銀または銀合金からなる反射層は部分的に形成されていてもよく、例えばストライプめっきやスポットめっきなどの部分めっきで形成しても良い。反射層が部分的に形成されるリードフレームを製造することは、反射層が形成されない部分の金属使用量を削減できるので、環境への影響が少なく、低コストである光半導体装置とすることができる。
以下、本発明の光半導体装置用リードフレームの実施の形態を、図面を用いて説明する。各図において、リードフレームに光半導体素子が搭載されている状態を示す。なお、各実施形態はあくまでも一例であり、本発明の範囲は各実施形態に限定されるものではない。
図１は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第１の実施形態の概略断面図である。本実施形態のリードフレームは、導電性基体１上に銀または銀合金からなる反射層２が形成され、反射層２の一部の表面上に光半導体素子３が搭載されている。本発明において、本実施形態のリードフレームは、反射層２のＸ線回折法で測定された（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上となっており、近紫外から可視光域までの反射特性に優れた光半導体装置用リードフレームとなる。さらに好ましくは、反射層２の表面粗度が算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍで形成されており、光の指向特性のバランスに優れた光半導体用リードフレームとなる。
図２は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第２の実施形態の概略断面図である。図２に示す実施形態のリードフレームが、図１に示すリードフレームと異なる点は、導電性基体１と反射層２との間に、中間層４が形成されていることである。その他の点については、図１に示すリードフレームと同様である。
図３は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第３の実施形態の概略断面図である。図３に示したリードフレームでは、光半導体素子３が搭載される部分とその近傍にのみ反射層２が形成されている。この領域以外は光の反射には寄与せず、例えばモールド樹脂で覆われてしまう部分となる。本発明においては、このように、光反射に寄与する部分にのみに銀または銀合金からなる反射層２を形成することも可能である。
本実施形態において、中間層４は導電性基体１の全面に形成されているが、導電性基体１と反射層２との間に介在する形態であれば、部分的に形成されていてもよい。
本実施形態において、中間層４は導電性基体１の全面に形成されているが、導電性基体１と反射層２との間に介在する形態であれば、部分的に形成されていてもよい。
図４は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第４の実施形態の概略断面図である。図４に示したリードフレームでは、図３のものと同様に光半導体素子３が搭載される部分とその近傍にのみ反射層２が形成されているが、反射層２は下層２−１と上層（表層）２−２の二層構造となっている。ここで、反射層の上層２−２が（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上で形成された層であり、その厚さは少なくとも０．２μｍ以上である。このように、例えば反射層２をめっき法で形成する場合、反射層の１層目（下層）２−１を定法の比較的高い電流密度、例えば１．５Ａ／ｄｍ２で形成し、その後に反射層表面から少なくとも０．２μｍ以上の深さまでの反射層の２層目（上層）２−２について、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上に調整しやすくするために、めっきの電流密度を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２で形成することができる。このように、めっき時の電流密度を変えながら上下２層の反射層を形成することによって、反射層すべての厚さを０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２で形成するよりも、製造時間の短縮を図ることができるので、有効である。
図５は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第５の実施形態の概略断面図である。図５は、導電性基体１に凹部を設けてその凹部内側に光半導体素子３を搭載するものである。この実施形態のように、本発明の光半導体装置用リードフレームは、凹部を設けて集光性を向上させたようなリードフレーム形状にも適応することができる。
図６は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第６の実施形態の概略断面図である。図６は、導電性基体１に凹部を設けてその凹部内側に光半導体素子３を搭載するものであり、なおかつその凹部にのみ反射層２が形成されている。凹部を有するリードフレームにおいても、光半導体素子の発光する光の反射に寄与する部分にのみ反射層２を設けることができる。
図７は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの実施形態における算術平均高さＲａを説明するための概略断面図である。図７は、導電性基体１、中間層４、反射層２が形成されているリードフレームにおいて、反射層２の算術平均高さＲａが０．０５〜０．３０μｍとなっている様子を表している。このようにＲａを制御することによって全反射率に対する拡散反射率の比率を制御することにより前述の優れた効果が得られるものであり、特に照明用途における指向性のバランスが良好となる。なお、Ｒａの制御方法としては、前述の電流密度の調整の他に、めっき処理に付す処理時間の長短を調整することや、めっき液成分の添加剤の種類・含有量等を調整することによっても、Ｒａ値を適正に制御することができる。例えば、めっき液に用いる添加剤の種類によって最適濃度や電流密度が異なるが、制御手段として、添加剤の濃度を低くするか電流密度を高くすることによって、表面粗度としてより大きなＲａ値を有する反射層を得ることができる。一方、例えば、添加剤の濃度を高くするするか電流密度を低くすることによって、表面粗度としてより小さなＲａ値を有する反射層を得ることができる。
本発明の半導体装置用リードフレームの製造には任意の方法を用いることができるが、銀または銀合金からなる反射層２（単層でも複数層の各層でも）および中間層４は、それぞれ電気めっき法により形成することが好ましい。
（実施例１）
実施例１として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍの表１に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施すことにより、表１に示す構成の発明例１〜２５、参考例１、従来例１、および比較例１のリードフレームを作成した。なお、反射層を形成する前に、銀ストライクめっきを厚さ０．０１μｍ施した。
導電性基体として用いられた材料のうち、「Ｃ１９４００（Ｃｕ−Ｆｅ系合金材料：Ｃｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−０．１５Ｚｎ）」、「Ｃ５２１００（リン青銅：Ｃｕ−８Ｓｎ−Ｐ）」、「Ｃ２６０００（黄銅：Ｃｕ−３０Ｚｎ）」、および「Ｃ７２５００（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系合金材料：Ｃｕ−９Ｎｉ−２．４Ｓｎ）」は銅合金の基体を表し、Ｃの後の数値はＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格による種類を示す。なお、各元素の前の数値の単位は質量％である。
また、「Ａ１１００」、「Ａ２０１４」、「Ａ３００３」、および「Ａ５０５２」はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、それぞれ日本工業規格（ＪＩＳ Ｈ ４０００：２００６ など）にその成分が規定されている。
また、「ＳＰＣＣ」、および「ＳＵＳ３０４」は鉄系基体を表し、「ＳＵＳ３０４」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ４３０５：２００５）規定のステンレス鋼（クロムを１８質量％、ニッケルを８質量％含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる鉄基合金）、「ＳＰＣＣ」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ３１４１：２００９）規定の冷間圧延鋼板を表す。
実施例１として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍの表１に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施すことにより、表１に示す構成の発明例１〜２５、参考例１、従来例１、および比較例１のリードフレームを作成した。なお、反射層を形成する前に、銀ストライクめっきを厚さ０．０１μｍ施した。
導電性基体として用いられた材料のうち、「Ｃ１９４００（Ｃｕ−Ｆｅ系合金材料：Ｃｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−０．１５Ｚｎ）」、「Ｃ５２１００（リン青銅：Ｃｕ−８Ｓｎ−Ｐ）」、「Ｃ２６０００（黄銅：Ｃｕ−３０Ｚｎ）」、および「Ｃ７２５００（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系合金材料：Ｃｕ−９Ｎｉ−２．４Ｓｎ）」は銅合金の基体を表し、Ｃの後の数値はＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格による種類を示す。なお、各元素の前の数値の単位は質量％である。
また、「Ａ１１００」、「Ａ２０１４」、「Ａ３００３」、および「Ａ５０５２」はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、それぞれ日本工業規格（ＪＩＳ Ｈ ４０００：２００６ など）にその成分が規定されている。
また、「ＳＰＣＣ」、および「ＳＵＳ３０４」は鉄系基体を表し、「ＳＵＳ３０４」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ４３０５：２００５）規定のステンレス鋼（クロムを１８質量％、ニッケルを８質量％含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる鉄基合金）、「ＳＰＣＣ」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ３１４１：２００９）規定の冷間圧延鋼板を表す。
（前処理条件）
［電解脱脂］
脱脂液：ＮａＯＨ ６０ｇ／リットル
脱脂条件：２．５Ａ／ｄｍ２、温度６０℃、脱脂時間６０秒、陰極脱脂
［酸洗］
酸洗液：１０％硫酸
酸洗条件：３０秒 浸漬、室温
［亜鉛置換］基体がアルミニウムの時に使用
亜鉛置換液：ＮａＯＨ ５００ｇ／リットル、ＺｎＯ １００ｇ／リットル、酒石酸（Ｃ４Ｈ６Ｏ６） １０ｇ／リットル、ＦｅＣｌ２ ２ｇ／リットル
処理条件：３０秒 浸漬、室温
［Ａｇストライクめっき］被覆厚０．０１μｍ
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２ ５ｇ／リットル、ＫＣＮ ６０ｇ／リットル、
めっき条件：電流密度 ２Ａ／ｄｍ２、めっき時間 ４秒、温度 ２５℃
［電解脱脂］
脱脂液：ＮａＯＨ ６０ｇ／リットル
脱脂条件：２．５Ａ／ｄｍ２、温度６０℃、脱脂時間６０秒、陰極脱脂
［酸洗］
酸洗液：１０％硫酸
酸洗条件：３０秒 浸漬、室温
［亜鉛置換］基体がアルミニウムの時に使用
亜鉛置換液：ＮａＯＨ ５００ｇ／リットル、ＺｎＯ １００ｇ／リットル、酒石酸（Ｃ４Ｈ６Ｏ６） １０ｇ／リットル、ＦｅＣｌ２ ２ｇ／リットル
処理条件：３０秒 浸漬、室温
［Ａｇストライクめっき］被覆厚０．０１μｍ
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２ ５ｇ／リットル、ＫＣＮ ６０ｇ／リットル、
めっき条件：電流密度 ２Ａ／ｄｍ２、めっき時間 ４秒、温度 ２５℃
実施例１において使用した各めっきのめっき液組成およびめっき条件を以下に示す。なお、発明例１〜２５および本発明よりも銀めっき厚の薄い比較例１では、電流密度を０．００８〜１．０Ａ／ｄｍ２で適宜調整して配向を調整した。一方、従来例１では、電流密度は定法のめっき条件である１．５Ａ／ｄｍ２として作製した。これらの電流密度条件を、表１に示した。
（めっき条件）
［Ａｇめっき］ 発明例１〜１５と１８〜２５、参考例１および比較例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．００８〜１．０Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇめっき］ 従来例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １．５Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇ−Ｓｎ合金めっき］ 発明例１６での反射層形成条件
めっき液：ＫＣＮ １００ｇ／リットル、ＮａＯＨ ５０ｇ／リットル、ＡｇＣＮ １０ｇ／リットル、Ｋ２Ｓｎ（ＯＨ）６ ８０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
［Ａｇ−Ｐｄ合金めっき］ 発明例１７での反射層形成条件
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２ ２０ｇ／リットル、ＰｄＣｌ２ ２５ｇ／リットル、Ｋ４Ｏ７Ｐ２ ６０ｇ／リットル、ＫＳＣＮ １５０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．２５Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
（めっき条件）
［Ａｇめっき］ 発明例１〜１５と１８〜２５、参考例１および比較例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．００８〜１．０Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇめっき］ 従来例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １．５Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇ−Ｓｎ合金めっき］ 発明例１６での反射層形成条件
めっき液：ＫＣＮ １００ｇ／リットル、ＮａＯＨ ５０ｇ／リットル、ＡｇＣＮ １０ｇ／リットル、Ｋ２Ｓｎ（ＯＨ）６ ８０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
［Ａｇ−Ｐｄ合金めっき］ 発明例１７での反射層形成条件
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２ ２０ｇ／リットル、ＰｄＣｌ２ ２５ｇ／リットル、Ｋ４Ｏ７Ｐ２ ６０ｇ／リットル、ＫＳＣＮ １５０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．２５Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
［Ｎｉめっき］ 中間層形成条件
めっき液：Ｎｉ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ ５００ｇ／リットル、ＮｉＣｌ２ ３０ｇ／リットル、Ｈ３ＢＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ２、温度 ５０℃
［Ｃｏめっき］ 中間層形成条件
めっき液：Ｃｏ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ ５００ｇ／リットル、ＣｏＣｌ２ ３０ｇ／リットル、Ｈ３ＢＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ２、温度 ５０℃
［Ｃｕめっき］ 中間層形成条件
めっき液：ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ２５０ｇ／リットル、Ｈ２ＳＯ４ ５０ｇ／リットル、ＮａＣｌ ０．１ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ６Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
めっき液：Ｎｉ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ ５００ｇ／リットル、ＮｉＣｌ２ ３０ｇ／リットル、Ｈ３ＢＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ２、温度 ５０℃
［Ｃｏめっき］ 中間層形成条件
めっき液：Ｃｏ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏ ５００ｇ／リットル、ＣｏＣｌ２ ３０ｇ／リットル、Ｈ３ＢＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ５Ａ／ｄｍ２、温度 ５０℃
［Ｃｕめっき］ 中間層形成条件
めっき液：ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ２５０ｇ／リットル、Ｈ２ＳＯ４ ５０ｇ／リットル、ＮａＣｌ ０．１ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ６Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
また、反射層の銀または銀合金の（２００）面強度比は、次のような強度比測定方法により求めた。すなわち、Ｘ線回折法において、Ｘ線解析装置（ＲＡＤ−Ａ：株式会社リガク製）を用いて薄膜法で測定角度２θ＝２０〜１００°、Ｘ線の入射角を１°で測定した際の（２００）面方位強度と総強度数（総カウント数）の比を算出して、この比を（２００）面強度比とした。結果を表１に示した。
なお、本実施例で得られた試料の反射層はすべて１層であり、これらの表面粗度を接触式表面粗さ計（ＳＥ−３０Ｈ：製品名、（株）小坂研究所製）を用いて、測定距離４ｍｍで任意の３箇所の平均値を測定したところ、すべてのサンプルにおいてＲａは０．１３〜０．１５μｍであった。
（評価方法）
上記のようにして得られた、表１の発明例、参考例、従来例および比較例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表２に示す。
（１Ａ）反射率測定：分光光度計（Ｕ−４１００（商品名、（株）日立ハイテクノロジーズ製））において、全反射率を３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけて連続測定を実施した。このうち、３４０ｎｍ、および４００ｎｍにおける全反射率（％）を表２に示す。ここで、３４０ｎｍでの反射率を６０％以上、および４００ｎｍにおける反射率が７０％以上のものが、近紫外域を含む光半導体装置用のリードフレームとして適しているものと判断した。
（１Ｂ）放熱性（熱伝導性）：導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であるものを放熱性（熱伝導性）が高く、「良」であるとして「○」印とし、１０％未満であるものを放熱性（熱伝導性）が低く、「不良」であるとして「×」印とし、表２に示した。これは、導電率と熱伝導性はほぼ比例関係にあり、ＩＡＣＳで１０％以上の導電率があるものは熱伝導性がよく放熱性も高いと判断されるためである。
（１Ｃ）生産性検討：参考までに、生産性を検討するために各めっき被覆厚形成時にかかる時間（分）を電流効率が９５％として算出し、表２に示した。
上記のようにして得られた、表１の発明例、参考例、従来例および比較例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表２に示す。
（１Ａ）反射率測定：分光光度計（Ｕ−４１００（商品名、（株）日立ハイテクノロジーズ製））において、全反射率を３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけて連続測定を実施した。このうち、３４０ｎｍ、および４００ｎｍにおける全反射率（％）を表２に示す。ここで、３４０ｎｍでの反射率を６０％以上、および４００ｎｍにおける反射率が７０％以上のものが、近紫外域を含む光半導体装置用のリードフレームとして適しているものと判断した。
（１Ｂ）放熱性（熱伝導性）：導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であるものを放熱性（熱伝導性）が高く、「良」であるとして「○」印とし、１０％未満であるものを放熱性（熱伝導性）が低く、「不良」であるとして「×」印とし、表２に示した。これは、導電率と熱伝導性はほぼ比例関係にあり、ＩＡＣＳで１０％以上の導電率があるものは熱伝導性がよく放熱性も高いと判断されるためである。
（１Ｃ）生産性検討：参考までに、生産性を検討するために各めっき被覆厚形成時にかかる時間（分）を電流効率が９５％として算出し、表２に示した。
これらの結果から明らかなように、反射層厚の薄い比較例１および（２００）面の強度比が低い従来例１では、所望の反射率が３４０ｎｍでも４００ｎｍでも得られなかった。これに対して、反射層の厚さが０．２〜５μｍであって、かつ、反射層のＸ線回折法で測定された（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上であった発明例１〜２５では、波長３４０ｎｍおよび波長４００ｎｍにおける反射率が良好であり、３４０ｎｍで６０％以上、４００ｎｍで７０％以上の合格基準を満足した。このことは、近紫外域の反射率向上によりこれらの波長を利用した光半導体に好適に適用できることを意味する。また、電気伝導率の良好な基体においては放熱性も良好であるため、ＬＥＤを点灯した際に生じる熱を光半導体装置の外部へスムーズに排出でき、長期信頼性が高まる。
さらに、電流密度を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２、生産性の観点から好ましくは０．０５〜１．０Ａ／ｄｍ２で製造することで、容易に配向の割合を制御できていることが分かり、有効な製造手段であることが分かる。
なお、参考例１は、基体の導電率が２％であるため放熱性に優れないが、光半導体用リードフレームに放熱性を必要としない光半導体装置であれば、反射率は優れているので好適に使用できることは容易に想定されるものである。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
さらに、電流密度を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２、生産性の観点から好ましくは０．０５〜１．０Ａ／ｄｍ２で製造することで、容易に配向の割合を制御できていることが分かり、有効な製造手段であることが分かる。
なお、参考例１は、基体の導電率が２％であるため放熱性に優れないが、光半導体用リードフレームに放熱性を必要としない光半導体装置であれば、反射率は優れているので好適に使用できることは容易に想定されるものである。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
（実施例２）
実施例２として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に実施例１と同様の前処理およびニッケル下地めっき０．５μｍ、銀ストライクめっきを０．０１μｍ形成した後、さらに反射層として電気銀めっき２．０μｍを形成して、発明例２６〜３２、参考例２および３のリードフレームを作成した。なお、反射層の表面粗度の調整のために、めっき液添加剤の濃度を変えるか、またはめっき時の電流密度の大小を適宜調整した。参考例２と３のリードフレームでは、本発明で規定する所定の表面粗度値を外れた値を有する反射層を形成した。参考例２では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を５ｇ／リットル、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として小さなＲａ値を有する反射層を得た。また、参考例３では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を０．１ｇ／リットル、電流密度を１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として大きなＲａ値を有する反射層を得た。
実施例２として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に実施例１と同様の前処理およびニッケル下地めっき０．５μｍ、銀ストライクめっきを０．０１μｍ形成した後、さらに反射層として電気銀めっき２．０μｍを形成して、発明例２６〜３２、参考例２および３のリードフレームを作成した。なお、反射層の表面粗度の調整のために、めっき液添加剤の濃度を変えるか、またはめっき時の電流密度の大小を適宜調整した。参考例２と３のリードフレームでは、本発明で規定する所定の表面粗度値を外れた値を有する反射層を形成した。参考例２では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を５ｇ／リットル、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として小さなＲａ値を有する反射層を得た。また、参考例３では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を０．１ｇ／リットル、電流密度を１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として大きなＲａ値を有する反射層を得た。
電気銀めっきのめっき液組成は、以下の通りである。
［Ａｇめっき］
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル、添加剤（チオ硫酸ナトリウム ０〜１０ｇ／リットル）
めっき条件：電流密度 ０．０１〜１．０Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇめっき］
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル、添加剤（チオ硫酸ナトリウム ０〜１０ｇ／リットル）
めっき条件：電流密度 ０．０１〜１．０Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
（評価方法）
上記のようにして得られた、発明例および参考例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表３に示す。
（２Ａ）表面粗度測定：接触式表面粗さ計（ＳＥ−３０Ｈ（商品名、（株）小坂研究所製））により、任意の３点について算術平均高さＲａを測定し、その平均値を表３に示した。
（２Ｂ）拡散反射率比率測定：分光光度計（Ｕ−４１００（商品名、（株）日立ハイテクノロジーズ製））により、全反射率及び拡散反射率を３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけて連続測定を実施した。このうち、波長３４０ｎｍおよび４００ｎｍにおける拡散反射率の全反射率に対する割合（拡散反射率比率：％）を算出し、表３に示した。
上記のようにして得られた、発明例および参考例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表３に示す。
（２Ａ）表面粗度測定：接触式表面粗さ計（ＳＥ−３０Ｈ（商品名、（株）小坂研究所製））により、任意の３点について算術平均高さＲａを測定し、その平均値を表３に示した。
（２Ｂ）拡散反射率比率測定：分光光度計（Ｕ−４１００（商品名、（株）日立ハイテクノロジーズ製））により、全反射率及び拡散反射率を３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけて連続測定を実施した。このうち、波長３４０ｎｍおよび４００ｎｍにおける拡散反射率の全反射率に対する割合（拡散反射率比率：％）を算出し、表３に示した。
これらの結果から明らかなように、反射層を形成する際のめっき条件（電流密度など）を制御して反射層の算術表面高さＲａが０．０５〜０．３０μｍに調整されると、波長３４０および４００ｎｍでの拡散反射率比率が４５〜８５％に制御され、バランスの良い指向特性が得られることが期待される。この結果、照明用途に使用するＬＥＤリードフレームにおいて、近紫外域における反射率も優れており、指向性のバランスが良好となる光半導体用リードフレームが提供できる。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
（実施例３）
実施例３として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に、実施例１の発明例１３と同様の厚さで前処理およびニッケル下地めっき、銀ストライクめっきを形成した後、さらに反射層として１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、さらに２層目の電気銀めっきを０．２１μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０５μｍの発明例３３のリードフレームを作製した。また、１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、２層目を０．１８μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０２μｍの比較例２のリードフレームを作製した。比較例２においては、前記発明例３３よりも反射層の２層目を形成した際のめっき時間を短く、具体的には、発明例３３での反射層２層目（表層）形成時のめっき時間０．７分を比較例２では０．６分に変更した。これらのリードフレーム試料における反射層の表面粗度Ｒａについて上記と同様にして測定したところ、双方ともＲａ≒０．１５μｍであった。
なお、（２００）面強度比、全反射率、放熱性、生産性の評価方法は、実施例１と同様の手法で評価を行った。その結果を表４に示した。
実施例３として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に、実施例１の発明例１３と同様の厚さで前処理およびニッケル下地めっき、銀ストライクめっきを形成した後、さらに反射層として１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、さらに２層目の電気銀めっきを０．２１μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０５μｍの発明例３３のリードフレームを作製した。また、１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、２層目を０．１８μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０２μｍの比較例２のリードフレームを作製した。比較例２においては、前記発明例３３よりも反射層の２層目を形成した際のめっき時間を短く、具体的には、発明例３３での反射層２層目（表層）形成時のめっき時間０．７分を比較例２では０．６分に変更した。これらのリードフレーム試料における反射層の表面粗度Ｒａについて上記と同様にして測定したところ、双方ともＲａ≒０．１５μｍであった。
なお、（２００）面強度比、全反射率、放熱性、生産性の評価方法は、実施例１と同様の手法で評価を行った。その結果を表４に示した。
この結果から、発明例３３のように、反射層が複数層で形成されているとき、表面から少なくとも０．２μｍの表層を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２の範囲内、発明例３３では０．４９Ａ／ｄｍ２で形成することによって、下層の電流密度１．５Ａ／ｄｍ２で形成された反射層の一層目の影響を受けつつも（２００）面の強度比を２０％以上に高めることができており、その結果全反射率が近紫外域の３４０〜４００ｎｍにおいて６０％以上を維持することができていることがわかる。また、生産性において、発明例１３よりも時間がおよそ６割も短縮されており、生産性に優れる手法として有効であることが分かる。
これに対して、反射層の２層目が０．２μｍに満たない比較例２では、（２００）面の強度比が２０％未満であり、反射率も３４０ｎｍで６０％以下と劣った結果となったことが分かる。
このように、反射層の表面から少なくとも０．２μｍ以上を所定の電流密度である０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２にて被覆形成することで、反射層２層の内の下層の配向の影響を受けずに表層に基づいて、反射層全体としては（２００）面の配向強度比を有効に高めることができ、反射率に優れかつ生産性が向上された光半導体用リードフレームの製造方法として有用であることが分かる。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
これに対して、反射層の２層目が０．２μｍに満たない比較例２では、（２００）面の強度比が２０％未満であり、反射率も３４０ｎｍで６０％以下と劣った結果となったことが分かる。
このように、反射層の表面から少なくとも０．２μｍ以上を所定の電流密度である０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２にて被覆形成することで、反射層２層の内の下層の配向の影響を受けずに表層に基づいて、反射層全体としては（２００）面の配向強度比を有効に高めることができ、反射率に優れかつ生産性が向上された光半導体用リードフレームの製造方法として有用であることが分かる。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
１ 導電性基体
２ 反射層
２−１ 反射層の下層
２−２ 反射層の表層
３ 光半導体素子
４ 中間層
２ 反射層
２−１ 反射層の下層
２−２ 反射層の表層
３ 光半導体素子
４ 中間層
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
本願は、２００９年６月２４日に日本国で特許出願された特願２００９−１５００８２に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
すなわち、本発明によれば以下の手段が提供される。
（１）導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上４０％以下であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
（２）さらに前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであることを特徴とする、（１）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（３）前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、（１）または（２）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（４）前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、（３）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（５）前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（６）前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（７）前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、（６）記載の光半導体用リードフレーム。
（８）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
（９）前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、（８）記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
（１０）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
（１）導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上４０％以下であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
（２）さらに前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであることを特徴とする、（１）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（３）前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、（１）または（２）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（４）前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、（３）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（５）前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（６）前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（７）前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、（６）記載の光半導体用リードフレーム。
（８）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
（９）前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、（８）記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
（１０）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
（実施例１）
実施例１として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍの表１に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施すことにより、表１に示す構成の発明例１〜２４、参考例１と２、従来例１、および比較例１のリードフレームを作成した。なお、反射層を形成する前に、銀ストライクめっきを厚さ０．０１μｍ施した。
導電性基体として用いられた材料のうち、「Ｃ１９４００（Ｃｕ−Ｆｅ系合金材料：Ｃｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−０．１５Ｚｎ）」、「Ｃ５２１００（リン青銅：Ｃｕ−８Ｓｎ−Ｐ）」、「Ｃ２６０００（黄銅：Ｃｕ−３０Ｚｎ）」、および「Ｃ７２５００（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系合金材料：Ｃｕ−９Ｎｉ−２．４Ｓｎ）」は銅合金の基体を表し、Ｃの後の数値はＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格による種類を示す。なお、各元素の前の数値の単位は質量％である。
また、「Ａ１１００」、「Ａ２０１４」、「Ａ３００３」、および「Ａ５０５２」はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、それぞれ日本工業規格（ＪＩＳ Ｈ ４０００：２００６ など）にその成分が規定されている。
また、「ＳＰＣＣ」、および「ＳＵＳ３０４」は鉄系基体を表し、「ＳＵＳ３０４」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ４３０５：２００５）規定のステンレス鋼（クロムを１８質量％、ニッケルを８質量％含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる鉄基合金）、「ＳＰＣＣ」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ３１４１：２００９）規定の冷間圧延鋼板を表す。
実施例１として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍの表１に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施すことにより、表１に示す構成の発明例１〜２４、参考例１と２、従来例１、および比較例１のリードフレームを作成した。なお、反射層を形成する前に、銀ストライクめっきを厚さ０．０１μｍ施した。
導電性基体として用いられた材料のうち、「Ｃ１９４００（Ｃｕ−Ｆｅ系合金材料：Ｃｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−０．１５Ｚｎ）」、「Ｃ５２１００（リン青銅：Ｃｕ−８Ｓｎ−Ｐ）」、「Ｃ２６０００（黄銅：Ｃｕ−３０Ｚｎ）」、および「Ｃ７２５００（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ系合金材料：Ｃｕ−９Ｎｉ−２．４Ｓｎ）」は銅合金の基体を表し、Ｃの後の数値はＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）規格による種類を示す。なお、各元素の前の数値の単位は質量％である。
また、「Ａ１１００」、「Ａ２０１４」、「Ａ３００３」、および「Ａ５０５２」はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、それぞれ日本工業規格（ＪＩＳ Ｈ ４０００：２００６ など）にその成分が規定されている。
また、「ＳＰＣＣ」、および「ＳＵＳ３０４」は鉄系基体を表し、「ＳＵＳ３０４」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ４３０５：２００５）規定のステンレス鋼（クロムを１８質量％、ニッケルを８質量％含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる鉄基合金）、「ＳＰＣＣ」は日本工業規格（ＪＩＳ Ｇ ３１４１：２００９）規定の冷間圧延鋼板を表す。
実施例１において使用した各めっきのめっき液組成およびめっき条件を以下に示す。なお、発明例１〜２４および本発明よりも銀めっき厚の薄い参考例１および比較例１では、電流密度を０．００８〜１．０Ａ／ｄｍ２で適宜調整して配向を調整した。一方、従来例１では、電流密度は定法のめっき条件である１．５Ａ／ｄｍ２として作製した。これらの電流密度条件を、表１に示した。
（めっき条件）
［Ａｇめっき］ 発明例１〜１４と１７〜２４、参考例１と２および比較例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．００８〜１．０Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇめっき］ 従来例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １．５Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇ−Ｓｎ合金めっき］ 発明例１５での反射層形成条件
めっき液：ＫＣＮ １００ｇ／リットル、ＮａＯＨ ５０ｇ／リットル、ＡｇＣＮ １０ｇ／リットル、Ｋ２Ｓｎ（ＯＨ）６ ８０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
［Ａｇ−Ｐｄ合金めっき］ 発明例１６での反射層形成条件
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２ ２０ｇ／リットル、ＰｄＣｌ２ ２５ｇ／リットル、Ｋ４Ｏ７Ｐ２ ６０ｇ／リットル、ＫＳＣＮ １５０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．２５Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
（めっき条件）
［Ａｇめっき］ 発明例１〜１４と１７〜２４、参考例１と２および比較例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．００８〜１．０Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇめっき］ 従来例１での反射層形成条件
めっき液：ＡｇＣＮ ５０ｇ／リットル、ＫＣＮ １００ｇ／リットル、Ｋ２ＣＯ３ ３０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １．５Ａ／ｄｍ２、温度 ３０℃
［Ａｇ−Ｓｎ合金めっき］ 発明例１５での反射層形成条件
めっき液：ＫＣＮ １００ｇ／リットル、ＮａＯＨ ５０ｇ／リットル、ＡｇＣＮ １０ｇ／リットル、Ｋ２Ｓｎ（ＯＨ）６ ８０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 １Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
［Ａｇ−Ｐｄ合金めっき］ 発明例１６での反射層形成条件
めっき液：ＫＡｇ（ＣＮ）２ ２０ｇ／リットル、ＰｄＣｌ２ ２５ｇ／リットル、Ｋ４Ｏ７Ｐ２ ６０ｇ／リットル、ＫＳＣＮ １５０ｇ／リットル
めっき条件：電流密度 ０．２５Ａ／ｄｍ２、温度 ４０℃
これらの結果から明らかなように、反射層厚の薄い比較例１および（２００）面の強度比が低い従来例１では、所望の反射率が３４０ｎｍでも４００ｎｍでも得られなかった。これに対して、反射層の厚さが０．２〜５μｍであって、かつ、反射層のＸ線回折法で測定された（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上であった発明例１〜２４および参考例１では、波長３４０ｎｍおよび波長４００ｎｍにおける反射率が良好であり、３４０ｎｍで６０％以上、４００ｎｍで７０％以上の合格基準を満足した。このことは、近紫外域の反射率向上によりこれらの波長を利用した光半導体に好適に適用できることを意味する。また、電気伝導率の良好な基体においては放熱性も良好であるため、ＬＥＤを点灯した際に生じる熱を光半導体装置の外部へスムーズに排出でき、長期信頼性が高まる。
さらに、電流密度を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２、生産性の観点から好ましくは０．０５〜１．０Ａ／ｄｍ２で製造することで、容易に配向の割合を制御できていることが分かり、有効な製造手段であることが分かる。
なお、参考例２は、基体の導電率が２％であるため放熱性に優れないが、光半導体用リードフレームに放熱性を必要としない光半導体装置であれば、反射率は優れているので好適に使用できることは容易に想定されるものである。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
さらに、電流密度を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２、生産性の観点から好ましくは０．０５〜１．０Ａ／ｄｍ２で製造することで、容易に配向の割合を制御できていることが分かり、有効な製造手段であることが分かる。
なお、参考例２は、基体の導電率が２％であるため放熱性に優れないが、光半導体用リードフレームに放熱性を必要としない光半導体装置であれば、反射率は優れているので好適に使用できることは容易に想定されるものである。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
（実施例２）
実施例２として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に実施例１と同様の前処理およびニッケル下地めっき０．５μｍ、銀ストライクめっきを０．０１μｍ形成した後、さらに反射層として電気銀めっき２．０μｍを形成して、発明例２５〜３１、参考例３および４のリードフレームを作成した。なお、反射層の表面粗度の調整のために、めっき液添加剤の濃度を変えるか、またはめっき時の電流密度の大小を適宜調整した。参考例３と４のリードフレームでは、本発明で規定する所定の表面粗度値を外れた値を有する反射層を形成した。参考例３では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を５ｇ／リットル、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として小さなＲａ値を有する反射層を得た。また、参考例４では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を０．１ｇ／リットル、電流密度を１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として大きなＲａ値を有する反射層を得た。
実施例２として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に実施例１と同様の前処理およびニッケル下地めっき０．５μｍ、銀ストライクめっきを０．０１μｍ形成した後、さらに反射層として電気銀めっき２．０μｍを形成して、発明例２５〜３１、参考例３および４のリードフレームを作成した。なお、反射層の表面粗度の調整のために、めっき液添加剤の濃度を変えるか、またはめっき時の電流密度の大小を適宜調整した。参考例３と４のリードフレームでは、本発明で規定する所定の表面粗度値を外れた値を有する反射層を形成した。参考例３では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を５ｇ／リットル、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として小さなＲａ値を有する反射層を得た。また、参考例４では、添加剤として以下のチオ硫酸ナトリウムの濃度を０．１ｇ／リットル、電流密度を１Ａ／ｄｍ２とすることによって、表面粗度として大きなＲａ値を有する反射層を得た。
（実施例３）
実施例３として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に、実施例１の発明例１２と同様の厚さで前処理およびニッケル下地めっき、銀ストライクめっきを形成した後、さらに反射層として１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、さらに２層目の電気銀めっきを０．２１μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０５μｍの発明例３２のリードフレームを作製した。また、１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、２層目を０．１８μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０２μｍの比較例２のリードフレームを作製した。比較例２においては、前記発明例３２よりも反射層の２層目を形成した際のめっき時間を短く、具体的には、発明例３２での反射層２層目（表層）形成時のめっき時間０．７分を比較例２では０．６分に変更した。これらのリードフレーム試料における反射層の表面粗度Ｒａについて上記と同様にして測定したところ、双方ともＲａ≒０．１５μｍであった。
なお、（２００）面強度比、全反射率、放熱性、生産性の評価方法は、実施例１と同様の手法で評価を行った。その結果を表４に示した。
実施例３として、厚さ０．３ｍｍ、幅５０ｍｍのＣ１９４００銅合金からなる導電性基体に、実施例１の発明例１２と同様の厚さで前処理およびニッケル下地めっき、銀ストライクめっきを形成した後、さらに反射層として１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、さらに２層目の電気銀めっきを０．２１μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０５μｍの発明例３２のリードフレームを作製した。また、１層目の電気銀めっきを１．８４μｍ、１．５Ａ／ｄｍ２で形成後、２層目を０．１８μｍ、０．４９Ａ／ｄｍ２で形成し、２層の反射層の合計厚さとしては２．０２μｍの比較例２のリードフレームを作製した。比較例２においては、前記発明例３２よりも反射層の２層目を形成した際のめっき時間を短く、具体的には、発明例３２での反射層２層目（表層）形成時のめっき時間０．７分を比較例２では０．６分に変更した。これらのリードフレーム試料における反射層の表面粗度Ｒａについて上記と同様にして測定したところ、双方ともＲａ≒０．１５μｍであった。
なお、（２００）面強度比、全反射率、放熱性、生産性の評価方法は、実施例１と同様の手法で評価を行った。その結果を表４に示した。
この結果から、発明例３２のように、反射層が複数層で形成されているとき、表面から少なくとも０．２μｍの表層を０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２の範囲内、発明例３２では０．４９Ａ／ｄｍ２で形成することによって、下層の電流密度１．５Ａ／ｄｍ２で形成された反射層の一層目の影響を受けつつも（２００）面の強度比を２０％以上に高めることができており、その結果全反射率が近紫外域の３４０〜４００ｎｍにおいて６０％以上を維持することができていることがわかる。また、生産性において、発明例１２よりも時間がおよそ６割も短縮されており、生産性に優れる手法として有効であることが分かる。
これに対して、反射層の２層目が０．２μｍに満たない比較例２では、（２００）面の強度比が２０％未満であり、反射率も３４０ｎｍで６０％以下と劣った結果となったことが分かる。
このように、反射層の表面から少なくとも０．２μｍ以上を所定の電流密度である０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２にて被覆形成することで、反射層２層の内の下層の配向の影響を受けずに表層に基づいて、反射層全体としては（２００）面の配向強度比を有効に高めることができ、反射率に優れかつ生産性が向上された光半導体用リードフレームの製造方法として有用であることが分かる。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
これに対して、反射層の２層目が０．２μｍに満たない比較例２では、（２００）面の強度比が２０％未満であり、反射率も３４０ｎｍで６０％以下と劣った結果となったことが分かる。
このように、反射層の表面から少なくとも０．２μｍ以上を所定の電流密度である０．００５〜１．０Ａ／ｄｍ２にて被覆形成することで、反射層２層の内の下層の配向の影響を受けずに表層に基づいて、反射層全体としては（２００）面の配向強度比を有効に高めることができ、反射率に優れかつ生産性が向上された光半導体用リードフレームの製造方法として有用であることが分かる。
また、本発明例は、近紫外域だけでなく可視光域においても、すべての発明例で反射率７０％以上、および拡散反射率４５〜８５％を保っており、高輝度に優れ、指向性のバランスに優れた光半導体用リードフレームに好適に使用できる。
すなわち、本発明によれば以下の手段が提供される。
（１）導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が電気めっき法で形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上４０％以下であり、前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであって、全反射率に対する拡散反射率の比率が波長３４０〜４００ｎｍにおいて４５〜８５％であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
（２）前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、（１）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（３）前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、（２）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（４）前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（５）前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（６）前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、（５）記載の光半導体用リードフレーム。
（７）（１）〜（６）のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
（８）前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、（７）記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
（９）（１）〜（６）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
（１）導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が電気めっき法で形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上４０％以下であり、前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであって、全反射率に対する拡散反射率の比率が波長３４０〜４００ｎｍにおいて４５〜８５％であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
（２）前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、（１）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（３）前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、（２）記載の光半導体装置用リードフレーム。
（４）前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（５）前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、（１）〜（４）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
（６）前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、（５）記載の光半導体用リードフレーム。
（７）（１）〜（６）のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
（８）前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、（７）記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
（９）（１）〜（６）のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
また、反射層の最表面の表面粗度に関して、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１）に規定された算術平均高さＲａを０．０５〜０．３０μｍに制御することにより、照明用途や測定・分析用途として使用するのに良好な指向特性を達成することができ、広範囲を均一に明るく照らすことが可能となる。これは、Ｒａを制御することによって、全反射率に対する拡散反射率の比率を制御し、特に照明用途における指向性のバランスを良好とすることができる。なお、Ｒａが小さすぎると正反射成分が強くなりすぎてＬＥＤに搭載した際に全体的を均一に照らすことが難しくなり、逆にＲａが大きすぎると拡散反射成分が強いために取り出せる光量が低下して照明としての効率が悪くなる。Ｒａ＝０．１０〜０．２５μｍ、さらに好ましくはＲａ＝０．１０〜０．１５μｍである。この結果、全反射率に対する拡散反射率の比率が、波長３４０〜４００ｎｍにおいて４５〜８５％に調整され、照明用途に良好な指向特性が得られる。
図７は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの実施形態における算術平均高さＲａを説明するための概略断面図である。図７は、導電性基体１、中間層４、反射層２が形成されているリードフレームにおいて、反射層２の算術平均高さＲａが０．０５〜０．３０μｍとなっている様子を表している。このようにＲａを制御することによって全反射率に対する拡散反射率の比率を制御することにより前述の優れた効果が得られるものであり、特に照明用途における指向性のバランスが良好となる。なお、Ｒａの制御方法としては、前述の電流密度の調整の他に、めっき処理に付す処理時間の長短を調整することや、めっき液成分の添加剤の種類・含有量等を調整することによっても、Ｒａ値を適正に制御することができる。例えば、めっき液に用いる添加剤の種類によって最適濃度や電流密度が異なるが、制御手段として、添加剤の濃度を低くするか電流密度を高くすることによって、表面粗度としてより大きなＲａ値を有する反射層を得ることができる。一方、例えば、添加剤の濃度を高くするか電流密度を低くすることによって、表面粗度としてより小さなＲａ値を有する反射層を得ることができる。
Claims (10)
- 導電性基体上の最表面に銀または銀合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層の厚さが０．２〜５．０μｍであり、かつ、前記反射層の銀または銀合金をＸ線回折法で測定した際に、（２００）面の強度比が総カウント数の２０％以上であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。
- さらに前記反射層の表面粗度が、算術平均高さＲａで０．０５〜０．３０μｍであることを特徴とする、請求項１記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項１または２記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記導電性基体の導電率がＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上であることを特徴とする、請求項３記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記反射層を形成する銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、および銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記導電性基体と前記反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層が、少なくとも１層以上形成されていることを特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
- 前記中間層の厚さは、総厚で０．２〜２．０μｍであることを特徴とする、請求項６記載の光半導体用リードフレーム。
- 請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、少なくとも前記反射層を電気めっき法で形成することを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 前記反射層を、前記電気めっき法で形成する際の電流密度が０．００５〜１Ａ／ｄｍ２であることを特徴とする、請求項８記載の光半導体用リードフレームの製造方法。
- 請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、光半導体素子とを備えた光半導体装置であって、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に前記反射層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009150082 | 2009-06-24 | ||
| JP2009150082 | 2009-06-24 | ||
| PCT/JP2010/060671 WO2010150824A1 (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2010150824A1 true JPWO2010150824A1 (ja) | 2012-12-10 |
Family
ID=43386593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010539085A Pending JPWO2010150824A1 (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120168800A1 (ja) |
| EP (1) | EP2448027A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2010150824A1 (ja) |
| KR (1) | KR20120089567A (ja) |
| CN (1) | CN102804429A (ja) |
| TW (1) | TW201108377A (ja) |
| WO (1) | WO2010150824A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106067511A (zh) | 2010-03-30 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法 |
| JP2011228687A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法 |
| US8933548B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-01-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| KR101775657B1 (ko) * | 2011-03-10 | 2017-09-05 | 해성디에스 주식회사 | 발광소자 패키지용 리드 프레임의 제조방법 |
| JP5667543B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-02-12 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
| CN103931006B (zh) * | 2011-11-11 | 2017-03-01 | 日立金属株式会社 | 发光元件用衬底、发光组件和发光组件的制造方法 |
| JP5896214B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2016-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5998621B2 (ja) * | 2012-05-10 | 2016-09-28 | 大日本印刷株式会社 | Ｌｅｄ用リードフレーム及び当該ｌｅｄ用リードフレームを用いた半導体装置 |
| DE102012107829B4 (de) | 2012-08-24 | 2024-01-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Bauelemente und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| JP6042701B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2016-12-14 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームの製造方法 |
| JP6438643B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2018-12-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 電極部材およびその製造方法 |
| JP6026934B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-11-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Ｌｅｄのリードフレーム用銅合金板条 |
| JP6085536B2 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-02-22 | 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ | 銅条、めっき付銅条、リードフレーム及びｌｅｄモジュール |
| JP2017005224A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-05 | Ｓｈマテリアル株式会社 | 光学素子用リードフレームおよびその製造方法 |
| JP6237826B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法 |
| JP6789965B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2020-11-25 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材およびその製造方法 |
| JP6846866B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2021-03-24 | 株式会社シンテック | Ｌｅｄ発光素子用反射板 |
| JP6570997B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-09-04 | 株式会社三井ハイテック | Ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法 |
| JP6675032B1 (ja) * | 2019-07-08 | 2020-04-01 | 御田 護 | 半導体発光装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0931681A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-04 | Sannou:Kk | 金めっき用非水性浴 |
| WO2006038543A2 (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Toshiba Kk | 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置 |
| JP2007058194A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-03-08 | Tohoku Univ | 高反射率可視光反射部材及びそれを用いた液晶ディスプレイバックライトユニット並びに高反射率可視光反射部材の製造方法 |
| JP3940124B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 装置 |
| WO2007083521A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 発光モジュールとそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
| JP2009010360A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222207B1 (en) * | 1999-05-24 | 2001-04-24 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip |
| JP4758976B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-08-31 | 日立ケーブルプレシジョン株式会社 | 半導体発光素子搭載用リードフレーム及びその製造方法並びに発光装置 |
-
2010
- 2010-06-23 JP JP2010539085A patent/JPWO2010150824A1/ja active Pending
- 2010-06-23 TW TW099120389A patent/TW201108377A/zh unknown
- 2010-06-23 KR KR1020117031468A patent/KR20120089567A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-23 US US13/380,762 patent/US20120168800A1/en not_active Abandoned
- 2010-06-23 WO PCT/JP2010/060671 patent/WO2010150824A1/ja active Application Filing
- 2010-06-23 CN CN2010800313701A patent/CN102804429A/zh active Pending
- 2010-06-23 EP EP10792142A patent/EP2448027A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0931681A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-04 | Sannou:Kk | 金めっき用非水性浴 |
| JP3940124B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 装置 |
| WO2006038543A2 (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-13 | Toshiba Kk | 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置 |
| JP2007058194A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-03-08 | Tohoku Univ | 高反射率可視光反射部材及びそれを用いた液晶ディスプレイバックライトユニット並びに高反射率可視光反射部材の製造方法 |
| WO2007083521A1 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 発光モジュールとそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
| JP2009010360A (ja) * | 2007-05-31 | 2009-01-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120089567A (ko) | 2012-08-13 |
| WO2010150824A1 (ja) | 2010-12-29 |
| CN102804429A (zh) | 2012-11-28 |
| US20120168800A1 (en) | 2012-07-05 |
| EP2448027A1 (en) | 2012-05-02 |
| TW201108377A (en) | 2011-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2010150824A1 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
| JP4763094B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| KR101485226B1 (ko) | 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법 및 광반도체 장치 | |
| US8338926B2 (en) | Lead frame for optical semiconductor devices, method of producing the same, and optical semiconductor device | |
| KR101718575B1 (ko) | 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치 | |
| JP5503388B2 (ja) | Ｌｅｄ用リードフレーム | |
| JP5089795B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
| JP5695841B2 (ja) | Ｌｅｄ用リードフレーム | |
| JP2012009542A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP5525315B2 (ja) | Ｌｅｄ用リードフレーム | |
| JP4981979B2 (ja) | 高反射率化させためっき皮膜を有するｌｅｄ用部品材料およびｌｅｄ用部品 | |
| JP2012151289A (ja) | 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置 | |
| JP2017005224A (ja) | 光学素子用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2011129658A (ja) | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 | |
| JP5554155B2 (ja) | 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置 | |
| JP2014072247A (ja) | 長期信頼性を有する高反射率光半導体装置用リードフレーム用基体、それを用いた光半導体装置用リードフレームとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111115 |