JP6438643B2 - 電極部材およびその製造方法 - Google Patents
電極部材およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6438643B2 JP6438643B2 JP2013038333A JP2013038333A JP6438643B2 JP 6438643 B2 JP6438643 B2 JP 6438643B2 JP 2013038333 A JP2013038333 A JP 2013038333A JP 2013038333 A JP2013038333 A JP 2013038333A JP 6438643 B2 JP6438643 B2 JP 6438643B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating film
- electrode member
- substrate
- plating
- flash
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
特に、端子部における接触抵抗の改善や、ワイヤボンドの密着性および半田濡れ性の向上のために、Cu基板上にAgめっき膜が形成されたものが多く用いられている。
また、本発明に係る電極部材によれば、所定のX線回折強度の条件を満たすAgめっき膜を基板上に備えていることから、当該Agめっき膜を必要以上に厚く形成させる必要がなくなるため、電極部材全体のコスト上昇を抑制することができる。
まず、本発明の第1実施形態に係る電極部材について、図1(a)を参照して説明する。
電極部材1aは、基板11と、基板11上に形成されたAgめっき膜12と、を備える。なお、図1(a)では、Agめっき膜12は基板11の片面側のみに形成されているが、基板11の両面側にそれぞれ形成されていてもよい。
なお、電極部材1aとは、トランジスタ・インバータ等の各種電子・電気部品に用いられるリードフレームや、電極端子コネクタをはじめとした、複数の部材を電気的に接続する部材である。
基板11は、電極部材1aの主要部材であり、Cu(銅)またはCu合金からなる。そして、基板11の形状および板厚については、特に限定されず、電極部材1aが適用されるリードフレーム等の形状に応じて、適宜、決定すればよい。
Agめっき膜12は、基板11の表面の酸化を防ぐとともに、電極部材1aへのワイヤボンディング接着強度を向上させ、かつ、界面における接触抵抗を下げる役割を果たす膜である。さらに、Agめっき膜12は、基板11のCuが電極部材1aの表面に拡散することを防止する膜でもある。
Agめっき膜12中を拡散するCuが表面に到達するまでの時間は、Agめっき膜12の膜厚の二乗にほぼ比例するため、膜厚を厚くしたほうが、Cuの表面拡散を抑制することができ、結果として耐熱性が向上する。この効果を確保するために、Agめっき膜12の膜厚は、0.1μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがさらに好ましい。
一方、Agめっき膜12を厚膜化することは、電極部材1aのコスト上昇につながるため、望ましくない。また、一定の厚さを超えると、Cuの表面拡散の抑制および耐熱性の向上という効果が飽和する。これらの観点から、Agめっき膜12の膜厚は、10.0μm以下であることが好ましく、8.0μm以下であることがさらに好ましく、より好ましくは5.0μm以下である。
Agめっき膜12は、X線回折法による結晶配向性の解析において、(111)面のX線回折強度I111と、(200)面のX線回折強度I200と、の関係が、I111/I200≦3.0を満たす必要がある、つまり、I111/I200が3.0以下となる必要がある。
I111/I200が3.0を超えると、Agめっき膜12におけるCuの拡散経路の低減効果が不十分となり、Cuの表面拡散が起こりやすくなってしまう。その結果、電極部材1aの表面に拡散したCuが、大気中の酸素と反応しCu酸化物層を形成させてしまう。そして、このCu酸化物層が電極部材1aの接触抵抗を低下させたり、後工程におけるワイヤボンドの密着性および半田濡れ性を低下させたりする、つまり、電極部材1aの耐熱性を低下させてしまう。
耐熱性の向上という効果を確実なものとするため、Agめっき膜12のI111/I200は、2.0以下が好ましく、1.0以下がより好ましい。
次に、本発明の第2実施形態に係る電極部材について、図1(b)を参照して説明する。
電極部材1bは、基板11と、基板11上に形成されたNiめっき膜13と、Niめっき膜13上に形成されたCuフラッシュめっき膜14と、Cuフラッシュめっき膜14上に形成されたAgめっき膜12と、を備える。なお、図1(b)では、各めっき膜13、14、12は、基板11の片面側のみに形成されているが、基板11の両面側にそれぞれ形成されていてもよい。
なお、電極部材1aと同じ構成である基板11およびAgめっき膜12については説明を省略する。
Niめっき膜13は、基板11から表面へのCu拡散を抑制するバリア層としての役割を有する膜である。
なお、Niめっき膜13は、基板11からのCuの表面拡散を抑制できればよいため、成分はNi単体に限定されず、例えば、Ni−Co合金、Ni−P合金、Ni−Fe合金等のNi合金で形成されるめっき膜であってもよい。
Cuフラッシュめっき膜14は、Niめっき膜13とAgめっき膜12との密着性を改善する役割を有する膜である。
なお、Cuフラッシュめっき膜14は、Niめっき膜13とAgめっき膜12との密着性を確保できれば、成分はCu単体に限定されず、例えば、Cu−Zn合金、Cu−Sn合金等のCu合金で形成されるめっき膜であってもよい。
[第1実施形態に係る電極部材の製造方法]
本発明の第1実施形態に係る電極部材の製造方法について、図2(a)を参照して説明する。
本発明の第1実施形態に係る電極部材の製造方法は、Agめっき膜形成工程S1と、加熱処理工程S2と、を含むことを特徴とする。
以下、前記各工程を中心に説明する。
Agめっき膜形成工程S1では、基板の表面にAgめっき膜を形成する。このAgめっき膜形成工程S1におけるめっき膜の形成については、電気めっき等の公知のめっき方法を用いればよい。
なお、このAgめっき膜形成工程S1のめっきの対象となる基板は、CuまたはCu合金からなる金属鋳塊を圧延等により所望の厚さの素板(圧延板)とし、この素板をプレス加工やエッチング加工等により所望の形状に成形することによって準備することができる。
加熱処理工程S2では、Agめっき膜形成工程S1後の電極部材に対し、加熱処理を施す。この加熱処理工程S2によって、Agめっき膜12を再結晶により粗大化させ、結晶配向性を制御することができる。
加熱処理工程S2の加熱処理温度(上限)は、300℃未満である。加熱処理温度が300℃以上になると、Cuの拡散が速くなり、Cuの表面拡散を誘引してしまう虞があるからである。
一方、加熱処理工程S2の加熱処理温度(下限)は、80℃以上である。加熱処理温度が80℃未満であると、Agめっき膜が所望の結晶配向とはならず、その結果、Cuの表面拡散の抑制の効果を十分に確保することができなくなるからである。
なお、加熱処理温度については、80℃以上200℃未満が好ましく、100℃以上150℃未満がより好ましい。
なお、加熱処理時間については、5分以上120分未満であることが好ましく、10分以上60分未満であることがより好ましい。
本発明の第2実施形態に係る電極部材の製造方法について、図2(b)を参照して説明する。
本発明の第2実施形態に係る電極部材の製造方法は、Niめっき膜形成工程S11と、Cuフラッシュめっき膜形成工程S12と、Agめっき膜形成工程S13と、加熱処理工程S14と、を含むことを特徴とする。
なお、Agめっき膜形成工程S13および加熱処理工程S14は、第1実施形態に係る電極部材の製造方法において説明したAgめっき膜形成工程S1および加熱処理工程S2と同じ構成であるため説明を省略する。
Niめっき膜形成工程S11では、基板の表面にNiめっき膜を形成する。そして、Cuフラッシュめっき膜形成工程S12では、Niめっき膜が形成された基板にCuフラッシュめっき膜を形成する。
このNiめっき膜形成工程S11およびCuフラッシュめっき膜形成工程S12におけるめっき膜の形成については、電気めっき等の公知のめっき方法を用いればよい。
なお、前記各工程において、明示していない条件については、従来公知の条件を用いればよく、前記各工程での処理によって得られる効果を奏する限りにおいて、その条件を適宜変更できることは言うまでもない。
[試料作製]
下記の方法により、図1(a)に示す第1実施形態に係る電極部材1aに対応する試料と、図1(b)に示す第2実施形態に係る電極部材1bに対応する試料と、を作製した。
厚さ0.1mmのCu−Fe−P系銅合金板(KLF194H、株式会社神戸製鋼所製)を、プレス加工して、所定の形状の基板を作製した。
(Niめっき膜の形成)
次に、対極としてNi板を用い、電流密度:5A/dm2で、下記成分、液温50℃のワット浴により、基板の表面(全面)に、表2に示す膜厚のNiめっき膜を形成させた。
なお、Niめっき膜の膜厚は、ダミー基板へのめっきにより算出したNiのめっき速度に基づいて、めっき時間を調整することで制御した。
硫酸Ni:250g/L
塩化Ni: 40g/L
硼酸 : 35g/L
添加剤B: 3ml/L
添加剤C:10ml/L
次に、対極としてCu板を用い、電流密度:5A/dm2で、下記成分、液温25℃の硫酸銅めっき浴により、前記Niめっき形成処理後の基板の表面(全面)に、表2に示す膜厚のCuフラッシュめっき膜を形成させた。
なお、Cuフラッシュめっき膜の膜厚は、ダミー基板へのめっきにより算出したCuのめっき速度に基づいて、めっき時間を調整することで制御した。
硫酸銅 :200g/L
硫酸 : 50g/L
塩素イオン: 30mL/L
次に、対極としてAg(純度99.99%)板を用い、電流密度:5A/dm2で、下記成分、液温50℃のシアン浴により、表1および表2に示す膜厚のAgめっき膜を形成させた。
なお、Agめっき膜の膜厚は、ダミー基板へのめっきにより算出したAgのめっき速度に基づいて、めっき時間を調整することで制御した。
シアン化銀カリウム(I):50g/L
シアン化カリウム :40g/L
炭酸カリウム :35g/L
添加剤A :3ml/L
上記方法によって作製した試料に対し、アズワン(株)製定温乾燥機OF−450を用い、大気中にて表1および2に示す条件での加熱処理を行い、Agめっき膜の結晶配向性を調整する処理を行った。
上記方法によって作製した試料に対し、(株)リガク製X線回折装置SmartLabを用いるとともに、X線としてCu−Kα線を用いてAgめっき膜のX線回折パターンを2θ/θ法により測定した。得られた回折パターンを解析し、Ag(111)面由来のピーク(2θ=38.3°付近)最大強度(cps単位)と、Ag(200)面由来のピーク(2θ=44.5°付近)最大強度をそれぞれI111、I200とし、ピーク強度比I111/I200を算出した。
なお、例として、X線回折装置により測定した一部の試料の結果を、図3(実施例2の結果)および図4(比較例1の結果)に示す。
上記方法によって作製した試料に対し、電極部材のアセンブリ時の熱の影響を模擬する目的で、200℃に保持したホットプレート(アズワン(株)製デジタルホットプレートHP−1SA)上で3時間の加熱を行った。
その後、マニュアルボンダ(KULICKE and SOFFA INDUSTRIES社製、Model 4127)を用いて、線径φ25μmの金(純Au)線(田中貴金属工業製)をボンディングワイヤとしてワイヤボンディングした。そして、光学顕微鏡で観察しながら金線の中央をピンセットで掴んで引っ張ることにより試験を行った。その結果、金線が試料のボンディング箇所から剥離することなく金線を切ることができた場合をワイヤボンディング性が良好(OK)であると評価した。また、少なくとも一方のボンディング箇所から金線が剥離した場合、金線が試料の表面に圧着せずワイヤボンディングできなかったもの、およびAgめっきと下地との間で剥離が起こったものを不良(NG)であると評価した。
ワイヤボンド性評価試験は、各試料について10箇所で測定し、NGが無く、すべて良好に接着できたものを「◎」、NGが1箇所であるものを「○」、3箇所以下であるものを「△」とし、NGが4箇所以上のものを「×」とした。
なお、本願の規定から外れる数値には*印を施した。
一方、No.6および7は、I111/I200が、本願の規定の範囲から外れていたため、ワイヤボンド性に問題があることがわかった。
なお、本願の規定から外れる数値には*印を施した。
No.13については、結晶の配向性は本願の規定範囲内であるが、めっき層の構成が本願の規定の範囲から外れていたため(密着性改善層としてのCuめっき層が存在しなかった)ため、Agめっき層と下地のNiめっき層との間で剥離が起こり、ワイヤボンド性に問題があることがわかった。
No.14および15は、I111/I200が、本願の規定の範囲から外れていたため、ワイヤボンド性に問題があることがわかった。
1b 第2実施形態に係る電極部材(電極部材)
11 基板
12 Agめっき膜
13 Niめっき膜
14 Cuフラッシュめっき膜
S1、S13 Agめっき膜形成工程
S2、S14 加熱処理工程
S11 Niめっき膜形成工程
S12 Cuフラッシュめっき膜形成工程
Claims (2)
- CuまたはCu合金からなる基板と、前記基板の少なくとも片面側に形成された膜厚が0.1〜10.0μmのAgめっき膜と、を備えるとともに、前記基板と前記Agめっき膜との間において、前記基板側に膜厚が0.5μm以上のNiめっき膜を備え、前記Agめっき膜側に膜厚が0.1μm以上1.0μm未満のCuフラッシュめっき膜を備え、前記Cuフラッシュめっき膜と前記Agめっき膜とが接している電極部材であって、
前記Agめっき膜について、X線としてCu−Kα線を用いて2θ/θ法により測定したX線回折パターンのAg(111)面由来のピーク最大強度I111と、Ag(200)面由来のピーク最大強度I200と、が下記式(1)を満足することを特徴とする電極部材。
I111/I200≦3.0 ・・・(1) - 請求項1に記載の電極部材の製造方法であって、
CuまたはCu合金からなる基板に対してNiめっき膜を形成するNiめっき膜形成工程と、
前記Niめっき膜形成工程の後に、前記Niめっき膜に対してCuフラッシュめっき膜を形成するCuフラッシュめっき膜形成工程と、
前記Cuフラッシュめっき膜形成工程の後に、前記Cuフラッシュめっき膜に対してAgめっき膜を形成するAgめっき膜形成工程と、
前記Agめっき膜形成工程の後に、80℃以上、300℃未満の加熱処理を施す加熱処理工程と、
を含むことを特徴とする電極部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013038333A JP6438643B2 (ja) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | 電極部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013038333A JP6438643B2 (ja) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | 電極部材およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014162990A JP2014162990A (ja) | 2014-09-08 |
JP6438643B2 true JP6438643B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=51613891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013038333A Active JP6438643B2 (ja) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | 電極部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6438643B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58221291A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気接続用銀被覆銅材料 |
KR20120089567A (ko) * | 2009-06-24 | 2012-08-13 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 광반도체 장치용 리드 프레임, 광반도체 장치용 리드 프레임의 제조방법, 및 광반도체 장치 |
JP2012049041A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 可動接点部品用銀被覆材およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-02-28 JP JP2013038333A patent/JP6438643B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014162990A (ja) | 2014-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7488408B2 (en) | Tin-plated film and method for producing the same | |
JP4940081B2 (ja) | リフローSnめっき材及びそれを用いた電子部品 | |
JPWO2014199547A1 (ja) | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 | |
WO2007004645A1 (ja) | 電子機器用銅合金及びその製造方法 | |
US20210130968A1 (en) | Surface-treated material and method for producing the same, and member produced with this surface-treated material | |
JP2007039804A (ja) | 電子機器用銅合金及びその製造方法 | |
US11795525B2 (en) | Copper alloy plate, copper alloy plate with plating film, and manufacturing method thereof | |
US20190169764A1 (en) | Surface-treated material, method for producing the surface-treated material, and component formed by using the surface-treated material | |
JP2007039804A5 (ja) | ||
WO2017179447A1 (ja) | リードフレーム材およびその製造方法 | |
JP6268408B2 (ja) | めっき材の製造方法及びめっき材 | |
JP6438643B2 (ja) | 電極部材およびその製造方法 | |
JP2005105307A (ja) | リフローSnめっき部材、前記部材の製造方法、および前記部材が用いられた電気電子機器用部品 | |
US20230143481A1 (en) | Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY PLATE, Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY PLATE WITH PLATING FILM, AND METHODS OF PRODUCING THE SAME | |
WO2021025071A1 (ja) | 銅合金板、めっき皮膜付銅合金板及びこれらの製造方法 | |
JP5226032B2 (ja) | ウィスカーが抑制されたCu−Zn合金耐熱Snめっき条 | |
JP6863409B2 (ja) | 銅合金板、めっき皮膜付銅合金板及びこれらの製造方法 | |
JP5076165B2 (ja) | 強固に付着した銅めっき安定化材を有するNb−Al系超伝導線材とその製造方法 | |
TWI790062B (zh) | 具備Ni電鍍皮膜之鍍敷結構體及含有該鍍敷結構體之引線框 | |
JP5076088B2 (ja) | Snめっき銅基板、Snめっき銅基板の製造方法、およびこれを用いたリードフレームおよびコネクタ端子 | |
JP6053573B2 (ja) | Agめっき電極部材の製造方法 | |
TWI840541B (zh) | 銅合金板、附鍍敷被膜銅合金板及此等之製造方法 | |
JP6230732B2 (ja) | 導電性条材およびその製造方法 | |
JP2020190007A (ja) | めっき積層体の製造方法及びめっき積層体 | |
JPH0290660A (ja) | 半導体装置用リードフレーム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150817 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160712 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160801 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170303 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170313 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20170512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6438643 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |