JP4940081B2 - リフローSnめっき材及びそれを用いた電子部品 - Google Patents
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Description
(1)銅又は銅合金の表面に下地Niめっき層、厚さ0.35〜0.8μmの中間Cu−Zn系めっき層及び表面Snめっき層を順に有するSnめっき材であって、下地Niめっき層はNi又はNi合金で構成され、中間Cu−Zn系めっき層はSn−Cu−Zn合金層で構成されているか、又は、下地Niめっき層と接する側の厚み0.1μm未満のCu−Znめっき層と表面Snめっき層に接する側のSn−Cu−Zn合金層の2層で構成されており、Sn−Cu−Zn合金層はCu:3〜60質量%、Zn:5〜10000質量ppm、残りSnの組成を有するSnめっき材。
(2)前記表面Snめっき層の厚さが0.1〜1.2μmである(1)に記載のSnめっき材。
(3)最表面にZn濃度が0.1質量%を超えて10質量%までのZn高濃度層をさらに有する(1)又は(2)に記載のSnめっき材。
(4)前記Zn高濃度層の厚さが3〜100nmである(3)に記載のSnめっき材。
(5)前記下地Niめっき層がNi−P合金で構成される(1)〜(4)の何れか一項に記載のSnめっき材。
(6)前記Sn−Cu−Zn合金層は、前記表面Snめっき層との境界にZn濃度が1質量%を超えて10質量%までのZn濃縮層を有する(1)〜(5)の何れか一項に記載のSnめっき材。
(7)前記Zn濃縮層の厚さが0.01〜0.3μmである(6)に記載のSnめっき材。
(8)(1)〜(7)の何れか一項に記載のSnめっき材を用いた電子部品。
(9) 以下の工程:
(a)銅又は銅合金の表面にNi又はNi合金めっき層を厚さ0.1〜5μmで形成する工程と、
(b)次いで該Ni又はNi合金めっき層の上にCu−Znめっき層を厚さ0.1〜0.5μmで形成する工程と、
(c)次いで該Cu−Znめっき層の上にSnめっき層を厚さ0.2〜2.5μmで形成する工程と、
(d)次いで加熱炉温度260〜550℃で2〜60秒間のリフロー処理による熱拡散反応をもって、前記Ni又はNi合金めっき層と前記Snめっき層の間の、少なくとも前記Snめっき層側にCu:3〜60質量%、Zn:5〜10000質量ppm、残りSnの組成をもつSn−Cu−Zn合金層を有する中間Cu−Zn系めっき層を形成する工程と、
を行うことを含むSnめっき材の製造方法。
(10)工程(c)と工程(d)の間に前記Snめっき層の表面を亜鉛塩の水溶液に接触させる工程を行う(9)に記載の製造方法。
めっき母材として使用する銅又は銅合金は、コネクタや端子等の電子部品に使われる母材として公知である任意の銅又は銅合金としてよいが、電気・電子機器の接続端子等に用いられることを考慮すれば、電気伝導率の高いもの(例えば、IACS(International Anneild Copper Standerd:国際標準軟銅の導電率を100としたときの値)が15〜80%程度)を用いるのが好ましく、例えばCu−Sn−P系(例えば燐青銅)、Cu−Zn系(例えば黄銅、丹銅)、Cu−Ni−Zn系(例えば洋白)、Cu−Ni−Si系(コルソン合金)、Cu−Fe−P系合金などが挙げられる。また、母材の形状には特に制限はないが、一般には板、条、プレス品などの形態として提供され、前めっき及び後めっきの何れでも構わない。
下地めっき層はめっき母材表面に形成され、本発明ではNi又はNi合金めっきが下地めっき層として施される。下地めっき層のNi又はNi合金めっきは、母材からSnめっきへのCuや合金元素の拡散を防止するバリアとなる。母材成分のCuは表層めっきのSnと相互拡散し、経時的にSn−Cu合金が生成されるが、これがウィスカーの発生原因となる場合がある。またSn−Cu合金がめっき表面にまで達しこれが酸化すると、はんだ付け性や接触抵抗が劣化する。
中間層のめっきとして、下地めっき層の上にCu−Znめっき層を形成し、その上に更に表面Snめっき層を形成した後に加熱処理を施すことでSnめっき層中のSnとCu−Znめっき層中のCu及びZnが相互に熱拡散して少なくともSnめっき層に接する側にSn−Cu―Zn合金層が形成される。このとき、Snの拡散具合に応じて、Cu−Znめっき層がすべてSn−Cu―Zn合金層に変化する場合と、Cu−Znめっき層が下部に残留し、Cu−Znめっき層とSn−Cu―Zn合金めっき層の2層に分かれる場合があるが、本発明においては何れの場合でも得られる合金層は中間Cu−Zn系めっき層とよぶ。Sn−Cu−Zn合金めっきははんだ付け性がよく、耐熱性にも優れる。Cu−ZnとSnの相互拡散は常温においても進展し得るが、熱拡散反応の制御及び促進のためには150℃以上の温度で加熱処理をするのが好ましい。加熱処理はウィスカー防止の観点ではSnの融点(232℃)以上に加熱するリフロー処理(加熱、溶融)の方が望ましい。
Cu−Znめっきは一般的に行われている方法で形成すればよく、例えばシアン浴を用いて電気めっきすればよい。
また、後述するSn−Cu−Zn合金層の好ましい組成を達成するには、加熱処理前のCu−Znめっき層中におけるZn濃度を5〜10000質量ppm、好ましくは20〜8000質量ppmとするのが望ましい。
ただし、Sn−Cu−Zn合金層は表面Snめっき層との界面においてZn濃度が局所的に高いZn濃縮層を一般に有する。これはZnが加熱処理によって拡散し、上記境界に移動したためと考えられる。Zn濃縮層は一般に1質量%を超えて10質量%までであり、典型的には2〜7質量%のZn濃度を有する。この局所的なZn濃縮層は一般に厚みが0.01〜0.3μm、典型的には0.1〜0.2μmである。このZn濃縮層はSnめっき材の耐熱性をより向上させる。
中間層の上に表層めっきとしてSnめっきを施す。コネクタの挿入力はSnめっき厚さにも依存し、めっきが薄いほど挿入力は低くなる。ただしSnめっきが薄くなるとはんだ付け性等が悪くなるため、挿入力とはんだ付け性等を両立させるめっき厚の下限値が存在する。
この酸化物層中のO濃度は導電性を得るために3〜70質量%であるのが好ましく、10〜50質量%であるのがより好ましい。
本発明において規定する各特性は以下の方法によって測定した。
(1)下地Ni層及びめっき直後のSnめっき層の厚み
下地Ni層及びめっき直後のSnめっき層の厚みは、蛍光X線膜厚計(セイコー電子工業製SFT−5100)を使用して測定した。分析は各試料片につき2箇所に対して行い、その平均値を測定値とした。
測定条件:コリメータ計:100μm
(2)上記以外のめっき層の厚み、めっき組成、最表面酸化物層の厚み及び組成
下地Ni層及びめっき直後のSnめっき層の厚み以外のめっき層の厚み、めっき組成、最表面酸化物層の厚み及び組成はグロー放電質量分析計(FI. Elemental Analysis社製型式VG9000)を使用して測定した。分析は各試料片につき2箇所に対して行い、その平均値を測定値とした。
測定条件:
・到達真空度:5×10-10Torr(Arガス導入時1×10-8Torr)
・イオン種:Ar+
・加速電圧1kV
・掃引面積:2×3mm
・スパッタリングレート:1min≒0.005μm
図1はグロー放電質量分析計を用いて得られたデータの例である(試料No.9)。表面Snめっき層の厚みは最表面から中間層成分であるのCuが検出されるまでの地点(但し、Zn高濃度層がめっき材の最表面に存在する場合はZn濃度が1000質量ppmを超える地点までの厚みを控除する。)とし、中間Cu−Zn系めっき層の厚みはCu、Zn及びSnの3成分が検出される領域とした。また、図1と図2よりNo.9のSnめっき材は、下地Ni/Sn−Cu−Zn/表層Sn/Zn高濃度層のめっきの構造であることが分かる。また、Sn−Cu−Zn合金層の組成は、図1のSuとCuとZnがすべて検出される領域の各元素の平均濃度を採用して、Zn:6000質量ppm、Sn:47.4質量%、Cu:42.0質量%であった。Sn−Cu−Zn合金層中で表面Snめっき層との境界に位置するZn濃縮層の厚みはZnが1質量%を超えて検出される領域とした。Zn濃縮層のZn濃度はZn濃縮層中に検出されるZn濃度の最大濃度(質量%)とした。No.9については、Zn濃縮層の厚みは0.12μmであり、Zn濃縮層のZn濃度は4質量%であった。No.9の試料には存在しないがCu-Znめっき層が残留する場合にはSnが検出されず且つCuが検出される領域をCu-Znめっき層の厚みとした。
図2は試料No.9の最表面近傍をグロー放電質量分析計用いて測定したデータの例である。図2より、Zn高濃度層の平均Zn濃度は17000ppmであった。最表面酸化物層の厚みは最表面から酸素が検出されるまでの地点とした。最表面酸化物層中のO濃度は36質量%であった。
表層Zn高濃度層中のZn濃度及び該層の厚さは、上記グロー放電質量分析計を使用して測定した。
図2より、最表面から深さ5nm付近までのZn高濃度層中の平均Zn濃度は17000ppmであった。また、Zn高濃度層の厚みは最表面からZn濃度が1000質量ppmを超える地点までとした。
ソルダーチェッカ(レスカ社製SAT−5000)を使用し、フラックスとして市販のRMA級フラックスを用い、メニスコグラフ法にて半田濡れ時間を測定した。半田としてSn−3Ag−0.5Cu(250℃)を用いた。
山崎精機製接点シミュレーターCRS−1を使用し、接点荷重50g、電流200mAの条件で4端子法にて測定した。
測定装置として薪東科学株式会社製HEIDEN−14型を使用し、圧子荷重500gの条件で測定した。
試料No.1では、母材として厚さ0.3mmの燐青銅条を端子形状にプレス加工したものを使用した。それ以外の試料(No.2〜16)ではめっき母材として厚さ0.3mmの純銅板を用いた。
母材表面に対して、Niめっき(スルファミン酸浴を基本として硫酸コバルト(No.5)や亜りん酸(No.4)を添加、陰極電流密度:4A/dm2、めっき直後のめっき厚さ:0.8μm)、及び中間層のCu−Znめっき(シアン浴、陰極電流密度:2A/dm2、めっき直後のめっき厚さ:0.25μm、めっき中Zn濃度:3〜16000質量ppm)を施した後、表1に記載の各条件でSnめっき(メタンスルホン酸浴)及びリフロー処理を行ってリフローSnめっき材を作製した。リフロー時の雰囲気は、酸素5体積%、窒素95%としてSnめっき材最表面に酸化物層を形成した。ただし、試料No.3は酸素10体積%、窒素90%、試料No.15とNo.16は酸素21体積%、窒素79%の雰囲気でリフローを行った。一方、表層めっきにZn高濃度層を形成した試料(No.9及び10)は、リフロー前にめっき材を50℃の硫酸亜鉛0.5%水溶液中に5秒(No.9)及び硫酸亜鉛10%水溶液中に5秒(No.10)浸漬させて作製した。No.15はNo.9及びNo.10よりも更にZn濃度の高い表層を得るために硫酸亜鉛20%水溶液中に3秒浸漬させて作製した。得られた各試料のめっき構造を表2に示す。
各試料の評価結果を表3に示す。
Claims (10)
- 銅又は銅合金の表面に下地Niめっき層、厚さ0.35〜0.8μmの中間Cu−Zn系めっき層及び表面Snめっき層を順に有するSnめっき材であって、下地Niめっき層はNi又はNi合金で構成され、中間Cu−Zn系めっき層はSn−Cu−Zn合金層で構成されているか、又は、下地Niめっき層と接する側の厚み0.1μm未満のCu−Znめっき層と表面Snめっき層に接する側のSn−Cu−Zn合金層の2層で構成されており、Sn−Cu−Zn合金層はCu:3〜60質量%、Zn:5〜10000質量ppm、残りSnの組成を有するSnめっき材。
- 前記表面Snめっき層の厚さが0.1〜1.2μmである請求項1に記載のSnめっき材。
- 最表面にZn濃度が0.1質量%を超えて10質量%までのZn高濃度層をさらに有する請求項1又は2に記載のSnめっき材。
- 前記Zn高濃度層の厚さが3〜100nmである請求項3に記載のSnめっき材。
- 前記下地Niめっき層がNi−P合金で構成される請求項1〜4の何れか一項に記載のSnめっき材。
- 前記Sn−Cu−Zn合金層は、前記表面Snめっき層との境界にZn濃度が1質量%を超えて10質量%までのZn濃縮層を有する請求項1〜5の何れか一項に記載のSnめっき材。
- 前記Zn濃縮層の厚さが0.01〜0.3μmである請求項6に記載のSnめっき材。
- 請求項1〜7の何れか一項に記載のSnめっき材を用いた電子部品。
- 以下の工程:
(a)銅又は銅合金の表面にNi又はNi合金めっき層を厚さ0.1〜5μmで形成する工程と、
(b)次いで該Ni又はNi合金めっき層の上にCu−Znめっき層を厚さ0.1〜0.5μmで形成する工程と、
(c)次いで該Cu−Znめっき層の上にSnめっき層を厚さ0.2〜2.5μmで形成する工程と、
(d)次いで加熱炉温度260〜550℃で2〜60秒間のリフロー処理による熱拡散反応をもって、前記Ni又はNi合金めっき層と前記Snめっき層の間の、少なくとも前記Snめっき層側にCu:3〜60質量%、Zn:5〜10000質量ppm、残りSnの組成をもつSn−Cu−Zn合金層を有する中間Cu−Zn系めっき層を形成する工程と、
を行うことを含むSnめっき材の製造方法。 - 工程(c)と工程(d)の間に前記Snめっき層の表面を亜鉛塩の水溶液に接触させる工程を行う請求項9に記載の製造方法。
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