JP5695841B2 - Ｌｅｄ用リードフレーム - Google Patents

Description

本発明は、液晶ディスプレイのバックライト、照明器具、自動車のヘッドランプやリアランプ等に用いられる発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を光源とする発光装置を構成するＬＥＤ用リードフレームに関する。

近年、ＬＥＤ素子を光源とする発光装置が、省エネルギかつ長寿命である利点を活かして、広範囲の分野に普及し、各種機器に適用されている。ＬＥＤ素子を光源とする発光装置の一例として、表面実装型の発光装置の構造および動作について、図７を参照して説明する。図７はＬＥＤ素子を光源とする表面実装型の発光装置の模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線矢視断面図である。

図７（ａ）、（ｂ）に示すように、発光装置１００は、ＬＥＤ素子（図中では「ＬＥＤ」と記載する。）と、ＬＥＤ素子が収容される凹状の素子実装部１２２が形成された樹脂製のＬＥＤ素子実装体１０２と、ＬＥＤ素子実装体１０２の外側から素子実装部１２２内側へ貫通する帯状の銅等からなる一対のリード部材１０１ａ，１０１ｂと、備える。ＬＥＤ素子実装体１０２は、素子実装部１２２の上方が広がって開口したカップ状で、この素子実装部１２２の開口部から、ＬＥＤ素子の発光した光が発光装置１００の外部へ照射される。

一対のリード部材１０１ａ，１０１ｂのそれぞれにおいて、素子実装部１２２の底面１２２ａに配設された領域をインナーリード部１１５ａ，１１５ｂ、ＬＥＤ素子実装体１０２の外側に延出された領域をアウターリード部１１６ａ，１１６ｂと称する。ＬＥＤ素子は、素子実装部１２２の底面１２２ａの略中央の、一方のリード部材１０１ａのインナーリード部１１５ａの上面にシリコーンダイボンド材等からなる接着剤（図示省略）によって接着され、ＬＥＤ素子の電極（図示省略）が一対のリード部材１０１ａ，１０１ｂのそれぞれのインナーリード部１１５ａ，１１５ｂにボンディングワイヤ（ワイヤ）で接続されている。また、素子実装部１２２内は、エポキシ樹脂等の透明な封止樹脂（図示省略）が充填されて封止されている。そして、一対のリード部材１０１ａ，１０１ｂのそれぞれのアウターリード部１１６ａ，１１６ｂが図示しない電源に接続されてＬＥＤ素子に電流が供給される。なお、本明細書における「上」とは、原則として、リード部材のＬＥＤ素子が搭載される側を指し、図７（ｂ）における上である。

このような発光装置１００においては、ＬＥＤ素子の発光部（発光層）が発光して、この発光部を中心に光を放射し、素子実装部１２２内のあらゆる方向へ照射される。これらの光のうち、上方へ照射された光は直接、素子実装部１２２の開口部から発光装置１００の外部へ出射して照明光等として利用される。しかし、それ以外の、側方や下方へ照射された光は、素子実装部１２２の側面１２２ｂおよび底面１２２ａならびにリード部材１０１ａ，１０１ｂのインナーリード部１１５ａ，１１５ｂ表面に入射する。そこで、これらの面は、ＬＥＤ素子から入射した光をよく反射させるように、光反射率（以下、反射率という）を高くすることが求められている。特にＡｇは、金属の中で最も高い反射率を示すため、多くの光を反射させるためにこのような面に設ける反射膜の材料として最適である。

しかし、Ａｇは、発光装置１００の使用時間の経過と共に、大気や封止樹脂に含まれるハロゲンイオンや硫黄と反応して表面に塩化物（ＡｇＣｌ）等のハロゲン化物や硫化物（Ａｇ₂Ｓ）を形成するため、これらの生成物により反射膜の表面が黒褐色に変色したり凝集して表面が荒れ、またＡｇはＬＥＤ素子から発生する熱によっても凝集するため、反射率が劣化するという問題がある。また、封止樹脂にエポキシ樹脂を用いた場合には、この透明なエポキシ樹脂に反射膜中のＡｇが拡散してＡｇのナノ粒子として析出し、褐色に変色させて光透過性を劣化させる。

この問題を解決するために、例えば、特許文献１には、封止樹脂にシリコーン樹脂を適用し、反射面の純Ａｇめっき層に、塩化物や硫化物を形成し難いＡｇ−Ａｕ合金めっき層をさらに被覆したリードフレームが記載されている。また、特許文献２には、Ｇｅ，Ｂｉを含有するＡｇ合金膜をめっき等で成膜した後、熱可塑性樹脂でリフレクタ（図７のＬＥＤ素子実装体１０２に相当）を形成することで、あるいは熱処理を行うことで、その際の加熱により前記Ａｇ合金膜のＧｅ，Ｂｉを拡散させて表面に濃化させ、ハロゲン化銀を形成し難くしたリードフレームが記載されている。

特開２００８−９１８１８号公報（請求項１，２、段落番号００１５〜００１６） 特開２００８−１９２６３５号公報（請求項１）

しかしながら、特許文献１のＡｇ−Ａｕ合金膜は、塩化物や硫化物を形成し難くするためにＡｇ含有量を５０質量％未満に制限したＡｕを主成分とする合金からなり、Ａｇと比較して反射率に劣り、さらにコストも高くなる。特許文献２のＡｇ合金膜では、めっきでＧｅ，Ｂｉ濃度を制御したＡｇ合金膜を成膜することが困難である上、その後の熱処理によりＡｇ合金膜表面で安定してＧｅ，Ｂｉを濃化させることも困難である。特に、硫化物形成を防止するＧｅの拡散には温度および時間が不十分であり、このようなＡｇ合金膜では硫化物の形成が十分に抑制できない上、封止樹脂とするシリコーン樹脂には、樹脂の硬化触媒として塩化白金酸のような金属塩化物や金属硫化物等が含まれている。

本発明の課題は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、高い反射率を長期間維持でき、また安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームを提供することにある。

本発明者らは、ＬＥＤ用リードフレームの反射面に被覆する反射膜を形成するＡｇを主成分とする材料を、主に硫化物の形成を抑制する（耐硫化性）元素としてＧｅを、主にハロゲン化物の形成を抑制する（耐ハロゲン化性）元素としてＢｉを、添加したＡｇ合金とすることにした。そして、これらの添加元素Ｇｅ，Ｂｉの効果が十分なものとなる量を反射膜に一様に添加するとＡｇの高反射率が損われるために、反射膜の表面近傍のみにおいてＧｅ，Ｂｉを高濃度とする方法を鋭意研究した。前記特許文献２に記載されたような、Ａｇ合金膜への熱処理により表面のＧｅ，Ｂｉを濃化する方法では、Ｇｅを濃化するためには高温および長時間を要し、このような熱処理を行うとＡｇが凝集してしまう。そこで、Ａｇ合金膜をスパッタリング法で形成することで、成膜時に、表面から１０ｎｍ程度の深さの領域においてＧｅ，Ｂｉが高濃度となって、熱処理等の成分濃化を行うことなく表面のＧｅ，Ｂｉ濃度が高いＡｇ合金膜が得られることを見出した。

スパッタリング法で成膜することにより、成膜後に熱処理等の成分濃化を行うことなく表面のＧｅ，Ｂｉ濃度が高いＡｇ合金膜が得られるが、一方、スパッタリング法でＬＥＤ用リードフレームの反射膜を形成するには、以下の問題がある。ＬＥＤ用リードフレームの基板には導電性に優れたＣｕまたはＣｕ合金が好適であるが、基板を被覆する反射膜（Ａｇ合金膜）が薄いと、Ａｇ合金膜の形成後のＬＥＤ用リードフレームの製造工程、さらに発光装置の製造工程での加熱、例えばワイヤボンディングや封止樹脂の充填等の際に、基板からＣｕがＡｇ合金膜の表面まで拡散し、表面が変色して反射率が低下する。このような基板からのＣｕの熱拡散を防止するためには、０．６μｍ以上の厚さの膜で基板を被覆することが望ましいが、スパッタリング法ではこのような厚膜の形成は時間がかかり生産性に劣る。また、スパッタリング法等の物理蒸着による膜は、めっき膜と異なり、厚膜にしても下地の表面形状が膜の表面形状に保持される。Ｃｕ等で形成した基板は表面にある程度の凹凸があるため、このような表面形状が保持された凹凸のある反射膜とすると、拡散反射（乱反射）に伴う多重反射により発光装置の出射光量が減衰することになる。

そこで、本発明者らは、基板からのＣｕの熱拡散を防止し、かつ下地（基板）の表面形状に対して平滑な表面形状とするためにめっき膜を形成して、その上にＧｅ，Ｂｉを所定濃度に添加したＡｇ合金膜をスパッタリング法で成膜することに想到した。さらに、本発明者らは、めっき膜として好適な材料について鋭意研究した結果、Ａｇの熱による凝集は結晶粒径を大きくすると抑制されるため、結晶粒径の比較的大きいＡｇめっき膜を下地としてＡｇ合金膜を成膜することでその結晶粒径も大きくし、また熱によるＣｕの拡散を抑制する（耐Ｃｕ拡散性）効果の大きいＮｉからなるめっき膜を、基板表面に形成することに想到した。

すなわち本発明に係るＬＥＤ用リードフレームは、銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成された膜厚０．４μｍ以上のＮｉめっき膜と、このＮｉめっき膜上に形成された膜厚０．２μｍ以上のＡｇめっき膜と、このＡｇめっき膜上にスパッタリング法で形成されて、膜厚２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有するＡｇ合金膜とを備え、前記Ｎｉめっき膜と前記Ａｇめっき膜の膜厚の合計は１０μｍ以下であることを特徴とする。

また、本発明に係るリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームは、上方に開口した凹状の素子実装部が形成されたＬＥＤ素子実装体と、このＬＥＤ素子実装体に支持され、前記素子実装部の底面に互いに離間領域を隔てて配設されて、それぞれが当該素子実装部から前記ＬＥＤ素子実装体の外側に延出した一対のリードフレームとを備え、前記ＬＥＤ素子実装体をリフレクタとするものである。前記リードフレームは、銅または銅合金からなる基板と、前記素子実装部の内側において前記基板上に形成された膜厚０．４μｍ以上のＮｉめっき膜と、このＮｉめっき膜上に形成された膜厚０．２μｍ以上のＡｇめっき膜と、このＡｇめっき膜上に形成された膜厚２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＡｇ合金膜とを備え、前記Ｎｉめっき膜と前記Ａｇめっき膜の膜厚の合計は１０μｍ以下であり、前記ＬＥＤ素子実装体は、絶縁材料からなる基体と、前記離間領域を除く領域において前記素子実装部の表面に形成された膜厚７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＡｇ合金膜とを備え、前記それぞれのＡｇ合金膜は、スパッタリング法で形成され、Ｇｅ：０．０６〜０．５ａｔ％およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有することを特徴とする。

このように、表面にスパッタリング法でＧｅ，Ｂｉを所定量含有するＡｇ合金膜を被覆することにより、硫黄やハロゲンイオン、熱等によるＡｇの凝集や変色を引き起こさず、高い反射率を維持できる耐久性に優れた反射膜となり、さらにＡｇが封止樹脂に拡散して変色させることがないため、搭載されたＬＥＤ素子の発光した光を高効率で継続して利用することを可能とする。また、Ａｇ合金膜をＡｇめっき膜表面に成膜することで、結晶粒径を大きくして、熱によるＡｇの凝集をいっそう抑制できる。さらに、基板上にＣｕの熱による拡散を抑制する効果の大きいＮｉでめっき膜を形成することにより、比較的薄いめっき膜でも基板から表面にＣｕが拡散して変色することを防止できる。また、これらのめっき膜により基板の表面に対して平滑な表面となって、高い正反射率を示す反射膜となる。また、ＬＥＤ素子を囲繞するＬＥＤ素子実装体をリフレクタとして備えたリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームにおいては、このＬＥＤ素子実装体の内面にも前記のＡｇ合金膜を被覆することで、ＬＥＤ素子から側方へ照射された光も高効率で外部へ出射される。

また、前記の本発明に係るＬＥＤ用リードフレームおよびリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームのそれぞれにおいて、Ａｇ合金膜がさらにＡｕ：０．５〜５ａｔ％を含有してもよい。Ａｕもハロゲン化物の形成を抑制する作用を有するため、いっそう耐久性に優れた反射膜となる。

また、前記の本発明に係るＬＥＤ用リードフレームおよびリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームのそれぞれにおいて、Ａｇ合金膜の表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることが好ましい。このように二乗平均粗さの小さい表面とすることにより、さらに高い正反射率を示す反射膜となる。

また、前記の本発明に係るＬＥＤ用リードフレームおよびリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームのそれぞれにおいて、Ａｇ合金膜上に、さらに、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属の金属酸化膜または２種以上からなる合金の金属酸化膜を膜厚０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下で備えてもよい。これらの金属または合金の酸化膜を表面に備えることで、Ａｇ合金膜に外部から硫黄が接触することを防止し、いっそう耐久性に優れた反射膜となる。

本発明のＬＥＤ用リードフレームおよびリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤ素子を搭載して、その発光した光を高効率で利用して照明光の明るさを向上させ、使用時間の経過による照明光の減衰等の劣化を抑えた発光装置とすることができる。

本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの構成を模式的に示す断面図であり、（ａ）は第１実施形態、（ｂ）は第１実施形態の変形例を示す図である。 本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレームおよびその基板の模式図であり、（ａ）は基板の平面図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図、（ｃ）はＬＥＤ用リードフレームの断面図である。 本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームのＡｇ合金膜を形成される前の模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線矢視断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ線矢視断面図である。 本発明の第２実施形態の別の変形例に係るＬＥＤ用リードフレームの模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線矢視断面図である。 光の反射を説明する発光装置のモデルであり、（ａ）は正反射、（ｂ）は拡散反射を示す。 ＬＥＤ素子を光源とする表面実装型の発光装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線矢視断面図である。

本発明のＬＥＤ用リードフレームおよびリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム（以下、適宜、ＬＥＤ用リードフレーム）は、ＬＥＤ素子を光源として実装される発光装置を構成するための部品であり、発光装置の形状および形態、ならびにＬＥＤ素子の実装形態、製品としてユーザに提供する形態等に応じて、所要の形状および形態に構成される。以下、本発明のＬＥＤ用リードフレームについて、図面を参照して詳細に説明する。

〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームについて、図１を参照して説明する。第１実施形態およびその変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０，１０Ａは、発光装置に組み込んだときに、光源であるＬＥＤ素子にこのＬＥＤ素子を発光動作させる電流を供給するための配線であり、かつ、ＬＥＤ素子の発光した光を反射させる反射板である。

第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０は、基板１１と、基板１１の少なくとも一方の面に形成されたＮｉめっき膜１２ａと、その上に形成されたＡｇめっき膜１２ｂと、さらにその上に形成されたＡｇ合金膜１３と、を備える。Ｎｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、およびＡｇ合金膜１３は、図１（ａ）に示すように基板１１のＬＥＤ素子が搭載される側の面になる上面（以下、適宜表面という）のみに形成されていてもよいし、基板１１の下面（裏面）を含めた両面に形成されていてもよく、さらには、基板１１の表面の一部の領域、例えば発光装置に組み込まれたときにＬＥＤ素子の発光した光が入射する領域のみに形成されていてもよい。したがって、ＬＥＤ用リードフレーム１０は、裏面や、表面の前記以外の領域においては、基板１１が露出していてもよいし、これらの膜１２ａ，１２ｂ，１３のすべてまたはいずれか１、２層のみが形成されていてもよい。例えば、図１（ｂ）に示す第１実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ａは、その裏面においてＮｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂのみを積層されている。なお、Ｎｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂの積層膜を、適宜、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２として示す。また、ＬＥＤ用リードフレーム１０の平面視形状は特に限定されず、発光装置の形状および形態等に応じて設計され、例えば、後記の第２実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレームの基板１１Ａ（図３（ａ）参照）のように、複数個のＬＥＤ用リードフレーム１０が連結された構成としてもよい。

（基板）
基板１１は、銅または銅合金からなり、ＬＥＤ用リードフレーム１０の形状に成形される。銅合金としては、銅を主成分とし、Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｂ等の元素の１種または２種以上を含有する合金、例えばＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金を用いることができる。基板１１の板厚は特に限定されないが、形状と同様に、発光装置の形状および形態等に応じて決定され、圧延等により、この所要の厚さの素板（圧延板）とし、これをプレス加工やエッチング加工等により所要の形状に成形することによって製造することができる。

（Ｎｉめっき膜）
本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０において、Ｎｉめっき膜１２ａは基板１１の表面に設けられ、熱により基板１１からＣｕが当該Ｎｉめっき膜１２ａを経由してＡｇめっき膜１２ｂ、さらにＡｇ合金膜１３に拡散することを抑制して、その表面すなわちＬＥＤ用リードフレーム１０表面にＣｕが到達、変色することを防止する。後記の通り、Ａｇ合金膜１３はスパッタリング法により成膜されるが、スパッタリング法による膜だけで基板１１からのＣｕの熱拡散による表面の変色を防止できる膜厚にすることは、生産性の上で好ましくない。また、厚膜化の容易なめっき膜を設ける場合も、Ａｇからなる膜の場合、Ｃｕの熱拡散による表面の変色を防止するためには、スパッタリング法による膜（Ａｇ合金膜１３）と合わせて０．６μｍ以上の厚さが必要である。これに対して、Ｎｉは、Ｃｕの熱による拡散を抑制する効果（耐Ｃｕ拡散性）がＡｇよりも高いので、Ａｇのみで膜を設けるよりも薄い膜厚でＣｕの熱拡散による表面の変色およびそれに伴う反射率の劣化を防止できる。本発明においては、耐Ｃｕ拡散性すなわち耐熱性をいっそう向上させるために、Ｎｉめっき膜１２ａの膜厚は０．４μｍ以上とし、好ましくは０．８μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。このようなＮｉめっき膜１２ａを基板１１上に形成することで、原料費の高いＡｇを含む膜（Ａｇめっき膜１２ｂ、Ａｇ合金膜１３）を厚膜化する必要がない。

また、スパッタリング法等の物理蒸着による膜は、厚く形成されても下地の表面形状が膜の表面形状に保持される。すなわち、Ｎｉめっき膜１２ａは、後記のＡｇめっき膜１２ｂと合わせて、Ａｇ合金膜１３の表面すなわちＬＥＤ用リードフレーム１０の反射面を平滑にする役割も有する。なお、Ｎｉめっき膜１２ａの膜厚の上限は規定しないが、後記するように、Ａｇめっき膜１２ｂとの合計の厚さが１０μｍ以下になるようにする。

Ｎｉめっき膜１２ａは、平滑な表面を形成するめっき膜であれば、成分はＮｉ単体に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＮｉ合金で形成されるめっき膜であってもよく、また、電気めっき等の公知のめっき方法で形成することができる。

（Ａｇめっき膜）
本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０において、Ａｇめっき膜１２ｂは、Ｎｉめっき膜１２ａの表面に設けられて、Ａｇ合金膜１３の下地となる。ここで、Ａｇの熱による凝集は結晶粒径にも依存し、結晶粒径が大きいと凝集し難く、具体的には１００ｎｍ以上が好ましい。そして、Ａｇ合金膜１３は、スパッタリング法にて成膜される際に、下地とする金属表面でエピタキシャル成長するため、Ａｇ合金膜１３の結晶はこの下地金属の結晶に引きずられる形で成長して、その結晶粒径に近い結晶粒径になる。Ａｇ合金膜１３がＮｉめっき膜１２ａ表面に成膜された場合、その結晶粒径は５０ｎｍ以下までにしか成長せず、熱によりＡｇが凝集することを抑制する作用（耐凝集性）が不十分となる。したがって、結晶粒径の比較的大きいＡｇめっき膜１２ｂを設けて、これを下地としてその上のＡｇ合金膜１３の結晶粒径を大きくする。Ａｇめっき膜１２ｂの結晶粒径を１００ｎｍ以上に大きくするために、Ａｇめっき膜１２ｂの膜厚は０．２μｍ以上とし、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。なお、Ａｇめっき膜１２ｂの膜厚の上限は規定しないが、不必要に厚く形成されるとコスト高となり、また後記するように、Ｎｉめっき膜１２ａとの合計の厚さが１０μｍ以下になるようにする。

また、Ａｇめっき膜１２ｂは、発光装置としたときにＬＥＤ素子から照射される光を反射する役割を有し、さらに前記したように、Ｎｉめっき膜１２ａと合わせて、Ａｇ合金膜１３の表面を平滑にする役割も有する。Ａｇめっき膜１２ｂは、平滑な表面を形成するめっき膜であれば、公知のめっき方法で形成される無光沢Ａｇめっき、半光沢Ａｇめっき、光沢Ａｇめっきのいずれであってもよいが、発光装置としたときにＬＥＤ素子から照射された光を高効率で外部へ出射するためには光沢Ａｇめっきが最も好ましい。また、成分はＡｇ単体（純Ａｇ）に限定されず、例えば、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金等のＡｇ合金で形成されるめっき膜であってもよい。

Ｎｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂのそれぞれ単独の膜厚の上限は規定しないが、Ｎｉめっき膜１２ａとＡｇめっき膜１２ｂとの合計の厚さ、すなわちＮｉ／Ａｇめっき膜１２の厚さが１０μｍ以下になるようにする。Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２の厚さが１０μｍを超えても、Ｃｕの熱拡散防止（耐Ｃｕ拡散性）や表面の平滑化の効果が飽和する。好ましくは８μｍ以下、より好ましくは６μｍ以下である。なお、Ｎｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂそれぞれの膜厚の範囲から、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２の厚さは０．６μｍ以上となるが、Ａｇ合金膜１３の表面をより平滑にする上で、基板１１の表面粗さにも影響されるが、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２の厚さは好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２．２μｍ以上である。

（Ａｇ合金膜）
Ａｇ合金膜１３は、Ａｇめっき膜１２ｂ上の、ＬＥＤ用リードフレーム１０の最表面に設けられ、発光装置としたときに、Ａｇめっき膜１２ｂのＡｇが大気や封止樹脂に含まれるハロゲンイオンや硫黄と反応して黒褐色化や凝集することを防止するための保護膜としての役割を有する。このＡｇ合金膜１３は、Ｇｅ：０．０６〜０．５ａｔ％、およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有し、残部が不可避的不純物およびＡｇからなるＡｇ合金で構成される。

Ａｇ合金膜１３を構成するＡｇ合金において、Ｇｅ，Ｂｉは、それぞれが、熱によりＡｇが凝集することを抑制する作用（耐凝集性）、およびハロゲンイオンにより塩化銀等のハロゲン化銀を形成することを抑制する作用（耐ハロゲン化性）を有する。特に、Ｂｉは耐ハロゲン化性の効果に優れる。一方、Ｇｅは、さらに硫黄により硫化銀を形成することを抑制する作用（耐硫化性）を有する。したがって、Ｇｅ，Ｂｉの両方の元素を添加することにより、Ａｇ合金膜１３中のＡｇが凝集して表面が荒れることや、硫化銀や塩化銀等の生成物で黒褐色化することを防止する。Ａｇ合金膜１３において、Ｇｅの含有率が０．０６ａｔ％未満、Ｂｉの含有率が０．０２ａｔ％未満では、それぞれ前記効果が十分に得られず、特にＧｅが不足した場合は耐硫化性が、Ｂｉが不足した場合は耐ハロゲン化性が、それぞれ不十分となり、Ａｇ合金膜１３の表面が黒褐色化したり荒れて反射率が劣化する。したがって、Ｇｅの含有率は０．０６ａｔ％以上とし、好ましくは０．１ａｔ％以上、より好ましくは０．２ａｔ％以上である。同様に、Ｂｉの含有率は０．０２ａｔ％以上とし、好ましくは０．０４ａｔ％以上、より好ましくは０．０７ａｔ％以上である。

一方、これらの添加元素が多くなるとＡｇ合金膜１３の表面が黄色化して反射率が低下するため、Ｇｅの含有率は０．５ａｔ％以下、Ｂｉの含有率は０．２ａｔ％以下とする。好ましくは、Ｇｅ，Ｂｉの各含有率（ａｔ％）を［Ｇｅ］、［Ｂｉ］と表したとき、（７×[Ｇｅ]＋１３×[Ｂｉ]）が４以下とする。

前記Ｇｅ，Ｂｉの各含有率はＡｇ合金膜１３の膜全体での平均値であり、実際にはＡｇ合金膜１３の表面から１０ｎｍ程度の深さの領域においてＧｅ，Ｂｉが高濃度に分布しているために、これらの元素による前記効果が得られる。このような濃度分布の膜とするため、Ａｇ合金膜１３はスパッタリング法にて形成する。また、スパッタリング法では、所定の組成の合金ターゲットを形成できれば所望の組成の膜を容易にかつ再現性よく成膜できる。

Ａｇ合金膜１３を構成するＡｇ合金に、さらにＡｕを０．５ａｔ％以上添加してもよい。ＡｕもＡｇ合金に耐ハロゲン化性を付与し、Ａｇ合金膜１３の表面がハロゲンイオンにより黒褐色化することをいっそう防止できる。より好ましくは１ａｔ％以上、さらに好ましくは２ａｔ％以上である。一方、Ａｕの含有率が５ａｔ％を超えるとＡｇ合金膜１３の反射率が低下するため、Ａｕの含有率は５ａｔ％以下とする。

Ａｇ合金膜１３の膜厚は２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。Ａｇ合金膜１３の膜厚が２０ｎｍ未満では、Ａｇめっき膜１２ｂの表面を完全に被覆できない虞がある。好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上である。特に、膜厚が７０ｎｍ以上になると、Ａｇ合金膜１３は光をほとんど透過せずにそれ自体が反射膜となる。一方、Ａｇ合金膜１３の膜厚が５００ｎｍを超えても、効果は飽和し、生産性が低下する。

また、Ａｇ合金膜１３は、表面の二乗平均粗さＲｒｍｓ（Root Mean Square Roughness：粗さの二乗平均平方根値）を３０ｎｍ以下とすることが好ましい。表面のＲｒｍｓが３０ｎｍ以下であれば、Ａｇ合金膜１３の正反射率が５０％以上、すなわち入射した光の半分以上を正反射させることができる。正反射率とは、入射光量に対する正反射による反射光（反射面に対して入射光と同じ角度で反射した光）の光量の割合である。正反射に対して、入射角に対してあらゆる角度で反射する現象を拡散反射（乱反射）という。ここで、光が反射膜で正反射する場合と拡散反射する場合の反射光の違いについて、図６に示す、下方および側方（素子実装部の底面および側面）に反射膜を備えて光源（ＬＥＤ素子の発光部）からの光を上方へ取り出す発光装置のモデルを参照して説明する。

光源から放射された光のうちの下方へ照射された光Ｌ₀について説明する。図６（ａ）に示すように、正反射率の高い底面に入射した光Ｌ₀は、そのほとんどが正反射して、反射光Ｌsとして上方へ照射されるので、光Ｌ₀は１回の反射で外部へ出射される。これに対して、図６（ｂ）に示すように、反射膜の正反射率が低い場合、光Ｌ₀は拡散反射により、あらゆる方向へ照射される反射光Ｌd₁となる。その一部は上方へ照射されて１回の反射で外部へ出射されるが、それ以外の光は、側面に入射して再び拡散反射したり（反射光Ｌd₂）、あるいは光源に入射する。このように、光源から照射された光Ｌ₀は外部へ出射されるまで、一部を除いて何度も反射を繰り返す（多重反射する）ことになる。

光は、反射する度に一部が反射面に吸収されて減衰するので、光Ｌ₀から反射光Ｌd₁、反射光Ｌd₁から反射光Ｌd₂と反射を繰り返すにしたがい、反射光の光量は段階的に減少する。このように反射率の内訳として拡散反射が多いと、多重反射により損失量が累積されて、光源すなわちＬＥＤ素子の発光した光に対して、発光装置の出射光となる光量は大きく減少することになる。本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０においては、Ａｇ合金膜１３のＲｒｍｓを制御することで正反射率を高くして、発光装置としたときに、ＬＥＤ素子の発光する光の多くが、光量の損失の少ない１、２回程度の反射で発光装置の外部へ出射するようにして、発光装置の照明光を明るくすることができる。

以上の理由から、Ａｇ合金膜１３の正反射率を高くするために表面を平滑とすることが好ましい。本発明において表面の平滑性を表す指標として用いる二乗平均粗さＲｒｍｓは、下式（１）で表される値であり、表面に存在する凹凸の表面高さの標準偏差である。したがって、例えば算術平均粗さＲａが同等であっても、高い突起や深い谷が多い表面ほどＲｒｍｓは大きくなる。すなわち、Ｒｒｍｓが大きいほど表面の凹凸が激しいことを示し、そのような表面に入射した光は拡散反射による反射が多くなって正反射率が減少し、Ｒｒｍｓが３０ｎｍを超えると、Ａｇ合金膜１３の正反射率が５０％未満となって入射した光の半分以上が拡散反射することになる。反対にＲｒｍｓが小さいほど表面が平滑となって正反射率が向上し、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以下である。

ここで、Ｚave：表面高さの平均値、Ｚji：個々の表面高さの測定値、Ｎ：測定点の数を示す。
具体的には、例えば、原子間力顕微鏡を用いて、任意の領域について表面高さ（Ｚji）を測定して式（１）によってＲｒｍｓを算出することができる。好ましくは、複数の領域について測定し、その平均値を適用する。

このような表面の二乗平均粗さＲｒｍｓが小さいＡｇ合金膜１３を形成するためには、下地表面の凹凸を小さくして同程度のＲｒｍｓにすればよい。しかしながら、基板１１をこのような平滑な表面とすることは困難である。前記したように、基板１１は銅または銅合金からなる圧延板を成形加工して製造されるが、圧延面に形成された酸化皮膜や、この酸化皮膜が脱落して圧延により埋め込まれた酸化物を除去するために、圧延後の研磨工程が必須である。この工程により研磨痕が表面に残るため、基板１１表面が粗くなり、Ｒｒｍｓでは６０〜１００ｎｍになる。そこで、Ａｇ合金膜１３が形成される下地表面を平滑にするために、基板１１の表面にＮｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂ（Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２）を成膜して平滑な下地表面とする。また、Ｎｉめっき膜１２ａを成膜する前に、基板１１の表面を硝酸を主成分とする強酸の混合液（キリンス酸）等を用いて酸によるエッチングを行ったり、コイニングにより基板１１の表面の凹凸を潰しておけば、Ｎｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂの膜厚を薄く形成しても平滑性が得られるので、より好ましい。

また、Ａｇめっき膜１２ｂとＡｇ合金膜１３との密着性をよくするために、Ａｇ合金膜１３を成膜する前に、Ａｇめっき膜１２ｂの表面にアルゴン（Ａｒ）のイオンビームを照射したり、Ａｒ雰囲気中で、Ｎｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂを形成された基板１１に高周波を印加することにより、Ａｇめっき膜１２ｂの表面の汚れを除去してもよい。

（金属酸化膜）
第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０は、Ａｇ合金膜１３上に、さらにＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属のまたは２種以上の合金の酸化膜（以下、適宜、金属酸化膜という）を設けてもよい（図示せず）。

Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗは、大気中等で表面に安定した酸化膜（不働態皮膜）を形成するため、硫黄と反応し難い。また、これらの金属は、元の金属に対する酸化物の体積比（ＰＢ比：Pilling-bedworth ratio）が１を超えるものであり、酸化により膨張するため、極めて薄い金属膜として成膜した時点でピンホールが形成されていた場合、酸化して金属酸化膜となることでピンホールが塞がれる。このような金属酸化膜は、極めて薄い、具体的には膜厚２ｎｍ以下であっても、Ａｇ合金膜１３表面を被覆する緻密な保護膜を構成し、Ａｇ合金膜１３が外部からの硫黄と接触することを防止する。

前記した通り、Ａｇ合金膜１３はＧｅを含有するＡｇ合金で構成されることで、Ａｇ合金膜１３自体が耐硫化性を有し、その下のＡｇめっき膜１２ｂを保護する。しかし、ＬＥＤ用リードフレーム１０が発光装置に組み込まれて、ＬＥＤ素子を搭載されて封止されるための封止樹脂にシリコーン樹脂を適用する場合、そしてこのシリコーン樹脂が金属硫化物を含有する材料である場合は、Ａｇ合金膜１３表面は常に硫黄と接触していることになる。あるいは、発光装置の使用環境に硫化水素が存在する場合、硫化水素が封止樹脂に拡散してＡｇ合金膜１３表面に到達する虞がある。これらのように、ＬＥＤ用リードフレーム１０が発光装置として使用された際に、表面すなわちＡｇ合金膜１３表面が比較的高濃度の硫黄に曝され続けた場合、Ａｇ合金膜１３を構成するＡｇ合金の成分による耐硫化性だけでは不十分で、長期間の使用で表面が黒褐色化して反射率が劣化する虞がある。したがって、ＬＥＤ用リードフレーム１０が発光装置に組み込まれた際の封止樹脂の材料や使用環境によっては、Ａｇ合金膜１３上に金属酸化膜を備えることが好ましい。

Ａｇ合金膜１３上に金属酸化膜を形成する場合、その膜厚は０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下とする。金属酸化膜の膜厚が０．１ｎｍ未満では、硫黄に対するＡｇ合金膜１３の保護膜として不十分である。金属酸化膜の膜厚は、厚いほどＡｇ合金膜１３の耐硫化性への効果が高いため、好ましくは０．２ｎｍ以上、より好ましくは０．３ｎｍ以上である。一方、Ａｇ合金膜１３は、ＬＥＤ用リードフレーム１０を発光装置に組み込んでＬＥＤ素子を実装する際の、当該ＬＥＤ用リードフレーム１０へのワイヤボンディングのための層でもあるため、それを被覆する金属酸化膜の膜厚が厚くなると、ＬＥＤ用リードフレーム１０のワイヤボンディング性が低下する。したがって、金属酸化膜の膜厚は５ｎｍ以下とし、好ましくは４．５ｎｍ以下、より好ましくは４ｎｍ以下である。

また、金属酸化膜は、その下地であるＡｇ合金膜１３の表面が平滑であるほど、薄い膜でもピンホールが形成され難くなるため、Ａｇ合金膜１３の耐硫化性への効果が高くなる。言い換えると、Ａｇ合金膜１３の表面が粗い場合は、金属酸化膜の膜厚を厚くする必要がある。前記した通り、本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０は、Ａｇ合金膜１３の表面の二乗平均粗さＲｒｍｓを３０ｎｍ以下とすることが、正反射率を高くするために好ましいが、さらにこの範囲の表面粗さとすることにより、金属酸化膜の膜厚を５ｎｍ以下において調整することでピンホールが形成され難くすることができる。

金属酸化膜は物理蒸着によって成膜することが好ましく、特にＡｇ合金膜１３と同じスパッタリング法を用いることが好ましい。Ａｇ合金膜１３と同じ成膜方法であれば、同じ装置でＡｇ合金膜１３と金属酸化膜を連続的に成膜することができる。スパッタリング法を用いて金属酸化膜を形成する場合、金属酸化膜と同じ組成の金属酸化物ターゲットを用いて直接に金属酸化膜を成膜してもよいし、金属（合金）ターゲットを用いて金属膜（合金膜）を成膜後、大気中等の酸素雰囲気で金属膜を酸化して金属酸化膜としてもよい。ただし、前記したように、膜厚２ｎｍ以下の金属酸化膜を形成する場合は、成膜時はピンホールが形成されている場合があるので、金属膜として成膜した後に酸化処理を行う。膜厚２ｎｍを超える金属酸化膜を形成する場合は、どちらのターゲットを用いてもよい。

Ａｇ合金膜１３上の金属酸化膜の膜厚は、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）法で測定することができる。具体的にはＸ線光電子分光分析装置を用いて、ＬＥＤ用リードフレーム１０の表面（金属酸化膜の表面）から深さ（膜厚）方向へ、金属酸化膜に含まれる金属元素および酸素元素Ｏ、ならびにＡｇの各濃度を測定し、表面から深さ方向へのプロファイルを得る。金属酸化膜に含まれる金属元素の濃度（含有率）が、最高濃度の１／２まで減少した深さを金属酸化膜の膜厚と規定することができる。

（製造方法）
第１実施形態のＬＥＤ用リードフレーム１０は、前記の構成を形成できる方法であれば特に制限されず、いずれの方法により製造してもよい。例えば、ＬＥＤ用リードフレーム１０は、基板１１を作製する基板作製工程Ｓ１、基板１１表面にＮｉめっき膜１２ａを形成するＮｉめっき工程Ｓ２、基板１１上のＮｉめっき膜１２ａ表面にＡｇめっき膜１２ｂを形成するＡｇめっき工程Ｓ３、そして、このＡｇめっき膜１２ｂ表面にＡｇ合金膜１３を形成するＡｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６を含む方法によって製造することができる（図示省略）。なお、各工程には、後記の第２実施形態も含めて説明のために、符号を付す。以下に、ＬＥＤ用リードフレームの製造方法の一例を説明する。

基板作製工程Ｓ１では、材料の銅または銅合金を連続鋳造して鋳造板（例えば、薄板鋳塊）を製造し、次に、焼鈍、冷間圧延、中間焼鈍および時効処理、さらに、仕上げ圧延、研磨等の工程を経て、所要の厚さの素板を製造する。この素板をプレス加工等により所要の形状に成形して基板１１を得ることができる。

Ｎｉめっき工程Ｓ２では、基板１１の表面にＮｉめっき膜１２ａを形成する。Ｎｉめっき膜１２ａの成膜は、例えば、ワット浴、ウッド浴、スルファミン酸浴等の公知のめっき浴を用い、Ｎｉ板を対極とし、電流密度５Ａ／ｄｍ²、めっき浴温度５０℃等の条件で電気めっきすることによって行うことができる。また、光沢剤を添加しためっき浴を用いて光沢Ｎｉめっき膜とすることもできる。この電気めっきにおいては、電流密度やめっき通板速度（めっき時間）等を調整することによって、所望の膜厚のＮｉめっき膜１２ａを得ることができる。このＮｉめっき膜１２ａの成膜に際して、予め基板１１を脱脂液による脱脂、電解脱脂、および酸溶液によって前処理することが好ましい。前処理は、例えば、基板１１を、脱脂液に浸漬して脱脂した後、対極をステンレス３０４として、リードフレーム側がマイナスとなるようにして直流電圧を印加して３０秒間程度電解脱脂を行い、さらに、１０％硫酸水溶液に１０秒程度浸漬することによって行うことができる。なお、基板１１の片面（上面）のみ、あるいはさらに一部の領域のみにＮｉめっき膜１２ａを形成する場合は、下面や前記領域以外にマスキングテープ等でマスキングした後、めっき浴でＮｉめっきを行うことによって、基板１１の所望の部位のみにＮｉめっき膜１２ａを形成することができる。

Ａｇめっき工程Ｓ３では、Ｎｉめっき工程Ｓ２で形成したＮｉめっき膜１２ａの表面にＡｇめっき膜１２ｂを形成する。Ａｇめっき膜１２ｂは、例えば、シアン浴、チオ硫酸塩浴等の公知のめっき浴を用い、Ａｇ（純度９９．９９％）板を対極とし、電流密度５Ａ／ｄｍ²、めっき浴温度１５℃等の条件で電気めっきすることによって成膜することができる。また、光沢剤を添加しためっき浴を用いて光沢Ａｇめっき膜とすることもできる。この電気めっきにおいては、Ｎｉめっき工程Ｓ２と同様に、電流密度やめっき通板速度（めっき時間）等を調整することによって、所望の膜厚のＡｇめっき膜１２ｂを得ることができる。このＡｇめっき膜１２ｂの成膜に際して、Ｎｉめっき工程Ｓ２にてＮｉめっき膜１２ａを成膜（Ｎｉめっき）した後の基板１１をめっき浴から引き上げて水洗し、表面を乾燥させることなく、連続して行うことが好ましい。したがって、Ｎｉめっき工程Ｓ２にてマスキングした場合は、基板１１のＮｉめっき膜１２ａを形成した領域と同じ領域に、すなわちＮｉめっき膜１２ａの表面全体にＡｇめっき膜１２ｂが形成される。

Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６では、Ａｇめっき膜１２ｂの表面に前記の所定の組成および膜厚のＡｇ合金膜１３をスパッタリング法にて形成する。スパッタリング法で形成することで、表面近傍のＧｅ，Ｂｉ濃度が高いＡｇ合金膜１３が得られる。以下に、スパッタリング法による成膜方法の一例を示す。成膜するＡｇ合金膜１３の組成に合わせて組成が調整されたＡｇ合金ターゲットをスパッタリング装置の電極に設置し、Ｎｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂを形成した基板１１を、スパッタリング装置のチャンバー内に載置する。次に、チャンバー内を１．３×１０^-3Ｐａ以下の圧力まで真空排気した後、チャンバー内にＡｒガスを導入して、チャンバー内圧力を所定の圧力、例えば２×１０^-2Ｐａ程度に調整する。そして、イオンガンに所定の放電電圧を印加してＡｒイオンを発生させ、さらに所定の加速電圧とビーム電圧を印加することにより、ＡｒイオンビームをＡｇめっき膜１２ｂに照射してＡｇめっき膜１２ｂ表面に存在する汚れを除去する。その後、チャンバー内にＡｒガスを導入しながら、チャンバー内の圧力を０．２７Ｐａ程度に調整し、Ａｇ合金ターゲットに直流電圧（出力２００Ｗ）を印加することによりスパッタリングを行って、Ａｇ合金膜１３を成膜する。

以上のように、前記工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ６をこの順に行うことにより、第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０を製造することができる。なお、Ｎｉめっき工程Ｓ２およびＡｇめっき工程Ｓ３において、基板１１をマスキングせず両面にＮｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂを形成し、Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６にて、片面（表面）にのみＡｇ合金膜１３を形成すると、図１（ｂ）に示す第１実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ａを製造することができる。また、基板作製工程Ｓ１における成形前に、工程Ｓ２，Ｓ３、あるいはさらに工程Ｓ６を行ってから、所望の形状に加工して製造することもできる。

また、Ａｇ合金膜１３上に金属酸化膜を形成する場合は、前記Ａｇ合金成膜工程Ｓ６の次に金属酸化膜形成工程Ｓ７を行う。以下に、Ａｇ合金成膜工程Ｓ６と同じくスパッタリング法を用いた方法の一例として、金属酸化膜を成膜する方法を示す。成膜する金属酸化膜の組成に合わせて組成が調整された金属酸化物ターゲットをスパッタリング装置の電極に設置し、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２およびＡｇ合金膜１３を形成した基板１１をスパッタリング装置のチャンバー内に載置する。次に、チャンバー内を１．３×１０^-3Ｐａ以下の圧力まで真空排気した後、チャンバー内にＡｒガスを導入して、チャンバー内の圧力を０．２７Ｐａ程度に調整し、金属酸化物ターゲットに直流電圧（出力１００Ｗ）を印加することによりスパッタリングを行って、金属酸化膜を成膜する。なお、この方法による場合は、ピンホールが形成されないように、金属酸化膜の膜厚を２ｎｍ超とする。

また、別の例として、ターゲットを非酸化物の金属（合金）材料として、Ａｇ合金膜１３上に金属膜（または合金膜）を成膜後、この金属膜を酸化して金属酸化膜とする方法を示す。スパッタリング装置にて成膜する工程は、電極に、成膜する金属酸化膜の組成の金属成分に合わせて組成が調整された金属（合金）ターゲットを設置する以外は、前記と同様である。金属膜を成膜後、チャンバーを開放して、またはチャンバーから取り出して大気中に曝すことで、金属膜が酸化して金属酸化膜となる。なお、Ａｇ合金膜１３上に金属酸化膜、金属膜のいずれを成膜する場合も、Ａｇ合金成膜工程Ｓ６において、スパッタリング装置に、金属酸化膜の組成に合わせた金属酸化物ターゲットまたは金属ターゲットをＡｇ合金ターゲットとは別の電極に設置しておくことが好ましい。このようにすることで、Ａｇ合金膜１３の成膜後、チャンバー内雰囲気をそのままに金属酸化膜形成工程Ｓ７に移行して、印加する電極（ターゲット）を切り替えるだけで、連続して金属酸化膜または金属膜を成膜できる。

次に、本発明のリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームとして、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームについて、図２および図３を参照して説明する。なお、第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームと同じ要素については、同じ符号を付し、説明を省略する。第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤ素子を光源として実装される表面実装型の発光装置（図７参照）を構成するための部品である。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（リフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム）１０Ｂは、上方に開口した凹状の素子実装部２２が形成されたＬＥＤ素子実装体２と、このＬＥＤ素子実装体２に支持された一対のリード部材（リードフレーム）１ａ，１ｂと、を備える。一対のリード部材１ａ，１ｂは、素子実装部２２の底面２２ａに、互いに離間して配設されて、それぞれが当該素子実装部２２からＬＥＤ素子実装体２の外側に延出、すなわちＬＥＤ素子実装体２の内側（素子実装部２２）から外側へ突き抜けた構成となる。ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂが発光装置に組み込まれたとき、ＬＥＤ素子実装体２は素子実装部２２の内側に光源であるＬＥＤ素子を収容するための器および台座であり、リード部材１ａ，１ｂはこのＬＥＤ素子に電流を供給するための配線になる。本明細書では、リード部材１ａ，１ｂの、素子実装部２２の底面２２ａに配置された領域をインナーリード部１５ａ，１５ｂ、ＬＥＤ素子実装体２の外側に延出された領域をアウターリード部１６ａ，１６ｂと称する。インナーリード部１５ａ，１５ｂは、実装されるＬＥＤ素子を電気的に接続するための領域であり、同時に、このＬＥＤ素子の発光した光を反射させる反射板を構成する。そして、アウターリード部１６ａ，１６ｂは、外部の電源または配線に電気的に接続するための領域である。
以下、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを構成する要素について、詳細に説明する。

（リード部材）
図２（ａ）に示すように、本実施形態においては、リード部材１ａ，１ｂは帯状で、その長手方向に沿って並設され、素子実装部２２にて、長手方向中心に対して右寄りの位置で、間隔を空けて対向する。したがって、図２（ａ）、（ｂ）において左側のインナーリード部１５ａが、右側のインナーリード部１５ｂより長く、素子実装部２２の底面２２ａの中央まで配置されている。これは、後記するように、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂが、ワイヤボンディングで実装されるＬＥＤ素子を搭載する発光装置に組み込まれるためである。詳しくは、インナーリード部１５ａ上の、底面２２ａの略中央（図２（ａ）に太破線の枠で示す領域）にＬＥＤ素子が搭載され、さらにインナーリード部１５ａ，１５ｂのＬＥＤ素子の両側（図における左右）における領域が、ワイヤボンディングのための領域となる。また、例えばフリップチップ実装のＬＥＤ素子を搭載する発光装置に組み込まれるＬＥＤ用リードフレーム（図示せず）の場合は、このＬＥＤ素子が搭載される底面２２ａの領域の、当該ＬＥＤ素子の底面に設けられた一対の電極のそれぞれに対向する位置に、インナーリード部１５ａ，１５ｂが配置される。

素子実装部２２におけるリード部材１ａ，１ｂ（インナーリード部１５ａ，１５ｂ）に挟まれた領域（空間）を、素子実装部２２の底面２２ａおよび側面２２ｂ，２２ｂを含めて、離間領域２８と称する。前記挟まれた領域（空間）とは、詳しくは、底面２２ａにおけるインナーリード部１５ａ，１５ｂ間の領域の、上下方向および短辺方向（図２（ａ）における上下方向）の延長上を指す。また、この延長上の、さらにＬＥＤ素子実装体２の外側表面までの領域を、離間領域２８の延長上という。そして、素子実装部２２における、リード部材１ａ，１ｂ（インナーリード部１５ａ，１５ｂ）の形状および配置、ならびに離間領域２８の位置は、前記したように、ＬＥＤ用リードフレームを組み込む発光装置（以下、適宜、発光装置という）の形状および形態、ならびにＬＥＤ素子の実装形態等に応じて設計される。

また、ＬＥＤ素子実装体２の外側において、リード部材１ａ，１ｂ（アウターリード部１６ａ，１６ｂ）は、その長手方向にまっすぐに延出され、したがって、図２（ｂ）に示すように、素子実装部２２の対向する側面２２ｃ，２２ｃをそれぞれ貫通する構成となる。ただし、前記したように、アウターリード部１６ａ，１６ｂは、発光装置に組み込んだときに外部の電源または配線に電気的に接続するための部位であり、この形状および配置に限られず、発光装置の形状および形態等に応じて設計される。例えば、アウターリード部１６ａ，１６ｂは、後記の変形例（図３（ｂ）参照）のように平面視で屈曲したＬ字型に形成されたり、ＬＥＤ素子実装体２の外側の同じ側に突出したり、または折り曲げて、あるいはＬＥＤ素子実装体２に埋設した領域で折り曲げてＬＥＤ素子実装体２の下方や下面に配設されてもよい。なお、このようにリード部材１ａ，１ｂがＬＥＤ素子実装体２を内側から外側へ（外側から内側へ）貫通する構造とするためには、例えば後記するように、リード部材１ａ，１ｂを所要の形状に加工したものを、樹脂と一体に射出成形して、ＬＥＤ素子実装体２の基体である樹脂成形体２１を作製すればよい。また、リード部材１ａ，１ｂは、以下、適宜まとめてリード部材１と称する。

リード部材１は、基板１１と、基板１１のＬＥＤ素子が搭載される側の面である上面（以下、適宜表面という）に形成されたＮｉめっき膜１２ａと、その上に形成されたＡｇめっき膜１２ｂと、さらにその上に形成されたＡｇ合金膜１３と、を備える。すなわち、リード部材１は、図１（ａ）に示す第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０と同じ積層構造を有する。なお、第１実施形態と同様に、Ｎｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂの積層膜をＮｉ／Ａｇめっき膜１２として、図２（ｂ）ならびに後記図３（ｃ）および図４に示す。さらに、第１実施形態と同様に、Ｎｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、およびＡｇ合金膜１３は、基板１１の片面すなわち表面のみに形成されていてもよいし、基板１１の下面（裏面）を含めた両面に形成されていてもよく、さらには、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂが発光装置としてＬＥＤ素子を実装されたときに素子実装部２２内に露出する領域のみに、すなわち、インナーリード部１５ａ表面のＬＥＤ素子搭載領域（図２（ａ）参照）を除く領域、およびインナーリード部１５ｂの表面に形成されていればよい。したがって、リード部材１は、裏面、端面や、表面のアウターリード部１６ａ，１６ｂ等の領域においては、基板１１が露出していてもよいし、これらの膜１２ａ，１２ｂ，１３のすべてまたはいずれか１、２層のみが形成されていてもよい（例えば、図１（ｂ）参照）。本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂでは、インナーリード部１５ａ，１５ｂにおいて、表面にＮｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、およびＡｇ合金膜１３を積層した図１（ａ）に示す構造となる。また、第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０と同様に、Ａｇ合金膜１３上に金属酸化膜（図示せず）を備える構造としてもよい。

基板１１は、リード部材１ａ，１ｂの形状に成形され、材料および製造方法等は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。また、第２実施形態の変形例として、図３に示す形状の基板（リード部材）とすることもできる。

第２実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム（リフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム）１０Ｃの基板１１Ａは、図３（ａ）に示すように、複数個が連続して、マトリクス状の打ち抜きパターンを形成されたロール状または短冊状の板を構成している。図３（ｂ）は１個のパターンを拡大した図で、図中の破線で示す位置に、第２実施形態と同様にＬＥＤ素子実装体２を貫通させて、図３（ｃ）に示すＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃに形成される。すなわち、基板１１Ａは、１個のパターンが１個のＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃの一対のリード部材（リードフレーム）１ａ，１ｂを構成する。また、本変形例において、リード部材１ａ，１ｂは、アウターリード部１６ａ，１６ｂが平面視で屈曲したＬ字型に形成されている。基板１１Ａは、図３（ａ）では、板幅方向（図における左右方向）に４個、板の送り方向に３個の合計１２個分のリード部材１ａ，１ｂを構成し、さらに両縁（図における左右）に送り穴を形成されている。このように連続したリード部材１ａ，１ｂの基板１１Ａは、リール・トゥ・リールまたは短冊状の板の１枚単位の搬送で、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃに製造される部材である。

第２実施形態およびその変形例において、Ｎｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、Ａｇ合金膜１３のそれぞれの構成、すなわち材料および膜厚、Ａｇ合金膜１３についてはさらに表面の二乗平均粗さＲｒｍｓ、またＮｉめっき膜１２ａとＡｇめっき膜１２ｂの膜厚の合計は、いずれも第１実施形態におけるＮｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、Ａｇ合金膜１３と同様であり、第１実施形態のＮｉめっき工程Ｓ２、Ａｇめっき工程Ｓ３、Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６と同様の方法でそれぞれ形成できる。さらに、Ａｇ合金膜１３上に金属酸化膜を備える場合は、当該金属酸化膜の材料および膜厚は第１実施形態における金属酸化膜と同様であり、第１実施形態の金属酸化膜形成工程Ｓ７と同様の方法で形成できる。

（ＬＥＤ素子実装体）
ＬＥＤ素子実装体２は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、凹状の素子実装部２２が形成されたカップ状の樹脂成形体（基体）２１と、素子実装部２２の表面に形成されたＡｇ合金膜２３とを備える。素子実装部２２は上方に広がって開口し、底面２２ａとこれを囲む４面の側面２２ｂ，２２ｃ，２２ｂ，２２ｃとから構成される平面視で長方形の四角錐台である。素子実装部２２の形状はこれに限定されず、例えば平面視で正方形であったり、上方に広がって開口した円錐台でもよい。ＬＥＤ素子実装体２は、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃを組み込む発光装置の形状および形態、ならびにＬＥＤ素子の実装形態、製品としてユーザに提供する形態等に応じて所要の形状に成形される。

樹脂成形体２１はＬＥＤ素子実装体２の基体であり、絶縁材料である樹脂をＬＥＤ素子実装体２の形状に成形してなる。したがって、樹脂成形体２１は、その外側から内側（素子実装部２２）へリード部材１ａ，１ｂがそれぞれ貫通するように、射出成形（インサート成形）等によって、リード部材１ａ，１ｂと一体的に成形されることが好ましい。樹脂は、耐熱性が２００℃以上のものであればよく、ポリアミド（ＰＡ）樹脂等のエンジニアリングプラスチック、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂等のスーパーエンジニアリングプラスチック等を用いることができる。

ＬＥＤ素子実装体２の内面すなわち素子実装部２２の表面（面２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）における離間領域２８を除く領域には、Ａｇ合金膜２３を備える。Ａｇ合金膜２３を構成するＡｇ合金は、リード部材１における前記のＡｇ合金膜１３を構成するＡｇ合金の組成成分の範囲であれば、Ａｇ合金膜１３と同一の組成であっても異なる組成であってもよい。また、リード部材１がＡｇ合金膜１３上に金属酸化膜を備える構造である場合は、Ａｇ合金膜２３上にも金属酸化膜を備えることが好ましい。この金属酸化膜についても、第１実施形態における金属酸化膜として規定された金属の種類および膜厚の範囲であれば、Ａｇ合金膜１３上の金属酸化膜と組成や膜厚が同一であっても異なってもよい。なお、底面２２ａにおけるリード部材１ａ，１ｂの配置される領域（インナーリード部１５ａ，１５ｂの下）にはＡｇ合金膜２３が形成されなくてよい。

このことから、リード部材１ａ，１ｂと一体的に射出成形された樹脂成形体２１に対して、Ａｇ合金膜２３を成膜することができる。したがって、後記するように、樹脂成形体２１を、Ａｇ合金膜１３を形成する前のリード部材１ａ，１ｂ（Ｎｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂを形成した基材１１）と一体的に射出成形し、インナーリード部１５ａ，１５ｂ（Ａｇめっき膜１２ｂ）および素子実装部２２（樹脂成形体２１）の表面に、Ａｇ合金膜１３，２３を一体に成膜することができる。さらに、素子実装部２２を上方に広がって開口した形状とすることで、インナーリード部１５ａ，１５ｂにＡｇ合金膜１３を物理蒸着で成膜すれば、同時に素子実装部２２の底面２２ａだけでなく、傾斜した側面２２ｂ，２２ｃにもＡｇ合金膜２３が成膜される。なお、図２（ｂ）、図３（ｃ）、および後記変形例の図５（ｂ）において、素子実装部２２の表面に、インナーリード部１５ａ（１５ｂ）表面を含めて一体にＡｇ合金膜を示しているが、樹脂成形体２１上に形成されたものはＡｇ合金膜２３、Ａｇめっき膜１２ｂ（Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２）上すなわちリード部材１表面に形成されたものはＡｇ合金膜１３とする。

ここで、素子実装部２２の表面（底面２２ａおよび側面２２ｂ，２２ｃ）の全領域にＡｇ合金膜が形成されていると、このＡｇ合金膜を介してリード部材１ａ，１ｂ間（インナーリード部１５ａ，１５ｂ間）が短絡する。したがって、底面２２ａおよび側面２２ｂ，２２ｂの離間領域２８における領域には、Ａｇ合金膜２３は形成されない。また、Ａｇ合金膜２３は、素子実装部２２の表面以外、すなわち図３（ｃ）に示すようにＬＥＤ素子実装体２の上面（側壁の上端面）や外側の側面等にも形成されてもよいが、離間領域２８の延長上で、インナーリード部１５ａ，１５ｂから連続して形成されないようにする。すなわち、Ａｇ合金膜２３は、インナーリード部１５ａの配置される領域に連続する領域と、インナーリード部１５ｂの配置される領域に連続する領域とで、離間領域２８を隔てて完全に分離される。このようなＡｇ合金膜２３の形成方法は、後記のＬＥＤ用リードフレームの製造方法で詳細に説明する。

Ａｇ合金膜２３は、膜厚が７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。リード部材１においてＡｇめっき膜１２ｂ上に形成されるＡｇ合金膜１３と異なり、Ａｇ合金膜２３はそれ自体が反射膜となるため、膜厚が７０ｎｍ未満では、光がＡｇ合金膜を透過して下地である樹脂成形体２１に吸収されるため反射率が低下する。好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上である。一方、リード部材１におけるＡｇめっき膜１２ｂ上におけるＡｇ合金膜１３と同様に、Ａｇ合金膜２３の膜厚が５００ｎｍを超えても、反射膜としての効果は飽和し、生産性が低下する。

また、Ａｇ合金膜２３も、リード部材１におけるＡｇ合金膜１３と同様に、正反射率を高くするため、表面の二乗平均粗さＲｒｍｓを３０ｎｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以下である。このような平滑な表面のＡｇ合金膜２３は、その下地である樹脂成形体２１の素子実装部２２における表面を同程度のＲｒｍｓとすればよい。例えば、樹脂成形体２１の成形に用いる金型を、同程度のＲｒｍｓの表面に作製すれば、金型の表面粗さが樹脂成形体２１の表面に転写されるため、このような平滑な表面に形成することができる。

（製造方法）
第２実施形態およびその変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃは、前記の構成を形成できる方法であれば特に制限されず、いずれの方法により製造してもよい。例えば、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃは、第１実施形態における基板作製工程Ｓ１、Ｎｉめっき工程Ｓ２、Ａｇめっき工程Ｓ３、Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６に、さらに樹脂成形工程Ｓ４およびマスク工程Ｓ５を含む方法によって製造することができる（図示省略）。以下に、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの製造方法の一例を説明する。

基板作製工程Ｓ１、Ｎｉめっき工程Ｓ２、およびＡｇめっき工程Ｓ３は、前記第１実施形態における工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と同様であるので、説明を省略する。

樹脂成形工程Ｓ４は、射出成形（インサート成形）等によって、樹脂成形体２１をリード部材１ａ，１ｂと一体的に成形する。詳しくは、樹脂成形体２１の外側から内側（素子実装部２２）へ、Ｎｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂを形成された基板１１（または基板１１Ａ）が貫通するように、樹脂を前記基板１１と一体的に成形する。なお、樹脂成形体２１の底面２２ａとなる面は、リード部材１ａ，１ｂのＡｇめっき膜１２ｂ表面と面一であることが好ましいが、例えば基板１１の下面と面一に成形されてもよい。

次に、インナーリード部１５ａ，１５ｂにおけるＡｇめっき膜１２ｂ表面にＡｇ合金膜１３を、樹脂成形体２１の素子実装部２２における表面にＡｇ合金膜２３を、それぞれ形成する（Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６）。しかしながら、素子実装部２２の開口部から底面２２ａに向けて、そのまま、すなわち素子実装部２２表面の全領域にＡｇ合金膜を成膜すると、前記したように、素子実装部２２表面のＡｇ合金膜を介してインナーリード部１５ａ，１５ｂ間（リード部材１ａ，１ｂ間）が短絡することになる。そこで、インナーリード部１５ａ，１５ｂ間の短絡を防止するため、Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６の前にマスク工程Ｓ５を行う。

以下、マスク工程Ｓ５について、図４を参照して説明する。マスク工程Ｓ５では、図４（ｂ）に示すように、素子実装部２２内に、その開口部から、底面２２ａのインナーリード部１５ａ，１５ｂ間に向けて、インナーリード部１５ａ，１５ｂ間距離と同じ厚さの板状のマスク３３を嵌装する。マスク３３は、図４（ｃ）に示すように、素子実装部２２内側のＥ−Ｅ線矢視断面形状と同じ逆台形の上にＬＥＤ素子実装体２（樹脂成形体２１）の側方へ張り出す耳部を有する形状である。マスク３３の構成は特に制限されず、例えば、銅、アルミニウム、チタン、ＳＵＳ等の金属材料をエッチングやプレス加工等で作製されたものを用いることができる。このマスク３３を素子実装部２２内に嵌装した状態で、Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６を行う。なお、このとき、ＬＥＤ素子実装体２における素子実装部２２の外部を覆うマスク（図示せず）も設けて、ＬＥＤ素子実装体２の外側表面のＡｇ合金膜でインナーリード部１５ａ，１５ｂ間が短絡しないようにする。

Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６は、前記第１実施形態における工程と同様であり、所定の組成および膜厚のＡｇ合金膜１３，２３を、インナーリード部１５ａ，１５ｂも含めて素子実装部２２内に、一体に成膜する。ここで、基板１１を貫通させた樹脂成形体２１は、スパッタリング装置において、素子実装部２２の底面２２ａおよびインナーリード部１５ａ，１５ｂをＡｇ合金ターゲットに対向する向きに載置される。したがって、傾斜角度にもよるが、これらの面より、素子実装部２２の側面２２ｂ，２２ｃにおける成膜速度の方が遅い傾向がある。一方、インナーリード部１５ａ，１５ｂ表面のＡｇ合金膜１３より樹脂成形体２１表面のＡｇ合金膜２３の方が必要な膜厚が厚いため、樹脂成形体２１の側面２２ｂ，２２ｃとなる表面におけるＡｇ合金膜の膜厚に合わせて成膜すればよい。

Ａｇ合金膜１３，２３を成膜した後、素子実装部２２からマスク３３を外すと、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、素子実装部２２の表面において、底面２２ａおよび側面２２ｂ，２２ｂにわたって、Ａｇ合金膜２３が形成されず樹脂成形体２１が露出した領域が、離間領域２８に沿って帯状に存在するＬＥＤ素子実装体２となる。このように離間領域２８にＡｇ合金膜が形成されないようにすることによって、Ａｇ合金膜２３を介してインナーリード部１５ａ，１５ｂ間で短絡することを防止して、リード部材１ａ，１ｂ間の絶縁性を確保することができる。なお、インナーリード部１５ａ，１５ｂ間（離間領域２８）には、樹脂成形体２１を構成する樹脂、あるいは発光装置に組み込んだときに封止樹脂が充填されるので、リード部材１ａ，１ｂ間の絶縁性は保持される。なお、本実施形態は、マスク３３の他に、ＬＥＤ素子実装体２における素子実装部２２の外部全体を覆うマスク（図示せず）を用いて、ＬＥＤ素子実装体２における素子実装部２２以外の表面、およびアウターリード部１６ａ，１６ｂには、Ａｇ合金膜２３，１３が形成されないようにしたものである。さらに、アウターリード部１６ａ，１６ｂは、Ｎｉめっき工程Ｓ２およびＡｇめっき工程Ｓ３においてマスキングを施して、銅または銅合金からなる基板１１が剥き出しになる構成とすることもできる。

また、図３（ｃ）に示す変形例のＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃのように、ＬＥＤ素子実装体２の上面および外側の側面、アウターリード部１６ａ，１６ｂ（図３（ｂ）参照）、およびＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃ，１０Ｃ間の基板１１Ａ上にもＡｇ合金膜２３，１３が形成されてもよい。ただし、前記したように、ＬＥＤ素子実装体２の全表面において、離間領域２８とその延長上にはＡｇ合金膜２３が連続して形成されないようにする。ＬＥＤ素子実装体２の側壁の上端面においては、図４（ａ）、（ｃ）に示すようにマスク３３の上部にＬＥＤ素子実装体２の上面の離間領域２８の延長上を覆う耳部を有しているので、この領域にはＡｇ合金膜２３が形成されない。さらに、ＬＥＤ素子実装体２の外側の長手（長辺）方向の側面（図３（ｃ）不図示）における、少なくとも離間領域２８の延長上を別のマスクで覆うことにより、インナーリード部１５ａ，１５ｂ間の短絡を防止できる。また、本変形例のＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃにおいては、Ｎｉめっき工程Ｓ２およびＡｇめっき工程Ｓ３にて基板１１Ａの全面（両面および端面）にＮｉめっき膜１２ａおよびＡｇめっき膜１２ｂを形成し、Ａｇ合金膜スパッタリング工程Ｓ６にて表面（上面）のみにＡｇ合金膜１３を形成したことで、インナーリード部１５ａ，１５ｂ（リード部材１Ａ）は、図１（ｂ）に示す積層構造となる。

第２実施形態においては、マスク３３の板厚をインナーリード部１５ａ，１５ｂ間距離（離間領域２８の幅）と同じとし、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、Ａｇ合金膜２３の形成されない領域を離間領域２８に一致させて、Ａｇ合金膜２３の境界がインナーリード部１５ａ，１５ｂ（リード部材１ａ，１ｂ）の端面に沿うように構成している。しかし、離間領域２８において、インナーリード部１５ａ，１５ｂ間の短絡を防止できれば、Ａｇ合金膜２３の形成されない領域はこれに限られず、離間領域２８より広くても狭くてもよい。

以上のように、前記の工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をこの順に行うことにより、第２実施形態およびその変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃを製造することができる。なお、Ａｇ合金膜１３，２３上に金属酸化膜を形成する場合は、Ａｇ合金成膜工程Ｓ６の次に、金属酸化膜形成工程Ｓ７を前記第１実施形態における工程と同様に行い、金属酸化膜を形成した後、素子実装部２２からマスク３３を外す。しかし、本実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームにおいては、リード部材１ａ，１ｂのＮｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、およびＡｇ合金膜１３が形成される部位に応じて、これらの工程を行う順序を変更して製造することができる。例えば、基板１１を作製し（工程Ｓ１）、Ｎｉめっき膜１２ａの形成前に、この基板１１と一体的に樹脂成形体２１を成形する（工程Ｓ４）。次に、樹脂成形体２１を貫通した基板１１に、電気めっきによりＮｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂを形成する（工程Ｓ２，Ｓ３）。電気めっきによれば、絶縁材料からなる樹脂成形体２１の表面にはＮｉめっき膜やＡｇめっき膜は形成されない。そして、前記と同様に、樹脂成形体２１の素子実装部２２にマスク３３を嵌装して（工程Ｓ５）から、基板１１および樹脂成形体２１の表面にＡｇ合金膜１３，２３を形成する（工程Ｓ６）。このような工程Ｓ２，Ｓ３と工程Ｓ４の順序を入れ替えて製造されたＬＥＤ用リードフレームにおいては、リード部材１ａ，１ｂのＬＥＤ素子実装体２の側面に埋設された領域（１５ａ−１６ａ間、１５ｂ−１６ｂ間）は基板１１のみで構成され、インナーリード部１５ａ，１５ｂの下面（裏面）にもＮｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂは形成されない。

ここで、第２実施形態の別の変形例に係るＬＥＤ用リードフレームについて、図５を参照して説明する。本変形例において、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームと同じ要素については、同じ符号を付し、説明を省略する。本変形例のＬＥＤ用リードフレーム（リフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム）１０Ｄは、図５（ａ）に示すように、ＬＥＤ素子実装体２Ａが、素子実装部２２の側面２２ｂ，２２ｂを離間領域２８に沿って切り欠いた形状で、底面２２ａは離間領域２８において素子実装部２２の外側へ延出する平面２２ｅを構成する。このような形状のＬＥＤ素子実装体２Ａとするために、樹脂成形工程Ｓ４の後、樹脂成形体２１に、開口部側から底面２２ａまで離間領域２８に沿って切込みを入れ、あるいは切込みを有する樹脂成形体２１を成形する。

本変形例は、ＬＥＤ素子実装体２Ａ（樹脂成形体２１）に離間領域２８に沿って切込みが形成されているため、マスク工程Ｓ５において、図５（ｂ）に二点鎖線で示すように、ＬＥＤ素子実装体２ＡのＦ−Ｆ線矢視断面形状より大きく、切込みの幅と同じまたはそれより薄い板厚のマスク３４を切込みに挟んで嵌装することができる。マスク３４の材料は前記マスク３３と同様である。また、ＬＥＤ素子実装体２Ａの外側表面においては、少なくとも長辺方向の側面の素子実装部２２の底面２２ａ（平面２２ｅ）から下の、離間領域２８（平面２２ｅ）の延長上を覆う別のマスクを設ける。このようなマスク３４を嵌装してＡｇ合金膜１３，２３を成膜する（工程Ｓ６）と、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、素子実装部２２の離間領域２８における底面２２ａすなわち平面２２ｅにはＡｇ合金膜２３が形成されず樹脂成形体２１が露出した状態となり、Ａｇ合金膜２３をインナーリード部１５ａ側とインナーリード部１５ｂ側とに分離して形成することができる。

〔発光装置〕
次に、本発明の第１、第２実施形態および各変形例にかかるＬＥＤ用リードフレームを組み込んだ発光装置について説明する。
第２実施形態およびその変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを組み込んで発光装置に製造する方法の一例は、次の通りである。まず、リード部材１ａの素子実装部２２の略中央におけるインナーリード部１５ａの表面（図２（ａ）に示すＬＥＤ素子搭載領域）にシリコーンダイボンド材等からなる接着剤を塗布して、その上にＬＥＤ素子を接着して搭載する。次に、ワイヤボンディングにより、金ワイヤでＬＥＤ素子の電極をインナーリード部１５ａ，１５ｂに接続する。そして、素子実装部２２内にエポキシ樹脂等の封止樹脂を充填することにより封止して、ＬＥＤ素子を光源として搭載した表面実装型の発光装置（図７参照）となる。なお、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃにおいては、基板１１Ａで複数個を連結された状態で発光装置に製造されてから図３（ｂ）、（ｃ）に示す太破線で切り離されて使用される。

第１実施形態およびその変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０，１０Ａも、前記の第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ等と同様に、表面実装型の発光装置に組み込むことができる。例えば、図３（ａ）に示す第２実施形態の変形例における基板１１Ａを適用してＬＥＤ用リードフレーム１０を製造した場合、ＬＥＤ用リードフレーム１０表面の図３（ｂ）の破線で示すＬＥＤ素子実装体２の位置に、枠状の樹脂を取り付ける。あるいは、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの製造方法における樹脂成形工程Ｓ３のように、樹脂をＬＥＤ用リードフレーム１０と一体的に射出成形してもよい。そして、この枠状の樹脂の内側におけるＬＥＤ用リードフレーム１０の一方の端部（図３（ｂ）のインナーリード部１５ａ）にＬＥＤ素子を搭載する。ＬＥＤ素子を搭載したら、前記の第２実施形態と同様に、ワイヤボンディングを行い、枠状の樹脂の内側に封止樹脂を充填して、ＬＥＤ素子を光源とする発光装置となる。このような発光装置とすることで、ＬＥＤ用リードフレーム１０，１０Ａは、ＬＥＤ素子の背面（下方）の反射面を構成する。なお、ＬＥＤ素子を囲む枠状の樹脂は、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ等のＬＥＤ素子実装体２のように、その内側の表面にＡｇ合金膜を形成されることが好ましい。このような発光装置とすることで、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｂ等を組み込んだ発光装置と同様の後記の効果が得られる。

第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１０，１０Ａを組み込んだ発光装置は、枠状の樹脂を備えず、ＬＥＤ用リードフレーム１０，１０Ａを下方のみならず側方の反射面に構成することもできる。例えば、基板１１を、異形条材（圧延幅方向に板厚の異なる圧延板）の板厚の厚い部位をプレス鍛造でカップ形状に成型して、このカップ形状の外側に板厚の薄い部位が帯状に延出された形状に作製する。そして、この基板１１のカップ形状の内側表面にＮｉめっき膜１２ａ、Ａｇめっき膜１２ｂ、およびＡｇ合金膜１３を形成してＬＥＤ用リードフレームとする（図示せず）。このように構成することで、第２実施形態におけるリード部材１ａに相当する部材とＬＥＤ素子実装体２に相当する部材とが一体に構成されたＬＥＤ用リードフレームとなる。詳しくは、カップ形状の内面がリード部材１ａのインナーリード部１５ａと素子実装部２２とを兼ね、帯状の部位がアウターリード部１６ａとなる。これに、別部材で作製したリード部材１ｂ（基板１１のみで構成されてもよい）を合わせて一組のＬＥＤ用リードフレームとする。このようなＬＥＤ用リードフレームでは、ＬＥＤ素子はカップ形状の内底面に搭載されて実装され、カップ形状の内部に封止樹脂を充填して封止されて、例えば砲弾型の発光装置に製造される。

このようなＬＥＤ用リードフレーム１０，１０Ａ〜１０Ｄを用いて得られる発光装置において、Ａｇ合金膜１３およびそれに被覆されたＡｇめっき膜１２ｂ、ならびにＡｇ合金膜２３は、耐久性に優れ、熱や硫黄、ハロゲンイオン等によるＡｇの凝集を引き起こさず、ＬＥＤ素子から発光した光を安定して反射して発光装置から光として取り出すことができる。さらに、Ａｇ合金膜１３，２３は、Ａｇのナノ粒子の析出を引き起こさず、エポキシ樹脂等の封止樹脂を変色させることがないため、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で利用することを可能とする。また、ＬＥＤ素子が発光する光の多くを正反射させて拡散反射を抑えられるため、ＬＥＤ素子を搭載した発光装置の明るさを向上させることができる（図６（ａ）参照）。

以下、本発明の実施例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。

〔試料作製〕
下記のようにして、図１（ｂ）に示す積層構造の第１実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ａの試料を、Ｎｉめっき膜の膜厚、Ａｇめっき膜の膜厚、ならびにＡｇ合金膜の組成および膜厚を変化させて作製した。

（基板の作製）
厚さ０．１ｍｍのＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板（ＫＬＦ１９４Ｈ、（株）神戸製鋼所製）を、プレス加工して、図３（ａ）に示す形状の基板（基板１１Ａ）を作製した。なお、この基板１１Ａのインナーリード部１５ａ，１５ｂ（図３（ｂ）参照）間の距離は０．０９ｍｍである。この基板の表面の二乗平均粗さＲｒｍｓを後記の方法で測定したところ、６２ｎｍであった。

（Ｎｉめっき膜の形成）
前記基板を、めっき前処理として、脱脂液に浸漬して、対極をステンレス３０４として、基板側がマイナスとなるようにして直流電圧を印加して３０秒間電解脱脂を行った後、１０％硫酸水溶液に１０秒浸漬した。次に、基板の表面（全面）に、下記成分、液温５０℃のワット浴で、対極をＮｉ板とし、電流密度：５Ａ／ｄｍ²で、光沢Ｎｉめっきを施して、表１に示す膜厚のＮｉめっき膜を有する基板を製造した。
Ｎｉめっき浴成分
硫酸Ｎｉ：２５０ｇ／Ｌ
塩化Ｎｉ： ４０ｇ／Ｌ
硼酸 ： ３５ｇ／Ｌ
添加剤Ａ： ３ｍｌ／Ｌ
添加剤Ｂ：１０ｍｌ／Ｌ

なお、Ｎｉめっき膜の膜厚は、めっき速度に基づいてめっき時間を調整することで制御した。すなわち、ダミー基板に前記と同じ条件で一定時間めっきを施して、ダミー基板のめっき前との重量差を測定することによりＮｉの付着量を求め、この付着量をめっき面積、Ｎｉの理論密度、およびめっき時間で割ることにより単位時間に析出するＮｉめっき膜厚（めっき速度）を算出し、めっき速度から所望の膜厚を形成するめっき時間を算出した。

（Ａｇめっき膜の形成）
前記Ｎｉめっき膜を形成した基板を、Ｎｉめっき浴から引き上げて水洗した後、その表面（Ｎｉめっき膜表面）に、下記成分、液温５０℃のシアン浴で、対極をＡｇ（純度９９．９９％）板とし、電流密度：５Ａ／ｄｍ²で、光沢Ａｇめっきを施して、表１に示す膜厚のＡｇめっき膜を有する基板を製造した。なお、Ａｇめっき膜の膜厚は、前記Ｎｉめっき膜の膜厚と同様に、ダミー基板へのめっきにより算出したＡｇのめっき速度に基づいて、めっき時間を調整することで制御した。
Ａｇめっき浴成分
シアン化銀カリウム(Ｉ)：５０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム ：４０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム ：３５ｇ／Ｌ
添加剤Ｃ ：３ｍｌ／Ｌ

（Ａｇ合金膜の成膜）
Ａｇめっきを施した基板に、下記の方法でＡｇ合金膜を形成した。
Ｎｉめっき膜およびＡｇめっき膜を形成した基板を、表１に示す組成のＡｇ合金ターゲット（直径１０．１６ｃｍ（４インチφ）×厚さ５ｍｍ）を設けたスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。次に、真空ポンプで、チャンバー内圧力が１．３×１０^-3Ｐａ以下となるように真空排気した。その後、イオンガン（3cm DC Ion Source、イオンテック社製）を通してＡｒガスをチャンバー内に導入してチャンバー内圧力を２×１０^-2Ｐａに調整し、イオンガンに放電電圧６０Ｖ、加速電圧５００Ｖ、ビーム電圧５００Ｖを印加して、Ａｒイオンビームを発生させ、基板のＡｇめっき膜の表面に３００秒間照射した。

次に、チャンバー内にＡｒガスを導入しながら真空排気を続けることにより、チャンバー内圧力を０．２７Ｐａに調整した。この状態で、前記Ａｇ合金ターゲットに直流電圧（出力２００Ｗ）を印加してスパッタリングを行い、基板の上面側のＡｇめっき膜の上に、表１に示す膜厚のＡｇ合金膜を成膜して、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ａの試料（試料Ｎｏ．１〜１３）を作製した。

なお、Ａｇ合金膜の膜厚は、成膜速度に基づいて成膜時間を調整することで制御した。すなわち、ダミー基板に前記と同じ条件で一定時間成膜して、ダミー基板の成膜前との重量差を測定することによりＡｇ合金の付着量を求め、この付着量を成膜面積、Ａｇの理論密度、および成膜時間で割ることにより単位時間に成膜するＡｇ合金膜厚（成膜速度）を算出し、成膜速度から所望の膜厚を形成する成膜時間を算出した。

（Ａｇ合金膜の組成分析）
また、Ａｇ合金膜の組成を分析するために、ソーダライムガラス基板上に前記と同様にしてＡｇ合金膜を成膜した。このＡｇ合金膜を硝酸で溶解後、溶解した硝酸の液を、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分光分析装置（ＩＣＰＳ−８０００、島津製作所製）を用いて分析することにより、ソーダライムガラス基板に形成したＡｇ合金膜の組成を求めた。得られたＡｇ合金膜の組成を表１に示す。

（Ａｇ合金膜の結晶粒径）
また、Ａｇ合金膜について、結晶粒径を下記の方法で測定した。得られたＬＥＤ用リードフレームの試料の表面（Ａｇ合金膜の表面）を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（ＳＰＩ−４０００、セイコー電子工業（ＳＩＩ）社製）にて、またカンチレバーはＳＮ−ＡＦ０１を用い、下記の条件で表面形状像を測定した。得られた像上に任意の直線を引き、この直線を横切った粒界の数で直線の長さを割ることにより、平均の結晶粒径を求めた。
ＡＦＭ測定条件
たわみ量 ：−１．０
Ｉゲイン ：０．２
Ｐゲイン ：０．１
走査エリア ：１μｍ×１μｍ
走査周波数 ：１Ｈｚ

〔測定、評価〕
得られたＬＥＤ用リードフレームの試料について、下記の方法で、表面（Ａｇ合金膜を形成した側の面、以下同じ）の二乗平均粗さＲｒｍｓおよび正反射率を測定し、耐熱性、耐硫化性、および耐湿性を評価した。結果を表１に示す。

（二乗平均粗さの測定）
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）（ＳＰＩ−４０００、ＳＩＩ社製）を用いて、任意の３箇所の１０μｍ角の領域について表面（Ａｇ合金膜の表面）の二乗平均粗さＲｒｍｓを測定し、得られた３つの値の平均を算出した。

（正反射率の測定）
自動絶対反射率測定システム（日本分光株式会社製）を用いて、入射角５°、反射角５°の条件で、波長２５０〜８５０ｎｍまでの分光反射率を測定することにより、正反射率を求めた。

（耐熱性評価）
耐熱試験として、試料を、恒温槽内で１５０℃で１０時間加熱し、引き続き２６０℃で５分間加熱した。試験後、前記と同様の方法で表面の正反射率を測定し、耐熱試験による正反射率の低下が５ポイント未満のものを合格とした。

（耐硫化性評価）
硫化アンモニウムを水に溶解して、５ｗｔ％の硫化アンモニウム水溶液を調整した。この硫化アンモニウム水溶液の液面から３ｃｍの高さ位置に表面が液面に対向するように試料を水平に載置し、耐硫化試験として、硫化アンモニウム水溶液から蒸発する硫化水素に１０分間暴露した。試験後、前記と同様に正反射率を測定し、耐硫化試験による正反射率の低下が２０ポイント以下のものを合格とした。

（耐湿性評価）
試料から４ｃｍ×５ｃｍの試験片（基板面積約１８ｃｍ²）を切り出し、耐湿試験として、恒温恒湿試験機内で、５０℃、９５ＲＨ％の雰囲気に５００時間暴露した。試験後、試験片の表面を目視観察して白点の数を計測した。白点の数が５個以下のものを合格とした。

ここで、耐湿試験で発生する白点は、大気中に浮遊している飛来塩分や塵芥に付着している塩素が、試験片表面に付着して湿潤雰囲気中で試験片表面に生じた水膜に溶解して、試験片のＡｇと反応することによって形成された、Ａｇ凝集によるものである。したがって、この耐湿試験は、ハロゲンイオンによるＡｇ凝集の試験（耐ハロゲン化試験）に代わるものである。

（Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜の膜厚による評価）
表１に示すように、試料Ｎｏ．１は、Ｎｉめっき膜の膜厚が不足し、さらにＡｇめっき膜およびＡｇ合金膜の膜厚が本発明の範囲内で下限近傍であるため、耐熱試験により基板のＣｕが表面に拡散して酸化し、表面が変色して反射率が劣化した。また試料Ｎｏ．１は、Ｎｉめっき膜とＡｇめっき膜の合計の厚さが薄いため、基板表面のＲｒｍｓに対して試料表面のＲｒｍｓが十分に小さくならなかったことにより、初期の正反射率も高くならなかった。一方、試料Ｎｏ．５は、Ｎｉめっき膜およびＡｇ合金膜の膜厚は本発明の範囲を十分に満足するものではあるが、Ａｇめっき膜の膜厚が不足したため、Ａｇめっき膜の結晶粒径が十分に大きくならず、その上のＡｇ合金膜の結晶粒径は約６０ｎｍに留まり、耐熱試験によりＡｇが凝集して反射率が劣化した。これに対して、本発明の範囲の膜厚のＮｉめっき膜およびＡｇめっき膜を備えた実施例である試料Ｎｏ．２〜４，７，１１〜１３は、耐熱性（耐Ｃｕ拡散性、耐凝集性）が良好であった。また、これらの試料はいずれも、Ａｇ合金膜の結晶粒径が１００ｎｍ以上で十分に大きかった。さらに試料Ｎｏ．７，１１〜１３は、Ｎｉめっき膜とＡｇめっき膜の合計の厚さが十分に厚く好ましい範囲であるため、表面のＲｒｍｓが十分に小さく、高い正反射率が得られた。

（Ａｇ合金膜の組成および膜厚による評価）
実施例である試料Ｎｏ．２〜４，７，１１〜１３は、本発明の範囲のＡｇ合金膜を備えるため、前記の耐熱性に加え、耐硫化性および耐湿性も十分で、良好な耐久性が得られた。これに対して、試料Ｎｏ．９は、Ａｇ合金膜のＧｅの含有率が不足した（無添加である）ため、耐硫化性が得られず、耐硫化試験で表面が黒褐色に変色して反射率の劣化が大きかった。また、試料Ｎｏ．８はＡｇ合金膜のＢｉの含有率が不足したため、耐湿性が十分に得られなかった。反対に、試料Ｎｏ．６はＡｇ合金膜のＢｉの含有率が過剰なため、耐久性は良好であるものの、表面（Ａｇ合金膜）外観が黄色味を帯びて反射率が低下し、二乗平均粗さＲｒｍｓが同程度の他の試料と比較して正反射率も低かった。一方、試料Ｎｏ．１０は、本発明の範囲の組成のＡｇ合金膜であるが、膜厚が不足したことによりピンホールが多発し、十分な耐久性が得られなかった。

下記のようにして、ＬＥＤ素子実装体を備える図５に示す構造の第２実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｄの試料を製造し、ＬＥＤ素子実装体におけるＡｇ合金膜の効果を比較した。なお、リード部材１ａ，１ｂの構成（基板形状および断面構造）は、図３（ｂ）、（ｃ）に示す第２実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃと同様とした。

〔試料作製〕
（基板の作製およびＡｇめっき膜の形成）
実施例１に適用したものと同様の基板（図３（ａ）参照）を作製し、その表面に、実施例１と同様の方法で膜厚３μｍのＮｉめっき膜および膜厚２μｍのＡｇめっき膜を形成した。

（樹脂成形体の形成）
耐熱性ポリアミド樹脂（ジェネスタＴＡ１１２、クラレ製）を射出成形（インサート成形）して、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、凹状の素子実装部２２に切込みを有するＬＥＤ素子実装体２Ａの樹脂成形体２１を、Ｎｉ／Ａｇめっき膜１２を形成された基板１１Ａの一対のリード部材１ａ，１ｂのそれぞれが貫通するように作製した。なお、樹脂成形体２１は、素子実装部２２の底面２２ａ（平面２２ｅ）がインナーリード部１５ａ，１５ｂのＡｇめっき膜１２ｂの表面とほぼ面一となるように成形して、インナーリード部１５ａ，１５ｂ間に、前記樹脂が存在する（充填された）ようにした。

（Ａｇ合金膜の成膜）
図５（ｂ）に示すように、厚さ０．１ｍｍの銅板からなるマスク３４を、樹脂成形体２１の素子実装部２２の切込みに、下端が平面２２ｅ（インナーリード部１５ａ，１５ｂ間に充填された樹脂の表面）に接するように嵌装した。また、樹脂成形体２１の外側の長辺方向の側面にもマスクを設けた。このマスク３４を嵌装した試料をスパッタリング装置のチャンバー内に設置し、表２に示す組成のターゲットを用いて、Ａｇ合金膜またはＡｇ膜を、インナーリード部１５ａ，１５ｂのＡｇめっき膜１２ｂの上の膜厚が３００ｎｍになるように成膜した。これによって、図５（ａ）、（ｂ）に示す構造（断面は図３（ｃ）に示す構造）を有するＬＥＤ用リードフレーム１０Ｄの試料（試料Ｎｏ．１４，１５）を得た。試料Ｎｏ．１４のＡｇ合金膜の組成を実施例１と同様に分析して、表２に示す。

得られた試料Ｎｏ．１４のＬＥＤ用リードフレーム１０Ｄの１個分を切り出して（図３（ｂ）、（ｃ）の太破線参照）、インナーリード部１５ａとインナーリード部１５ｂとの間の電気導通性をテスターで検査した結果、導通はなく、絶縁されていることを確認できた。

〔測定、評価〕
（素子実装部の表面のＡｇ合金膜の膜厚と二乗平均粗さの測定）
試料の樹脂部分（ＬＥＤ素子実装体２）を、内側の表面（素子実装部２２の側面２２ｂ）と直交する面で切断して、切断面をＦＥ−ＳＥＭ（日立製作所製ＳＵ−７０）にて加速電圧２ｋＶで５万倍の倍率で観察することにより、素子実装部の表面のＡｇ合金膜（Ａｇ膜）の膜厚を測定した。また、同Ａｇ合金膜（Ａｇ膜）について、実施例１と同様の方法で表面の二乗平均粗さＲｒｍｓを測定した。これらの結果を表２に示す。

（耐硫化性評価）
得られた試料について、実施例１と同様に耐硫化試験を行った。なお、素子実装部２２の底面２２ａおよびインナーリード部１５ａ，１５ｂを硫化アンモニウム水溶液の液面に対向させて載置した。試験後にＬＥＤ素子実装体の内側（素子実装部２２）の表面を目視で観察し、変色の見られないものを耐硫化性が良好であるとして「○」、変色したものを耐硫化性が不良であるとして「×」で評価し、表２に示す。

（耐湿性評価）
得られた試料について、実施例１と同様に耐湿試験を行った。試験後にＬＥＤ素子実装体を切断して、内側（素子実装部２２）の表面が外部から観察できるようにし、素子実装部２２のＡｇ合金膜（Ａｇ膜）の表面を、光学顕微鏡で５０倍に拡大して観察した。白点のないものを耐湿性が良好であるとして「○」、白点が発生したものを耐湿性が不良であるとして「×」で評価し、表２に示す。

本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームにおいて、ＬＥＤ素子実装体を構成する樹脂（樹脂成形体）の表面に形成されるＡｇ合金膜は、リード部材（インナーリード部）のＡｇめっき膜上のＡｇ合金膜と一体に成膜することができた。そして、本発明の範囲の組成のＡｇ合金膜（試料Ｎｏ．１４）は、耐硫化試験および耐湿試験において表面外観に変化が認められず、ＬＥＤ用リードフレームのＬＥＤ素子実装体を構成する樹脂の表面に形成されても耐久性が高いことがわかった。これに対してＡｇ膜（試料Ｎｏ．１５）は、耐硫化試験で表面が黒褐色に変色し、耐湿試験でＡｇが凝集して表面に多数の白点が認められた。

実施例１と同様に、基板上にＮｉ／Ａｇめっき膜およびＡｇ合金膜を成膜して、その上にさらに金属酸化膜を成分および膜厚を変化させて形成してＬＥＤ用リードフレームの試料を作製し、金属酸化膜による効果を実施例１と比較した。

〔試料作製〕
実施例１に適用したものと同様の基板（図３（ａ）参照）を作製し、実施例１と同様に、基板の表面に膜厚２μｍのＮｉめっき膜および膜厚３μｍのＡｇめっき膜を形成した後、スパッタリング装置で、表３に示す組成のＡｇ合金からなるターゲットを用いて、Ａｇめっき膜の上の膜厚が３００ｎｍとなるようにＡｇ合金膜を成膜した。次に、表３に示す金属酸化膜用の金属ターゲット（前記Ａｇ合金ターゲットと同形状）をスパッタリング装置の電極に設置し、再び、真空ポンプでチャンバー内圧力が１．３×１０^-3Ｐａ以下となるように真空排気した後、Ａｒガスをチャンバー内に導入してチャンバー内圧力を０．２７Ｐａに調整した。この状態で、前記金属ターゲットに直流電圧（出力１００Ｗ）を印加してスパッタリングを行い、Ａｇ合金膜の上に膜厚を変化させて金属膜を成膜し、チャンバーから取り出して大気中で金属膜を酸化させて金属酸化膜として、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ａの試料（試料Ｎｏ．１６〜２１）を作製した。また、Ａｇ合金膜については、それぞれの組成のターゲットを用いてソーダライムガラス基板上に成膜して、実施例１と同様の方法で組成を求めた。得られた組成を表３に示す。

〔測定、評価〕
得られたＬＥＤ用リードフレームの試料について、下記の通り、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を行って、Ａｇ合金膜上の金属酸化膜の膜厚を測定した。また実施例１と同様に、表面の正反射率を測定し、耐熱性、耐硫化性、および耐湿性を評価した。さらに試料Ｎｏ．１６，１８，１９について、下記の通り、ワイヤボンディング試験を行った。結果を表３に示す（評価を行わなかった試料は、その欄に「−」で示す）。

（金属酸化膜の膜厚の測定）
試料の表面（Ａｇ合金膜および金属酸化膜を形成した側）について、全自動走行型Ｘ線光電子分光分析装置（Physical Electronics社製Quantera SXM）を用いて、表３に示す金属酸化膜に含まれる金属元素および酸素元素Ｏ、ならびにＡｇの各濃度を、表面から深さ方向へ測定した。測定条件は、Ｘ線源：単色化Ａｌ−Ｋα、Ｘ線出力：４３．７Ｗ、Ｘ線ビーム径：２００μｍ、光電子取出し角：４５°、Ａｒ⁺スパッタ速度：ＳｉＯ₂換算で約０．６ｎｍ／分とした。金属酸化膜に含まれる金属元素の濃度が、最高濃度の１／２まで減少した深さを金属酸化膜の膜厚とした。

（ワイヤボンディング試験）
試料の表面（上面）を、インナーリード部１５ａ，１５ｂ（図３（ｂ）参照）間にて、金線（線径：φ２５μｍ）でワイヤボンディングした後、光学顕微鏡で観察しながら金線の中央をピンセットで掴んで引っ張ることにより試験を行った。その結果、試料のボンディング箇所に剥離がなく、金線を切ることができた場合をワイヤボンディング性が良好であるとして「○」、少なくとも一方のボンディング箇所（金線とＬＥＤ用リードフレームとの界面）から金線が剥がれた場合を不良であるとして「×」で評価した。

表３に示すように、試料Ｎｏ．１６〜２１は、本発明の範囲の金属酸化膜をＡｇ合金膜上に備えることで、同程度のＧｅを含有するＡｇ合金膜上に金属酸化膜を設けない実施例１の試料Ｎｏ．７，１１〜１３（表１参照）と比較して耐硫化性が向上し、また耐熱性および耐湿性も良好で、特に優れた耐久性を示した。また、Ａｇ合金膜上に金属酸化膜を設けても、高い正反射率および良好なボンディング性が保持された。

１０，１０Ａ ＬＥＤ用リードフレーム
１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ ＬＥＤ用リードフレーム（リフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム）
１，１Ａ リード部材（リードフレーム）
１１，１１Ａ 基板
１２ Ｎｉ／Ａｇめっき膜
１２ａ Ｎｉめっき膜
１２ｂ Ａｇめっき膜
１３ Ａｇ合金膜
１ａ，１ｂ リード部材（リードフレーム）
１５ａ，１５ｂ インナーリード部
１６ａ，１６ｂ アウターリード部
２ ＬＥＤ素子実装体
２１ 樹脂成形体（基体）
２２ 素子実装部
２２ａ 底面
２２ｂ，２２ｃ 側面
２２ｅ 平面
２３ Ａｇ合金膜
２８ 離間領域
３３，３４ マスク

Claims (8)

1. 銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成された膜厚０．４μｍ以上のＮｉめっき膜と、このＮｉめっき膜上に形成された膜厚０．２μｍ以上のＡｇめっき膜と、このＡｇめっき膜上に形成された膜厚２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＡｇ合金膜と、を備えるＬＥＤ用リードフレームであって、
   前記Ｎｉめっき膜と前記Ａｇめっき膜の膜厚の合計は１０μｍ以下であり、
   前記Ａｇ合金膜は、スパッタリング法で形成され、Ｇｅ：０．０６〜０．５ａｔ％、およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有することを特徴とするＬＥＤ用リードフレーム。
2. 前記Ａｇ合金膜が、さらにＡｕ：０．５〜５ａｔ％を含有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
3. 前記Ａｇ合金膜は、その表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
4. 前記Ａｇ合金膜上に、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属の金属酸化膜または２種以上からなる合金の金属酸化膜を膜厚０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下で備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のＬＥＤ用リードフレーム。
5. 上方に開口した凹状の素子実装部が形成されたＬＥＤ素子実装体と、このＬＥＤ素子実装体に支持された一対のリードフレームと、を備え、前記ＬＥＤ素子実装体をリフレクタとするリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレームであって、
   前記一対のリードフレームは、前記素子実装部の底面に互いに離間領域を隔てて配設されて、それぞれが当該素子実装部から前記ＬＥＤ素子実装体の外側に延出し、
   前記リードフレームは、銅または銅合金からなる基板と、前記素子実装部の内側において前記基板上に形成された膜厚０．４μｍ以上のＮｉめっき膜と、このＮｉめっき膜上に形成された膜厚０．２μｍ以上のＡｇめっき膜と、このＡｇめっき膜上に形成された膜厚２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＡｇ合金膜と、を備え、前記Ｎｉめっき膜と前記Ａｇめっき膜の膜厚の合計は１０μｍ以下であり、
   前記ＬＥＤ素子実装体は、絶縁材料からなる基体と、前記離間領域を除く領域において前記素子実装部の表面に形成された膜厚７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下のＡｇ合金膜と、を備え、
   前記リードフレームおよび前記ＬＥＤ素子実装体のそれぞれが備えるＡｇ合金膜は、スパッタリング法で形成され、Ｇｅ：０．０６〜０．５ａｔ％、およびＢｉ：０．０２〜０．２ａｔ％を含有することを特徴とするリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム。
6. 前記Ａｇ合金膜が、さらにＡｕ：０．５〜５ａｔ％を含有することを特徴とする請求項５に記載のリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム。
7. 前記Ａｇ合金膜は、その表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム。
8. 前記Ａｇ合金膜上に、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗから選択される１種の金属の金属酸化膜または２種以上からなる合金の金属酸化膜を膜厚０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下で備えることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか一項に記載のリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム。

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