JP5771124B2 - Ｌｅｄ用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶ディスプレイのバックライト、照明器具、自動車のヘッドランプやリアランプ等に用いられる発光装置を構成し、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）のチップ（ダイ）を搭載してワイヤボンディングにより接続されるＬＥＤ用リードフレームおよびその製造方法に関する。

近年、ＬＥＤを光源とする発光装置が、省エネルギかつ長寿命である利点を活かして、広範囲の分野に普及し、各種機器に適用されている。ＬＥＤを光源とする発光装置の一例として、表面実装型の発光装置の構造および動作について、図２を参照して説明する。図２はＬＥＤチップを光源とする表面実装型の発光装置の外観図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図（上面図）である。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、発光装置は、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップに電気的に接続して当該ＬＥＤチップに駆動電流を供給するための導体である正極・負極の一対のリード部材１ａ，１ｃと、これらを支持する支持部材２と、を備える。詳しくは、支持部材２は、絶縁材料である樹脂成形体２１からなり、ＬＥＤチップが収容される凹状のＬＥＤチップ搭載部２２が形成されて、ＬＥＤチップ搭載部２２の上方が広がって開口したカップ状である。リード部材１ａ，１ｃは、帯状に形成され、それぞれが支持部材２の外側からＬＥＤチップ搭載部２２内側へ貫通している。

ＬＥＤチップは、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面の略中央に載置され、この位置に配設されている一方のリード部材１ａの上面に、図示しない接着剤によって固定される。さらにＬＥＤチップは、その電極（図示省略）が一対のリード部材１ａ，１ｃにボンディングワイヤ（ワイヤ）で接続されている。また、ＬＥＤチップ搭載部２２内は、エポキシ樹脂等の透明な封止樹脂（図示省略）が充填されて封止されている。すなわち、この発光装置は、ＬＥＤチップを封入したいわゆるパッケージである。なお、本明細書における「上」とは、原則として、リードフレームのＬＥＤチップが搭載される側を指す。

このような発光装置は、リード部材１ａ，１ｃの支持部材２の外側に延出されたそれぞれの部分（アウターリード部と称する（図２（ｂ）参照）。）を外部端子の電極として、図示しない外部の電源を接続して使用される。具体的には、発光装置はプリント配線基板等に実装され、その配線にリード部材１ａ，１ｃのアウターリード部がはんだ等で電気的に接続される。配線基板の配線およびリード部材１ａ，１ｃを介してＬＥＤチップに駆動電流が供給されて、ＬＥＤチップが発光し、この光がＬＥＤチップ搭載部２２の開口部から発光装置の外部へ照射される。詳しくは、駆動電流によりＬＥＤの発光部（発光層）が発光して、この発光部を中心に光を放射してＬＥＤチップから全方位へ照射される。

ＬＥＤチップから照射された光のうち、上方へ照射された光は直接、ＬＥＤチップ搭載部２２の開口部から発光装置の外部へ出射して照明光等として利用される。しかし、それ以外の、側方や下方へ照射された光は、ＬＥＤチップ搭載部２２の側面および底面ならびにこの底面上のリード部材１ａ，１ｃ表面に入射する。そこで、これらの面がＬＥＤチップから入射した光をよく反射させるように、支持部材２やリード部材１ａ，１ｃは表面の光反射率（以下、反射率という）を高くすることが求められている。例えば支持部材２は白色樹脂で形成された樹脂成形体２１からなり、あるいはＬＥＤチップ搭載部２２の各面に反射膜を形成する（図示省略）。一方、リード部材１ａ，１ｃは、導電性に優れてリードフレーム材料として一般的な銅（Ｃｕ）または銅合金を基板としてその表面に反射膜を形成したものが知られている。このような反射膜の材料としては、銀（Ａｇ）が金属の中で最も高い反射率を示して多くの光を反射させるために最適であり、さらにＬＥＤチップを接続するためのワイヤボンディング性が良好で、また外部の電源に接続するためのはんだ付け性が銅基板と同様に良好であるために適用されている。

しかし、Ａｇは、発光装置の使用時間の経過と共に、大気や封止樹脂に含まれるハロゲンイオンや硫黄と反応して表面に塩化物（ＡｇＣｌ）等のハロゲン化物や硫化物（Ａｇ₂Ｓ）を形成するため、これらの生成物により反射膜の表面が黒褐色に変色したり凝集して表面が荒れたりして、またＡｇはＬＥＤチップから発生する熱によっても凝集するため、反射率が劣化するという問題がある。また、封止樹脂にエポキシ樹脂を用いた場合には、この透明なエポキシ樹脂に反射膜中のＡｇが拡散してＡｇのナノ粒子として析出し、褐色に変色して光透過性を劣化させる。

この問題を解決するために、例えば、特許文献１，２には、純Ａｇめっき層に、塩化物や硫化物を形成し難いＡｇ−Ａｕ合金めっき層をさらに被覆して、塩化白金酸のような金属塩化物を硬化触媒として含有するシリコーン樹脂を封止樹脂に適用したリードフレームが記載されている。また、特許文献３〜５には、Ｇｅ，Ｂｉを添加して、耐ハロゲン化性、耐硫化性、および耐熱性に優れたＡｇ合金膜を適用したリードフレームが記載されている。

特開２００８−９１８１８号公報 特開２００９−７６９４８号公報 特開２００８−１９２６３５号公報 特開２０１１−９７０７号公報 特開２０１１−２３７０４号公報

これらの特許文献に記載されたように、特定の元素を添加することによりＡｇに耐久性を付与することが可能であるが、このような元素を反射率が損なわれない範囲で添加する等、反射膜の成分を緻密に制御する必要がある。さらに、ワイヤボンディング性を十分なものとし、また熱による基板からのＣｕの拡散による表面の変色を防止するためには、ある程度の厚さのＡｇ膜を必要とし、数百ｎｍ程度以上の膜厚が推奨される。したがって、Ａｇ膜を設けたリードフレームは、低コスト化に限界がある。

本発明の課題は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤチップのワイヤボンディングに対応でき、銀に代えて低コストの材料を適用して、高い反射率を長期間維持でき、またはんだ付け性が良好で、さらに安定してかつ容易に形成できる反射膜を備えたＬＥＤ用リードフレームおよびその製造方法を提供することにある。

本発明者らは、非貴金属の中でも反射率の比較的高いアルミニウム（Ａｌ）を反射膜に適用することに想到した。Ａｌは熱による凝集が生じ難く、またＣｕが熱拡散し難いため、熱による変色等の劣化が生じ難い。また、Ａｌは、表面に自然酸化膜（不働態皮膜）を形成することでＡｇよりも耐硫化性および耐ハロゲン性に優れるが、一方で自然酸化膜（酸化アルミニウム）はワイヤボンディング性やはんだ付け性に劣る。そこで、Ａｌ膜の高反射率を阻害しないような薄膜で十分なワイヤボンディング性およびはんだ付け性を付与する貴金属膜を表面に設けることを見出した。

すなわち本発明に係るＬＥＤ用リードフレームは、銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の反射膜と、この反射膜上に形成されたＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜と、を備えることを特徴とする。

また、本発明に係る別のＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤチップが収容されるための上方に開口した凹部が形成された支持部材と、この支持部材に支持された一対のリード部材とを備え、前記一対のリード部材が、互いに離間領域を隔てて前記凹部の底面に配設されて、それぞれが当該凹部から前記支持部材の外側に延出している支持部材付きのＬＥＤ用リードフレームである。そして、前記支持部材は、絶縁材料からなる基体と、前記凹部の表面において前記離間領域を除く領域に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜とを備え、前記リード部材は、銅または銅合金からなる基板と、前記凹部の内側において前記基板上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の反射膜と、この反射膜上に形成されたＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜とを備えることを特徴とする。

このようなＬＥＤ用リードフレームは、反射膜がアルミニウムで形成されることで、高い反射率を有すると共に、十分な耐熱性、耐硫化性、および耐ハロゲン性を有し、さらに表面に所定の貴金属からなる薄膜を備えることで、十分なワイヤボンディング性およびはんだ付け性が付与される。さらに、ＬＥＤ用リードフレームは、アルミニウムからなる反射膜上に酸化膜が形成されずに直接に貴金属膜が形成されることで、反射膜と貴金属膜との密着性がよくなり、表面の貴金属膜が剥離すること等がなく好ましい。

前記それぞれの本発明に係るＬＥＤ用リードフレームにおいて、基板と反射膜との間に、さらに膜厚０．５μｍ以上のＮｉめっき膜または膜厚０．１μｍ以上のＡｇめっき膜を形成してもよい。

このようなＬＥＤ用リードフレームは、基板上にめっきにて形成された表面の平滑なＮｉ膜またはＡｇ膜を下地とすることで、反射膜、さらに貴金属膜の表面が平滑となるため、正反射率が向上する。

前記の本発明に係るＬＥＤ用リードフレームに設けられた反射膜および貴金属膜は、それぞれの膜材料からなる蒸発源を用いて、物理蒸着法により成膜することができる。すなわち本発明に係るＬＥＤ用リードフレームの製造方法は、銅または銅合金からなる基板上に、物理蒸着法により、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる蒸発源を用いて反射膜を成膜するアルミニウム成膜工程と、物理蒸着法により、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる蒸発源を用いて貴金属膜を成膜する貴金属成膜工程と、を行うことを特徴とする。アルミニウム成膜工程および貴金属成膜工程においては、前記２つの蒸発源を順番に用いて、反射膜および貴金属膜を連続して成膜することができる。あるいは、アルミニウム成膜工程を行った後、貴金属成膜工程において、反射膜表面に形成された自然酸化膜を除去した後に貴金属膜を成膜することができる。

このような手順によるＬＥＤ用リードフレームの製造方法では、反射膜と貴金属膜とを安定した成分および膜厚で備え、また反射膜表面に自然酸化膜のない状態で貴金属膜を成膜できるので、反射膜と貴金属膜との密着性のよいＬＥＤ用リードフレームを容易に製造することができる。また、前記製造方法では、反射膜および貴金属膜の両方の蒸発源を設けることのできる成膜装置を用いて効率的に連続成膜してもよいし、貴金属膜の成膜前に自然酸化膜の除去を行うことで、反射膜または貴金属膜の一方の蒸発源のみを設けた成膜装置を用いて製造することもできる。

また、支持部材付きのＬＥＤ用リードフレームを製造するための本発明に係るＬＥＤ用リードフレームの製造方法は、前記のＬＥＤ用リードフレームの製造方法において、反射膜を成膜する前に、絶縁材料で、上方に開口した凹部を有する形状の支持部材の基体を成形する基体成形工程をさらに行えばよい。この基体成形工程は、前記基体を、前記基板が一対のリード部材として互いに離間領域を隔てて前記凹部の底面に配設されるように一体的に成形する。そして、前記反射膜を、前記基板上と同時に、前記凹部の表面において前記離間領域を除く領域に形成することを特徴とする。

このような手順によるＬＥＤ用リードフレームの製造方法では、基板上と支持部材の表面（基体上）との両方に、同時に反射膜を形成することができる。

前記の本発明に係るＬＥＤ用リードフレームの製造方法において、アルミニウム成膜工程の前に、基板上にめっき処理によりＮｉめっき膜またはＡｇめっき膜を成膜するめっき工程をさらに行ってもよい。

このような手順によるＬＥＤ用リードフレームの製造方法では、反射膜の下地に表面が平滑なＮｉめっき膜またはＡｇめっき膜が形成されるので、正反射率の高いＬＥＤ用リードフレームを製造することができる。

本発明に係るＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤチップを搭載してワイヤボンディングにより接続することができて、その発光した光を高効率で利用して照明光の明るさを向上させ、使用時間の経過による照明光の減衰等の劣化を抑え、さらに配線基板等へのはんだ付けによる実装が可能で、安価な発光装置とすることができる。また、本発明に係るＬＥＤ用リードフレームの製造方法によれば、前記ＬＥＤ用リードフレームを容易に製造することができる。

（ａ）、（ｂ）は本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの構成を示す断面図である。 ＬＥＤチップを光源とする表面実装型の発光装置の構造を示す外観図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。 本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームを使用した発光装置の構造を示す断面図であり、図２のＡ−Ａ線矢視断面図に対応する図である。 本発明の第１実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレームの模式図であり、（ａ）は基板の平面図、（ｂ）はＬＥＤ用リードフレームに支持部材を設けた平面図で（ａ）の部分拡大図に対応する図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。 本発明の第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームの構造を示す外観図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図、（ｃ）は反射膜の形成前を示し、（ａ）のＤ−Ｄ線矢視断面図に対応する図である。 本発明の第２実施形態の変形例に係るＬＥＤ用リードフレームの構造を示す断面図であり、図４（ｂ）のＢ−Ｂ線矢視断面図に対応する図である。 実施例におけるはんだ付け性の評価方法を説明する模式図である。

本発明に係るＬＥＤ用リードフレームは、光源としてＬＥＤチップを搭載してワイヤボンディングにより接続される発光装置を構成するための部品であり、発光装置の形状および形態、ならびにＬＥＤチップの搭載形態、製品としてユーザに提供する形態等に応じて、所要の形状および形態に構成される。以下、本発明のＬＥＤ用リードフレームについて、図面を参照して詳細に説明する。

〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（以下、リードフレーム）について、図１を主に参照して説明する。本発明に係るリードフレーム１は、発光装置の光源であるＬＥＤチップ（図２、図３参照）を発光させる駆動電流を供給するための配線であり、かつ、前記ＬＥＤチップの発光した光を反射させる反射板である。リードフレーム１は、ここでは図２および図３に示すように、発光装置の正極・負極の一対のリード部材１ａ，１ｃとして組み立てられて使用される。

図１（ａ）に示す第１実施形態に係るリードフレーム１は、基板１１と、基板１１の少なくとも一方の面に形成された反射膜１３と、さらにその上に形成された貴金属膜１４と、を備える。反射膜１３および貴金属膜１４は、基板１１のＬＥＤチップが搭載される側の面になる上面（以下、適宜表面という）のみに形成されていてもよいし、基板１１の下面（裏面）を含めた両面に形成されていてもよく、さらには、基板１１の表面の一部の領域、例えば発光装置に組み立てられたときにＬＥＤチップの発光した光が入射する領域のみに形成されていてもよい。例えば、図３に示すように発光装置のリード部材１ａ，１ｃとして使用される場合は、リードフレーム１は、帯状に成形され、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面に配設される領域（インナーリード部、図２（ｂ）参照）の上面側に反射膜１３および貴金属膜１４が形成されていればよい。また、リードフレーム１において、発光装置に組み立てられたときにリード部材１ａ，１ｃの外側に延出される領域（アウターリード部、図２（ｂ）参照）のような、外部の配線基板等にはんだで接続される領域においては、反射膜１３および貴金属膜１４は形成されていてもよいし、形成されずに基板１１が露出していてもよいが、反射膜１３が表面に露出しないように、すなわち反射膜１３のみが形成されることがないようにする。リードフレーム１は、これら以外の領域においては、基板１１が露出していてもよいし、反射膜１３、貴金属膜１４の２層またはいずれか１層のみが形成されていてもよい。次に、第１実施形態に係るリードフレームを構成する要素について、詳細に説明する。

（基板）
基板１１は、銅（Ｃｕ）またはＣｕ合金からなり、リードフレーム１の形状に成形される。Ｃｕ合金としては、Ｃｕを主成分とし、Ｎｉ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｐ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｂ等の元素の１種または２種以上を含有する合金、例えばＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金を用いることができる。基板１１は、その板厚について特に限定されないが、形状と同様に、発光装置の形状および形態等に応じて決定され、圧延等により、この所要の厚さの素板（圧延板）とし、これをプレス加工やエッチング加工等により所要の形状に成形することによって製造することができる。

さらに、基板１１は、硝酸を主成分とする強酸の混合液（キリンス酸）等の酸による表面のエッチングを行ったり、コイニングにより基板１１の表面の凹凸を潰しておくことにより、表面が平滑化されていることが好ましい。前記したように、基板１１はＣｕまたはＣｕ合金からなる圧延板を成形加工して製造されるが、圧延面に形成された酸化皮膜や、この酸化皮膜が脱落して圧延により埋め込まれた酸化物を除去するために、圧延後の研磨工程が必須である。この工程により研磨痕が表面に残るため、研磨工程後においては基板１１表面が粗くなる。ここで、リードフレーム１の表面の凹凸が激しい（高い突起や深い谷が多い）と、そのような表面に入射した光は拡散反射による反射が多くなって正反射率が減少する。リードフレーム１において、表面の正反射率が低く、拡散反射による反射が多いと、発光装置としたときに光の取出し効率が低下する。反射膜１３の表面性状はその下地の表面形状が保持され易く、さらに最表面の貴金属膜１４は極めて薄いため、基板１１の表面粗さがリードフレーム１の表面粗さと略一致する。そのため、反射膜１３の形成前において、基板１１はできるだけ表面を平滑化しておくことが好ましい。

（反射膜）
本発明に係るリードフレーム１において、反射膜１３は、発光装置としたときにＬＥＤチップから照射される光を反射する役割を有し、反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）で形成される。Ａｌは、熱による凝集が生じ難く、またＣｕが熱拡散し難いため、基板１１からＣｕが拡散して変色することがない。さらにＡｌは、大気中等の酸化雰囲気で表面に自然酸化膜（不働態皮膜）を形成することで、発光装置として十分な耐硫化性および耐ハロゲン性を有する。反射膜１３の成分はＡｌ単体に限定されず、工業上の純Ａｌ（１０００系Ａｌ）、さらにＡｌの高反射率が保持されればＡｌ合金で形成されてもよい。例えば、Ａｌ−Ｇｄ合金であれば耐アルカリ性の高い反射膜となる。このような反射膜１３は、当該反射膜１３の成分すなわちＡｌまたはＡｌ合金で形成された蒸発源を用いて物理蒸着法にて成膜することができる（後記の製造方法にて詳細に説明する）。

反射膜１３は、発光装置としたときにＬＥＤチップから照射される光を透過させずに反射させるために、膜厚は５０ｎｍ以上とする。一方、反射膜１３は、膜厚が５００ｎｍを超えて厚く設けられても、反射率のさらなる向上の効果が飽和し、また、成膜時間が長くなって生産上好ましくないため、膜厚は５００ｎｍ以下とすることが好ましい。

ここで、反射膜１３は、ＡｌまたはＡｌ合金で形成されているため、前記したように大気等に曝されると、表面に膜厚１０ｎｍ程度、少なくとも５ｎｍ程度の自然酸化膜が形成される。酸化アルミニウムはワイヤボンディングにおけるワイヤとの圧着性やはんだ付け性が低いため、反射膜１３が最表面に設けられたリードフレームでは、ＬＥＤチップとの間や外部の配線基板等との間で接続不良を生じる虞がある。さらに、酸化アルミニウム膜は、Ｃｕの酸化膜等と異なり、一般的なはんだに添加されるフラックスでは除去され難い。なお、はんだ付け性が高いとは、はんだの溶滴に接触した部分で溶融してはんだと合金化することと、はんだの溶滴の濡れ性が高いことを指し、酸化アルミニウムははんだと合金化せず濡れ性も低い。そこでリードフレーム１は、反射膜１３上すなわち最表面に、ワイヤとの圧着性およびはんだ付け性に優れた貴金属膜１４を備えることにより、ワイヤボンディング性およびはんだ付け性が付与される。また、反射膜１３は、表面に酸化膜が形成された状態では貴金属膜１４との密着性が低く、貴金属膜１４が剥離して圧着したワイヤごと離脱する虞がある。さらに、貴金属膜１４は薄いので、リードフレームのはんだ付けにおいて、はんだの溶滴に接触して表面が溶融すると、その下の酸化膜が露出することになり、貴金属膜１４が設けられない場合と同様に、はんだの濡れ性が低下する。そのため、反射膜１３と貴金属膜１４の界面における酸化膜（貴金属膜１４が形成される前の反射膜１３表面の酸化膜）は、膜厚５ｎｍ未満とする。詳しくは後記の製造方法にて説明するが、貴金属膜１４の形成前において、反射膜１３表面に酸化膜が形成されていない（除去されている）ようにする。

（貴金属膜）
貴金属膜１４は、反射膜１３上の、リードフレーム１の最表面に設けられ、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）から選択される１種以上からなる金属または合金で形成される。貴金属膜１４は、リードフレーム１がＬＥＤチップを搭載されて発光装置に組み立てられる際のワイヤボンディング性、および組み立てられた発光装置を配線基板等に実装する際のはんだ付け性を付与する。すなわちＰｄ，Ａｕ，Ｐｔは、Ａｕ等からなるワイヤの圧着性がよく、またはんだ付け性（はんだとの合金化容易性、はんだの濡れ性）も十分有し、極めて薄い膜であっても十分なワイヤボンディング性およびはんだ付け性が得られる。また、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔは、その表面に不動態皮膜を形成しないにも関わらず耐食性に優れているので、リードフレーム１の配線としての導電性を低下させることがなく、また反射率が比較的高いので、リードフレーム１の反射率が反射膜１３のＡｌが有する高反射率から大きく低下することがない。

貴金属膜１４は、リードフレーム１に十分なワイヤボンディング性およびはんだ付け性を付与するために、膜厚は５ｎｍ以上とする。一方、貴金属膜１４は、反射率がＡｌ（反射膜１３）よりは低いために、膜厚が厚過ぎるとリードフレーム１の反射率が低下する。また、貴金属膜１４は材料のコストが高いため、厚くするとリードフレーム１のコストが高くなる。したがって、貴金属膜１４の膜厚は５０ｎｍ以下とする。このように、貴金属膜１４は膜厚が比較的薄くかつ均一に形成されることから、スパッタリング法のような膜厚の制御の容易な物理蒸着法にて、当該貴金属膜１４の成分すなわちＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上で形成された蒸発源を用いて成膜することが好ましい（後記の製造方法にて詳細に説明する）。なお、スパッタリング法でＰｄ，Ａｕ，Ｐｔがこのような薄い膜に成膜された場合、貴金属膜１４はピンホールを有する膜になり易いが、ワイヤボンディング性やはんだ付け性への影響はなく、またピンホールを介して反射膜１３の表面（界面）における間隙に不働態皮膜が形成されても、貴金属膜１４の密着性が劣化することはない。

本発明の別の実施形態として、反射膜の下にＮｉめっき膜またはＡｇめっき膜をさらに形成してもよい。すなわち、図１（ｂ）に示す第１実施形態の変形例に係るリードフレーム１Ｂは、基板１１と、基板１１の少なくとも一方の面に形成された下地めっき膜（Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜）１２と、その上に形成された反射膜１３と、さらにその上に形成された貴金属膜１４と、を備える。下地めっき膜１２についても、反射膜１３および貴金属膜１４と同様に、少なくとも発光装置に組み立てられたときにＬＥＤチップの発光した光が入射する領域のみに形成されていればよく、上面や両面の全体に形成されていてもよい。また、Ｎｉ膜やＡｇ膜ははんだ付け性がよく、すなわち下地めっき膜１２ははんだ付け性が良好であるため、アウターリード部に形成された場合に、その上に反射膜１３および貴金属膜１４を形成せずに露出させてもよい。したがって、リードフレーム１Ｂは、例えば図４（ｃ）に示すように、基板１１の全面（表面、裏面、端面）に下地めっき膜１２が形成され、上面（表面）にのみ反射膜１３および貴金属膜１４（図中、１３／１４として１層で表す）が形成されていてもよい。基板１１、反射膜１３、および貴金属膜１４は、それぞれ図１（ａ）に示すリードフレーム１と同じであるため、同じ符号を付し説明を省略する。以下、下地めっき膜１２について説明する。

（下地めっき膜）
リードフレーム１Ｂにおいて、下地めっき膜１２は基板１１の表面に形成されて反射膜１３の下地として設けられる。前記した通り、物理蒸着法にて成膜された反射膜１３はその下地の表面性状が保持され易く、すなわち基板１１に直接に反射膜１３が設けられると基板１１の表面形状が保持され、そのままリードフレーム１の表面性状となる。そこで、本変形例においては、当該基板１１の表面の凹凸を埋めて平滑な表面を形成するめっき膜を、ＣｕまたはＣｕ合金からなる基板１１表面への成膜が容易で比較的反射率の高い金属で形成して、反射膜１３の下地とする。このような金属として、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｇ、Ｃｕ、クロム（Ｃｒ）、すず（Ｓｎ）を適用することができ、特にＮｉ，Ａｇが好ましい。基板１１の表面粗さにも影響されるが、当該下地めっき膜１２の表面を十分に平滑にするために、膜厚は、Ｎｉめっき膜の場合は０．５μｍ以上、Ａｇめっき膜の場合は０．１μｍ以上とすることが好ましい。下地めっき膜１２の膜厚の上限は規定しないが、膜厚が過剰に厚くても表面の平滑化の効果が飽和し、また不必要に厚く形成されると生産性が低下し、さらにＡｇめっき膜についてはコストが増大するため、Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜のいずれの場合も８μｍ以下とすることが好ましい。

Ｎｉめっき膜は、平滑な表面を形成するめっき膜であれば、成分はＮｉ単体に限定されず、例えば、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等のＮｉ合金で形成されるめっき膜であってもよく、また、電気めっき等の公知のめっき方法で形成することができる。さらに、光沢Ｎｉめっき膜であれば、基板１１の表面粗さに対していっそう平滑な表面を形成することができるため、好ましい。

Ａｇめっき膜は、平滑な表面を形成するめっき膜であれば、成分はＡｇ単体（純Ａｇ）に限定されず、例えば、Ａｇ−Ａｕ合金やＡｇ−Ｐｄ合金のような貴金属との合金、あるいはＡｇ−Ｂｉ合金等のＡｇ合金で形成されるめっき膜であってもよい。また、Ａｇめっき膜は、公知のめっき方法で形成される無光沢Ａｇめっき、半光沢Ａｇめっき、光沢Ａｇめっきのいずれであってもよいが、発光装置としたときにＬＥＤチップから照射された光を高効率で外部へ出射するためには光沢Ａｇめっきが最も好ましい。

Ｃｕ，Ｃｒ，Ｓｎで下地めっき膜１２を形成する場合も、平滑な表面を形成するめっき膜であれば公知のめっき方法で形成されるめっき膜であってよい。一般的には、光沢銅めっき、光沢クロムめっき、リフロー処理を施した光沢すずめっき等が挙げられる。

このように、反射膜１３の下地として下地めっき膜１２が設けられることで、発光装置に組み立てられたときに光の取出し効率に優れたリードフレーム１Ｂが容易に得られる。

リードフレーム１，１Ｂ（以下、適宜まとめてリードフレーム１という）の平面視形状は特に限定されず、発光装置の形状および形態等に応じて設計され、例えば、後記の発光装置の基板１１Ａ（図４（ａ）参照）のように、リードフレーム１が複数個連結された構成としてもよい。また、リードフレーム１はコイル状の条材等でもよく、この場合は、発光装置の製造時に当該発光装置の形状等に応じて切断、成形等加工される。

（リードフレームの製造方法）
本発明の第１実施形態に係るリードフレームは、前記の構成を形成できる方法であれば特に制限されず、いずれの方法により製造してもよい。例えば、図１（ａ）に示すリードフレーム１は、基板１１を作製する基板作製工程Ｓ１、基板１１に反射膜１３を形成するアルミニウム成膜工程Ｓ５、そして、反射膜１３表面に貴金属膜１４を形成する貴金属成膜工程Ｓ６を行う方法によって製造することができる（図示省略）。なお、各工程には説明のために符号を付す。以下に、リードフレーム１の製造方法の一例を説明する。

基板作製工程Ｓ１は、材料のＣｕまたはＣｕ合金を連続鋳造して鋳造板（例えば、薄板鋳塊）を製造し、次に、焼鈍、冷間圧延、中間焼鈍および時効処理、さらに、仕上げ圧延、研磨等の工程を経て、所要の厚さの素板を製造する。この素板を切断やプレス加工等によりリードフレーム１の形状に成形して基板１１を得ることができる。

反射膜１３および貴金属膜１４は、それぞれスパッタリング法のような物理蒸着法にて、当該反射膜１３、貴金属膜１４の各組成に合わせた、すなわちＡｌ（またはＡｌ合金）、貴金属でそれぞれ形成された蒸発源（ターゲット）を用いて成膜することができる。例えば、ターゲットを設置する複数の電極を備えて、電圧を印加する電極の切換えの可能なスパッタリング装置を用いることで、アルミニウム成膜工程Ｓ５および貴金属成膜工程Ｓ６を連続して行うことができる。

反射膜１３と基板１１との密着性をよくするために、アルミニウム成膜工程Ｓ５においては、成膜前に表面にＡｒイオンビームを照射したり、Ａｒ雰囲気中で高周波を印加することにより、基板１１表面に存在する汚れを除去することが好ましい。まず、Ａｌ（またはＡｌ合金）ターゲットおよび貴金属ターゲットを別の電極に設置し、基板１１をスパッタリング装置のチャンバー内に載置する。次に、チャンバー内を１．３×１０^-3Ｐａ以下の圧力まで真空排気した後、チャンバー内にＡｒガスを導入して、チャンバー内圧力を所定の圧力、例えば２×１０^-2Ｐａ程度に調整する。そして、イオンガンに所定の放電電圧を印加してＡｒイオンを発生させ、さらに所定の加速電圧とビーム電圧を印加することにより、Ａｒイオンビームを基板１１表面に照射する。その後、チャンバー内にＡｒガスを導入しながら、チャンバー内の圧力を０．２７Ｐａ程度に調整し、Ａｌターゲットに直流電圧（出力１００Ｗ）を印加することによりスパッタリングを行って、反射膜１３を成膜する。反射膜１３の形成が完了したら、Ａｌターゲットへの電圧印加を停止して当該工程Ｓ５を完了し、引き続いて貴金属成膜工程Ｓ６として、貴金属ターゲットに直流電圧（出力１００Ｗ）を印加することによりスパッタリングを行って、貴金属膜１４を成膜することでリードフレーム１を製造できる。それぞれのターゲットへの電圧印加時間を制御して、反射膜１３および貴金属膜１４を所望の膜厚に形成することができる。

このように、同一のスパッタリング装置を用いてチャンバー内をＡｒ等により低酸素雰囲気として反射膜１３および貴金属膜１４を連続して成膜すると、反射膜１３表面が大気に曝されることがないため、自然酸化膜が形成されることなく、貴金属膜１４が反射膜１３上に密着性よく形成される。一方、反射膜１３、貴金属膜１４を異なる成膜装置で形成したり、反射膜１３の形成後にチャンバーを開放して蒸発源を交換する等により、反射膜１３表面が大気に曝された場合は、貴金属成膜工程Ｓ６において、貴金属膜１４の成膜前に、反射膜１３表面に形成された自然酸化膜を除去する。具体的には、反射膜１３にＡｒイオンビームを照射したり、Ａｒ雰囲気中で高周波を印加することにより、反射膜１３表面に形成された自然酸化膜を除去することができる。すなわち、アルミニウム成膜工程Ｓ５における反射膜１３の成膜前の基板１１表面の汚れの除去と同様の処理を行えばよい。チャンバー内の真空排気やＡｒガスによる圧力調整等の一連の作業は、アルミニウム成膜工程Ｓ５と同様であるので、説明は省略する。

図１（ｂ）に示すリードフレーム１Ｂは、前記リードフレーム１の製造におけるアルミニウム成膜工程Ｓ５の前に、基板１１に下地めっき膜（Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜）１２を形成する下地めっき工程（めっき工程）Ｓ２をさらに行う方法によって製造することができる（図示省略）。工程Ｓ１，Ｓ５，Ｓ６はリードフレーム１の製造の製造方法にて説明したので省略し、以下に、下地めっき工程Ｓ２について説明する。

下地めっき膜１２としてＮｉめっき膜を形成する場合、その成膜に際して、予め基板１１を脱脂液による脱脂、電解脱脂、および酸溶液によって前処理を行うことが好ましい。前処理は、例えば、基板１１を、脱脂液に浸漬して脱脂した後、対極をステンレス３０４として、リードフレーム側がマイナスとなるようにして直流電圧を印加して３０秒間程度電解脱脂を行い、さらに、１０％硫酸水溶液に１０秒程度浸漬することによって行うことができる。

Ｎｉめっき膜は、例えば、ワット浴、ウッド浴、スルファミン酸浴等の公知のめっき浴を用い、Ｎｉ板を対極とし、電流密度５Ａ／ｄｍ²、めっき浴温度５０℃等の条件で電気めっきを行うことによって成膜することができる。また、光沢剤を添加しためっき浴を用いて光沢Ｎｉめっき膜とすることもできる。この電気めっきにおいては、電流密度やめっき通板速度（めっき時間）等を調整することによって、所望の膜厚のＮｉめっき膜を得ることができる。

下地めっき膜１２としてＡｇめっき膜を形成する場合も、その成膜に際して、Ｎｉめっき膜の形成と同様に、予め基板１１に前処理を行うことが好ましい。Ａｇめっき膜は、純Ａｇで形成する場合、例えば、シアン浴、チオ硫酸塩浴等の公知のめっき液を用い、Ａｇ（純度９９．９９％）板を対極とし、電流密度５Ａ／ｄｍ²、めっき浴温度１５℃等の条件で電気めっきを行うことによって成膜することができる。また、光沢剤を添加しためっき浴を用いて光沢Ａｇめっき膜とすることもできる。この電気めっきにおいては、Ｎｉめっきと同様に、電流密度やめっき通板速度（めっき時間）等を調整することによって、所望の膜厚のＡｇめっき膜を得ることができる。

なお、基板１１の片面（上面）のみ、あるいはさらに一部の領域のみに下地めっき膜（Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜）１２を形成する場合は、下面や前記領域以外にマスキングテープ等でマスキングした後、めっき浴で電気めっきを行うことによって、基板１１の所望の部位のみに下地めっき膜１２を形成することができる。

リードフレーム１Ｂの製造においては、アルミニウム成膜工程Ｓ５および貴金属成膜工程Ｓ６では、下地めっき膜１２を形成した基板１１をスパッタリング装置のチャンバー内に載置する。さらにアルミニウム成膜工程Ｓ５では、反射膜１３と下地めっき膜１２との密着性をよくするために、成膜前に下地めっき膜１２表面にＡｒイオンビームを照射したり、Ａｒ雰囲気中で高周波を印加することにより、下地めっき膜１２表面に存在する汚れを除去してもよい。

以上のように、前記工程Ｓ１，Ｓ５，Ｓ６をこの順に行うことによりリードフレーム１を製造することができる。また、工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６をこの順に行うことによりリードフレーム１Ｂを製造することができる。また、下地めっき工程Ｓ２において、基板１１（１１Ａ）をマスキングせず全面に下地めっき膜１２を形成し、アルミニウム成膜工程Ｓ５、貴金属成膜工程Ｓ６にて、片面（表面）にのみ反射膜１３および貴金属膜１４を形成すると、図４（ｃ）に示すリードフレーム１Ｂを製造することができる。また、基板作製工程Ｓ１における基板１１の成形前に、下地めっき工程Ｓ２を、あるいはさらにアルミニウム成膜工程Ｓ５および貴金属成膜工程Ｓ６を行ってから、リードフレーム１（１Ｂ）の形状に加工して製造することもできる。

〔第２実施形態〕
次に、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームについて、図５を参照して説明する。第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームと同じ要素については、同じ符号を付し、説明を省略する。第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤチップを光源として搭載される表面実装型の発光装置（図２参照）を構成するための部品である。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、第２実施形態に係る支持部材付リードフレーム（ＬＥＤ用リードフレーム）１０Ｂは、上方に開口した凹状のＬＥＤチップ搭載部（凹部）２２が形成された支持部材２Ｂと、この支持部材２Ｂに支持された正極・負極の一対のリード部材１ａ，１ｃと、を備える。リード部材１ａ，１ｃは、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面に、互いに離間して配設されて、それぞれが当該ＬＥＤチップ搭載部２２から支持部材２Ｂの外側に延出、すなわち支持部材２Ｂの内側（ＬＥＤチップ搭載部２２）から外側へ突き抜けた構成となる。支持部材付リードフレーム１０Ｂが発光装置に組み立てられたとき、支持部材２ＢはＬＥＤチップ搭載部２２内に光源であるＬＥＤチップを収容するための器および台座であり、リード部材１ａ，１ｃはこのＬＥＤチップに駆動電流を供給するための配線になる。第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレームは、前記の第１実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム１を一対のリード部材とし、これを、ＬＥＤチップが収容されるための凹部が形成された支持部材で支持する構造であることから、以下、支持部材付リードフレームと称する。次に、第２実施形態に係る支持部材付リードフレームを構成する要素について、詳細に説明する。

（リード部材）
図５（ａ）に示すように、リード部材１ａ，１ｃは帯状で、その長手方向に沿って並設され、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面にて長手方向中心に対して右寄りの位置で間隔を空けて対向し、それぞれが支持部材２Ｂの外側（図５における左右両側）へ貫通している。したがって、ＬＥＤチップ搭載部２２において、左側のリード部材１ａが、右側のリード部材１ｃよりも長く、底面の中央まで配設されている。リード部材１ａ，１ｃの、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面に配置された領域をインナーリード部、支持部材２Ｂの外側に延出された領域をアウターリード部と称する（図２（ｂ）参照）。このように、リード部材の一方（リード部材１ａ）がＬＥＤチップ搭載部２２の底面中央に配設されることで、支持部材付リードフレーム１０Ｂに搭載されるＬＥＤチップが安定して載置されて、このリード部材１ａがＬＥＤチップから下方へ照射された光を好適に反射することができる。詳しくは、リード部材１ａのインナーリード部の、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面の略中央（図５（ａ）に太破線の枠で示す領域）にＬＥＤチップが載置される。さらにリード部材１ａ，１ｃのインナーリード部におけるＬＥＤチップの両側（図における左右）における領域が、ワイヤボンディングのための領域となる。すなわちインナーリード部は、搭載されるＬＥＤチップを電気的に接続するための領域であり、同時に、このＬＥＤチップの発光した光を反射させる反射板を構成する。そして、アウターリード部は、外部の電源または配線に電気的に接続するための領域、すなわちはんだ付けのための領域である。

リード部材１ａ，１ｃは、第１実施形態に係るリードフレーム１（図１（ａ）参照）からなり、すなわち基板１１と、基板１１の少なくとも一方の面に形成された反射膜１３と、さらにその上に形成された貴金属膜１４と、を備える。図５（ｂ）に示すように、リード部材１ａ，１ｃは、反射膜１３および貴金属膜１４を備える面を上に向けて、支持部材２ＢのＬＥＤチップ搭載部２２の底面に配置される。また、図５（ｂ）においては、リード部材１ａ，１ｃはリードフレーム１からなるが、図３に示す第１実施形態と異なり、反射膜１３および貴金属膜１４はインナーリード部にのみ設けられ、アウターリード部および支持部材２Ｂに埋設された領域は、基板１１のみを備える。かかる構造については、後記の製造方法にて説明する。また、リード部材１ａ，１ｃは、図６に示す変形例に係る支持部材付リードフレーム１０Ｃのように、基板１１と反射膜１３との間に下地めっき膜（Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜）１２を備えたリードフレーム１Ｂ（図１（ｂ）参照）と同様の構成としてもよい（図６においては、反射膜１３は貴金属膜１４と共に１３／１４として１層で表す）。リード部材１ａ，１ｃを構成する基板１１等の各要素は、第１実施形態に係るリードフレーム１，１Ｂと同様であるので、説明を省略する。

（支持部材）
支持部材２Ｂは、図２に示す発光装置の支持部材２と同様に、凹状のＬＥＤチップ搭載部（凹部）２２が形成されたカップ状の樹脂成形体（基体）２１を備え、さらにＬＥＤチップ搭載部２２の表面に形成された反射膜２３を備える。ＬＥＤチップ搭載部２２は上方に広がって開口し、底面とこれを囲む４面の側面とから構成される平面視で長方形の四角錐台である。ＬＥＤチップ搭載部２２の形状はこれに限定されず、例えば平面視で正方形であったり、上方に広がって開口した円錐台でもよい。また、ＬＥＤチップ搭載部２２におけるリード部材１ａ，１ｃに挟まれた領域（空間）を、底面および側面を含めて、離間領域２８と称する。支持部材２Ｂは、支持部材付リードフレーム１０Ｂが使用される発光装置の形状および形態、ならびにＬＥＤチップの実装形態、製品としてユーザに提供する形態等に応じて所望の形状に成形される。

樹脂成形体２１は支持部材２Ｂの基体であり、絶縁材料である樹脂を支持部材２Ｂの形状に成形してなる。したがって、樹脂成形体２１は、その外側から内側（ＬＥＤチップ搭載部２２）へリード部材１ａ，１ｃがそれぞれ貫通するように、射出成形（インサート成形）等によって、リード部材１ａ，１ｃと一体的に成形されることが好ましい。樹脂は、耐熱性が２００℃以上のものであればよく、ポリアミド（ＰＡ）樹脂等のエンジニアリングプラスチック、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂等のスーパーエンジニアリングプラスチック等を用いることができる。また、樹脂成形体２１の、ＬＥＤチップ搭載部２２を形成する面（底面および側面）は、表面に反射膜２３を形成されて発光装置としたときの反射面となるので、基板１１と同様に、正反射率を高くするために平滑な表面にすることが好ましい。

支持部材２Ｂは、その内面すなわちＬＥＤチップ搭載部２２の表面（底面および側面）における離間領域２８を除く領域に、反射膜２３を備える。反射膜２３は、リード部材１ａ，１ｃ（リードフレーム１）に設けられた反射膜１３と同様に、アルミニウム（Ａｌ）またはＡｌ合金で形成され、リード部材１ａ，１ｃにおける反射膜１３と組成や膜厚が同一であっても異なっていてもよいが、膜厚は反射膜１３と同様に５０ｎｍ以上とする。このような反射膜２３が形成されることにより、ＬＥＤチップ搭載部２２の表面の反射率が高くなり、発光装置としたときに光の取出し効率がいっそう向上する。なお、ＬＥＤチップ搭載部２２の各表面（底面および側面）に形成される反射膜２３は、同じ膜厚でなくてよい。また、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面におけるリード部材１ａ，１ｃの配置される領域（インナーリード部の下）には反射膜２３が形成されなくてよい。

これらのことから、リード部材１ａ，１ｃと一体的に射出成形された樹脂成形体２１に対して、反射膜２３を成膜することができる。さらに後記するように、樹脂成形体２１を、反射膜１３を形成する前のリード部材１ａ，１ｃ（基材１１または下地めっき膜１２を形成した基材１１）と一体的に射出成形し、インナーリード部（基材１１または下地めっき膜１２）およびＬＥＤチップ搭載部２２（樹脂成形体２１）の表面に、反射膜１３，２３を一体に成膜することができる。さらに、ＬＥＤチップ搭載部２２を上方に広がって開口した形状とすることで、当該ＬＥＤチップ搭載部２２の開口部（上方）から底面に向けて反射膜１３，２３を物理蒸着法で成膜すれば、底面上のリード部材１ａ，１ｃのインナーリード部および底面だけでなく、傾斜した側面にも反射膜２３が同時に成膜される。

さらに、反射膜１３，２３と同様に、樹脂成形体２１（支持部材２Ｂ）に支持されてＬＥＤチップ搭載部２２の底面上に配されたリード部材１ａ，１ｃに、物理蒸着法で貴金属膜１４を成膜すると、ＬＥＤチップ搭載部２２の各面にも同じ組成の貴金属膜が成膜される（図５（ｂ）および図６においては省略する）。このような貴金属膜は、リード部材１ａ，１ｃにおける貴金属膜１４と同様に、膜厚５０ｎｍ以下であれば反射膜２３の高反射率を阻害しないので形成されてもよい。なお、支持部材付リードフレーム１０Ｂが発光装置に組み立てられる際に、支持部材２ＢのＬＥＤチップ搭載部２２の表面にはワイヤボンディングされないので、リード部材１ａ，１ｃ（リードフレーム１）のように貴金属膜を反射膜２３上に設ける必要はなく、反射膜２３は露出していてもよい。また、図５（ｂ）において、ＬＥＤチップ搭載部２２の表面に、リード部材１ａ，１ｃ表面を含めて一体に反射膜を示しているが、樹脂成形体２１上に形成されたものは反射膜２３、基板１１上すなわちリード部材１ａ，１ｃ表面に形成されたものは反射膜１３とする。

ここで、ＬＥＤチップ搭載部２２の表面（底面および側面）の全領域にＡｌまたはＡｌ合金からなる反射膜、あるいはさらに貴金属膜が形成されていると、この反射膜等を介してリード部材１ａ，１ｃ間が短絡する。したがって、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面および側面（長手方向に沿った側面）の離間領域２８における領域には、反射膜２３および貴金属膜は形成されない。また、反射膜２３等は、ＬＥＤチップ搭載部２２の表面以外、すなわち支持部材２Ｂの上面（側壁の上端面）や外側の側面等にも形成されてもよいが、離間領域２８の延長上で、リード部材１ａ，１ｃの各インナーリード部から連続して形成されないようにする。すなわち、反射膜２３は、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面の、リード部材１ａの配置される領域に連続する領域と、リード部材１ｃの配置される領域に連続する領域とで、離間領域２８を隔てて完全に分離される。このような反射膜２３の形成方法は、後記の製造方法で詳細に説明する。

（支持部材付リードフレームの製造方法）
第２実施形態に係る支持部材付リードフレーム１０Ｂは、前記の構成を形成できる方法であれば特に制限されず、いずれの方法により製造してもよい。例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示す支持部材付リードフレーム１０Ｂは、第１実施形態に係るリードフレーム１の製造方法における基板作製工程Ｓ１、アルミニウム成膜工程Ｓ５、貴金属成膜工程Ｓ６に、さらに樹脂成形工程Ｓ３およびマスク工程Ｓ４を行う方法によって製造することができる（図示省略）。以下に、第２実施形態に係る支持部材付リードフレームの製造方法の一例を説明する。

基板作製工程Ｓ１は、前記第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。この工程で、リード部材１ａ，１ｃの形状に成形された基板１１を得る。

樹脂成形工程Ｓ３は、射出成形（インサート成形）等によって、樹脂成形体２１をリード部材１ａ，１ｃと一体的に成形する。詳しくは、樹脂成形体２１の外側から内側（ＬＥＤチップ搭載部２２）へ、基板１１が貫通するように、樹脂を前記基板１１と一体的に成形する。なお、樹脂成形体２１のＬＥＤチップ搭載部２２の底面となる面は、リード部材１ａ，１ｃの上面（基板１１の上面）と面一であることが好ましいが、例えば基板１１の下面と面一に成形されてもよい。

次に、リード部材１ａ，１ｃのインナーリード部における基板１１表面に反射膜１３を、樹脂成形体２１のＬＥＤチップ搭載部２２における表面に反射膜２３を、それぞれ形成する（アルミニウム成膜工程Ｓ５）。しかしながら、ＬＥＤチップ搭載部２２の開口部から底面に向けて、そのまま、すなわちＬＥＤチップ搭載部２２表面の全領域に反射膜１３，２３を成膜すると、前記したように、ＬＥＤチップ搭載部２２表面の反射膜（アルミニウム膜）を介してリード部材１ａ，１ｃ間が短絡することになる。そこで、この短絡を防止するために、アルミニウム成膜工程Ｓ５の前にマスク工程Ｓ４を行う。以下、マスク工程Ｓ４について説明する。

マスク工程Ｓ４はアルミニウム成膜工程Ｓ５および貴金属成膜工程Ｓ６の準備工程であり、ＬＥＤチップ搭載部２２の離間領域２８をマスクすることにより、後続の工程Ｓ５，Ｓ６でこの離間領域２８に反射膜１３，２３および貴金属膜１４が形成されないようにする。マスク方法は特に規定されず、公知の方法を適用できるが、一例としては、図５（ｃ）に示すように、ＬＥＤチップ搭載部２２（内部空間）のＣ−Ｃ線矢視断面形状と同じ逆台形の上に樹脂成形体２１の側方へ張り出す耳部を有する平面視形状で、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面上におけるリード部材１ａ，１ｃ間距離と同じ厚さの板状のマスク（マスク板）を用いる。そして、このマスク板を樹脂成形体２１のＬＥＤチップ搭載部２２に、離間領域２８の位置に合わせて、開口部から底面に向けて嵌装する。マスク板の構成は特に制限されず、例えば、銅、アルミニウム、チタン、ＳＵＳ等の金属材料をエッチングやプレス加工等で作製されたものを用いることができる。このマスク板をＬＥＤチップ搭載部２２に嵌装した状態で、アルミニウム成膜工程Ｓ５および貴金属成膜工程Ｓ６を行う。また、このとき、支持部材２Ｂ（樹脂成形体２１）におけるＬＥＤチップ搭載部２２の表面以外（外側表面）、あるいはさらにリード部材１ａ，１ｃのアウターリード部を覆うマスク（図示せず）も設けてもよい。

アルミニウム成膜工程Ｓ５および貴金属成膜工程Ｓ６は、それぞれ前記第１実施形態における工程Ｓ５，Ｓ６と同様であり、所定の組成および膜厚の反射膜１３，２３および貴金属膜１４を、リード部材１ａ，１ｃのインナーリード部も含めてＬＥＤチップ搭載部２２に、一体に成膜する。第１実施形態と同様に、工程Ｓ５，Ｓ６を連続して行ってもよいし、アルミニウム成膜工程Ｓ５の後、反射膜１３，２３の表面が大気等に曝された状態で、貴金属成膜工程Ｓ６にて自然酸化膜を除去してから貴金属膜１４を成膜してもよい。

ここで、基板１１を貫通させた樹脂成形体２１は、スパッタリング装置のチャンバー内において、ＬＥＤチップ搭載部２２の底面およびリード部材１ａ，１ｃ上面をＡｌターゲットおよび貴金属ターゲットに対向する向きに載置されることが好ましい。このように載置されることで、ＬＥＤチップ搭載部２２の側面の傾斜角度にもよるが、この側面への成膜の方が、底面やリード部材１ａ，１ｃ上面への成膜よりも成膜速度が遅くなる。したがって、アルミニウム成膜工程Ｓ５においては、樹脂成形体２１のＬＥＤチップ搭載部２２の側面に形成される反射膜２３の必要な膜厚に合わせて成膜すればよい。一方、貴金属成膜工程Ｓ６においては、貴金属膜はリード部材１ａ，１ｃ表面にのみ必要なので、かかる面における貴金属膜１４の膜厚に合わせて成膜すればよく、貴金属膜が樹脂成形体２１上（反射膜２３上）にも形成されてもリード部材１ａ，１ｃにおける貴金属膜１４の膜厚以下であれば、何ら問題はない。

反射膜１３，２３および貴金属膜１４を成膜した後、ＬＥＤチップ搭載部２２からマスク板を外すと、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、ＬＥＤチップ搭載部２２の表面において、底面および側面にわたって、反射膜２３等が形成されず樹脂成形体２１が露出した領域が、離間領域２８に沿って帯状に存在する支持部材２Ｂとなり、支持部材付リードフレーム１０Ｂが製造される。このように離間領域２８に反射膜２３等の金属膜が形成されないようにすることによって、反射膜２３等を介してリード部材１ａ，１ｃ間で短絡することを防止して絶縁性を確保することができる。また、リード部材１ａ，１ｃの各インナーリード部間（離間領域２８）には、樹脂成形体２１を構成する樹脂、あるいは発光装置に組み立てられたときに封止樹脂が充填されるので、リード部材１ａ，１ｃ間の絶縁性は保持される。なお、マスク板の板厚はリード部材１ａ，１ｃ間距離（離間領域２８の幅）と一致していなくてもよく、リード部材１ａ，１ｃ間の短絡を防止できれば、反射膜２３の形成されない領域はこれに限られず、離間領域２８より広くても狭くてもよい。

以上のように、前記の工程Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をこの順に行うことにより、第２実施形態に係る支持部材付リードフレーム１０Ｂを製造することができる。

図６に示す支持部材付リードフレーム１０Ｃのように、リード部材１ａ，１ｃにリードフレーム１Ｂ（図１（ｂ）参照）を適用する場合は、第１実施形態と同様に、基板１１に下地めっき膜１２を形成する下地めっき工程（めっき工程）Ｓ２をさらに行う。すなわち、支持部材付リードフレーム１０Ｂの製造方法と同様の工程Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６に、さらに下地めっき工程（めっき工程）Ｓ２をアルミニウム成膜工程Ｓ５の前までに行う方法によって製造することができる。下地めっき工程Ｓ２は、前記第１実施形態における工程Ｓ２と同様であるので、説明を省略する。なお、第１実施形態に係るリードフレーム１Ｂの製造方法と同様に、基板作製工程Ｓ１における成形前に、下地めっき工程Ｓ２を行ってからリード部材１ａ，１ｃの形状に加工してもよい。また、支持部材付リードフレーム１０Ｃにおいては、下地めっき工程Ｓ２で基板１１（１１Ａ）の下面にマスキングを施して、上面にのみ下地めっき膜１２を形成しているが、図４（ｃ）に示す支持部材付リードフレーム１０Ａのリード部材１ａ，１ｃ（リードフレーム１Ｂ）のように、基板１１Ａの両面さらに端面にも下地めっき膜１２を形成してもよい。このようにして得られた下地めっき膜１２が形成された基板１１Ａについて、樹脂成形工程Ｓ３を行って支持部材２Ｃを形成すればよく、以降は、工程Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をこの順に行って支持部材付リードフレーム１０Ｃが製造される。

以上のように、前記の工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をこの順に行うことにより、第２実施形態の変形例に係る支持部材付リードフレーム１０Ｃを製造することができる。しかし、本変形例においては、リード部材１ａ，１ｃの下地めっき膜１２が形成される部位に応じて、下地めっき工程Ｓ２を行う順序を変更して製造することができる。例えば、基板１１を作製してリード部材１ａ，１ｃの形状に成形し（工程Ｓ１）、下地めっき膜１２の形成前に、この基板１１と一体的に樹脂成形体２１を成形する（工程Ｓ３）。次に、樹脂成形体２１を貫通した基板１１に、電気めっきにより下地めっき膜１２を形成する（工程Ｓ２）。電気めっきによれば、絶縁材料からなる樹脂成形体２１の表面にはめっき膜は形成されない。そして、前記と同様に、樹脂成形体２１のＬＥＤチップ搭載部２２にマスク板を嵌装して（工程Ｓ４）から、下地めっき膜１２および樹脂成形体２１の表面に反射膜１３，２３および貴金属膜１４を形成する（工程Ｓ５，Ｓ６）。このような工程Ｓ２と工程Ｓ３の順序を入れ替えて製造された支持部材付リードフレームにおいては、リード部材１ａ，１ｃの支持部材２Ｃに埋設された領域（インナーリード部−アウターリード部間）は基板１１のみで構成され、下地めっき工程Ｓ２において基板１１の下面にマスクを設けなくてもインナーリード部の下面（裏面）には下地めっき膜１２が形成されない。

なお、支持部材付リードフレーム１０Ｃは、マスク工程Ｓ４において図５（ｃ）に示すマスク板のみを用いたため、支持部材２Ｃの上面やリード部材１ａ，１ｃのアウターリード部にも、反射膜２３，１３および貴金属膜１４が形成されるが、マスク板の耳部により支持部材２Ｃの外側表面における離間領域２８の延長上には、反射膜２３等は形成されず、リード部材１ａ，１ｃ間の短絡は生じない。

〔発光装置〕
次に、本発明の第１、第２実施形態に係るＬＥＤ用リードフレーム（リードフレームおよび支持部材付リードフレーム）を用いた発光装置についてその一例を説明する。
第２実施形態およびその変形例に係る支持部材付リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃを用いて発光装置に組み立てる方法の一例は、次の通りである。まず、リード部材１ａのインナーリード部表面のＬＥＤチップ搭載部２２の略中央（図５（ａ）に示すＬＥＤチップ載置領域）にシリコーンダイボンド材等からなる接着剤を塗布して、その上にＬＥＤチップを接着して固定する。次に、ワイヤボンディングにより、金ワイヤでＬＥＤチップの電極をリード部材１ａ，１ｃの各インナーリード部に接続する。そして、ＬＥＤチップ搭載部２２にエポキシ樹脂等の封止樹脂を充填することにより封止して、ＬＥＤチップを光源として搭載した表面実装型の発光装置（図２参照）となる。なお、ＬＥＤ用リードフレーム１０Ｃにおいては、基板１１Ａで複数個を連結された状態で発光装置に製造されてから図６に示す太破線で切り離されて使用される。また、一対の電極が上下両面にそれぞれ設けられたＬＥＤチップを搭載した発光装置を組み立てることもできる。下面にｎ電極が設けられたＬＥＤチップの場合は、負極のリード電極１ｃがＬＥＤチップ搭載部２２の略中央まで配設された支持部材付リードフレームとし、ＬＥＤチップを、導電性の接着剤を用いてｎ電極をリード電極１ｃに電気的に接続しつつ搭載し、ワイヤボンディングにより上面のｐ電極をリード部材１ａに接続すればよい。

第１実施形態およびその変形例に係るリードフレーム１，１Ｂも、所定の平面視形状に成形したものが貫通するように、前記の第２実施形態等と同様に樹脂成形体２１（支持部材２，２Ａ）を成形することで、支持部材付リードフレーム１０，１０Ａを製造して、表面実装型の発光装置の部品とすることができる。したがって、第２実施形態に係る支持部材リードフレームの製造方法における樹脂成形工程Ｓ３のように、樹脂をリードフレーム１，１Ｂと一体的に射出成形すればよく、すなわち支持部材リードフレームの製造方法における工程Ｓ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ３をこの順に行うことになる。例えば、図４（ａ）に示す第１実施形態の変形例における基板１１Ａを適用してリードフレーム１Ｂを製造し、図４（ｂ）に破線で示すように一体的に支持部材２Ａを形成することで、図４（ｃ）に示す支持部材付リードフレーム１０Ａが得られる。このようにして得られる支持部材付リードフレーム１０，１０Ａは、図３および図４（ｃ）に示すように、支持部材２，２Ａ（樹脂成形体２１）のＬＥＤチップ搭載部２２表面に反射膜２３等の金属膜が形成されていないこと以外は、それぞれ第２実施形態に係る支持部材付リードフレーム１０Ｂ，１０Ｃ（図５（ｂ）、図６）と同様の構造となる。したがって、樹脂成形体２１に白色樹脂を適用する等、表面の反射率が高くなるようにすることが好ましい。あるいは射出成形によらずに、例えばＬＥＤチップを囲む枠を樹脂で成形してリードフレーム１に取り付けてもよい（図示せず）。この枠の取付けは、ＬＥＤチップの搭載の前でも後でもよい。

第１実施形態およびその変形例に係るリードフレーム１，１Ｂは、支持部材２等を形成せずに、例えば砲弾型の発光装置に製造されてもよい（図示せず）。この場合は、基板１１を、異形条材（圧延幅方向に板厚の異なる圧延板）の板厚の厚い部位をプレス鍛造でカップ形状に成型して、このカップ形状の外側に板厚の薄い部位が帯状に延出された形状に作製する。そして、この基板１１のカップ形状の内側表面に下地めっき膜１２、反射膜１３、および貴金属膜１４を形成してリードフレームとする。カップ形状の内面がリード部材１ａのインナーリード部とＬＥＤチップ搭載部２２とを兼ね、帯状の部位がアウターリード部となる。これに、別部材で作製したリードフレーム１（基板１１のみで構成されてもよい）をリード部材１ｃとして合わせて一組のリードフレームとする。このようなリードフレームでは、ＬＥＤチップはカップ形状の内底面に搭載されてワイヤボンディングされ、カップ形状の内部に封止樹脂を充填して封止される。このような構造とすることで、リードフレーム１をＬＥＤチップの下方のみならず側方の反射面に構成することもできる。

以上のようなリードフレーム１，１Ｂまたは支持部材リードフレーム１０〜１０Ｃを用いて得られる発光装置において、反射膜１３はＡｇ膜と異なり、熱による凝集や変色が生じ難く、耐硫化性および耐ハロゲン性に優れ、さらにリードフレーム１等は少なくとも表面近傍にＡｇを含有する膜を備えないため、Ａｇのナノ粒子の析出を引き起こし難く、エポキシ樹脂等の封止樹脂を変色させることがないため、ＬＥＤチップが発光した光を安定して反射させて、長期に高効率で取り出すことができる。さらに、このような発光装置は、リードフレーム１等の表面に設けられた貴金属膜１４によって、はんだ付けにより配線基板等に実装することが可能であり、また当該発光装置が組み立てられた際のワイヤボンディング性が良好なため、接合不良が生じない。

以下、本発明の実施例によって、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。

〔試料作製〕
下記のようにして、図１（ａ）に示す積層構造のリードフレーム１の試料を、反射膜および貴金属膜のそれぞれの成分および膜厚を変化させて作製し、図１（ｂ）に示す積層構造のリードフレーム１Ｂの試料を、下地めっき膜の成分および膜厚を変化させて作製した。

（基板の作製）
厚さ０．１ｍｍのＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板（ＫＬＦ１９４Ｈ、（株）神戸製鋼所製）を、プレス加工して、図４（ａ）に示す形状の基板（基板１１Ａ）を作製した。

（Ｎｉめっき膜の形成）
試料Ｎｏ．９〜１３，２１について、前記基板に下地めっき膜としてＮｉめっき膜を形成した。めっき前処理として、基板を脱脂液に浸漬して、対極をステンレス３０４として、基板側がマイナスとなるようにして直流電圧を印加して３０秒間電解脱脂を行った後、１０％硫酸水溶液に１０秒浸漬した。前処理後の基板の表面（全面）に、下記成分、液温５０℃のワット浴で、対極をＮｉ板とし、電流密度：５Ａ／ｄｍ²で、光沢Ｎｉめっきを施して、表１に示す膜厚のＮｉめっき膜を形成し、めっき浴から引き上げて水洗した。
Ｎｉめっき浴成分
硫酸Ｎｉ：２５０ｇ／Ｌ
塩化Ｎｉ： ４０ｇ／Ｌ
硼酸 ： ３５ｇ／Ｌ
添加剤Ａ： ３ｍｌ／Ｌ
添加剤Ｂ：１０ｍｌ／Ｌ

（Ａｇめっき膜の形成）
試料Ｎｏ．１４〜１８について、前記基板に下地めっき膜としてＡｇめっき膜を形成した。前記Ｎｉめっき膜の形成と同様のめっき前処理を基板に行った。そして、試料Ｎｏ．１４，１５，１８について、前処理後の基板の表面（全面）に、下記成分、液温１５℃のシアン浴で、対極をＡｇ（純度９９．９９％）板とし、電流密度：５Ａ／ｄｍ²で、光沢Ａｇめっきを施して、表１に示す膜厚のＡｇめっき膜を形成し、めっき浴から引き上げて水洗した。
Ａｇめっき浴成分
シアン化銀カリウム(Ｉ)：５０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム ：４０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム ：３５ｇ／Ｌ
添加剤Ｃ ：３ｍｌ／Ｌ

試料Ｎｏ．１６，１７について、前処理後の基板の表面（全面）に、液温２５℃の、Ｂｉ濃度：１００ｍｇ／ＬのＡｇ−Ｂｉ合金めっき浴で、対極をＰｔ板とし、電流密度：３Ａ／ｄｍ²で、Ａｇ−Ｂｉ合金めっきを施して、表１に示す膜厚のＡｇ−Ｂｉ合金めっき膜を形成し、めっき浴から引き上げて水洗した。また、Ａｇ（Ａｇ−Ｂｉ合金）めっき膜の組成を分析するために、ステンレス３０４をダミー基板として同じ条件でめっき膜を形成した。このめっき膜をダミー基板から剥離させて硝酸で溶解後、溶解した硝酸の液を、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分光分析装置（ＩＣＰＳ−８０００、島津製作所製）を用いて分析することにより、組成を求めた。

Ｎｉめっき膜およびＡｇめっき膜の各膜厚は、めっき速度に基づいてめっき通電時間を調整することで制御した。具体的には、ダミー基板に前記それぞれのめっきと同じ条件で一定時間めっきを施した。そして、Ｎｉめっき膜およびＡｇ（純Ａｇ）めっき膜については、ダミー基板のめっき前との重量差を測定することによりＮｉ，Ａｇの付着量を求め、この付着量をめっき面積、Ｎｉ，Ａｇの理論密度、およびめっき時間で割ることにより単位時間に析出するＮｉめっき膜厚（めっき速度）を算出した。Ａｇ（Ａｇ−Ｂｉ合金）めっき膜については、ダミー基板のめっき膜の厚さを断面ＳＥＭ観察により測定してめっき速度を算出した。それぞれの下地めっき膜について、めっき速度から所望の膜厚を形成するめっき時間を算出した。

（反射膜、貴金属膜の成膜）
基板または下地めっき膜を形成した基板に、下記の方法で反射膜および貴金属膜を形成した。基板を、表１に示す反射膜および貴金属膜の組成に合わせた金属ターゲット（直径１０．１６ｃｍ（４インチφ）×厚さ５ｍｍ）を設けたスパッタリング装置のチャンバー内に載置した。次に、真空ポンプでチャンバー内圧力が１．３×１０^-3Ｐａ以下となるように真空排気した後、Ａｒガスをチャンバー内に導入してチャンバー内圧力を０．２７Ｐａに調整した。この状態で、反射膜用の金属ターゲット、貴金属膜用の金属ターゲットに順次、直流電圧（出力１００Ｗ）を印加してスパッタリングを行い、表１に示す膜厚の反射膜および貴金属膜の２層の金属膜を成膜し、リードフレーム１，１Ｂの試料を作製した。なお、試料Ｎｏ．１９，２２は、反射膜のみを形成した。

（反射膜および貴金属膜の膜厚の測定）
反射膜および貴金属膜の各膜厚は、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を行って測定した。試料の表面について、全自動走行型Ｘ線光電子分光分析装置（Physical Electronics社製Quantera SXM）を用いて、表１に示す貴金属膜に含有される金属元素、反射膜に含有されるＡｌ、および基板のＣｕまたは下地めっき膜のＮｉ，Ａｇの各濃度を、表面から深さ方向へ測定した。試料表面から、貴金属膜に含まれる金属元素の濃度が最高濃度の１／２まで減少した深さまでを貴金属膜の膜厚とし、さらに前記深さから、Ａｌの濃度が最高濃度の１／２まで減少した深さまでを反射膜の膜厚とした。測定条件は、Ｘ線源：単色化Ａｌ−Ｋα、Ｘ線出力：４３．７Ｗ、Ｘ線ビーム径：２００μｍ、光電子取出し角：４５°、Ａｒ⁺スパッタ速度：ＳｉＯ₂換算で約０．６ｎｍ／分とした。

〔評価〕
得られたリードフレームの試料について、下記の方法で、表面の反射率、耐硫化性、ワイヤボンディング性、およびはんだ付け性を評価した。結果を表１に示す。

（反射率評価）
自動絶対反射率測定システム（日本分光株式会社製）を用いて、入射角５°、反射角５°の条件で、波長２５０〜８５０ｎｍにおける分光反射率を測定して正反射率を求めた。正反射率５０％以上を合格とした。

（耐硫化性評価）
耐硫化試験として、硫化水素濃度３ｐｐｍ、温度４０℃、湿度８０％に調整したチャンバー内に、試料を９６時間暴露した。試験後、前記と同様に正反射率を測定し、耐硫化試験による正反射率の低下が１０ポイント未満のものを合格とした。

（ワイヤボンディング試験）
試料の図４（ｂ）に示すリード部材１ａ，１ｃ間（インナーリード部、図２（ｂ）参照）を、マニュアルボンダ（KULICKE and SOFFA INDUSTRIES社製、Model 4127）を用いて、線径φ２５μｍの金（純Ａｕ）線（田中貴金属工業製）をボンディングワイヤとしてワイヤボンディングした。そして、光学顕微鏡で観察しながら金線の中央をピンセットで掴んで引っ張ることにより試験を行った。その結果、金線が試料のボンディング箇所から剥離することなく金線を切ることができた場合をワイヤボンディング性が良好であるとして「○」、少なくとも一方のボンディング箇所から金線が剥離した場合を不良であるとして「×」で評価した。また、金線が試料の表面に圧着せず、ワイヤボンディングできなかったものも不良であるとして「××」で評価した。

（はんだ付け性評価）
試料をホットプレートで２５０℃に加熱し、直径約５ｍｍのはんだボール（Ｓｎ−３．０ａｔ％Ａｇ−０．５ａｔ％Ｃｕ）を溶融させて、試料の表面に垂らした後、試料をホットプレートから外して冷却してはんだを凝固させた。そして、凝固したはんだ溶滴の試料表面における濡れ接触角を測定した。図７に示すように、試料を側面視で（試料の表面に水平な方向から見て）観察し、はんだ溶滴の端点と頂点とを結ぶ線分（図中に破線で示す）が試料表面となす角θを測定し、２θをはんだ溶滴の濡れ接触角であるとした。はんだ溶滴の濡れ接触角２θが小さいほどはんだの濡れ性がよいことを示し（図７（ａ）参照）、濡れ接触角２θが大きくなるとはんだの濡れ性が低下する（図７（ｂ）参照）。濡れ接触角２θが８０°以下であれば、はんだの濡れ性を十分に有してはんだ付けによる実装が可能であるので、はんだ付け性合格とし、特に２θ＜４５°をはんだ付け性優良として「◎」、４５°≦２θ≦８０°をはんだ付け性良好として「○」で評価した。一方、濡れ接触角２θが８０°を超えて大きいとはんだ付けによる実装が困難になり、８０°＜２θ≦９０°を「△」、２θ＞９０°を「×」で評価した。

表１に示すように、試料Ｎｏ．１〜１８は、ＡｌまたはＡｌ合金からなる反射膜に貴金属膜を被覆した本発明に係るリードフレームの実施例であるため、優れた耐硫化性、ならびに良好なワイヤボンディング性およびはんだ付け性を示した。特に、反射膜の下地にＮｉめっき膜またはＡｇめっき膜を設けた試料Ｎｏ．９〜１８は、初期反射率も高く、光の取出し効率に優れていた。

これに対して、試料Ｎｏ．１９は反射膜としてＡｇ膜のみを設けたため、初期反射率は高かったが、耐硫化試験によるＡｇ膜の劣化が著しく、反射率が低下した。同様にＡｇ膜を反射膜として、その上に貴金属膜を設けた試料Ｎｏ．２０は、耐硫化試験において貴金属膜のピンホールから硫化水素雰囲気が浸入し、Ａｇ膜が劣化した。また、試料Ｎｏ．２１は反射膜の膜厚が不足し、下地にＮｉめっき膜を設けていても十分な初期反射率が得られなかった。

試料Ｎｏ．２２，２３は、反射膜は本発明の範囲であるため良好な初期反射率および耐硫化性が得られたが、試料Ｎｏ．２２は貴金属膜を設けていないために反射膜表面に自然酸化膜が形成され、試料Ｎｏ．２３は貴金属膜の膜厚が不足したため、それぞれ金線が圧着されずワイヤボンディングすることができず、またはんだ付け性が低下した。反対に、試料Ｎｏ．２４は貴金属膜の膜厚が過剰であるために、初期反射率が低下した。試料Ｎｏ．２５は、表面に貴金属膜ではなくＣｕ膜を設けたために、耐硫化試験によりＣｕ膜が劣化して反射率が低下した。

〔試料作製〕
実施例１と製造方法の一部を変えて、図１（ａ）、（ｂ）に示す積層構造のリードフレーム１，１Ｂの試料を作製した。

基板の作製および試料Ｎｏ．２８の膜厚０．５μｍのＮｉめっき膜の形成は、実施例１と同様に行った。さらに反射膜として膜厚１５０ｎｍのＡｌ膜を実施例１の試料Ｎｏ．１と同じ条件でスパッタリング装置にて成膜した後、一旦チャンバーを開放した。次に、前記反射膜の成膜と同様に、再びチャンバー内を真空排気した後、Ａｒガスを導入してチャンバー内圧力を０．２７Ｐａに調整してから、貴金属膜として膜厚２０ｎｍのＰｄ膜を実施例１の試料Ｎｏ．１と同じ条件で成膜して、リードフレーム１，１Ｂの試料を作製した。なお、試料Ｎｏ．２６については、チャンバー内圧力調整後、貴金属膜（Ｐｄ膜）の成膜前に、基板に直流電圧（出力１００Ｗ）を３分間印加して、反射膜の表層を除去した。

〔測定、評価〕
得られたリードフレームの試料について、実施例１と同様の方法で、表面の反射率、耐硫化性、ワイヤボンディング性、およびはんだ付け性を評価した。結果を表２に示す。また、表２に実施例１の試料Ｎｏ．１，１０の結果を併記する。

表２に示すように、試料Ｎｏ．２６は、反射膜と貴金属膜を連続で成膜することなく、同じ積層構造の試料Ｎｏ．１と同程度の初期反射率および耐硫化性が得られた。さらに、試料Ｎｏ．２６は、貴金属膜の成膜前に反射膜の表層の除去を行うことで反射膜表面に形成された自然酸化膜が除去されたために、貴金属膜が反射膜（Ａｌ膜）上に密着性よく形成されて、試料Ｎｏ．１と同様に良好なワイヤボンディング性およびはんだ付け性が得られ、本発明に係るリードフレームを製造できることが確認できた。これに対して、試料Ｎｏ．２７，２８は、それぞれ同じ積層構造の試料Ｎｏ．１，１０と同程度の初期反射率および耐硫化性が得られたが、貴金属膜が反射膜表面に形成された自然酸化膜上に成膜されたために密着性に劣った。その結果、ワイヤボンディングすることはできたが、引張試験にて金線が試料から剥離し、ボンディング箇所を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察すると、貴金属膜と反射膜との界面で剥離を生じたことが確認された。さらに、試料Ｎｏ．２７，２８は、はんだ溶滴に接触して表面の貴金属膜が溶融して酸化膜が露出したために、はんだの濡れ性が低下した。これらのことから、貴金属膜と反射膜との間に酸化膜のないことが望ましいことがわかる。

１０，１０Ａ 支持部材付リードフレーム
１０Ｂ，１０Ｃ 支持部材付リードフレーム（ＬＥＤ用リードフレーム）
１ａ，１ｃ リード部材
１，１Ｂ リードフレーム（ＬＥＤ用リードフレーム）
１１，１１Ａ 基板
１２ 下地めっき膜（Ｎｉめっき膜、Ａｇめっき膜）
１３ 反射膜
１４ 貴金属膜
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ 支持部材
２１ 樹脂成形体（基体）
２２ ＬＥＤチップ搭載部（凹部）
２３ 反射膜
２８ 離間領域

Claims (7)

1. 銅または銅合金からなる基板と、この基板上の少なくとも片面側に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の反射膜と、この反射膜上に形成されたＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜と、を備えることを特徴とするＬＥＤ用リードフレーム。
2. ＬＥＤチップが収容されるための上方に開口した凹部が形成された支持部材と、この支持部材に支持された一対のリード部材と、を備え、前記一対のリード部材が、互いに離間領域を隔てて前記凹部の底面に配設されて、それぞれが当該凹部から前記支持部材の外側に延出している支持部材付きのＬＥＤ用リードフレームであって、
   前記支持部材は、絶縁材料からなる基体と、前記凹部の表面において前記離間領域を除く領域に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上の反射膜と、を備え、
   前記リード部材は、銅または銅合金からなる基板と、前記凹部の内側において前記基板上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる膜厚５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の反射膜と、この反射膜上に形成されたＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の貴金属膜と、を備えることを特徴とするＬＥＤ用リードフレーム。
3. 前記基板と前記反射膜との間に、膜厚０．５μｍ以上のＮｉめっき膜または膜厚０．１μｍ以上のＡｇめっき膜をさらに備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたＬＥＤ用リードフレーム。
4. 請求項１に記載されたＬＥＤ用リードフレームの製造方法であって、
   前記基板上に、物理蒸着法により、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる蒸発源とＰｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる蒸発源とを順番に用いて、前記反射膜および前記貴金属膜を連続して成膜することを特徴とするＬＥＤ用リードフレームの製造方法。
5. 請求項１に記載されたＬＥＤ用リードフレームの製造方法であって、
   前記基板上に、物理蒸着法により、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる蒸発源を用いて前記反射膜を成膜するアルミニウム成膜工程と、
   前記反射膜表面に形成された自然酸化膜を除去した後、物理蒸着法により、Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔから選択される１種以上からなる蒸発源を用いて前記貴金属膜を成膜する貴金属成膜工程と、を行うことを特徴とするＬＥＤ用リードフレームの製造方法。
6. 請求項２に記載されたＬＥＤ用リードフレームの製造方法であって、
   前記反射膜を成膜する前に、絶縁材料で前記支持部材の基体を成形する基体成形工程をさらに行い、
   前記基体成形工程は、前記基体を、前記基板が一対のリード部材として互いに離間領域を隔てて前記支持部材の凹部の底面に配設されるように一体的に成形し、
   前記反射膜を、前記基板上と同時に、前記凹部の表面において前記離間領域を除く領域に形成することを特徴とする請求項４または請求項５に記載されたＬＥＤ用リードフレームの製造方法。
7. 請求項３に記載されたＬＥＤ用リードフレームの製造方法であって、
   前記反射膜を成膜する前に、前記基板上に、めっき処理により前記Ｎｉめっき膜または前記Ａｇめっき膜を成膜するめっき工程をさらに行うことを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載されたＬＥＤ用リードフレームの製造方法。

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